JPH02223033A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH02223033A JPH02223033A JP1089053A JP8905389A JPH02223033A JP H02223033 A JPH02223033 A JP H02223033A JP 1089053 A JP1089053 A JP 1089053A JP 8905389 A JP8905389 A JP 8905389A JP H02223033 A JPH02223033 A JP H02223033A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光記録媒体の保護層に係り、特に光感度と信
頼性に優れる光記録媒体に関する。
頼性に優れる光記録媒体に関する。
近年、情報記録の高密度化、大容量化に対する要求が高
まり、国内外でその研究開発が盛んに行われているが、
特にレーザを光源として用いる光ディスクは、従来の磁
気記録媒体に比べておよそ１０〜１００倍の記録密度を
有し、 しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非接触
状態で情報の記録。
まり、国内外でその研究開発が盛んに行われているが、
特にレーザを光源として用いる光ディスクは、従来の磁
気記録媒体に比べておよそ１０〜１００倍の記録密度を
有し、 しかも記録、再生ヘッドと記録媒体とが非接触
状態で情報の記録。
再生ができるために記録媒体の損傷も少なく、長寿命で
あるなどの特徴があることから、膨大な情報量を記録、
再生する手段として有望である。
あるなどの特徴があることから、膨大な情報量を記録、
再生する手段として有望である。
この光ディスクは用途に応じて再生専用型、追記型、書
換え型の３種類に大別することができる。
換え型の３種類に大別することができる。
再生専用型は情報の読み出しのみが可能な再生専用ディ
スクであり、追記型は必要に応じて情報を記録し再生す
ることはできるが、記録した情報の消去は不可能なもの
である。これに対して書換え型は情報の記録、再生とさ
らに記録済みの情報を消去して書き換えることが可能で
あり、コンビコータ用のデータファイルとしての利用が
望まれ、最も期待の大きいものである。
スクであり、追記型は必要に応じて情報を記録し再生す
ることはできるが、記録した情報の消去は不可能なもの
である。これに対して書換え型は情報の記録、再生とさ
らに記録済みの情報を消去して書き換えることが可能で
あり、コンビコータ用のデータファイルとしての利用が
望まれ、最も期待の大きいものである。
書換え型のディスクについては、光磁気方式と相変化方
式の２つの記録方式の開発が進められているが、いずれ
の方式も記録材訓や書込み機構などの点でなお改良の余
地が残されている。これらのうち、相変化方式は一般に
レーザ光をディスクの記録面に集光して加熱し、レーザ
光のノくルス出力とパルス幅とを制御することによって
生ずる記録材料の相変化、すなわち結晶状態から非晶質
状態への移行または相転移などを起こさせ、それぞれの
状態における反射率の違いで情報の記録と消去を行うも
のである。
式の２つの記録方式の開発が進められているが、いずれ
の方式も記録材訓や書込み機構などの点でなお改良の余
地が残されている。これらのうち、相変化方式は一般に
レーザ光をディスクの記録面に集光して加熱し、レーザ
光のノくルス出力とパルス幅とを制御することによって
生ずる記録材料の相変化、すなわち結晶状態から非晶質
状態への移行または相転移などを起こさせ、それぞれの
状態における反射率の違いで情報の記録と消去を行うも
のである。
この相変化方式の光ディスクの構造は、通常多くのトラ
ッキング溝を設けた例えばポリカーボネートなどの基板
表面に８１０□等のセラミック等よりなる保護層を形成
し、その上に記録用の媒体層を設け、さらにその上にセ
ラミック等よりなる保護層と有機物の表面保護層を順次
積層している。また、保護層と有機物表面保護層の間に
ＡＩ’、’Ｃｒ、八〇等へ冷却層を設けることも行われ
る。冷却層は結晶状態から非晶質状態へ媒体層を変化さ
せる際に媒体層の冷却速度を高めるために設けられる。
ッキング溝を設けた例えばポリカーボネートなどの基板
表面に８１０□等のセラミック等よりなる保護層を形成
し、その上に記録用の媒体層を設け、さらにその上にセ
ラミック等よりなる保護層と有機物の表面保護層を順次
積層している。また、保護層と有機物表面保護層の間に
ＡＩ’、’Ｃｒ、八〇等へ冷却層を設けることも行われ
る。冷却層は結晶状態から非晶質状態へ媒体層を変化さ
せる際に媒体層の冷却速度を高めるために設けられる。
この際セラミック保護層は断熱層として作用することに
なるが、媒体の特性を確保するため保護層の厚さにつき
最適化がなされる。レーザ光は基板側から入射される。
なるが、媒体の特性を確保するため保護層の厚さにつき
最適化がなされる。レーザ光は基板側から入射される。
光記録媒体においては初期状態では媒体層を結晶状態と
し、情報記録時にはレーザ光を照射して照射部を溶融し
て急冷し、非晶質状態のスポットを形成する。消去時に
は非晶質状態のスポットをレーザ光でアニールして結晶
状態にもどす。
し、情報記録時にはレーザ光を照射して照射部を溶融し
て急冷し、非晶質状態のスポットを形成する。消去時に
は非晶質状態のスポットをレーザ光でアニールして結晶
状態にもどす。
このような光記録媒体において、保護層としては良好な
耐熱性、小さな熱拡散率が要求される他高い屈折率が要
求される。耐熱性が要求されるのは、媒体層が溶融する
ためであり、熱拡散率は媒体層を効率良く加熱するため
必要である。また高い屈折率が要求されるのは次の理由
による。即ち、保護層と媒体層の屈折率をそれぞれＴ１
＋＋１２とすると、保護層と媒体層の界面にあける光反
射率Ｒは概略 Ｒ＝（ｎ２ ｎｌ）２／（ｎ２＋ｎ＋）”
（１）で与えられる。媒体層の光吸収率をＡ、光透過率
をＴとすると、Ａは Ａ＝１−Ｒ−Ｔ 〔２〕で与えら
れる。ここでＴは通常非常に小さな値となるからこれを
省略し、かつ（１）式を（２）式に代入すると、 Ａ＝ １−（ｎ２−ｎ、）’／（ｎ２＋ｎ＋）２＝ ４
ｎ ＋ ｎ ｘ／ （ｎ ＋ ＋ ｎ ２）”
（３）が与えられる。また媒体層の屈折率ｎ２
は保護層の屈折率ｎ１より大きい。即ち ０〈ｎｌくｎ２ （４）である。
耐熱性、小さな熱拡散率が要求される他高い屈折率が要
求される。耐熱性が要求されるのは、媒体層が溶融する
ためであり、熱拡散率は媒体層を効率良く加熱するため
必要である。また高い屈折率が要求されるのは次の理由
による。即ち、保護層と媒体層の屈折率をそれぞれＴ１
＋＋１２とすると、保護層と媒体層の界面にあける光反
射率Ｒは概略 Ｒ＝（ｎ２ ｎｌ）２／（ｎ２＋ｎ＋）”
（１）で与えられる。媒体層の光吸収率をＡ、光透過率
をＴとすると、Ａは Ａ＝１−Ｒ−Ｔ 〔２〕で与えら
れる。ここでＴは通常非常に小さな値となるからこれを
省略し、かつ（１）式を（２）式に代入すると、 Ａ＝ １−（ｎ２−ｎ、）’／（ｎ２＋ｎ＋）２＝ ４
ｎ ＋ ｎ ｘ／ （ｎ ＋ ＋ ｎ ２）”
（３）が与えられる。また媒体層の屈折率ｎ２
は保護層の屈折率ｎ１より大きい。即ち ０〈ｎｌくｎ２ （４）である。
（４）式の条件下では（３〕式の光吸収率はｎ。
とともに単調に増加するので、（４）式を満足する条件
でｎ、は高いことが必要となる。
でｎ、は高いことが必要となる。
従来これらの保護層として５ｉＣ１ａ、 Ｓｉｎ、 Ｚ
ｒ０２ＺｎＳ等が用いられてきたが、耐熱性、熱拡散率
。
ｒ０２ＺｎＳ等が用いられてきたが、耐熱性、熱拡散率
。
屈折率のバランスに欠け、光記録媒体の光感度。
信頼性を満足させることができなかった。例えばＺｎＳ
は屈折率は２．３と高いが耐熱性に欠け、保護膜として
そのまま使用できない。ＳｉＯは熱拡散率の点で５１０
２．２ｒ０２より有利であるが屈折率が１．８〜１．９
と小さい。また５１０２は屈折率が小さ過ぎ、ＺｒＯ２
は熱拡散率も屈折率も大きい。
は屈折率は２．３と高いが耐熱性に欠け、保護膜として
そのまま使用できない。ＳｉＯは熱拡散率の点で５１０
２．２ｒ０２より有利であるが屈折率が１．８〜１．９
と小さい。また５１０２は屈折率が小さ過ぎ、ＺｒＯ２
は熱拡散率も屈折率も大きい。
この発明は上述の点に鑑みてなされ、その目的は耐熱性
、熱拡散率、屈折率のいずれも適切な値を有する新規な
セラミックスを保護層に用いることにより、光感度と信
頼性に優れる光記録媒体を提供することにある。
、熱拡散率、屈折率のいずれも適切な値を有する新規な
セラミックスを保護層に用いることにより、光感度と信
頼性に優れる光記録媒体を提供することにある。
上述の目的はこの発明によれば基板上に第１の保護層、
媒体層、第２の保護層および表面保護層を順次形成し、
前記媒体層ヘレーザ光を照射してその相変化により情報
の記録、再生および消去を行う光記録媒体において、２
をＣｕ、 ＡＪ、 Ｔｉ、 ＰｔＣｒ、 Ｆｅ、 Ｎｄ
、 Ｓｍ、 Ｄｙのうちのいずれか１つとしたときに一
般式（ＳｉＯｘ） ＋−，（Ｚ）ｙで表される組成のセ
ラミックスからなる第１およ、び第２の保護層を備える
ことにより達成される。
媒体層、第２の保護層および表面保護層を順次形成し、
前記媒体層ヘレーザ光を照射してその相変化により情報
の記録、再生および消去を行う光記録媒体において、２
をＣｕ、 ＡＪ、 Ｔｉ、 ＰｔＣｒ、 Ｆｅ、 Ｎｄ
、 Ｓｍ、 Ｄｙのうちのいずれか１つとしたときに一
般式（ＳｉＯｘ） ＋−，（Ｚ）ｙで表される組成のセ
ラミックスからなる第１およ、び第２の保護層を備える
ことにより達成される。
＜５ｉＯＸ）ｌ−ｙ（Ｃｕ） ｙはＸの増大とともに屈
折率ｎが減少し熱拡散率が増大する。またｙの増大とと
もに屈折率ｎが増大し、熱拡散率が増大する。
折率ｎが減少し熱拡散率が増大する。またｙの増大とと
もに屈折率ｎが増大し、熱拡散率が増大する。
Ｘの値が小さい方が屈折率が大きく、かつ熱拡敗率が小
さくなるので好ましいが、ｘ＜Ｑ、５ の場合ＳｉＯｘ
が酸化されてＳｉＯあるいは５１０２に変化し、光学的
にも不安定となる。また光の透過率も下がってくる。ｘ
＝２．０ の場合は屈折率が小さくかつ熱拡散率も大き
くなりレーザ光に対する光感度が低下する。
さくなるので好ましいが、ｘ＜Ｑ、５ の場合ＳｉＯｘ
が酸化されてＳｉＯあるいは５１０２に変化し、光学的
にも不安定となる。また光の透過率も下がってくる。ｘ
＝２．０ の場合は屈折率が小さくかつ熱拡散率も大き
くなりレーザ光に対する光感度が低下する。
ｙに関してはｙが所定値をこえると熱拡散率が大きく、
媒体層に吸収された光エネルギが熱となって損失しやす
い。またｙが所定値以下になると屈折率が小さくなり、
媒体層における光吸収率が小さくなる。
媒体層に吸収された光エネルギが熱となって損失しやす
い。またｙが所定値以下になると屈折率が小さくなり、
媒体層における光吸収率が小さくなる。
次にこの発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図はこの発明の実施例に係る光記録媒体を示す模式断面
図で、基板２１の上に第１の保護層２２、媒体層２３．
第２の保護層２４．有機物表面保護層２５が順次積層さ
れる。基板２１としては石英が使用される。第１の保護
層２２および第２の保護層２４トシテハ（ＳＩＯＸ）７
．−ｙ（ｚ）ｙがＲＦ スハ７ 夕１：よりそれぞれ１
１００ｎ、 ２００ｎｍ厚に形成される。媒体層２３は
ＧｅＴｓが抵抗加熱蒸着またはＲＦスパッタにより１５
０ｎ［ｌｌ以下の厚さに形成される。
図はこの発明の実施例に係る光記録媒体を示す模式断面
図で、基板２１の上に第１の保護層２２、媒体層２３．
第２の保護層２４．有機物表面保護層２５が順次積層さ
れる。基板２１としては石英が使用される。第１の保護
層２２および第２の保護層２４トシテハ（ＳＩＯＸ）７
．−ｙ（ｚ）ｙがＲＦ スハ７ 夕１：よりそれぞれ１
１００ｎ、 ２００ｎｍ厚に形成される。媒体層２３は
ＧｅＴｓが抵抗加熱蒸着またはＲＦスパッタにより１５
０ｎ［ｌｌ以下の厚さに形成される。
比較例
保護層としてＳｉｎ、、、 ５ｉｎ２． ＺｒＯ２を用
いる以外実施例と同様にして光記録媒体が形成される。
いる以外実施例と同様にして光記録媒体が形成される。
実施例１：
第２図に保護層（ＳＩＯＸ） ＋−ｙ （Ｃｕ） Ｙに
おいてＸを１＜ラメータとしてｙ値を変化させたときの
保護層の屈折率ｎが示される。曲線４１．４２．４３．
４４．４５はそれぞれ ｘ ＝０．５． （１，９，１
，３，１，７，２，０に対応する。屈折率ｎはｙの値が
増大するにつれて大きくなっている。これは（ＳｉＯＸ
） ｌ−ｙ （Ｃｕ） ＹにおけるＸの値によらない。
おいてＸを１＜ラメータとしてｙ値を変化させたときの
保護層の屈折率ｎが示される。曲線４１．４２．４３．
４４．４５はそれぞれ ｘ ＝０．５． （１，９，１
，３，１，７，２，０に対応する。屈折率ｎはｙの値が
増大するにつれて大きくなっている。これは（ＳｉＯＸ
） ｌ−ｙ （Ｃｕ） ＹにおけるＸの値によらない。
しかしこのとき熱拡散率の値もｙとともに大きくなり媒
体層の温度上昇にとって不利となる。熱拡散率との関係
からｙ＜０．１ が必要条件となる。
体層の温度上昇にとって不利となる。熱拡散率との関係
からｙ＜０．１ が必要条件となる。
第３図に保護層の組成を（ＳｉＯｘ＞ｏ、５ｓ（Ｃｕ）
ｏ、ｏｓとしてＸの値を変化させたときの保護層の屈折
率ｎが示される。Ｘに関してはその値が減少する程屈折
率が増大する。これは（ＳｉＤｘ） Ｉ−７（Ｃｕ）
ｙにおけるｙの値によらない。Ｘの値が減少するにつれ
て熱拡散率が小さくなるのでＸの値は小さい方が良いが
ｘ＜０．５ のときＳｉＯにが酸化されやすくなり使用
に耐えなくなる。
ｏ、ｏｓとしてＸの値を変化させたときの保護層の屈折
率ｎが示される。Ｘに関してはその値が減少する程屈折
率が増大する。これは（ＳｉＤｘ） Ｉ−７（Ｃｕ）
ｙにおけるｙの値によらない。Ｘの値が減少するにつれ
て熱拡散率が小さくなるのでＸの値は小さい方が良いが
ｘ＜０．５ のときＳｉＯにが酸化されやすくなり使用
に耐えなくなる。
第４図にＧｅＴｅ媒体層２３が非晶質であるときの媒体
層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が保
護層材料をパラメータとして示される。第４図で曲線３
１ハＺｒＯ２，曲線３２は（Ｓｉｆｔ、 ３）Ｑ、 ５
ｓ（Ｃｕ） Ｏ，Ｏ５、曲線３３ ハｓｉＯ，，、、曲
線３４はＳｉｎ、である。
層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が保
護層材料をパラメータとして示される。第４図で曲線３
１ハＺｒＯ２，曲線３２は（Ｓｉｆｔ、 ３）Ｑ、 ５
ｓ（Ｃｕ） Ｏ，Ｏ５、曲線３３ ハｓｉＯ，，、、曲
線３４はＳｉｎ、である。
光吸収率の大きさの順序は保護膜材質の屈折率（Ｚｒ０
２〜２．２． （ＳＡＧ、、 ３） １１．９５ （Ｃ
ｕ） ｏ、 ａ、〜１．９５． Ｓｉｆｔ−３〜１，８
５． Ｓ＋Ｏｚ １．４６）に対応している。
２〜２．２． （ＳＡＧ、、 ３） １１．９５ （Ｃ
ｕ） ｏ、 ａ、〜１．９５． Ｓｉｆｔ−３〜１，８
５． Ｓ＋Ｏｚ １．４６）に対応している。
第５図にＧｅＴｅ媒体層２３が結晶質であるときの媒体
層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率どの関係が保
護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は第
４図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上述の
場合と同様である。
層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率どの関係が保
護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は第
４図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上述の
場合と同様である。
次イこ光記録媒体を窒素ガスふん囲気中において、５分
間温度２５０ ｔ：で加熱処理を行い、光記録媒体を初
期化（媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してがら、８３ｏｎ
ｌＴｌの半導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のた
めのレーザパルス照射条件を調べる。第６図に情報書き
込みの場合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー（ｍ＠）
との関係が保護層材料をパラメータとして示される。符
号の意味は第４図の場合と同様である。この図によると
、この発明の実施例に係る（Ｓｉｆｔ、 ３） ０．９
５（Ｃｕ） ｏ、 ｏｓを保護層として用いた場合が最
もレーザパワーが少ないことがわかる。即ち、（Ｓｉｆ
ｔ、ｓ）ｏ、１ｓ（Ｃｕ）ｏ、ｏｓを保護層としテ用イ
ルトキに媒体層は最も効率良く温度上昇することを示す
。
間温度２５０ ｔ：で加熱処理を行い、光記録媒体を初
期化（媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してがら、８３ｏｎ
ｌＴｌの半導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のた
めのレーザパルス照射条件を調べる。第６図に情報書き
込みの場合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー（ｍ＠）
との関係が保護層材料をパラメータとして示される。符
号の意味は第４図の場合と同様である。この図によると
、この発明の実施例に係る（Ｓｉｆｔ、 ３） ０．９
５（Ｃｕ） ｏ、 ｏｓを保護層として用いた場合が最
もレーザパワーが少ないことがわかる。即ち、（Ｓｉｆ
ｔ、ｓ）ｏ、１ｓ（Ｃｕ）ｏ、ｏｓを保護層としテ用イ
ルトキに媒体層は最も効率良く温度上昇することを示す
。
これは（ＳｉＧ＋、 ３）＋１． ｓｓ＜Ｃｕ）ｏ、
Ｏ５保護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介
しての熱拡散とが共同して有利な方向に働いたことによ
る。この関係は２ｒＯ，を保護層として用いるときは、
媒体層の光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱
拡散率も大きいために所要のレーザパワーが大きくなる
ことにも現れている。ｙ＝０．１ のとき即ち（Ｓｉｆ
ｔ、 ３） Ｏ，ｓ＜ＣＬＩ） ｏ、 ＋を保護層とし
て用いるときはレーザパワーが大きくなることも示され
る（曲線３５）。
Ｏ５保護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介
しての熱拡散とが共同して有利な方向に働いたことによ
る。この関係は２ｒＯ，を保護層として用いるときは、
媒体層の光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱
拡散率も大きいために所要のレーザパワーが大きくなる
ことにも現れている。ｙ＝０．１ のとき即ち（Ｓｉｆ
ｔ、 ３） Ｏ，ｓ＜ＣＬＩ） ｏ、 ＋を保護層とし
て用いるときはレーザパワーが大きくなることも示され
る（曲線３５）。
第７図に消去の場合のパルス幅（Ｊｉｓ）とレーザパワ
ー（ｍＷ＞との関係が保護層材料をパラメータとして示
される。符号の意味は第４図の場合と同様である。コノ
場合も（Ｓｌｏｔ、 ｓ） ｏ、 ｓｓ （Ｃｕ） ｏ
、 。ｓを保護層として用いるときに最も少ないレーザ
パワーで情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）
ことがわかる。この（Ｓｌｏｔ、 ＊） ｏ−ｓｓ （
Ｃｕ） ｏ、 ａｓ保護層を用いた光記録媒体を書き込
み１５ｍＷ 、、 ０．２ ｕｓ、消去１２ｍＪ０．
２μｓのパルス条件でくり返しを１０’回行ったが、安
定した反射率変化が得られ、（Ｓ ＩＤ ＋。、）。、
、。
ー（ｍＷ＞との関係が保護層材料をパラメータとして示
される。符号の意味は第４図の場合と同様である。コノ
場合も（Ｓｌｏｔ、 ｓ） ｏ、 ｓｓ （Ｃｕ） ｏ
、 。ｓを保護層として用いるときに最も少ないレーザ
パワーで情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）
ことがわかる。この（Ｓｌｏｔ、 ＊） ｏ−ｓｓ （
Ｃｕ） ｏ、 ａｓ保護層を用いた光記録媒体を書き込
み１５ｍＷ 、、 ０．２ ｕｓ、消去１２ｍＪ０．
２μｓのパルス条件でくり返しを１０’回行ったが、安
定した反射率変化が得られ、（Ｓ ＩＤ ＋。、）。、
、。
（Ｃｕ）。、ｏｓ保護層がくり返しサイクルに対しても
安定であることが確認される。
安定であることが確認される。
さらにディスク直径１３０ｍｍの光記録媒体につき周速
８ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｎ＋
のレーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保
護層（Ｓｌｏｔ、 ３） ＋−ｙ（口ｕ）ｙにおけるｙ
値と最適記録パワーＰ−との関係（曲線４７）およびｙ
値とＣ／Ｎ比との関係（曲線４６）が第８図に示される
。第８図からｙ＝０．０５のときＰ−が１５ｍＷとなる
ことがわかる。
８ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｎ＋
のレーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保
護層（Ｓｌｏｔ、 ３） ＋−ｙ（口ｕ）ｙにおけるｙ
値と最適記録パワーＰ−との関係（曲線４７）およびｙ
値とＣ／Ｎ比との関係（曲線４６）が第８図に示される
。第８図からｙ＝０．０５のときＰ−が１５ｍＷとなる
ことがわかる。
Ｃ／Ｎ仕としては４６ｄＢが得られる。第９図に保護層
５１０１＋におけるＸ値と 最適記録パワーＰｗとの関
係（曲線４９）およびＸ値とＣ／Ｎ比との関係（曲線４
８）が示される。実験条件は第８図の場合と同様である
。ｐｗは１８ｍＷ以上でありＣ／Ｎ比は４６ｄＢである
。従って保護層として（Ｓ！０＋、 ｚ） ０．９５
（Ｃｕ） ００ａｓを用いると、少ないレーデパワーで
記録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
５１０１＋におけるＸ値と 最適記録パワーＰｗとの関
係（曲線４９）およびＸ値とＣ／Ｎ比との関係（曲線４
８）が示される。実験条件は第８図の場合と同様である
。ｐｗは１８ｍＷ以上でありＣ／Ｎ比は４６ｄＢである
。従って保護層として（Ｓ！０＋、 ｚ） ０．９５
（Ｃｕ） ００ａｓを用いると、少ないレーデパワーで
記録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
ｙに関してはｙ≧０，１ において熱拡散率が大きく、
媒体層に吸収された光エネルギの熱拡散率が大きい。ま
たｙ＜０．０４においては屈折率が小さく媒体層におけ
る光吸収率が小さくなる。
媒体層に吸収された光エネルギの熱拡散率が大きい。ま
たｙ＜０．０４においては屈折率が小さく媒体層におけ
る光吸収率が小さくなる。
このようにして（Ｓ１０や）、、、、□ｙ （Ｃｕ ）
ｙの材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論である
が、情報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域か
らみて、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって
適切なものになし得ることがわかる。
ｙの材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論である
が、情報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域か
らみて、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって
適切なものになし得ることがわかる。
実施例２；
第１０図に保護層として（Ｓｌｏｔ、 ３） １−ｙ（
Ａｌ）ｙを用いるときのｙ値と屈折率との関係（曲線５
０）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線５１）が示
される。
Ａｌ）ｙを用いるときのｙ値と屈折率との関係（曲線５
０）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線５１）が示
される。
屈折率ｎはｙ値とともに増大する。一方減衰係数には増
大傾向にはあるものの０．１以下で小さく保護層自体に
よる光の吸収は少ない。このようにして媒体層の光吸収
効率はｙ値の増大とともに向上するが、ｙ値が０．１２
以上になると熱拡散率が増大して媒体層で吸収されたエ
ネルギが拡散によって失われるようになり、レーザ光に
対する感度が上昇しなくなり、ｙ≧０．１５で感度が低
下する。このためｙ値は０．１５よりも小であることが
要求される。
大傾向にはあるものの０．１以下で小さく保護層自体に
よる光の吸収は少ない。このようにして媒体層の光吸収
効率はｙ値の増大とともに向上するが、ｙ値が０．１２
以上になると熱拡散率が増大して媒体層で吸収されたエ
ネルギが拡散によって失われるようになり、レーザ光に
対する感度が上昇しなくなり、ｙ≧０．１５で感度が低
下する。このためｙ値は０．１５よりも小であることが
要求される。
またｙ＜０．０４の範囲ではＳｉＯに比し効果が見られ
ないのでｙの好適な範囲としては０．０５≦ｙ＜０．１
５が得られる。
ないのでｙの好適な範囲としては０．０５≦ｙ＜０．１
５が得られる。
第１１図にＧｅＴｅ媒体層２３が非晶質であるときの媒
体層厚さと媒体層における光吸収率との関係が保護層材
料をパラメータとして示される。第１１図で曲線３１は
ＺｒＯ２，曲線３６は（Ｓｌｏｔ、＊）ｏ、ｓｌ（ＩＶ
）ｏ、ｏｓ。
体層厚さと媒体層における光吸収率との関係が保護層材
料をパラメータとして示される。第１１図で曲線３１は
ＺｒＯ２，曲線３６は（Ｓｌｏｔ、＊）ｏ、ｓｌ（ＩＶ
）ｏ、ｏｓ。
曲線３３は５１０１．３１曲線３４はＳｉＯ□である。
光吸収率の大きさの順序は保護膜材質の屈折＄（ＺｒＯ
２〜２．２゜（Ｓｌｏｔ、ｉ＞。、ｓｌ（Ａｊ’）。、
。、〜１．９５．５１０１．３〜１．８５Ｓｉ０２１．
４６ ）に対応している。
２〜２．２゜（Ｓｌｏｔ、ｉ＞。、ｓｌ（Ａｊ’）。、
。、〜１．９５．５１０１．３〜１．８５Ｓｉ０２１．
４６ ）に対応している。
第１２図にＧｅＴｅ媒体層２３が結晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第１１図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第１１図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
次に光記録媒体を窒素ガスふん囲気中において、５分間
層度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化〈
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第１３図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー （ｍＷ）との関
係が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意
味は第１１図の場合と同様である。この図によると、こ
の発明の実施例に係る（Ｓ１０１．３）。、＋＋（Ａｊ
’）。、。、を保護層として用いた場合が最もレーザパ
ワーが少ないことがわかる。即ち、（Ｓｌｏｔ、 ３）
０．９１ （Ａｌ） １１．０９を保護層として用イ
ルときに媒体層は最も効率°良く温度上昇することを示
す。
層度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化〈
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第１３図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー （ｍＷ）との関
係が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意
味は第１１図の場合と同様である。この図によると、こ
の発明の実施例に係る（Ｓ１０１．３）。、＋＋（Ａｊ
’）。、。、を保護層として用いた場合が最もレーザパ
ワーが少ないことがわかる。即ち、（Ｓｌｏｔ、 ３）
０．９１ （Ａｌ） １１．０９を保護層として用イ
ルときに媒体層は最も効率°良く温度上昇することを示
す。
これは（Ｓｌｏｔ、 ３）。、ｓｌ（／Ｖ）。、。９保
護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介しての
熱拡散とが共同して有利な方向に働いたことによる。こ
の関係は２ｒ０２を保護層として用いるときは、媒体層
の光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散率
も大きいために所要のレーザパワーが大きくなることに
も現れている。
護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介しての
熱拡散とが共同して有利な方向に働いたことによる。こ
の関係は２ｒ０２を保護層として用いるときは、媒体層
の光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散率
も大きいために所要のレーザパワーが大きくなることに
も現れている。
第１４図に消去の場合のパルス幅（Ｊｉｓ）とレーザパ
ワー（ｍＷ＞との関係が保護層材料をパラメータとして
示される。符号の意味は第１１図の場合と同様である。
ワー（ｍＷ＞との関係が保護層材料をパラメータとして
示される。符号の意味は第１１図の場合と同様である。
この場合も（Ｓｌｏｔ、５）ｏ−ｉｔ（／Ｖ）ｏ、ｏｓ
を保護層として用いるときに最も少ないレーデパワーで
情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）ことがわ
かる。この（ＳＩＯｌ、３）。１、（Δｌ）。、。９保
護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ、 ０．
２μｓ、消去１２ｍＷ、０．２μｓのパルス条件でくり
返しを１０６回行ったが、安定した反射率変化が得られ
、（ＳＩ［ｌ＋、３）。１（ＡＡ’）。、。９保護層が
くり返しサイクルに対しても安定であることが確認され
る。
を保護層として用いるときに最も少ないレーデパワーで
情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）ことがわ
かる。この（ＳＩＯｌ、３）。１、（Δｌ）。、。９保
護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ、 ０．
２μｓ、消去１２ｍＷ、０．２μｓのパルス条件でくり
返しを１０６回行ったが、安定した反射率変化が得られ
、（ＳＩ［ｌ＋、３）。１（ＡＡ’）。、。９保護層が
くり返しサイクルに対しても安定であることが確認され
る。
さらにディスク直径１３０ｍｍの光記録媒体につき周速
８ ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍ
のレーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保
護層（Ｓｉ（］＋、 ３） ＋−ｙ（Ａ１） 、におけ
るｙ値と最適記録パワーＰ１１との関係（曲線５５）お
よびｙ値とＣ／Ｎ比との関係（曲線５４）が第１５図に
示される。第１５図から Ｖ＝０．０９のときｐｗが１
５ｍＷとなることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢ
が得られる。従って保護層として（Ｓ＋０＋、ａ）。、
ｓ １（Ｍ）。、Ｉ、９を用いると、少ないレーザパ
ワーで記録ができるうえ電気特性にも優れることがわか
る。
８ ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍ
のレーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保
護層（Ｓｉ（］＋、 ３） ＋−ｙ（Ａ１） 、におけ
るｙ値と最適記録パワーＰ１１との関係（曲線５５）お
よびｙ値とＣ／Ｎ比との関係（曲線５４）が第１５図に
示される。第１５図から Ｖ＝０．０９のときｐｗが１
５ｍＷとなることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢ
が得られる。従って保護層として（Ｓ＋０＋、ａ）。、
ｓ １（Ｍ）。、Ｉ、９を用いると、少ないレーザパ
ワーで記録ができるうえ電気特性にも優れることがわか
る。
このようにして（ｓ １ＯＸ）ｌ −、（Ａ／） ｙの
材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切な
ものになし得ることがわかる。
材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切な
ものになし得ることがわかる。
実施例３：
第１６図に保護層として（Ｓｌｏｔ、３）＋−ｙ（Ｔｉ
）ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲線５２）
およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線５３）が示され
る。
）ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲線５２）
およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線５３）が示され
る。
屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そして媒体層の光吸
収率も上昇する。しかしながらｙ値が０．１２以上にな
ると減衰係数ｋが０．３５以上となり、保護層自体の光
吸収率が増大するので媒体層の光吸収率は上昇しなくな
る。同時にｙが０．１２以上になると保護層の熱拡散率
も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなって光感度が
上昇しなくなり、ｙ≧０．１５となると光感度は減少に
転する。またｙく０．０２の範囲ではＳ１０に比し効果
が見られない。ｙの好適な範囲は０．０３≦ｙ＜０．１
５である。
収率も上昇する。しかしながらｙ値が０．１２以上にな
ると減衰係数ｋが０．３５以上となり、保護層自体の光
吸収率が増大するので媒体層の光吸収率は上昇しなくな
る。同時にｙが０．１２以上になると保護層の熱拡散率
も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなって光感度が
上昇しなくなり、ｙ≧０．１５となると光感度は減少に
転する。またｙく０．０２の範囲ではＳ１０に比し効果
が見られない。ｙの好適な範囲は０．０３≦ｙ＜０．１
５である。
第１７図にＧｅＴｅ媒体層２３が非晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ ）と媒体層における光吸収率との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。第１７図で
曲線３１はＺｒＯ，、曲線３７は（Ｓｌｏｔ、 ３）０
．９８（Ｔｉ）ｏ、ｏｓ、 曲線３３は３ｉ０１．ａ、
曲線３４ハ５１０２テアル。
体層厚さ（ｎｍ ）と媒体層における光吸収率との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。第１７図で
曲線３１はＺｒＯ，、曲線３７は（Ｓｌｏｔ、 ３）０
．９８（Ｔｉ）ｏ、ｏｓ、 曲線３３は３ｉ０１．ａ、
曲線３４ハ５１０２テアル。
光吸収率の大きさの順序は保護膜材質の屈折率（ＺｒＯ
２〜２．２ 、 （Ｓｌｏｔ、 ｓ） ｏ、 ｓｓ （
Ｔｌ）ｏ、 ｏｓ 〜２． Ｏ’、 Ｓｌｏｔ、 ３〜
１．８５．５ｉＯｚ １．４６）に対応している。
２〜２．２ 、 （Ｓｌｏｔ、 ｓ） ｏ、 ｓｓ （
Ｔｌ）ｏ、 ｏｓ 〜２． Ｏ’、 Ｓｌｏｔ、 ３〜
１．８５．５ｉＯｚ １．４６）に対応している。
第１８図にＧｅＴｅ媒体層２３が結晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第１７図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第１７図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
次に光記録媒体を窒素ガスふん囲気中において、５分間
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第１９図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー（ｍＷ）との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味
は第１７図の場合と同様である。この図によると、この
発明の実施例に係る（Ｓ！０＋、３）ｏ、５ｓ（Ｔｉ）
ｏ−ｏｓを保護層として用いた場合が最もレーザパワー
が少ないことがわかる。即ち、（Ｓ！Ｏ＋、 ３Ｌ、
５ｓ（Ｔｉ）ｏ−ｏｓを保護層として用いるときに媒体
層は最も効率良く温度上昇することを示す。
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第１９図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー（ｍＷ）との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味
は第１７図の場合と同様である。この図によると、この
発明の実施例に係る（Ｓ！０＋、３）ｏ、５ｓ（Ｔｉ）
ｏ−ｏｓを保護層として用いた場合が最もレーザパワー
が少ないことがわかる。即ち、（Ｓ！Ｏ＋、 ３Ｌ、
５ｓ（Ｔｉ）ｏ−ｏｓを保護層として用いるときに媒体
層は最も効率良く温度上昇することを示す。
これは（Ｓｌｏｔ、 ３）。−５ｓ（Ｔｉ）。、。、保
護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介しての
熱拡散とが共同して有利な方向に働いたことによる。こ
の関係はＺｒＯ２を保護層として用いるときは、媒体層
の光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散率
も大きいために所要のレーザパワーが大きくなることに
も現れている。
護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介しての
熱拡散とが共同して有利な方向に働いたことによる。こ
の関係はＺｒＯ２を保護層として用いるときは、媒体層
の光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散率
も大きいために所要のレーザパワーが大きくなることに
も現れている。
第２０図に消去の場合のパルス幅（μｓ）とレーザパワ
ー（ｍＷ）との関係が保護層材料をパラメータとして示
される。符号の意味は第１７図の場合と同様である。こ
の場合も（ＳｉＯ１，、）。、５ｓ（Ｔｉ）。、。、を
保護層として用いるときに最も少ないレーザパワーで情
報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）ことがわか
る。この（ＳＩＤＩ、 ３）。、５ｓ（Ｔｉ）。、。、
保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ、 ０
．２μｓ、消去１２ｍＷ、０．２μｓのパルス条件でく
り返しを１０’回行ったが、安定した反射率変化が得ら
れ、（Ｓ！０＋、 ３） ＋１．５ｓ（Ｔｉ）。、。、
保護層がくり返しサイクルに対しても安定であることが
確認される。
ー（ｍＷ）との関係が保護層材料をパラメータとして示
される。符号の意味は第１７図の場合と同様である。こ
の場合も（ＳｉＯ１，、）。、５ｓ（Ｔｉ）。、。、を
保護層として用いるときに最も少ないレーザパワーで情
報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）ことがわか
る。この（ＳＩＤＩ、 ３）。、５ｓ（Ｔｉ）。、。、
保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ、 ０
．２μｓ、消去１２ｍＷ、０．２μｓのパルス条件でく
り返しを１０’回行ったが、安定した反射率変化が得ら
れ、（Ｓ！０＋、 ３） ＋１．５ｓ（Ｔｉ）。、。、
保護層がくり返しサイクルに対しても安定であることが
確認される。
さらにディスク直径１３０ｍｍの光記録媒体につき周速
３ ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍ
のレーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保
護層（ＳＩＤＩ、 ３） ＋−ｙ（Ｔｉ）ｙにおけるｙ
値と最適記録パワーＰ＠との関係（曲線５７）およびｙ
値とＣ／Ｎ比との関係（曲線５６）が第２１図に示され
る。第２１図から ｙ＝０．０５のときＰ＠が１５ｆｆ
ｌＷとなることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが
得られる。従って保護層として（ＳＩＤＩ−３）。、５
ｓ（Ｔｉ）。、。、を用いると、少ないレーザパワーで
記録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
３ ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍ
のレーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保
護層（ＳＩＤＩ、 ３） ＋−ｙ（Ｔｉ）ｙにおけるｙ
値と最適記録パワーＰ＠との関係（曲線５７）およびｙ
値とＣ／Ｎ比との関係（曲線５６）が第２１図に示され
る。第２１図から ｙ＝０．０５のときＰ＠が１５ｆｆ
ｌＷとなることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが
得られる。従って保護層として（ＳＩＤＩ−３）。、５
ｓ（Ｔｉ）。、。、を用いると、少ないレーザパワーで
記録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
このようにして（ｓｌｏｘ） ｌ−ｙ （Ｔｉ）ｙの材
料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情報
の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて、
熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切なも
のになし得ることがわかる。
料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情報
の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて、
熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切なも
のになし得ることがわかる。
実施例４：
第２２図に保護層として（ＳＩＤＥ、 ３） ｌ−４（
Ｐｔ） ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲線
５８）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線５９）が
示される。屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そして媒
体層の光吸収率も上昇する。しかしながらｙ値が０．０
５以上になると減衰係数ｋが０．３０以上となり、保護
層自体の光吸収率が増大するので記録層の光吸収率は上
昇しなくなる。同時にｙが０．０５以上になると保護層
の熱拡散率も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなっ
て光感度が上昇しなくなり、ｙ≧０．０６となると光感
度は減少に転する。またｙく０．０２の範囲ではＳｉＯ
に比し効果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０２≦
ｙ＜０．０６である。
Ｐｔ） ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲線
５８）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線５９）が
示される。屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そして媒
体層の光吸収率も上昇する。しかしながらｙ値が０．０
５以上になると減衰係数ｋが０．３０以上となり、保護
層自体の光吸収率が増大するので記録層の光吸収率は上
昇しなくなる。同時にｙが０．０５以上になると保護層
の熱拡散率も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなっ
て光感度が上昇しなくなり、ｙ≧０．０６となると光感
度は減少に転する。またｙく０．０２の範囲ではＳｉＯ
に比し効果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０２≦
ｙ＜０．０６である。
第２３図にＧｅＴｅ媒体層２３が非晶質であるときの媒
体層厚さくｎｍ ）と媒体層における光吸収率との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。第２３図で
曲線３１はＺｒＬ、曲線３８は（ＳｉＯｌ−３）。、、
６（Ｐｔ）。、０４１曲線３３は５ｉ０１１． 曲線
３４は５１０２である。
体層厚さくｎｍ ）と媒体層における光吸収率との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。第２３図で
曲線３１はＺｒＬ、曲線３８は（ＳｉＯｌ−３）。、、
６（Ｐｔ）。、０４１曲線３３は５ｉ０１１． 曲線
３４は５１０２である。
光吸収率の大きさの順序は保護膜材質の屈折率（ＺｒＬ
〜２．２． （ＳＩＩＬ、 ｚ）ａ、 ５ｓ（ＰＬ）ｏ
、 ０４〜２．３０． Ｓｉ［１１，０〜１．８５．
ＳｉＯ□１．４６ ）に対応している。
〜２．２． （ＳＩＩＬ、 ｚ）ａ、 ５ｓ（ＰＬ）ｏ
、 ０４〜２．３０． Ｓｉ［１１，０〜１．８５．
ＳｉＯ□１．４６ ）に対応している。
第２４図にＧｅＴｅ媒体層２３が結晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第２３図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第２３図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
次に光記録媒体を窒素ガスふん囲気中において、５分間
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーデ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第２５図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー（ｍｌ？）との関
係が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意
味は第２３図の場合と同様である。この図によると、こ
の全問の実施例に係る（Ｓｉ貼、３）。、５ｓ（ＰＬ）
。、。、を保護層として用いた場合が最もレーザパワー
が少ないことがわかる。即ち、（Ｓ！０＋、 ＊）。１
ｓ（Ｐｔ）。、。、を保護層として用いるときに媒体層
は最も効率良く温度上昇することを示す。
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーデ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第２５図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー（ｍｌ？）との関
係が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意
味は第２３図の場合と同様である。この図によると、こ
の全問の実施例に係る（Ｓｉ貼、３）。、５ｓ（ＰＬ）
。、。、を保護層として用いた場合が最もレーザパワー
が少ないことがわかる。即ち、（Ｓ！０＋、 ＊）。１
ｓ（Ｐｔ）。、。、を保護層として用いるときに媒体層
は最も効率良く温度上昇することを示す。
これはスＳ＋０＋、 ３）。、ｐ＋ｇ（Ｐｔ）。、。、
保護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介して
の熱拡散とが共同して有利な方向に働いたことによる。
保護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介して
の熱拡散とが共同して有利な方向に働いたことによる。
この関係はＺｒＯ，を保護層として用いるときは、媒体
層の光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散
率も大きいために所要のレーザパワーが大きくなること
にも現れている。ｙ＝０．１ のとき即ち（Ｓｉ（Ｌ、
ｓｈｏ、 ５（Ｐｔ）ｏ、 ＋を保護層として用いる
ときはレーザパワーが大きくなることも示される（曲線
７０）。
層の光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散
率も大きいために所要のレーザパワーが大きくなること
にも現れている。ｙ＝０．１ のとき即ち（Ｓｉ（Ｌ、
ｓｈｏ、 ５（Ｐｔ）ｏ、 ＋を保護層として用いる
ときはレーザパワーが大きくなることも示される（曲線
７０）。
第２６図に消去の場合のパルス幅（μｓ）とレーザパワ
ー（ｍ−）との関係が保護層材料をパラメータとして示
される。符号の意味は第２３図の場合と同様である。こ
の場合も（ｓｌｏ＋−ｉ）。、５ｓ（Ｐｔ）。、。、を
保護層として用いるときに最も少ないレーザパワーで情
報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）ことがわか
る。この（ＳＩＤ１．３）。、５ｓ（Ｐｔ）。、。、保
護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ、 ０．
２μｓ、消去１２ｍＷ、０．２μｓのパルス条件でくり
返しを１０１回行ったが、安定した反射率変化が得られ
、（Ｓｉｆｔ、＊）ａ、５ａ（Ｐｔ）。、。、保護層が
くり返しサイクルに対しても安定であることが確認され
る。
ー（ｍ−）との関係が保護層材料をパラメータとして示
される。符号の意味は第２３図の場合と同様である。こ
の場合も（ｓｌｏ＋−ｉ）。、５ｓ（Ｐｔ）。、。、を
保護層として用いるときに最も少ないレーザパワーで情
報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）ことがわか
る。この（ＳＩＤ１．３）。、５ｓ（Ｐｔ）。、。、保
護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ、 ０．
２μｓ、消去１２ｍＷ、０．２μｓのパルス条件でくり
返しを１０１回行ったが、安定した反射率変化が得られ
、（Ｓｉｆｔ、＊）ａ、５ａ（Ｐｔ）。、。、保護層が
くり返しサイクルに対しても安定であることが確認され
る。
さらにディスク直径１３０ｍｍの光記録媒体につき周速
８ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍの
レーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保護
層（Ｓｉｆｔ、ｓ）＋−ｙ（Ｐｔ）ｙにおけるｙ値と最
適記録パワーｐｗとの関係（曲線６１）およびｙ値とＣ
／Ｎ比との関係（曲線６０）が第２７図に示される。第
２７図から ｙ＝０．０４のときｐｗが１５ｍＷとなる
ことがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが得られる。
８ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍの
レーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保護
層（Ｓｉｆｔ、ｓ）＋−ｙ（Ｐｔ）ｙにおけるｙ値と最
適記録パワーｐｗとの関係（曲線６１）およびｙ値とＣ
／Ｎ比との関係（曲線６０）が第２７図に示される。第
２７図から ｙ＝０．０４のときｐｗが１５ｍＷとなる
ことがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが得られる。
従って保護層として（Ｓ！Ｏ＋、 ３）Ｏ，５ｓ（Ｐｔ
）ｏ、 ０４を用いると、少ないレーザパワーで記録が
できるうえ電気特性にも優れることがわかる。
）ｏ、 ０４を用いると、少ないレーザパワーで記録が
できるうえ電気特性にも優れることがわかる。
このようにして＜５ＩＯＸ） ｌ−ｙ （Ｐｔ） ｙの
材料は耐熱性の点で問題のないこきは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率１ＭＩ折率の値をｘ、ｙの選択によって適切
なものになし得ることがわかる。
材料は耐熱性の点で問題のないこきは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率１ＭＩ折率の値をｘ、ｙの選択によって適切
なものになし得ることがわかる。
実施例５：
第２８図に保護層として（ＳｌＯ＋、 ３） Ｉ−ｙ
（Ｃｒ）、を用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲線
６２）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線６３〉が
示される。
（Ｃｒ）、を用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲線
６２）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線６３〉が
示される。
屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そして媒体層の光吸
収率も上昇する。しかしながらｙ値が０．０８以上にな
ると減衰係数ｋが０．３５以上となり、保護層自体の光
吸収率が増大するので媒体層の光吸収率は上昇しなくな
る。同時にｙが０．０８以上になると保護層の熱拡散率
も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなって光感度が
上昇しなくなり、ｙ≧０．０９となると光感度は減少に
転する。またｙくａ、０２の範囲では５ｉ（ｌに比し効
果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０２≦ｙ＜０．
０９である。
収率も上昇する。しかしながらｙ値が０．０８以上にな
ると減衰係数ｋが０．３５以上となり、保護層自体の光
吸収率が増大するので媒体層の光吸収率は上昇しなくな
る。同時にｙが０．０８以上になると保護層の熱拡散率
も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなって光感度が
上昇しなくなり、ｙ≧０．０９となると光感度は減少に
転する。またｙくａ、０２の範囲では５ｉ（ｌに比し効
果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０２≦ｙ＜０．
０９である。
第２９図にＧｅＴｅ媒体層２３が非晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ ）と媒体層における光吸収率との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。第２９図で
曲線３１はＺｒ０ｉ １曲線３９は（Ｓｉｆｔ、 ｓ）
ａ、 ５ｓ（Ｃｒ）ｏ、、ｓ、 曲線３３は３ｉ０１
−３ 、 曲線３４１ｔｓｉ０２テア６゜光吸収率の
大きさの順序は保護膜材質の屈折率（ＺｒＬ 〜２．２
． （Ｓｉｆｔ、 ３） ０．９６ （Ｃｒ） Ｏ，ｏ
ｓ 〜２．０． Ｓｉｆｔ、 ｓ〜１．８５．５ｉ０２
１．４６）に対応している。
体層厚さ（ｎｍ ）と媒体層における光吸収率との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。第２９図で
曲線３１はＺｒ０ｉ １曲線３９は（Ｓｉｆｔ、 ｓ）
ａ、 ５ｓ（Ｃｒ）ｏ、、ｓ、 曲線３３は３ｉ０１
−３ 、 曲線３４１ｔｓｉ０２テア６゜光吸収率の
大きさの順序は保護膜材質の屈折率（ＺｒＬ 〜２．２
． （Ｓｉｆｔ、 ３） ０．９６ （Ｃｒ） Ｏ，ｏ
ｓ 〜２．０． Ｓｉｆｔ、 ｓ〜１．８５．５ｉ０２
１．４６）に対応している。
第３０図にＧｅＴｅ媒体層２３が結晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第２９図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第２９図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
次に光記録媒体を窒素ガスふん囲気中において、５分間
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３００山の半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第３１図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー （ｍＷ）との関
係が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意
味は第２９図の場合と同様である。この図によると、こ
の発明の実施例に係る（Ｓｉｆｔ、 ３）Ｌ ｃｓ（Ｃ
ｒ）ｏ、 ａｓを保護層として用いた場合が最もレーザ
パワーが少ないことがわかる。即ち、（Ｓｉｆｔ、 ３
）０１ｓ（Ｃｒ）ｏ、 ｏｓを保護層としテ用イルトキ
に媒体層は最も効率良く温度上昇することを示す。
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３００山の半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第３１図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー （ｍＷ）との関
係が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意
味は第２９図の場合と同様である。この図によると、こ
の発明の実施例に係る（Ｓｉｆｔ、 ３）Ｌ ｃｓ（Ｃ
ｒ）ｏ、 ａｓを保護層として用いた場合が最もレーザ
パワーが少ないことがわかる。即ち、（Ｓｉｆｔ、 ３
）０１ｓ（Ｃｒ）ｏ、 ｏｓを保護層としテ用イルトキ
に媒体層は最も効率良く温度上昇することを示す。
これは（Ｓｉｆｔ、ｓ）ｏ、５ｓ（Ｃｒ）ｏ、ｏｓ保護
層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介しての熱
拡散とが共同して有利な方向に働いたことによる。この
関係はＺｒＯ，を保護層として用いるときは、媒体層の
光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散率も
大きいために所要のレーザパワーが大きくなることにも
現れている。ｙ＝０．１２のとき即ち（ＳｌＯ＋、ｓ）
ｏ、。５（Ｃｒ）。、１２を保護層として用いるときは
レーザパワーが大きくなることも示される（曲線４０）
。
層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介しての熱
拡散とが共同して有利な方向に働いたことによる。この
関係はＺｒＯ，を保護層として用いるときは、媒体層の
光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散率も
大きいために所要のレーザパワーが大きくなることにも
現れている。ｙ＝０．１２のとき即ち（ＳｌＯ＋、ｓ）
ｏ、。５（Ｃｒ）。、１２を保護層として用いるときは
レーザパワーが大きくなることも示される（曲線４０）
。
第３２図に消去の場合のパルス幅（ｊＪｓ）とレーザパ
ワー（ｍＷ）との関係が保護層材料をパラメータとして
示される。符号の意味は第２９図の場合と同様である。
ワー（ｍＷ）との関係が保護層材料をパラメータとして
示される。符号の意味は第２９図の場合と同様である。
この場合も（Ｓ！０＋、 ３）０１ｓ（Ｃｒ）ｏ、 ｏ
ｓを保護層として用いるときに最も少ないレーザパワー
で情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）ことが
わかる。この（ＳｉＯ＋、 ３）Ｌ １ｓ（Ｃｒ）ｏ、
ｏｓ保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ、
０．２μｓ、消去１２ｍＷ、 ０．２ｕｓのパルス
条件でくり返しを１０’回行ったが、安定した反射率変
化が得られ、（ＳＩｏｌ、３）。１゜（Ｃｒ）。、。、
保護層がくり返しサイクルに対しても安定であることが
確認される。
ｓを保護層として用いるときに最も少ないレーザパワー
で情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）ことが
わかる。この（ＳｉＯ＋、 ３）Ｌ １ｓ（Ｃｒ）ｏ、
ｏｓ保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ、
０．２μｓ、消去１２ｍＷ、 ０．２ｕｓのパルス
条件でくり返しを１０’回行ったが、安定した反射率変
化が得られ、（ＳＩｏｌ、３）。１゜（Ｃｒ）。、。、
保護層がくり返しサイクルに対しても安定であることが
確認される。
さらにディスク直径１３０ｍｍの光記録媒体につき周速
３ ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍ
のレーザにより周波数２Ｍ）１２の信号を書き込む際の
保護層（Ｓｉ貼、 ａ） ＋−ｙ （Ｃｒ） ｙにおけ
るｙ値と最適記録パワーＰｗとの関係（曲線６５）およ
びｙ値とＣ／Ｎ比との関係（曲線６４）が第３３図に示
される。第３３図から Ｖ＝０．０５のときｐｗが１５
ｍＷとなることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが
得られる。従って保護層として（ＳＩＯｌ、 ３）。、
５ｓ（Ｃｒ）。、。、を用いると、少ないレーザパワー
で記録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
３ ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍ
のレーザにより周波数２Ｍ）１２の信号を書き込む際の
保護層（Ｓｉ貼、 ａ） ＋−ｙ （Ｃｒ） ｙにおけ
るｙ値と最適記録パワーＰｗとの関係（曲線６５）およ
びｙ値とＣ／Ｎ比との関係（曲線６４）が第３３図に示
される。第３３図から Ｖ＝０．０５のときｐｗが１５
ｍＷとなることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが
得られる。従って保護層として（ＳＩＯｌ、 ３）。、
５ｓ（Ｃｒ）。、。、を用いると、少ないレーザパワー
で記録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
このようにして（ＳｉＯｏ） 、−、（Ｃｒ） 、の材
料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情報
の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて、
熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切なも
のになし得ることがわかる。
料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情報
の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて、
熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切なも
のになし得ることがわかる。
実施例６：
！３４図に保護層として（ｓｉｏｌ、 ａ） ＋−ｙ（
Ｆｅ）ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲線６
６）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線６７）が示
される。屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そして媒体
層の光吸収率も上昇する。しかしながらｙ値が０．１以
上になると減衰係数ｋが０．３５以上となり、保護層自
体の光吸収率が増大するので記録層の光吸収率は上昇し
なくなる。同時にｙが０．０８以上になると保護層の熱
拡散率も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなって光
感度が上昇しなくなり、ｙ≧０．１ となると光感度は
減少に転する。またｙく０．０５の範囲ではＳｉＯに比
し効果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０５≦ｙ＜
Ｑ、ｌである。
Ｆｅ）ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲線６
６）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線６７）が示
される。屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そして媒体
層の光吸収率も上昇する。しかしながらｙ値が０．１以
上になると減衰係数ｋが０．３５以上となり、保護層自
体の光吸収率が増大するので記録層の光吸収率は上昇し
なくなる。同時にｙが０．０８以上になると保護層の熱
拡散率も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなって光
感度が上昇しなくなり、ｙ≧０．１ となると光感度は
減少に転する。またｙく０．０５の範囲ではＳｉＯに比
し効果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０５≦ｙ＜
Ｑ、ｌである。
第３５図にＧｅＴｅ媒体層２３が非晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ ）と媒体層における光吸収率との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。第３５図で
曲線３１はＺｒＯ２，曲線２６は（ＳｉＯｌ−）。、
−（Ｐｅ） ０＋ ｏ８ 、 曲線３３はＳ＋Ｏｉ、
ｓ、 曲線３４はＳｉｎ、である。
体層厚さ（ｎｍ ）と媒体層における光吸収率との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。第３５図で
曲線３１はＺｒＯ２，曲線２６は（ＳｉＯｌ−）。、
−（Ｐｅ） ０＋ ｏ８ 、 曲線３３はＳ＋Ｏｉ、
ｓ、 曲線３４はＳｉｎ、である。
光吸収率の大きさの順序は保護膜材質の屈折率（Ｚｒ０
２〜２．２． （ＳｉＯ＋、 ３ｈｏ、 ９４ （Ｆｅ
） ｏ、 ｏ６〜２．０．３ｉＯ＋、 ｓ〜１．８５．
ＳｉＱ□１．４６）に対応している。
２〜２．２． （ＳｉＯ＋、 ３ｈｏ、 ９４ （Ｆｅ
） ｏ、 ｏ６〜２．０．３ｉＯ＋、 ｓ〜１．８５．
ＳｉＱ□１．４６）に対応している。
第３６図にＧｅＴｅ媒体層２３が結晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第３５図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第３５図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
次に光記録媒体を窒素ガスふん囲気中において、５分間
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第３７図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー（ｍＷ）との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味
は第３５図の場合と同様である。この図によると、この
発明の実施例に係る（ＳＩｏｌ、 ３）Ｏ，５ａ（Ｆｅ
）ａ、 ｏ＠を保護層として用いた場合が最もレーザパ
ワーが少ないことがわかる。即ち、（ＳｉＯ＋、 ３）
０．９４ （Ｆｅ） ０．０６を保護層トシテ用イル
トキに媒体層は最も効率良く温度上昇することを示す。
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第３７図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー（ｍＷ）との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味
は第３５図の場合と同様である。この図によると、この
発明の実施例に係る（ＳＩｏｌ、 ３）Ｏ，５ａ（Ｆｅ
）ａ、 ｏ＠を保護層として用いた場合が最もレーザパ
ワーが少ないことがわかる。即ち、（ＳｉＯ＋、 ３）
０．９４ （Ｆｅ） ０．０６を保護層トシテ用イル
トキに媒体層は最も効率良く温度上昇することを示す。
これは（ＳＩｏｌ、 ３） ０．１１４ （Ｆｅ） ｏ
、 ａｓ保護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層
を介しての熱拡散とが共同して有利な方向に働いたこと
による。この関係はＺｒＯ，を保護層として用いるとき
は、媒体層の光吸収率は最大となるにもかかわらず、そ
の熱拡散率も大きいために所要のレーザパワーが大きく
なることにも現れている。ｙ ＝０．１２のとき即ち（
Ｓ！０＋、 ３） ０．８８ （Ｆｅ） ｏ、 ＋ ２
を保護層として用いるときはレーザパワーが大きくなる
ことも示される（曲線３０）。
、 ａｓ保護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層
を介しての熱拡散とが共同して有利な方向に働いたこと
による。この関係はＺｒＯ，を保護層として用いるとき
は、媒体層の光吸収率は最大となるにもかかわらず、そ
の熱拡散率も大きいために所要のレーザパワーが大きく
なることにも現れている。ｙ ＝０．１２のとき即ち（
Ｓ！０＋、 ３） ０．８８ （Ｆｅ） ｏ、 ＋ ２
を保護層として用いるときはレーザパワーが大きくなる
ことも示される（曲線３０）。
第３８図に消去の場合のパルス幅（μｓ）とレーザパワ
ー（ｍＷ）との関係が保護層材料をパラメータとして示
される。符号の意味は第３５図の場合と同様である。こ
の場合も（Ｓ！０＋、 ３） ｏ、 ５４（Ｆｅ） Ｏ
，Ｏ８を保護層として用いるときに最も少ないレーザパ
ワーで情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）こ
とがわかる。この（Ｓｌｌ１１．３）。、 ９４（Ｆｅ
）。、。、保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍ
Ｗ 、 ０．２ ＪＳ、消去１２ｍＷ、０．２μｓの
パルス条件でくり返しを１０６回行ったが、安定した反
射率変化が得られ、（ＳｉＯ＋、 ｓ）ｏ、 ５ｓ（Ｆ
ｅ）。、。６保護層がくり返しサイクルに対しても安定
であることが確認される。
ー（ｍＷ）との関係が保護層材料をパラメータとして示
される。符号の意味は第３５図の場合と同様である。こ
の場合も（Ｓ！０＋、 ３） ｏ、 ５４（Ｆｅ） Ｏ
，Ｏ８を保護層として用いるときに最も少ないレーザパ
ワーで情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）こ
とがわかる。この（Ｓｌｌ１１．３）。、 ９４（Ｆｅ
）。、。、保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍ
Ｗ 、 ０．２ ＪＳ、消去１２ｍＷ、０．２μｓの
パルス条件でくり返しを１０６回行ったが、安定した反
射率変化が得られ、（ＳｉＯ＋、 ｓ）ｏ、 ５ｓ（Ｆ
ｅ）。、。６保護層がくり返しサイクルに対しても安定
であることが確認される。
さらにディスク直径１３０ｍｍの光記録媒体につき周速
８ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍの
レーデにより周波数２ＭＨ２の信号を書き込む際の保護
層（Ｓｉ１１．３＞ ＋−ｙ（ｔ’ｅ）ｙにあけるｙ値
と最適記録パワーｐｗとの関係（曲線６９）およびｙ値
とＣ／Ｎ比との関係（曲線６８）が第３９図に示される
。第３９図から ｙ＝ａ、ａｓのときＰｗが１５ｍ１１
となるこきがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが得ら
れる。従゛って保護層として（Ｓ！０＋、 ３） ０１
４ （Ｆｅ） Ｏ−ａｓを用いると、少ないレーデパワ
ーで記録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる
。
８ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍの
レーデにより周波数２ＭＨ２の信号を書き込む際の保護
層（Ｓｉ１１．３＞ ＋−ｙ（ｔ’ｅ）ｙにあけるｙ値
と最適記録パワーｐｗとの関係（曲線６９）およびｙ値
とＣ／Ｎ比との関係（曲線６８）が第３９図に示される
。第３９図から ｙ＝ａ、ａｓのときＰｗが１５ｍ１１
となるこきがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが得ら
れる。従゛って保護層として（Ｓ！０＋、 ３） ０１
４ （Ｆｅ） Ｏ−ａｓを用いると、少ないレーデパワ
ーで記録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる
。
このようにして（ＳＩＯｘ） ＋−ｙ （Ｆｅ） ｙの
材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切な
ものになし得ることがわかる。
材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切な
ものになし得ることがわかる。
実施例７：
第４０図に保護層として（ＳＩＯ＋、 ３） ｌ−ｙ
（Ｎｄ） ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲
線７１）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線７２）
が示される。屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そして
媒体層の光吸収率も上昇する。しかしながらｙ値が０．
１２以上になると減衰係数ｋが０，３５以上となり、保
護層自体の光吸収率が増大するので記録層の光吸収率は
上昇しなくなる。同時にｙが０．１以上になると保護層
の熱拡散率も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなっ
て光感度が上昇しなくなり、ｙ≧０．１５となると光感
度は減少に転する。またｙく０．０２の範囲ではＳｉＯ
に比し効果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０２≦
ｙ＜０．１５である。
（Ｎｄ） ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲
線７１）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線７２）
が示される。屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そして
媒体層の光吸収率も上昇する。しかしながらｙ値が０．
１２以上になると減衰係数ｋが０，３５以上となり、保
護層自体の光吸収率が増大するので記録層の光吸収率は
上昇しなくなる。同時にｙが０．１以上になると保護層
の熱拡散率も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなっ
て光感度が上昇しなくなり、ｙ≧０．１５となると光感
度は減少に転する。またｙく０．０２の範囲ではＳｉＯ
に比し効果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０２≦
ｙ＜０．１５である。
第４１図にＧｅＴｅ媒体層２３が非晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ ）と媒体層における光吸収率との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。第４１図で
曲線３１はＺｒＤ、、 曲線２７は（ＳｉＯ，、−）、
、 ９−（Ｎｄ） ｏ、 ０４ 、 曲線３３は３ｉ０
１．３． 曲線３４は５１０２である。
体層厚さ（ｎｍ ）と媒体層における光吸収率との関係
が保護層材料をパラメータとして示される。第４１図で
曲線３１はＺｒＤ、、 曲線２７は（ＳｉＯ，、−）、
、 ９−（Ｎｄ） ｏ、 ０４ 、 曲線３３は３ｉ０
１．３． 曲線３４は５１０２である。
光吸収率の大きさの順序は保護膜材質の屈折率（ＺｒＬ
〜２．２． （Ｓ！０＋、 ３） ｏ、 ｓｓ （Ｎ
ｄ） ｏ、 ｏｓ 〜２．１．５ｉｆｔ、 ｓ〜１．８
５．５ｉＯｚ １．４６）に対応している。
〜２．２． （Ｓ！０＋、 ３） ｏ、 ｓｓ （Ｎ
ｄ） ｏ、 ｏｓ 〜２．１．５ｉｆｔ、 ｓ〜１．８
５．５ｉＯｚ １．４６）に対応している。
第４２図にＧｅＴｅ媒体層２３が結晶質であるときの媒
体層厚さくｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第４１図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
体層厚さくｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第４１図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
次に光記録媒体を窒素ガスふん囲気中において、５分間
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴａを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーデ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第４′３図に情報書き込みの
場合のパルス幅（μｓ）とレーデパワー（ｍＷ）との関
係が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意
味は第４１図の場合と同様である。この図によると、こ
の発明の実施例に係る（ＳＩＤ１．３＞。、ｓｇ（Ｎｄ
）。、。、を保護層として用いた場合が最もレーザパワ
ーが少ないことがわかる。即ち、（ＳｉＯ＋、 ３）０
． ｓｇ（Ｎｄ）ｏ、 ０４を保護層として用いるとき
に媒体層は最も効率良く温度上昇することを示す。
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴａを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーデ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第４′３図に情報書き込みの
場合のパルス幅（μｓ）とレーデパワー（ｍＷ）との関
係が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意
味は第４１図の場合と同様である。この図によると、こ
の発明の実施例に係る（ＳＩＤ１．３＞。、ｓｇ（Ｎｄ
）。、。、を保護層として用いた場合が最もレーザパワ
ーが少ないことがわかる。即ち、（ＳｉＯ＋、 ３）０
． ｓｇ（Ｎｄ）ｏ、 ０４を保護層として用いるとき
に媒体層は最も効率良く温度上昇することを示す。
これは（ＳＩ［］１．３）。、ｓｇ（Ｎｄ）。、。４保
護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介しての
熱拡散とが共同してを利な方向に働いたことによる。こ
の関係はＺｒＤ２を保護層として用いるときは、媒体層
の光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散率
も大きいために所要のレーザパワーが大きくなることに
も現れている。ｙ ＝０．１８のとき即ち（ＳｉＯ＋、
ｓｅａ、 ｅｚ（ＮｄＬ、 ＋ｓを保護層として用い
るときはレーザパワーが大きくなることも示される（曲
線２０） 。
護層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介しての
熱拡散とが共同してを利な方向に働いたことによる。こ
の関係はＺｒＤ２を保護層として用いるときは、媒体層
の光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散率
も大きいために所要のレーザパワーが大きくなることに
も現れている。ｙ ＝０．１８のとき即ち（ＳｉＯ＋、
ｓｅａ、 ｅｚ（ＮｄＬ、 ＋ｓを保護層として用い
るときはレーザパワーが大きくなることも示される（曲
線２０） 。
第４４図に消去の場合のパルス幅（部）とレーザパワー
（ｍ−）との関係が保護層材料をパラメータとして示さ
れる。符号の意味は第４１図の場合と同様である。この
場合も（ＳＩＯ＋、 ：＋） ｏ、 ｓｓ （Ｎｄ）
０．０４を保護層として用いるときに最も少ないレーザ
パワーで情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）
ことがわかる。この（Ｓ！Ｏ＋、＊）ｏ、５ａ（Ｎｄ）
ｉ、ｏｓ保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ
、 ０．２μｓ、消去１２１御、０１μｓのパルス条
件でくり返しを１０’回行ったが、安定した反射率変化
が得られ、（ＳＩＯｌ、 ３） ｏ、 ５ｓ（Ｎｄ）。
（ｍ−）との関係が保護層材料をパラメータとして示さ
れる。符号の意味は第４１図の場合と同様である。この
場合も（ＳＩＯ＋、 ：＋） ｏ、 ｓｓ （Ｎｄ）
０．０４を保護層として用いるときに最も少ないレーザ
パワーで情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）
ことがわかる。この（Ｓ！Ｏ＋、＊）ｏ、５ａ（Ｎｄ）
ｉ、ｏｓ保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ
、 ０．２μｓ、消去１２１御、０１μｓのパルス条
件でくり返しを１０’回行ったが、安定した反射率変化
が得られ、（ＳＩＯｌ、 ３） ｏ、 ５ｓ（Ｎｄ）。
、。、保護層がくり返しサイクルに対しても安定である
ことが確認される。
ことが確認される。
さらにディスク直径ｔａｏｍｍの光記録媒体につき周速
８ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍの
レーザにより周波数２１４８２の信号を書き込む際の保
護層（Ｓ！０＋、 ３） ＋−ｙ（Ｎｄ）ｙにおけるｙ
値と最適記録パワーｐｗとの関係（曲線２９）およびｙ
値とＣ／Ｎ比との関係（曲線２８）が第４５図に示され
る。第４５図から ｙ＝ｏ、ｏ６のときＰｗが１５ｍＷ
となることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが得ら
れる。従って保護層として（ＳＩＯｌ、ｚ）。、５ｓ（
Ｎｄ）。、。４を用いると、少ないレーザパワーで記録
ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
８ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍの
レーザにより周波数２１４８２の信号を書き込む際の保
護層（Ｓ！０＋、 ３） ＋−ｙ（Ｎｄ）ｙにおけるｙ
値と最適記録パワーｐｗとの関係（曲線２９）およびｙ
値とＣ／Ｎ比との関係（曲線２８）が第４５図に示され
る。第４５図から ｙ＝ｏ、ｏ６のときＰｗが１５ｍＷ
となることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが得ら
れる。従って保護層として（ＳＩＯｌ、ｚ）。、５ｓ（
Ｎｄ）。、。４を用いると、少ないレーザパワーで記録
ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
このようにして（ＳｉＯｘ） ＋−ｙ （Ｎｄ） ｙの
材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切な
ものになし得ることがわかる。
材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切な
ものになし得ることがわかる。
実施例８：
第４６図に保護層として（ＳＩＯｌ、 ３） ＋−’ｙ
（Ｓｍ） ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（
曲線７３）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線７４
）が示される。屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そし
て媒体層の光吸収率も上昇する。しかしながらｙ値が０
．１２以上になると減衰係数ｋが０．３５以上となり、
保護層自体の光吸収率が増大するので記録層の光吸収率
は上昇しなくなる。同時にｙが０．１以上になると保護
層の熱拡散率も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくな
って光感度が上昇しな（なり、ｙ≧０．１５となると光
感度は減少に転する。またｙく０．０２の範囲ではＳｉ
口に比し効果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０２
≦ｙ＜０．１２である。
（Ｓｍ） ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（
曲線７３）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線７４
）が示される。屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そし
て媒体層の光吸収率も上昇する。しかしながらｙ値が０
．１２以上になると減衰係数ｋが０．３５以上となり、
保護層自体の光吸収率が増大するので記録層の光吸収率
は上昇しなくなる。同時にｙが０．１以上になると保護
層の熱拡散率も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくな
って光感度が上昇しな（なり、ｙ≧０．１５となると光
感度は減少に転する。またｙく０．０２の範囲ではＳｉ
口に比し効果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０２
≦ｙ＜０．１２である。
第４７図にＧｅＴｅ媒体層２３が非晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。第４７図で曲
線３１はＺｒＬ、 曲線８１は（Ｓｌｏｔ、 ３）０．
９６（Ｓｍ） ｏ、 ａ ４ 、 曲線３３はＳｉｎ
、、３． 曲線３４はＳｉｎ□である。
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。第４７図で曲
線３１はＺｒＬ、 曲線８１は（Ｓｌｏｔ、 ３）０．
９６（Ｓｍ） ｏ、 ａ ４ 、 曲線３３はＳｉｎ
、、３． 曲線３４はＳｉｎ□である。
光吸収率の大きさの順序は保護膜材質の屈折率（ＺｒＬ
〜２．２．（ＳＩＯｌ、３）Ｏ，ｓｓ（Ｓｍ）Ｏ＋
０４〜２．ｌ、 ＳＩＯｌ−ｓ〜１，８５． Ｓ’ｉ
０ｚ １．４６）に対応している。
〜２．２．（ＳＩＯｌ、３）Ｏ，ｓｓ（Ｓｍ）Ｏ＋
０４〜２．ｌ、 ＳＩＯｌ−ｓ〜１，８５． Ｓ’ｉ
０ｚ １．４６）に対応している。
第４８図にＧｅＴｅ媒体層２３が結晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第４７図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
体層厚さ（ｎｍ）と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第４７図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
次に光記録媒体を窒素ガスふん囲気中において、５分間
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を關べろ。′ＪＪ４９図に情報書き込み
の場合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー （ｍＷ）と
の関係が保護層材料をバラメー°夕として示される。符
号の意味は第４７図の場合と同様である。この図による
と、この発明の実施例に係る（Ｓ＋０． ｚ） ０．９
６ （Ｓｍ） ０．０４を保護層として用いた場合が最
もレーザパワーが少ないことがわかる。即ち、（ｓｈｏ
ｔ、 ｉ） Ｏ，ｓｓ （Ｓｍ） ｏ、 ａ４を保護層
として用いるときに媒体層は最も効率良く温度上昇する
ことを示す。
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を關べろ。′ＪＪ４９図に情報書き込み
の場合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー （ｍＷ）と
の関係が保護層材料をバラメー°夕として示される。符
号の意味は第４７図の場合と同様である。この図による
と、この発明の実施例に係る（Ｓ＋０． ｚ） ０．９
６ （Ｓｍ） ０．０４を保護層として用いた場合が最
もレーザパワーが少ないことがわかる。即ち、（ｓｈｏ
ｔ、 ｉ） Ｏ，ｓｓ （Ｓｍ） ｏ、 ａ４を保護層
として用いるときに媒体層は最も効率良く温度上昇する
ことを示す。
これは＜Ｓ！０＋、 ３） ０． ｓ６（Ｓｍ） ｌｌ
＋ ０４保護屡を用いると、媒体層の光吸収率と保護層
を介しての熱拡散とが共同して有利な方向に働いたこと
による。この関係はＺｒ口、を保護層として用いるとき
は、媒体層の光吸収率は最大となるにもかかわらず、そ
の熱拡散率も大きいために所要のレーザパワーが大きく
なることにも現れている。Ｖ ＝０．１８のとき即ち（
ＳＩＯｌ、 ｓ）ｏ、 ａ２（Ｐｅｓｏ、 ＋８を保護
層として用いるときはレーザパワーが大きくなることも
示される（曲線８２）。
＋ ０４保護屡を用いると、媒体層の光吸収率と保護層
を介しての熱拡散とが共同して有利な方向に働いたこと
による。この関係はＺｒ口、を保護層として用いるとき
は、媒体層の光吸収率は最大となるにもかかわらず、そ
の熱拡散率も大きいために所要のレーザパワーが大きく
なることにも現れている。Ｖ ＝０．１８のとき即ち（
ＳＩＯｌ、 ｓ）ｏ、 ａ２（Ｐｅｓｏ、 ＋８を保護
層として用いるときはレーザパワーが大きくなることも
示される（曲線８２）。
第５０図に消去の場合のパルス幅（μｓ）とレーザパワ
ー（ｍＷ）との関係が保護層材料をパラメータとして示
される。符号の意味は第４７図の場合と同様である。こ
の場合も（Ｓｌｏｌ、 ３）。、 ｓｇ（Ｓｍ）ｏ、
。４を保護層として用いるときに最も少ないレーザパワ
ーで情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）こと
がわかる。この（ＳＩＤ１．３）。１６（釦）。、０４
保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ、 ０
．２μｓ、消去１２ｍＷ、 ０．２ＪＪｓのパルス条件
でくり返しを１０６回行ったが、安定した反射率変化が
得られ、（ＳＩＯｌ、 ３）。、９＠（Ｓｍ）。、。、
保護層がくり返しサイクルに対しても安定であることが
確認される。
ー（ｍＷ）との関係が保護層材料をパラメータとして示
される。符号の意味は第４７図の場合と同様である。こ
の場合も（Ｓｌｏｌ、 ３）。、 ｓｇ（Ｓｍ）ｏ、
。４を保護層として用いるときに最も少ないレーザパワ
ーで情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）こと
がわかる。この（ＳＩＤ１．３）。１６（釦）。、０４
保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５ｍＷ、 ０
．２μｓ、消去１２ｍＷ、 ０．２ＪＪｓのパルス条件
でくり返しを１０６回行ったが、安定した反射率変化が
得られ、（ＳＩＯｌ、 ３）。、９＠（Ｓｍ）。、。、
保護層がくり返しサイクルに対しても安定であることが
確認される。
さらにディスク直径１３０ｍｍの光記録媒体につき周速
８ ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍ
のレーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保
護層（Ｓｌ０＋、 ｓ＞ ｌ−ｙ（Ｓｍ）ｙにおけるｙ
値と最適に録パワーｐｗとの関係（曲線７６）およびｙ
値とＣ／Ｎ比との関係（曲線７５）が第５１図に示され
る。第５１図から Ｖ＝０．１２のときｐｗが１５ｍＷ
となることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが得ら
れる。従って保護層として（Ｓｌ（Ｌ、 ３）Ｏ，ｓｓ
（！Ｊ）ｏ−０４を用いると、少ないレーザパワーで記
録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
８ ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍ
のレーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保
護層（Ｓｌ０＋、 ｓ＞ ｌ−ｙ（Ｓｍ）ｙにおけるｙ
値と最適に録パワーｐｗとの関係（曲線７６）およびｙ
値とＣ／Ｎ比との関係（曲線７５）が第５１図に示され
る。第５１図から Ｖ＝０．１２のときｐｗが１５ｍＷ
となることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが得ら
れる。従って保護層として（Ｓｌ（Ｌ、 ３）Ｏ，ｓｓ
（！Ｊ）ｏ−０４を用いると、少ないレーザパワーで記
録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
このようにして（ＳｉＤｘ） ＋−ｙ （Ｓｍ） ｙの
材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切な
ものになし得ることがわかる。
材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切な
ものになし得ることがわかる。
実施例９：
第５２図に保護層として（ＳＩＯ＋、 ３） １−７（
Ｄｙ）ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲線７
７）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線７８）が示
される。屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そして媒体
層の光吸収率も上昇する。しかしながらｙ値が０１２以
上になると減衰係数ｋが０．３５以上となり、保護層自
体の光吸収率が増大するので記録層の光吸収率は上昇し
なくなる。同時にｙが０．１以上になると保護層の熱拡
散率も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなって光感
度が上昇しなくなり、ｙ≧０．１５となると光感度は減
少に転する。またｙ〈０．０２の範囲では８１０に比し
効果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０２≦ｙ＜０
．１２である。
Ｄｙ）ｙを用いたときのｙ値と屈折率ｎの関係（曲線７
７）およびｙ値と減衰係数にとの関係（曲線７８）が示
される。屈折率ｎはｙ値とともに上昇する。そして媒体
層の光吸収率も上昇する。しかしながらｙ値が０１２以
上になると減衰係数ｋが０．３５以上となり、保護層自
体の光吸収率が増大するので記録層の光吸収率は上昇し
なくなる。同時にｙが０．１以上になると保護層の熱拡
散率も増大し、吸収エネルギの拡散が大きくなって光感
度が上昇しなくなり、ｙ≧０．１５となると光感度は減
少に転する。またｙ〈０．０２の範囲では８１０に比し
効果が見られない。ｙの好適な範囲は０．０２≦ｙ＜０
．１２である。
第５３Ｆ！！ＪにＧｅＴｅ媒体層２３が非晶質であると
きの媒体層厚さ（ｎｍ ）と媒体層にふける光吸収率と
の関係が保護層材料をパラメータとして示される。第５
３図で曲線３１は１ｒＯｚ、 曲線８３は（Ｓｉ［］
１．−）。−６（Ｄｙ） ｏ、ｏ ４ 、 曲線３３
ハｓｉＯ，，ｓ 、 曲ｌ１１３４１ｔｓｉｏｚ Ｔ
： アル。
きの媒体層厚さ（ｎｍ ）と媒体層にふける光吸収率と
の関係が保護層材料をパラメータとして示される。第５
３図で曲線３１は１ｒＯｚ、 曲線８３は（Ｓｉ［］
１．−）。−６（Ｄｙ） ｏ、ｏ ４ 、 曲線３３
ハｓｉＯ，，ｓ 、 曲ｌ１１３４１ｔｓｉｏｚ Ｔ
： アル。
光吸収率の大きさの順序は保護膜材質の屈折率（２ｒＬ
〜２．２．（ＳＩＯ，，３）Ｏ，ａｌｌ （Ｄｙ）ｏ
、１１４〜２．１． ＳｉＯ＋、 ３〜１，８５，５
ｉＯｉ １．４６＞に対応している。
〜２．２．（ＳＩＯ，，３）Ｏ，ａｌｌ （Ｄｙ）ｏ
、１１４〜２．１． ＳｉＯ＋、 ３〜１，８５，５
ｉＯｉ １．４６＞に対応している。
第５４図にＧｅＴｅ媒体層２３が結晶質であるときの媒
体層厚さ（ｎｍ＞と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第５３図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
体層厚さ（ｎｍ＞と媒体層における光吸収率との関係が
保護層材料をパラメータとして示される。符号の意味は
第５３図と同様である。光吸収率と屈折率との関係は上
述の場合と同様である。
次に光記録媒体を窒素ガスふん囲気中において、５分間
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第５５図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー （ｍＷ）との関
係が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意
味は第５３図の場合と同様である。この図によると、こ
の発明の実施例゛に係る（ＳｔＯ＋、 ３）。１． （
Ｄｙ）。、。、を保護層として用いた場合が最もレーザ
パワーが少ないことがわかる。即ち、（Ｓ＋Ｏ＋、ｔ）
。、９！１（ＤＹ）。、。、を保護層として用いるとき
に媒体層は最も効率良く温度上昇することを示す。
温度２５０℃で加熱処理を行い、光記録媒体を初期化（
媒体層のＧｅＴｅを結晶化）してから、８３０ｎｍの半
導体レーザ光を用い、情報の記録、消去のためのレーザ
パルス照射条件を調べる。第５５図に情報書き込みの場
合のパルス幅（μｓ）とレーザパワー （ｍＷ）との関
係が保護層材料をパラメータとして示される。符号の意
味は第５３図の場合と同様である。この図によると、こ
の発明の実施例゛に係る（ＳｔＯ＋、 ３）。１． （
Ｄｙ）。、。、を保護層として用いた場合が最もレーザ
パワーが少ないことがわかる。即ち、（Ｓ＋Ｏ＋、ｔ）
。、９！１（ＤＹ）。、。、を保護層として用いるとき
に媒体層は最も効率良く温度上昇することを示す。
これは（ＳｉＯ＋、ｓ）ｏ、５ｓ（ＤＹ）ｏ、ｏｎ保護
層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介しての熱
拡散とが共同して有利な方向に働いたことによる。この
関係はＺｒＯ，を保護層として用いるときは、媒体層の
光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散率も
大きいために所要のレーザパヮーカ大キくなることにも
現れている。ｙ＝０．１８のとき即ち（ＳｉＯ＋、 ｉ
）ｏ、 ５２（Ｄｙ）ｏ、 １＠を保護層として用いる
ときはレーザパワーが大きくなることも示される（曲線
８４）。
層を用いると、媒体層の光吸収率と保護層を介しての熱
拡散とが共同して有利な方向に働いたことによる。この
関係はＺｒＯ，を保護層として用いるときは、媒体層の
光吸収率は最大となるにもかかわらず、その熱拡散率も
大きいために所要のレーザパヮーカ大キくなることにも
現れている。ｙ＝０．１８のとき即ち（ＳｉＯ＋、 ｉ
）ｏ、 ５２（Ｄｙ）ｏ、 １＠を保護層として用いる
ときはレーザパワーが大きくなることも示される（曲線
８４）。
第５６図に消去の場合のパルス幅（Ｊｉｓ）とレーザパ
ワー（ｍｌｌ）との関係が保護層材料をパラメータとし
て示される。符号の意味は第５３図の場合と同様である
。この場合も（ＳｉＯ＋、 ３）。、 ９６ （Ｄｙ）
。、。、を保護層として用いるときに最も少ないレーザ
パワーで情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）
ことがわかる。この（Ｓ＋０＋−１）Ｏ，５ｓ（Ｄｙ）
ｏ、 １１４保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５
ｍＪ ０．２μｓ、消去１２ｍＷ、０．２μｓのパル
ス条件でくり返しを１０６回行ったが、安定した反射率
変化が得られ、（Ｓ＋０＋、 ａ）。、、。
ワー（ｍｌｌ）との関係が保護層材料をパラメータとし
て示される。符号の意味は第５３図の場合と同様である
。この場合も（ＳｉＯ＋、 ３）。、 ９６ （Ｄｙ）
。、。、を保護層として用いるときに最も少ないレーザ
パワーで情報の消去ができる（媒体層を結晶化できる）
ことがわかる。この（Ｓ＋０＋−１）Ｏ，５ｓ（Ｄｙ）
ｏ、 １１４保護層を用いた光記録媒体を書き込み１５
ｍＪ ０．２μｓ、消去１２ｍＷ、０．２μｓのパル
ス条件でくり返しを１０６回行ったが、安定した反射率
変化が得られ、（Ｓ＋０＋、 ａ）。、、。
（Ｏｙ）。、。、保護層がくり返しサイクルに対しても
安定であることが確認される。
安定であることが確認される。
さらにディスク直径１３釦ｍの光記録媒体につき周速８
ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍのレ
ーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保護層
（ＳＩＯｌ、 ３） ＋−ｙ（Ｄ！／）ｙにおけるｙ値
と最適記録パワーＰ−との関係（曲線８０）およびｙ値
とＣ／Ｎ比との関係（曲線７９）が第５７図に示される
。第５７図から ｙ＝ｏ、ｏ６のときｐｗが１５ｍ１ｌ
となることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが得ら
れる。従って保護層として（ＳＩＯｌ、３＞。、ｓｇ（
Ｄ！／）。−０４を用いると、少ないレーザパワーで記
録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
ｍ／ｓでディスクを回転させながら波長８３０ｎｍのレ
ーザにより周波数２ＭＨｚの信号を書き込む際の保護層
（ＳＩＯｌ、 ３） ＋−ｙ（Ｄ！／）ｙにおけるｙ値
と最適記録パワーＰ−との関係（曲線８０）およびｙ値
とＣ／Ｎ比との関係（曲線７９）が第５７図に示される
。第５７図から ｙ＝ｏ、ｏ６のときｐｗが１５ｍ１ｌ
となることがわかる。Ｃ／Ｎ比としては４６ｄＢが得ら
れる。従って保護層として（ＳＩＯｌ、３＞。、ｓｇ（
Ｄ！／）。−０４を用いると、少ないレーザパワーで記
録ができるうえ電気特性にも優れることがわかる。
このようにして（ＳｉＯｘ） ｌ−ｙ （Ｄｙ） ｙの
材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切な
ものになし得ることがわかる。
材料は耐熱性の点で問題のないことは勿論であるが、情
報の記録、消去に必要とされるレーザ照射領域からみて
、熱拡散率、屈折率の値をｘ、ｙの選択によって適切な
ものになし得ることがわかる。
この発明によれば基板上に第１の保ｘｉ ｇ 、媒体層
、第２の保護層および表面保護層を順次形成し、前記媒
体層ヘレーザ光を照射してその相変化により情報の記録
、再生および消去を行う光記録媒体において、ＺをＣｕ
、 Ａｌ、 Ｔｉ、 Ｐｔ、 Ｃｒ、 Ｐｅ。
、第２の保護層および表面保護層を順次形成し、前記媒
体層ヘレーザ光を照射してその相変化により情報の記録
、再生および消去を行う光記録媒体において、ＺをＣｕ
、 Ａｌ、 Ｔｉ、 Ｐｔ、 Ｃｒ、 Ｐｅ。
Ｎｄ、 Ｓｍ、 Ｄｙのうちのいずれか１つとしたとき
に一般式（ＳｌｏＸ） ＋−ｙ（ｚ）ｙで表される組成
のセラミックスからなる第１および第２の保護層を備え
るもので保護層の屈折率と熱拡散率の値が適切なものと
なり、光記録媒体の媒体層における光吸収率が大きくな
って光エネルギがを効に媒体層の加熱に利用されるとと
もにその熱拡散が防止され、その結果従来より少ないレ
ーデパワーで情報の記録、消去ができるうえ、電気特性
、信頼性にも優れる光記録媒体を提供することが可能と
なる。
に一般式（ＳｌｏＸ） ＋−ｙ（ｚ）ｙで表される組成
のセラミックスからなる第１および第２の保護層を備え
るもので保護層の屈折率と熱拡散率の値が適切なものと
なり、光記録媒体の媒体層における光吸収率が大きくな
って光エネルギがを効に媒体層の加熱に利用されるとと
もにその熱拡散が防止され、その結果従来より少ないレ
ーデパワーで情報の記録、消去ができるうえ、電気特性
、信頼性にも優れる光記録媒体を提供することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の実施例に係る光記録媒体の模式断面
図、第２図はこの発明の実施例に係る（ＳｌｏＸ）＋−
，（Ｃｕ）ｙ保護層のｙ値と屈折率との関係を示す線図
、第３図はこの発明の実施例に係る（Ｓ １Ｏｘ） ０
．９ Ｓ （Ｃｕ） ａ−１１５保護層のＸ値と屈折率
との関係を示す線図、第４図は媒体層が非晶質であると
きの媒体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第５図
は媒体層が結晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率と
の関係を示す線図、第６図は保護層材料をパラメータと
する、情報記録時におｔする、レーザ照射領域を示す線
図、第７図は保護層材料をパラメータとする、情報消去
時における、レーデ照射領域を示す線図、第８図はこの
発明の実施例に係る（ＳｉＯ，、）、−、（ＣｕＬＯｉ
ｉＪ層のｙ値と最適記録パワーとの関係およびｙ値と
Ｃ／Ｎ比との関係を示す線図、第９図は５ＩＯＩＩ葆謹
層のＸ値と最適記録パワーとの関係およびＸ値と Ｃ／
Ｎ比との関係を示す線図、第１０図はこの発明の実施例
に係る（Ｓ＋０．３＞ １−（Ａｌ）ｙ保護層のｙ値と
屈折率との関係およびｙ値と減衰係数にとの関係を示す
線図、第１１図は媒体層が非晶質であるときの媒体層厚
さと光吸収率との関係を示す線図、第１２図は媒体層が
結晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率との関係を示
す線図、第１３図は保護層材料をパラメータとする、情
報記録時におけるレーザ照射領域を示す線図、第１４図
は保護層材料をパラメータとする、情報消去時における
、レーザ照射領域を示す線図、第１５図はこの発明の実
施例に係る（ＳＩＯｌ、３） １−ｙ（Ａ１） 、保護
層のｙ値と最適記録パワーとの関係およびｙ値と Ｃ／
Ｎ比との関係を示す線図、第１６図はこの発明の実施例
に係る（ＳＩＯｌ、 ｓ＞（Ｔｉ）、保護層のｙ値と屈
折率との関係およびｙ値と減衰係数にとの関係を示す線
図、第１７図は媒体層が非晶質であるときの媒体層厚さ
と光吸収率との関係を示す線図、第１８図は媒体層が結
晶質゛であるときの媒体層厚さと光吸収率との関係を示
す線図、第１９図は保護層材料をパラメータとする、情
報記録時における、レーデ照射領域を示す線図、第２０
図は保護層材料をパラメータとする、情報消去時におけ
る、レーザ照射領域を示す線図、第２１図はこの発明の
実施例に係る（ＳＩＯｌ、 ３） ＋−ｙ（Ｔ＋）ｙ保
護層のｙ値と最適記録パワーとの関係およびｙ値とＣ／
Ｎ比との関係を示す線図、第２２図はこの発明の実施例
に係る（ＳＩＯｌ、ｓ） ＋−ｙ（Ｐｔ）ｙ保護層のｙ
値と屈折率との関係およびｙ値と減衰係数にとの関係を
示す線図、第２３図は媒体層が非晶質であるときの媒体
層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第２４図は媒体
層が結晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率との関係
を示す線図、第２５図は保護層材料をパラメータとする
、情報記録時における、レーザ照射領域を示す線図、第
２６図は保護層材料をパラメータとする、情報消去時に
おける、レーザ照射領域を示す線図、第２７図はこの発
明の実施例に係る（ｓｉｏｌ、 ｓ） Ｉ−、（ｐｔ）
ｙ保護層のｙ値と最適記録パワーとの関係およびｙ値
と Ｃ／Ｎ比との関係を示す線図、第２８図はこの発明
の実施例に係る（ＳＩＯｌ、３）＋−ｙ（Ｃｒ）ｙ保護
層のｙ値と屈折率との関係およびｙ値と減衰係数にとの
関係を示す線図、第２９図は媒体層が非晶質であるとき
の媒体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第３０図
は媒体層が結晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率と
の関係を示す線図、第３１図は保護層材料をパラメータ
とする、情報記録時における、レーザ照射領域を示す線
図、第３２図は保護層材料をパラメータとする、情報消
去時における、レーザ照射領域を示す線図、第３３図は
この発明の実施例に係る（ＳｉＯｌ−３） ＋−ｙ（ｃ
ｒ）ｙ保護層のｙ値と最適記録パワーとの関係およびｙ
値とＣ／Ｎ比との関係を示す線図、第３４図はこの発明
の実施例に係る（ＳｉＯ３，３） １−（Ｆｅ） 、保
護層のｙ値と屈折率との関係ふよびｙ値と減衰係数にと
の関係を示す線図、第３５図は媒体層が非晶質であると
きの媒体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第３６
図は媒体層が結晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率
との関係を示す線図、第３７図は保護層材料をパラメー
タとする、情報記録時における、レーザ照射領域を示す
線図、第３８図は保護層材料をパラメータとする、情報
消去時における、レーザ照射領域を示す線図、第３９図
はこの発明の実施例に係る（ＳｉＯｌ、 ａ） ＋−ｙ
（Ｆｅ） ｙ保護層のｙ値と最適記録パワーとの関係お
よびｙ値とＣ／Ｎ比との関係を示す線図、第４０図はこ
の発明の実施例に係る（Ｓ＋０＋−ｓ） １−ｙ（Ｎｄ
）−保護層のｙ値と屈折率との関係およびｙ値と減衰係
数にとの関係を示す線図、第４１図は媒体層が非晶質で
あるときの媒体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、
第４２図は媒体層が結晶質であるときの媒体層厚さと光
吸収率との関係を示す線図、第４３図は保護層材料をパ
ラメータとする、情報記録時にふける、レーザ照射領域
を示す線図、第４４図は保護層材料をパラメータとする
、情報消去時における、レーザ照射領域を示す線図、第
４５図はこの発明の実施例に係る（ＳｉＯｌ、 ３）
＋−ｙ（Ｎｄ）ｙ保護層のｙ値と最適記録パワーとの関
係右よびｙ値と Ｃ／Ｎ比との関係を示す線図、第４６
図はこの発明の実施例に係る（ＳｉＯｌ、 ３） Ｉ−
ｙ （Ｓｍ） ｙ保護層のｙ値と屈折率との関係および
ｙ値と減衰係数にとの関係を示す線図、第４７図は媒体
層が非晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率との関係
を示す線図、第４８図は媒体層が結晶質であるときの媒
体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第４９図は保
護層材料をパラメータとする、情報記録時における、レ
ーザ照射領域を示す線図、第５０図は保護層材料をパラ
メータとする、情報消去時における、レーザ照射領域を
示す線図、第５１図はこの発明の実施例に係る（ＳｉＯ
ｌ、 ３） ＋−ｙ（ｓｍ）ｙ保護層０） ｙ 値ト最
適記録パワーとの関係およびｙ値と Ｃ／Ｎ比との関係
を示す線図、第５２図はこの発明の実施例に係る（Ｓｉ
０１−３）（Ｄｙ） ｙ保護層のｙ値と屈折率との関係
およびｙ値と減衰係数にとの関係を示す線図、第５３図
は媒体層が非晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率と
の関係を示す線図、第５４図は媒体層が結晶質であると
きの媒体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第５５
図は保護層材料をパラメータとする、情報記録時にふけ
る、レーザ照射領域を示す線図、第５６図は保護層材料
をパラメータとする、情報消去時における、レーザ照射
領域を示す線図、第５７図はこの発明の実施例に係る（
ＳｉＯｌ、 ３） ＋−ｙ（ＤｙＬ保護保護ｙ値と最適
記録パワーとの関係およびｙ値とＣ／Ｎ比との関係を示
す線図である。 ２１ 基板、２２ 第１の保護層、２３ 媒体層
、２４第 図 媒体層厚さ（ｎｍ） 第４区 媒体層厚さ（ｎｍ） 第５図 ２ ４ ６ Ｂ ＋０１２４４１６（ＳｉＯｘ）１
−ｙ（Ｃｕ）ｙｌ−おけるｙ値（ＸＩＯ−２）第 区 （ＳｉＯｘ）ｏ、５ｓ（Ｃｕ）ｏ、ｏ５にお１１６ｘ値
第 図 パルス’ｌ （Ｐｓ） 第６図 パルス幅（ｐｓ） 第７図 Ｃ／Ｎ （ＳｉＯ＋、３）＋−ｙ（Ｃｕ）ｙｌ：おけるｙ値（Ｘ
ＩＯ−”）（ＳｉＯｘ）ｌ、：２１ける×値 第９Σ 媒体層厚さ（ｎｍ） 媒体層厚さ（ｎｍ） 第１２区 （ＳｉＯｔ３）＋−ｙ（ＡＩ）ｙＣおけるｙ値（ＸＩＯ
−”）図 ０．１ パルス幅（Ｐｓ） 第１３図 ０．１ パルス幅（ｐｓ） 第 図 叩ミ優 肩焼き源 ０．１１ パルス幅（ｐｓ） 第１９区 ０．１１ パルス幅（μＳ） 第２０図 媒体層厚さ（ｎｍ） 第１７区 媒体層厚さ（ｎｍ） 第１８図 叩ミ脣 １１１柩込頗 媒体層厚さ（ｎｍ） 媒体層厚さ（ｎｍ） ［Ｅｆｌミ優 宥愼謎姫 ０．１ パルス幅（Ｐｓ） 第２５ パルス幅（μＳ） 第２６ 媒体層厚さ（ｎｍ） 第 媒体層厚さ（ｎｍ） 第 ０．１ パルス幅（ｐｓ） 第３１Σ ０．１ パルス幅（μＳ） 第 Σ 媒体層厚さ（ｎｍ） 第３５図 媒体層厚さ（ｎｍ） 第 区 回！ｉ！ｉｉ：箸 箕愼き頗 パルス幅（μＳ） ＠蕎簀 ５１１Ｉｆ愼き鋭 パルスＳＣμｓ） 第４３ 図 ０．１１ パルス幅（μＳ） 第４４図 媒体層厚さ（ｎｍ） 圓蕎簀 責愼き源 媒体層厚さ（ｎｍ） 媒体層厚さ（ｎｍ） 第 図 四蕎井 雪１帽ミ脳 パルス幅（μＳ） 第４９図 パルス幅（μＳ） 第 図 媒体層厚さ（ｎｍ） 媒体層厚さ（ｎｍ） 第 区 パルス幅（ｐｓ） 第 Σ パルス幅（μＳ） 第 図 Ｃ／Ｎ （ＳｉＯ＋、３）＋−ｙ（Ｄｙ）ｙｌ：おけるｙ値（Ｘ
ＩＯ−２）第 図
図、第２図はこの発明の実施例に係る（ＳｌｏＸ）＋−
，（Ｃｕ）ｙ保護層のｙ値と屈折率との関係を示す線図
、第３図はこの発明の実施例に係る（Ｓ １Ｏｘ） ０
．９ Ｓ （Ｃｕ） ａ−１１５保護層のＸ値と屈折率
との関係を示す線図、第４図は媒体層が非晶質であると
きの媒体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第５図
は媒体層が結晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率と
の関係を示す線図、第６図は保護層材料をパラメータと
する、情報記録時におｔする、レーザ照射領域を示す線
図、第７図は保護層材料をパラメータとする、情報消去
時における、レーデ照射領域を示す線図、第８図はこの
発明の実施例に係る（ＳｉＯ，、）、−、（ＣｕＬＯｉ
ｉＪ層のｙ値と最適記録パワーとの関係およびｙ値と
Ｃ／Ｎ比との関係を示す線図、第９図は５ＩＯＩＩ葆謹
層のＸ値と最適記録パワーとの関係およびＸ値と Ｃ／
Ｎ比との関係を示す線図、第１０図はこの発明の実施例
に係る（Ｓ＋０．３＞ １−（Ａｌ）ｙ保護層のｙ値と
屈折率との関係およびｙ値と減衰係数にとの関係を示す
線図、第１１図は媒体層が非晶質であるときの媒体層厚
さと光吸収率との関係を示す線図、第１２図は媒体層が
結晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率との関係を示
す線図、第１３図は保護層材料をパラメータとする、情
報記録時におけるレーザ照射領域を示す線図、第１４図
は保護層材料をパラメータとする、情報消去時における
、レーザ照射領域を示す線図、第１５図はこの発明の実
施例に係る（ＳＩＯｌ、３） １−ｙ（Ａ１） 、保護
層のｙ値と最適記録パワーとの関係およびｙ値と Ｃ／
Ｎ比との関係を示す線図、第１６図はこの発明の実施例
に係る（ＳＩＯｌ、 ｓ＞（Ｔｉ）、保護層のｙ値と屈
折率との関係およびｙ値と減衰係数にとの関係を示す線
図、第１７図は媒体層が非晶質であるときの媒体層厚さ
と光吸収率との関係を示す線図、第１８図は媒体層が結
晶質゛であるときの媒体層厚さと光吸収率との関係を示
す線図、第１９図は保護層材料をパラメータとする、情
報記録時における、レーデ照射領域を示す線図、第２０
図は保護層材料をパラメータとする、情報消去時におけ
る、レーザ照射領域を示す線図、第２１図はこの発明の
実施例に係る（ＳＩＯｌ、 ３） ＋−ｙ（Ｔ＋）ｙ保
護層のｙ値と最適記録パワーとの関係およびｙ値とＣ／
Ｎ比との関係を示す線図、第２２図はこの発明の実施例
に係る（ＳＩＯｌ、ｓ） ＋−ｙ（Ｐｔ）ｙ保護層のｙ
値と屈折率との関係およびｙ値と減衰係数にとの関係を
示す線図、第２３図は媒体層が非晶質であるときの媒体
層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第２４図は媒体
層が結晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率との関係
を示す線図、第２５図は保護層材料をパラメータとする
、情報記録時における、レーザ照射領域を示す線図、第
２６図は保護層材料をパラメータとする、情報消去時に
おける、レーザ照射領域を示す線図、第２７図はこの発
明の実施例に係る（ｓｉｏｌ、 ｓ） Ｉ−、（ｐｔ）
ｙ保護層のｙ値と最適記録パワーとの関係およびｙ値
と Ｃ／Ｎ比との関係を示す線図、第２８図はこの発明
の実施例に係る（ＳＩＯｌ、３）＋−ｙ（Ｃｒ）ｙ保護
層のｙ値と屈折率との関係およびｙ値と減衰係数にとの
関係を示す線図、第２９図は媒体層が非晶質であるとき
の媒体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第３０図
は媒体層が結晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率と
の関係を示す線図、第３１図は保護層材料をパラメータ
とする、情報記録時における、レーザ照射領域を示す線
図、第３２図は保護層材料をパラメータとする、情報消
去時における、レーザ照射領域を示す線図、第３３図は
この発明の実施例に係る（ＳｉＯｌ−３） ＋−ｙ（ｃ
ｒ）ｙ保護層のｙ値と最適記録パワーとの関係およびｙ
値とＣ／Ｎ比との関係を示す線図、第３４図はこの発明
の実施例に係る（ＳｉＯ３，３） １−（Ｆｅ） 、保
護層のｙ値と屈折率との関係ふよびｙ値と減衰係数にと
の関係を示す線図、第３５図は媒体層が非晶質であると
きの媒体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第３６
図は媒体層が結晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率
との関係を示す線図、第３７図は保護層材料をパラメー
タとする、情報記録時における、レーザ照射領域を示す
線図、第３８図は保護層材料をパラメータとする、情報
消去時における、レーザ照射領域を示す線図、第３９図
はこの発明の実施例に係る（ＳｉＯｌ、 ａ） ＋−ｙ
（Ｆｅ） ｙ保護層のｙ値と最適記録パワーとの関係お
よびｙ値とＣ／Ｎ比との関係を示す線図、第４０図はこ
の発明の実施例に係る（Ｓ＋０＋−ｓ） １−ｙ（Ｎｄ
）−保護層のｙ値と屈折率との関係およびｙ値と減衰係
数にとの関係を示す線図、第４１図は媒体層が非晶質で
あるときの媒体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、
第４２図は媒体層が結晶質であるときの媒体層厚さと光
吸収率との関係を示す線図、第４３図は保護層材料をパ
ラメータとする、情報記録時にふける、レーザ照射領域
を示す線図、第４４図は保護層材料をパラメータとする
、情報消去時における、レーザ照射領域を示す線図、第
４５図はこの発明の実施例に係る（ＳｉＯｌ、 ３）
＋−ｙ（Ｎｄ）ｙ保護層のｙ値と最適記録パワーとの関
係右よびｙ値と Ｃ／Ｎ比との関係を示す線図、第４６
図はこの発明の実施例に係る（ＳｉＯｌ、 ３） Ｉ−
ｙ （Ｓｍ） ｙ保護層のｙ値と屈折率との関係および
ｙ値と減衰係数にとの関係を示す線図、第４７図は媒体
層が非晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率との関係
を示す線図、第４８図は媒体層が結晶質であるときの媒
体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第４９図は保
護層材料をパラメータとする、情報記録時における、レ
ーザ照射領域を示す線図、第５０図は保護層材料をパラ
メータとする、情報消去時における、レーザ照射領域を
示す線図、第５１図はこの発明の実施例に係る（ＳｉＯ
ｌ、 ３） ＋−ｙ（ｓｍ）ｙ保護層０） ｙ 値ト最
適記録パワーとの関係およびｙ値と Ｃ／Ｎ比との関係
を示す線図、第５２図はこの発明の実施例に係る（Ｓｉ
０１−３）（Ｄｙ） ｙ保護層のｙ値と屈折率との関係
およびｙ値と減衰係数にとの関係を示す線図、第５３図
は媒体層が非晶質であるときの媒体層厚さと光吸収率と
の関係を示す線図、第５４図は媒体層が結晶質であると
きの媒体層厚さと光吸収率との関係を示す線図、第５５
図は保護層材料をパラメータとする、情報記録時にふけ
る、レーザ照射領域を示す線図、第５６図は保護層材料
をパラメータとする、情報消去時における、レーザ照射
領域を示す線図、第５７図はこの発明の実施例に係る（
ＳｉＯｌ、 ３） ＋−ｙ（ＤｙＬ保護保護ｙ値と最適
記録パワーとの関係およびｙ値とＣ／Ｎ比との関係を示
す線図である。 ２１ 基板、２２ 第１の保護層、２３ 媒体層
、２４第 図 媒体層厚さ（ｎｍ） 第４区 媒体層厚さ（ｎｍ） 第５図 ２ ４ ６ Ｂ ＋０１２４４１６（ＳｉＯｘ）１
−ｙ（Ｃｕ）ｙｌ−おけるｙ値（ＸＩＯ−２）第 区 （ＳｉＯｘ）ｏ、５ｓ（Ｃｕ）ｏ、ｏ５にお１１６ｘ値
第 図 パルス’ｌ （Ｐｓ） 第６図 パルス幅（ｐｓ） 第７図 Ｃ／Ｎ （ＳｉＯ＋、３）＋−ｙ（Ｃｕ）ｙｌ：おけるｙ値（Ｘ
ＩＯ−”）（ＳｉＯｘ）ｌ、：２１ける×値 第９Σ 媒体層厚さ（ｎｍ） 媒体層厚さ（ｎｍ） 第１２区 （ＳｉＯｔ３）＋−ｙ（ＡＩ）ｙＣおけるｙ値（ＸＩＯ
−”）図 ０．１ パルス幅（Ｐｓ） 第１３図 ０．１ パルス幅（ｐｓ） 第 図 叩ミ優 肩焼き源 ０．１１ パルス幅（ｐｓ） 第１９区 ０．１１ パルス幅（μＳ） 第２０図 媒体層厚さ（ｎｍ） 第１７区 媒体層厚さ（ｎｍ） 第１８図 叩ミ脣 １１１柩込頗 媒体層厚さ（ｎｍ） 媒体層厚さ（ｎｍ） ［Ｅｆｌミ優 宥愼謎姫 ０．１ パルス幅（Ｐｓ） 第２５ パルス幅（μＳ） 第２６ 媒体層厚さ（ｎｍ） 第 媒体層厚さ（ｎｍ） 第 ０．１ パルス幅（ｐｓ） 第３１Σ ０．１ パルス幅（μＳ） 第 Σ 媒体層厚さ（ｎｍ） 第３５図 媒体層厚さ（ｎｍ） 第 区 回！ｉ！ｉｉ：箸 箕愼き頗 パルス幅（μＳ） ＠蕎簀 ５１１Ｉｆ愼き鋭 パルスＳＣμｓ） 第４３ 図 ０．１１ パルス幅（μＳ） 第４４図 媒体層厚さ（ｎｍ） 圓蕎簀 責愼き源 媒体層厚さ（ｎｍ） 媒体層厚さ（ｎｍ） 第 図 四蕎井 雪１帽ミ脳 パルス幅（μＳ） 第４９図 パルス幅（μＳ） 第 図 媒体層厚さ（ｎｍ） 媒体層厚さ（ｎｍ） 第 区 パルス幅（ｐｓ） 第 Σ パルス幅（μＳ） 第 図 Ｃ／Ｎ （ＳｉＯ＋、３）＋−ｙ（Ｄｙ）ｙｌ：おけるｙ値（Ｘ
ＩＯ−２）第 図
Claims (1)
- １）基板上に第１の保護層、媒体層、第２の保護層およ
び表面保護層を順次形成し、前記媒体層へレーザ光を照
射してその相変化により情報の記録、再生および消去を
行う光記録媒体において、ＺをＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｐｔ
、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｄｙのうちのいずれか１つ
としたときに一般式（ＳｉＯ＿ｘ）＿１＿−＿ｙ（Ｚ）
＿ｙで表される組成のセラミックスからなる第１および
第２の保護層を備えることを特徴とする光記録媒体。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-170110 | 1988-07-08 | ||
| JP17011088 | 1988-07-08 | ||
| JP63-287288 | 1988-11-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02223033A true JPH02223033A (ja) | 1990-09-05 |
Family
ID=15898826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1089053A Pending JPH02223033A (ja) | 1988-07-08 | 1989-04-07 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02223033A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04126327U (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-18 | 尚人 波多野 | セラミツクｃｄ |
| EP1571658A2 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-07 | NEC Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
-
1989
- 1989-04-07 JP JP1089053A patent/JPH02223033A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04126327U (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-18 | 尚人 波多野 | セラミツクｃｄ |
| EP1571658A2 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-07 | NEC Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
| EP1571658A3 (en) * | 2004-03-03 | 2005-11-16 | NEC Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
| US7494700B2 (en) | 2004-03-03 | 2009-02-24 | Nec Corporation | Optical information recording medium and method of manufacturing the same |
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