JPH02215115A - イオンビーム描画方法および装置 - Google Patents
イオンビーム描画方法および装置Info
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- JPH02215115A JPH02215115A JP3589189A JP3589189A JPH02215115A JP H02215115 A JPH02215115 A JP H02215115A JP 3589189 A JP3589189 A JP 3589189A JP 3589189 A JP3589189 A JP 3589189A JP H02215115 A JPH02215115 A JP H02215115A
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- ion
- ion species
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 58
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、材料上のパターンの描画をイオン種を変えな
がら行うようにしたイオンビーム描画方法および装置に
関する。
がら行うようにしたイオンビーム描画方法および装置に
関する。
（従来の技術）
イオンビーム描画装置においては、イオン種材料として
合金を用い、イオン源から得られた複数のイオン種の内
、特定のイオン種のみをＥ×Ｂマスフィルターによって
選別し、選別されたイオンを被描画材料に照射し、所定
のパターンの描画を行うようにしている。
合金を用い、イオン源から得られた複数のイオン種の内
、特定のイオン種のみをＥ×Ｂマスフィルターによって
選別し、選別されたイオンを被描画材料に照射し、所定
のパターンの描画を行うようにしている。
第４図は描画パターンの一例を示しており、矩形のパタ
ーンＡはイオン種ａによって描画され、台形のパターン
Ｂはイオン種すによって描画され、三角形のパターンＣ
はイオン種Ｃによって描画される。この場合、まず描画
装置のＥ×Ｂマスフィルターの電場電源と磁場電源を手
動で制御し、Ｅ×Ｂマスフィルターによってイオン種ａ
が選別されるようにセットする。この段階で矩形パター
ンＡの描画データを描画装置に送り、矩形パターンＡの
描画を行う。次に、Ｅ×Ｂマスフィルターの電源を制御
し、Ｅ×Ｂマスフィルターによってイオン種すを選別し
、台形パターンＢの描画を行い、最後にＥ×Ｂマスフィ
ルターによってイオン種Ｃを選別し、三角形パターンＣ
の描画を行う。
ーンＡはイオン種ａによって描画され、台形のパターン
Ｂはイオン種すによって描画され、三角形のパターンＣ
はイオン種Ｃによって描画される。この場合、まず描画
装置のＥ×Ｂマスフィルターの電場電源と磁場電源を手
動で制御し、Ｅ×Ｂマスフィルターによってイオン種ａ
が選別されるようにセットする。この段階で矩形パター
ンＡの描画データを描画装置に送り、矩形パターンＡの
描画を行う。次に、Ｅ×Ｂマスフィルターの電源を制御
し、Ｅ×Ｂマスフィルターによってイオン種すを選別し
、台形パターンＢの描画を行い、最後にＥ×Ｂマスフィ
ルターによってイオン種Ｃを選別し、三角形パターンＣ
の描画を行う。
（発明が解決しようとする課題）
このようなイオンビーム描画方式では、描画パターンを
イオン種ごとに用意し、オペレータが手動でＥ×Ｂマス
フィルターの切換えを行った後に、特定イオン種のパタ
ーンデータによって描画を行わねばならず、描画時間が
著しく長くなる。
イオン種ごとに用意し、オペレータが手動でＥ×Ｂマス
フィルターの切換えを行った後に、特定イオン種のパタ
ーンデータによって描画を行わねばならず、描画時間が
著しく長くなる。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、その目
的は、複数のイオン種を切換えて描画する場合であって
も、短時間に全描画を行うことができるイオンビーム描
画方法および装置を実現することにある。
的は、複数のイオン種を切換えて描画する場合であって
も、短時間に全描画を行うことができるイオンビーム描
画方法および装置を実現することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の請求項１の発明に基づくイオンビーム描画方法
は、イオン源から複数のイオン種よりなるイオンビーム
を発生させ、このイオンビームをマスフィルターを通過
させることによって特定のイオン種を選別し、フィルタ
ーを通った特定イオン種のイオンビームを被描画材料上
に照射するようにしたイオンビーム描画方法において、
パターン描画データにそのパターンを描画するときのイ
オン種についての情報を含め、パターン描画データに基
づく特定パターンの描画に先立って、イオン種情報によ
ってフィルターのイオン種選択条件を切換え、特定イオ
ン種による特定パターンの描画を自動的に行うようにし
たことを特徴としている。
は、イオン源から複数のイオン種よりなるイオンビーム
を発生させ、このイオンビームをマスフィルターを通過
させることによって特定のイオン種を選別し、フィルタ
ーを通った特定イオン種のイオンビームを被描画材料上
に照射するようにしたイオンビーム描画方法において、
パターン描画データにそのパターンを描画するときのイ
オン種についての情報を含め、パターン描画データに基
づく特定パターンの描画に先立って、イオン種情報によ
ってフィルターのイオン種選択条件を切換え、特定イオ
ン種による特定パターンの描画を自動的に行うようにし
たことを特徴としている。
本発明の請求項２の発明に基づくイオンビーム描画装置
は、複数のイオン種よりなるイオンビームを発生するイ
オン源と、複数のイオン種の内、特定のイオン種を選別
するＥ×Ｂマスフィルターと、Ｅ×Ｂマスフィルターの
電場電源と磁場電源と、Ｅ×Ｂマスフィルターによって
選別されたイオンビームを被描画材料上に集束するため
の集束レンズと、材料上でイオンビーム照射位置を変化
させるための偏向手段と、描画データに含まれるイオン
種情報を読みとって前記電場電源および磁場電源を制御
する制御系とを備えたことを特徴としている。
は、複数のイオン種よりなるイオンビームを発生するイ
オン源と、複数のイオン種の内、特定のイオン種を選別
するＥ×Ｂマスフィルターと、Ｅ×Ｂマスフィルターの
電場電源と磁場電源と、Ｅ×Ｂマスフィルターによって
選別されたイオンビームを被描画材料上に集束するため
の集束レンズと、材料上でイオンビーム照射位置を変化
させるための偏向手段と、描画データに含まれるイオン
種情報を読みとって前記電場電源および磁場電源を制御
する制御系とを備えたことを特徴としている。
（作用）
請求項１および２の発明では、パターン描画データにそ
のパターンを描画するイオン種についての情報を含ませ
、このイオン種情報に基づいてＥ×Ｂマスフィルターの
電源を制御して所望イオン種を自動的に選別し、その後
パターン描画データに基づいて所定のパターン描画を行
う。
のパターンを描画するイオン種についての情報を含ませ
、このイオン種情報に基づいてＥ×Ｂマスフィルターの
電源を制御して所望イオン種を自動的に選別し、その後
パターン描画データに基づいて所定のパターン描画を行
う。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。第１図は本発明に基づくイオンビーム描画装置を示し
ており、合金をイオン種としたイオン源１から発生した
イオンビームは、集束レンズ２．３によって被描画材料
４上に細く集束される。集束レンズ２と３との間には、
イオン源１から発生した複数のイオン種からなるイオン
ビームの内、特定のイオン種のみを選別するためのＥ×
Ｂマスフィルター５が配置されている。Ｅ×Ｂマスフィ
ルターは、電場と磁場とによって特定の質量のイオンの
みを直進させ、その他の質量のイオンは曲げてアパーチ
ャ板にトラップするようにしたもので、フィルターの電
場と磁場を発生させるために、電場電源６、磁場電源７
が設けられている。材料４に照射される特定イオン種の
イオンビームは、静電偏向器８によって偏向されるが、
偏向器８には、スキャナー９から描画パターンに応じた
偏向電圧が印加される。
。第１図は本発明に基づくイオンビーム描画装置を示し
ており、合金をイオン種としたイオン源１から発生した
イオンビームは、集束レンズ２．３によって被描画材料
４上に細く集束される。集束レンズ２と３との間には、
イオン源１から発生した複数のイオン種からなるイオン
ビームの内、特定のイオン種のみを選別するためのＥ×
Ｂマスフィルター５が配置されている。Ｅ×Ｂマスフィ
ルターは、電場と磁場とによって特定の質量のイオンの
みを直進させ、その他の質量のイオンは曲げてアパーチ
ャ板にトラップするようにしたもので、フィルターの電
場と磁場を発生させるために、電場電源６、磁場電源７
が設けられている。材料４に照射される特定イオン種の
イオンビームは、静電偏向器８によって偏向されるが、
偏向器８には、スキャナー９から描画パターンに応じた
偏向電圧が印加される。
１０はコンピュータの如き制御装置であり、Ｅ×Ｂマス
フィルター５の電場電源６．磁場電源７゜スキャナー８
．材料４が載せられるステージ１１の駆動機構１２は、
この制御装置１０によって制御される。制御装置１０は
、供給されるパターンデータによって上記各種構成要素
を制御するが、パターンデータは、ディスク１３か磁気
テープ１４からデータフォーマット変換部１５を介して
制御装置１０に供給される。
フィルター５の電場電源６．磁場電源７゜スキャナー８
．材料４が載せられるステージ１１の駆動機構１２は、
この制御装置１０によって制御される。制御装置１０は
、供給されるパターンデータによって上記各種構成要素
を制御するが、パターンデータは、ディスク１３か磁気
テープ１４からデータフォーマット変換部１５を介して
制御装置１０に供給される。
上記した構成の動作は次の通りである。ディスク１３や
磁気テープ１４に格納されたＣＡＤデータは、データフ
ォーマット変換部１５に供給され、この変換部１５内の
変換ソフトウェアによってイオンビームによる描画が可
能な矩形データに変換される。この矩形描画データの一
表現例を第２図に示す。第２図のデータ表現例において
、１段目と２段目には、描画フィールドの位置ＦＸｌ＋
ＦＹｌが格納され、３段目から９段目までに第３図
に示す矩形パターンＰ、の描画データが格納されている
。３段目には、イオン種データであることの識別コマン
ド”ＦＦ０Ｏ”が格納され、４段目には、選別するイオ
ン種を示すデータ”Ｓｅ“が格納されている。このイオ
ン種についてのデータの後に通常の矩形描画のためのデ
ータが格納されている。
磁気テープ１４に格納されたＣＡＤデータは、データフ
ォーマット変換部１５に供給され、この変換部１５内の
変換ソフトウェアによってイオンビームによる描画が可
能な矩形データに変換される。この矩形描画データの一
表現例を第２図に示す。第２図のデータ表現例において
、１段目と２段目には、描画フィールドの位置ＦＸｌ＋
ＦＹｌが格納され、３段目から９段目までに第３図
に示す矩形パターンＰ、の描画データが格納されている
。３段目には、イオン種データであることの識別コマン
ド”ＦＦ０Ｏ”が格納され、４段目には、選別するイオ
ン種を示すデータ”Ｓｅ“が格納されている。このイオ
ン種についてのデータの後に通常の矩形描画のためのデ
ータが格納されている。
すなわち、５段目には、矩形のＹ方向の寸法”Ｄｐ”が
、６段目には矩形のＸ方向の寸法”Ｌ”が、７段目には
イオンビームの走査方向”Ｓ”が、８段目にはショット
ランク”５“、すなわち、イオンのドーズ量に関するデ
ータが、９段目と１０段目には、夫々矩形パターンの位
置データ”Ｘｌ”Ｙ、”が格納されている。１１段目以
降には、同じフィールド内の別の矩形パターンＰ２のデ
ータがＰ、のデータと同様に格納されている。
、６段目には矩形のＸ方向の寸法”Ｌ”が、７段目には
イオンビームの走査方向”Ｓ”が、８段目にはショット
ランク”５“、すなわち、イオンのドーズ量に関するデ
ータが、９段目と１０段目には、夫々矩形パターンの位
置データ”Ｘｌ”Ｙ、”が格納されている。１１段目以
降には、同じフィールド内の別の矩形パターンＰ２のデ
ータがＰ、のデータと同様に格納されている。
このような矩形パターン描画データが制御装置１０に供
給されるが、制御装置１０はまず、フィールド位置デー
タＦＸｌ＋ ＦＹＩによってステージ駆動機構１２を
駆動し、所望のフィールドがイオンビームの光軸上に配
置されるようにステージ１１を移動させる。次に、制御
装置１０は、イオン種に関するデータ”Ｓｅ“によって
Ｅ×Ｂマスフィルター５を制御するが、制御装置１０内
のメモリには、イオン種データに応じた電場の値、磁場
の値が予めセットされており、従って、制御装置１０は
、データ“Ｓｅ”にも基づいてセシウムイオンのみ選別
するように、Ｅ×Ｂマスフィルター５の電場電源６．磁
場電源７を制御する。
給されるが、制御装置１０はまず、フィールド位置デー
タＦＸｌ＋ ＦＹＩによってステージ駆動機構１２を
駆動し、所望のフィールドがイオンビームの光軸上に配
置されるようにステージ１１を移動させる。次に、制御
装置１０は、イオン種に関するデータ”Ｓｅ“によって
Ｅ×Ｂマスフィルター５を制御するが、制御装置１０内
のメモリには、イオン種データに応じた電場の値、磁場
の値が予めセットされており、従って、制御装置１０は
、データ“Ｓｅ”にも基づいてセシウムイオンのみ選別
するように、Ｅ×Ｂマスフィルター５の電場電源６．磁
場電源７を制御する。
所望のイオン種のみがＥ×Ｂマスフィルター５によって
直進するようにされた後、制御装置１０は、５段目から
１０段目までのデータによってスキャナー９を制御し、
スキャナー９から偏向器８に偏向電圧を印加することに
よって、第３図に示すパターンの描画を行う。
直進するようにされた後、制御装置１０は、５段目から
１０段目までのデータによってスキャナー９を制御し、
スキャナー９から偏向器８に偏向電圧を印加することに
よって、第３図に示すパターンの描画を行う。
以上本発明の一実施例を説明したが、本発明はこの実施
例に限定されない。例えば、個々のパターン描画データ
にイオン種の情報を含めるのではなく、特定のイオン種
のデータの後に、そのイオン種によって描画する全ての
パターン描画データを配置し、同一イオン種のパターン
は連続して描画し、そのイオン種のパターンの描画が終
了した後、次のイオン種による描画を行うようにしても
良い。
例に限定されない。例えば、個々のパターン描画データ
にイオン種の情報を含めるのではなく、特定のイオン種
のデータの後に、そのイオン種によって描画する全ての
パターン描画データを配置し、同一イオン種のパターン
は連続して描画し、そのイオン種のパターンの描画が終
了した後、次のイオン種による描画を行うようにしても
良い。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明では、パターン描画
データにイオン種の情報を含ませ、イオン種情報によっ
てＥ×Ｂマスフィルターの制御を自動的に行うようにし
たので、複数のイオン種によって描画を行う場合であっ
ても、頓めて短時間に全描画を行うことができる。
データにイオン種の情報を含ませ、イオン種情報によっ
てＥ×Ｂマスフィルターの制御を自動的に行うようにし
たので、複数のイオン種によって描画を行う場合であっ
ても、頓めて短時間に全描画を行うことができる。
第１図は、本発明の一実施例であるイオンビーム描画装
置を示す図、第２図は、パターン描画データの一表現例
を示す図、第３図は第２のパターン描画データによって
描画される矩形を示す図、第４図は、複数のイオン種に
よる描画方式を説明するための図である。 １・・・イオン源 ２．３・・・集束レンズ４・
・・試料 ５・・・Ｅ×Ｂマスフィルター ６・・・電場電源 ７・・・磁場電源８・・・偏
向器 ９・・・スキャナー１０・・・制御装置
１１・・・ステージ１２・・・駆動機構 １
３・・・ディスク１４・・・磁気テープ １５・・・データフォーマット変換部
置を示す図、第２図は、パターン描画データの一表現例
を示す図、第３図は第２のパターン描画データによって
描画される矩形を示す図、第４図は、複数のイオン種に
よる描画方式を説明するための図である。 １・・・イオン源 ２．３・・・集束レンズ４・
・・試料 ５・・・Ｅ×Ｂマスフィルター ６・・・電場電源 ７・・・磁場電源８・・・偏
向器 ９・・・スキャナー１０・・・制御装置
１１・・・ステージ１２・・・駆動機構 １
３・・・ディスク１４・・・磁気テープ １５・・・データフォーマット変換部
Claims (2)
- （１）イオン源から複数のイオン種よりなるイオンビー
ムを発生させ、このイオンビームをマスフィルターを通
過させることによって特定のイオン種を選別し、フィル
ターを通った特定イオン種のイオンビームを被描画材料
上に照射するようにしたイオンビーム描画方法において
、パターン描画データにそのパターンを描画するときの
イオン種についての情報を含め、パターン描画データに
基づく特定パターンの描画に先立って、イオン種情報に
よってフィルターのイオン種選択条件を切換え、特定イ
オン種による特定パターンの描画を自動的に行うように
したイオンビーム描画方法。 - （２）複数のイオン種よりなるイオンビームを発生する
イオン源と、複数のイオン種の内、特定のイオン種を選
別するＥ×Ｂマスフィルターと、Ｅ×Ｂマスフィルター
の電場電源と磁場電源と、Ｅ×Ｂマスフィルターによっ
て選別されたイオンビームを被描画材料上に集束するた
めの集束レンズと、材料上でイオンビーム照射位置を変
化させるための偏向手段と、描画データに含まれるイオ
ン種情報を読みとって前記電場電源および磁場電源を制
御する制御系とを備えたイオンビーム描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3589189A JPH02215115A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | イオンビーム描画方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3589189A JPH02215115A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | イオンビーム描画方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215115A true JPH02215115A (ja) | 1990-08-28 |
Family
ID=12454650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3589189A Pending JPH02215115A (ja) | 1989-02-15 | 1989-02-15 | イオンビーム描画方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02215115A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183514A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Jeol Ltd | イオンビ−ム描画装置 |
-
1989
- 1989-02-15 JP JP3589189A patent/JPH02215115A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62183514A (ja) * | 1986-02-07 | 1987-08-11 | Jeol Ltd | イオンビ−ム描画装置 |
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