JPH02189002A

JPH02189002A - 静磁波装置

Info

Publication number: JPH02189002A
Application number: JP888589A
Authority: JP
Inventors: Toshio Nishikawa; 敏夫西川; Hiroaki Tanaka; 裕明田中; Satoru Niimura; 悟新村
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1989-01-17
Filing date: 1989-01-17
Publication date: 1990-07-25

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は静磁波装置に関し、特にｙｒｃ　（イツトリ
ウム、アイアン、ガーネット）薄膜が利用され、たとえ
ば帯域除去フィルタとして用いられる、静磁波装置に関
する。

（従来技術）第４図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。

この静磁波装置１は、ｙｌＧｌ膜２を含み、ＹＩＧ薄膜
２は、ＧＧＧ　（ガドリニウム、ガリウム、ガーネット
）基板３の一方主面に形成されている。さらに、ＹＩＧ
薄膜２上には、２つのＡＩｌ電極４ａおよび４ｂが間隔
を隔てて平行に形成され、さらに、複数の電極指５，５
．・・が−方のＡＩｌ電極４ａら他方のＡＩ電極４ｂに
延びてそれらの、ｌ電極４ａおよび４ｂと一体的に形成
されている。そして、一方のＡｊ！電極４ａには入力端
子６が接続され、他方のＡＩｌ電極４ｂには出力端子７
が接続されている。なお、ＧＧＧ基板３は接地導体８上
に配置される。また、ＹＩＧ薄膜２には、直流磁界が印
加される。

そして、この静磁波装置１は、たとえば帯域除去フィル
タなどとして用いられる。

（発明が解決しようとする課題）ところが、第４図に示す静磁波装置【では、電極指５と
接地導体８との間のインピーダンスが、入出力側に接続
される外部回路のたとえば５０Ωのインピーダンスに比
べて非常に高いので、そのフィルタ特性を第５図に示す
ように、通過域での挿入損失が大きい。また、第４図に
示す静磁波装置１では、減衰域での帯域幅が狭い。

それゆえに、この発明の主たる目的は、通過域での挿入
損失が小さい、静磁波装置を提供することである。

（課題を解決するための手段）この発明は、ＹＩＧ薄膜と、ＹＩＧ薄膜の一方主面に形
成されるストリ・ノブラインを含み、ストリップライン
の特性インピーダンスを、それに接続される外部回路の
特性インピーダンスに一致した、静磁波装置である。

（作用）ストリップラインの特性インピーダンスが、外部回路の
インピーダンスと整合する。

（発明の効果）この発明によれば、ストリップラインの特性インピーダ
ンスが外部回路のインピーダンスと整合するので、通過
域での挿入損失を小さくすることができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。

（実施例）第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。この
静磁波装置１０は、矩形状のＧＧＧ基板１２を含み、Ｇ
ＧＧ基板１２の一方主面には、ＹＩＧ単結晶をエピタキ
シャル成長させることによって、ＹＩＧ薄膜１４が形成
される。さらに、ＹｒＧ薄膜１４上には、その長手方向
の一端から他端にわたって、ストリップライン１６が形
成される。一方、ＧＧＧ基板１２の他方主面には、接地
電極１８が形成される。

この静磁波装置１０のストリップラインＩ６の特性イン
ピーダンス、すなわち、ストリップライン１６と接地電
極１８との間のインピーダンスは、その間のＧＧＧ基板
１２およびＹＩＧ薄膜１４の厚さやストリップライン１
６の幅を変えることによって、調整することができる。

この場合、ＧＯＧ基板１２およびＹＩＧ薄膜１４の厚さ
を薄くすれば、ストリップライン１６の特性インピーダ
ンスは小さくなり、また、ストリップライン１６の幅を
広くしても、ストリップライン１６の特性インピーダン
スは小さくなる。

そして、この実施例では、ストリップライン１６の特性
インピーダンスを、外部回路のインピーダンスたとえば
５０Ωにするために、ＧＧＧ基板Ｉ２およびＹＩＧ薄膜
１４の厚さがたとえば４００μｍに形成され、ストリッ
プライン１６の幅および長さがたとえば３５０μｍおよ
び２０龍にそれぞれ形成されている。

そして、この静磁波装置１０には、たとえば矢印Ｈ，で
示すようにＹ［Ｇ薄膜１４の主面に直交する方向に、た
とえば３００００゜の直流磁界が印加される。

この静磁波装置１０では、ストリップライン１６の一端
と接地電極１８との間に信号を入力すれば、ｙＩａｍ膜
１４上でストリップライン１６からたとえば３．５ＧＨ
ｚを中心とした１００ＭＨ２帯域の体積前進静磁波（Ｍ
ＳＦＶＷ）が励起される。そして、ストリップライン１
６の他端と接地電極１８との間には、その帯域が除去さ
れた信号が出力される。また、この静磁波装置ＩＯでは
、ストリップライン１６の特性インピーダンスが外部回
路のインピーダンスたとえば５０Ωに整合するので、通
過帯域での挿入損失が小さい。

この静磁波装置ｌＯでは、入力側から出力側へ流れる信
号の周波数特性が第２Ａ図に示すようになり、入力側か
ら入って入力端に戻ってくる信号の周波数特性が第２Ｂ
図に示すようになる。

したがって、この静磁波装置１０では、第４図に示す従
来例に比べて、通過域での挿入損失が小さくなり、しか
も、減衰域の帯域が広（なる。

また、この静磁波装置１０では、それに印加する磁界の
大きさを変えれば、励起される静磁波の周波数が変わり
、そのため、除去したい周波数を変えることができる。

なお、この静磁波装置１０には、直流磁界を、矢印Ｈ２
で示すようにＹＩＧ薄膜の主面に平行でかつストリップ
ライン１６の長手方向に印加してもよい。この場合、Ｙ
ｌ（Ｊｌ膜１４上でストリップライン１６から表面静磁
波（ＭＳＳＷ＞が励起され、その静磁波の周波数帯域の
信号が除去される。

第３図はこの発明の他の実施例を示す断面図である。こ
の実施例の静磁波装置１ｏは、２枚のＧＧＧ基板１２ａ
および１２ｂを含み、それらのＧＧＧ基板１２ａおよび
１２ｂの一方主面には、ＹＩＧＩ膜１４膜着４ａ１４ｂ
がそれぞれ形成される。そして、ストリップライン１６
が、２つのＹＩＧＩ膜１４膜着４ａ１４ｂで挟まれるよ
うに形成される。

さらに、一方のＧＧＧ基板１２ａの他方主面およびＹＩ
Ｇ薄膜１４ａの側面に、一方の接地電極１８ａが形成さ
れ、他方のＧＧＧ基板１２ｂの他方主面およびＹＩＧＩ
膜１４ｂの側面に、他方の接地電極１８ｂが形成される
。

この実施例では、ストリップライン１６の両側にＹＩＧ
薄膜および接地電極がそれぞれ形成されているので、ス
トリップライン１６からの放射損が小さくなり、そのた
め、通過域での損失がさらに小さくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。第２Ａ図および第２Ｂ図は、それぞれ、第１図に示す実
施例の周波数特性を示すグラフであり、第２Ａ図は入力
側から出力側へ流れる信号の周波数特性を示し、第２Ｂ
図は入力側から入って入力側に戻ってくる信号の周波数
特性を示す。第３図はこの発明の他の実施例を示す断面図である。第４図は従来の静磁波装置の一例を示す斜視図である。第５図は第４図に示す静磁波装置の周波数特性を示すグ
ラフである。図において、ＩＯは静磁波装置、１２はＧＧＧ基板、１
４はＹＩＧ薄膜、１６はストリップライン、１８は接地
電極を示す。特許出願人　株式会社　村田製作所代理人　弁理士　岡　１）　全　啓第４図第２Ａ図第２Ｂ図 →側麦秋（ＧＨｚ）図 →用ｉＭ、　（ＧＨｚ）６ａｂ４ａ

Claims

【特許請求の範囲】　ＹＩＧ薄膜、および前記ＹＩＧ薄膜の一方主面に形成されるストリップライ
ンを含み、前記ストリップラインの特性インピーダンスを、それに
接続される外部回路の特性インピーダンスに一致した、
静磁波装置。