JPH02225700A - 絶縁性基体表面の導電化方法 - Google Patents
絶縁性基体表面の導電化方法Info
- Publication number
- JPH02225700A JPH02225700A JP4616989A JP4616989A JPH02225700A JP H02225700 A JPH02225700 A JP H02225700A JP 4616989 A JP4616989 A JP 4616989A JP 4616989 A JP4616989 A JP 4616989A JP H02225700 A JPH02225700 A JP H02225700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating substrate
- conductive
- electrolyte
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 20
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract description 11
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims abstract description 5
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 7
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 claims 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 16
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 abstract 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 16
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 16
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 halogen ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- QKFFSWPNFCXGIQ-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;tetraethylazanium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 QKFFSWPNFCXGIQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000008051 alkyl sulfates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003411 electrode reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910001540 lithium hexafluoroarsenate(V) Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M sodium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Na+].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/188—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by direct electroplating
Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電気絶縁性基体の表面を導電化する方法に利用
される。特に、例えば、集積回路(IC1LS I)を
用いた電子機器のプラスチック製のハウジング等の表面
を導電化する絶縁性基体表面の導電化方法に関する。
される。特に、例えば、集積回路(IC1LS I)を
用いた電子機器のプラスチック製のハウジング等の表面
を導電化する絶縁性基体表面の導電化方法に関する。
本発明は、絶縁性基体表面に導電体皮膜を形成する絶縁
性基体表面の導電化方法において、絶縁性基体表面を、
電解重合用モノマーを含む電解液で濡らし、この絶縁性
基体に接触して設けた作用電極を用いて電解重合を行い
、この絶縁性基体の表面に樹状あるいは網目状の導電性
高分子膜を形成し、次いで、この樹状あるいは網目状の
導電性高分子膜を陽極として芳香族化合物の電解重合を
行い導電性高分子からなる前記導電体皮膜を形成するこ
とにより、 強靭でかつ導電率の高い導電体皮膜が形成できるように
したものである。
性基体表面の導電化方法において、絶縁性基体表面を、
電解重合用モノマーを含む電解液で濡らし、この絶縁性
基体に接触して設けた作用電極を用いて電解重合を行い
、この絶縁性基体の表面に樹状あるいは網目状の導電性
高分子膜を形成し、次いで、この樹状あるいは網目状の
導電性高分子膜を陽極として芳香族化合物の電解重合を
行い導電性高分子からなる前記導電体皮膜を形成するこ
とにより、 強靭でかつ導電率の高い導電体皮膜が形成できるように
したものである。
電子機器製品が高度化、精密化するにともない、IC,
LSIがコンピュータに代表される電子機器に多数利用
されるようになった。これら機器類のハウジング、特に
小型電子機器のハウジングの大部分はプラスチックスで
作られている。一方、集積回路は集積度を高め、機能が
向上する反面、微量の静電気により静電破壊を起こすと
いう問題点を生じている。このため、電子産業界ではこ
の静電気防止対策が大きなテーマとなっている。また、
外B電磁波による電子機器の誤動作がクローズアップさ
れるようになり、電磁シールド対策も重要な課題となっ
ている。
LSIがコンピュータに代表される電子機器に多数利用
されるようになった。これら機器類のハウジング、特に
小型電子機器のハウジングの大部分はプラスチックスで
作られている。一方、集積回路は集積度を高め、機能が
向上する反面、微量の静電気により静電破壊を起こすと
いう問題点を生じている。このため、電子産業界ではこ
の静電気防止対策が大きなテーマとなっている。また、
外B電磁波による電子機器の誤動作がクローズアップさ
れるようになり、電磁シールド対策も重要な課題となっ
ている。
プラスチックスのような絶縁体では帯電した静電気は除
去しにくいため、一般的には導電性のカーボン粉末また
は金属微粉末などの導電性フィラーをバインダー樹脂中
に分散し、これを塗布して導電化する方法がとられてい
る。しかし、この方法では、これらのカーボン微粉およ
び金R微粉末等を完全に均一に樹脂中に分散させること
は難しく、分散が不完全な場合、求める導電性は得られ
ず、帯電防止能も不均一なものとなる。さらに充分、分
散して塗布した場合でも導電性皮膜と絶縁性基体との接
着力が弱いなどの欠点を有している。
去しにくいため、一般的には導電性のカーボン粉末また
は金属微粉末などの導電性フィラーをバインダー樹脂中
に分散し、これを塗布して導電化する方法がとられてい
る。しかし、この方法では、これらのカーボン微粉およ
び金R微粉末等を完全に均一に樹脂中に分散させること
は難しく、分散が不完全な場合、求める導電性は得られ
ず、帯電防止能も不均一なものとなる。さらに充分、分
散して塗布した場合でも導電性皮膜と絶縁性基体との接
着力が弱いなどの欠点を有している。
近年、導電性高分子材料の研究が進み、その機械的特性
および電気的特性が優れていることが明かとなっている
。導電性高分子を利用して絶縁性基体表面を導電化する
試みもなされているが、絶縁性基体上で酸化剤を用いて
、芳香族化合物を化学的に酸化し、表面に導電性高分子
膜を形成させる方法であり、高強度の膜を形成すること
ができないという欠点があった。
および電気的特性が優れていることが明かとなっている
。導電性高分子を利用して絶縁性基体表面を導電化する
試みもなされているが、絶縁性基体上で酸化剤を用いて
、芳香族化合物を化学的に酸化し、表面に導電性高分子
膜を形成させる方法であり、高強度の膜を形成すること
ができないという欠点があった。
導電性高分子を合成する方法として、前記の酸化剤を用
いて芳香族化合物を化学的に酸化する化学酸化型合法以
外に、芳香族化合物を電気化学的に酸化する電解酸化重
合法がある。電解酸化重合法では高電気伝導度で強靭な
導電性高分子を得ることができる。しかし、絶縁性基体
は電気を通さないため作用電極となり得ず、絶縁性基体
上に直接このような導電性高分子膜を形成することがで
きないという課題があった。
いて芳香族化合物を化学的に酸化する化学酸化型合法以
外に、芳香族化合物を電気化学的に酸化する電解酸化重
合法がある。電解酸化重合法では高電気伝導度で強靭な
導電性高分子を得ることができる。しかし、絶縁性基体
は電気を通さないため作用電極となり得ず、絶縁性基体
上に直接このような導電性高分子膜を形成することがで
きないという課題があった。
本発明の目的は、前記の課題を解消することにより、絶
縁性基体上に強靭でかつ導電率の高い導電性高分子膜を
簡単に形成できる絶縁性基体表面の導電化方法を提供す
ることにある。
縁性基体上に強靭でかつ導電率の高い導電性高分子膜を
簡単に形成できる絶縁性基体表面の導電化方法を提供す
ることにある。
本発明者らは前記の課題を解決するために種々検討の結
果、特定な方法を採用することで絶縁性基体表面を導電
化し得ることを見いだし、本発明に至った。
果、特定な方法を採用することで絶縁性基体表面を導電
化し得ることを見いだし、本発明に至った。
すなわち、本発明は、絶縁性基体表面に導電体皮膜を形
成する絶縁性基体表面の導電化方法において、絶縁性基
体表面を、電解重合用モノマーを含む電解液で濡らし、
この絶縁性基体に接触して設けた作用電極を用いて電解
重合を行い、この絶縁性基体の表面に樹状あるいは網目
状の導電性高分子膜を形成し、次いで、この樹状あるい
は網目状の導電性高分子膜を陽極として芳香族化合物の
電解重合を行い導電性高分子からなる前記導電体皮膜を
形成することを特徴とする。
成する絶縁性基体表面の導電化方法において、絶縁性基
体表面を、電解重合用モノマーを含む電解液で濡らし、
この絶縁性基体に接触して設けた作用電極を用いて電解
重合を行い、この絶縁性基体の表面に樹状あるいは網目
状の導電性高分子膜を形成し、次いで、この樹状あるい
は網目状の導電性高分子膜を陽極として芳香族化合物の
電解重合を行い導電性高分子からなる前記導電体皮膜を
形成することを特徴とする。
本発明においては、絶縁性基体の表面にまず樹状あるい
は網目状の導電性高分子膜を形成し、これを陽極として
芳香族化合物の電解重合を行うが、この樹状あるいは網
目状の導電性高分子としては、ピロール、チオフェンお
よびベンゼンならびにその誘導体をモノマーとして得ら
れる導電性高分子等が挙げられ、これらのモノマーを特
定の方法により電解重合させる。
は網目状の導電性高分子膜を形成し、これを陽極として
芳香族化合物の電解重合を行うが、この樹状あるいは網
目状の導電性高分子としては、ピロール、チオフェンお
よびベンゼンならびにその誘導体をモノマーとして得ら
れる導電性高分子等が挙げられ、これらのモノマーを特
定の方法により電解重合させる。
これらのモノマーは、その重合条件によって種々の形態
で重合するが、これらのモノマーを含む電解液膜中で、
しかも印加電圧をその電解液膜中の電位勾配が約1 v
/ctn以上となるように通常の電解重合時の値よりは
高く設定することにより、樹状あるいは網目状の導電性
高分子膜が形成される。
で重合するが、これらのモノマーを含む電解液膜中で、
しかも印加電圧をその電解液膜中の電位勾配が約1 v
/ctn以上となるように通常の電解重合時の値よりは
高く設定することにより、樹状あるいは網目状の導電性
高分子膜が形成される。
前記電解重合の際には、絶縁性基体の表面の一部に接触
させて設けた導電体を作用電極(陽極)とするが、この
作用電極としては、通常の電極反応に用いられる全ての
金属、半導体および導電性高分子が挙げられる。
させて設けた導電体を作用電極(陽極)とするが、この
作用電極としては、通常の電極反応に用いられる全ての
金属、半導体および導電性高分子が挙げられる。
また、本発明においては、対向電極の種類は特に限定さ
れないで、通常の電極反応に用いられる全ての金属、半
導体および導電性高分子等を使用できる。
れないで、通常の電極反応に用いられる全ての金属、半
導体および導電性高分子等を使用できる。
本発明の構成を、−例として、絶縁性基体としてPET
フィルム、作用電極として金線を用い、導電体皮膜とし
てポリピロールを生成する場合について図に従って説明
する。
フィルム、作用電極として金線を用い、導電体皮膜とし
てポリピロールを生成する場合について図に従って説明
する。
まず、絶縁性基体としてのPETフィルム1表面の一部
に作用電極としての金線2を接触させ、PETフィルム
lを電解液4で濡らし、下部の一部を電解液4中に浸漬
し、さらにPETフィルムlの下方に対向電極としてニ
ッケル板3を設ける。
に作用電極としての金線2を接触させ、PETフィルム
lを電解液4で濡らし、下部の一部を電解液4中に浸漬
し、さらにPETフィルムlの下方に対向電極としてニ
ッケル板3を設ける。
この場合金線2とニッケル板3とは電解液4ならびにP
ETフィルム】上に形成された電解液膜を介して結ばれ
る。そして、両電極間に所定の電圧を印加して電解重合
を行う。この場合、印加電圧は、絶縁性基体表面におけ
る電解液膜中の電位勾配がl v/cm以上、好ましく
は5〜100V/C[TIとなるようにすればよい。1
v/cm以下の場合、生成するポリマーは樹状あるい
は網目状とならず塊状になる傾向がある。
ETフィルム】上に形成された電解液膜を介して結ばれ
る。そして、両電極間に所定の電圧を印加して電解重合
を行う。この場合、印加電圧は、絶縁性基体表面におけ
る電解液膜中の電位勾配がl v/cm以上、好ましく
は5〜100V/C[TIとなるようにすればよい。1
v/cm以下の場合、生成するポリマーは樹状あるい
は網目状とならず塊状になる傾向がある。
本発明では、このように第1段階で絶縁性基体表面上に
樹状あるいは網目状の導電性高分子を形成し、次に第2
段階としてこの形成された導電性高分子を実質的な陽極
として通常の電解重合条件で芳香族化合物の電解重合を
行い、絶縁性基体表面に導電性高分子からなる導電体皮
膜を形成する。
樹状あるいは網目状の導電性高分子を形成し、次に第2
段階としてこの形成された導電性高分子を実質的な陽極
として通常の電解重合条件で芳香族化合物の電解重合を
行い、絶縁性基体表面に導電性高分子からなる導電体皮
膜を形成する。
第2段階における電解重合用モノマーは、第1段階と同
じでもよいし、別のものでもよい。第1段階および第2
段階いずれにおいても、電解重合用電解液は、基本的に
は極性溶媒にモノマーである芳香族化合物と支持電解質
塩が添加されたものであり、必要に応じて他の成分を含
むこともできる。本発明において電界重合に用いられる
芳香族化合物としては、ベンゼン、ピロール、チオフェ
ンおよびフランならびにその誘導体等が挙げられ、好ま
しくはピロールおよびその誘導体が挙げられる。極性溶
媒としては、例えば、水、アセト二トリノベベンゾニト
リル、テトラヒドロフラン、ニトロベンゼン、ニトロメ
タンおよび炭酸プロピレン等が挙げられるが、これらに
限定されず、また2種以上の溶媒を組み合わせて使用す
ることもできる。支持電解質塩を構成するアニオンとし
ては、例えば、l−1F−およびCI−等のハロゲンイ
オン、BFa−、ClO4−およびASF、−″等の各
種/’iロゲン化合物、アルキル硫酸イオン、置換ベン
ゼンスルホン酸イオンおよびポリスチレンスルホン酸イ
オン等が挙げられる。また、カチオンとしては、プロト
ン、アルカリ金属、アルカリ土類金属および4級アンモ
ニウムが代表的なものである。
じでもよいし、別のものでもよい。第1段階および第2
段階いずれにおいても、電解重合用電解液は、基本的に
は極性溶媒にモノマーである芳香族化合物と支持電解質
塩が添加されたものであり、必要に応じて他の成分を含
むこともできる。本発明において電界重合に用いられる
芳香族化合物としては、ベンゼン、ピロール、チオフェ
ンおよびフランならびにその誘導体等が挙げられ、好ま
しくはピロールおよびその誘導体が挙げられる。極性溶
媒としては、例えば、水、アセト二トリノベベンゾニト
リル、テトラヒドロフラン、ニトロベンゼン、ニトロメ
タンおよび炭酸プロピレン等が挙げられるが、これらに
限定されず、また2種以上の溶媒を組み合わせて使用す
ることもできる。支持電解質塩を構成するアニオンとし
ては、例えば、l−1F−およびCI−等のハロゲンイ
オン、BFa−、ClO4−およびASF、−″等の各
種/’iロゲン化合物、アルキル硫酸イオン、置換ベン
ゼンスルホン酸イオンおよびポリスチレンスルホン酸イ
オン等が挙げられる。また、カチオンとしては、プロト
ン、アルカリ金属、アルカリ土類金属および4級アンモ
ニウムが代表的なものである。
第2段階における電解重合電圧は通常行われる電気化学
反応で用いられる方法によって制御され、一般には0.
1〜500 Vの範囲の直流電圧が用いられ、必要に応
じてこれに交流を重ねることもてきる。ただし、第1段
階において、樹状あるいは網目状の導電性高分子を形成
する場合は前記のように制限される。
反応で用いられる方法によって制御され、一般には0.
1〜500 Vの範囲の直流電圧が用いられ、必要に応
じてこれに交流を重ねることもてきる。ただし、第1段
階において、樹状あるいは網目状の導電性高分子を形成
する場合は前記のように制限される。
このようにして得られた絶縁性基体表面の導電性高分子
膜は、強靭で電気伝導度も高く、しかも絶縁性基体との
接着性も優れた導電化膜である。
膜は、強靭で電気伝導度も高く、しかも絶縁性基体との
接着性も優れた導電化膜である。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本
発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
実施例1
長さ30mm、幅10謔の短冊状のPETフィルム面上
に金線を接触させ、1.25Mのピロール、およびOJ
Mのパラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム
を含むアセトニ) Uル溶液膜をPETフィルム表面に
形成した後、同じアセトニトリル溶液中にこのPETフ
ィルムの下端の一部を浸漬した。同フィルムの下方の同
溶液中に設けたニッケル板を陰極として、これと金線と
の間にIOVの電圧を印加したところ、直ちに金線表面
からボリピロールが成長し、120秒以内にPETフィ
ルム全面に樹状ポリピロールが生成した。ここで反応を
停止し、次にフィルム全体を浸漬し、1.8Vの電圧を
印加して4時間反応したところ、PETフィルム上に膜
厚10−のポリピロール膜が形成され、膜は機械的に優
れた強度をもちPETフィルムよりひき剥がすことがで
きなかった。得られたポリピロール膜の導電率を4端子
法で測定したところ、導電率は100 S/cm以上で
あった。
に金線を接触させ、1.25Mのピロール、およびOJ
Mのパラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウム
を含むアセトニ) Uル溶液膜をPETフィルム表面に
形成した後、同じアセトニトリル溶液中にこのPETフ
ィルムの下端の一部を浸漬した。同フィルムの下方の同
溶液中に設けたニッケル板を陰極として、これと金線と
の間にIOVの電圧を印加したところ、直ちに金線表面
からボリピロールが成長し、120秒以内にPETフィ
ルム全面に樹状ポリピロールが生成した。ここで反応を
停止し、次にフィルム全体を浸漬し、1.8Vの電圧を
印加して4時間反応したところ、PETフィルム上に膜
厚10−のポリピロール膜が形成され、膜は機械的に優
れた強度をもちPETフィルムよりひき剥がすことがで
きなかった。得られたポリピロール膜の導電率を4端子
法で測定したところ、導電率は100 S/cm以上で
あった。
実施例2
0.25Mのピロール、および0.2Mのパラトルエン
スルホン酸ナトリウムを含む水溶液を用いて、白金板を
陽極とする電解酸化反応にて膜厚20a+のポリピロー
ルフィルムを得た。次に、このフィルムを幅l aI+
++、長さ3hmの短冊状に切り出し、実施例1の金線
に代えて作用電極として使用し、実施例10PETフイ
ルムに実施例1と同様の方法で電圧を印加すると、実施
例1と同様に150秒以内にPETフィルム全面に樹状
ポリピロールが生成した。ここで反応を停止し、次に2
.5Vの電圧を印加して8時間反応したところ、PET
フィルム上に膜厚15uのポリピロール膜が形成され、
膜は機械的に優れた強度をもちPETフィルムよりひき
剥すことができなかった。得られたポリピロール膜の導
電率を4端子法で測定したところ、導電率80S/cm
以上であった。
スルホン酸ナトリウムを含む水溶液を用いて、白金板を
陽極とする電解酸化反応にて膜厚20a+のポリピロー
ルフィルムを得た。次に、このフィルムを幅l aI+
++、長さ3hmの短冊状に切り出し、実施例1の金線
に代えて作用電極として使用し、実施例10PETフイ
ルムに実施例1と同様の方法で電圧を印加すると、実施
例1と同様に150秒以内にPETフィルム全面に樹状
ポリピロールが生成した。ここで反応を停止し、次に2
.5Vの電圧を印加して8時間反応したところ、PET
フィルム上に膜厚15uのポリピロール膜が形成され、
膜は機械的に優れた強度をもちPETフィルムよりひき
剥すことができなかった。得られたポリピロール膜の導
電率を4端子法で測定したところ、導電率80S/cm
以上であった。
実施例3
長さ30關、幅10mmの短冊状の濾紙面上に金線を接
触させ、1.25Mのピロール、および0.3Mのパラ
トルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウムを含むア
セトニトリル溶液中に一部浸漬して、ニッケル板を陰極
として、これと金線との間にIOVの電圧を印加したと
ころ、直ちに金線表面からポリピロールが成長し、60
秒以内に濾紙全面に樹状ポリピロールが生成した。ここ
で反応を停止し、次に1.8Vの電圧を印加して3時間
反応したところ、PETフィルム上に膜厚5μlのポリ
ピロール膜が形成され、膜は機械的に優れた強度をもち
濾紙よりひき剥すことかできなかった。得られたポリピ
ロール膜の導電率を4@子法で測定したところ、導電率
は12OS/c+′11以上であった。
触させ、1.25Mのピロール、および0.3Mのパラ
トルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウムを含むア
セトニトリル溶液中に一部浸漬して、ニッケル板を陰極
として、これと金線との間にIOVの電圧を印加したと
ころ、直ちに金線表面からポリピロールが成長し、60
秒以内に濾紙全面に樹状ポリピロールが生成した。ここ
で反応を停止し、次に1.8Vの電圧を印加して3時間
反応したところ、PETフィルム上に膜厚5μlのポリ
ピロール膜が形成され、膜は機械的に優れた強度をもち
濾紙よりひき剥すことかできなかった。得られたポリピ
ロール膜の導電率を4@子法で測定したところ、導電率
は12OS/c+′11以上であった。
実施例4
PETフィルムの表面の一方に実施例2の方法で製造し
た短冊状ポリピロールフィルムを接触させ、もう一方を
2.5Mのベンゼン、および0.1Mの塩化第2銅およ
びLiAsF6を含むニトロベンゼン溶液に一部浸漬し
て、ニッケル板陰極と短冊状ポリピロールフィルムとの
間に30Vの電圧を印加したところ、PET表面に樹状
のポリバラフェニレンが生成した。50分後反応を停止
し、さらに1.25Mのピロール、および0.3Mのパ
ラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウムを含む
アセトニトリル溶液に浸漬し、1.8vの電圧を印加し
て4時間反応したところ、PETフィルム上に膜厚5m
Jのポリピロール膜が形成され、膜は機械的に優れた強
度をもち濾紙よりひき剥すことができなかった。得られ
たポリピロール膜の導電率を4端子法で測定したところ
、導電率は90S/c+n以上であった。
た短冊状ポリピロールフィルムを接触させ、もう一方を
2.5Mのベンゼン、および0.1Mの塩化第2銅およ
びLiAsF6を含むニトロベンゼン溶液に一部浸漬し
て、ニッケル板陰極と短冊状ポリピロールフィルムとの
間に30Vの電圧を印加したところ、PET表面に樹状
のポリバラフェニレンが生成した。50分後反応を停止
し、さらに1.25Mのピロール、および0.3Mのパ
ラトルエンスルホン酸テトラエチルアンモニウムを含む
アセトニトリル溶液に浸漬し、1.8vの電圧を印加し
て4時間反応したところ、PETフィルム上に膜厚5m
Jのポリピロール膜が形成され、膜は機械的に優れた強
度をもち濾紙よりひき剥すことができなかった。得られ
たポリピロール膜の導電率を4端子法で測定したところ
、導電率は90S/c+n以上であった。
以上説明したように、本発明によれば、汎用高分子など
の電気絶縁性高分子などの表面を接着性の優れた強靭な
導電性高分子膜で導電化することが可能となり、帯電防
止および電磁気シールド対策等が容易かつ安価にできる
ようになるので、その効果は大である。
の電気絶縁性高分子などの表面を接着性の優れた強靭な
導電性高分子膜で導電化することが可能となり、帯電防
止および電磁気シールド対策等が容易かつ安価にできる
ようになるので、その効果は大である。
図は本発明の構成の一例を示す説明図。
1・・・PETフィルム(絶縁性基体)、2・・・金線
(作用電極)、3・・・ニッケル(対向電極)、4・・
・電解液。 特許出願人 花 王 株 式 会
(作用電極)、3・・・ニッケル(対向電極)、4・・
・電解液。 特許出願人 花 王 株 式 会
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、絶縁性基体表面に導電体皮膜を形成する絶縁性基体
表面の導電化方法において、 絶縁性基体表面を、電解重合用モノマーを含む電解液で
濡らし、この絶縁性基体に接触して設けた作用電極を用
いて電解重合を行い、この絶縁性基体の表面に樹状ある
いは網目状の導電性高分子膜を形成し、次いで、この樹
状あるいは網目状の導電性高分子膜を陽極として芳香族
化合物の電解重合を行い導電性高分子からなる前記導電
体皮膜を形成する ことを特徴とする絶縁性基体表面の導電化方法。 2、前記導電性高分子膜は、ピロール、チオフェンおよ
びベンゼンならびにその誘導体をモノマーとして得られ
た導電性高分子膜である請求項1記載の絶縁性基体表面
の導電化方法。 3、前記芳香化合物が、ピロール、チオフェンおよびベ
ンゼンならびにその誘導体である請求項1記載の絶縁性
基体表面の導電化方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4616989A JPH02225700A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 絶縁性基体表面の導電化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4616989A JPH02225700A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 絶縁性基体表面の導電化方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02225700A true JPH02225700A (ja) | 1990-09-07 |
Family
ID=12739521
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4616989A Pending JPH02225700A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 絶縁性基体表面の導電化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02225700A (ja) |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP4616989A patent/JPH02225700A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI399774B (zh) | 導電性高分子複合體及使用該導電性高分子複合體之固體電解電容器 | |
US5427841A (en) | Laminated structure of a metal layer on a conductive polymer layer and method of manufacturing such a structure | |
DE3544957C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrisch leitenden Verbund-Polymerformkörpers, von Schottky-Sperrschicht- bzw. -Halbleiter-Dioden und von gemusterten Elektroden | |
US4728399A (en) | Preparation of laminates of metals and electrically conductive polymers | |
CN101091229B (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 | |
US5300208A (en) | Fabrication of printed circuit boards using conducting polymer | |
US4858078A (en) | Solid electrolytic capacitor | |
DE69020880T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Festkondensators und damit erhältlicher Festkondensator. | |
KR910001830A (ko) | 고체 전해 콘덴서의 제조 방법 | |
EP0615257B1 (en) | Method of manufactoring a laminated structure of a metal layer on a conductive polymer layer | |
Naoi et al. | Application of electrochemically formed polypyrrole in lithium secondary batteries: Analysis of anion diffusion process | |
JPH02225700A (ja) | 絶縁性基体表面の導電化方法 | |
JP3213994B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0467767B2 (ja) | ||
JPH02224316A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH10275745A (ja) | 導電性高分子端子および固体電解コンデンサ | |
KALAYCIOĞLU et al. | Impedance characteristics of conducting polypyrrole-poly (ethylvinylether) graft films | |
JPS63174223A (ja) | 表面導電化方法 | |
JPS6223195A (ja) | 導電性回路基板とその製造法 | |
JP2003068574A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPS62159495A (ja) | 導電回路の形成方法 | |
JPS59226022A (ja) | 導電体およびその製造方法 | |
JP3077673B2 (ja) | 配線基板検査用コンタクトピンの製造方法及び配線基板検査装置 | |
JPH0494108A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JPH0346212A (ja) | コンデンサ |