JPH021951A - 真空内処理における板状処理物の冷却方法 - Google Patents
真空内処理における板状処理物の冷却方法Info
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- JPH021951A JPH021951A JP63142552A JP14255288A JPH021951A JP H021951 A JPH021951 A JP H021951A JP 63142552 A JP63142552 A JP 63142552A JP 14255288 A JP14255288 A JP 14255288A JP H021951 A JPH021951 A JP H021951A
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 34
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 abstract 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000287828 Gallus gallus Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009936 Pteridium aquilinum Nutrition 0.000 description 1
- 240000005893 Pteridium aquilinum Species 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明は、イオン注入や、エツチング、スパッタリン
グ等、高エネルギのビームにより高真空内で処理するに
際して、ウェハ等の板状処理物を冷却する真空内処理に
おける板状処理物の冷却方法に関する。
グ等、高エネルギのビームにより高真空内で処理するに
際して、ウェハ等の板状処理物を冷却する真空内処理に
おける板状処理物の冷却方法に関する。
イオン注入やエツチング等を行うに際し、ウェハ等の板
状処理物は高エネルギで処理されるため、高温に加熱さ
れる。そのため、充分な冷却を行わなければ、板状処理
物の良好な処理ができなかったり、板状処理物を損傷し
たりする。
状処理物は高エネルギで処理されるため、高温に加熱さ
れる。そのため、充分な冷却を行わなければ、板状処理
物の良好な処理ができなかったり、板状処理物を損傷し
たりする。
板状処理物は真空中に配置されるため、冷却を行うには
その載置台を介して裏面から冷却する。
その載置台を介して裏面から冷却する。
載置台は金属製のものであるため、熱伝導性が良い。し
かし、ウェハ等の板状処理物の裏面は粗面であるため、
金属製の載置台とは密着せず、接触面積が少なくて熱伝
導が行われ難い。高真空内であるため、接触しない箇所
では放射によ、ってのみしか熱が伝わらない。
かし、ウェハ等の板状処理物の裏面は粗面であるため、
金属製の載置台とは密着せず、接触面積が少なくて熱伝
導が行われ難い。高真空内であるため、接触しない箇所
では放射によ、ってのみしか熱が伝わらない。
接触を密にするため、可撓性の放熱シートを載置台と板
状処理物との間に介在させて圧接させることも提案され
ているが、板状処理物の反り等のため、充分な効果が得
られない場合がある。圧接力を強くすると密な接触が得
られるが、ウェハ等の板状処理物は薄くて割れ易いため
、強い押し付は力を加えることができない。
状処理物との間に介在させて圧接させることも提案され
ているが、板状処理物の反り等のため、充分な効果が得
られない場合がある。圧接力を強くすると密な接触が得
られるが、ウェハ等の板状処理物は薄くて割れ易いため
、強い押し付は力を加えることができない。
そのため従来、第２図に示すように、高真空内に配置さ
れる蔵置台５０の一部に気体導入口５１を設けたものが
提案されている。気体導入口５１は、気圧調整系５３を
介して気体供給源に接続する。裁置台５０は、内部に冷
却水等の冷媒を循環させる循環路を設けることが多い。
れる蔵置台５０の一部に気体導入口５１を設けたものが
提案されている。気体導入口５１は、気圧調整系５３を
介して気体供給源に接続する。裁置台５０は、内部に冷
却水等の冷媒を循環させる循環路を設けることが多い。
載置面５０と板状処理物５２との間に気体を導入するこ
とにより、両者の非接触箇所では気体を介して熱伝導が
行われ、熱伝導効率が向上する。
とにより、両者の非接触箇所では気体を介して熱伝導が
行われ、熱伝導効率が向上する。
このような冷却方法を採用する例として、例えば特開昭
５６−４８１３２号公報に示すものがある。
５６−４８１３２号公報に示すものがある。
しかし、高真空内（１０−”ｔｏｒｒ以下）に存在する
載置台５０に気体を導入して載置台５０と板状処理物５
２との間に低真空部（Ｉ Ｏ−’〜ｌ ０２Ｌｏｒｒ以
下）を作るという構造のため、気圧ｊｌｌ整系５３が必
要で、配管や載置台５０の構造が複雑になるという問題
点がある。ｖＩＩｊ、置台５０に冷媒のｖ８環路を設け
た場合は、その冷媒の供給路と気体導入口５１への気体
供給路と合わせて２種類の供給路が必要となり、構造が
より一層複雑になる。
載置台５０に気体を導入して載置台５０と板状処理物５
２との間に低真空部（Ｉ Ｏ−’〜ｌ ０２Ｌｏｒｒ以
下）を作るという構造のため、気圧ｊｌｌ整系５３が必
要で、配管や載置台５０の構造が複雑になるという問題
点がある。ｖＩＩｊ、置台５０に冷媒のｖ８環路を設け
た場合は、その冷媒の供給路と気体導入口５１への気体
供給路と合わせて２種類の供給路が必要となり、構造が
より一層複雑になる。
特に、ビームの均一照射のために、載置台５０に回転や
並進運動を行わせる場合は、非常に複雑な機構を用いな
ければ処理室内の高真空状態を維持できない。
並進運動を行わせる場合は、非常に複雑な機構を用いな
ければ処理室内の高真空状態を維持できない。
この発明の目的は、処理装置の冷却構造が簡単ですみ、
良好な冷却が行える真空内処理における板状処理物の冷
却方法を提供することである。
良好な冷却が行える真空内処理における板状処理物の冷
却方法を提供することである。
この発明の真空内処理における板状処理物の冷却方法は
、真空室内で板状処理物をビームの照射により処理する
に際し、真空室内の裁置台に板状処理物を直接に載せず
に、可搬台を介して載せるようにし、真空室外で前記可
搬台と板状処理物との間に気体を封入し、可搬台を真空
室に搬入する方法である。
、真空室内で板状処理物をビームの照射により処理する
に際し、真空室内の裁置台に板状処理物を直接に載せず
に、可搬台を介して載せるようにし、真空室外で前記可
搬台と板状処理物との間に気体を封入し、可搬台を真空
室に搬入する方法である。
この発明の方法によると、可ｔａ台と板状処理物とが非
接触となった箇所では、可搬台と板状処理物との間に封
入した気体を介して板状処理物から可搬台に熱伝導する
。さらに、可搬台から載置台に熱伝導し、板状処理物の
冷却が行われる。前記気体の封入は、真空室外で行うの
で、可搬台に板状処理物を載せてクランプするだけで簡
単に封入できる。可搬台は板状処理物と異なり堅固なも
のであるため・、載置台に強く圧接すること等により、
可搬台と載置台との間の熱伝導は良好に行える。
接触となった箇所では、可搬台と板状処理物との間に封
入した気体を介して板状処理物から可搬台に熱伝導する
。さらに、可搬台から載置台に熱伝導し、板状処理物の
冷却が行われる。前記気体の封入は、真空室外で行うの
で、可搬台に板状処理物を載せてクランプするだけで簡
単に封入できる。可搬台は板状処理物と異なり堅固なも
のであるため・、載置台に強く圧接すること等により、
可搬台と載置台との間の熱伝導は良好に行える。
この発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。
この冷却方法に用いる設備を説明する。この方法では、
板状処理物ｌを載せて搬送する可搬台２を用い、可搬台
２を真空室内のｉＩ２置台３にＺＩＴＩする。板状処理
物ｌは半導体ウェハ等である。
板状処理物ｌを載せて搬送する可搬台２を用い、可搬台
２を真空室内のｉＩ２置台３にＺＩＴＩする。板状処理
物ｌは半導体ウェハ等である。
可搬台２は、０リング等のバッキング４を周縁に有し、
かつ板状処理物ｌの周縁を押し付けるクランプ部材５を
設けである。クランプ部材５は、止め具（図示せず）等
により可搬台２にクランプ解除可能に取付けである。可
搬台２の下部には係合用のフランジ６を設けである。
かつ板状処理物ｌの周縁を押し付けるクランプ部材５を
設けである。クランプ部材５は、止め具（図示せず）等
により可搬台２にクランプ解除可能に取付けである。可
搬台２の下部には係合用のフランジ６を設けである。
ＩＩｉ置台３は、可搬台２との間に介在させる熱伝導性
ゴム等の可撓性シート８を上面に有し、可搬台２のフラ
ンジ６に係合する可１般台クランプ部材７を設けである
。可搬台クランプ部材７は、クランプ部材５と同様にク
ランプ解除可能に止め具等によりｆ２装台３に取付けで
ある。載置台３は、内部に冷却水やフロン等の冷媒を循
環させる循環路（図示せず）が設けである。
ゴム等の可撓性シート８を上面に有し、可搬台２のフラ
ンジ６に係合する可１般台クランプ部材７を設けである
。可搬台クランプ部材７は、クランプ部材５と同様にク
ランプ解除可能に止め具等によりｆ２装台３に取付けで
ある。載置台３は、内部に冷却水やフロン等の冷媒を循
環させる循環路（図示せず）が設けである。
つぎに冷却方法を説明する。適当な気圧（１０ｔｏｒｒ
ないし大気圧）下において、第１図（Ａ）に示すように
可搬台２に板状処理物１を載せ、クランプ部材５で固定
する。これにより、可搬台２と板状処理物１との間の空
間はバッキング４で密閉され、気体が封入される。封入
する気体は空気でも良いが、より高い熱伝導を必要とす
る場合は、ヘリウム、水素等の良熱伝導性の気体を用い
る。
ないし大気圧）下において、第１図（Ａ）に示すように
可搬台２に板状処理物１を載せ、クランプ部材５で固定
する。これにより、可搬台２と板状処理物１との間の空
間はバッキング４で密閉され、気体が封入される。封入
する気体は空気でも良いが、より高い熱伝導を必要とす
る場合は、ヘリウム、水素等の良熱伝導性の気体を用い
る。
ヘリウム等を用いるとき、あるいは大気圧以下の圧力と
するときは、そのように気体を調整した部屋の中で板状
処理物ｌのクランプを行う。
するときは、そのように気体を調整した部屋の中で板状
処理物ｌのクランプを行う。
この板状処理物ｌを載せた可搬台２を、真空室内に直接
に、あるいは予備排気室を経由して搬入し、真空室内の
載置台３にｆ２置する（第１図（Ｂ））。可搬台２は、
フランジ６を可搬台クランプ部材７で押え込むことによ
り載置台３に固定する。
に、あるいは予備排気室を経由して搬入し、真空室内の
載置台３にｆ２置する（第１図（Ｂ））。可搬台２は、
フランジ６を可搬台クランプ部材７で押え込むことによ
り載置台３に固定する。
このように準備が完了すると、真空室内でイオンビーム
等のビーム９を板状処理物ｌに照射し、板状処理物ｌに
イオン注入等の処理を施す。（第１図（Ｃ））。
等のビーム９を板状処理物ｌに照射し、板状処理物ｌに
イオン注入等の処理を施す。（第１図（Ｃ））。
この処理のときに、板状処理物ｌはビーム９の高いエネ
ルギのために、冷却を行わなければ高温に加熱される。
ルギのために、冷却を行わなければ高温に加熱される。
板状処理物■の熱は、接触部分では直接に、非接触部分
では可搬台２との間に封入した気体を介して可搬台２に
伝導する。伝導した熱は、可搬台２から載置台３に伝導
して放散される。載置台３は、内部の循環路を流れる冷
媒により冷却される。このように、板状処理物ｌの裏側
に封入した気体を介して熱伝導するようにしたので、板
状処理物Ｉの裏面が粗面であっても、良好な熱伝導が行
え、高い冷却効率が得られる。可搬台２と載置台３との
間の熱抵抗が問題であるが、可搬台２は板状処理物ｌと
異なり堅固なものであるため、強い押圧力を加えること
ができる。そのため、可撓性シート８を介して押付ける
ことにより、可搬台２と載置台３との間の熱抵抗は非常
に小さくなる。したがって、Ｉ＆ｗ置台３の冷却により
Ｉ反状処理物】を良好に冷却できる。
では可搬台２との間に封入した気体を介して可搬台２に
伝導する。伝導した熱は、可搬台２から載置台３に伝導
して放散される。載置台３は、内部の循環路を流れる冷
媒により冷却される。このように、板状処理物ｌの裏側
に封入した気体を介して熱伝導するようにしたので、板
状処理物Ｉの裏面が粗面であっても、良好な熱伝導が行
え、高い冷却効率が得られる。可搬台２と載置台３との
間の熱抵抗が問題であるが、可搬台２は板状処理物ｌと
異なり堅固なものであるため、強い押圧力を加えること
ができる。そのため、可撓性シート８を介して押付ける
ことにより、可搬台２と載置台３との間の熱抵抗は非常
に小さくなる。したがって、Ｉ＆ｗ置台３の冷却により
Ｉ反状処理物】を良好に冷却できる。
処理が終了すると、可搬台クランプ部材７を解除して可
搬台２を真空室外に取り出し、クランプ部材５の解除に
より板状処理物１と可搬台２との離脱を行う。
搬台２を真空室外に取り出し、クランプ部材５の解除に
より板状処理物１と可搬台２との離脱を行う。
このように、この冷却方法では可搬台２を用い、可搬台
２と板状処理物ｌとの間に気体を封入するようにしたの
で、封入気体を介して熱伝導が行えて効↑シの良い冷却
が行える。気体の封入は高真空室外で行うので、板状処
理物１を可り置台に載せてクランプするだけですみ、封
入作業が簡単である。
２と板状処理物ｌとの間に気体を封入するようにしたの
で、封入気体を介して熱伝導が行えて効↑シの良い冷却
が行える。気体の封入は高真空室外で行うので、板状処
理物１を可り置台に載せてクランプするだけですみ、封
入作業が簡単である。
また、気体を封入するようにしたので、載置台３に？Ｍ
雑な気体供給系を設ける必要がなく、冷却設備の構造が
簡単になる。
雑な気体供給系を設ける必要がなく、冷却設備の構造が
簡単になる。
なお、前記実施例では載置台３に冷媒の循環路を設けた
が、可搬台２の熱容量を充分に大きくすると、載置台３
を冷媒の循環により冷却しなくても板状処理物ｌの冷却
を充分に行うことができる。
が、可搬台２の熱容量を充分に大きくすると、載置台３
を冷媒の循環により冷却しなくても板状処理物ｌの冷却
を充分に行うことができる。
また、可搬台２の内部に低融点化合物を封入し、その融
解熱を用いて処理中の板状処理物ｌの温度上昇を抑える
こともできる。低融点化合物としては、ガリウムまたは
その合金等を用いることができる。
解熱を用いて処理中の板状処理物ｌの温度上昇を抑える
こともできる。低融点化合物としては、ガリウムまたは
その合金等を用いることができる。
この発明の真空的処理における板状処理物の冷却方法に
よると、可搬台と板状処理物との間に気体を封入したの
で、封入気体を介して板状処理物から可搬台に熱伝導す
る。そのため、板状処理物の裏面が粗面であっても高い
伝達効率が得られ、良好な冷却が行える。可搬台は板状
処理物と異なり堅固なものであるため、圧接力を強くす
る等の方法でｉ！３ｉ２台との間の熱抵抗を小さくでき
る。そのため、Ｒ置台と可搬台との接触部で冷却効率が
低下することがな（、板状処理物の良好な冷却が行える
。前記気体の封入は高真空室外で行うので、板状処理物
を可搬台に載せてクランプするだけですみ、封入作業が
簡単である。このように、気体を封入するようにしたの
で、載置台に複雑な気体供給系を設ける必要がなく、冷
却設備の構造が前哨になるという効果がある。
よると、可搬台と板状処理物との間に気体を封入したの
で、封入気体を介して板状処理物から可搬台に熱伝導す
る。そのため、板状処理物の裏面が粗面であっても高い
伝達効率が得られ、良好な冷却が行える。可搬台は板状
処理物と異なり堅固なものであるため、圧接力を強くす
る等の方法でｉ！３ｉ２台との間の熱抵抗を小さくでき
る。そのため、Ｒ置台と可搬台との接触部で冷却効率が
低下することがな（、板状処理物の良好な冷却が行える
。前記気体の封入は高真空室外で行うので、板状処理物
を可搬台に載せてクランプするだけですみ、封入作業が
簡単である。このように、気体を封入するようにしたの
で、載置台に複雑な気体供給系を設ける必要がなく、冷
却設備の構造が前哨になるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例の冷却方法の説明図、第２
図は従来の載置台と板状処理物との関係を示す断面図で
ある。 ｌ・・・板状処理物、２・・・可搬台、３・・・可搬台
、４・・・バッキング、５・・・クランプ部材、７・・
・可１般台クランプ部材 ２可鶏曾 ３蕨τ台 第 図 第 図
図は従来の載置台と板状処理物との関係を示す断面図で
ある。 ｌ・・・板状処理物、２・・・可搬台、３・・・可搬台
、４・・・バッキング、５・・・クランプ部材、７・・
・可１般台クランプ部材 ２可鶏曾 ３蕨τ台 第 図 第 図
Claims (1)
- 可搬台に板状処理物を載せてクランプすることにより両
者の間に気体を封入する過程と、この板状処理物を載せ
た可搬台を真空室内に搬入し載置台に載置する過程と、
この載置台上の可搬台の板状処理物をビームの照射によ
り処理する過程とを含む真空内処理における板状処理物
の冷却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142552A JPH0682749B2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 真空内処理における板状処理物の冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142552A JPH0682749B2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 真空内処理における板状処理物の冷却方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021951A true JPH021951A (ja) | 1990-01-08 |
| JPH0682749B2 JPH0682749B2 (ja) | 1994-10-19 |
Family
ID=15318001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63142552A Expired - Fee Related JPH0682749B2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 真空内処理における板状処理物の冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0682749B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137225A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Anelva Corp | 基板着脱機構 |
| JPS59172736A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | イオン注入用ウエハ−ス保持装置 |
| JPS62147340U (ja) * | 1987-02-10 | 1987-09-17 | ||
| JPS62274625A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-28 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテッド | ガスを利用して真空中でウェーハを冷却するための装置 |
-
1988
- 1988-06-09 JP JP63142552A patent/JPH0682749B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137225A (ja) * | 1982-02-09 | 1983-08-15 | Anelva Corp | 基板着脱機構 |
| JPS59172736A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | イオン注入用ウエハ−ス保持装置 |
| JPS62274625A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-28 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテッド | ガスを利用して真空中でウェーハを冷却するための装置 |
| JPS62147340U (ja) * | 1987-02-10 | 1987-09-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0682749B2 (ja) | 1994-10-19 |
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