JPH02220811A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置の製造方法に間し、特に、半導体
基板をダイシングブレードによって個々の半導体チップ
に切断する工程を含む半導体装置の製造方法に間する。

［従来の技術］ 所定の半導体装置を製造する前工程として、半導体基板
にＰＮ接合部を形成した後、所定の大きさに分割して半
導体チップを得る工程がある。この個々の半導体チップ
に分割する方法としては、種々の方法があるが、代表的
な方法として第３図および第４図に示す方法がある。な
お、これらの図に示す分割方法は、ダイオードチップに
ついて分割する方法であるが、サイリスタ等の他の素子
チップにおいても同様な方法が実施されている。

図において、半導体基板１内にＰＮ接合部２を形成後、
図示の上面にアノード電極金属層３、下面にカソード電
極金属層４を形成する。上記のアノード電極金属層３と
しては、Ｔｉ−Ｎｉ−Ａｕ。

Ｎｉ−Ａ１等の金属が使用され、カソード電極金属層４
としてはＮｉ−Ａｕ、Ｃｒ−Ａｇ、Ｔｉ　−Ｎｉ−Ａｕ
等の金属が使用されている。

上記の７ノ一ド電極金属層３及びカソード電極金属層４
を形成後、第３図に“示すように、カソード電極金属層
４側に糊付テープ５を貼付ける。

次に、図示しないダイシングブレードを回転させて、あ
らかじめ定められた所定の位置に切断溝６を付ける。こ
の切断溝６の深さは、半導体基板ｌの厚さのほぼ１７３
程度とし、その後、糊付テープ５とともに湾曲させて切
断溝６の部分から破断させる。この時の破断面７は、第
３図の点線で示すように、半導体基板１の結晶軸に沿っ
て割れ、一般に傾斜して割れる場合が多い。

第４図は他の分割方法を示し、この分割方法では、半導
体基板ｌに糊付テープ５を貼付後、ダイシングブレード
によって半導体基板１の裏面まて完全に切断するように
している。

［発明が解決しようとする課題］ 第３図に示した従来の半導体基板の分割方法では、破断
面７が一般に傾斜してしまうため、半導体チップの上面
の中心と下面の中心がずれてしまい、半導体チップを次
工程で他の部材に位置決め固着するのに、確実に中心が
決められない。これは半導体チップの寸法が小さくなれ
ばなるほど、その影響は大きくなる。また、第４図に示
した従来の半導体基板の分割方法では、上記の欠点を除
くため、ダイシングブレードで半導体基板の裏面まて完
全に切断するようにしている。この切断方法は寸法的に
は所定の大きさに分割可能であるが、新たに別の問題が
発生する。すなわち、この方法ではダイシングブレード
を高速で回転させ、半導体基板１の上面から下面に向か
って進行させて切断する際に、裏面側となるカソード電
極金属層４の切断溝６の下端周縁部において、カソード
電極金属層４を形成する金属が半導体基板ｌから剥離し
てしまう。

第５図は、この様子を示す半導体チップ８の平面図であ
り、その周縁部４ａの部分が剥離し、中心部の斜線を付
した部分のみが電極金属部となる。

このような場合、半導体チップ８のサイズが大きい場合
には、面積比に換算して電極金属部の方が剥離した部分
よりも大きいので、さほど影響が少ないが、半導体チッ
プ８のサイズが小さくなってくると、剥離した部分の面
積が相対的に広くなってくるので、その影響が大きい。

すなわち、この電極金属部を他の部材に半田固着させる
ため、その面積が狭くなると、接着強度に影響してくる
。

そこで、上記の対応策として半導体基板１の表面をサン
ドブラスト処理して凹凸面を形成し、電極金属の付着力
を増加させる方法も採られているが、未だ充分とはいえ
なかった。

［発明の目的］ 本発明は、上記のような課題を解決するためになされた
もので、半導体基板をダイシングブレードを用いて切断
した場合に、個々の半導体チップ周縁部の電極金属に剥
離部分を殆ど生じさせない半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明−の半導体装置の製造方法は、両主面を有する半
導体基板の一方の主面からダイシングブレードによって
他方の主面まて完全に切断して半導体チップを得る工程
を有する半導体装置の製造装置において、前記半導体基
板の少なくとも他方の主面に多層金属層を形成し、この
多層金属層のうち、前記半導体基板と接する第１層の金
属層を軟質金属層として、前記ダイシングブレードによ
って半導体基板を半導体チップに切断する工程を含むよ
うにしたものである。

［作用］ 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の他方の
主面側に多層金属層を形成し、この多層金属層のうち、
半導体基板と接する第１層の金属層をアルミニューム金
属層等の軟質金属層としたので、ダイシングブレードを
用いて個々の半導体チップに切断した場合に生じる機械
的ストレスを上記の軟質金属層である第１層で吸収する
ことができる。そのため、個々の半導体チップの周縁部
に剥離部分を殆ど形成しなくなる。

［実施例］ 以下に、本発明の一実施例を図を参照して説明する。

第１図において、半導体基板ｌ内には、従来と同様にＰ
Ｎ接合部２が形成ぐれ、一方の主面側にはアノード電極
金属層３が形成される。そして、半導体基板１の他方の
主面側、図示の下面にはカソード電極金属層４０が形成
される。この方ソード電極金属層４０を本発明では次の
ような構成とする。

すなわち、従来の電極金属層は、いずれも第１層の金属
が硬質のものであったため、ダイシングブレードを用い
て切断した場合に、ダイシングブレードの押圧、振動等
の機械的ストレスが半導体基板と電極金属との境界に作
用し、剥離を生じさせていたと考えられる。

そこで、本発明では、第１層４１を軟質金属で形成する
ようにした。この実施例では第１層４１をＡ１層とし、
その上の第２層４２はＮｉ層とし、さらにその上の第３
層４３は、Ａｕ層とした。そして、この第３層４３側を
糊付テープ５側に張付け、ダイシングブレードを用いて
個々の半導体チップに切断した。

第２図は、個々に切断した上記半導体チップ８０１つを
示す平面図である。この図からも明らかなように、本発
明の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップ８の
周縁部４ａに殆ど剥離部分が見られず、斜線を施したカ
ソード電極金属層４０面積を広くとることができる。こ
れは、カソード電極金属層４の第１層４１をＡ１層等の
軟質金属で形成したので、この第１層４１によりダイシ
ングブレードによる機械的ストレスを吸収することがで
き、半導体基板１とカソード電極金属層４との境界への
機械的作用力の影響を減少させることができるためと考
えられる。

なお、上記の実施例ではカソード電極金属層４の第１層
をＡ１層としたが、勿論、金、銀、それらの合金等、種
々の軟質金属を使用することができる。

［発明の効果］ 本発明は、以上のように半導体基板の他方の主面側に形
成される電極金属層として、その第１層が軟質金属によ
り形成されるようにしたので、ダイシングブレードを用
いて個々の半導体チップに切断する際に、上記第１層で
ダイシングブレードによる機械的ストレスを吸収するこ
とができる。

したがって、切断された半導体チップの周縁部には殆ど
剥離部分が形成されず、中央の電極金属部分の面積を大
きくとることができる。その結果、半導体チップを他の
部材に半田固着させる場合に、接着面積の不足による接
着強度不足等を招来させることがなく、最終的に収率の
良い半導体装置を製造することができる等の優れた効果
がある。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の半導体装置の製造方法を説明するため
の半導体基板の断面図、第２図は上記本発明方法により
得られた個々の半導体チップの１つを示す平面図、第３
図及び第４図は従来の半導体装置の製造方法を説明する
ための半導体基板の断面図、第５図は上記従来の製造方
法によって得られた個々の半導体チップの１つを示す平
面図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 両主面を有する半導体基板の一方の主面からダイシング
   ブレードによって他方の主面まて完全に切断して半導体
   チップを得る工程を有する半導体装置の製造装置におい
   て、前記半導体基板の少なくとも他方の主面に多層金属
   層を形成し、この多層金属層のうち、前記半導体基板と
   接する第１層の金属層を軟質金属層として、前記ダイシ
   ングブレードによって半導体基板を半導体チップに切断
   する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
   。