JPH02206111A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH02206111A JPH02206111A JP2798589A JP2798589A JPH02206111A JP H02206111 A JPH02206111 A JP H02206111A JP 2798589 A JP2798589 A JP 2798589A JP 2798589 A JP2798589 A JP 2798589A JP H02206111 A JPH02206111 A JP H02206111A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ターニングするパターン形成方法である。
超ＬＳＩレベルの高密度集積回路の製造に伴い、パター
ンの微細化が要求され、１μｍ以下の寸法を十分制御し
てパターン形成することが必要となってきており、この
ためリソグラフィ手段として光学的方法から電子ビーム
の直接描画力、法へと移行してきている。この電子ビー
ムリソグラフィにおいては、電子ビームに感応する、例
えば、ＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）等の電
子ビームレジストがもちいられ、現像プロセスをへて、
パターン形成されていた。
ンの微細化が要求され、１μｍ以下の寸法を十分制御し
てパターン形成することが必要となってきており、この
ためリソグラフィ手段として光学的方法から電子ビーム
の直接描画力、法へと移行してきている。この電子ビー
ムリソグラフィにおいては、電子ビームに感応する、例
えば、ＰＭＭＡ （ポリメチルメタクリレート）等の電
子ビームレジストがもちいられ、現像プロセスをへて、
パターン形成されていた。
しかし、これらの電子ビーム用レジストを用いて実際に
集積回路等で使われるパターンを形成する場合に、近接
効果が大きな問題となっていた。
集積回路等で使われるパターンを形成する場合に、近接
効果が大きな問題となっていた。
すなわち、電子ビームが照射されると、主に基板表面で
発生した二次電子がレジスト中で散乱されるため、近接
したパターンの大小によって入射された領域のレジスト
感度が変化するという近接効果と呼ばれる現象が生じ、
この効果がパターンの微細化と共に、顕著となり制御性
や鮮明度に支障をきたしていた。以上述べたように、従
来の電子ビームリソグラフィ技術では、現象プロセスが
あるため、工程が長く、パターン精度に問題があっな。
発生した二次電子がレジスト中で散乱されるため、近接
したパターンの大小によって入射された領域のレジスト
感度が変化するという近接効果と呼ばれる現象が生じ、
この効果がパターンの微細化と共に、顕著となり制御性
や鮮明度に支障をきたしていた。以上述べたように、従
来の電子ビームリソグラフィ技術では、現象プロセスが
あるため、工程が長く、パターン精度に問題があっな。
本発明は、上述の問題点を解決し、製造工程の簡略化、
パターン精度の向上を図ることを目的とし、Ｊ、Ｗ、Ｃ
ｏｂｕｒｎ等によって見いだされた電子ビームアシスト
エツチング効果（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈ５’、５０，３１
８９゜（１９７９））を微細加工技術に適用して近接効
果のない電子ビーム直接微細加工技術を提供するもので
ある。
パターン精度の向上を図ることを目的とし、Ｊ、Ｗ、Ｃ
ｏｂｕｒｎ等によって見いだされた電子ビームアシスト
エツチング効果（Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈ５’、５０，３１
８９゜（１９７９））を微細加工技術に適用して近接効
果のない電子ビーム直接微細加工技術を提供するもので
ある。
本発明は、反応性ガス雰囲気中におかれたレジストに対
して、集束された電子ビームを照射することにより、レ
ジストを直接パターニングするパターン形成方法である
。
して、集束された電子ビームを照射することにより、レ
ジストを直接パターニングするパターン形成方法である
。
以下、本発明についてその一実施例を図面を参照して説
明する。第１図は本実施例に用いる電子ビームエツチン
グ装置の概略図である。本装置は主に、電子ビーム照射
系１１０．試料室１０８゜副試料室１０６及び反応性ガ
ス材料収納室１０１とから構成されている。電子ビーム
照射系１１０は主に電子銃１１１と集束レンズ１０９か
ら構成されている。本実施例においては、ＸｅＦ２を反
応ガスとして用い、集束された電子ビーム照射によりＰ
ＭＭＡレジストを直接加工した。ＸｅＦ２１０２を反応
性ガス材料収納室１０１に入れ、ＰＭＭＡレジストを塗
布したＳｔ基板１０５を試料台１０４にセットする。電
子ビーム照射系１１０と試料室１０８を１０づＴｏｒｒ
程度以上の高真空に排気する。副試料室１０６に設置さ
れたピンホール１０７は副試料室１０６内部と外部との
気圧差を保つためと電子ビーム１１２を基板１０５上に
照射するための通路として設けられている。副試料室１
０６と反応性ガス材料収納室１０１とは配管１０３によ
り、ピンホール１０７を通して、副試料室内部および反
応ガス材料収納室１０１内部が真空排気される。反応ガ
ス材料ＸｅＦ２は大気中では固体であるが真空に引くこ
とにより、容易に気化し、配管１０３を通り、副試料室
１０６が反応性ガスであるＸｅＦ２で充満される。ビン
ポールを通って集束された電子ビーム１１２がＰＭＭＡ
レジスト塗布基板１０５に照射され、照射された場所が
エツチングされる。
明する。第１図は本実施例に用いる電子ビームエツチン
グ装置の概略図である。本装置は主に、電子ビーム照射
系１１０．試料室１０８゜副試料室１０６及び反応性ガ
ス材料収納室１０１とから構成されている。電子ビーム
照射系１１０は主に電子銃１１１と集束レンズ１０９か
ら構成されている。本実施例においては、ＸｅＦ２を反
応ガスとして用い、集束された電子ビーム照射によりＰ
ＭＭＡレジストを直接加工した。ＸｅＦ２１０２を反応
性ガス材料収納室１０１に入れ、ＰＭＭＡレジストを塗
布したＳｔ基板１０５を試料台１０４にセットする。電
子ビーム照射系１１０と試料室１０８を１０づＴｏｒｒ
程度以上の高真空に排気する。副試料室１０６に設置さ
れたピンホール１０７は副試料室１０６内部と外部との
気圧差を保つためと電子ビーム１１２を基板１０５上に
照射するための通路として設けられている。副試料室１
０６と反応性ガス材料収納室１０１とは配管１０３によ
り、ピンホール１０７を通して、副試料室内部および反
応ガス材料収納室１０１内部が真空排気される。反応ガ
ス材料ＸｅＦ２は大気中では固体であるが真空に引くこ
とにより、容易に気化し、配管１０３を通り、副試料室
１０６が反応性ガスであるＸｅＦ２で充満される。ビン
ポールを通って集束された電子ビーム１１２がＰＭＭＡ
レジスト塗布基板１０５に照射され、照射された場所が
エツチングされる。
第２図は電子ビーム照射量に対するレジストのエツチン
グ深さの測定データの一例を示している。照射量を制御
すれば、エツチング深さを制御できることがわかる。ま
た、エツチング幅の制御、電子ビームの照射量や電子ビ
ーム照射系の制御は、電子ビーム露光等で蓄積された技
術を用いればよい。
グ深さの測定データの一例を示している。照射量を制御
すれば、エツチング深さを制御できることがわかる。ま
た、エツチング幅の制御、電子ビームの照射量や電子ビ
ーム照射系の制御は、電子ビーム露光等で蓄積された技
術を用いればよい。
本実施例ではレジストとしてＰＭＭＡを用いたが加工対
象としてはこれに限らず、ノボラックレジスト等の他の
レジストやポリイミド等の有機薄膜に対しても同様の効
果がある。
象としてはこれに限らず、ノボラックレジスト等の他の
レジストやポリイミド等の有機薄膜に対しても同様の効
果がある。
本発明は以上説明した様に、反応ガス雰囲気ガス中にお
いてレジスト塗布基板に集束された電子ビームを照射す
ることによりレジストを直後パターニングでき、従来の
現像プロセスを介する方法と比べて工程が簡略化され、
また、高精度パターニングが実現される。
いてレジスト塗布基板に集束された電子ビームを照射す
ることによりレジストを直後パターニングでき、従来の
現像プロセスを介する方法と比べて工程が簡略化され、
また、高精度パターニングが実現される。
第１図は本発明の実施例で用いた装置の概略図。第２図
は第１図で示した実施例の実験データを示す図。 １０１・・・反応ガス材料収納室、１０２・・・反応ガ
ス材料、１０３・・・反応性ガス材料収納室と副試料室
とを持続する配管、１０４・・・試料台、１０５・・・
レジスト塗布基板、１０６・・・副試料室、１０７・・
・ピンホール、１０８・・・試料室、１０９・・・集束
レンズ、１１０・・・電子ビーム照射系、１１１・・・
電子銃。
は第１図で示した実施例の実験データを示す図。 １０１・・・反応ガス材料収納室、１０２・・・反応ガ
ス材料、１０３・・・反応性ガス材料収納室と副試料室
とを持続する配管、１０４・・・試料台、１０５・・・
レジスト塗布基板、１０６・・・副試料室、１０７・・
・ピンホール、１０８・・・試料室、１０９・・・集束
レンズ、１１０・・・電子ビーム照射系、１１１・・・
電子銃。
Claims (1)
- 反応性ガス雰囲気中におかれたレジスト塗布基板に対し
て、集束された電子ビームを所望の部分に照射すること
により、前記レジストを直接パターニングすることを特
徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2798589A JP2830007B2 (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2798589A JP2830007B2 (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02206111A true JPH02206111A (ja) | 1990-08-15 |
| JP2830007B2 JP2830007B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=12236135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2798589A Expired - Lifetime JP2830007B2 (ja) | 1989-02-06 | 1989-02-06 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830007B2 (ja) |
-
1989
- 1989-02-06 JP JP2798589A patent/JP2830007B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830007B2 (ja) | 1998-12-02 |
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