JPH0223033B2 - - Google Patents
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- JPH0223033B2 JPH0223033B2 JP57170061A JP17006182A JPH0223033B2 JP H0223033 B2 JPH0223033 B2 JP H0223033B2 JP 57170061 A JP57170061 A JP 57170061A JP 17006182 A JP17006182 A JP 17006182A JP H0223033 B2 JPH0223033 B2 JP H0223033B2
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- josephson
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- circuit
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/92—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of superconductive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/195—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using superconductive devices
- H03K19/1952—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using superconductive devices with electro-magnetic coupling of the control current
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はジヨセフソン素子回路に係り、特に
その負荷回路方式の改良に関するものである。
その負荷回路方式の改良に関するものである。
第１図は従来のジヨセフソン素子回路の一例を
示す回路図で、１は第１のジヨセフソンゲート回
路、２は第１のジヨセフソンゲート回路１に縦続
接続された第２のジヨセフソンゲート回路、３は
第１のジヨセフソンゲート回路への入力端子、
４，５はそれぞれ両ジヨセフソンゲート回路１，
２の電源端子、６は第２のジヨセフソンゲート回
路２からの出力端子、７は入力端子３と第１のジ
ヨセフソンゲート回路１とを結ぶ超電導線、８は
第１のジヨセフソンゲート回路１の出力と第２の
ジヨセフソンゲート回路２の入力とを縦続接続す
る超電導線、９，１０はそれぞれ両ジヨセフソン
ゲート回路１，２の負荷抵抗である。
示す回路図で、１は第１のジヨセフソンゲート回
路、２は第１のジヨセフソンゲート回路１に縦続
接続された第２のジヨセフソンゲート回路、３は
第１のジヨセフソンゲート回路への入力端子、
４，５はそれぞれ両ジヨセフソンゲート回路１，
２の電源端子、６は第２のジヨセフソンゲート回
路２からの出力端子、７は入力端子３と第１のジ
ヨセフソンゲート回路１とを結ぶ超電導線、８は
第１のジヨセフソンゲート回路１の出力と第２の
ジヨセフソンゲート回路２の入力とを縦続接続す
る超電導線、９，１０はそれぞれ両ジヨセフソン
ゲート回路１，２の負荷抵抗である。
ジヨセフソン素子を用いた回路は基本的に電流
で駆動される。第１図に示したジヨセフソンゲー
ト回路１，２の電流・電圧特性を第２図に示す。
同図に示すように、最初に供給電流が零であると
きは原点０に動作点が存在する。その後、供給電
流を順次増加すると点ａまではゲートは零電圧状
態を保つ。この零電圧状態を保持する最大電流を
Icとする。このIc以上の値の電流を流すと、ゲー
トは電圧状態となり、動作点は点ｂに移行する。
その後、更に電流を増加させると動作点は点ｃの
方向に移動する。この状態から供給電流を減少さ
せると動作点は点ｃから点ｂを経て電流増加時と
異つた経路を通つて点ｄから原点０へ戻る。この
ように、第１図のジヨセフソンゲート回路１，２
はその電流・電圧特性にヒステリシスが存在し、
零電圧状態と有限電圧状態とを２進情報の“０”、
“１”に対応させることによつて演算処理に利用
される。そして、上記電流Icの値は、例えば第１
図の超電導線７に電流を流すことによつて減少さ
せることができる。
で駆動される。第１図に示したジヨセフソンゲー
ト回路１，２の電流・電圧特性を第２図に示す。
同図に示すように、最初に供給電流が零であると
きは原点０に動作点が存在する。その後、供給電
流を順次増加すると点ａまではゲートは零電圧状
態を保つ。この零電圧状態を保持する最大電流を
Icとする。このIc以上の値の電流を流すと、ゲー
トは電圧状態となり、動作点は点ｂに移行する。
その後、更に電流を増加させると動作点は点ｃの
方向に移動する。この状態から供給電流を減少さ
せると動作点は点ｃから点ｂを経て電流増加時と
異つた経路を通つて点ｄから原点０へ戻る。この
ように、第１図のジヨセフソンゲート回路１，２
はその電流・電圧特性にヒステリシスが存在し、
零電圧状態と有限電圧状態とを２進情報の“０”、
“１”に対応させることによつて演算処理に利用
される。そして、上記電流Icの値は、例えば第１
図の超電導線７に電流を流すことによつて減少さ
せることができる。
次に、第１図に示したように負荷回路を有する
ジヨセフソンゲート回路の動作特性を第３図に示
す。まず、ジヨセフソンゲート回路１に電流を供
給して動作点を点ｆに移行させた後に、超電導線
７に電流を流すことによつて、上述の電流値Icを
減少させると、ジヨセフソンゲート回路１は電圧
状態となり、動作点は点ｇに移行する。そして、
点ｆと点ｇとの電流値の差の分は負荷抵抗１０に
流れる。このとき、点ｆと点ｇとを結ぶ直線の傾
きは負荷抵抗１０の大きさによつて変化し、負荷
抵抗１０の値が大きいときには点ｈに、負荷抵抗
１０の値が小さいときには点ｊに動作点は移行す
る。
ジヨセフソンゲート回路の動作特性を第３図に示
す。まず、ジヨセフソンゲート回路１に電流を供
給して動作点を点ｆに移行させた後に、超電導線
７に電流を流すことによつて、上述の電流値Icを
減少させると、ジヨセフソンゲート回路１は電圧
状態となり、動作点は点ｇに移行する。そして、
点ｆと点ｇとの電流値の差の分は負荷抵抗１０に
流れる。このとき、点ｆと点ｇとを結ぶ直線の傾
きは負荷抵抗１０の大きさによつて変化し、負荷
抵抗１０の値が大きいときには点ｈに、負荷抵抗
１０の値が小さいときには点ｊに動作点は移行す
る。
負荷に多くの電流をとり出したいという点から
は負荷抵抗は小さい方がよいが、負荷抵抗が小さ
すぎると移行動作点は点ｆよりも更に原点０に近
づき、セルフリセツト現象を生じて発振を起こす
ので、おのずから負荷抵抗値には適正範囲があ
る。
は負荷抵抗は小さい方がよいが、負荷抵抗が小さ
すぎると移行動作点は点ｆよりも更に原点０に近
づき、セルフリセツト現象を生じて発振を起こす
ので、おのずから負荷抵抗値には適正範囲があ
る。
従来のジヨセフソン素子回路の負荷抵抗には線
形抵抗が用いられていたので、その抵抗値の許容
範囲が狭いという欠点があつた。
形抵抗が用いられていたので、その抵抗値の許容
範囲が狭いという欠点があつた。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたも
ので、負荷抵抗体として非線形抵抗体を用いるこ
とによつて、その抵抗値の許容範囲を大きくでき
るようにすることを目的としている。
ので、負荷抵抗体として非線形抵抗体を用いるこ
とによつて、その抵抗値の許容範囲を大きくでき
るようにすることを目的としている。
第４図はこの発明の一実施例を示す回路図で、
第１図の従来例と同一符号は同等部分を示し、そ
の説明は重複を避ける。この実施例では負荷抵抗
として非線形抵抗体１１，１２を用いている。第
５図はこの非線形抵抗体の電圧・電流特性の一例
を示す特性図、第６図は第５図に示したような特
性の非線形抵抗体を負荷抵抗体として用いたとき
のジヨセフソンゲート回路の動作特性を示す特性
図である。すなわち、負荷直線はｌに示すように
非線形となり、ゲートの電流・電圧特性曲線との
交点はｋ点となり、ゲート回路の零電圧状態の動
作点ｆから電圧状態に移行すると動作点は点ｋへ
移る。図から判るように、非線形抵抗値が多少変
化しても動作点ｋはさほど動かない。従つて、非
線形抵抗値に対する許容範囲は、線形抵抗体を用
いた場合に比して大きくなる。
第１図の従来例と同一符号は同等部分を示し、そ
の説明は重複を避ける。この実施例では負荷抵抗
として非線形抵抗体１１，１２を用いている。第
５図はこの非線形抵抗体の電圧・電流特性の一例
を示す特性図、第６図は第５図に示したような特
性の非線形抵抗体を負荷抵抗体として用いたとき
のジヨセフソンゲート回路の動作特性を示す特性
図である。すなわち、負荷直線はｌに示すように
非線形となり、ゲートの電流・電圧特性曲線との
交点はｋ点となり、ゲート回路の零電圧状態の動
作点ｆから電圧状態に移行すると動作点は点ｋへ
移る。図から判るように、非線形抵抗値が多少変
化しても動作点ｋはさほど動かない。従つて、非
線形抵抗値に対する許容範囲は、線形抵抗体を用
いた場合に比して大きくなる。
また、第５図に特性を示したような非線形抵抗
体はジヨセフソン素子回路では容易に実現でき
る。第７図は従来のジヨセフソン素子の構成を示
す側面図で、２１，２２は超電導体、２３は絶縁
体または半導体である。この素子の電流・電圧特
性は第８図に示すとおりで、これは第２図と同一
特性である。図において、電流・電圧特性に大き
い非線形の現われる点ｍの電圧（ギヤツプ電圧）
は次式で表わされる。
体はジヨセフソン素子回路では容易に実現でき
る。第７図は従来のジヨセフソン素子の構成を示
す側面図で、２１，２２は超電導体、２３は絶縁
体または半導体である。この素子の電流・電圧特
性は第８図に示すとおりで、これは第２図と同一
特性である。図において、電流・電圧特性に大き
い非線形の現われる点ｍの電圧（ギヤツプ電圧）
は次式で表わされる。
（Δ1＋Δ2）／2e 〔１〕
ここで、ｅは電子の電荷、Δ1、Δ2はそれぞれ
超電導体２１，２２の超電導ギヤツプエネルギー
と呼ばれる量である。
超電導体２１，２２の超電導ギヤツプエネルギー
と呼ばれる量である。
そこで、この発明のジヨセフソンゲート回路の
負荷抵抗として用いるように、第５図、第６図に
示したような特性の非線形抵抗体を得るためには
第９図に示すような構成にすればよい。すなわ
ち、第７図のジヨセフソン素子の一方の超電導体
２２を常電導体２４にしたもので、その電流・電
圧特性は第１０図のようになる。この場合は、も
はや零電圧で電流が流れることはなくなり、また
電流・電圧特性に大きい非線形が現われる点ｎの
電圧（ギヤツプ電圧）は、次式で示すように、ギ
ヤツプ電圧ｍよりΔ2／2e小さい。
負荷抵抗として用いるように、第５図、第６図に
示したような特性の非線形抵抗体を得るためには
第９図に示すような構成にすればよい。すなわ
ち、第７図のジヨセフソン素子の一方の超電導体
２２を常電導体２４にしたもので、その電流・電
圧特性は第１０図のようになる。この場合は、も
はや零電圧で電流が流れることはなくなり、また
電流・電圧特性に大きい非線形が現われる点ｎの
電圧（ギヤツプ電圧）は、次式で示すように、ギ
ヤツプ電圧ｍよりΔ2／2e小さい。
Δ1／2e 〔２〕
以上のように超電導体−絶縁体（または半導
体）−常電導体の接合を用いることによつて、容
易に所望の非線形抵抗体を作ることができる。
体）−常電導体の接合を用いることによつて、容
易に所望の非線形抵抗体を作ることができる。
以上説明したように、この発明ではジヨセフソ
ン素子回路の負荷に非線形抵抗体を用いたので、
負荷抵抗値の許容範囲を大きくすることができ
る。
ン素子回路の負荷に非線形抵抗体を用いたので、
負荷抵抗値の許容範囲を大きくすることができ
る。
第１図は従来のジヨセフソン素子回路の一例を
示す回路図、第２図は第１図に用いたジヨセフソ
ンゲート回路の電流・電圧特性図、第３図は第１
図に示した従来の線形抵抗を負荷としたジヨセフ
ソンゲート回路の動作特性図、第４図はこの発明
の一実施例を示す回路図、第５図はこの実施例に
用いる非線形抵抗体の電流・電圧特性図、第６図
はこの非線形抵抗体の負荷抵抗に用いたこの実施
例の動作特性図、第７図は従来のジヨセフソン素
子の構成を示す側面図、第８図はその電流・電圧
特性図、第９図はこの発明に用いる非線形抵抗体
の構成を示す側面図、第１０図はその電流・電圧
特性図である。 図において、１，２はジヨセフソン素子ゲート
回路、１１，１２は非線形負荷抵抗、２１は超電
導体、２３は絶縁体または半導体、２４は常電導
体である。なお、図中同一符号は同一または相当
部分を示す。
示す回路図、第２図は第１図に用いたジヨセフソ
ンゲート回路の電流・電圧特性図、第３図は第１
図に示した従来の線形抵抗を負荷としたジヨセフ
ソンゲート回路の動作特性図、第４図はこの発明
の一実施例を示す回路図、第５図はこの実施例に
用いる非線形抵抗体の電流・電圧特性図、第６図
はこの非線形抵抗体の負荷抵抗に用いたこの実施
例の動作特性図、第７図は従来のジヨセフソン素
子の構成を示す側面図、第８図はその電流・電圧
特性図、第９図はこの発明に用いる非線形抵抗体
の構成を示す側面図、第１０図はその電流・電圧
特性図である。 図において、１，２はジヨセフソン素子ゲート
回路、１１，１２は非線形負荷抵抗、２１は超電
導体、２３は絶縁体または半導体、２４は常電導
体である。なお、図中同一符号は同一または相当
部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 負荷抵抗に非線形抵抗体を用いたジヨセフソ
ン素子回路において、 前記非線形抵抗体が超電導体−絶縁体−常電導
体のトンネル接合あるいは超電導体−半導体−常
電導体のトンネル接合で構成されたことを特徴と
するジヨセフソン素子回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170061A JPS5957483A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | ジヨセフソン素子回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57170061A JPS5957483A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | ジヨセフソン素子回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957483A JPS5957483A (ja) | 1984-04-03 |
| JPH0223033B2 true JPH0223033B2 (ja) | 1990-05-22 |
Family
ID=15897898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57170061A Granted JPS5957483A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | ジヨセフソン素子回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957483A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0652681B2 (ja) * | 1984-05-22 | 1994-07-06 | 工業技術院長 | 超伝導回路用抵抗体の製造方法 |
| JPS6164178A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導回路の製法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320372A (en) * | 1976-08-10 | 1978-02-24 | Toa Medical Electronics | Particle counter |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57170061A patent/JPS5957483A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5320372A (en) * | 1976-08-10 | 1978-02-24 | Toa Medical Electronics | Particle counter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5957483A (ja) | 1984-04-03 |
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