JPH02224218A - Semiconductor device substrate - Google Patents
Semiconductor device substrateInfo
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Classifications
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要）
半導体装置用基板の改良に関し、
堆積物によって読み取り誤差が生ずるまでのマークの寿
命が長くなり、かつ、フォトマスクと基板との密着性を
良好に保って解像度を向上するようにされた半導体装置
用基板を提供することを目的とし、
レーザが照射されて凹状のマークが形成されるマーク形
成領域を有する半導体装置用基板において、前記のマー
ク形成領域が、前記のマーク形成時に、前記の凹状のマ
ーク周囲部に形成される凸部の頂部が半導体装置用基板
の素子形成面よりも高くならない程度に半導体装置用基
板の素子形成面より低く形成されるように構成される。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the improvement of substrates for semiconductor devices, the lifespan of marks until reading errors occur due to deposits is increased, and the resolution is improved by maintaining good adhesion between the photomask and the substrate. The object of the present invention is to provide a substrate for a semiconductor device having a mark forming region on which a concave mark is formed by laser irradiation, wherein the mark forming region is When forming the mark, the top of the convex portion formed around the concave mark is formed to be lower than the element formation surface of the semiconductor device substrate to the extent that it does not become higher than the element formation surface of the semiconductor device substrate. configured.
本発明は、半導体装置用基板の改良、特に、レーザマー
キング法を使用して形成されたマークの寿命が長（なり
、かつ、このマークを使用した場合、解像度が向上する
ようにされた形状的改良に関する。The present invention relates to improvements in substrates for semiconductor devices, and in particular, to improvements in substrates for semiconductor devices, and in particular, features in which marks formed using a laser marking method have a longer lifespan (and when this mark is used, the resolution is improved). Regarding improvements.
半導体装置用基板にマークを形成する伝統的方法として
は、フォトリソグラフィー法がある。近年、レーザを使
用する加工技術の進歩にともない、レジスト膜形成・バ
ターニング・エツチングという複数の工程を必要とする
これまでのフォトリソグラフィー法に代わって、レーザ
を使用してマークを形成する方法が使用されるようにな
った。Photolithography is a traditional method for forming marks on semiconductor device substrates. In recent years, with the advancement of processing technology using lasers, a method of forming marks using a laser has been introduced instead of the conventional photolithography method, which requires multiple steps of forming a resist film, buttering, and etching. came into use.
〔発明が解決しようとする課題ゴ
ところで、フォトリソグラフィー法を使用して基板にマ
ークを形成する場合には、マークの周囲に凸部が形成さ
れることがないので、密着型フォトマスクを使用する場
合にフォトマスクと基板との密着性が悪くなることがな
く、したがって、解像度が低下するという問題は起こら
なかった。[Problem to be Solved by the Invention] By the way, when forming marks on a substrate using photolithography, a contact photomask is used because no convex portions are formed around the marks. In this case, the adhesion between the photomask and the substrate did not deteriorate, and therefore, the problem of reduced resolution did not occur.
第９図参照
ところが、レーザを使用してマークを形成する場合には
、第９図に示すように、マーキング溝４の周囲にクラウ
ン状の山５が形成されるため、密着型フォトマスク３を
使用する場合に、フォトマスク３と基板１との密着性が
悪くなり、解像度が低下する。マーキング溝４の深さを
浅くすれば、クラウン状の山５の高さが低くなり、フォ
トマスク３と基板ｌとの密着性の悪化の程度は少なくな
るが、堆積工程においてマーキング溝４が堆積物によっ
て早期に埋まり、マーク読み取り誤差が発生するまでの
マークの寿命が短くなってしまい、実用的でない。Refer to FIG. 9 However, when a mark is formed using a laser, a crown-shaped peak 5 is formed around the marking groove 4, as shown in FIG. When used, the adhesion between the photomask 3 and the substrate 1 deteriorates, resulting in a decrease in resolution. If the depth of the marking groove 4 is made shallow, the height of the crown-shaped peak 5 will be lowered, and the degree of deterioration of the adhesion between the photomask 3 and the substrate l will be reduced, but the marking groove 4 will be deposited during the deposition process. This is not practical because it is quickly filled with objects and the life of the mark until mark reading errors occur is shortened.
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、堆積
物によって読み取り誤差が生ずるまでのマークの寿命が
長くなり、かつ、フォトマスクと基板との密着性を良好
に保って解像度を向上するようにされた半導体装置用基
板を提供することにある。The purpose of the present invention is to eliminate this drawback by extending the life of the mark until reading errors occur due to deposits, and improving resolution by maintaining good adhesion between the photomask and the substrate. An object of the present invention is to provide a substrate for a semiconductor device having the above structure.
上記の目的は、レーザが照射されて凹状のマーク（４）
が形成されるマーク形成領域（２）を有する半導体装置
用基板（１）において、前記のマーク形成領域（２）が
、前記のマーク形成時に、前記の凹状のマーク（４）周
囲部に形成される凸部（５）の頂部が半導体装置用基板
（１）の素子形成面（１１）よりも高くならない程度に
半導体装置用基板（１）の素子形成面（１１）より低く
形成されることによって達成される。The purpose of the above is to make a concave mark (4) by irradiating the laser.
In a semiconductor device substrate (1) having a mark forming region (2) in which a mark is formed, the mark forming region (2) is formed around the concave mark (4) during the mark formation. By forming the top of the convex portion (5) to be lower than the element formation surface (11) of the semiconductor device substrate (1) to the extent that it does not become higher than the element formation surface (11) of the semiconductor device substrate (1). achieved.
なお、前記のマーク形成領域（２）は、基板（１）の周
辺に設けられることが好適である。Note that the mark forming area (2) is preferably provided around the substrate (1).
第１図参照
本発明に係る半導体装置用基板においては、第１図に示
すように、マーク形成領域２が素子形成面１１より１μ
程度以上低く形成されているので、レーザマーキング法
を使用して深い溝のマーク４を形成しても、その周囲に
形成されるクラウン状の山５が素子形成面１１より高く
なることはないので、フォトマスク３と基板１との密着
性が良好となり、解像度が向上する。また、マーキング
溝を深く形成することができるので、堆積工程において
マーキング溝が埋まって読み取り誤差が発生するまでの
マークの寿命が長くなる。Refer to FIG. 1 In the semiconductor device substrate according to the present invention, as shown in FIG.
Even if a deep groove mark 4 is formed using the laser marking method, the crown-shaped peak 5 formed around it will not be higher than the element forming surface 11. , the adhesion between the photomask 3 and the substrate 1 is improved, and the resolution is improved. Furthermore, since the marking groove can be formed deeply, the life of the mark is extended until the marking groove is filled in the deposition process and a reading error occurs.
以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係る半導
体装置用基板について説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor device substrate according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第２図参照
第２図は、例えばシリコン単結晶インゴット６の平面図
である。シリコン単結晶インゴット６の外周を研磨して
、−例として、外径１５０ｍｍに仕上げ、その外周にシ
リコン単結晶インゴット６の中心軸に平行にノツチ７を
形成する。なお、ノツチに代えて、オリエンテーション
フラットを形成する場合もある。See FIG. 2 FIG. 2 is a plan view of a silicon single crystal ingot 6, for example. The outer periphery of the silicon single crystal ingot 6 is polished to, for example, an outer diameter of 150 mm, and a notch 7 is formed on the outer periphery parallel to the central axis of the silicon single crystal ingot 6. Note that an orientation flat may be formed instead of the notch.
第３図参照
第３図は、シリコン単結晶インゴット６に形成されたノ
ツチ７の詳細図であり、図示する寸法はその一例を示す
。Refer to FIG. 3 FIG. 3 is a detailed view of the notch 7 formed in the silicon single crystal ingot 6, and the dimensions shown in the figure represent an example.
第４図参照
次いで、前記単結晶インゴット６をスライスし、外周部
の面取りと両面のラッピングとをなした後、ラッピング
による損傷を除去するため、硝酸とフッ酸と醋酸との混
合液を使用してエツチングをなし、−例として、第４図
にその断面を示すように、直径１５０酎、厚さ６６０７
ｍの基板１を形成する。Refer to FIG. 4 Next, after slicing the single crystal ingot 6, chamfering the outer periphery and lapping both sides, a mixed solution of nitric acid, hydrofluoric acid, and acetic acid was used to remove damage caused by lapping. For example, as shown in the cross section in Fig. 4, the diameter is 150 mm and the thickness is 660 mm.
m substrates 1 are formed.
第５図、第６図参照 第６図は、第５図の矢印Ａ方向から見た図である。See Figures 5 and 6. FIG. 6 is a view seen from the direction of arrow A in FIG.
一例として、基板１の周辺に、円弧の高さが１０踵であ
る扇形のマーク形成領域２を２箇所設ける場合について
説明する。基板１の全面にレジスト膜８を形成し、フォ
トリソグラフィー法を使用して、これをバターニングし
、基板１の片面のマーク形成領域２を除く領域にレジス
ト膜８を残留し、硝酸とフン酸と醋酸との混合液を使用
して、第６図において点線をもって示すところまで、約
２０μ厚エツチングする。As an example, a case will be described in which two fan-shaped mark formation regions 2 each having an arc height of 10 heels are provided around the substrate 1. A resist film 8 is formed on the entire surface of the substrate 1, and this is patterned using a photolithography method, and the resist film 8 remains on one side of the substrate 1 except for the mark formation region 2. Using a mixed solution of acetic acid and acetic acid, etching is performed to a thickness of approximately 20 μm to the point indicated by the dotted line in FIG.
第７図、第８図参照
第８図は、第７図の矢印Ｂ方向から見た図であレジスト
膜８を除去し、基板ｌの段差の形成されている面を約１
５ｎ厚ポリツシングすると、図示する寸法を有する基板
１が形成される。基板１のマーク形成領域２と素子形成
面１１とには５ｎの段差が形成されるので、マーク形成
領域２にレーザマーキング法を使用してマークを形成し
ても、マーキング溝の周囲にできるクラウン状の山が素
子形成面１１より高くなることはない。See FIGS. 7 and 8. FIG. 8 is a view seen from the direction of arrow B in FIG.
After polishing to a thickness of 5n, a substrate 1 having the dimensions shown is formed. Since a step of 5n is formed between the mark forming area 2 of the substrate 1 and the element forming surface 11, even if a mark is formed in the mark forming area 2 using the laser marking method, a crown is formed around the marking groove. The peak of the shape is never higher than the element forming surface 11.
なお、マーク形成領域２は基板１の周辺に限定されるも
のではなく、その領域と形状とは自由に選択しうること
はいうまでもないが、基板１の周辺部は、堆積、エツチ
ング等の工程における品質が基板中央部より劣るため、
一般に、基板周辺部には素子が形成されないので、マー
ク形成領域は基板周辺部に形成されることが好適である
。Note that the mark forming area 2 is not limited to the periphery of the substrate 1, and it goes without saying that the area and shape can be freely selected. Because the quality in the process is inferior to the center part of the board,
Generally, since no elements are formed in the periphery of the substrate, it is preferable that the mark formation region be formed in the periphery of the substrate.
以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置用基板に
おいては、マーク形成領域が素子形成面より低（形成さ
れているので、レーザマーキング法を使用して溝の深い
マークを形成しても、マーキング溝の周囲に形成される
クラウン状の山が素子形成面より高くなることはないの
で、マークの寿命は長くなり、かつ、フォトマスクと基
板との密着性が良好に保たれて、解像度が向上する。As explained above, in the semiconductor device substrate according to the present invention, the mark formation region is formed at a lower level than the element formation surface, so even if a deep groove mark is formed using the laser marking method, the marking Since the crown-shaped peaks formed around the grooves are never higher than the element formation surface, the life of the mark is extended, and the adhesion between the photomask and the substrate is maintained, improving resolution. do.
第１図は、本発明に係る半導体装置用基板の原理図であ
る。
第２図、第４図〜第８図は、本発明の一実施例に係る半
導体装置用基板の製造工程図である。
第３図は、ノツチ部詳細図である。
第９図は、従来技術に係る半導体装置用基板の欠点を示
す側面図である。
・クラウン状の山、
・単結晶インゴット、
・ノツチ、
・レジスト膜。FIG. 1 is a principle diagram of a substrate for a semiconductor device according to the present invention. 2 and 4 to 8 are process diagrams for manufacturing a semiconductor device substrate according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a detailed view of the notch portion. FIG. 9 is a side view showing a drawback of a semiconductor device substrate according to the prior art.・Crown-shaped mountain, ・Single crystal ingot, ・Notch, ・Resist film.
Claims (1)
れるマーク形成領域（２）を有する半導体装置用基板（
１）において、前記マーク形成領域（２）が、前記マー
ク形成時に、前記凹状のマーク（４）周囲部に形成され
る凸部（５）の頂部が半導体装置用基板（１）の素子形
成面（１１）よりも高くならない程度に半導体装置用基
板（１）の素子形成面（１１）より低くされてなる ことを特徴とする半導体装置用基板。 ［２］前記マーク形成領域（２）は基板（１）の周辺に
設けられてなることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置用基板。[Scope of Claims] [1] A semiconductor device substrate (
In 1), when the mark formation region (2) is formed, the top of the convex portion (5) formed around the concave mark (4) is located on the element formation surface of the semiconductor device substrate (1). (11) A substrate for a semiconductor device, characterized in that the substrate is made lower than the element formation surface (11) of the substrate (1) for a semiconductor device to the extent that the surface does not become higher than the surface (11). [2] The substrate for a semiconductor device according to claim 1, wherein the mark forming region (2) is provided at the periphery of the substrate (1).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043037A JPH02224218A (en) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | Semiconductor device substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1043037A JPH02224218A (en) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | Semiconductor device substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02224218A true JPH02224218A (en) | 1990-09-06 |
Family
ID=12652715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1043037A Pending JPH02224218A (en) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | Semiconductor device substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02224218A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999007016A1 (en) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Infineon Technologies Ag | Wafer marking |
| KR100965216B1 (en) * | 2007-12-26 | 2010-06-22 | 주식회사 동부하이텍 | laser marking method in wafer |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP1043037A patent/JPH02224218A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999007016A1 (en) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Infineon Technologies Ag | Wafer marking |
| KR100965216B1 (en) * | 2007-12-26 | 2010-06-22 | 주식회사 동부하이텍 | laser marking method in wafer |
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