JPH0221598A - Ｅｃｒプラズマ源およびその内壁膜の形成方法 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマ源およびその内壁膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＥＣＲプラズマ源およびその内壁膜の形成
方法に関するものである。
方法に関するものである。
第３図に従来例を示す。すなわち、このＥＣＲプラズマ
源は、マイクロ波導入部５０およびガス導入部５１を形
成するとともに外周に磁界発生用のコイル５２を設けた
プラズマ生成室５３を存する。
源は、マイクロ波導入部５０およびガス導入部５１を形
成するとともに外周に磁界発生用のコイル５２を設けた
プラズマ生成室５３を存する。
５４は成膜用の試料室、５５は反応ガス導入部、５６は
試料基板、５７はプラズマ引出し窓である。
試料基板、５７はプラズマ引出し窓である。
このＥＣＲプラズマ源は、マイクロ波導入部５０よりマ
イクロ波をプラズマ生成室５３内に導入し、コイル５２
よりＥＣＲ条件を満たす磁界を発生して、ガス導入部５
１より導入したガスから強いプラズマを発生させ、さら
にコイル５２の発散磁界でイオンをプラズマ引出し窓５
７より引出し、試料室５４の反応ガス導入部５５より導
入した反応ガスをイオンにより分解１反応させて試料基
板５６上に目的とする成膜を堆積させる。
イクロ波をプラズマ生成室５３内に導入し、コイル５２
よりＥＣＲ条件を満たす磁界を発生して、ガス導入部５
１より導入したガスから強いプラズマを発生させ、さら
にコイル５２の発散磁界でイオンをプラズマ引出し窓５
７より引出し、試料室５４の反応ガス導入部５５より導
入した反応ガスをイオンにより分解１反応させて試料基
板５６上に目的とする成膜を堆積させる。
たとえば、窒化シリコン膜の成膜の場合、Ｎ２ガスをガ
ス導入部５１より導入し、反応ガス導入部５５よりＳｉ
Ｈ４ガスを導入し、３Ｓｉ ＋４Ｎ−ＳｉＪａ等の反応
により窒化シリコンを試料基板７上に堆積させる。
ス導入部５１より導入し、反応ガス導入部５５よりＳｉ
Ｈ４ガスを導入し、３Ｓｉ ＋４Ｎ−ＳｉＪａ等の反応
により窒化シリコンを試料基板７上に堆積させる。
ところが、このＥＣＲプラズマ源は、プラズマ生成室５
３およびプラズマ引出し窓５７がステンレス等の金属で
構成されているため、プラズマの発生に伴ってプラズマ
生成室５３の内壁およびプラズマ引出し窓５７がスパッ
タ作用を受けて内壁およびプラズマ引出し窓５７から吸
着ガスや素材元素の放出が起こり、成膜中に不純物が混
入するという欠点があった。
３およびプラズマ引出し窓５７がステンレス等の金属で
構成されているため、プラズマの発生に伴ってプラズマ
生成室５３の内壁およびプラズマ引出し窓５７がスパッ
タ作用を受けて内壁およびプラズマ引出し窓５７から吸
着ガスや素材元素の放出が起こり、成膜中に不純物が混
入するという欠点があった。
同様の問題はイオン照射（注入）の場合においても発生
ずる。
ずる。
さらに、プラズマ生成室５３に塩化物、フッ化物等の腐
食性ガスを導入する場合、プラズマ生成室５３の内壁お
よびプラズマ引出し窓５７の腐食が避けられないという
問題もあった。
食性ガスを導入する場合、プラズマ生成室５３の内壁お
よびプラズマ引出し窓５７の腐食が避けられないという
問題もあった。
したがって、この発明の目的は、成膜時や注入時に不純
物が混入するのを防止できるとともに、プラズマ生成室
の内壁およびプラズマ引出し窓の腐食を防止できるＥＣ
Ｒプラズマ源およびその内壁膜の形成方法を提供するこ
とである。
物が混入するのを防止できるとともに、プラズマ生成室
の内壁およびプラズマ引出し窓の腐食を防止できるＥＣ
Ｒプラズマ源およびその内壁膜の形成方法を提供するこ
とである。
この発明のＥＣＲプラズマ源は、マイクロ波導入部およ
びガス導入部を形成するとともに外周に磁界発生用のコ
イルを設けたプラズマ生成室を有するＥＣＲプラズマ源
において、前記プラズマ生成室の内壁面に注入物質また
は成膜物質に対する非不純物物質により内壁膜を形成し
たことを特徴とするものである。
びガス導入部を形成するとともに外周に磁界発生用のコ
イルを設けたプラズマ生成室を有するＥＣＲプラズマ源
において、前記プラズマ生成室の内壁面に注入物質また
は成膜物質に対する非不純物物質により内壁膜を形成し
たことを特徴とするものである。
またＥＣＲプラズマ源の内壁膜の形成方法は、前記プラ
ズマ生成室のプラズマ引出し窓をプラズマ封入用シャッ
ターで閉じた状態で、内壁膜をＥＣＲプラズマＣｖＤ法
により形成することを特徴とするものである。
ズマ生成室のプラズマ引出し窓をプラズマ封入用シャッ
ターで閉じた状態で、内壁膜をＥＣＲプラズマＣｖＤ法
により形成することを特徴とするものである。
この発明のＥＣＲプラズマ源は、プラズマ生成室にプラ
ズマが発生すると内壁膜がスパッタ作用を受けてガスを
放出するが、成膜物質や注入物質の不純物ではない非不
純物物質であるので、従来のように不純物の混入とはな
らない。また腐食性ガスを導入する場合、内壁膜により
プラズマ生成室の内壁面が被覆されているため、プラズ
マ生成室の内壁面の腐食を防止することができる。
ズマが発生すると内壁膜がスパッタ作用を受けてガスを
放出するが、成膜物質や注入物質の不純物ではない非不
純物物質であるので、従来のように不純物の混入とはな
らない。また腐食性ガスを導入する場合、内壁膜により
プラズマ生成室の内壁面が被覆されているため、プラズ
マ生成室の内壁面の腐食を防止することができる。
またＥＣＲプラズマ源の内壁膜の形成方法は、プラズマ
引出し窓をプラズマ封入用シャッターで閉してＥＣＲプ
ラズマＣｖＤ法により内壁膜を形成するため、成膜前や
注入前の前処理として、プラズマ生成室の内壁面をコー
ティングすることが可能となり、したがって試料室等へ
リークすることなく試料室等の清浄を保つことができる
。
引出し窓をプラズマ封入用シャッターで閉してＥＣＲプ
ラズマＣｖＤ法により内壁膜を形成するため、成膜前や
注入前の前処理として、プラズマ生成室の内壁面をコー
ティングすることが可能となり、したがって試料室等へ
リークすることなく試料室等の清浄を保つことができる
。
この発明の一実施例を第１図および第２図に基づいて説
明する。すなわち、このＥＣＲプラズマ源は、プラズマ
生成室１の内壁面に内壁膜２を形成している。
明する。すなわち、このＥＣＲプラズマ源は、プラズマ
生成室１の内壁面に内壁膜２を形成している。
プラズマ生成室１は、マイクロ波導入部３および成膜用
または注入用のガス導入部４を形成するとともに外周に
磁界発生用のコイル５を設けている。
または注入用のガス導入部４を形成するとともに外周に
磁界発生用のコイル５を設けている。
内壁膜２は、注入物質または成膜物質に対する非不純物
物質により形成している。すなわちたとえば、前記した
窒化シリコン膜の成膜の場合、内壁膜２はＳｌあるいは
５ｉ−０，５ｉ−Ｎ等のＳｉ化化物物非不純物となる。
物質により形成している。すなわちたとえば、前記した
窒化シリコン膜の成膜の場合、内壁膜２はＳｌあるいは
５ｉ−０，５ｉ−Ｎ等のＳｉ化化物物非不純物となる。
６は試料室、７は試料基板、８はプラズマ封入用シャッ
ター、９は反応ガス導入部、１０は冷却水路、１１は真
空ポンプ（図示せず）に接続される排気口、１２はプラ
ズマ引出し窓、１３は内壁膜用のガス導入部である。
ター、９は反応ガス導入部、１０は冷却水路、１１は真
空ポンプ（図示せず）に接続される排気口、１２はプラ
ズマ引出し窓、１３は内壁膜用のガス導入部である。
またＥＣＲプラズマ源の内壁膜の形成方法は、第２図に
示すように、プラズマ生成室ｌのプラズマ引出し窓１２
をプラズマ封入用シャッター８で閉じた状態で、ＥＣＲ
プラズマＣＶＤ法により形成する。
示すように、プラズマ生成室ｌのプラズマ引出し窓１２
をプラズマ封入用シャッター８で閉じた状態で、ＥＣＲ
プラズマＣＶＤ法により形成する。
すなわち、内壁膜用のガス導入部１３より５ｉｌｌ ４
等のＳｉ化合物ガスあるいはＳｉ化合物ガスと希ガス。
等のＳｉ化合物ガスあるいはＳｉ化合物ガスと希ガス。
窒素、酸素等の混合ガスをプラズマ生成室１に導入し、
プラズマ封入用シャッター８によりプラズマをプラズマ
生成室１内に封入し、マイクロ波導入部３よりマイクロ
波を導入するとともにコイル５を励磁して、ガスを分解
することによりプラズマ引出し窓８の表面を含むプラズ
マ生成室ｌの内壁面にＳｉおよびＳｉ化合物の内壁面２
をコーティングする。
プラズマ封入用シャッター８によりプラズマをプラズマ
生成室１内に封入し、マイクロ波導入部３よりマイクロ
波を導入するとともにコイル５を励磁して、ガスを分解
することによりプラズマ引出し窓８の表面を含むプラズ
マ生成室ｌの内壁面にＳｉおよびＳｉ化合物の内壁面２
をコーティングする。
この実施例のＥＣＲプラズマ源は、プラズマ生成室１に
プラズマが発生すると内壁膜２がスパッタ作用を受けて
ガスを放出するが、成膜物質や注入物質の不純物ではな
い非不純物物質であるので、従来のように不純物の混入
とはならない。また腐食性ガスを導入する場合、内壁膜
２によりプラズマ生成室１の内壁面２が被覆されている
ため、プラズマ生成室１の内壁面２の腐食を防止するこ
とができる。
プラズマが発生すると内壁膜２がスパッタ作用を受けて
ガスを放出するが、成膜物質や注入物質の不純物ではな
い非不純物物質であるので、従来のように不純物の混入
とはならない。また腐食性ガスを導入する場合、内壁膜
２によりプラズマ生成室１の内壁面２が被覆されている
ため、プラズマ生成室１の内壁面２の腐食を防止するこ
とができる。
また、プラズマ生成室１の壁材の５Ｏ３（Ｆｅ、Ｃｒ、
Ｎｉ等）成分に比べ、５ｉ（ＳｉＪｅ＋ＳｉＯ□等）の
スパッタ率が低いところからスパッタによる不純物混入
の防止となる。
Ｎｉ等）成分に比べ、５ｉ（ＳｉＪｅ＋ＳｉＯ□等）の
スパッタ率が低いところからスパッタによる不純物混入
の防止となる。
またＥＣＩ？プラズマ源の内壁膜の形成方法は、プラズ
マ引出し窓１２をプラズマ封入用シャッター８で閉して
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により内壁膜２を形成するため
、成膜前の前処理として、プラズマ生成室１の内壁面２
をコーティングすることが可能となり、したがって試料
室６ヘリークすることなく試料室６の清浄を保つことが
できる。
マ引出し窓１２をプラズマ封入用シャッター８で閉して
ＥＣＲプラズマＣＶＤ法により内壁膜２を形成するため
、成膜前の前処理として、プラズマ生成室１の内壁面２
をコーティングすることが可能となり、したがって試料
室６ヘリークすることなく試料室６の清浄を保つことが
できる。
ＥＣＲプラズマ源のプラズマ生成室ｌの内壁膜２の他の
例として、試料基板７上にＳｉＯ□膜を形成する場合、
内壁膜２はＳｉＯ□により形成する。また、Ｓｉウェハ
ーへのイオン照射では内壁膜２はＳｉにより、前処理と
してコーティングを行う。
例として、試料基板７上にＳｉＯ□膜を形成する場合、
内壁膜２はＳｉＯ□により形成する。また、Ｓｉウェハ
ーへのイオン照射では内壁膜２はＳｉにより、前処理と
してコーティングを行う。
なお、成膜対象が酸化シリコン膜の形成の場合、ガス導
入部４より０２ガスを導入し、ガス導入部９よりＳｉＨ
４ガスを導入して、Ｓｉ ＋２ｏ−ｓｉｏ□等の反応に
より酸化シリコンを試料基板７上に堆積させる。
入部４より０２ガスを導入し、ガス導入部９よりＳｉＨ
４ガスを導入して、Ｓｉ ＋２ｏ−ｓｉｏ□等の反応に
より酸化シリコンを試料基板７上に堆積させる。
その他、試料基板７上の成膜はプラズマ生成室１に希ガ
ス、Ｎ２．０□、Ｎ２等を導入し、試料室６にはＳ＋化
合物ガス（ＳｉＨ２等）などを導入し、ＥＣＲプラズマ
による各種の成膜の作成が行われる。ただし、内壁膜２
は成膜に悪影響のないものを選び前処理としてコーティ
ングする。
ス、Ｎ２．０□、Ｎ２等を導入し、試料室６にはＳ＋化
合物ガス（ＳｉＨ２等）などを導入し、ＥＣＲプラズマ
による各種の成膜の作成が行われる。ただし、内壁膜２
は成膜に悪影響のないものを選び前処理としてコーティ
ングする。
この発明のＥＣＲプラズマ源は、プラズマ生成室の内壁
面に注入物質または成膜物質に対する非不純物物質によ
り内壁膜を形成したため、不純物の混入を防止すること
ができるとともに、腐食性ガスを導入する場合のプラズ
マ生成室の内壁面の腐食を防止することができるという
効果がある。
面に注入物質または成膜物質に対する非不純物物質によ
り内壁膜を形成したため、不純物の混入を防止すること
ができるとともに、腐食性ガスを導入する場合のプラズ
マ生成室の内壁面の腐食を防止することができるという
効果がある。
またＥＣＲプラズマ源の内壁膜の形成方法は、プラズマ
引出し窓をプラズマ封入用シャッターで閉してＥＣＲプ
ラズマＣｖＤ法により内壁膜を形成するため、成膜前や
注入前の前処理として、プラズマ生成室の内壁面をコー
ティングすることが可能となり、したがって試料室等へ
リークすることなく試料室等の清浄を保つことができる
とい効果がある。
引出し窓をプラズマ封入用シャッターで閉してＥＣＲプ
ラズマＣｖＤ法により内壁膜を形成するため、成膜前や
注入前の前処理として、プラズマ生成室の内壁面をコー
ティングすることが可能となり、したがって試料室等へ
リークすることなく試料室等の清浄を保つことができる
とい効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の説明図、第２図は内壁膜
形成状態を説明する説明図、第３図は従来例の説明図で
ある。 ｌ・・・プラズマ生成室、２・・・内壁膜、３・・・マ
イクロ波導入部、４・・・ガス導入部、５・・・コイル
、８・・・プラズマ封入用シャッター、１２・・・プラ
ズマ引出し窓 第 図 第 図
形成状態を説明する説明図、第３図は従来例の説明図で
ある。 ｌ・・・プラズマ生成室、２・・・内壁膜、３・・・マ
イクロ波導入部、４・・・ガス導入部、５・・・コイル
、８・・・プラズマ封入用シャッター、１２・・・プラ
ズマ引出し窓 第 図 第 図
Claims (2)
- （１）マイクロ波導入部およびガス導入部を形成すると
ともに外周に磁界発生用のコイルを設けたプラズマ生成
室を有するＥＣＲプラズマ源において、前記プラズマ生
成室の内壁面に注入物質または成膜物質に対する非不純
物物質により内壁膜を形成したことを特徴とするＥＣＲ
プラズマ源。 - （２）特許請求の範囲第（１）項記載の前記内壁膜を、
前記プラズマ生成室のプラズマ引出し窓をプラズマ封入
用シャッターにより閉じた状態で、ＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ法により形成することを特徴とするＥＣＲプラズマ源
の内壁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170339A JPH0221598A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | Ｅｃｒプラズマ源およびその内壁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63170339A JPH0221598A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | Ｅｃｒプラズマ源およびその内壁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221598A true JPH0221598A (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15903094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63170339A Pending JPH0221598A (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | Ｅｃｒプラズマ源およびその内壁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0221598A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05234892A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-09-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 結晶成長方法及び結晶成長用ラジカル発生装置 |
| JP2000200786A (ja) * | 1999-01-04 | 2000-07-18 | Toshiba Corp | 絶縁膜の形成方法 |
| JP2009026934A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 成膜装置及びそのコーティング方法 |
| US7754995B2 (en) | 2002-11-20 | 2010-07-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP63170339A patent/JPH0221598A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05234892A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-09-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 結晶成長方法及び結晶成長用ラジカル発生装置 |
| JP2000200786A (ja) * | 1999-01-04 | 2000-07-18 | Toshiba Corp | 絶縁膜の形成方法 |
| US7754995B2 (en) | 2002-11-20 | 2010-07-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2009026934A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-05 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 成膜装置及びそのコーティング方法 |
| US8232217B2 (en) | 2007-07-19 | 2012-07-31 | Fujitsu Semiconductor Limited | Film deposition apparatus, method of manufacturing a semiconductor device, and method of coating the film deposition apparatus |
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