JPH02201467A - 画像形成方法 - Google Patents

画像形成方法

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JPH02201467A
JPH02201467A JP1021502A JP2150289A JPH02201467A JP H02201467 A JPH02201467 A JP H02201467A JP 1021502 A JP1021502 A JP 1021502A JP 2150289 A JP2150289 A JP 2150289A JP H02201467 A JPH02201467 A JP H02201467A
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JP
Japan
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recorded
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image forming
signals
pixel
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Application number
JP1021502A
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English (en)
Inventor
Takehiko Okamura
岳彦 岡村
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH02201467A publication Critical patent/JPH02201467A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光ビームを走査して画像形成信号に応じた画
像を記録媒体上に作る画像形成方法に関する。
[従来の技術] 第5図は従来の画像形成方法における、レーザー光量を
固定した走査による電位分布を表す図である。第5図(
a)は、記録される画像の画素情報の例を示し、画素3
5−1〜35−10で構成される。35−2.35−4
.35−5.35−7.35−8.35−9が記録する
画素であり、35−1.35−3.35−6.35−1
0は記録しない画素である。このような画素情報に対し
て、第5図(b)の様にレーザーをオン、オフしていた
。従って、このように所定の光量を有するレーザーをオ
ンオフ制御して、光ビームを光感度を有する記録媒体上
に照射すると、記録媒体上では第5m(c)の様な電位
分布になる。但し、横軸は感光体上の基準点から走査方
向にとった距離である。
この第5図(C)において、各画素の電位分布を比較す
ると、走査方向において隣接する前後の画素が記録され
ない独立記録の画素35−2は、隣接する前後の画素が
両方とも連続して記録される画素35−8に比べて電位
が低い。また、35−4.35−5の様に隣接する前後
の画素のうち、一方が記録され他方が記録されない場合
にも、前述の画素35−8に比べて電位が低い。
[発明が解決しようとする課題] しかし、前述の従来技術では周囲の画素が記録されるか
否かによって、記録ドツトの電位が変わってしまい、画
像が不鮮明になるという問題点を有する。
そこで本発明は上述の問題点を解決するもので、その目
的とするところは、記録ドツトが独立に所定の電位が得
られるように、走査する光ビームの光量を変調する手段
を設け、記録ドツトの濃度を任意に制御可能な画像形成
方法を提供するところにある。
[課題を解決するための手段〕 本発明の画像形成方法は、画像形成信号に対応して光ビ
ームを変調し、光ビームを記録媒体上に走査することに
より、記録媒体上に静電潜像を形成する画像形成方法に
おいて、記録媒体上において記録すべき画素に隣接する
画素の記録状態に応じて、記録すべき画素の光量を制御
する制御信号を発生させ、制御信号によって光ビームの
強度を電気光学的に変調することを特徴とする。
[作用] 本発明の上記の構成によれば、記録画素の周辺画素の記
録状態を示す信号を論理回路で処理し、その結果に応じ
て電気光学的に光ビーム強度を変調することにより各画
素の電位が独立に制御することができ、濃度の安定した
画像が形成される。
本発明の電気光学変調素子は、フランツ・ケルデイツシ
ュ効果に代表される電気光学効果を持つ素子であって、
例えばG a / G a A sの多1子井戸構造を
透明電極で挟んだ形をしている。多量子井戸構造に於い
ては、電子や正孔が狭い空間に閉じこめられているため
、室温かつ高電界に於いても励起子が安定して存在して
いる。
第4図は本発明の実施例で使用するフランツ・ケルデイ
ツシュ効果を用いた電気光学素子の光吸収特性を示す図
である。電界をかけない時のGaA s / G a 
A I A s層の光吸収が図中36である電気光学素
子に電界をかけると、吸収端が低エネルギー側にシフト
し図中37の様な光吸収になる。
光源である半導体レーザーからの光が図中38に示すエ
ネルギー分布のものであれば、電界をかけることによっ
て光ビームを吸収し、よって光ビームの強度を変調でき
る。尚、フランツ・ケルデイツシュ効果は多くのGaA
Sを代表とする半導体結晶で確認されている。
[実施例] 以下、本発明を実施例にしたがって詳細に説明する。
第1図は本発明の実施例に於ける変調信号発生回路と電
気光学変調器を含む画像形成方法の概略図である0図に
於て1はホストコンピュータ等から画像形成信号を印加
する入力端子である。印加された画像形成信号はフレー
ムメモリ2に逐次格納される。フレームメモリ2にひと
まず格納された信号は順次ブロック形成回路3に入力さ
れる。
ブロック形成回路3は、ラインバッファ4,5と、Dフ
リップフロップ(DFF)6〜11より構成されたシフ
トレジスタにより、タイミングコントローラ12でタイ
ミングをとりなから3×3個の画素信号D1〜D9を取
り出す。
図中13は信号処理回路である。注目している画素の信
号はD5であり、その周辺の画素の信号D1〜D4.D
6〜D9は加算器14で加算され、減算器15で基準値
から減算される。減算器15の値はD5と共に乗算器1
6に入力され乗算される。この乗算器16の出力は、電
気光学素子のバイアスレベルにまで増幅器17で昇圧さ
れ、電気光学素子18に接続される。
透明電極19と20との間には、増幅器17の出力電圧
がバイアスとしてかけられている。透明電極19.20
の間は、G a / G a A s多量子井戸構造を
有する電気光学素子21が挟持されている。光源からの
光ビームは透明電極20に照射し、透明電極19と20
との間にかかっている電圧(電界)に応じて電気光学素
子の吸収率が変わることによって、透明電極19から強
度変調した透過光が得られる。
尚、前述の実施例では1ブロツクを3×3画素のマトリ
ックスで構成する例を示したが、任意の大きさのマトリ
ックスを1ブロツクとするブロック形成回路も使用でき
る。また、信号処理回路13では、D1〜D9をそのま
ま加算器に入力しているが、それぞれ係数乗算器によっ
て係数をかけてからから加算することによって、周辺画
素に重みをつける処理も可能である。そして増幅器17
をログアンプ等の非線形増幅器を用いる等の処理も考え
られる。さらに上記の処理を組み合わせることによって
、画像のエツジに当たる部分の電位を制御して、電子写
真の現像に於けるエツジ効果を助長したり、抑制したり
することも可能である。
第3図は画像信号から変調信号への信号の変化を示す図
である。第3図(a)は、3ライン分の画素の記録状態
を示す図で、34−1.34−3゜34−5.34−6
.34−7.34−9.34−10.34−11は記録
する画素であり、34−2.34−4.34−8は記録
しない画素である。第3図(b)は、画素34−1〜3
4−11に対応した、第1図中ではDIOに当たる信号
である0図中34に示すレベルから減算を行った結果が
第3図(c)であり、第1図ではDllに当たる、一方
策1図中のD5に当たる信号は第3図(d)であり、 
(c)と(d)を乗算した結果(第1図ではD12)は
第3図(e)である。 (e)に示す信号に基づいて、
電気光学素子に電圧を印加して光ビーム強度の変調を行
った結果、記録媒体上に第3図(f)に示す表面電位が
得られる。
第2図は本発明の他の実施例に於ける、光源として半導
体レーザーを用いた画像形成方法の概略図である。
図中23は記録を行うための画素信号、画素信号23を
処理してして半導体レーザー25、電気光学変調器26
を駆動する信号処理回路が24である。電気光学素子と
レンズなどの光学部品で構成される電気光学変調器26
は、信号処理回路24からの信号によって半導体レザー
25からの光ビームの強度を変調する。27はレンズで
あり電気光学変調器26の放射光を集光して、回転多面
鏡28を照射する。光ビーム33は、モーター29によ
り駆動される回転多面鏡28により水平に掃引され、f
・θ特性を有する結像レンズを含む光学系30により感
光体ドラム31上にスポットとして結像される。感光体
31は光感度を持つSe、  a−8i、  Z n 
O,OP C等の物質からなる。
ビーム検出器32は、掃引される光ビーム33の位置を
検出し、この検出信号で処理回路24はラインのスター
トのタイミングをとる。また、感光体ドラム31は、例
えばスコロトロン等で数百ボルトに帯電させてあって、
光ビームを照射した点は電荷を消失し、照射光に応じて
静電潜像を形成する。その後静電潜像のコントラストに
応じて、トナーと呼ばれる帯電有色粒子を付着させ、正
規現像もしくは反転現像により静電潜像を顕像化するも
のである。
尚、第2図の実施例では光源として半導体レーザーを用
いているが、ガスレーザーやLED等を用いてもよい、
また感光体ドラムの代わりにシート状の光感体を用いて
もよい。
以上実施例を述べたが、本発明は以上の実施例のみなら
ず、広くデイスプレー 電子写真記録装置などの画像形
成装置、例えばページプリンタ、ファクシミリ、複写機
などに応用すれば特に有効である。
[発明の効果] 以上述べたように本発明によれば、記録する画素の周辺
画素の記録状態に応じた光量を記録媒体に与えることに
よって、各々のドツトの電位を安定して制御することが
できる。そして各ドツトの画像濃度を均一にする制御に
よって、面積階調による表現が可能になり、また各ドツ
ト毎の画像濃度が制御できるので、温度階調表現も可能
になる。
即ち階調表現が可能な高品質な画像画像形成方法が提供
できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例における変調信号発生回路と
電気光学変調器を含む画像形成方法の概信号への信号の
変化を示す図、第4図は本発明の実施例で使用するフラ
ンツ・ケルデイツシュ効果量を固定した走査による電位
分布を表す図である。 18・・・電気光学素子 24・・・画像信号処理器 25・・・半導体レーザー 26・・・電気光学変調器 31・・・感光体ドラム 以  上 出願人 セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 画像形成信号に対応して光ビームを変調し、前記光ビー
    ムを記録媒体上に走査することにより、前記記録媒体上
    に静電潜像を形成する画像形成方法において、前記記録
    媒体上において記録すべき画素に隣接する画素の記録状
    態に応じて、前記記録すべき画素の光量を制御する制御
    信号を発生させ、前記制御信号によって前記光ビームの
    強度を電気光学的に変調することを特徴とする画像形成
    方法。
JP1021502A 1989-01-31 1989-01-31 画像形成方法 Pending JPH02201467A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007216470A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Seiko Epson Corp 光走査装置、該装置の制御方法及び該装置を用いた画像形成装置
JP2008114426A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Canon Inc 画像形成装置及びその制御方法
JP2015152927A (ja) * 2014-02-17 2015-08-24 ゼロックス コーポレイションXerox Corporation コンテンツに基づいて光強度を調整して均一な露出を実現する方法および装置
US9400443B2 (en) 2013-12-25 2016-07-26 Ricoh Company, Ltd. Image forming method and image forming apparatus for forming an electrostatic latent image corresponding to an image pattern including an image portion and a non-image portion

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