JPH02189464A - 波形記憶装置 - Google Patents

波形記憶装置

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JPH02189464A
JPH02189464A JP925089A JP925089A JPH02189464A JP H02189464 A JPH02189464 A JP H02189464A JP 925089 A JP925089 A JP 925089A JP 925089 A JP925089 A JP 925089A JP H02189464 A JPH02189464 A JP H02189464A
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JP
Japan
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JP925089A
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English (en)
Inventor
Koichi Nakajo
中條 孝一
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Yokogawa Electric Corp
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Yokogawa Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、波形記憶装置に関し、更に詳しくは、複数の
波形データの記憶制御に関する。
〈従来の技術〉 アナログ入力信号をデジタル信号に変換して一基メモリ
に格納し、該メモリに格納されたデジタル信号を波形デ
ータとして表示器に表示するデジタルオシロスコープな
どのデジタル記憶型の波形観測装置において、繰り返し
波形にまれに発生するノイズやレベル変動などの異常現
象を観、’IP1表示するのにあたっては、例えば異常
現象の状態が既知であるものとしてトリガ条件を設定す
ることが行われている。
ところが、現実には異常現象の状態は全くつかめないこ
とが多く、異常現象を観測表示するために適切なトリが
条件を設定することは極めて困難である。
〈発明が解決しようとする課題〉 このように異常現象の状態が全くつかめない場合には、
観測対象連続波形を取り逃すことなくデジタル信号に変
換してメモリに取り込み、該メモリに格納されたデジタ
ル信号を波形データとして表示器に表示させて確認する
ことが望ましい。
本発明はこのような点に着目してなされたものであり、
その目的は、プリトリガ機能を生かしなから観a−1対
象連続波形を取り逃すことなくデジタル信号に変換して
メモリに取り込み、波形を重ねた形態で表示器に表示で
きる波形記憶装置を提供することにある。
〈課題を解決するための手段〉 上記課題を解決する本発明は、 アナログ入力信号をデジタル信号に変換するA/D変換
器と、 該A/D変換器から出力されるデータを複数n系統のデ
ータに分割して出力するレートリデューサと、 該レートリデューサから分割出力される各データがトリ
ガ信号及び予め設定されているプリトリガ量に従って書
き込まれ、書き込まれたデータから算出される先頭アド
レスに従ってデータが読み出される複数n個の第1のメ
モリと、 これら各第1のメモリから読み出されるデータを入力と
して選択的にいずれかのデータを出力する複数n個のセ
レクタと、 これら各セレクタから出力されるデータをアドレスとし
て、先頭アドレスから所定ビット毎に区切られた番地に
選択的に表示データが古き込まれる複数n個の第2のメ
モリとを設けたことを特徴とするものである。
く作用〉 本発明の波形記憶装置において、同一トリガ条件で取り
込まれた複数の波形データは重ね合イ)せた形でメモリ
に古き込まれ、連続波形を取り逃すことなく観11F+
することができる。
〈実施例〉 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳allに説明
する。
第1図は、本発明の一実施例を示す(R成因である。図
において、ADCはアナログ入力信号をデジタル信号に
変換するA/D変換器であり、例えば8ビット並列出力
のものを用いる。uA/D変換器ADCの出力データは
レートリデューサRRの入力端子りに入力される。
該レートリデューサRRはA/D変換器ADCの出力デ
ータを複数n系統(本実施例では8ビツト2系統)のデ
ータに分割してそれぞれに対応した複数n個(本実施例
では8ビツトデータ2個)の第1のメモリMll、M1
2の入力端子Diに出力する。
これら第1のメモリMll、M12にはレートリデュー
サRRから分割出力される各データがトリが信号及び予
め設定されているプリトリガ量に従って書き込まれ、書
き込まれたデータはこれら書き込まれたデータから算出
される先頭アドレスに従って複数n個(本実施例では2
個)のセレクタ5L21,5L22の各入力端子1.2
に読み出される。第1のメモリM11.M12のアドレ
スの最上位ビットの各アドレス端子AHにはイクスクル
ーシブオアゲ−1・G1の出力信号が入力され、各リー
ド端子RDにはコントロール回路CTLからリード信号
RDIが入力され、各ライト端子WRにはコントロール
回路CTLからライト信号WRIが入力される。第1の
メモリMllのアドレスの最上位ビット以外のその他の
ビットのアドレス端子AにはセレクタSLI 1の出力
信号が入力され、第1のメモリM12のアドレスの最上
位ビット以外のその他のビットのアドレス端子Aにはセ
レクタ5L12の出力信号が入力される。
セレクタ5L21のセレクト端子Sにはコントロール回
路CTLからST2信号が入力され、セレクタ5L22
のセレクト端T−8にはインバータG2を介してコント
ロール回路CTLからセレクト信号DSLが入力される
イクスクルーシブオアゲートG1の一方の入力端子には
コントロール回路CTLからST2信号が入力され、他
方の入力端子にはコントロール回路CTLからセレクト
信号W/Rが入力される。
セレクタ5L11の一方の入力端子1にはカウンタCN
Tlの出力データWAが入力されて他方の入力端子2に
はカウンタCNT2の出力データRAIが入力され、セ
レクタ5L12の一方の入力端子1にはカウンタCNT
1の出力データWAが入力されて他方の入力端子2には
カウンタCNT3の出力データRA2が入力され、これ
らセレクタ5LII、12のセレクト端子Sにはコント
ロール回路CTLからセレクト信号W/Rが入力される
カウンタCNTlのプリセットデータ端子PDにはコン
トロール回路CTLからプリセットデータP1がプリセ
ットデータPWAとして入力され、カウンタCNT2の
プリセットデータ端子PDにはコントロール回路CTL
からプリセットデータP2がプリセットデータPRAI
として入力され、カウンタCNT3のプリセットデータ
端子PDにはコントロール回路CTLからプリセットデ
ータP3がプリセットデータPRA2として入力され、
これらカウンタCNTl〜CNT3の各プリセット端子
PRにはコントロール回路CTLからプリセット信号C
PRが入力され、各クロック端子にはコントロール回路
CTLからセレクト信号W/Rが入力される。
セレクタ5L21,5L22の出力データはそれぞれに
対応した複数n個(本実施例では2個)の第2のメモリ
M21.M22の各下位アドレス(本実施例では8ビツ
ト)のアドレス端子ALに入力される。
第2のメモリM21.M22の各上位アドレス(本実施
例では7ビツト)のアドレス端子AUにはカウンタCN
 T 4の出力データが入力され、各データ端子(本実
施例では1ビツト)DiにはH”レベルのデータVHが
入力され、各ライト端子WRにはコントロール回路CT
Lからライト信号WR2が入力される。なお、第1図で
は該第2のメモリM21.M22の読み出しおよびクリ
アに関する部分は省略している。
カウンタCNT4のプリセットデータ端子PDには外部
からプリセットデータPDWAが入力される。
コントロール回路CTLのトリガ信号端子TRGには外
部からトリガ信号TRGが入力される。
このように構成された装置のタイミングチャートを第2
図に示す。レートリデューサRRは、A/D変換器AD
Cから入力される(ア)に示すdO,di、d2.・・
・のデータ列を(イ)、(つ)に示すような出力端子Q
1から出力されるdO。
d2.・・・と出力端子Q2から出力されるdi、d3
、・・・の2系統のデータ列に変換する。これにより、
時間周期は2倍になり、同一時間上のデータ数も2倍に
なる。なお、本実施例では変換レートを1/2に設定し
ているが、必要に応じて1 / n(nは正の整数)の
ものを用いることができる。
該レートリデューサRRの出力端子Q1の出力データは
第1のメモリMllに記憶され、出力端子Q2の出力デ
ータは第1のメモリM12に記憶される。メモリMll
、M12はコントロール回路CTLから出力される(オ
)に示すリード信号RD1及びコントロール回路CTL
から出力される(力)に示すライト信号WRIに従って
データの書き込みと読み出しを交互に行う。trは読み
出し期間を示し、twは書き込み期間を示している。
(1)はメモリMll、M12のアドレス入力Aを示し
ている。すなわち、メモリMll、M12の書き込みア
ドレスとしてはカウンタCNT1の出力データWAが入
力され、メモリMllの読み出しアドレスとしてはカウ
ンタCNT2の出力データRAIが入力され、メモリM
12の読み出しアドレスとしてはカウンタCNT3の出
力データRA2が入力される。これらメモリMll、M
12に入力されるアドレスは、コントロール回路CTL
から出力される(キ)に示すセレクト信号W/Rに従っ
て駆動されるセレクタ5LII、5L12により切り換
えられる。本実施例における各セレクタ5LII、5L
12,5L21,5L22は、セレクト端子Sに入力さ
れるセレクト信号W/Rが“H”レベルのときには入力
端子1の入力信号を選択出力し、“L”レベルのときに
は入力端子2の入ノJ信号を選択出力するものとする。
(り)はメモリMllの出力端子DOから出力される出
力データを示し、(ケ)はメモリM12の出力端子DO
から出力される出力データを示している。これら各メモ
リMll、M12の出力データは各セレクタ5L21,
5L22を通って第2のメモリM21.M22の各下位
アドレス端1’−ALに入力される。(コ)はカウンタ
CNT4からメモリM21.M22の上位アドレス端子
AUに入力される上位アドレスデータを示し、(す)は
コントロール回路CTLからメモリM21.M22のラ
イト端子WRに入力されるライト信号を示している。t
r期間において、メモリM21. M22には、これら
上位アドレスデータ及び下位アドレスデータによって指
定されるアドレスにVHのデータが書き込まれる。(シ
)はコントロール回路CTLからカウンタCNT]に出
力されるプリセットデータP1を示し、(ス)はコント
ロール回路CTLからカウンタCNT2に出力されるプ
リセットデータP2を示し、(セ)はコントロール回路
CTLからカウンタCNT3に出力されるプリセットデ
ータP3を示し、(ソ)はコントロール回路CTLから
各カウンタCNTl〜CNT4に出力されるプリセット
信号CPRを示している。
ここで、前述のように、A/D変換器ADCの出力デー
タのビット幅を8ビツト、データ長を256ワード、第
2のメモリM21.M22のメモリエリアをそれぞれ3
276Bアドレス×1ビツト、第2のメモリM21.M
22のF位アドレス入力ALのビット数を8ビット、上
位アドレス入力AUのビット数を7ビツトとすると、第
2のメモリM21.M22には、先頭アドレスから25
6ビツト毎に区切られた番地のそれぞれに測定データに
対応した“H”レベルのデータVHが古き込まれること
になる。なお、これら第2のメモリM21.M22への
データ書き込みは交互に行われる。
このようにして第2のメモリM21..M22に書き込
まれる画面のイメージは、例えば第3図のようになる。
第3図から明らかなように、第2のメモリM21.M2
2では、セレクタ5L21゜22から入力される8ビツ
トのアドレスデータを256ビツトにデコードした形に
なっているので、複数の波形データの重ね書きが可能で
ある。
一方、第1のメモリMll、M12の書き込み及び読み
出しの開始及び終了アドレスはコントロール回路CTL
が制御する。すな、わち、書き込みアドレスの開始及び
終了は予め設定されているプリトリガ量およびトリガ信
号TRGの入力により設定する。また、読み出しアドレ
スについては、既に書き込まれたデータに対して先頭ア
ドレスを算出し、そこから読み出すことにする。コント
ロール回路CTLからイクスクルーシブオアゲートG1
の一方の入力端子に出力されるST2信号のレベルは、
256個のデータ(以下このデータ群をサブレコードと
いう)を書き込む毎に“H”と“L”に交■に反転する
。イクスクルーシブオアゲートG1の他方の入力端子に
はセレクト信号W/Rが入力されるので、第1のメモリ
Mll、M12の最上位アドレスは、第1のサブレコー
ドの読み出し時には“1”になって書き込み時には“0
”になり、第2のサブレコードの読み出し時には“0“
になって書き込み時には“1“になり、第3のサブレコ
ードの読み出し時には“1″になって書き込み時には“
0”になり、以下同様に交互に繰り返す。
これにより、t1期間中のtr期間は現在書き込み中の
サブレコードよりも1期間前のサブレコードデータを読
み出すことになり、書き込みと読み出しを同じレートで
行うことができる。
第1のメモリMll、M1.2に書き込まれたサブレコ
ードは、トリガの関係によって先頭データがメモリMl
lにある場合とメモリM12にある場合がある。これに
合わせて、コントロール回路CTLがセレクト信号DS
L、プリセットデータRAIおよびRA2の設定を行い
、第2のメモリM21.M22に対しては先頭データが
常にM21のOOHからFFH番地に来るようにする。
このようにして1つのサブレコードデータを書き込んだ
後は、コントロール回路CTLによるブリセットデータ
PWA、PRAIおよびPRA2の再設定及びΔ−1定
開始制御により次のサブレコードのδ−1定に入ること
ができる。
なお、第1図の実施例では、第2のメモリM21、M2
2を破線で囲まれた枠内の書き込み機能だけで示してい
るが、この部分を2組用意し、ある時間で書き込み期間
と読み出し期間を交互に実行することにより、デジタル
オシロスコープの機能が実現できる。
〈発明の効果〉 以上詳細に説明したように、本発明によれば、プリトリ
ガ機能を生かしながら連続波形を取り逃がすことなく波
形を重ね合わせた形態で表示器に表示でき、繰り返し波
形にまれに発生するノイズやレベル変動などの異常現象
の観lI%1表示に適した波形記憶装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の構成図、第2図は第1図の
動作を説明するためのタイミングチャート、第3図は第
2のメモリM21.M22に書き込まれる画面のイメー
ジの説明図である。 ADC・・・A/D変換器 RR・・・レートリデューサ Mll、M12・・・第1のメモリ M21.M22・・・第2のメモリ Lll、5L12,5L21SL22・・・セレクタC
NT1〜CNT4・・・カウンタ CTL・・・コンI・ロール回路

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 アナログ入力信号をデジタル信号に変換するA/D変換
    器と、 該A/D変換器から出力されるデータを複数n系統のデ
    ータに分割して出力するレートリデューサと、 該レートリデューサから分割出力される各データがトリ
    ガ信号及び予め設定されているプリトリガ量に従って書
    き込まれ、書き込まれたデータから算出される先頭アド
    レスに従ってデータが読み出される複数n個の第1のメ
    モリと、 これら各第1のメモリから読み出されるデータを入力と
    して選択的にいずれかのデータを出力する複数n個のセ
    レクタと、 これら各セレクタから出力されるデータをアドレスとし
    て、先頭アドレスから所定ビット毎に区切られた番地に
    選択的に表示データが書き込まれる複数n個の第2のメ
    モリとを設けたことを特徴とする波形記憶装置。
JP925089A 1989-01-18 1989-01-18 波形記憶装置 Pending JPH02189464A (ja)

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JP925089A JPH02189464A (ja) 1989-01-18 1989-01-18 波形記憶装置

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5554473A (en) * 1978-05-01 1980-04-21 Tektronix Inc Multiple wave form memory
JPS63298166A (ja) * 1987-05-29 1988-12-05 Yokogawa Electric Corp デジタルオシロスコ−プ

Patent Citations (2)

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