JPH02201848A - カラー受像管装置 - Google Patents
カラー受像管装置Info
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- JPH02201848A JPH02201848A JP2056089A JP2056089A JPH02201848A JP H02201848 A JPH02201848 A JP H02201848A JP 2056089 A JP2056089 A JP 2056089A JP 2056089 A JP2056089 A JP 2056089A JP H02201848 A JPH02201848 A JP H02201848A
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- magnetic field
- beams
- control element
- field control
- electron
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
この発明は、電子銃から放出される同一平面上を通るセ
ンタービームおよび一対のサイドビームからなる3電子
ビームを偏向ヨークの発生する非斉一磁界により集中さ
せるセルフコンバーゼンス方式インライン型カラー受像
管装置に係り、特にセンタービームの描くラスターと一
対のサイドビームの描くラスターとを一致させる磁界制
御素子を有するカラー受像管装置に関する。
ンタービームおよび一対のサイドビームからなる3電子
ビームを偏向ヨークの発生する非斉一磁界により集中さ
せるセルフコンバーゼンス方式インライン型カラー受像
管装置に係り、特にセンタービームの描くラスターと一
対のサイドビームの描くラスターとを一致させる磁界制
御素子を有するカラー受像管装置に関する。
(従来の技術)
一般に、インライン型カラー受像管装置は、同一水平面
上を通るセンタービームおよび一対のサイドビームから
なる一列配置の3電子ビームを放出する電子銃を有し、
この電子銃から放出された3電子ビームを外囲器外側に
装着された偏向ヨークの発生する水平偏向磁界および垂
直偏向磁界により偏向して、3色蛍光体層からなる蛍光
体スクリーンを走査することにより、この蛍光体スクリ
ーン上にカラー画像を表示する構造に形成されている。
上を通るセンタービームおよび一対のサイドビームから
なる一列配置の3電子ビームを放出する電子銃を有し、
この電子銃から放出された3電子ビームを外囲器外側に
装着された偏向ヨークの発生する水平偏向磁界および垂
直偏向磁界により偏向して、3色蛍光体層からなる蛍光
体スクリーンを走査することにより、この蛍光体スクリ
ーン上にカラー画像を表示する構造に形成されている。
特にこのインライン型カラー受像管装置においては、水
平偏向磁界をピンクッション形、垂直偏向磁界をバレル
形とする非斉一磁界とすることにより、格別の回路補正
を要することなく3電子ビームを自己集中(セルフコン
バーゼンス)させることができるという特徴がある。
平偏向磁界をピンクッション形、垂直偏向磁界をバレル
形とする非斉一磁界とすることにより、格別の回路補正
を要することなく3電子ビームを自己集中(セルフコン
バーゼンス)させることができるという特徴がある。
しかし、実際には、上記偏向ヨークの磁界を非斉一磁界
とするだけでは3電子ビームを十分に集中させることは
むづかしく集中誤差を生ずる。そのため、その集中誤差
を実用上間mとならない程度に小さくする手段として、
偏向ヨークの漏洩磁界の及ぶ領域、実際には第7図およ
び第8図に示すように、電子銃の蛍光体スクリーン側端
部に取付けられたコンバーゼンス・カップ(1)底部の
電子ビーム通過孔(2)周辺に高透磁率磁性部材からな
る磁界制御素子(3)を配置したものがある。このよう
に偏向ヨークの漏洩磁界の及ぶ領域に磁界制御素子(3
)を配置すると、3電子ビームの集中を補正して、第9
図に示すように、画面水平軸(X軸)および垂直軸(Y
軸)上におけるラスター (4B) 、 (4G) 、
(4R)を一致させることができる。しかし、上記磁
界制御素子(3)を用いても、なお画面コーナ一部では
、一対のサイドビームのラスター (4B) 、 (4
R)に対してセンタービームの垂直方向のラスター(4
G)は小さくなり、十分な一致が得られない。
とするだけでは3電子ビームを十分に集中させることは
むづかしく集中誤差を生ずる。そのため、その集中誤差
を実用上間mとならない程度に小さくする手段として、
偏向ヨークの漏洩磁界の及ぶ領域、実際には第7図およ
び第8図に示すように、電子銃の蛍光体スクリーン側端
部に取付けられたコンバーゼンス・カップ(1)底部の
電子ビーム通過孔(2)周辺に高透磁率磁性部材からな
る磁界制御素子(3)を配置したものがある。このよう
に偏向ヨークの漏洩磁界の及ぶ領域に磁界制御素子(3
)を配置すると、3電子ビームの集中を補正して、第9
図に示すように、画面水平軸(X軸)および垂直軸(Y
軸)上におけるラスター (4B) 、 (4G) 、
(4R)を一致させることができる。しかし、上記磁
界制御素子(3)を用いても、なお画面コーナ一部では
、一対のサイドビームのラスター (4B) 、 (4
R)に対してセンタービームの垂直方向のラスター(4
G)は小さくなり、十分な一致が得られない。
この画面コーナ一部におけるラスターの不一致を補正す
る手段として、特開昭[fO−238439号公報には
、第10図に示すように、磁界制御素子をサイドビーム
のラスターに対して相対的にセンタービームのラスター
を増大させるように各サイドビーム(5B) 、 (5
R)を取囲む第1磁界制御素子(3a)と、逆にサイド
ビームのラスターに対して相対的にセンタービームのラ
スターを縮小させるようにセンタービーム(5G)を取
囲む第2磁界制御素子(3b)とに分け、この第1およ
び第2磁界制御素子(3a)、(3b)を管軸に沿って
離して配置したものが示されている。しかし、この例の
第2磁界制御素子(3b)は、センタービーム(5G)
を取囲む円筒状に形成され、その側面が各サイドビーム
(5B) 、 (5R)に対して凸状となっているため
、第11図に示すように、垂直偏向の後部漏洩磁界がこ
の第2磁界制御素子(3b)に集中し、サイドビーム(
5B) 、 (5R)に対してより強いバレル形磁界(
6)を形成する。
る手段として、特開昭[fO−238439号公報には
、第10図に示すように、磁界制御素子をサイドビーム
のラスターに対して相対的にセンタービームのラスター
を増大させるように各サイドビーム(5B) 、 (5
R)を取囲む第1磁界制御素子(3a)と、逆にサイド
ビームのラスターに対して相対的にセンタービームのラ
スターを縮小させるようにセンタービーム(5G)を取
囲む第2磁界制御素子(3b)とに分け、この第1およ
び第2磁界制御素子(3a)、(3b)を管軸に沿って
離して配置したものが示されている。しかし、この例の
第2磁界制御素子(3b)は、センタービーム(5G)
を取囲む円筒状に形成され、その側面が各サイドビーム
(5B) 、 (5R)に対して凸状となっているため
、第11図に示すように、垂直偏向の後部漏洩磁界がこ
の第2磁界制御素子(3b)に集中し、サイドビーム(
5B) 、 (5R)に対してより強いバレル形磁界(
6)を形成する。
ところで、第12図に示すように、蛍光体スクリーン上
のビームスポット(7)については、偏向ヨークの発生
する水平および垂直偏向磁界が斉一磁界である場合は、
蛍光体スクリーン全面にわたりほぼ真円となるが、前記
のように偏向ヨークの磁界が非斉一磁界の場合は、第1
3図に示すように歪んだものとなる。すなわち、蛍光体
スクリーンの水平軸端部では、第14図に示すように、
ピンクッション形水平偏向磁界(8)により各電子ビー
ム(5B) 、 (5G) 、 (5R)は、上半分が
下方に、下半分が上方に押圧されるローレンツ力を受け
て、ビームスポット(7)は、第13図に示したように
水平軸方向を長袖とする横長の楕円状に歪む。また、垂
直軸端部では、第15図に示すように、バレル形垂直偏
向磁界(9)により各電子ビーム(5B) 、 (5G
) 、 (5R)は、右半分が右方に、左半分が左方に
押圧されるローレンツ力を受けて、ビームスポット(7
)は、水平軸方向を長軸とする横長の楕円状に歪む。特
に−対のサイドビーム(5B) 、 (5R)について
は、電子ビームの左右で受ける力の大きさ異なり、かつ
サイドビーム(5B)と(5R)とでは方向が逆向きと
なるため、互いに交差する方向に傾く。その結果、偏向
ヨークの磁界を非斉一磁界としたセルフコンバーゼンス
方式のインライン形カラー受像管装置は、上記ビームス
ポット(7)の変形や傾きにより、画面周辺部でのフォ
ーカス特性が劣化する。
のビームスポット(7)については、偏向ヨークの発生
する水平および垂直偏向磁界が斉一磁界である場合は、
蛍光体スクリーン全面にわたりほぼ真円となるが、前記
のように偏向ヨークの磁界が非斉一磁界の場合は、第1
3図に示すように歪んだものとなる。すなわち、蛍光体
スクリーンの水平軸端部では、第14図に示すように、
ピンクッション形水平偏向磁界(8)により各電子ビー
ム(5B) 、 (5G) 、 (5R)は、上半分が
下方に、下半分が上方に押圧されるローレンツ力を受け
て、ビームスポット(7)は、第13図に示したように
水平軸方向を長袖とする横長の楕円状に歪む。また、垂
直軸端部では、第15図に示すように、バレル形垂直偏
向磁界(9)により各電子ビーム(5B) 、 (5G
) 、 (5R)は、右半分が右方に、左半分が左方に
押圧されるローレンツ力を受けて、ビームスポット(7
)は、水平軸方向を長軸とする横長の楕円状に歪む。特
に−対のサイドビーム(5B) 、 (5R)について
は、電子ビームの左右で受ける力の大きさ異なり、かつ
サイドビーム(5B)と(5R)とでは方向が逆向きと
なるため、互いに交差する方向に傾く。その結果、偏向
ヨークの磁界を非斉一磁界としたセルフコンバーゼンス
方式のインライン形カラー受像管装置は、上記ビームス
ポット(7)の変形や傾きにより、画面周辺部でのフォ
ーカス特性が劣化する。
しかも、前述した第1および第2磁界制御素子(3a)
、 (3b)を配置したカラー受像管装置では、第2
磁界制御素子(3b)が垂直偏向の後部漏洩磁界を集中
して形成する強いバレル形磁界が一対のサイドビームに
作用するため、画面の垂直軸端部でのサイドビームのス
ポット形状の劣化が助長され、画面周辺部でのフォーカ
ス特性がいちじるしく劣化する。
、 (3b)を配置したカラー受像管装置では、第2
磁界制御素子(3b)が垂直偏向の後部漏洩磁界を集中
して形成する強いバレル形磁界が一対のサイドビームに
作用するため、画面の垂直軸端部でのサイドビームのス
ポット形状の劣化が助長され、画面周辺部でのフォーカ
ス特性がいちじるしく劣化する。
(発明が解決しようとする課題)
上記のように同一水平面上を通る一列配置の3電子ビー
ムを放出する電子銃を有するインライン型カラー受像管
装置では、3電子ビームのラスターを一致させるために
、偏向ヨークの水平偏向磁界をピンクッション形、垂直
偏向磁界をバレル形としている。しかし、このように偏
向磁界を非斉一磁界とすると、蛍光体スクリーン周辺部
でのビームスポットが歪み、フォーカス特性が劣化する
。
ムを放出する電子銃を有するインライン型カラー受像管
装置では、3電子ビームのラスターを一致させるために
、偏向ヨークの水平偏向磁界をピンクッション形、垂直
偏向磁界をバレル形としている。しかし、このように偏
向磁界を非斉一磁界とすると、蛍光体スクリーン周辺部
でのビームスポットが歪み、フォーカス特性が劣化する
。
さらに、このインライン型カラー受像管装置において、
画面全面で3電子ビームのラスターをより良好に一致さ
せるために、サイドビームのラスターに対して相対的に
センタービームのラスターを増大させる第1磁界制御素
子と、逆にサイドビームのラスターに対して相対的にセ
ンタービームのラスターを縮小させる第2磁界制御素子
とを管軸に沿って離して配置したものがあるが、この従
来の第2磁界制御素子は、センタービームを取囲む円筒
状に形成され、その側面が一対のサイドビームに対して
凸状となっているため、垂直偏向の後部漏洩磁界を集中
して一対のサイドビームに対して強いバレル形磁界を形
成する。そのため、−対のサイドビームのスポット形状
の歪みを助長し、画面周辺部でのフォーカス特性をいち
じるしく劣化させるという問題がある。
画面全面で3電子ビームのラスターをより良好に一致さ
せるために、サイドビームのラスターに対して相対的に
センタービームのラスターを増大させる第1磁界制御素
子と、逆にサイドビームのラスターに対して相対的にセ
ンタービームのラスターを縮小させる第2磁界制御素子
とを管軸に沿って離して配置したものがあるが、この従
来の第2磁界制御素子は、センタービームを取囲む円筒
状に形成され、その側面が一対のサイドビームに対して
凸状となっているため、垂直偏向の後部漏洩磁界を集中
して一対のサイドビームに対して強いバレル形磁界を形
成する。そのため、−対のサイドビームのスポット形状
の歪みを助長し、画面周辺部でのフォーカス特性をいち
じるしく劣化させるという問題がある。
この発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
であり、第2磁界制御素子によるサイドビームへのバレ
ル形磁界の形成を阻止し、かつ3電子ビームの配列方向
と直交する方向に偏向する偏向ヨークのバレル形磁界に
よるビームスポットの歪みを補正して、良好なフォーカ
ス特性をもつカラー受像管を得ることを目的とする。
であり、第2磁界制御素子によるサイドビームへのバレ
ル形磁界の形成を阻止し、かつ3電子ビームの配列方向
と直交する方向に偏向する偏向ヨークのバレル形磁界に
よるビームスポットの歪みを補正して、良好なフォーカ
ス特性をもつカラー受像管を得ることを目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
同一平面上を通るセンタービームおよび一対のサイドビ
ームからなる一列配置の3電子ビームを放出する電子銃
と、この電子銃から放出される電子ビームを上記3電子
ビームの配列方向に偏向するピンクッション形偏向磁界
を発生するとともに、上記3電子ビームの配列方向と直
交する方向に偏向するバレル形偏向磁界を発生する偏向
ヨークと、上記偏向ヨークの偏向磁界が及ぶ領域に配置
され、上記3電子ビームの描くラスターを一致させるた
めの高透磁率磁性部材からなる磁界制御素子とを備える
カラー受像管装置において、上記磁界制御素子を一対の
サイドビームの描くラスターに対して相対的にセンター
ビームの描くラスターを増大させる第1磁界制御素子と
、一対のサイドビームの描くラスターに対して相対的に
センタービームの描くラスターを縮小させる第2磁界制
御素子とで構成して、これら第1および第2磁界制御素
子を管軸方向に離して配置し、その第2磁界制御素子を
センタービームの通過領域を取囲み、各サイドビームと
対向する側面が凹状をなす形状に形成した。
ームからなる一列配置の3電子ビームを放出する電子銃
と、この電子銃から放出される電子ビームを上記3電子
ビームの配列方向に偏向するピンクッション形偏向磁界
を発生するとともに、上記3電子ビームの配列方向と直
交する方向に偏向するバレル形偏向磁界を発生する偏向
ヨークと、上記偏向ヨークの偏向磁界が及ぶ領域に配置
され、上記3電子ビームの描くラスターを一致させるた
めの高透磁率磁性部材からなる磁界制御素子とを備える
カラー受像管装置において、上記磁界制御素子を一対の
サイドビームの描くラスターに対して相対的にセンター
ビームの描くラスターを増大させる第1磁界制御素子と
、一対のサイドビームの描くラスターに対して相対的に
センタービームの描くラスターを縮小させる第2磁界制
御素子とで構成して、これら第1および第2磁界制御素
子を管軸方向に離して配置し、その第2磁界制御素子を
センタービームの通過領域を取囲み、各サイドビームと
対向する側面が凹状をなす形状に形成した。
(作 用)
上記のように偏向ヨークの偏向磁界が及ぶ領域にセンタ
ービームの通過領域を取囲みかつサイドビームと対向す
る側面が凹状をなす第2磁界制御素子を配置すると、こ
の第2磁界制御素子に集中する偏向ヨークのバレル形偏
向磁界を一対のサイドビームに対してピンクッション形
とし、各サイドビームに画面の垂直軸方向を長軸とする
縦長のビームスポットにするローレンツ力を及ぼす。し
たがって、偏向ヨークの形成するバレル形偏向磁界が一
対のサイドビームに及ぼすローレンツ力とは逆向きのロ
ーレンツ力を一対のサイドビームに加えることができ、
従来画面垂直軸端部で一対のサイドビームのビームスポ
ットが互いに交差する方向に傾き、かつ第2磁界制御素
子の側面が一対のサイドビームに対して凸状をなすため
に助長された一対のサイドビームのスポット形状の歪み
を補正し、画面周辺部のフォーカス特性を向上させるこ
とができる。
ービームの通過領域を取囲みかつサイドビームと対向す
る側面が凹状をなす第2磁界制御素子を配置すると、こ
の第2磁界制御素子に集中する偏向ヨークのバレル形偏
向磁界を一対のサイドビームに対してピンクッション形
とし、各サイドビームに画面の垂直軸方向を長軸とする
縦長のビームスポットにするローレンツ力を及ぼす。し
たがって、偏向ヨークの形成するバレル形偏向磁界が一
対のサイドビームに及ぼすローレンツ力とは逆向きのロ
ーレンツ力を一対のサイドビームに加えることができ、
従来画面垂直軸端部で一対のサイドビームのビームスポ
ットが互いに交差する方向に傾き、かつ第2磁界制御素
子の側面が一対のサイドビームに対して凸状をなすため
に助長された一対のサイドビームのスポット形状の歪み
を補正し、画面周辺部のフォーカス特性を向上させるこ
とができる。
(実施例)
以下、図面を参照してこの発明を実施例に基づいて説明
する。
する。
第2図にこの発明の一実施例であるインライン形カラー
受像管装置の全体の構成を示す。このカラー受像管装置
は、パネル(lO)およびこのパネル(10)と一体の
ファンネル(11)からなる外囲器を有し、そのパネル
(10)内面に、青、緑、赤に発光する3色蛍光体層か
らなる蛍光体スクリーン(12)が形成され、この蛍光
体スクリーン(12)に対向して、その内側に多数の電
子ビーム通過孔の形成されたシャドウマスク(13)が
装着されている。また、ファンネル(11)のネック(
14)内に、管軸(Z軸)を含む水平面上を通るセンタ
ービーム(5G)および−対のサイドビーム(5B)
、 (5R)からなる−列配置の3電子ビームを放出す
る電子銃(15)が配設されている。この電子銃(15
)は、−列配置の3個の陰極と、この陰極に対して蛍光
体スクリーン(12)方向に順次配置され、上記各陰極
からの電子ビームを制御する複数個のグリッドからなる
。
受像管装置の全体の構成を示す。このカラー受像管装置
は、パネル(lO)およびこのパネル(10)と一体の
ファンネル(11)からなる外囲器を有し、そのパネル
(10)内面に、青、緑、赤に発光する3色蛍光体層か
らなる蛍光体スクリーン(12)が形成され、この蛍光
体スクリーン(12)に対向して、その内側に多数の電
子ビーム通過孔の形成されたシャドウマスク(13)が
装着されている。また、ファンネル(11)のネック(
14)内に、管軸(Z軸)を含む水平面上を通るセンタ
ービーム(5G)および−対のサイドビーム(5B)
、 (5R)からなる−列配置の3電子ビームを放出す
る電子銃(15)が配設されている。この電子銃(15
)は、−列配置の3個の陰極と、この陰極に対して蛍光
体スクリーン(12)方向に順次配置され、上記各陰極
からの電子ビームを制御する複数個のグリッドからなる
。
また、ファンネル(11)の外側には、上記電子銃(1
5)から放出された3電子ビームを水平方向に偏向する
ピンクッション形水平偏向磁界を発生する水平偏向コイ
ル(1B)と、上記3電子ビームを垂直方向に偏向する
バレル形垂直偏向磁界を発生する垂直偏向コイル(17
)とからなる偏向ヨーク(18)が装着されている。こ
の偏向ヨーク(18)は、電子銃(15)に接近して位
置し、その後部漏洩磁界は、電子銃(15)の蛍光体ス
クリーン(12)側の一部グリッドを横切る。
5)から放出された3電子ビームを水平方向に偏向する
ピンクッション形水平偏向磁界を発生する水平偏向コイ
ル(1B)と、上記3電子ビームを垂直方向に偏向する
バレル形垂直偏向磁界を発生する垂直偏向コイル(17
)とからなる偏向ヨーク(18)が装着されている。こ
の偏向ヨーク(18)は、電子銃(15)に接近して位
置し、その後部漏洩磁界は、電子銃(15)の蛍光体ス
クリーン(12)側の一部グリッドを横切る。
さらに、このカラー受像管装置には、第1図に示すよう
に、電子銃(15)の蛍光体スクリーン側端部グリッド
、すなわち図示例の6個のグリッドを備えるクラオード
ラポテンシャル電子銃では、その第6グリツド(G6)
に取付けられたコンバーゼンス・カップ(18)の底部
のサイドビーム通過孔(20B) 、 (20R)のま
わりにそれぞれ環状の第1磁界制御素子(21,a)が
取付けられている。また、このは、第5グリツド(G5
)が2個のカップ状電極を向き合せた4絹の筒状電極(
22a)〜(22d)と2個の板厚の厚い板状電極(2
3a) 、 (23b)との組合わせからなり、この第
5グリツド(G5〉を構成する筒状電極(22a) 、
(22b)の隣接した3個のカップ状電極のセンター
ビーム通過孔(24G)のまわりにそれぞれ第2磁界制
御素子(21b)が取付けられている。この第2磁界制
御素子(21b)は、第3図に示すように、サイドビー
ム通過孔(24B) 、 (2412)と対向する側面
が凹状をなすほぼ矩形環状に形成されている。
に、電子銃(15)の蛍光体スクリーン側端部グリッド
、すなわち図示例の6個のグリッドを備えるクラオード
ラポテンシャル電子銃では、その第6グリツド(G6)
に取付けられたコンバーゼンス・カップ(18)の底部
のサイドビーム通過孔(20B) 、 (20R)のま
わりにそれぞれ環状の第1磁界制御素子(21,a)が
取付けられている。また、このは、第5グリツド(G5
)が2個のカップ状電極を向き合せた4絹の筒状電極(
22a)〜(22d)と2個の板厚の厚い板状電極(2
3a) 、 (23b)との組合わせからなり、この第
5グリツド(G5〉を構成する筒状電極(22a) 、
(22b)の隣接した3個のカップ状電極のセンター
ビーム通過孔(24G)のまわりにそれぞれ第2磁界制
御素子(21b)が取付けられている。この第2磁界制
御素子(21b)は、第3図に示すように、サイドビー
ム通過孔(24B) 、 (2412)と対向する側面
が凹状をなすほぼ矩形環状に形成されている。
ところで、上記のように偏向ヨーク(18)の後部漏洩
磁界が及ぶ電子銃(15)の電極に第1磁界制御素子(
21a)と第2磁界制御素子(21b)とを管軸方向に
離して配置すると、第10図に示した従来のカラー受像
管の場合と同様に、各サイドビーム(5B)。
磁界が及ぶ電子銃(15)の電極に第1磁界制御素子(
21a)と第2磁界制御素子(21b)とを管軸方向に
離して配置すると、第10図に示した従来のカラー受像
管の場合と同様に、各サイドビーム(5B)。
(5R)を取囲む第1磁界制御素子(21a)は、サイ
ドビーム(5B) 、 (5R)のラスターに対して相
対的にセンタービーム(5G)のラスターを増大させ、
逆にセンタービーム(5G)を取囲む第2磁界制御素子
(21b)は、サイドビーム(5B) 、 (5R)の
ラスターに対して相対的にセンタービーム(5G)のラ
スターを縮少させ、画面全面にわたりサイドビーム(5
B)。
ドビーム(5B) 、 (5R)のラスターに対して相
対的にセンタービーム(5G)のラスターを増大させ、
逆にセンタービーム(5G)を取囲む第2磁界制御素子
(21b)は、サイドビーム(5B) 、 (5R)の
ラスターに対して相対的にセンタービーム(5G)のラ
スターを縮少させ、画面全面にわたりサイドビーム(5
B)。
(5R)のラスターとセンタービーム(5G)のラスタ
ーとを良好に一致させることができる。
ーとを良好に一致させることができる。
しかも、この例の第2磁界制御素子(21b)は、サイ
ドビーム通過孔(24B) 、 (24R)と対向する
側面が凹状をなすので、第4図に示すように、偏向ヨー
クの垂直偏向後部漏洩磁界を集中してピンクッション形
磁界(2B)を形成し、これを一対のサイドビーム(5
B) 、 (5R)に及ぼす。したがって、偏向ヨーク
(18)のバレル形垂直偏向磁界が一対のサイドビーム
(5B) 、 (5R)に及ぼすローレンツ力とは逆向
きのローレンツ力を一対のサイドビーム(5B) 。
ドビーム通過孔(24B) 、 (24R)と対向する
側面が凹状をなすので、第4図に示すように、偏向ヨー
クの垂直偏向後部漏洩磁界を集中してピンクッション形
磁界(2B)を形成し、これを一対のサイドビーム(5
B) 、 (5R)に及ぼす。したがって、偏向ヨーク
(18)のバレル形垂直偏向磁界が一対のサイドビーム
(5B) 、 (5R)に及ぼすローレンツ力とは逆向
きのローレンツ力を一対のサイドビーム(5B) 。
(5R)に及ぼし、偏向ヨーク(18)の垂直偏向の主
磁界がバ1/ル形であるために生ずる画面垂直軸端にお
ける一対のサイドビーム(5B) 、 (5R)のスポ
ット形状の歪みを補正し、画面周辺部でのフォーカス特
性を向上させることができる。
磁界がバ1/ル形であるために生ずる画面垂直軸端にお
ける一対のサイドビーム(5B) 、 (5R)のスポ
ット形状の歪みを補正し、画面周辺部でのフォーカス特
性を向上させることができる。
つぎに、他の実施例について述べる。
上記実施例では、第2磁界制御素子のサイドビーム通過
孔と対向する側面を円弧からなる凹状に形成したが、そ
の形状は円弧に限定されるものではなく、第5図に示す
ようにサイドビーム通過孔(24B) 、 (24R)
と対向する側面(27)を楔形の凹状としてもよく、ま
た第6図に示すようにその側面(27)を中央に平坦部
をもつ楔形の凹状としてもよい。
孔と対向する側面を円弧からなる凹状に形成したが、そ
の形状は円弧に限定されるものではなく、第5図に示す
ようにサイドビーム通過孔(24B) 、 (24R)
と対向する側面(27)を楔形の凹状としてもよく、ま
た第6図に示すようにその側面(27)を中央に平坦部
をもつ楔形の凹状としてもよい。
また、上記実施例では、第2磁界制御素子をクラオード
ラポテンシャル電子銃の第5グリツドに3個設けたが、
この第2磁界制御素子は、第1磁界制御素子と管軸方向
に離して偏向ヨーク後部漏洩磁界の及ぶ領域に設ければ
よく、その取付は位置は、第5グリツドに限定されもの
ではない。また、その取付は数も3個に限定されるもの
ではない。さらに、この第2磁界制御素子は、独立の電
子銃構成部材として配置いることも可能である。
ラポテンシャル電子銃の第5グリツドに3個設けたが、
この第2磁界制御素子は、第1磁界制御素子と管軸方向
に離して偏向ヨーク後部漏洩磁界の及ぶ領域に設ければ
よく、その取付は位置は、第5グリツドに限定されもの
ではない。また、その取付は数も3個に限定されるもの
ではない。さらに、この第2磁界制御素子は、独立の電
子銃構成部材として配置いることも可能である。
さらに、上記実施例は、クラオードラポテンシャル型電
子銃を配設したインライン型カラー受像管について述べ
たが、この発明は、他の電子銃をもつインライン型カラ
ー受像管にも適用できる。
子銃を配設したインライン型カラー受像管について述べ
たが、この発明は、他の電子銃をもつインライン型カラ
ー受像管にも適用できる。
[発明の効果]
同一平面上を通る一列配置の3電子ビームを、その配列
方向に偏向するピンクッション形偏向磁界および上記配
列方向と直交する方向に偏向するバレル形偏向磁界とに
より偏向するカラー受像管において、上記偏向ヨークの
偏向磁界が及ぶ領域に、一対のサイドビームの描くラス
ターに対して相対的にセンタービームの描くラスターを
増大させる第1磁界制御素子と、一対のサイドビームの
描くラスターに対して相対的にセンタービームの描くラ
スターを縮小させる第2磁界制御素子とを管軸方向に離
して配置し、その第2磁界制御素子の各サイドビームと
対向する側面を凹状に形成すると、従来の第1および第
2磁界制御素子と同様に画面全面にわたり一対のサイド
ビームの描くラスターとセンタービームの描くラスター
とを一致させることができる。しかも、第2磁界制御素
子に集中する偏向ヨークのバレル形偏向磁界をピンクッ
ション形にして一対のサイドビームに及ぼし、偏向ヨー
クの形成する3電子ビームの配列方向と直交する方向の
偏向ヨークのバレル形偏向磁界が一対のサイドビームに
及ぼすローレンツ力とは逆向きのローレンツ力を一対の
サイドビームに加え、従来画面の3電子ビームの配列方
向と直交する軸端部での一対のサイドビームのスポット
形状の歪みを補正して、画面周辺部のフォーカス特性を
向上させることがとができる。
方向に偏向するピンクッション形偏向磁界および上記配
列方向と直交する方向に偏向するバレル形偏向磁界とに
より偏向するカラー受像管において、上記偏向ヨークの
偏向磁界が及ぶ領域に、一対のサイドビームの描くラス
ターに対して相対的にセンタービームの描くラスターを
増大させる第1磁界制御素子と、一対のサイドビームの
描くラスターに対して相対的にセンタービームの描くラ
スターを縮小させる第2磁界制御素子とを管軸方向に離
して配置し、その第2磁界制御素子の各サイドビームと
対向する側面を凹状に形成すると、従来の第1および第
2磁界制御素子と同様に画面全面にわたり一対のサイド
ビームの描くラスターとセンタービームの描くラスター
とを一致させることができる。しかも、第2磁界制御素
子に集中する偏向ヨークのバレル形偏向磁界をピンクッ
ション形にして一対のサイドビームに及ぼし、偏向ヨー
クの形成する3電子ビームの配列方向と直交する方向の
偏向ヨークのバレル形偏向磁界が一対のサイドビームに
及ぼすローレンツ力とは逆向きのローレンツ力を一対の
サイドビームに加え、従来画面の3電子ビームの配列方
向と直交する軸端部での一対のサイドビームのスポット
形状の歪みを補正して、画面周辺部のフォーカス特性を
向上させることがとができる。
第1図乃至第6図はこの発明の詳細な説明図で、第1図
(a)および(b)はそれぞれその一実施例であるイン
ライン型カラー受像管装置の電子銃への第1および第2
磁界制御素子の配置を示す図、第2図はカラー受像管装
置の全体の構成を示す図、第3図(a)および(b)は
それぞれ第2磁界制御素子の形状を示す平面図およびそ
の■−■線断面図、第4図はその第2磁界制御素子の作
用を説明するための図、第5図は他の実施例における第
2磁界制御素子の形状を示す平面図、第6図はさらに異
なる他の実施例における第2磁界制御素子の形状を示す
平面図、第7図乃至第15図は従来のインライン型カラ
ー受像管装置の説明図で、第7図その磁界制御素子の配
置および形状を示す図、第8図は異なる他の磁界制御素
子の配置および形状を示す図、第9図は上記磁界制御素
子を配置したカラー受像管のラスターの図、第10図は
管軸方向に離して配置された第1および第2磁界制御素
子を示す図、第11図はその第2磁界制御素子の作用を
説明するための図、第12図は偏向ヨークの磁界が斉一
磁界である場合のビームスポット形状を示す図、第13
図は偏向ヨークの磁界が非斉一磁界である場合のビーム
スポット形状を示す図、第14図は偏向ヨークのピンク
ッション型偏向磁界がサイドビームに及ぼす力を説明す
るための図、第15図は偏向ヨークのバレル型偏向磁界
がサイドビームに及ぼす力を説明するための図である。 5B、5R・・・一対のサイドビーム 5G・・・センタービーム 10・・・パネル11・
・・ファンネル 12・・・蛍光体スクリーン1
3・・・シャドウマスク 15・・・電子銃16・・
・水平偏向コイル 17・・・垂直偏向コイル 18・・・偏向ヨーク 19・・・コンバーゼンス−カップ 21a・・・第1磁界制御素子 21b・・・第2磁界制御素子 24B、24R・・・サイドビーム通過孔24G・・・
センタービーム通過孔 G5・・・第5グリツド G6・・・第6グリツド
(a)および(b)はそれぞれその一実施例であるイン
ライン型カラー受像管装置の電子銃への第1および第2
磁界制御素子の配置を示す図、第2図はカラー受像管装
置の全体の構成を示す図、第3図(a)および(b)は
それぞれ第2磁界制御素子の形状を示す平面図およびそ
の■−■線断面図、第4図はその第2磁界制御素子の作
用を説明するための図、第5図は他の実施例における第
2磁界制御素子の形状を示す平面図、第6図はさらに異
なる他の実施例における第2磁界制御素子の形状を示す
平面図、第7図乃至第15図は従来のインライン型カラ
ー受像管装置の説明図で、第7図その磁界制御素子の配
置および形状を示す図、第8図は異なる他の磁界制御素
子の配置および形状を示す図、第9図は上記磁界制御素
子を配置したカラー受像管のラスターの図、第10図は
管軸方向に離して配置された第1および第2磁界制御素
子を示す図、第11図はその第2磁界制御素子の作用を
説明するための図、第12図は偏向ヨークの磁界が斉一
磁界である場合のビームスポット形状を示す図、第13
図は偏向ヨークの磁界が非斉一磁界である場合のビーム
スポット形状を示す図、第14図は偏向ヨークのピンク
ッション型偏向磁界がサイドビームに及ぼす力を説明す
るための図、第15図は偏向ヨークのバレル型偏向磁界
がサイドビームに及ぼす力を説明するための図である。 5B、5R・・・一対のサイドビーム 5G・・・センタービーム 10・・・パネル11・
・・ファンネル 12・・・蛍光体スクリーン1
3・・・シャドウマスク 15・・・電子銃16・・
・水平偏向コイル 17・・・垂直偏向コイル 18・・・偏向ヨーク 19・・・コンバーゼンス−カップ 21a・・・第1磁界制御素子 21b・・・第2磁界制御素子 24B、24R・・・サイドビーム通過孔24G・・・
センタービーム通過孔 G5・・・第5グリツド G6・・・第6グリツド
Claims (1)
- 陰極およびこの陰極からの電子ビームを制御する複数個
のグリッドを有し、同一平面上を通るセンタービームお
よび一対のサイドビームからなる一列配置の3電子ビー
ムを放出する電子銃と、この電子銃から放出される電子
ビームを上記3電子ビームの配列方向に偏向するピンク
ッション形偏向磁界を発生するとともに上記3電子ビー
ムの配列方向と直交する方向に偏向するバレル形偏向磁
界を発生し、これら偏向磁界が上記複数個のグリッドの
少なくとも一部に及ぶ位置に装着された偏向ヨークと、
上記偏向ヨークの偏向磁界が及ぶ領域に配置され、上記
3電子ビームの描くラスターを一致させるための高透磁
率磁性部材からなる磁界制御素子とを備えるカラー受像
管において、上記磁界制御素子は上記一対のサイドビー
ムの描くラスターに対して相対的に上記センタービーム
の描くラスターを増大させる第1磁界制御素子と、上記
一対のサイドビームの描くラスターに対して相対的に上
記センタービームの描くラスターを縮小させる第2磁界
制御素子とからなり、これら第1および第2磁界制御素
子が管軸方向に離れて位置し、この第2磁界制御素子が
上記センタービームの通過領域を取囲み、上記各サイド
ビームと対向する側面が凹状をなすことを特徴とするカ
ラー受像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2056089A JPH02201848A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | カラー受像管装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2056089A JPH02201848A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | カラー受像管装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02201848A true JPH02201848A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12030547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2056089A Pending JPH02201848A (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | カラー受像管装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02201848A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990672A (en) * | 1989-05-30 | 1991-02-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Propylene-linked polyethylene polyamines and a process for making same |
| KR100596229B1 (ko) * | 1998-09-29 | 2006-09-20 | 엘지전자 주식회사 | 컬러 음극선관 전자총 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP2056089A patent/JPH02201848A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4990672A (en) * | 1989-05-30 | 1991-02-05 | Air Products And Chemicals, Inc. | Propylene-linked polyethylene polyamines and a process for making same |
| KR100596229B1 (ko) * | 1998-09-29 | 2006-09-20 | 엘지전자 주식회사 | 컬러 음극선관 전자총 |
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