JPH02201855A - ウィーンフィルタ - Google Patents
ウィーンフィルタInfo
- Publication number
- JPH02201855A JPH02201855A JP1019521A JP1952189A JPH02201855A JP H02201855 A JPH02201855 A JP H02201855A JP 1019521 A JP1019521 A JP 1019521A JP 1952189 A JP1952189 A JP 1952189A JP H02201855 A JPH02201855 A JP H02201855A
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- JP
- Japan
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- electrodes
- electrode
- potential
- pair
- wien filter
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- Pending
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- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は荷電粒子の質量分離を行なうウィーンフィル
タに関する。
タに関する。
(従来の技術)
従来、イオンビームを固体試料の表面に照射し、試料中
へのイオンのインプランテーションや試料表面の改質、
或いは試料表面の分析を行なうイオン照射システムにお
いては、照射するイオンの純度を上げるためイオンビー
ム輸送系にイオンの質量選別装置が用いられている。こ
れらのイオンのMffi選別装置は基本的にはイオンの
速度の選別装置であり、扇型の磁石(セクターマグネッ
ト)やウィーンフィルタ等が知られている。この中でウ
ィーンフィルタは構造が簡単でありイオンビームを曲げ
ずに使用できるため多くのイオン照射装置に用いられて
いる。ウィーンフィルタはEXB質吊分離器とも呼ばれ
、直交する均一静電界と均−磁界とによりイオンの速度
の分離を行なうものである。
へのイオンのインプランテーションや試料表面の改質、
或いは試料表面の分析を行なうイオン照射システムにお
いては、照射するイオンの純度を上げるためイオンビー
ム輸送系にイオンの質量選別装置が用いられている。こ
れらのイオンのMffi選別装置は基本的にはイオンの
速度の選別装置であり、扇型の磁石(セクターマグネッ
ト)やウィーンフィルタ等が知られている。この中でウ
ィーンフィルタは構造が簡単でありイオンビームを曲げ
ずに使用できるため多くのイオン照射装置に用いられて
いる。ウィーンフィルタはEXB質吊分離器とも呼ばれ
、直交する均一静電界と均−磁界とによりイオンの速度
の分離を行なうものである。
このウィーンフィルタは第3図のように、入射してくる
イオンの運動方向1に垂直な磁束2を形成する磁極3と
、磁束2及びイオンの運動方向1に垂直な電界4を与え
る電極5a 、5bとにより構成されている。
イオンの運動方向1に垂直な磁束2を形成する磁極3と
、磁束2及びイオンの運動方向1に垂直な電界4を与え
る電極5a 、5bとにより構成されている。
このようなウィーンフィルタに速度Voのイオンが入射
したとき、電場の強さをE、!1重密度を8とするとき
、Vo=E/Bの条件を満足する速度のイオンは何の偏
向も受けずに電極5a、5bと磁極3とで囲まれた空間
内を直進するが、V。
したとき、電場の強さをE、!1重密度を8とするとき
、Vo=E/Bの条件を満足する速度のイオンは何の偏
向も受けずに電極5a、5bと磁極3とで囲まれた空間
内を直進するが、V。
以外の速度のイオンは第3図の電界4方向に曲げられる
ためにイオンの速度選別が行なわれる。このときイオン
源から出たイオン等、エネルギが一定のイオンの場合に
はイオンの質量が選別されることになる。
ためにイオンの速度選別が行なわれる。このときイオン
源から出たイオン等、エネルギが一定のイオンの場合に
はイオンの質量が選別されることになる。
ところで、ウィーンフィルタを構成する一対の磁極3は
金属材で構成されており、電極5a及び5bの中間電位
或いは0電位に保持されている。
金属材で構成されており、電極5a及び5bの中間電位
或いは0電位に保持されている。
このためウィーンフィルタ空間内の等電位線6は第4図
に示すように湾曲して乱れた状態となり、磁極3及び電
M5a 、5bで囲まれた空間内には電極5a、5bの
上下中央では磁束2及びイオンの運動方向1に垂直な電
界を与えるが、磁81i3側ではM極5a、5bから@
極3側へ至る電界が形成され、ウィーンフィルタに必要
な均一静電界という条件から外れ、ウィーンフィルタの
質量分解能が低下することになる。
に示すように湾曲して乱れた状態となり、磁極3及び電
M5a 、5bで囲まれた空間内には電極5a、5bの
上下中央では磁束2及びイオンの運動方向1に垂直な電
界を与えるが、磁81i3側ではM極5a、5bから@
極3側へ至る電界が形成され、ウィーンフィルタに必要
な均一静電界という条件から外れ、ウィーンフィルタの
質量分解能が低下することになる。
またこれを避けるためにWM5a 、5bを第5図に示
すように変形させて−様な電界を形成することもできる
。しかしながらこのように電i58 。
すように変形させて−様な電界を形成することもできる
。しかしながらこのように電i58 。
5bを変形させると−様な電界が形成される部分が減少
してしまい、ウィーンフィルタ内の空間を有効に利用す
ることができず装置が大型化する恐れがあった。
してしまい、ウィーンフィルタ内の空間を有効に利用す
ることができず装置が大型化する恐れがあった。
(発明が解決しようとする課題)
このように従来のウィーンフィルタにあっては、磁極が
金属材で構成され、一対の電極の中間電位或いはON位
に保持されているため磁極及び電極で囲まれる空間内の
等電位線は非常に乱れた状態となり、均一静電界という
条件から外れたものとなってウィーンフィルタの質量分
解能が低下するものとなっていた。またこれを避けるた
めにmAを変形させる場合にはウィーンフィルタ内の空
間を有効に利用することができず、装置の大型化を沼く
恐れがあった。
金属材で構成され、一対の電極の中間電位或いはON位
に保持されているため磁極及び電極で囲まれる空間内の
等電位線は非常に乱れた状態となり、均一静電界という
条件から外れたものとなってウィーンフィルタの質量分
解能が低下するものとなっていた。またこれを避けるた
めにmAを変形させる場合にはウィーンフィルタ内の空
間を有効に利用することができず、装置の大型化を沼く
恐れがあった。
そこでこの発明は小型化を図りながら分解能を向上させ
ることが可能なウィーンフィルタの提供を目的とする。
ることが可能なウィーンフィルタの提供を目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するためにこの発明は、電界を形成する
一対の電極と、前記電界に交叉する磁界を形成する一対
のta極とを有し、首記電極と磁極とで囲まれた空間内
に荷電粒子を入射させ、静電場及び磁場による偏向作用
によって荷電粒子の質量分離を行なうウィーンフィルタ
において一前記一対の電極間に第2の電極を交叉配置し
、この第2の電極の抵抗値を前記一対の電極間の電位勾
配に対応して変化させる構成とした。
一対の電極と、前記電界に交叉する磁界を形成する一対
のta極とを有し、首記電極と磁極とで囲まれた空間内
に荷電粒子を入射させ、静電場及び磁場による偏向作用
によって荷電粒子の質量分離を行なうウィーンフィルタ
において一前記一対の電極間に第2の電極を交叉配置し
、この第2の電極の抵抗値を前記一対の電極間の電位勾
配に対応して変化させる構成とした。
(作用)
電界を形成する一対の電極間に配した第2の電極の抵抗
値が一対の゛電極間の電位勾配に対応して変化している
ため、一対の電極間に方々平行な等電位線が形成され均
一静電界を得ることができる。
値が一対の゛電極間の電位勾配に対応して変化している
ため、一対の電極間に方々平行な等電位線が形成され均
一静電界を得ることができる。
(実施例)
以下この発明の詳細な説明する。尚第3図と同一構成部
分には同一符号を付して重複した説明は省略する。
分には同一符号を付して重複した説明は省略する。
この実施例のウィーンフィルタでは一対の電極5a 、
5b間に第2の電極7を交叉配置している。
5b間に第2の電極7を交叉配置している。
即ちこの第2の電極7は、第2図に示すようにアルミナ
等で成形された絶縁性の基板8の表面全体にコーティン
グや接着等によって導電材層9が構成されている。この
導電材層9は第2の電極7の幅方向の一側(第2図の右
側)から他側(同左側)へ抵抗値が10−5Ωcmから
102ΩC1′llとなるように変化させている。そし
てこの第2の電極7は一対の電極5a 、5b間の!1
極3側においてその端面が画電極5a、5bに接触する
ように構成されている。そして電極5a側をプラス、同
5b側をマイナスとした場合用2の電極7の抵抗値の太
きい側の端面が電極5a側に、同小さい側の端面が電極
5b側に接触する構成となっている。従って第2の電極
7の抵抗値は一対の電極5a 、5b間の電位勾配に対
応して変化させた構成となっている。また、第2の電極
7の抵抗値は一対の電極間の電位勾配方向に直線的に変
化するように構成されている。
等で成形された絶縁性の基板8の表面全体にコーティン
グや接着等によって導電材層9が構成されている。この
導電材層9は第2の電極7の幅方向の一側(第2図の右
側)から他側(同左側)へ抵抗値が10−5Ωcmから
102ΩC1′llとなるように変化させている。そし
てこの第2の電極7は一対の電極5a 、5b間の!1
極3側においてその端面が画電極5a、5bに接触する
ように構成されている。そして電極5a側をプラス、同
5b側をマイナスとした場合用2の電極7の抵抗値の太
きい側の端面が電極5a側に、同小さい側の端面が電極
5b側に接触する構成となっている。従って第2の電極
7の抵抗値は一対の電極5a 、5b間の電位勾配に対
応して変化させた構成となっている。また、第2の電極
7の抵抗値は一対の電極間の電位勾配方向に直線的に変
化するように構成されている。
次に作用を説明する。
N極5a、5bに印加された電圧が第2の電極7に接触
することにより第2の電極7の導電材層9の両端に電圧
が印加されることになる。このことにより導電材層9、
即ち第2の電極7の表面電位は第1図中左右方向へ直線
的に変化したものとなる。従っTIJi5a に+V(
1)’R位を′i11wA5bにVの電位を印加して質
i分離を行なうときにウィーンフィルタ内の電位分布は
第2の電極7の表面電位の変化によって一様にすること
ができる。
することにより第2の電極7の導電材層9の両端に電圧
が印加されることになる。このことにより導電材層9、
即ち第2の電極7の表面電位は第1図中左右方向へ直線
的に変化したものとなる。従っTIJi5a に+V(
1)’R位を′i11wA5bにVの電位を印加して質
i分離を行なうときにウィーンフィルタ内の電位分布は
第2の電極7の表面電位の変化によって一様にすること
ができる。
この結果ウィーンフィルタ内の空間の等電位線6は第1
図のようになる。このため電極5a、5bによって与え
られる電界は電極5a、5b間を第1図の左右方向に渡
る均一なものとなり、その全てが磁極3によって形成さ
れる磁束2及びイオンの運動方向1に垂直な均一静電界
となる。このため磁極3及び電極5a 、5bによって
囲まれる空間を有効に利用することができ、ウィーンフ
ィルタの小型化を図りながら貝母分解能を向上させるこ
とができる。
図のようになる。このため電極5a、5bによって与え
られる電界は電極5a、5b間を第1図の左右方向に渡
る均一なものとなり、その全てが磁極3によって形成さ
れる磁束2及びイオンの運動方向1に垂直な均一静電界
となる。このため磁極3及び電極5a 、5bによって
囲まれる空間を有効に利用することができ、ウィーンフ
ィルタの小型化を図りながら貝母分解能を向上させるこ
とができる。
尚この発明は上記実施例に限定されるものではない。例
えば第2の電極7への電位の印加方法として電極5a
、5bとの接触によって行なうほか、別の電圧源を用い
て印加するようにしてもよい。
えば第2の電極7への電位の印加方法として電極5a
、5bとの接触によって行なうほか、別の電圧源を用い
て印加するようにしてもよい。
また導電材H9は基板8の表裏両面全体に設ける必要は
なく画電極5a、5bによって囲まれる空間側の表面電
位を変化させればよく、−面に設けるようなものでもよ
い。
なく画電極5a、5bによって囲まれる空間側の表面電
位を変化させればよく、−面に設けるようなものでもよ
い。
[発明の効果コ
以上より明らかなようにこの発明の構成によれば、第2
の電極の抵抗値を一対の電極間の電位勾配に対応して変
化させたため、第2の電極の表面電位が両電極間で変化
し、均一な等電位線を構成することができる。このため
均一静電界を得ることができ、ウィーンフィルタ内の空
間を有効に利用して装置の小型化を図ることができると
共に貝母分解能を向上させることができる。
の電極の抵抗値を一対の電極間の電位勾配に対応して変
化させたため、第2の電極の表面電位が両電極間で変化
し、均一な等電位線を構成することができる。このため
均一静電界を得ることができ、ウィーンフィルタ内の空
間を有効に利用して装置の小型化を図ることができると
共に貝母分解能を向上させることができる。
第1図はこの発明の実施例に係るウィーンフィルタの断
面図、第2図は第2の電極板の断面図、第3図は従来の
ウィーンフィルタの概念図、第4図、第5図は同電位分
布を示す説明図である。 3・・・電極 5a、5b・・・電極 7・・・第2の電極 8・・・基板 9・・・導電材m
面図、第2図は第2の電極板の断面図、第3図は従来の
ウィーンフィルタの概念図、第4図、第5図は同電位分
布を示す説明図である。 3・・・電極 5a、5b・・・電極 7・・・第2の電極 8・・・基板 9・・・導電材m
Claims (2)
- (1)電界を形成する一対の電極と、前記電界に交叉す
る磁界を形成する一対の磁極とを有し、前記電極と磁極
とで囲まれた空間内に荷電粒子を入射させ、静電場及び
磁場による偏向作用によつて荷電粒子の質量分離を行な
うウィーンフィルタにおいて、前記一対の電極間に第2
の電極を交叉配置し、この第2の電極の抵抗値を前記一
対の電極間の電位勾配に対応して変化させたことを特徴
とするウィーンフィルタ。 - (2)前記第2の電極は、絶縁性の基板の表面に電気抵
抗が10^−^5Ωcmから10^2Ωcmの材料を被
覆したものであることを特徴とする請求項1記載のウィ
ーンフィルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1019521A JPH02201855A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | ウィーンフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1019521A JPH02201855A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | ウィーンフィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02201855A true JPH02201855A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12001647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1019521A Pending JPH02201855A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | ウィーンフィルタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02201855A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5189303A (en) * | 1991-07-23 | 1993-02-23 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion source having a mass separation device |
JP2002190273A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Anelva Corp | 電磁界重畳セクター型質量分析装置 |
JP2012227140A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Fei Co | 大開口のウィーンe×b質量フィルタ本発明は、荷電粒子ビームシステムに関し、特に、イオンビームシステムのための質量フィルタに関する。 |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1019521A patent/JPH02201855A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5189303A (en) * | 1991-07-23 | 1993-02-23 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion source having a mass separation device |
JP2002190273A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-05 | Anelva Corp | 電磁界重畳セクター型質量分析装置 |
JP2012227140A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Fei Co | 大開口のウィーンe×b質量フィルタ本発明は、荷電粒子ビームシステムに関し、特に、イオンビームシステムのための質量フィルタに関する。 |
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