JPH02199813A - 露光装置 - Google Patents
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- JPH02199813A JPH02199813A JP1017690A JP1769089A JPH02199813A JP H02199813 A JPH02199813 A JP H02199813A JP 1017690 A JP1017690 A JP 1017690A JP 1769089 A JP1769089 A JP 1769089A JP H02199813 A JPH02199813 A JP H02199813A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体素子製造等に用いられる露光装置に関
し、詳しくは基板を載置するステージと投影レンズ搭載
部位とを支持する構造体をそれぞれ別置きとした露光装
置に関する。 〔従来の技術） 従来、半導体素子製造に用いられる露光装置として、い
わゆるステッパと呼ばれる装置が知られている。このス
テッパは、基板例えば半導体クエへを投影レンズ下でス
テップ移動させながら、原板例えばレチクル上に形成さ
れているパターン像を投影レンズで縮小し、１枚のウェ
ハ上の複数箇所に順次露光して行くものである。 ステッパは、解像度および重ね合せ精度の性能面からこ
れらのアライナ（露光装置）の主流と見られている。 第５図は、従来のアライナにおける構造体およびＸＹス
テージの搭載例を示す。 同図において、１はレチクルパターンを照明する照明部
、２は転写すベミパターンを有するレチクル、３はレチ
クルパターンをウェハ上に投影する投影レンズ、４は投
影レンズ３を支持する鏡筒支持定盤、１８ａは投影レン
ズ３の焦点とウニへ間の距離を計測するフォーカス検出
部の発光部、１６ｂは同じくフォーカス検出部の受光部
、６はステージの位置を制御するための干渉計、９はト
ップステージ、１０はＸステージ、１１はＹステージ、
１７はＸステージ駆動用ＤＣモータ、１８はＹステージ
駆動用ＤＣモータ、６１は投影レンズ３やＸＹステージ
１０．１１などの全体を搭載する支持定盤、６２はフレ
ーム、６３はサーボマウントである。 このような構成のアライナで処理される半導体クエへに
ついては、半導体素子の大面積化およびコスト低減を図
るために、大口径・大サイズの半導体クエへを用いる傾
向にある。現在、ウェハサイズはφ６′ （φ１５０ｍ
ｍ）が主流であるが、１９８９年頃にはφ８′ （φ２
００ｍｍ）が主流となるものと見込まれる。 一方、半導体素子（特にＤＲＡＭ）は４Ｍ（メガ）ビッ
ト時代から１６Ｍ（メガ）ビット時代へと高集積化が進
み、線巾も微細化している。したがって、より高精度の
位置合せ、高精度のＸＹステージ、高スルーブツト等が
切望されている。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、従来のφ３′〜φ６′用露光装置を単に
φ８′用にサイズアップしＸＹステージを第５図の支持
定盤６１に直接固定する従来のステッパの構造によれば
以下のような問題点が生じる。 ａ）ＸＹステージ９，１０．１１のストロークアップの
ため、ステージの精度としてストローク前のものと同じ
精度またはそれ以上の精度を保証するためには、ガイド
剛性を上げる必要がある。 また、前記した高精度ステージの要求を満たすために、
ステージ重量は単にストロークアップによる重量増加分
よりさらに増大せざるを得ない、そのため、ステージ移
動の加速度による加振力の増大と投影レンズの重量の増
加によるレンズ支持の構造体の相対剛性ダウンによる振
動問題が生じ、そのために以下のような問題点が発生す
る。 ■構造体強化による装置の大型化およびコストアップが
生じる。 ■構造体制振まで露光およびアライメント動作を行なえ
ないため、生産性がダウンする。 ｂ）一方、ステージの重量増は静的には８動荷重の増大
となり、ＸＹステージのボジシジンにより装置の姿勢が
変化するという問題が生じる。そのため、以下のような
問題点が発生する。 ■アライメント精度が劣化する。 ■生産性のダウンを防止するため、装置姿勢を瞬時に一
定姿勢にする必要がある。そのために第５図の従来構成
においてサーボマウント能力を向上する必要があり、コ
ストアップにつながる。 ■重量増大した装置全体を一定姿勢にするため、サーボ
マウントの能力を向上する必要があり、サーボマウント
の大型化が必要となる。したがって、装置全体の高さが
増す。 Ｃ）第５図に示すような従来形のＸＹステージ支持構造
によれば、ＸＹステージ以外の可動部位が動作した時に
、ＸＹステージを加振する問題が生じる。そのため、 ■アライメント精度の劣化、 ■焼付精度の劣化、 等の問題が発生する。 本発明は、上述の従来形の問題点に鑑み、コンパクトな
構成で装置の振動防止を実現し、安価かつ高精度で高ス
ルーブツトの露光装置を構成することを目的とする。 （課題を解決するための手段および作用〕前記の目的を
達成するため、本発明は、ＸＹステージと本体特に鏡筒
支持体とをそれぞれ別々のマウントで支持する構造とし
、ＸＹステージ穆動による本体振動を防止することを特
徴とする。 かかる構成によれば、ＸＹステージと鏡笥支持体とをそ
れぞれ別々のマウントで支持しているので、ＸＹステー
ジＢ動による振動が鏡筒支持体を含む本体に与える影響
を最小限とすることができる。 Ｃ実施例〕 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。 第１図〜第４図は、本発明の一実施例に係る露光装置を
示す、第１図は、本発明の特徴を最もよく表わす実施例
の装置の側面図（一部は透視して表わしている）である
。 同図において、１はレチクルを照明する照明部、２は転
写すべきパターンを有するレチクル、３はレチクル上に
形成されたパターンをウェハ上に投影する投影レンズ、
４は投影レンズを支持する鏡筒支持体、５は鏡筒支持体
４を支持するエアーマウント、６はエアーマウント５と
ステージ用マウント１４との相対位置関係を位置決めし
てこれらのマウントを設置する位置決め定盤である。 ７．８はＸＹＸステージ原点を決定するＸＹ力方向よび
ヨイングセンサーであり、７は鏡筒支持体４に固定され
た原点位置出し用レーザ、８はトップステージ９上に配
置された二次元センサーである。原点位置出し用レーザ
７と二次元センサー８とは１組み以上設置する。 ９はＸステージ１０上に取付けられＺ方向、β方向、α
およびβ方向に移動および回転する機能を有するトップ
ステージである。１０はＸ方向に移動可能なＸステージ
、１１はＹ方向にＢ動可能なＹステージ、１２はＸステ
ージ１０およびＸステージ１１を支持するステージベー
ス、１３はＸＹＹステージ〜１２を支持するＸＹＹステ
ージ定盤、１４はステージの移動により生じるステージ
用定盤１３の振動を防振させかつ床からの振動を絶縁す
るＸＹＹステージマウントである。このマウント１４は
一般的にアクティブマウントと呼ばれる。 １５は投影レンズ３とＸＹＸステージの相対位置を計測
しかつＸＹＸステージ姿勢を計測するためのレーザー干
渉測定器、１６ａは投影レンズ３の焦点位置とウェハ上
面間の距離を計測するフォーカス検出部の投光部、１６
ｂは同じくフォーカス検出部の受光部である。これらの
投光部１６ａと受光部１６ｂは、それぞれ投影レンズ３
に固定されている。１７はＸステージ１０をＸ方向に移
動させるための駆動用ＤＣサーボモータ、１８はＸステ
ージ１０とＸステージ１１とをＹ方向に移動させるため
の駆動用ＤＣサーボモータである。 第２図は、本実施例の露光装置のＸＹステージ用測測定
系配置を示す斜視図であり、第１図のトップステージ９
の周辺のレーザ干渉計１５等の部分を詳細に表わした図
である。 同図において、２１は光源であるレーザーヘッド、２２
は第１図のトップ（θ−２およびティルト）ステージ９
に取り付けられた反射ミラー ２３はレーザ干渉計、２
４は干渉稿を電気信号に変換するレシーバ、２５は第１
図の投影レンズ３と同一の投影レンズ、２６は投影レン
ズ３に固定された反射ミラーである。 第３図は、本実施例の露光装置のＸＹＹステージマウン
トいわゆるアクティブマウント（第１図の付番１４）の
詳細図である。 同図において、３１はＸＹＹステージ定盤１３に対しＸ
Ｙ力方向力を作用させるボイスコイルモータ、３２は２
方向く紙面の上下方向）の剛性が高くかつＸＹ力方向対
しては剛性が低いエアーマウント上に固定された積層タ
イプのゴムマウントである。３３は固定体に固定された
ＸＹ力方向剛性が高くＺ方向に剛性が低いエアマウント
、３６はエアマウント３３の内圧をコントロールするサ
ーボバルブ、３７は固定体、３８はＸＹＹステージ定盤
１３の傾きを検知する非接触タイプの変位計である。 第４図は、本実施例の露光装置のステージおよびＸＹス
テージ用マウント部制御系のブロック図である。 同図において、４１はＸＹＸステージステップ量および
移動速度並びにステージ移動後のステージ定盤の傾きに
対応するエアマウントの空気圧を記憶し、各ドライバー
への動作命令を発信し、さらに所要ステップ量および移
動速度に基づき、瞬間瞬間のステージの位置速度にフィ
ードバックをかける制御コンピューターである。４２は
第１図の原点位置出し用レーザ７と二次元センサ８に相
当する原点位置出し部、４３は外部から入力されるショ
ット配列情報、４４は第２図に示したＸＹ位置計測およ
びヨーイング計測のためのレーザ測定システムである。 ４５はＸＹ力方向ＤＣサーボモータ４６（第１図の付番
１７．１８）を駆動するＸＹサーボドライバ、４７はト
ップステージである。４８はアクティブダンバコントロ
ーラで、サーボバルブ４９（第３口付番３６）を制御す
るエアーマクント圧力コントローラとボイスコイルモー
タ５０（第３口付番３１）を駆動するボイスコイルモー
タドライバとからなる。５１はステージ定盤１３上に取
付けられた加速度計、５２はＸＹステージ用定盤１３の
傾きを検知する非接触タイプの変位計（第３面付番３Ｂ
）、５３はフォーカス検出部（第１口付番１６ａ、１６
ｂ）である。 次に、これらの第１〜４図を参照して本実施例の露光装
置の動作を説明する。 まずはじめに、本体とＸＹステージの相対位置および姿
勢を計測するための原点を、鏡筒支持体４に固定された
レーザーヘッド２１からのレーザー光とトップステージ
９上に配置された二次元センサー８により決定する。こ
れ以降、本体リセット命令が制御用コンピュータに入力
されるまで木原点は書き換えられない。 次に、露光すべき半導体ウニへ毎にショット配列（レイ
アウト）およびＸＹ力方向移動量を予め制御用コンピュ
ータ４１に入力する。制御用コンピューター４１は、こ
れらのデータおよびステージの移動荷重よりステージ移
動後のステージ定盤１３の傾きを求めその傾きを補正す
べく各マウントの圧力および速度サーボと位置決めサー
ボ切換え位置を計算し設定する。 そして、ＸＹステージのサーボドライバ４５に対しＤＣ
サーボモータ４６の駆動指令を行ない、アクティブダン
バコントローラ４８内の圧力コントローラに対しサーボ
バルブ４９の駆動指令を行なう。次に、ＸＹステージが
速度サーボから位置決めサーボに切り換わった後、ステ
ージ定盤１３上に取り付けられた加速度計５１からの加
速度データよりアクティブダンバコント・ローラ４８内
のボイスコイルモータドライバに対しボイスコイルモー
タ５０の駆動指令を行なう、これにより、ステージ定盤
１３の振動を制振させると同時に、アクティブダンバコ
ントローラ４８内の圧力コントローラに対しサーボバル
ブ駆動指令を出す。 次に、フォーカス検出部５３およびステージの位置およ
び姿勢を表わすレーザ測定システム４４からのデータと
制御用コンピュータ４１内に記憶しである所定レイアウ
トとの差分であるθ（ヨーイング）、α（ローリング）
およびβ（ピッチング）を算出する。そして、ｘＹ酸成
分関してはＸＹステージ用サーボドライバ４５に、θ、
αおよびβ成分に関してはトップステージ駆動用ドライ
バに′糟令を出し、ＤＣサーボモータ４６およびトップ
ステージ４７を所定レイアウト（位置・姿勢）と一致す
るように駆動する。 ここでα成分およびβ成分に関しては、そのデータを制
御用コンピュータ４１にフィードバックして、ステージ
の位置と傾きの関係のテーブルを書き換える。 このようにＸＹステージの位置決めが完了した後に露光
を行なう。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、ＸＹステージと
本体構造体とを別々に配置し、ＸＹステージ用マウント
にアクティブダンバと簡略フィードフすワード適用した
オートレベラーを組合わせるという簡単な構造により、
アクティブダンバを小型化しコスト低減が可能となる。 また、本体構造体から振動源を排除することにより、構
造体をコンパクトにでき軽量化がはかれる。
し、詳しくは基板を載置するステージと投影レンズ搭載
部位とを支持する構造体をそれぞれ別置きとした露光装
置に関する。 〔従来の技術） 従来、半導体素子製造に用いられる露光装置として、い
わゆるステッパと呼ばれる装置が知られている。このス
テッパは、基板例えば半導体クエへを投影レンズ下でス
テップ移動させながら、原板例えばレチクル上に形成さ
れているパターン像を投影レンズで縮小し、１枚のウェ
ハ上の複数箇所に順次露光して行くものである。 ステッパは、解像度および重ね合せ精度の性能面からこ
れらのアライナ（露光装置）の主流と見られている。 第５図は、従来のアライナにおける構造体およびＸＹス
テージの搭載例を示す。 同図において、１はレチクルパターンを照明する照明部
、２は転写すベミパターンを有するレチクル、３はレチ
クルパターンをウェハ上に投影する投影レンズ、４は投
影レンズ３を支持する鏡筒支持定盤、１８ａは投影レン
ズ３の焦点とウニへ間の距離を計測するフォーカス検出
部の発光部、１６ｂは同じくフォーカス検出部の受光部
、６はステージの位置を制御するための干渉計、９はト
ップステージ、１０はＸステージ、１１はＹステージ、
１７はＸステージ駆動用ＤＣモータ、１８はＹステージ
駆動用ＤＣモータ、６１は投影レンズ３やＸＹステージ
１０．１１などの全体を搭載する支持定盤、６２はフレ
ーム、６３はサーボマウントである。 このような構成のアライナで処理される半導体クエへに
ついては、半導体素子の大面積化およびコスト低減を図
るために、大口径・大サイズの半導体クエへを用いる傾
向にある。現在、ウェハサイズはφ６′ （φ１５０ｍ
ｍ）が主流であるが、１９８９年頃にはφ８′ （φ２
００ｍｍ）が主流となるものと見込まれる。 一方、半導体素子（特にＤＲＡＭ）は４Ｍ（メガ）ビッ
ト時代から１６Ｍ（メガ）ビット時代へと高集積化が進
み、線巾も微細化している。したがって、より高精度の
位置合せ、高精度のＸＹステージ、高スルーブツト等が
切望されている。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、従来のφ３′〜φ６′用露光装置を単に
φ８′用にサイズアップしＸＹステージを第５図の支持
定盤６１に直接固定する従来のステッパの構造によれば
以下のような問題点が生じる。 ａ）ＸＹステージ９，１０．１１のストロークアップの
ため、ステージの精度としてストローク前のものと同じ
精度またはそれ以上の精度を保証するためには、ガイド
剛性を上げる必要がある。 また、前記した高精度ステージの要求を満たすために、
ステージ重量は単にストロークアップによる重量増加分
よりさらに増大せざるを得ない、そのため、ステージ移
動の加速度による加振力の増大と投影レンズの重量の増
加によるレンズ支持の構造体の相対剛性ダウンによる振
動問題が生じ、そのために以下のような問題点が発生す
る。 ■構造体強化による装置の大型化およびコストアップが
生じる。 ■構造体制振まで露光およびアライメント動作を行なえ
ないため、生産性がダウンする。 ｂ）一方、ステージの重量増は静的には８動荷重の増大
となり、ＸＹステージのボジシジンにより装置の姿勢が
変化するという問題が生じる。そのため、以下のような
問題点が発生する。 ■アライメント精度が劣化する。 ■生産性のダウンを防止するため、装置姿勢を瞬時に一
定姿勢にする必要がある。そのために第５図の従来構成
においてサーボマウント能力を向上する必要があり、コ
ストアップにつながる。 ■重量増大した装置全体を一定姿勢にするため、サーボ
マウントの能力を向上する必要があり、サーボマウント
の大型化が必要となる。したがって、装置全体の高さが
増す。 Ｃ）第５図に示すような従来形のＸＹステージ支持構造
によれば、ＸＹステージ以外の可動部位が動作した時に
、ＸＹステージを加振する問題が生じる。そのため、 ■アライメント精度の劣化、 ■焼付精度の劣化、 等の問題が発生する。 本発明は、上述の従来形の問題点に鑑み、コンパクトな
構成で装置の振動防止を実現し、安価かつ高精度で高ス
ルーブツトの露光装置を構成することを目的とする。 （課題を解決するための手段および作用〕前記の目的を
達成するため、本発明は、ＸＹステージと本体特に鏡筒
支持体とをそれぞれ別々のマウントで支持する構造とし
、ＸＹステージ穆動による本体振動を防止することを特
徴とする。 かかる構成によれば、ＸＹステージと鏡笥支持体とをそ
れぞれ別々のマウントで支持しているので、ＸＹステー
ジＢ動による振動が鏡筒支持体を含む本体に与える影響
を最小限とすることができる。 Ｃ実施例〕 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。 第１図〜第４図は、本発明の一実施例に係る露光装置を
示す、第１図は、本発明の特徴を最もよく表わす実施例
の装置の側面図（一部は透視して表わしている）である
。 同図において、１はレチクルを照明する照明部、２は転
写すべきパターンを有するレチクル、３はレチクル上に
形成されたパターンをウェハ上に投影する投影レンズ、
４は投影レンズを支持する鏡筒支持体、５は鏡筒支持体
４を支持するエアーマウント、６はエアーマウント５と
ステージ用マウント１４との相対位置関係を位置決めし
てこれらのマウントを設置する位置決め定盤である。 ７．８はＸＹＸステージ原点を決定するＸＹ力方向よび
ヨイングセンサーであり、７は鏡筒支持体４に固定され
た原点位置出し用レーザ、８はトップステージ９上に配
置された二次元センサーである。原点位置出し用レーザ
７と二次元センサー８とは１組み以上設置する。 ９はＸステージ１０上に取付けられＺ方向、β方向、α
およびβ方向に移動および回転する機能を有するトップ
ステージである。１０はＸ方向に移動可能なＸステージ
、１１はＹ方向にＢ動可能なＹステージ、１２はＸステ
ージ１０およびＸステージ１１を支持するステージベー
ス、１３はＸＹＹステージ〜１２を支持するＸＹＹステ
ージ定盤、１４はステージの移動により生じるステージ
用定盤１３の振動を防振させかつ床からの振動を絶縁す
るＸＹＹステージマウントである。このマウント１４は
一般的にアクティブマウントと呼ばれる。 １５は投影レンズ３とＸＹＸステージの相対位置を計測
しかつＸＹＸステージ姿勢を計測するためのレーザー干
渉測定器、１６ａは投影レンズ３の焦点位置とウェハ上
面間の距離を計測するフォーカス検出部の投光部、１６
ｂは同じくフォーカス検出部の受光部である。これらの
投光部１６ａと受光部１６ｂは、それぞれ投影レンズ３
に固定されている。１７はＸステージ１０をＸ方向に移
動させるための駆動用ＤＣサーボモータ、１８はＸステ
ージ１０とＸステージ１１とをＹ方向に移動させるため
の駆動用ＤＣサーボモータである。 第２図は、本実施例の露光装置のＸＹステージ用測測定
系配置を示す斜視図であり、第１図のトップステージ９
の周辺のレーザ干渉計１５等の部分を詳細に表わした図
である。 同図において、２１は光源であるレーザーヘッド、２２
は第１図のトップ（θ−２およびティルト）ステージ９
に取り付けられた反射ミラー ２３はレーザ干渉計、２
４は干渉稿を電気信号に変換するレシーバ、２５は第１
図の投影レンズ３と同一の投影レンズ、２６は投影レン
ズ３に固定された反射ミラーである。 第３図は、本実施例の露光装置のＸＹＹステージマウン
トいわゆるアクティブマウント（第１図の付番１４）の
詳細図である。 同図において、３１はＸＹＹステージ定盤１３に対しＸ
Ｙ力方向力を作用させるボイスコイルモータ、３２は２
方向く紙面の上下方向）の剛性が高くかつＸＹ力方向対
しては剛性が低いエアーマウント上に固定された積層タ
イプのゴムマウントである。３３は固定体に固定された
ＸＹ力方向剛性が高くＺ方向に剛性が低いエアマウント
、３６はエアマウント３３の内圧をコントロールするサ
ーボバルブ、３７は固定体、３８はＸＹＹステージ定盤
１３の傾きを検知する非接触タイプの変位計である。 第４図は、本実施例の露光装置のステージおよびＸＹス
テージ用マウント部制御系のブロック図である。 同図において、４１はＸＹＸステージステップ量および
移動速度並びにステージ移動後のステージ定盤の傾きに
対応するエアマウントの空気圧を記憶し、各ドライバー
への動作命令を発信し、さらに所要ステップ量および移
動速度に基づき、瞬間瞬間のステージの位置速度にフィ
ードバックをかける制御コンピューターである。４２は
第１図の原点位置出し用レーザ７と二次元センサ８に相
当する原点位置出し部、４３は外部から入力されるショ
ット配列情報、４４は第２図に示したＸＹ位置計測およ
びヨーイング計測のためのレーザ測定システムである。 ４５はＸＹ力方向ＤＣサーボモータ４６（第１図の付番
１７．１８）を駆動するＸＹサーボドライバ、４７はト
ップステージである。４８はアクティブダンバコントロ
ーラで、サーボバルブ４９（第３口付番３６）を制御す
るエアーマクント圧力コントローラとボイスコイルモー
タ５０（第３口付番３１）を駆動するボイスコイルモー
タドライバとからなる。５１はステージ定盤１３上に取
付けられた加速度計、５２はＸＹステージ用定盤１３の
傾きを検知する非接触タイプの変位計（第３面付番３Ｂ
）、５３はフォーカス検出部（第１口付番１６ａ、１６
ｂ）である。 次に、これらの第１〜４図を参照して本実施例の露光装
置の動作を説明する。 まずはじめに、本体とＸＹステージの相対位置および姿
勢を計測するための原点を、鏡筒支持体４に固定された
レーザーヘッド２１からのレーザー光とトップステージ
９上に配置された二次元センサー８により決定する。こ
れ以降、本体リセット命令が制御用コンピュータに入力
されるまで木原点は書き換えられない。 次に、露光すべき半導体ウニへ毎にショット配列（レイ
アウト）およびＸＹ力方向移動量を予め制御用コンピュ
ータ４１に入力する。制御用コンピューター４１は、こ
れらのデータおよびステージの移動荷重よりステージ移
動後のステージ定盤１３の傾きを求めその傾きを補正す
べく各マウントの圧力および速度サーボと位置決めサー
ボ切換え位置を計算し設定する。 そして、ＸＹステージのサーボドライバ４５に対しＤＣ
サーボモータ４６の駆動指令を行ない、アクティブダン
バコントローラ４８内の圧力コントローラに対しサーボ
バルブ４９の駆動指令を行なう。次に、ＸＹステージが
速度サーボから位置決めサーボに切り換わった後、ステ
ージ定盤１３上に取り付けられた加速度計５１からの加
速度データよりアクティブダンバコント・ローラ４８内
のボイスコイルモータドライバに対しボイスコイルモー
タ５０の駆動指令を行なう、これにより、ステージ定盤
１３の振動を制振させると同時に、アクティブダンバコ
ントローラ４８内の圧力コントローラに対しサーボバル
ブ駆動指令を出す。 次に、フォーカス検出部５３およびステージの位置およ
び姿勢を表わすレーザ測定システム４４からのデータと
制御用コンピュータ４１内に記憶しである所定レイアウ
トとの差分であるθ（ヨーイング）、α（ローリング）
およびβ（ピッチング）を算出する。そして、ｘＹ酸成
分関してはＸＹステージ用サーボドライバ４５に、θ、
αおよびβ成分に関してはトップステージ駆動用ドライ
バに′糟令を出し、ＤＣサーボモータ４６およびトップ
ステージ４７を所定レイアウト（位置・姿勢）と一致す
るように駆動する。 ここでα成分およびβ成分に関しては、そのデータを制
御用コンピュータ４１にフィードバックして、ステージ
の位置と傾きの関係のテーブルを書き換える。 このようにＸＹステージの位置決めが完了した後に露光
を行なう。 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、ＸＹステージと
本体構造体とを別々に配置し、ＸＹステージ用マウント
にアクティブダンバと簡略フィードフすワード適用した
オートレベラーを組合わせるという簡単な構造により、
アクティブダンバを小型化しコスト低減が可能となる。 また、本体構造体から振動源を排除することにより、構
造体をコンパクトにでき軽量化がはかれる。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置（ステッパ
）の正面図、 第２図は、上記実施例の装置の測定系の配置を示す斜視
図、 第３図は、上記実施例の装置のステージ用マウントの詳
細な構造を示す断面図、 第４図は、上記実施例の装置のステージおよびマウント
部制御系のブロック図、 第５図は、従来の露光装置の正面図である。 １：照明部、 ３：投影レンズ、 ４；鏡筒支持体、５：本体用エアーマウント、６：位置
決め定盤、９ニドツブステージ、１０ ： Ｘステージ
、１１：Ｙステージ、１４ ： ＸＹステージ用マウン
ト（アクティブダンバー）、 ４１：制御用コンピュータ、 ４４：ＸＹ位置計測およびヨーイング計測用レーザー測
定システム、 ４５：ＸＹサーボドライバ、 ４８ニアクチイブダンパコントローラ、５１：加速度計
、５２；非接触変位計。 ン一
）の正面図、 第２図は、上記実施例の装置の測定系の配置を示す斜視
図、 第３図は、上記実施例の装置のステージ用マウントの詳
細な構造を示す断面図、 第４図は、上記実施例の装置のステージおよびマウント
部制御系のブロック図、 第５図は、従来の露光装置の正面図である。 １：照明部、 ３：投影レンズ、 ４；鏡筒支持体、５：本体用エアーマウント、６：位置
決め定盤、９ニドツブステージ、１０ ： Ｘステージ
、１１：Ｙステージ、１４ ： ＸＹステージ用マウン
ト（アクティブダンバー）、 ４１：制御用コンピュータ、 ４４：ＸＹ位置計測およびヨーイング計測用レーザー測
定システム、 ４５：ＸＹサーボドライバ、 ４８ニアクチイブダンパコントローラ、５１：加速度計
、５２；非接触変位計。 ン一
Claims (4)
- （１）原板上に形成されているパターンを投影レンズを
介してステージ上に載置された基板に露光する露光装置
において、 上記基板を載置するステージと上記投影レンズを保持す
る投影レンズ取付台とをそれぞれ支持する別々の防振マ
ウントを具備することを特徴とする露光装置。 - （２）前記ステージ全体の傾きを補正してステージ移動
後の全体姿勢を一定に保つように、前記別置きされたス
テージ用の防振マウントの空気圧をステージ移動完了前
にコントロールする手段を備えた請求項１に記載の露光
装置。 - （３）前記ステージ用の防振マウントの空気圧コントロ
ールデータを、１枚前の基板処理時のステージ位置デー
タおよびステージ全体の傾きデータに基づいて補正する
手段を備えた請求項２に記載の露光装置。 - （４）前記ステージ用の防振マウントがアクティブダン
バである請求項３に記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017690A JP2583120B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017690A JP2583120B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199813A true JPH02199813A (ja) | 1990-08-08 |
| JP2583120B2 JP2583120B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=11950818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1017690A Expired - Fee Related JP2583120B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2583120B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04316312A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-11-06 | Asm Lithography Bv | 結像方法及び装置並びに物体を正確に変位及び位置決めする装置 |
| WO2000014779A1 (fr) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Nikon Corporation | Appareil et procede d'exposition, dispositif et procede de production dudit appareil |
| EP1105780A1 (en) * | 1998-08-14 | 2001-06-13 | Nikon Corporation | Reaction force isolation system for a planar motor |
| US6638800B1 (en) | 1992-11-06 | 2003-10-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser processing apparatus and laser processing process |
Citations (3)
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| JPS62120026A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Fujitsu Ltd | Ｘ線露光装置 |
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| JPS63198326A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置 |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1017690A patent/JP2583120B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2000014779A1 (fr) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Nikon Corporation | Appareil et procede d'exposition, dispositif et procede de production dudit appareil |
| US6538719B1 (en) | 1998-09-03 | 2003-03-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device and method for producing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2583120B2 (ja) | 1997-02-19 |
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|---|---|---|---|
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