JPH02201237A - 半導体発光素子の試験方法 - Google Patents

半導体発光素子の試験方法

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JPH02201237A
JPH02201237A JP2133989A JP2133989A JPH02201237A JP H02201237 A JPH02201237 A JP H02201237A JP 2133989 A JP2133989 A JP 2133989A JP 2133989 A JP2133989 A JP 2133989A JP H02201237 A JPH02201237 A JP H02201237A
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JP
Japan
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light
light emitting
divided
semiconductor light
lights
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Pending
Application number
JP2133989A
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English (en)
Inventor
Yoji Hosaka
保坂 洋二
Takashi Shimodaira
下平 貴志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Fujitsu Quantum Devices Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Fujitsu Quantum Devices Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体発光素子の試験方法に関し、 素子特性を損なうことなく多数の試験項目を迅速に処理
し、以て信頼度の高い半導体発光素子を大量に供給する
ことを目的とし、 半導体発光素子の出射光を、光取込みレンズ系へ取り込
んだ後光分岐器により複数の光に分割し、分割された各
々の光を複数の異なった測定系へ導入して同時に複数の
異なった試験を行うように構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体発光素子の試験方法に関する。
近年、光通信網の基幹あるいは末端回線における受光/
発光モジュールの発光部素子としてレーザダイオード、
LED等の半導体発光素子が多数使用されるようになっ
た。それに伴って、より信顛性の高い素子をより大量に
供給するために、多数の項目からなる特性試験を迅速に
行うことが要求されている。
〔従来の技術〕
通常の半導体発光素子は、チップ端面から垂直に光を出
射させる端面発光型であり、第2図に、この端面発光型
素子がウェハ上に形成された後、チップ形態へと加工さ
れていく状態を示した。−船釣なチップ選別工程では同
図(a)に示したように、ウェハ1に素子が形成された
後、同図(b)に示すように、帯状に連なった素子列(
以下、素子プレイと称する)2の形態に加工される。こ
の形態でチップ3の端面から出射光4を出射させて特性
試験が行われ、次に同図(C)に示すように、チップの
形態に加工するときに不良チップが排除される。素子ア
レイ2の状態で試験を行うことにより、素子の移送ある
いは特性試験のための支持テーブルへの取付は等の作業
が簡便かつ確実に行えるようになり、迅速に特性試験を
することができる。特性試験はたとえば第3図に示すよ
うに、素子アレイ2を支持テーブル5に真空チャック(
図示していない)によって固定し、チップ3の端面から
の出射光4の光軸を測定系の光取込みレンズ系7と位置
合わせし、該出射光を光取込みレンズ系へ取り込んで行
う、また該チップ3への電源供給は、該支持テーブル5
の上方に配置しであるプローブ支持台8に固定したプロ
ーブ9を該チップ3の上面電極に接触させることによっ
て行う0以上の方法では、位置合わせをチップ毎に行う
必要がな(1本のアレイについて1回で済むため、試験
が迅速に行なえる利点がある。
第4図は、以上述べた試験方法の具体例を説明するため
の模式図である。この例では、2つの測定系を備え、2
種類の特性試験を行う場合を示したものである。即ち、
1つは素子アレイ2を構成するチップ3からの出射光4
を、光取込みレンズ系7で受けた後光ファイバーを通し
て光波長測定器11に導入し、光波長を測定する試験で
あり、他の1つは出射光4を、受光素子12で受けて光
電変換した後同軸ケーブルを通して光出力測定器13へ
導入し、光出力を測定する試験である。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、実際に以上の2つの測定を行う場合には、素
子アレイを2つの測定系の間で移動させることが必要で
ある。従って、増加する試験項目に対応して測定系が増
えると、素子アレイを測定系の間で往復移動させ、その
度毎に出射光を測定系に位置合わせしなければならず、
全体の試験時間に占めるこれらの時間の割合が無視でき
なくなるという問題が生じる。また、上記の位置合わせ
毎に、チップにプローブを接触しなおす必要があるため
チップに加わる物理的ストレスが大きくなって、素子特
性を損なうという問題も生じる。
そこで本発明は、素子特性を損なうことなく多数の試験
項目を迅速に処理し、以て信頼性の高い半導体発光素子
を大量に供給することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題の解決は、半導体発光素子の出射光を光取込み
レンズ系へ取り込んだ後、光分岐器により複数の光に分
割し、分割された各々の光を複数の異なった測定系へ導
入して同時に複数の異なった試験を行うことを特徴とす
る半導体発光素子の試験方法によって達成される。
〔作 用〕
本発明によれば、半導体発光素子を一度測定系に位置合
わせしてその出射光を該測定系に取り込んだ後は、これ
を分割して複数の試験に用いるため、試験項目毎に素子
を移動させ位置合わせを行いかつプローブを接触しなお
す必要がなくなる。
〔実施例〕
第1図(a)〜(ロ)は本発明の一実施例に係り、2種
類の特性試験を同時゛に行う方法を説明するための模式
図である。
第1図(a)において、まず素子アレイ2中のチップ3
の出射光4と測定系との位置合わせを行う。
具体的にはたとえば先に述べた第2図に示すように、支
持テーブル5に素子アレイ2を固定しておき、該支持テ
ーブル5をXYZ軸方向に微小移動可能な移動台(図示
していない)に乗せる。そして第1図(a)に示すよ゛
うに、出射光4の出射点をコリメートレンズ14の焦点
位置に合わせかつ出射光光軸を該コリメートレンズ面に
垂直になるように該移動台の位置を調整する。
以上のような位置合わせを行うことによりコリメートレ
ンズ14に取り込まれた出射光は平行光となる。この平
行光を光アイソレータ15を通すことにより素子アレイ
への戻り光を防ぎ、さらに平行光集光レンズ16を通し
てファイバーコリメートレンズ17へ集光し、これを光
ファイバーを通して光分岐器18へ入射させる。第1図
(b)にプリズム20からなる光分岐器18の例を示し
た。光ファイバーからの入射光21はプリズム20の反
射面22において透過光23と反射光24とに分割され
る。該反射面22のコーティング状態を変えることによ
り、試験項目に応じた最適の分割比を選ぶことができる
。このようにして分割された光の一方を第1図(a)に
示すように光出力測定器19へ、他方を光波長測定器2
5へと導いて各々の測定を同時に行うことができる。
測定系は光分岐器を多段接続することにより任意に増や
すことができ、これによって同時に多数の項目の試験を
行うことができる。また、本実施例の方法は端面発光型
素子だけでなく、面発光型等の他のタイプの発光素子に
対しても適用することができる。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、半導体発光素子を測
定系に一度位置合わせして固定した後は、このままの状
態で同時に多数の試験項目を処理することができるため
、試験時間の短縮を図ることができる。また、素子に対
するプローブ接触回数も低減されるため、素子に対する
物理的ストレスにより素子特性が損なわれることもなく
、信鯨度の高い素子を供給することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜Φ)は本発明の一実施例を説明するため
の模式図、 第2図(a)〜(C)は半導体発光素子の加工形態を示
す図、 第3図は素子アレイと測定系との位置合わせを説明する
ための斜視図、 第4図は従来例の問題点を示す図、 である。 図において、 1はウェハ、 2は素子アレイ、 3はチップ、 4は出射光、 5は支持テーブル、 6は真空チャック吸引孔、 7は光取込みレンズ系、 8はプローブ支持台、 9はプローブ、 10はケーブル、 11は光波長測定器、 12は受光素子、 13は光出力測定器、 14はコリメートレンズ、 15は光アイソレータ、 16は平行光集光レンズ、 17はファイバーコリメートレンズ、 18は光分岐器、 19は光出力測定器、 20はプリズム、 21は入射光、 22は反射面、 23は透過光、 24は反射光、 25は光波長測定器、 である。 本発明の一矢方色41p)&説明するための横に図第 
1 (2) 嬶じ1′アレイt 5FArl定系0イ立1合す1で4
3税朗1ゲゾ/)斜槌記 第 3 記 ど−1 14発光番:)0加エデ進乞休1記 I 2 胆 従来イタ・1の問題、気合示す横に国 軍 任図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体発光素子の出射光を、光取込みレンズ系へ取り込
    んだ後光分岐器により複数の光に分割し、分割された各
    々の光を複数の異なった測定系へ導入して同時に複数の
    異なった試験を行うことを特徴とする半導体発光素子の
    試験方法。
JP2133989A 1989-01-31 1989-01-31 半導体発光素子の試験方法 Pending JPH02201237A (ja)

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JP2133989A JPH02201237A (ja) 1989-01-31 1989-01-31 半導体発光素子の試験方法

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JPH02201237A true JPH02201237A (ja) 1990-08-09

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ID=12052357

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JP2133989A Pending JPH02201237A (ja) 1989-01-31 1989-01-31 半導体発光素子の試験方法

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JP (1) JPH02201237A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009257820A (ja) * 2008-04-14 2009-11-05 Otsuka Denshi Co Ltd 光学特性測定装置および光学特性測定方法
JP2018530761A (ja) * 2015-07-28 2018-10-18 武漢光迅科技股▲ふん▼有限公司 マルチチャンネル波長可変レーザの性能試験装置

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009257820A (ja) * 2008-04-14 2009-11-05 Otsuka Denshi Co Ltd 光学特性測定装置および光学特性測定方法
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