JP3380058B2 - Bump transfer frame - Google Patents
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- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、フリップチップ方式又
はフィルムキャリア方式による半導体装置の組立てにお
いて、半導体装置の電極形成部あるいは、フィルムキャ
リアのリード部へバンプを転写するための、バンプ転写
用フレームの構造に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bump transfer frame for transferring a bump to an electrode forming portion of a semiconductor device or a lead portion of a film carrier in assembling a semiconductor device by a flip chip method or a film carrier method. Is related to the structure of.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、フリップチップ方式あるいは
フィルムキャリア方式による半導体装置の組立てでは、
ガラスなどの基板上に形成されたバンプを半導体チップ
あるいはフィルムキャリア基板のリード部に加熱圧着し
て転写する方法が行われている。2. Description of the Related Art Conventionally, in the assembly of a semiconductor device by a flip chip system or a film carrier system,
A method is used in which bumps formed on a substrate such as glass are transferred to a semiconductor chip or a lead portion of a film carrier substrate by thermocompression bonding.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
基板上に形成されたバンプを半導体チップあるいはフィ
ルムキャリア基板のリード部に転写するときは、バンプ
が形成されたバンプ転写用基板を半導体チップあるいは
フィルムキャリア基板のリード部に加熱圧着して前記リ
ード部に複数個のバンプを付着させ、そのバンプを残し
たままバンプ転写用基板を引き剥がすことにより、バン
プを転写するようにしている。By the way, when transferring a bump formed on such a substrate to a lead portion of a semiconductor chip or a film carrier substrate, the bump transfer substrate on which the bump is formed is transferred to the semiconductor chip or The bumps are transferred by thermocompression-bonding the lead parts of the film carrier substrate to attach a plurality of bumps to the lead parts and peeling off the bump transfer substrate while leaving the bumps.
【０００４】しかしながら、前述のようにバンプを転写
するために加熱圧着するとき、加熱によりバンプ転写用
基板のバンプへの接着力が増大し、バンプ転写用基板を
引き剥がすと転写用バンプもバンプ転写用基板に接着し
たまま引き剥がされて転写不良が生じてしまう、という
問題がある。また、このような事態を避けるために予め
バンプ転写用基板のバンプに対する接着力を弱くしてお
く方法が取られることがあるが、この方法では転写工程
前にバンプ転写用基板からバンプが脱落してしまう、と
いう問題がある。また、この転写工程前の脱落を防ぐた
めに、特開平５−３１５４０７号は、図６に示すよう
に、電気絶縁フィルム３５内に転写用バンプ３１を形成
する構造を提案しているが、このような構成によって
も、転写用バンプとバンプ転写用基板との接着力を本質
的に制御することはできず、転写工程前の転写用バンプ
脱落の防止と良好な転写性の確保とを共に満たすことは
困難であるという問題がある。However, as described above, when heat-pressing is performed to transfer the bumps, the adhesive force of the bump transfer substrate to the bumps increases due to heating, and when the bump transfer substrate is peeled off, the transfer bumps also transfer the bumps. There is a problem that transfer failure occurs due to peeling off while being adhered to the substrate. In order to avoid such a situation, a method of weakening the adhesive force of the bump transfer substrate to the bumps in advance may be taken.However, in this method, the bumps fall off from the bump transfer substrate before the transfer process. There is a problem that it ends up. Further, in order to prevent the falling off before the transfer step, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-315407 proposes a structure in which transfer bumps 31 are formed in the electric insulating film 35 as shown in FIG. Even with such a configuration, the adhesive force between the transfer bump and the bump transfer substrate cannot be essentially controlled, and it is necessary to both prevent the transfer bump from falling off and secure good transferability before the transfer process. Has the problem of being difficult.
【０００５】本発明はこのような従来技術の問題点に着
目してなされたもので、転写工程前の転写バンプの脱落
を防止できると共に、転写工程時の転写不良の発生を防
止して良好な転写性を確保できる、バンプ転写用フレー
ムを提供することを目的とする。The present invention has been made by paying attention to the problems of the prior art as described above, and it is possible to prevent the transfer bumps from falling off before the transfer process and prevent the occurrence of transfer defects during the transfer process, which is preferable. It is an object of the present invention to provide a bump transfer frame capable of ensuring transferability.
【０００６】[0006]
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係るバンプ転写
用フレームは、フレーム基板と、その上に積層された熱
可塑性樹脂層と、その上に積層された熱硬化性樹脂層
と、その上に接着された転写用バンプとから構成されて
いる。A bump transfer frame according to the present invention includes a frame substrate, a thermoplastic resin layer laminated thereon, a thermosetting resin layer laminated thereon, and a thermoplastic resin layer laminated thereon. And a transfer bump adhered to the.
【０００８】また、前記熱可塑性樹脂層と熱硬化性樹脂
層とは同じ系の樹脂により形成されることが望ましい。 Further, it is desirable that the pre Kinetsu thermoplastic resin layer and the thermosetting resin layer is formed of a resin of the same system.
【０００９】[0009]
【００１０】[0010]
【作用】本発明に係るバンプ転写用フレームでは、転写
用バンプが接着された熱硬化性樹脂層とフレーム基板と
の間に熱可塑性樹脂層が積層されているので、この熱可
塑性樹脂層がフレーム基板と熱硬化性樹脂層との双方を
十分に接着する。したがって、転写後のフレーム基板の
引き剥がし工程において、バンプと熱硬化性樹脂層が接
着したままフレーム基板だけが剥離されることが防止さ
れる。また、フレーム基板が含まれているので、バンプ
と熱可塑性樹脂層だけで構成される場合に比べてバンプ
転写用フレーム全体のハンドリングが容易になる。特
に、バンプ転写用フレームにフレーム基板を含めること
により、半導体チップをこのフレームに圧着させてパッ
ケージを形成すること、つまりこのフレーム基板を半導
体チップのパッケージの形成面として利用することが可
能になる。In the bump transfer frame according to the present invention, since the thermoplastic resin layer is laminated between the thermosetting resin layer to which the transfer bump is adhered and the frame substrate, this thermoplastic resin layer is used as the frame. Adhere both the substrate and the thermosetting resin layer sufficiently. Therefore, in the peeling process of the frame substrate after the transfer, it is possible to prevent only the frame substrate from being peeled while the bump and the thermosetting resin layer are bonded. Further, since the frame substrate is included, the handling of the entire bump transfer frame is easier than in the case where the bump substrate and the thermoplastic resin layer are only used. In particular, by including the frame substrate in the bump transfer frame, it becomes possible to press the semiconductor chip onto the frame to form a package, that is, to use the frame substrate as a surface for forming a package of the semiconductor chip.
【００１１】また、前記熱可塑性樹脂層と熱硬化性樹脂
層とは同じ系の樹脂により形成することにより、前記熱
可塑性樹脂層の熱硬化性樹脂層に対する接着力がより向
上されるようになる。Further , by forming the thermoplastic resin layer and the thermosetting resin layer from the same resin, the adhesive force of the thermoplastic resin layer to the thermosetting resin layer can be further improved. .
【００１２】[0012]
実施例１．図１において、１は例えば銅などからなる転
写用バンプ、２は転写用バンプ１が接着されている熱硬
化性ポリイミド樹脂などからなる熱硬化性樹脂層、３は
熱可塑性ポリイミド樹脂などからなる熱可塑性樹脂層、
４は例えばステンレススチールや４２アロイなどからな
るフレーム基板である。転写用バンプ１と接触する熱硬
化性樹脂層２は、転写用バンプ１を接着する接着剤とし
て機能している。その接着力は、転写用バンプ２の裏面
の粗度などを調整することにより、様々な強さに調整が
可能である。Example 1. In FIG. 1, 1 is a transfer bump made of, for example, copper, 2 is a thermosetting resin layer made of a thermosetting polyimide resin or the like to which the transfer bump 1 is adhered, and 3 is a thermosetting resin made of a thermoplastic polyimide resin. Plastic resin layer,
Reference numeral 4 is a frame substrate made of, for example, stainless steel or 42 alloy. The thermosetting resin layer 2 that contacts the transfer bump 1 functions as an adhesive that bonds the transfer bump 1. The adhesive force can be adjusted to various strengths by adjusting the roughness of the back surface of the transfer bump 2.
【００１３】また本実施例１では、熱可塑性樹脂層３も
同様に、フレーム基板４と熱硬化性樹脂層２との双方に
対する接着剤として機能し、その接着力の調整も同様に
行うことができる。一般に熱硬化性樹脂層２とステンレ
ススチールなどから成るフレーム基板４との間では接着
力が弱いが、本実施例１では両者の間に熱硬化性樹脂層
３を介在させているので、両者はこの熱可塑性樹脂層３
により強く接着させられている。In the first embodiment, the thermoplastic resin layer 3 also functions as an adhesive for both the frame substrate 4 and the thermosetting resin layer 2, and the adhesive strength can be adjusted in the same manner. it can. Generally, the adhesive force is weak between the thermosetting resin layer 2 and the frame substrate 4 made of stainless steel or the like, but since the thermosetting resin layer 3 is interposed between the two in the first embodiment, both of them are This thermoplastic resin layer 3
Is more strongly bonded.
【００１４】また特に本実施例１では、前記熱硬化性樹
脂層２と熱可塑性樹脂層３との双方を、例えばポリイミ
ド系樹脂などの同一の系の樹脂により形成するようにし
ている。そのため、熱硬化性樹脂層２と熱可塑性樹脂層
３との間の接着力が一層向上させられている。Further, particularly in the first embodiment, both the thermosetting resin layer 2 and the thermoplastic resin layer 3 are made of the same resin such as a polyimide resin. Therefore, the adhesive force between the thermosetting resin layer 2 and the thermoplastic resin layer 3 is further improved.
【００１５】さらに、本実施例１では、ハンドリングの
容易さ等にも配慮し、通常のＬＳＩ用リードフレームと
同等の取り扱いが可能なフレーム基板４を含めてバンプ
転写用フレームを構成している。フレーム基板４の材質
は、鉄、銅、Ｎｉ、コバルト及びそれらの合金、あるい
は、ガラス材、セラミック材、高分子材などのいずれで
あっても良い。Further, in the first embodiment, in consideration of ease of handling and the like, the bump transfer frame is configured by including the frame substrate 4 which can be handled in the same manner as a normal LSI lead frame. The material of the frame substrate 4 may be any of iron, copper, Ni, cobalt and alloys thereof, glass material, ceramic material, polymer material and the like.
【００１６】また本実施例１の転写用バンプ１の材料
は、用途により適宜採用することが可能である。本実施
例で挙げた銅以外に鉛、錫、金、及びそれらの合金を用
いても良い。また、必要に応じ、転写用バンプ１の表面
にその他の金属をメッキ、あるいは堆積などしても良
い。The material of the transfer bump 1 of the first embodiment can be appropriately adopted depending on the application. In addition to copper mentioned in this embodiment, lead, tin, gold, and alloys thereof may be used. If necessary, other metal may be plated or deposited on the surface of the transfer bump 1.
【００１７】なお、以上のフレーム基板４、熱可塑性樹
脂層３、熱硬化性樹脂層２、及び転写用バンプ１の接着
は、例えばキャスティング法により、同一工程中でほぼ
一括して行うことができる。この場合には、製造コスト
低減のため、フィルムキャリア（テープキャリア）方式
で製造することが望ましい。The frame substrate 4, the thermoplastic resin layer 3, the thermosetting resin layer 2 and the transfer bump 1 can be adhered to each other almost at once in the same step by, for example, a casting method. . In this case, it is desirable to manufacture by a film carrier (tape carrier) method in order to reduce the manufacturing cost.
【００１８】ところで、前述のようにバンプとフレーム
基板との間の接着力の調整は、バンプを半導体チップあ
るいはフィルムキャリア基板のリード部に加熱圧着した
後にフレーム基板だけを分離する工程において、良好な
転写性を確保するために極めて重要である。ここで、本
実施例１とその比較例との２つの異なる接着層を有する
バンプ転写用フレームの接着力の評価結果を、図２を参
照して説明する。図２（ａ）は本実施例１に対する比較
例の部分断面図を示している。この比較例は、ステンレ
ススチールから成るフレーム基板４と、その上に積層さ
れた熱可塑性樹脂層１３と、その上に積層された熱硬化
性樹脂層１２と、その上に積層された熱可塑性樹脂層１
１と、この熱可塑性樹脂層１１の上に接着された転写用
バンプ１と、から構成されている。図２（ｂ）は本実施
例１の部分断面図を示しており、ステンレススチールか
ら成るフレーム基板４と、その上に積層された熱可塑性
樹脂層３と、その上に積層された熱硬化性樹脂層２と、
この熱硬化性樹脂層２の上に接着されたバンプ１と、か
ら構成されている。両者の接着力の評価は、バンプ転写
工程におけると同様の加熱処理を与えて、その加熱処理
の前後におけるバンプ接着層のせん断強度を測定するこ
とにより行った。By the way, as described above, the adjustment of the adhesive force between the bumps and the frame substrate is performed well in the process of separating the frame substrate only after the bumps are heat-pressed to the lead portions of the semiconductor chip or the film carrier substrate. It is extremely important for ensuring transferability. Here, the evaluation results of the adhesive force of the bump transfer frame having two different adhesive layers of the present Example 1 and its comparative example will be described with reference to FIG. FIG. 2A shows a partial cross-sectional view of a comparative example with respect to the first embodiment. In this comparative example, a frame substrate 4 made of stainless steel, a thermoplastic resin layer 13 laminated thereon, a thermosetting resin layer 12 laminated thereon, and a thermoplastic resin laminated thereon. Layer 1
1 and a transfer bump 1 adhered on the thermoplastic resin layer 11. FIG. 2B shows a partial cross-sectional view of the first embodiment, which includes a frame substrate 4 made of stainless steel, a thermoplastic resin layer 3 laminated on the frame substrate 4, and a thermosetting resin laminated thereon. A resin layer 2,
The bumps 1 are bonded on the thermosetting resin layer 2. The adhesive strength between the two was evaluated by applying the same heat treatment as in the bump transfer step and measuring the shear strength of the bump adhesive layer before and after the heat treatment.
【００１９】前記の比較例と実施例１の加熱の前後にお
けるバンプ１のせん断強度は、図３に示している。すな
わち、図２（ａ）の比較例では、バンプ１を接着してい
る熱可塑性樹脂層１１が加熱により化学的反応が進行す
るため、図３（ａ）に示すように、加熱後のせん断強度
は大きく増加している。このことから、この比較例を使
用してバンプ転写を行う場合、転写工程時の加熱により
バンプ１を接着する熱可塑性樹脂層１１の接着力が増加
し、フレーム基板４を引き剥がすときにバンプ１も一緒
に引き剥がされてしまう転写不良が発生することが考え
られる。これに対し、図２（ｂ）の本実施例１では、バ
ンプ１を接着している熱硬化性樹脂層２は加熱されても
変化しないため、図３（ｂ）に示すように、バンプ１の
せん断強度は、加熱の前後にわたり一定に保たれてい
る。よって、この本実施例１を使用する場合は、バンプ
１に対する接着力は加熱の前後で変化せず一定であるの
で、バンプの転写が良好に行われることになる。The shear strength of the bump 1 before and after heating in the comparative example and the example 1 is shown in FIG. That is, in the comparative example of FIG. 2A, since the thermoplastic resin layer 11 to which the bumps 1 are bonded undergoes a chemical reaction by heating, as shown in FIG. 3A, the shear strength after heating is increased. Has greatly increased. From this, when bump transfer is performed using this comparative example, the adhesive force of the thermoplastic resin layer 11 for adhering the bumps 1 increases due to heating during the transfer process, and the bumps 1 are peeled off when the frame substrate 4 is peeled off. It is conceivable that a transfer failure may occur in which the film is peeled off together. On the other hand, in Example 1 of FIG. 2B, since the thermosetting resin layer 2 to which the bumps 1 are bonded does not change even when heated, as shown in FIG. The shear strength of is kept constant before and after heating. Therefore, when the present Example 1 is used, the adhesive force to the bumps 1 does not change before and after heating and is constant, so that the bumps are transferred well.
【００２０】なお、通常バンプ１を転写する際には、バ
ンプ転写用フレーム全体が加熱される。また、転写工程
時の加熱温度は通常２５０℃〜３５０℃程度の高温にな
るが、熱硬化性樹脂層２と熱可塑性樹脂層３の材料に、
耐熱性に優れたポリイミド系樹脂材料を使用することに
より、４００℃程度の加熱でも十分に使用に耐えられる
ようになる。When the bumps 1 are normally transferred, the entire bump transfer frame is heated. In addition, the heating temperature during the transfer step is usually a high temperature of about 250 ° C. to 350 ° C., but the materials for the thermosetting resin layer 2 and the thermoplastic resin layer 3 are
By using a polyimide resin material having excellent heat resistance, it becomes possible to sufficiently withstand use even by heating at about 400 ° C.
【００２１】次に、図４を参照して、本実施例１を使用
したバンプ転写工程の一例を説明する。まず、図４
（ａ）に示すように、半導体チップ２１を、その上に形
成された複数のＰｂ／Ｓｎはんだ２２がベースフレーム
５（図１に示す、フレーム基板１の上に熱可塑性樹脂層
３が積層されさらにその上に熱硬化性樹脂層２が積層さ
れて構成されたもの）に接着された複数のバンプ１にそ
れぞれ対応するように、ベースフレーム５の上に置く。
なおこの例のバンプ１は、その高さは１００μｍ、直径
は４００μｍ又は５００μｍで、接着力が予め調整され
たポリイミド系樹脂層に接着されている。前記のように
半導体チップ２１がベースフレーム５上に置かれると、
それらはＨ２＋Ｎ２ガス雰囲気の中で徐々に加熱され３
５０°まで加熱され、バンプ１が半導体チップ２１のは
んだ２２とフリップチップ方式により接合させられる。
次に図４（ｂ）に示すように、半導体チップ２１をパッ
ケージ形成用のモールド金型で包み、その中にモールド
樹脂２３を充填してパッケージを形成する。この場合、
ベースフレーム５はステンレススチール製のフレーム基
板４により表面が平坦に保たれるので、このベースフレ
ーム５をパッケージの形成面の一つとして利用すること
が可能となっている。次に、図４（ｃ）に示すように、
ベースフレーム５の熱硬化性樹脂層２（図１参照）とモ
ールド封止樹脂２３との間の境界面に沿って、ベースフ
レーム５を機械的に引き剥がす。これにより、バンプ１
が全て、ベースフレーム５から半導体チップ２１のはん
だ２２に転写される。その後、図４（ｄ）に示すよう
に、パッケージ底部から露出した転写バンプ１の表面
に、はんだボール２５が付着され、外部電極バンプが形
成される。Next, an example of the bump transfer process using the first embodiment will be described with reference to FIG. First, FIG.
As shown in (a), a plurality of Pb / Sn solders 22 formed on a semiconductor chip 21 are formed on a base frame 5 (a thermoplastic resin layer 3 is laminated on a frame substrate 1 shown in FIG. 1). Further, it is placed on the base frame 5 so as to correspond to the plurality of bumps 1 adhered to the thermosetting resin layer 2 laminated thereon).
The bump 1 of this example has a height of 100 μm, a diameter of 400 μm or 500 μm, and is bonded to a polyimide resin layer whose adhesive force is adjusted in advance. When the semiconductor chip 21 is placed on the base frame 5 as described above,
They are gradually heated in H2 + N2 gas atmosphere 3
The bumps 1 are heated to 50 ° and bonded to the solder 22 of the semiconductor chip 21 by the flip chip method.
Next, as shown in FIG. 4B, the semiconductor chip 21 is wrapped with a mold die for forming a package, and a mold resin 23 is filled therein to form a package. in this case,
Since the surface of the base frame 5 is kept flat by the frame substrate 4 made of stainless steel, it is possible to use the base frame 5 as one of the package forming surfaces. Next, as shown in FIG.
The base frame 5 is mechanically peeled off along the boundary surface between the thermosetting resin layer 2 (see FIG. 1) of the base frame 5 and the mold sealing resin 23. This allows bump 1
Are all transferred from the base frame 5 to the solder 22 of the semiconductor chip 21. Thereafter, as shown in FIG. 4D, the solder balls 25 are attached to the surfaces of the transfer bumps 1 exposed from the package bottom to form external electrode bumps.
【００２２】実施例２．図５は本発明の実施例２を示し
ている。この実施例２に係るバンプ転写用フレームは、
熱硬化性樹脂層２とその上に形成された転写用バンプ１
とのみから構成されている。バンプ転写の方法によって
は、図１のフレーム基板４が必ずしも必要でない場合も
あるので、その場合は、フレーム基板４のみならず熱可
塑性樹脂層３も使用しない図５に示すものを使用でき
る。この実施例２によっても良好な転写性を発揮するこ
とができ、さらに実施例１と比べて材料コストを低減し
たバンプ転写フレームを得ることができる。Example 2. FIG. 5 shows a second embodiment of the present invention. The bump transfer frame according to the second embodiment is
Thermosetting resin layer 2 and transfer bump 1 formed thereon
It consists only of and. Depending on the bump transfer method, the frame substrate 4 of FIG. 1 is not always necessary. In that case, the one shown in FIG. 5 in which not only the frame substrate 4 but also the thermoplastic resin layer 3 is used can be used. Good transferability can be exhibited also by the second embodiment, and a bump transfer frame having a lower material cost than that of the first embodiment can be obtained.
【００２３】[0023]
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明に係るバンプ転写用フレームで
は、転写用バンプが接着された熱硬化性樹脂層とフレー
ム基板との間に熱可塑性樹脂層が積層されているので、
この熱可塑性樹脂層がフレーム基板と熱硬化性樹脂層と
の双方を十分に接着する。よって、転写後のフレーム基
板の引き剥がし工程において、バンプと熱硬化性樹脂層
が接着したままフレーム基板だけが剥離されることが防
止される。また、フレーム基板が含まれているので、熱
可塑性樹脂層だけの場合に比べてバンプ転写用フレーム
全体のハンドリングが容易になる。特に、バンプ用フレ
ームにフレーム基板を含めることにより、半導体チップ
をこのフレームに圧着させてパッケージを形成するこ
と、つまりこのフレーム基板を半導体チップのパッケー
ジの形成面として利用することが可能になる。In the frame for bump transfer according to the present invention, since the thermoplastic resin layer is laminated between the thermosetting resin layer to which the transfer bump is adhered and the frame substrate,
This thermoplastic resin layer sufficiently adheres both the frame substrate and the thermosetting resin layer. Therefore, in the peeling process of the frame substrate after the transfer, it is possible to prevent only the frame substrate from being peeled while the bump and the thermosetting resin layer are bonded. Further, since the frame substrate is included, the handling of the entire bump transfer frame becomes easier than in the case where only the thermoplastic resin layer is used. In particular, by including the frame substrate in the bump frame, it becomes possible to press the semiconductor chip onto the frame to form a package, that is, to use the frame substrate as a surface for forming a package of the semiconductor chip.
【００２５】また、前記熱可塑性樹脂層と熱硬化性樹脂
層とを同じ系の樹脂により形成するようにすることによ
り、前記熱可塑性樹脂層の熱硬化性樹脂層に対する接着
力をより向上させられるようになる。 Moreover, by the said thermoplastic resin layer and the thermosetting resin layer to be formed by the same type of resin, is further improved adhesion to the thermosetting resin layer of the thermoplastic resin layer Like
【００２６】[0026]
【図１】本発明の実施例１のバンプ転写用フレームを示
す部分断面図である。FIG. 1 is a partial cross-sectional view showing a bump transfer frame according to a first embodiment of the present invention.
【図２】実施例１とその比較例を示す部分断面図であ
る。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing Example 1 and a comparative example thereof.
【図３】図２の２つのバンプ転写用フレームを加熱した
場合におけるその加熱前後のバンプのせん断強度の測定
結果を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the measurement results of the shear strength of the bumps before and after heating when the two bump transfer frames in FIG. 2 are heated.
【図４】実施例１を使用したバンプ転写工程を説明する
ための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a bump transfer process using the first embodiment.
【図５】本発明の実施例２を示す部分断面図である。FIG. 5 is a partial sectional view showing a second embodiment of the present invention.
【図６】従来のバンプ転写用フレームを示す断面図であ
る。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a conventional bump transfer frame.
１ 転写用バンプ ２ 熱硬化性樹脂層 ３ 熱可塑性樹脂層 ４ フレーム基板 ５ ベースフレーム 1 Transfer bump 2 Thermosetting resin layer 3 Thermoplastic resin layer 4 frame board 5 base frame
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−206143（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−45150（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−129759（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−84922（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/92 H01L 21/60 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) Reference JP-A-5-206143 (JP, A) JP-A-64-45150 (JP, A) JP-A-5-129759 (JP, A) JP-A-6- 84922 (JP, A) (58) Fields surveyed (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/92 H01L 21/60
Claims (2)
可塑性樹脂層と、その上に積層された熱硬化性樹脂層
と、さらにその上に接着された転写用バンプとから成
る、バンプ転写用フレーム。1. A bump transfer comprising a frame substrate, a thermoplastic resin layer laminated on the frame substrate, a thermosetting resin layer laminated on the frame substrate, and a transfer bump bonded on the thermosetting resin layer. For frame.
おいて、前記熱可塑性樹脂層と熱硬化性樹脂層とは、同
じ系の樹脂により形成されていることを特徴とする、バ
ンプ転写用フレーム。2. The bump transfer frame according to claim 1 , wherein the thermoplastic resin layer and the thermosetting resin layer are formed of the same resin.
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| JP21022394A JP3380058B2 (en) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | Bump transfer frame |
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| JP21022394A JP3380058B2 (en) | 1994-09-02 | 1994-09-02 | Bump transfer frame |
Publications (2)
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| JPH0878420A JPH0878420A (en) | 1996-03-22 |
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| JP (1) | JP3380058B2 (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-09-02 JP JP21022394A patent/JP3380058B2/en not_active Expired - Fee Related
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