JPH02230713A - 位置合わせ光学系の焦点調整制御方式 - Google Patents
位置合わせ光学系の焦点調整制御方式Info
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- JPH02230713A JPH02230713A JP1051469A JP5146989A JPH02230713A JP H02230713 A JPH02230713 A JP H02230713A JP 1051469 A JP1051469 A JP 1051469A JP 5146989 A JP5146989 A JP 5146989A JP H02230713 A JPH02230713 A JP H02230713A
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- Japan
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- optical measuring
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- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、半導体IC製造用の露光装置において、マ
スク原板と被露光基板の位置合わせ光学系の焦点調整制
御方式に関するものである。
スク原板と被露光基板の位置合わせ光学系の焦点調整制
御方式に関するものである。
[従来の技術コ
゛ヒ導体ICの製作においては、回路パターンを描いた
マスクを原板として、光学式によりウェハなどの被露光
基板に投影して複写される。露光に際しては両者が互い
に一定のギャソプで平行とされ(平行調整)た後、両者
に設けられた位置合わせマークにより位置合わせがなさ
れる。
マスクを原板として、光学式によりウェハなどの被露光
基板に投影して複写される。露光に際しては両者が互い
に一定のギャソプで平行とされ(平行調整)た後、両者
に設けられた位置合わせマークにより位置合わせがなさ
れる。
第3図(a),(b)は位置合わせマークと位置合わせ
方法を示すもので、図(a)において、マスク原板1と
被露光基板2には、それぞれの両端近くの中央部に、#
形マークla,lbと十形マーク2a,2bの位置合わ
せマークが記入されている。露光においては、マスク原
板1と被露光基板2とが平行調整された後、図(b)に
示す2個の光学測定器3aで両側の位置合わせマークを
それぞれ受像し、図(c)のように#形と十形の中心が
一致する位置に基板2を移動して位置合わせが行われる
。
方法を示すもので、図(a)において、マスク原板1と
被露光基板2には、それぞれの両端近くの中央部に、#
形マークla,lbと十形マーク2a,2bの位置合わ
せマークが記入されている。露光においては、マスク原
板1と被露光基板2とが平行調整された後、図(b)に
示す2個の光学測定器3aで両側の位置合わせマークを
それぞれ受像し、図(c)のように#形と十形の中心が
一致する位置に基板2を移動して位置合わせが行われる
。
第4図(a),(b)は半導体の露光装置の要部と光学
系の配置を示すもので、マスク原板1は適当な支持機構
4により光学ユニット3に固定され、光学ユニット3に
は3箇所に光学/Illl定器A3a−1. B3a−
2 , C 3a−3が配設され、測定器AとBは移動
機構3b−1,3b−2によりX方向の左右に移動rl
J能とされている。一方、マスク原板1のド側に基板チ
ャック機横2′を設けて被露光基板2かチャックされる
。5はチルトユニットで、その3箇所にチルト機横53
が配設され、さらにチルトユニット5はXY移動ステー
ジ6によりX.Y方向に移動する。露光においては、ま
ず光学測定7SiA, B, Cにより図(b)に示す
({),(口),(ハ)の位置で基板4の高さを測定し
、チルト機横5aにより被露光基板1をマスク原板1に
対して一定のギャップをなす投影位置に接近させ、かつ
平行調整される。ついで、両側の光学測定器AとBを位
置合わせマークの(二),(ネ)の位置にXalXbづ
つそれぞれ移動し、予め判明しているマスク原板1と被
露光基板2の中間位置に焦点を合わせてマークを受像し
、両マークが一致するようにXY移動ステージ6により
基板2を移動するものである。なお、移動機構3bの制
御と光学測定器3aの焦点調整はマイクロプロセッサに
より自動化されている。
系の配置を示すもので、マスク原板1は適当な支持機構
4により光学ユニット3に固定され、光学ユニット3に
は3箇所に光学/Illl定器A3a−1. B3a−
2 , C 3a−3が配設され、測定器AとBは移動
機構3b−1,3b−2によりX方向の左右に移動rl
J能とされている。一方、マスク原板1のド側に基板チ
ャック機横2′を設けて被露光基板2かチャックされる
。5はチルトユニットで、その3箇所にチルト機横53
が配設され、さらにチルトユニット5はXY移動ステー
ジ6によりX.Y方向に移動する。露光においては、ま
ず光学測定7SiA, B, Cにより図(b)に示す
({),(口),(ハ)の位置で基板4の高さを測定し
、チルト機横5aにより被露光基板1をマスク原板1に
対して一定のギャップをなす投影位置に接近させ、かつ
平行調整される。ついで、両側の光学測定器AとBを位
置合わせマークの(二),(ネ)の位置にXalXbづ
つそれぞれ移動し、予め判明しているマスク原板1と被
露光基板2の中間位置に焦点を合わせてマークを受像し
、両マークが一致するようにXY移動ステージ6により
基板2を移動するものである。なお、移動機構3bの制
御と光学測定器3aの焦点調整はマイクロプロセッサに
より自動化されている。
[解決しようとする課題]
L記において、光学測定器A.Bはマスク原板1と基板
4間の平行調整と、位置合わせの両方に兼用されており
、各光学測定器A,B,Cの焦点は、平行調整において
は被露光基板2に合わせて行い、位置合わせにおいては
#マークと+マークの両者にA,Bのピントを均等に合
わせるために、両者のほぼ中間を焦点位置とする。光学
測定器の焦点深度は極めて浅いので、平行調整から位置
合わせに移行するときに焦点合わせをやり直すことが必
要であり、これは予め正しい焦点位置を計測しておいて
、自動制御により光学測定器の対物レンズを調整して行
われる。しかしながら、光学ユニット3に設けられてい
る移動機構3bは、機構の精度Lマスク原板1との平行
性がかならずしも完全でなく、若干傾斜しているために
、平行調整の段階で正しく焦点が調整された状態に対し
て−[一記の中間の焦点位置に修正しても、位置合わせ
の位置では焦点ボケを生じて正確な位置合わせが阻害さ
れている。これに対して、移動の都度いちいち焦点調整
することは、作業能率が極めて低下する。一方、最近に
おけるICの需要増加に伴ってマスク原板と被露光基板
の形状はともに各種のサイズで大型となって平行調整と
位置合わせの位置の間隔が太き《、従って移動距離が長
くて焦点ボケが大きい。また回路パターンはますます微
細化する趨勢にあり、上記の位置合わせはさらに高精度
が要求されている。これに対して、種々のサイズのマス
ク原板に適用して迅速に焦点調整を行う制御方式が必要
である。
4間の平行調整と、位置合わせの両方に兼用されており
、各光学測定器A,B,Cの焦点は、平行調整において
は被露光基板2に合わせて行い、位置合わせにおいては
#マークと+マークの両者にA,Bのピントを均等に合
わせるために、両者のほぼ中間を焦点位置とする。光学
測定器の焦点深度は極めて浅いので、平行調整から位置
合わせに移行するときに焦点合わせをやり直すことが必
要であり、これは予め正しい焦点位置を計測しておいて
、自動制御により光学測定器の対物レンズを調整して行
われる。しかしながら、光学ユニット3に設けられてい
る移動機構3bは、機構の精度Lマスク原板1との平行
性がかならずしも完全でなく、若干傾斜しているために
、平行調整の段階で正しく焦点が調整された状態に対し
て−[一記の中間の焦点位置に修正しても、位置合わせ
の位置では焦点ボケを生じて正確な位置合わせが阻害さ
れている。これに対して、移動の都度いちいち焦点調整
することは、作業能率が極めて低下する。一方、最近に
おけるICの需要増加に伴ってマスク原板と被露光基板
の形状はともに各種のサイズで大型となって平行調整と
位置合わせの位置の間隔が太き《、従って移動距離が長
くて焦点ボケが大きい。また回路パターンはますます微
細化する趨勢にあり、上記の位置合わせはさらに高精度
が要求されている。これに対して、種々のサイズのマス
ク原板に適用して迅速に焦点調整を行う制御方式が必要
である。
この発明は以上に鑑みてなされたもので、各種のサイズ
のマスク原板に適用して、上記の焦点ボケを修正する焦
点調整制御方式を提供することを目的とするものである
。
のマスク原板に適用して、上記の焦点ボケを修正する焦
点調整制御方式を提供することを目的とするものである
。
[課題を解決するための手段]
この発明は、マスク原板と被露光基板にそれぞれ設けら
れた位置合わせマークの位置に、光学ユニノトに設けら
れた2個の光学測定器を、移動機構によりそれぞれ右ま
たは左方向に移動し、該位置合わせマークを受像して位
置合わせを行う光学系における焦点調整制御方式であっ
て、マスク原板に対する移動機構の傾斜角を予め測定し
、この傾斜角と光学測定器の右または左方向の移動量と
をマイクロプロセッサに与え、光学測定器の焦点調整機
構を制御して移動により生ずる焦点ボケを修正するもの
である。
れた位置合わせマークの位置に、光学ユニノトに設けら
れた2個の光学測定器を、移動機構によりそれぞれ右ま
たは左方向に移動し、該位置合わせマークを受像して位
置合わせを行う光学系における焦点調整制御方式であっ
て、マスク原板に対する移動機構の傾斜角を予め測定し
、この傾斜角と光学測定器の右または左方向の移動量と
をマイクロプロセッサに与え、光学測定器の焦点調整機
構を制御して移動により生ずる焦点ボケを修正するもの
である。
[作用]
第1図により、この発明の焦点調整制御方式を説明する
。図示点線の位置における平行調整の段階においては、
光学測定mA,Hの焦点は被露光基板2に正しく調整さ
れている。これに対して位置合わせにおける焦点位置は
前記によりマスク原板1と被露光基板2の中間の位置合
わせ焦点而l2にあり、これらの垂直距離ΔZCは予め
判明してマイクロプロセッサに記憶されている。
。図示点線の位置における平行調整の段階においては、
光学測定mA,Hの焦点は被露光基板2に正しく調整さ
れている。これに対して位置合わせにおける焦点位置は
前記によりマスク原板1と被露光基板2の中間の位置合
わせ焦点而l2にあり、これらの垂直距離ΔZCは予め
判明してマイクロプロセッサに記憶されている。
いま、移動機構に対する移動直線をLとし、光学測定器
A,Bは直線Lに沿って移動するものとする。マスク原
板1に対する移動直線Lの傾斜角αを予め測定する。傾
斜角αの値と光学測定器A,Bの位置合わせに必要な移
勤ftlxaとxbとをマイクロプロセッサに与えてこ
れらの積を計算して、移動量に対応する焦点ズレの距離
ΔZaおよびΔZbをうる。マイクロプロセッサにより
焦点調整機構を制御してこの距離ΔZaとΔzbを修正
する。この場合、上記の位置合わせ焦点而l2に対する
距離ΔZCについても同時に修正することは勿論である
。
A,Bは直線Lに沿って移動するものとする。マスク原
板1に対する移動直線Lの傾斜角αを予め測定する。傾
斜角αの値と光学測定器A,Bの位置合わせに必要な移
勤ftlxaとxbとをマイクロプロセッサに与えてこ
れらの積を計算して、移動量に対応する焦点ズレの距離
ΔZaおよびΔZbをうる。マイクロプロセッサにより
焦点調整機構を制御してこの距離ΔZaとΔzbを修正
する。この場合、上記の位置合わせ焦点而l2に対する
距離ΔZCについても同時に修正することは勿論である
。
[実施例]
第2図は、この発明による位・置合わせ光学系の焦点調
整制御方式の実施例の構成図を示す。図において、露光
装置の構成と平行調整の動作は第4図(a)のものと同
一とし、同一部分には同−符号を付し説明は省略する。
整制御方式の実施例の構成図を示す。図において、露光
装置の構成と平行調整の動作は第4図(a)のものと同
一とし、同一部分には同−符号を付し説明は省略する。
マスク原板1と被露光基板2との平行調整が終了した後
、マイクロプロセッサ7の指令により、移動制御回路6
aより制御電流が移動機横3b− 1と3b−2に与え
られて、光学測定器A, Bが図示の位置に移動して位
置合わせマ一ク(#)la,1bおよび(+)2a.2
bをそれぞれ受像する。ここで、予め測定され、入力装
置7aよりマイクロプロセッサ7に人力されている、第
1図で説明した傾斜角αのデータと、上記の移動距離X
a + X bの積が計算されて焦点ズレの距離ΔZ
a+Δzbとが求められる。これに前記した中間焦点而
に対する修正距離ΔZCを加えられて焦点調整制御回路
6bに転送され、光学測定器A,Bの焦点調整機構が動
作して正しい焦点調整が行われる。焦点調整機構は図示
しないが、対物レンズの位置を移動する方法によるもの
である。
、マイクロプロセッサ7の指令により、移動制御回路6
aより制御電流が移動機横3b− 1と3b−2に与え
られて、光学測定器A, Bが図示の位置に移動して位
置合わせマ一ク(#)la,1bおよび(+)2a.2
bをそれぞれ受像する。ここで、予め測定され、入力装
置7aよりマイクロプロセッサ7に人力されている、第
1図で説明した傾斜角αのデータと、上記の移動距離X
a + X bの積が計算されて焦点ズレの距離ΔZ
a+Δzbとが求められる。これに前記した中間焦点而
に対する修正距離ΔZCを加えられて焦点調整制御回路
6bに転送され、光学測定器A,Bの焦点調整機構が動
作して正しい焦点調整が行われる。焦点調整機構は図示
しないが、対物レンズの位置を移動する方法によるもの
である。
[発明の効果]
以上の説明により明らかなように、この発明による位置
合わせ光学系の焦点調整方式においては、pめ測定され
たマスク原板に対する移動機構の傾斜角に基づいて、マ
イクロプロセッサにより光学測定器の移動距離に対する
焦点ズレの距離を算出して迅速に修正するもので、各種
のサイズのマスク原板に対して任意の移動距離に適用で
き、光学測定器を平行調整と位置合わせに兼用する露光
装置に寄与する効果には大きいものがある。
合わせ光学系の焦点調整方式においては、pめ測定され
たマスク原板に対する移動機構の傾斜角に基づいて、マ
イクロプロセッサにより光学測定器の移動距離に対する
焦点ズレの距離を算出して迅速に修正するもので、各種
のサイズのマスク原板に対して任意の移動距離に適用で
き、光学測定器を平行調整と位置合わせに兼用する露光
装置に寄与する効果には大きいものがある。
第1図は、この発明による位置合わせ光学系の焦点調整
制御方式の作用に対する説明図、第2図は、この発明に
よる位置合わせ光学系の焦点調整制御方式の実施例の構
成図、第3図(a) .(b)および(C)、は、マス
ク原板と被露光基板の位置合わせの説明図、第4図(a
)および(b)は、露光装置の要部断面図と光学系の配
置図である。 1・・・マスク原板、 la,lb・・・#形マ
ーク、2・・・被露光基板、 2a,2b・・・十
形マーク、2′・・・基板チャック機構、3・・・光学
ユニット、:la− 1・・・光学測定器A% 3a
−2・・・光学測定″aB13 a − 3 ・−・光
学測定Z C , 3b−1 ,3b−2 ・・・移
動機構、4・・・支持機構、 5・・・チルト
ユニット、5a・・・チルト機構、 6a・・・移動
制御回路、6b・・・焦点調整制御回路、 7・・・マイクロプロセッサ、7a・・・入力装置、1
2・・・中間焦点面。
制御方式の作用に対する説明図、第2図は、この発明に
よる位置合わせ光学系の焦点調整制御方式の実施例の構
成図、第3図(a) .(b)および(C)、は、マス
ク原板と被露光基板の位置合わせの説明図、第4図(a
)および(b)は、露光装置の要部断面図と光学系の配
置図である。 1・・・マスク原板、 la,lb・・・#形マ
ーク、2・・・被露光基板、 2a,2b・・・十
形マーク、2′・・・基板チャック機構、3・・・光学
ユニット、:la− 1・・・光学測定器A% 3a
−2・・・光学測定″aB13 a − 3 ・−・光
学測定Z C , 3b−1 ,3b−2 ・・・移
動機構、4・・・支持機構、 5・・・チルト
ユニット、5a・・・チルト機構、 6a・・・移動
制御回路、6b・・・焦点調整制御回路、 7・・・マイクロプロセッサ、7a・・・入力装置、1
2・・・中間焦点面。
Claims (1)
- マスク原板と被露光基板にそれぞれ設けられた位置合わ
せマークの位置に、光学ユニットに設けられた2個の光
学測定器をマイクロプロセッサに制御された移動機構に
よりそれぞれ右または左方向に移動し、該位置合わせマ
ークを受像して位置合わせを行う光学系において、上記
マスク原板に対する上記移動機構の傾斜角を予め測定し
、該傾斜角と上記光学測定器の右または左方向の移動量
とを上記マイクロプロセッサに与え、該マイクロプロセ
ッサにより上記光学測定器に対する焦点調整機構を制御
して、上記移動に伴って生ずる上記光学測定器の焦点ボ
ケを修正することを特徴とする、位置合わせ光学系の焦
点調整制御方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1051469A JPH02230713A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 位置合わせ光学系の焦点調整制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1051469A JPH02230713A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 位置合わせ光学系の焦点調整制御方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02230713A true JPH02230713A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12887802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1051469A Pending JPH02230713A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 位置合わせ光学系の焦点調整制御方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02230713A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007512694A (ja) * | 2003-11-28 | 2007-05-17 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | マスク位置調節装置における直接的アライメント |
-
1989
- 1989-03-03 JP JP1051469A patent/JPH02230713A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007512694A (ja) * | 2003-11-28 | 2007-05-17 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | マスク位置調節装置における直接的アライメント |
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