JPH02194618A - Processing apparatus - Google Patents

Processing apparatus

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JPH02194618A
JPH02194618A JP1467889A JP1467889A JPH02194618A JP H02194618 A JPH02194618 A JP H02194618A JP 1467889 A JP1467889 A JP 1467889A JP 1467889 A JP1467889 A JP 1467889A JP H02194618 A JPH02194618 A JP H02194618A
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修 平河
Noriyuki Anai
穴井 徳行
Masami Akumoto
正巳 飽本
Yoshio Kimura
義雄 木村
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Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To prevent contamination of environment and decrease in safety by providing a constitution wherein the sidewall of an abutment member by which a wall member can be inserted into the inside always overlapped with the sidewall of a processing container in a contact state or in a noncontact state. CONSTITUTION:A spin chuck 22 which is used when a treated body, e.g. a semiconductor wafer 21, is transferred and when it is rotated and processed is provided. The upper part of the chuck 22 has a planar shape whose area is smaller than the diameter of the wafer 21, and the cross section is formed in a T shape. A sucking and holding mechanism is provided at the upper end part, and a spin motor 23 is provided at the lower end part. The chuck 22 and the motor 23 can be lifted and lowered. A processing container is formed so that the chuck 22 is made to pass through the central part. The processing container comprises a ring shaped inner cup 24 and a lower cup 25. A chuck ring 26 which holds the peripheral part of the rear surface of the wafer 21 is provided at the upper end of the cup 24. A rear surface cleaning nozzle 28 and a pre-wet nozzle 29 are arranged at the inside of the ring 26. The inner cup 24 can be brought into contact with an abutment member, e.g. an outer cup 38, which is fixed at the upper part.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、処理装置に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a processing device.

(従来の技術) 一般に、半導体集積回路のパターン形成工程において被
処理体例えば半導体ウェハ全面が一様に被着される工程
1例えばフォトレジスト膜の現像装置としては、工程の
無人化、連続処理等の見地からウェハを1枚づつ処理す
る枚葉式のスピン現像装置が使用されている。
(Prior Art) In general, in the pattern forming process of semiconductor integrated circuits, process 1, in which the entire surface of the object to be processed, such as a semiconductor wafer, is uniformly coated, for example, as a developing device for a photoresist film, unmanned processes, continuous processing, etc. From this point of view, single-wafer type spin developing apparatuses are used that process wafers one by one.

この枚葉式のスピン現像装置においては、通常、液吐出
ノズル或いはスプレー等により現像液をウェハ表面に滴
下して液盛りするのであるが、表面張力の作用によりウ
ェハ表面に盛り得る液量には限界があり、また5ノズル
やスプレーにて液吐出した場合、ウェハ表面での液むら
や吐出液のウェハの衝撃は防ぎ得ない。
In this single-wafer type spin developing device, the developer is usually dropped onto the wafer surface using a liquid discharge nozzle or a sprayer, but the amount of liquid that can be deposited on the wafer surface is limited by the action of surface tension. There is a limit, and if the liquid is discharged using five nozzles or a spray, it is impossible to prevent liquid unevenness on the wafer surface and impact of the discharged liquid on the wafer.

また、近年使用されるようになった現像液として、解像
度を向上させるために界面活性剤を添加したものや表面
張力の低い液が使用される傾向があり、ウェハ表面に表
面張力の作用のみにより必要量の現像液を盛ることが困
難となったため、浸漬式の現像装置が望まれていた。
Additionally, developing solutions that have come into use in recent years tend to contain surfactants or solutions with low surface tension in order to improve resolution. Since it has become difficult to fill up the required amount of developer, an immersion type developing device has been desired.

そこで、上記点を考慮した装置を第5図に示す。FIG. 5 shows an apparatus that takes the above points into consideration.

これは、環状の内カップ■に設けられた円環状チャック
■によりウェハ(3)の裏面周縁部を保持し、この内カ
ップのを上昇させて円環状外カップ(イ)の円面に設け
られているシール部材0と上記チャック■の外縁部を当
接させて処理槽0を形成する。
This is done by holding the periphery of the back surface of the wafer (3) with an annular chuck (2) provided on the annular inner cup (2), and then lifting the inner cup and attaching it to the circular surface of the annular outer cup (A). A processing tank 0 is formed by bringing the outer edge of the chuck (2) into contact with the sealing member 0 that is attached.

そして、この処理槽0に現像液を供給することで、上記
ウェハ■の浸漬式現像処理を行なう。この処理後、上記
内カップ■を下降させて上記処理槽0の廃液をチャフ9
0周縁部から下方へ排出する。
Then, by supplying a developer to this processing tank 0, the wafer 1 is subjected to immersion development processing. After this treatment, the inner cup ② is lowered and the waste liquid from the treatment tank 0 is drained into the chaff 9.
0 Discharge downward from the periphery.

ここで、排出された廃液は、上記内カップω下部に接続
されている下カップ■の底部の排液管(へ)から外部へ
排出される。そして、上記内カップ■の中央に貫設され
ているスピンチャック0に上記ウェハ■を受は渡し、モ
ータ(10)により上記ウェハ■を回転させて洗浄及び
乾燥させる。この時、飛散した現像液或いは洗浄液は、
上記外カップ(へ)の内壁及び下カップ■内壁を介して
上記排液管(へ)より外部へ排出される。この時、上記
ウェハ■を回転させることによりウェハ■から飛散した
ミスト状の現像液或いは洗浄液が外部へ流出することを
防止するために、上記下カップ■側壁の内面と外カップ
(へ)外周との間を非接触状態で昇降が可能とされた筒
状上カップ(11)を上昇させ、装置側壁を高い位置に
保っている。
Here, the discharged waste liquid is discharged to the outside from a drain pipe (to) at the bottom of the lower cup (2) connected to the lower part of the inner cup (ω). Then, the wafer (2) is transferred to a spin chuck 0 inserted through the center of the inner cup (2), and the wafer (2) is rotated by a motor (10) to be cleaned and dried. At this time, the scattered developer or cleaning solution
The liquid is discharged to the outside from the drain pipe via the inner wall of the outer cup and the inner wall of the lower cup. At this time, in order to prevent the mist-like developer or cleaning solution scattered from the wafer (■) from flowing out by rotating the wafer (2), the inner surface of the side wall of the lower cup (■) and the outer periphery of the outer cup (to) The cylindrical upper cup (11), which can be moved up and down without contact, is raised to maintain the side wall of the device at a high position.

(発明が解決しようとする課題) しかしながら上記従来の技術では、外部ヘミスト状の現
像液或いは洗浄液が流出しないように上カップ(11)
を上昇させた状態で処理を行なうが。
(Problem to be Solved by the Invention) However, in the above conventional technology, the upper cup (11) is
Processing is performed with the temperature raised.

この上カップ(11)を上昇させると、この上カップ(
11)側壁と下カップ■側壁との重なり合う面積が小さ
くなり、その結果、この上カップ(11)側壁及び下カ
ップ■側壁間の隙間から上記ミストが外部へ流出してし
まい、このミストの外部への流出を防止することが困難
となっていた。このミストが外部へ流出すると、環境汚
染が発生し、特に半導体ウェハの製造装置はクリーンル
ーム内で使用されることから、このクリーンルーム内及
びクリーンルーム内に設置された装置への汚染につなが
り、ウェハの歩留まりを低下させてしまう問題があった
When this upper cup (11) is raised, this upper cup (
11) The overlapping area between the side wall and the lower cup (11) side wall becomes smaller, and as a result, the mist flows out from the gap between the upper cup (11) side wall and the lower cup (11) side wall, and this mist flows out to the outside. It has become difficult to prevent the leakage of When this mist leaks outside, it causes environmental pollution.In particular, since semiconductor wafer manufacturing equipment is used in a clean room, it can lead to contamination of the clean room and the equipment installed in the clean room, reducing the yield of wafers. There was a problem that caused the .

また、上記現像液は可燃性であるため、外部へ流出する
ことは極めて危険であり、安全性が悪くなる。
Furthermore, since the developer is flammable, it is extremely dangerous to leak it outside, resulting in poor safety.

本発明は上記点に対処してなされたもので、装置外への
ミストの流出を防止することで環境の汚染、及び安全性
の低下を抑止することを可能とした処理装置を提供しよ
うとするものである。
The present invention has been made in response to the above-mentioned problems, and aims to provide a processing device that is capable of preventing environmental pollution and deterioration of safety by preventing mist from flowing out of the device. It is something.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明は、被処理体の設置台を有する処理容器と、この
処理容器との相対的な昇降により接触して処理部を形成
する当接体と、上記処理容器から処理液が周囲へ飛散す
ることを防止する如く設けられた昇降可能な壁体とを備
え、上記壁体を内部に挿入可能とする当接体側壁と、上
記処理容器側壁を、接触或いは非接触状態で常に重なり
合うように構成したことを特徴とする処理装置を得るも
のである。
(Means for Solving the Problems) The present invention provides a processing container having an installation stand for an object to be processed, a contact body that comes into contact with the processing container to form a processing section by moving up and down relative to the processing container, and a A side wall of the processing container is provided with a wall that can be raised and lowered and is provided to prevent the processing liquid from scattering from the container to the surroundings, and that allows the wall to be inserted into the processing container. The present invention provides a processing device characterized in that the processing devices are configured such that they always overlap in a non-contact state.

(作用効果) 即ち1本発明は、被処理体の設置台を有する処理容器と
、この処理容器との相対的な昇降により、接触して処理
部を形成する当接体と、上記処理容器から処理液が周囲
へ飛散することを防止する如く設けられた昇降可能な壁
体とを備え、上記壁体を内部に挿入可能とする当接体側
壁と、上記処理容器側壁を、接触或いは非接触状態で常
に重なり合うように構成したことにより、上記壁体がど
の位置に存在しても上記処理容器側壁と当接体側壁が接
触或いは非接触状態で常に重なり合うため、上記処理容
器からの処理液の飛散をより確実に行なうことができる
。このため、環境汚染の抑止及び安全性の向上が可能と
なる。
(Operations and Effects) That is, 1 the present invention provides a processing container having a stand for placing an object to be processed, a contact body that comes into contact with the processing container to form a processing section by moving up and down relative to the processing container, and a A wall body provided to prevent the processing liquid from scattering to the surroundings and which can be raised and lowered, and a side wall of the abutting body that allows the wall body to be inserted into the interior thereof, and a side wall of the processing container are brought into contact or non-contact with each other. Since the processing container side wall and the abutting body side wall always overlap with each other in contact or non-contact state, no matter where the wall body is located, the processing liquid from the processing container is Splashing can be performed more reliably. Therefore, it is possible to suppress environmental pollution and improve safety.

(実施例) 以下1本発明装置を半導体ウェハの現像処理に適用した
一実施例につき、図面を参照して説明する。
(Example) An example in which the apparatus of the present invention is applied to a development process of a semiconductor wafer will be described below with reference to the drawings.

まず、現像装置の構成を説明する。First, the configuration of the developing device will be explained.

被処理体例えば半導体ウェハ(21)を搬送する場合及
び回転処理する場合に、適宜使用する保持体例えばスピ
ンチャック(22)が設けられている。このスピンチャ
ック(22)は、上端が上記ウェハ(21)の口径より
小さい面積の平板状で断面がT字型に構成されており、
この平板状の上端部において上記ウェハ(21)を裏面
から保持する如く保持機構例えば吸着保持機構(図示せ
ず)が備えられている。
A holder, such as a spin chuck (22), which is used as appropriate when transporting and rotating a processed object, such as a semiconductor wafer (21), is provided. This spin chuck (22) has a flat plate shape with an upper end having an area smaller than the diameter of the wafer (21) and a T-shaped cross section.
A holding mechanism such as a suction holding mechanism (not shown) is provided at the upper end of the flat plate to hold the wafer (21) from the back side.

また、このスピンチャック(22)は、下端部に回転駆
動機構例えばスピンモータ(23)が連設し、これによ
り所定の回転数及び加速度で回転が可能とされている。
Further, the spin chuck (22) is connected to a rotation drive mechanism, for example, a spin motor (23) at its lower end, and is thereby capable of rotating at a predetermined rotation speed and acceleration.

このスピンチャック(22)及びスピンモータ(23)
は、図示しない昇降機構例えばエアシリンダーにより昇
降が可能とされている。この昇降により、上記ウェハ(
21)を外部装置と受は渡しするための搬送位置、及び
上記ウェハ(21)を保持して回転処理する際の回転処
理位置、及び上記ウェハ(21)を後述する支持体に受
は渡してウェハ(21)と非接触状態とする待機位置に
、上記スピンチャック(22)を夫々設置可能としてい
る。
This spin chuck (22) and spin motor (23)
can be raised and lowered by a lifting mechanism (not shown), such as an air cylinder. This lifting and lowering causes the above wafer (
21) is a transfer position for passing the wafer (21) to an external device, a rotation processing position for holding and rotating the wafer (21), and a support body for passing the wafer (21) to a support described later. The spin chucks (22) can be installed at standby positions where they are not in contact with the wafer (21).

また、上記スピンチャック(22)をほぼ中央部に貫通
させた状態の処理容器が構成され、この処理容器は、円
環状の内カップ(24)及びこの内カップ(24)の下
部に接続した下カップ(25)とから成っている。上記
内カップ(24)の上端には、上記ウェハ(21)の裏
面周縁部を保持し設置する設置台例えば円環状のチャッ
クリング(26)が設けられている。
In addition, a processing container is constructed in which the spin chuck (22) is passed through approximately the center thereof, and this processing container includes an annular inner cup (24) and a lower part connected to the lower part of the inner cup (24). It consists of a cup (25). At the upper end of the inner cup (24), a mounting table, for example, an annular chuck ring (26), is provided to hold and install the peripheral edge of the back surface of the wafer (21).

このチャックリング(26)は塑水性材料例えば四弗化
樹脂をコートした熱伝導性の良い材料例えば金属により
成り、外周部はテーパー状に形成されている。このチャ
ックリング(26)の上面には上記ウェハ(21)を吸
着保持するための溝(27)が形成されており、この溝
(27)に図示しない真空機構が連設し、上記ウェハ(
21)の保持を可能としている。このチャックリング(
26)の内側には裏面洗浄ノズル(28)及びプリウェ
ットノズル(29)が配置され、裏面洗浄ノズル(28
)はウェハ(2I)の裏面へ洗浄液例えば純水を供給す
ることで洗浄を可能とし、プリウェットノズル(29)
は処理液を供給することで上記チャックリング(26)
表面に残存している洗浄液等を除去可能としている。上
記内カップ(24)内例えば上記チャックリング(26
)直下には、温調機構例えば所定温度に温調された温調
水を流導する流路(30)が形成されている。このよう
な内カップ(24)の下部に、上記した下カップ(25
)が固定接続されている。この下カップ(25)の側壁
近辺は下方に突出した形状で、この突出した内部に廃液
を回収する廃液溝(31)が形成されている。更に、上
記下カップ(25)の内側には、均一に排気を行なうた
めの複数の整流孔(図示せず)が形成された円環状の仕
切りリング(32)が設けられている。この仕切りリン
グ(32)の内側の上記内カップ(24)底部には、図
示しない排気口が設けられ、排気が可能とされている。
This chuck ring (26) is made of a material with good thermal conductivity, such as metal, coated with a hydroplastic material such as tetrafluoride resin, and has a tapered outer peripheral portion. A groove (27) for suctioning and holding the wafer (21) is formed on the upper surface of the chuck ring (26), and a vacuum mechanism (not shown) is connected to this groove (27), and the wafer (21) is
21) can be maintained. This chuck ring (
A back cleaning nozzle (28) and a pre-wet nozzle (29) are arranged inside the back cleaning nozzle (28).
) enables cleaning by supplying a cleaning liquid such as pure water to the back side of the wafer (2I), and a pre-wet nozzle (29)
is the chuck ring (26) by supplying the processing liquid.
This makes it possible to remove cleaning liquid etc. remaining on the surface. Inside the inner cup (24), for example, the chuck ring (26)
) A temperature control mechanism, for example, a flow path (30) through which temperature-controlled water whose temperature is controlled to a predetermined temperature flows, is formed. At the bottom of such an inner cup (24), the above-mentioned lower cup (25) is placed.
) are permanently connected. The vicinity of the side wall of the lower cup (25) has a downwardly projecting shape, and a waste liquid groove (31) for collecting waste liquid is formed inside this projecting part. Further, inside the lower cup (25), there is provided an annular partition ring (32) in which a plurality of rectifying holes (not shown) are formed for uniform exhaustion. An exhaust port (not shown) is provided at the bottom of the inner cup (24) inside the partition ring (32) to enable exhaust.

このような下カップ(25)は上記内カップ(24)に
接続している。また、スピンチャック(22)及び内カ
ップ(24)の空間から上記排気が外部にリークしない
ように、上記空間には排気リーク防止プレート(33)
が設けられている。この排気リーク防止プレート(33
)の下端部には昇降板(34)がねじ(35)止め等に
より固定されており、この昇降板(34)は図示しない
昇降機構例えばエアシリンダーに連設しているシャフト
(36)と接続し、上記内カップ(24)及び下カップ
(25)を一体内に昇降可能としている。ここで、上記
排気リーク防止プレート(33)は高さ調整ねじ(37
)により高さが調整可能であり、これにより上記内カッ
プ(24)の高さ及びウェハ(21)との水平度を調整
できるようになっている。このような内カップ(24)
は、上方に固定されている当接体例えば外カップ(38
)と当接可能となっている。
Such a lower cup (25) is connected to the inner cup (24). Additionally, an exhaust leak prevention plate (33) is installed in the space to prevent the exhaust gas from leaking to the outside from the space of the spin chuck (22) and the inner cup (24).
is provided. This exhaust leak prevention plate (33
A lifting plate (34) is fixed to the lower end of ) with screws (35), etc., and this lifting plate (34) is connected to a lifting mechanism (not shown), such as a shaft (36) connected to an air cylinder. However, the inner cup (24) and the lower cup (25) can be moved up and down as one unit. Here, the exhaust leak prevention plate (33) is attached to the height adjustment screw (37).
), thereby making it possible to adjust the height of the inner cup (24) and the levelness with respect to the wafer (21). Inner cup like this (24)
is a contact body fixed above, for example, an outer cup (38
) and can come into contact with it.

上記外カップ(38)は、処理液の付着による溶出。The outer cup (38) elutes due to adhesion of the processing liquid.

腐食を防ぐために樹脂例えば弗素樹脂或いはPVCによ
り円環状に形成されている。この円環状の外カップ(3
8)は、上記内カップ(24)の周縁上端部形状と対応
する逆テーパー形状となっており、上記内カップ(24
)と液密に接触することで、上記ウェハ(21)の処理
を行なう処理部例えば処理槽(39)の側壁を構成する
ようになっている。この処理槽(39)の液密を保持す
るために、上記外カップ(38)の上記内カップ(24
)当接部には弾性体例えばニトリルゴム或いは弗素樹脂
から成るシール部材(4o)が設けられている。このシ
ール部材(4o)より上方の外カップ(38)内壁即ち
上記処理槽(39)側壁には処理液例えば現像液供給孔
(41)が、上記外カップ(38)内壁に沿ってほぼ等
間隔で複数個形成されている。この現像液供給孔(41
)は、外部の図示しない現像液供給源に連設し、上記処
理槽(39)内に所定量の現像液を供給可能としている
。この現像液供給孔(41)から上記処理槽(39)内
へ供給する現像液を所定温度に保つために、上記外カッ
プ(38)内には温調機構例えば上記外カップ(38)
内に形成された流路(42)内を外部の温調器により所
定温度に温調された温調水が循環する如く構成された温
調機構が設けられている。また、上記外カップ(38)
の下面外周部には、この外カップ(38)を構成する円
環状のスカートリング(43)が下方に突設されている
。このスカートリング(43)は、二重リング構造で内
側リング(43a)及び外側リング(43b)を有して
いる。 この内側リング(43a)の上端は上記外カッ
プ(38)に接続され、また、外側リング(43b)は
上記内側リング(43a)と多少の隙間を開けて並設さ
れ、この外側リング(43b)と内側リング(43a)
の夫々下端部が封止されている。そして、上記外側リン
グ(43b)の上端部が、例えばベースプレート(44
)に取付けられ固定されている。これにより上記外カッ
プ(38)が固定されている。このような構造のスカー
トリング(43)内、即ち、内側リング(43a)と外
側リング(43b)との間に挿入可能とされた壁体例え
ば上カップ(45)が設けられている。この上カップ(
45)は、上記処理容器から処理液等が周囲へ飛散する
ことを防止するために筒状構造で。
In order to prevent corrosion, it is made of resin such as fluororesin or PVC and is formed into an annular shape. This annular outer cup (3
8) has an inverted tapered shape corresponding to the shape of the upper end of the periphery of the inner cup (24), and
), it forms a side wall of a processing section, such as a processing tank (39), in which the wafer (21) is processed. In order to maintain liquid tightness of this processing tank (39), the inner cup (24) of the outer cup (38) is
) A sealing member (4o) made of an elastic material such as nitrile rubber or fluororesin is provided at the contact portion. On the inner wall of the outer cup (38) above the sealing member (4o), that is, on the side wall of the processing tank (39), processing liquid, for example, developer supply holes (41) are provided at approximately equal intervals along the inner wall of the outer cup (38). Multiple pieces are formed. This developer supply hole (41
) is connected to an external developer supply source (not shown), so that a predetermined amount of developer can be supplied into the processing tank (39). In order to maintain the developer supplied from the developer supply hole (41) into the processing tank (39) at a predetermined temperature, the outer cup (38) is provided with a temperature control mechanism, such as the outer cup (38).
A temperature control mechanism is provided in which temperature-controlled water whose temperature is controlled to a predetermined temperature by an external temperature controller circulates through a flow path (42) formed inside. In addition, the above outer cup (38)
An annular skirt ring (43) constituting the outer cup (38) is provided on the outer periphery of the lower surface of the cup to protrude downward. This skirt ring (43) has a double ring structure and has an inner ring (43a) and an outer ring (43b). The upper end of this inner ring (43a) is connected to the outer cup (38), and the outer ring (43b) is arranged in parallel with the inner ring (43a) with a slight gap. and inner ring (43a)
The lower ends of each are sealed. The upper end of the outer ring (43b) is connected to the base plate (44), for example.
) is attached and fixed. This fixes the outer cup (38). A wall body such as an upper cup (45) is provided which can be inserted into the skirt ring (43) having such a structure, that is, between the inner ring (43a) and the outer ring (43b). This upper cup (
45) has a cylindrical structure to prevent the processing liquid etc. from scattering from the processing container to the surroundings.

図示しない昇降機構により昇降が可能とされている。ま
た、上記スカートリング(43)の外面と、上記処理容
器の側壁、即ち下カップ(25)側壁の内面とは、接触
或いは非接触状態で常に十分に重なり合った状態で相対
的に昇降が可能とされている。
It can be raised and lowered by a lifting mechanism (not shown). Further, the outer surface of the skirt ring (43) and the inner surface of the side wall of the processing container, that is, the inner surface of the lower cup (25) side wall, are always sufficiently overlapped with each other in contact or non-contact state, and can be moved up and down relative to each other. has been done.

これにより内部の処理液等が外部に流出することを防止
している。このようにして現像装置が構成されている。
This prevents the internal processing liquid and the like from flowing out. The developing device is configured in this way.

次に、上述した現像装置の動作作用及びウェハωの現像
方法を説明する。
Next, the operation of the above-mentioned developing device and the method of developing the wafer ω will be explained.

まず、スピンチャック(22)及びスピンモータ(23
)を図示しない昇降機構により上昇させ、上記スピンチ
ャック(22)の上面を搬送位置に設定する。
First, the spin chuck (22) and the spin motor (23)
) is raised by a lifting mechanism (not shown), and the upper surface of the spin chuck (22) is set at the transport position.

この搬送位置とは、このスピンチャック(22)と外部
装置との間でウェハ(21)を受は渡しする位置で、こ
の受は渡しに障害とならないように、外カップ(38)
上面より高い位置となっている。この時、内カップ(2
4)及びこの内カップ(24)に固定されている下カッ
プ(25)及び上カップ(45)は、下降させた状態と
しておく、そして1図示しない搬送機端例えばハンドア
ームにより、ウェハ(21)を上記スピンチャック(2
2)上に搬送し、このスピンチャック(22)の回転中
心とウェハ(21)の回転中心が合わせられた状態で、
上記スピンチャック(22)上面にウェハ(21)を設
置し、このウェハ(21)を保持例えば吸着保持する(
第2図)。
This transfer position is a position where the wafer (21) is transferred between the spin chuck (22) and an external device.
It is located higher than the top surface. At this time, the inner cup (2
4) and the lower cup (25) and upper cup (45) fixed to the inner cup (24) are kept in a lowered state, and the wafer (21) is The above spin chuck (2
2) Transfer the wafer upward, and with the rotation center of this spin chuck (22) and the rotation center of the wafer (21) aligned,
A wafer (21) is placed on the upper surface of the spin chuck (22), and the wafer (21) is held, for example, by suction (
Figure 2).

そして、上記スピンチャック(22)及びスピンモータ
(23)を下降させ、上記ウェハ(21)を回転処理位
置に設定する(第3図)、この回転処理とは、上記ウェ
ハ(21)を保持して回転処理する位置で、このウェハ
(21)表面の延長面が外カップ(38)の逆テーパー
形状の内壁面と交わる位置となっている。
Then, the spin chuck (22) and the spin motor (23) are lowered and the wafer (21) is set at the rotation processing position (Fig. 3). At the position where the wafer (21) is rotated, the extended surface of the wafer (21) intersects with the inversely tapered inner wall surface of the outer cup (38).

この時、上記内カップ(24)及びこの内カップ(24
)に固定されている下カップ(25)は、下降させたま
まの状態としておき、また、上記上カップ(45)は上
昇させる。そして、上記スピンモータ(23)によりス
ピンチャック(22)を介してウェハ(21)を所定の
回転速度で回転させ、このウェハ(21)の上方に配置
されたスプレー(図示せず)より現像液を噴出させて上
記ウェハ(2I)をプリウェットする。同時に、プリウ
ェットノズル(29)から現像液を流出させ、この現像
液によりチャックリング(26)表面に存在しているリ
ンス液等の水分を除去し、現像液に置換する。
At this time, the above inner cup (24) and this inner cup (24
) is kept in a lowered state, and the upper cup (45) is raised. Then, the wafer (21) is rotated at a predetermined rotation speed by the spin motor (23) via the spin chuck (22), and a developer is sprayed from a spray (not shown) placed above the wafer (21). The wafer (2I) is pre-wetted by jetting it. At the same time, the developer is flowed out from the pre-wet nozzle (29), and the developer removes moisture such as the rinse liquid present on the surface of the chuck ring (26) and replaces it with the developer.

そして、上記内カップ(24)及びこれに固定されてい
る下カップ(25)を図示しない昇降機構により上昇さ
せることにより、上記スピンチャック(22)に設置さ
れているウェハ(21)をチャックリング(26)上に
受は渡す。また、上記内カップ(24)は更に上昇して
チャックリング(26)のテーパー形状の周縁部と、上
記外カップ(38)内周に設けられているシール部材(
40)を当接させ、液密な処理槽(39)を形成する。
Then, by raising the inner cup (24) and the lower cup (25) fixed thereto by a lift mechanism (not shown), the wafer (21) installed on the spin chuck (22) is lifted up by the chuck ring ( 26) Uke is passed on. Moreover, the inner cup (24) further rises to meet the tapered peripheral edge of the chuck ring (26) and the seal member (
40) are brought into contact with each other to form a liquid-tight processing tank (39).

この処理槽(39)を液密とする如く内カップ(24)
を外カップ(38)に当接させるために、ベースプレー
ト(44)に設けた高さ調整ネジ(図示せず)により外
カップ(38)の高さを調整してお(。
Inner cup (24) to make this treatment tank (39) liquid-tight
In order to bring the cup into contact with the outer cup (38), the height of the outer cup (38) is adjusted using a height adjustment screw (not shown) provided on the base plate (44).

また、上記チャックリング(26)に設置したウェハ(
21)を、溝(27)に連設した真空機構により吸着保
持する。この時、上記上カップ(45)は上昇させたま
まとしておく。
Also, the wafer (
21) is attracted and held by a vacuum mechanism connected to the groove (27). At this time, the upper cup (45) is kept raised.

そして、上記外カップ(38)内周に複数個設けられて
いる現像液供給孔(41)から所定量の現像液(46)
を例えば3〜6Q/minの速度で上記処理槽(39)
内に供給し、貯留する(第4図)。これによリウエハ(
21)表面に現像液(46)が貯留され、ウェハ(21
)の浸漬式現像処理が行なわれる。この時、上記現像液
供給孔(41)から供給される現像液は。
Then, a predetermined amount of developer (46) is supplied from a plurality of developer supply holes (41) provided on the inner periphery of the outer cup (38).
the above treatment tank (39) at a rate of, for example, 3 to 6 Q/min.
(Fig. 4). With this, the rewafer (
21) A developer (46) is stored on the surface of the wafer (21).
) immersion type development processing is performed. At this time, the developer supplied from the developer supply hole (41) is as follows.

上記外カップ(38)内部に形成されている流路(42
)に所定温度例えば常温に温調制御された温調水が循環
していることにより、上記常温にされてウェハ(21)
表面に供給される。このことにより、ウェハ(21)の
現像むらの発生を防止し、均一な現像処理を行なうこと
を可能としている。
A channel (42) formed inside the outer cup (38)
) is circulated at a predetermined temperature, for example, room temperature, so that the wafer (21) is brought to the above room temperature.
Supplied to the surface. This prevents uneven development of the wafer (21) and makes it possible to perform uniform development processing.

所定時間経過後、上記内カップ(24)を下降させるこ
とにより、上記ウェハ(21)の保持をチャックリング
(26)からスピンチャック(22)に切り換え、この
ウェハ(21)を回転処理位置に設定する(第3図)に
の場合も、上記上カップ(45)は上昇した状態として
おく。この時、上記ウェハ(21)表面、即ち、処理槽
(39)に貯留されて現像処理に使用された現像廃液は
、上記内カップ(24)が下降し、上記処理槽(39)
の液密を解除した時点で、テーパー形状の内カップ(2
4)外周部に沿って下カップ(25)の廃液溝(31)
に、速やかに除去される。ここで、上記スピンモータ(
23)によりスピンチャック(22)を介してウェハ(
21)を所定の回転速度で回転させ、この回転状態で上
記ウェハ(21)上方に配置された図示しないリンスノ
ズルから、リンス液例えば純水を供給してウェハ(21
)表面を洗浄する。同時に、上記内カップ(24)の内
周に設けられている裏面洗浄ノズル(28)から、上記
ウェハ(21)裏面周縁部に洗浄液を供給してウェハ(
21)裏面を洗浄する。ここで、この裏面洗浄ノズル(
28)から供給された洗浄液は、上記ウェハ(21)の
裏面とチャックリング(26)表面との間を通過して、
上記ウェハ(21)の裏面を洗浄した後、上記内カップ
(24)のテーパー形状の外周に沿って廃液溝(3I)
に流れ、外部に排出される。この場合、上記チャックリ
ング(26)表面に付着した洗浄液を同時に除去するた
め、上記回転させるウェハ(21)とチャックリング(
26)の隙間を例えば0.5〜2mmと設定し、上記ウ
ェハ(21)の回転により発生する気流により上記洗浄
液を除去する。
After a predetermined time has elapsed, by lowering the inner cup (24), the holding of the wafer (21) is switched from the chuck ring (26) to the spin chuck (22), and the wafer (21) is set at the rotation processing position. In the case of (FIG. 3), the upper cup (45) is also kept in an elevated state. At this time, the developing waste liquid stored on the surface of the wafer (21), that is, the developing solution stored in the processing tank (39) and used for the developing process, is removed by the inner cup (24) being lowered, and the developing solution being stored in the processing tank (39).
When the liquid tightness is released, open the tapered inner cup (2
4) Waste liquid groove (31) in the lower cup (25) along the outer periphery
will be promptly removed. Here, the above spin motor (
23), the wafer (
21) at a predetermined rotational speed, and in this rotating state, a rinsing liquid such as pure water is supplied from a rinse nozzle (not shown) disposed above the wafer (21) to clean the wafer (21).
)Clean the surface. At the same time, a cleaning liquid is supplied to the periphery of the back surface of the wafer (21) from the back surface cleaning nozzle (28) provided on the inner periphery of the inner cup (24) to
21) Clean the back side. Here, use this back cleaning nozzle (
The cleaning liquid supplied from 28) passes between the back surface of the wafer (21) and the surface of the chuck ring (26),
After cleaning the back side of the wafer (21), a waste liquid groove (3I) is formed along the tapered outer periphery of the inner cup (24).
and is discharged to the outside. In this case, in order to simultaneously remove the cleaning liquid adhering to the surface of the chuck ring (26), the rotated wafer (21) and the chuck ring (26) are removed at the same time.
The gap 26) is set to, for example, 0.5 to 2 mm, and the cleaning liquid is removed by the airflow generated by the rotation of the wafer (21).

そして、上記ウェハ(21)を更に高速回転させて、こ
のウェハ(21)の表裏に付着しているリンス液及び洗
浄液をウェハ(21)の遠心力により飛散させ、乾燥さ
せる。また、各動作中に、必要に応じて仕切りリング(
32)を介して図示しない排気口から排気制御する。
Then, the wafer (21) is rotated at a higher speed, and the rinsing liquid and cleaning liquid adhering to the front and back surfaces of the wafer (21) are scattered by the centrifugal force of the wafer (21) and dried. Also, during each operation, the partition ring (
32), the exhaust is controlled from an exhaust port (not shown).

上述した浸漬式現像処理後の廃液の回収、及び回転処理
後の現像液・リンス液・洗浄液の回収は。
Collection of waste liquid after the above-mentioned immersion type development process, and recovery of developer solution, rinsing liquid, and cleaning liquid after rotation process.

上記内カップ(24)周縁のテーパ一部と、上記外カッ
プ(38)内周の逆テーパ一部に沿って、下カップ(2
5)の廃液溝(31)内に回収されるが、この回収され
る液の一部がミスト状態となる。しかし、上記スカート
リング(43)及び処理容器側壁が常に十分に重なり合
っているため、この隙間からの流出を抑止することがで
き、更に、上カップ(45)は、下端が封止されたスカ
ートリング(43)内を昇降するため、この上カップ(
45)の昇降による影響はない。
The lower cup (2
5) is collected into the waste liquid groove (31), and a part of this collected liquid becomes a mist. However, since the skirt ring (43) and the side wall of the processing container always overlap sufficiently, it is possible to prevent the flow from flowing through this gap.Furthermore, the upper cup (45) is a skirt ring whose lower end is sealed. (43) This upper cup (
45) is not affected by the elevation.

上記一連の動作が終了した後、上記スピンチャック(2
2)及びスピンモータ(23)を上昇させて上記ウェハ
(21)を搬送位置に設定し、外部装置へ搬送する。
After the above series of operations are completed, the spin chuck (2
2) and the spin motor (23) are raised to set the wafer (21) at the transfer position, and the wafer (21) is transferred to an external device.

上記実施例では、外カップ(38)を固定し、内カップ
(24)を昇降可能としたが、夫々相対的に昇降が可能
であれば何れでもよい。
In the above embodiment, the outer cup (38) is fixed and the inner cup (24) is movable up and down, but any cup may be used as long as it can be moved up and down relative to each other.

また、上記処理容器側壁及び接触体側壁を接触或いは非
接触状態で重なり合う状態のみで説明したが、その部分
に摺動可能なシール機構例えばOリング、磁性流体シー
ルを用いても、更に信頼性の高いシールを行なうことが
できる。
In addition, although the above-mentioned processing vessel side wall and contact body side wall are explained only in a state where they overlap in a contact or non-contact state, even if a slidable sealing mechanism such as an O-ring or a magnetic fluid seal is used in that part, even more reliability can be achieved. Can perform high seals.

また、上記実施例では被処理体として半導体ウェハの例
について説明したが、これに限定するものではなく1例
えば液晶TVなどの画面表示装置に使用するLCD基板
やプリント基板等でも同様な効果が得られる。
Further, in the above embodiments, an example of a semiconductor wafer was explained as the object to be processed, but the object is not limited to this. For example, the same effect can be obtained with an LCD board, a printed circuit board, etc. used in a screen display device such as a liquid crystal TV. It will be done.

以上述べたようにこの実施例によれば、被処理体の設置
台を有する処理容器と、この処理容器との相対的な昇降
により接触して処理部を形成する当接体と、上記処理容
器から処理液が周囲へ飛散することを防止する如く設け
られた昇降可能な壁体とを備え、上記壁体を内部に挿入
可能とする当接体側壁と、上記処理容器側壁を、接触或
いは非接触状態で常に重なり合うように構成したことに
より、上記壁体がどの位置に存在しても上記処理容器側
壁と当接体側壁が接触或いは非接触状態で常に重なり合
うため、上記処理容器からの処理液の飛散をより確実に
行なうことができる。このため、環境汚染の抑止及び安
全性の向上が可能となる。
As described above, according to this embodiment, there is provided a processing container having an installation stand for the object to be processed, a contact body that comes into contact with the processing container to form a processing section by moving up and down relative to the processing container, and the processing container A wall body that can be raised and lowered to prevent the processing liquid from scattering to the surroundings, and a side wall of the abutment body into which the wall body can be inserted and a side wall of the processing container are in contact with or not in contact with each other. By configuring so that they always overlap in a contact state, the processing container side wall and the abutting body side wall always overlap in a contact or non-contact state, regardless of the position of the wall body, so that the processing liquid from the processing container can be dispersed more reliably. Therefore, it is possible to suppress environmental pollution and improve safety.

また、固定された外カップに処理液供給孔が設けられて
いるため、その配管も固定することができ、耐久性が向
上する。
Further, since the processing liquid supply hole is provided in the fixed outer cup, the piping thereof can also be fixed, improving durability.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明装置の一実施例を説明するための現像装
置の構成図、第2図、第3図、第4図は第1図現像装置
の動作説明図、第5図は従来の現像装置の、構成図であ
る。 21・・・ウェハ     22・・・スピンチャック
24・・・内カップ    25・・・下カップ26・
・・チャックリング 38・・・外カップ43・・・ス
カートリング 45・・・上カップ特許出願人 東京エ
レクトロン株式会社チル九州株式会社
FIG. 1 is a block diagram of a developing device for explaining one embodiment of the present invention, FIGS. 2, 3, and 4 are operational explanatory diagrams of the developing device shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a conventional one. FIG. 2 is a configuration diagram of a developing device. 21... Wafer 22... Spin chuck 24... Inner cup 25... Lower cup 26.
... Chuck ring 38 ... Outer cup 43 ... Skirt ring 45 ... Upper cup patent applicant Tokyo Electron Co., Ltd. Chill Kyushu Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 被処理体の設置台を有する処理容器と、この処理容器と
の相対的な昇降により接触して処理部を形成する当接体
と、上記処理容器から処理液が周囲へ飛散することを防
止する如く設けられた昇降可能な壁体とを備え、上記壁
体を内部に挿入可能とする当接体側壁と、上記処理容器
側壁を、接触或いは非接触状態で常に重なり合うように
構成したことを特徴とする処理装置。
A processing container having a stand for installing an object to be processed, a contacting body that comes into contact with the processing container to form a processing section by moving up and down relative to the processing container, and a contacting body that prevents processing liquid from scattering to the surroundings from the processing container. A wall body that can be raised and lowered as shown in FIG. processing equipment.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63152123A (en) * 1986-12-17 1988-06-24 Tokyo Electron Ltd Semiconductor manufacturing device

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