JPH02216842A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
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- JPH02216842A JPH02216842A JP1036199A JP3619989A JPH02216842A JP H02216842 A JPH02216842 A JP H02216842A JP 1036199 A JP1036199 A JP 1036199A JP 3619989 A JP3619989 A JP 3619989A JP H02216842 A JPH02216842 A JP H02216842A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法、特にテープキャリア方
式による半導体装置組立技術に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, and particularly to a semiconductor device assembly technique using a tape carrier method.
微細化され多極化された半導体装置の電極に外部導出の
ためのリードを能率よく精度よく接続（ボンディング）
する技術として最近、テープ（フィルム）キャリア方式
によるボンディング法が多く採用されている。Efficiently and accurately connect leads for external extraction to the electrodes of miniaturized and multipolar semiconductor devices (bonding)
Recently, a bonding method using a tape (film) carrier method has been widely adopted.
このテープ・キャリア方式によるボンディング技術は、
■工業調査会１９８５年９月発行「電子材料」５３ｐ〜
５５ｐに記載されている。This tape carrier method bonding technology is
■Industrial Research Institute September 1985 issue of “Electronic Materials” 53 pages ~
It is described on page 55.
同技術によれは、第１図を参照し、柔軟性のテープ（フ
ィルム）４にＣｕなどの金８１１４によるりｒドパター
ンを形成してそのインナーリード３を半導体素子２の電
極、Ａｕバ／グ電極６上に対向させ、上方よりボンディ
ングツール１を使用してインナーリード３と電極６を同
時に熱圧着することによりボンディングを行っている。According to the same technique, referring to FIG. 1, a solder pattern is formed on a flexible tape (film) 4 using gold 8114 such as Cu, and the inner leads 3 are connected to the electrodes of the semiconductor element 2, an Au band/ Bonding is performed by simultaneously thermocompressing the inner lead 3 and the electrode 6 from above using the bonding tool 1 while facing each other on the contact electrode 6 .
上記インナーリード３は第２図を参照し、ＣｕＲ材７の
表面に予めＳｎ （スズ）めつき８を施し℃あり、Ｓｎ
がＡｕバンプ６に接触した状態で加熱されたツール１で
Ｓｎを浴かして半田のような形で両者を接合するもので
ある。Referring to FIG. 2, the inner lead 3 is formed by applying Sn (tin) plating 8 on the surface of the CuR material 7 in advance to
is in contact with the Au bump 6 and is bathed in Sn using the heated tool 1 to join them together in a manner similar to solder.
上記従来技術によれは、加熱されたツール１にインナー
リード３が接触することにより、リード表面にメツキさ
れたＳｎ８か解けてツールのボンディング面に付着し、
これが次第に厚さを増すために、ボンディング時の熱伝
導かわるくなるととモニ、ツールのボンディング面と半
導体ベレット上のＡｕバングとの平行度がわるくすって
、ボンディング性が低下し、リード剥れなどの不良が発
生し易くなる。According to the above-mentioned prior art, when the inner lead 3 comes into contact with the heated tool 1, the Sn8 plated on the lead surface melts and adheres to the bonding surface of the tool.
As the thickness gradually increases, heat conduction during bonding may deteriorate, and the parallelism between the bonding surface of the tool and the Au bang on the semiconductor pellet becomes poor, resulting in poor bonding performance and lead peeling. defects are more likely to occur.
一方、インナーリード３の側も第３図に示すようにツー
ル１に接着しツール１の上昇時にツールに付いてインナ
ーリードか曲がる。また、リードの表面にＣｕとＳｎの
合金層９が生成され、リード部にクラック１０か入り℃
信頼度試験で断縁事故を生じる。On the other hand, the inner lead 3 side is also bonded to the tool 1 as shown in FIG. 3, and when the tool 1 is raised, the inner lead is attached to the tool and bent. In addition, an alloy layer 9 of Cu and Sn is formed on the surface of the lead, and cracks 10 occur in the lead part.
A disconnection accident occurs during a reliability test.
本発明は上記したａ！題を解決するためになされたもの
であって、その目的とするところは、インナーリードか
ツールに付着しないよ５ＫＬ、また。The present invention is based on the above a! This was done to solve the problem, and its purpose was to prevent the inner lead from sticking to the tool.
ＣｕとＳｎの合金層の生成を阻止するポンディング技術
を提供するものである。The present invention provides a bonding technique that prevents the formation of an alloy layer of Cu and Sn.
上記目的は本発明では、ギヤリアテープ上のインナーリ
ードの少なくともボンディングツールと当接する部分に
はＳｎメツキを施さないことにより達成できる。すなわ
ち、ツールと当接する部分をさけて他の部分のみにＳｎ
メツキを流すものである６
〔作 用〕
インナーリードのツールに当たる部分にＳｎメツキか施
されていないことにより、ボンディング時にリードから
のＳｎのツールへの付着かす（。In the present invention, the above object can be achieved by not applying Sn plating to at least the portion of the inner lead on the gear rear tape that contacts the bonding tool. In other words, avoid the part that comes into contact with the tool, and apply Sn only to other parts.
6 [Function] Because Sn plating is not applied to the part of the inner lead that touches the tool, Sn particles from the lead adhere to the tool during bonding.
ツールの而か常にクリーンであり、熱伝・外性か損われ
ることす（、更にリード部りも発生することなく、ポン
１４フフ歩留りか向上し信頼性か得られる。The tool is always clean, heat transfer and external properties are not affected (furthermore, lead parts do not occur, the yield rate is improved and reliability is achieved).
以下実施例について図面を参照し説明する。 Examples will be described below with reference to the drawings.
前述したように、第１図にはＴＡＢ（テープキャリア・
オートメイト・ボンディング）の形態が示される。As mentioned above, Figure 1 shows the TAB (tape carrier).
Automate bonding) is shown.
ステージ５上に千尋体ベレット２を真空吸引により固定
する。Ａｕバング６とインナーリード３を位置合せし、
加熱しなからツールｌを加圧してＡ ｔ！ ／ Ｓ ＋
１共晶により接合する。The Chihiro body pellet 2 is fixed on the stage 5 by vacuum suction. Align the Au bang 6 and inner lead 3,
Pressure the tool l without heating it! / S +
1. Joined by eutectic.
第２図は従来のフィルムキャリアテープを使用したイン
ナーリードボンディング部の横断面図を示す Ｓｎメツ
キ８かリードの全面に施されてツールに付着する。FIG. 2 shows a cross-sectional view of an inner lead bonding part using a conventional film carrier tape.Sn plating 8 is applied to the entire surface of the lead and attached to the tool.
第３図はツール１を上昇させたときの形態をインナーリ
ード部縦ｌｆｒ面で示す。インナーリードはツールに付
着したために同時に持ち上げられて曲かりを生じ、一部
にクラック１０か生じる。FIG. 3 shows the vertical lfr plane of the inner lead portion when the tool 1 is raised. Since the inner lead adheres to the tool, it is simultaneously lifted and bent, causing cracks 10 in some parts.
第４図は本発明によるフィルムキャリアテープを使用し
たインナーリードボンディング部の横断面を示している
。インナーリード３のツールに接触する面にはＳｎメツ
キが存在セす、そ７Ｌ以外の面のみにｓｎメツキ８か施
しである。Ｃｕ’）−ドアの厚さは３５μｍ、Ｓｎメツ
キ８の厚さは０．５μｍであり、この程度の厚さであれ
は、Ｓｎの一部が静けてＡｕバンプ６との間に充分な債
の共晶合金１６乞形成する。FIG. 4 shows a cross section of an inner lead bonding section using the film carrier tape according to the present invention. There is Sn plating on the surface of the inner lead 3 that comes into contact with the tool, and Sn plating 8 is applied only to the surface other than that 7L. The thickness of the Cu')-door is 35 μm, and the thickness of the Sn plating 8 is 0.5 μm.With this thickness, a portion of the Sn remains still and there is sufficient space between the Sn plating 8 and the Au bump 6. A eutectic alloy of 16 types is formed.
ツールに接する面にＳｎメツキか存在しないことにより
、ボンディング完了してツールを上昇させる際に、第５
図のインナーリード・ボンディング縦断面図に示される
ように、ツール１に対してインナーリード３は接着して
持ち上ることかγ【いσノで、曲かりを生じるようなこ
とはない。Due to the absence of Sn plating on the surface in contact with the tool, when the tool is raised after bonding is completed, the fifth
As shown in the vertical cross-sectional view of the inner lead bonding shown in the figure, the inner lead 3 is bonded to the tool 1 and lifted up, so that it does not bend due to γ or σ.
第６図は本発明の別なフィルムキャリアテープを使用し
た例で、インナーリードボンディング部の横断面を示し
又あり、Ｓｎメツキ８かＡｕバング６と接触する面にの
み施されである。FIG. 6 shows an example in which another film carrier tape of the present invention is used, and shows a cross section of the inner lead bonding part, in which the Sn plating 8 or the Au bang 6 is applied only to the surface thereof.
このようなフィルムキャリアテープであれは、ツール１
にインナーリード３か付くことはなくなり、インナーリ
ードの変形かなくなる。またＳｎメツキかツールに付着
しないので多数回のボンディングを経た後でも、ボンデ
ィング部への熱伝導が良好に維持される。ツール面の平
坦度も変わらなくなり、リード剥れの発生が少な（なる
。For film carrier tape like this, use tool 1.
The inner lead 3 will no longer stick to the inner lead, and the inner lead will no longer be deformed. Furthermore, since the Sn plating does not adhere to the tool, good heat conduction to the bonding area is maintained even after bonding is performed many times. The flatness of the tool surface remains unchanged, and the occurrence of lead peeling is reduced.
ま次、ＣｕとＳｎの合金が生じることす＜、リード変形
によるリードクラックがなくなり、製品の信頼性が保て
る。Second, since an alloy of Cu and Sn is formed, lead cracks due to lead deformation are eliminated, and product reliability can be maintained.
本発明は以上説明し九ように構成されているので、下記
のよ５ ｒｘ効果を奏する。Since the present invention is configured as described above, it produces the following RX effects.
加熱され几ツールにＳｎメクキの付着がなくなることに
より、ボンディング部への熱伝導が良くなる。By eliminating the adhesion of Sn plating to the heated tool, heat conduction to the bonding part is improved.
ツール面の平坦度が低下しない。The flatness of the tool surface does not deteriorate.
インナーリードの変形がなくなる。No more deformation of the inner lead.
ツールと接触しないインナーリード面にはＣｕとＳｎの
合金１ができない。Alloy 1 of Cu and Sn is formed on the inner lead surface that does not come into contact with the tool.
第１図はＴＡＢのインナーリードボンディングの状態を
示す一部断面正面図である。
第２図は従来のインナーリードのボンディング部横断面
を示すｇｓ面図である。
第３図は同じく縦断面を示す一部正面図である。
第４図は不発明の一実施例のインナーリードのボンディ
ング部横断面を示す側面図である。
第５図は同じく縦断面を示す一部正面図である。
第６図は本発明の他の一笑施例のインナーリードのボン
ディング部の横断面を示す一部正面図である。
ｌ・・・ボンディングツール、２・・・半導体ペレット
。
３・・・インナーリード、４・・・サポートリング（テ
ープ）、５・・・ステージ、６・・・Ａｕバング、７・
・・Ｃｕ（リード）、８−・・Ｓｎメ２キ、’ｌ”Ａｕ
／Ｓｎ共燕、１０・・・クラック。
第 １ 図
第４図
第 ２ 図 （従来グ・１）
第 ６ 図
第３図FIG. 1 is a partially sectional front view showing the state of TAB inner lead bonding. FIG. 2 is a gs sectional view showing a cross section of a bonding portion of a conventional inner lead. FIG. 3 is a partial front view showing a vertical cross section. FIG. 4 is a side view showing a cross section of a bonding portion of an inner lead according to an embodiment of the invention. FIG. 5 is a partial front view showing a vertical section. FIG. 6 is a partial front view showing a cross section of a bonding portion of an inner lead according to another embodiment of the present invention. l...Bonding tool, 2...Semiconductor pellet. 3... Inner lead, 4... Support ring (tape), 5... Stage, 6... Au bang, 7...
・・Cu (lead), 8-・・Sn Me 2ki, 'l”Au
/Sn co-tsubame, 10...crack. Figure 1 Figure 4 Figure 2 (Conventional Group 1) Figure 6 Figure 3
Claims (1)
の膜状リードパターンに対して半導体素子の電極を対向
させてボンディングツールによる熱圧着接続を行うにあ
たって、上記膜状リードの表面には、少なくとも熱圧着
時のボンディングツールと当接するインナーリードの一
部を除いて予め低融点金属が被着されていることを特徴
とする半導体装置の製造方法。 ２、上記低融点金属はスズめつきを施したものであり、
ボンディングツールに当接するインナーリード部分は予
めめつきが付着しないようにマスク材を付着する請求項
１に記載の半導体装置の製造方法。[Claims] 1. When a ring-shaped lead pattern is arranged on a flexible tape and the electrodes of a semiconductor element are opposed to this film-like lead pattern to perform thermocompression bonding using a bonding tool, the above-mentioned film-like lead A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that a low melting point metal is previously deposited on the surface of the inner lead except for at least a part of the inner lead that comes into contact with a bonding tool during thermocompression bonding. 2. The above low melting point metal is tin-plated,
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein a masking material is applied in advance to the inner lead portions that come into contact with the bonding tool to prevent adhesion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036199A JPH02216842A (en) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1036199A JPH02216842A (en) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02216842A true JPH02216842A (en) | 1990-08-29 |
Family
ID=12463063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1036199A Pending JPH02216842A (en) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02216842A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518649B1 (en) * | 1999-12-20 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tape carrier type semiconductor device with gold/gold bonding of leads to bumps |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1036199A patent/JPH02216842A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518649B1 (en) * | 1999-12-20 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Tape carrier type semiconductor device with gold/gold bonding of leads to bumps |
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