JPH02186827A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH02186827A
JPH02186827A JP684289A JP684289A JPH02186827A JP H02186827 A JPH02186827 A JP H02186827A JP 684289 A JP684289 A JP 684289A JP 684289 A JP684289 A JP 684289A JP H02186827 A JPH02186827 A JP H02186827A
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JP
Japan
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channel transistor
transistor
node
semiconductor integrated
integrated circuit
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Pending
Application number
JP684289A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Watanabe
哲也 渡邊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PURPOSE:To reduce power consumption by providing a pre-charge control means to stop pre-charge when an input transistor is energized. CONSTITUTION:The pre-charge control means 10 consisting of an N-channel transistor 4 for pre-charge control, a P-channel transistor 5 which sets a node B at 'H', and an N-channel transistor 6 which sets the node B at 'L' setting the node A of the common connection point of an N-channel transistor 3b as the input transistor and an N-channel transistor 2b for discharge as a control signal is provided. When the input transistor 3b is energized and the discharge of an output node is decided, the pre-charge is stopped by the pre-charge control means 10. In such a manner, it is possible to suppress wasteful pre-charge to a minimum, and to obtain a semiconductor integrated circuit with low power consumption.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体集積回路に係り、特にPLA等のダ
イナミック型論理回路における消費電力の低減に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to semiconductor integrated circuits, and particularly to reducing power consumption in dynamic logic circuits such as PLA.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のダイナミック型論理回路、ここでは、rPLAの
作り方・使い方(日刊工業新聞社)」に記載された、第
6図に示すよう、な2相りロック方式のPLAについて
説明する。第6図において、1aはAND平面をプリチ
ャージするPチャネルトランジスタ、1bはOR平面を
プリチャージするPチャネルトランジスタ、2aはA、
ND平面をディスチャージするNチャネルトランジスタ
、2bはOR平面をディスチャージするNチャネルトラ
ンジスタ、3aはAND平面の論理を構成するNチャネ
ルトランジスタ、3bはOR平面の論理を構成するNチ
ャネルトランジスタ、8は1ビツトデコーダ、9は出力
バッファである。
A conventional dynamic logic circuit, here, a two-phase lock type PLA as shown in FIG. 6 described in "How to Make and Use an rPLA (Nikkan Kogyo Shimbun)" will be explained. In FIG. 6, 1a is a P-channel transistor that precharges the AND plane, 1b is a P-channel transistor that precharges the OR plane, 2a is A,
2b is an N-channel transistor that discharges the ND plane, 2b is an N-channel transistor that discharges the OR plane, 3a is an N-channel transistor that configures the logic of the AND plane, 3b is an N-channel transistor that configures the logic of the OR plane, and 8 is a 1-bit transistor. Decoder 9 is an output buffer.

また、XI +  2 + x3はそれぞれ人力信号、
:JI+ y2 + ’i3はそれぞれAND平面出力
信号、f、、f2はそれぞれ出力信号である。
In addition, XI + 2 + x3 are human signals,
:JI+y2+'i3 are AND plane output signals, and f, , f2 are output signals, respectively.

次に動作について説明するが、ここでは第6図の動作を
説明するためにX2−y2  f+の経路、つまり第7
図に示すような等価回路で説明する。
Next, the operation will be explained. Here, in order to explain the operation shown in FIG.
This will be explained using an equivalent circuit as shown in the figure.

このPLAを含むシステム全体は、クロックφA、φB
、φC2φDの4相で動作するものとし、x+=“L″
x3=″H″に信号を固定するものとする。このとき、
y、=″L”に固定されている。PLAは、クロックφ
AでAND平面をプリチャージし、クロックφBでOR
平面をプリチャージしている。いま、入力信号x2が“
H”→“L”に変化した場合や“L”のまま変化しなか
った場合を考える。このとき出力信号y2は、クロック
φBの立下りまでには十分確定しているものとし、3’
2=“H”である。出力信号f1は、クロックφBによ
り一端プリチャージされるが、y2=“H”のために結
局出力信号f1は“L”にディスチャージされることに
なる。このときのタイミングチャートを第8図に示す。
The entire system including this PLA has clocks φA, φB
, φC2φD, x+=“L”
It is assumed that the signal is fixed at x3=“H”. At this time,
y, is fixed at ``L''. PLA is clock φ
Precharge the AND plane with A and OR with clock φB
Precharging the plane. Now, the input signal x2 is “
Consider the case where the output signal y2 changes from "H" to "L" or the case where it remains "L". At this time, it is assumed that the output signal y2 is sufficiently determined by the fall of the clock φB, and
2=“H”. The output signal f1 is precharged at one end by the clock φB, but since y2="H", the output signal f1 is eventually discharged to "L". A timing chart at this time is shown in FIG.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

このように従来のダイナミック型論理回路においては、
入力信号(ここでは出力信号y2)が出力ノードのプリ
チャージ前に確定している回路の場合、入力信号の値に
よって出力ノードがディスチャージされる際にも、不要
なプリチャージが行われていることにより、消費電力が
増大するという問題点があった。
In this way, in conventional dynamic logic circuits,
In the case of a circuit where the input signal (output signal y2 in this case) is determined before precharging the output node, unnecessary precharging may occur even when the output node is discharged depending on the value of the input signal. Therefore, there was a problem that power consumption increased.

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、出力ノードの不要なプリチャージを制御し
て消費電力を低減できるダイナミック型論理回路を得る
ことを目的とする。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to obtain a dynamic logic circuit that can reduce power consumption by controlling unnecessary precharging of an output node.

(課題を解決するための手段) この発明に係る半導体集積回路は、人力トランジスタが
導通した時にプリチャージを停止させるプリチャージ制
御手段を設けたものである。
(Means for Solving the Problems) A semiconductor integrated circuit according to the present invention is provided with a precharge control means that stops precharging when a human-powered transistor becomes conductive.

〔作用〕[Effect]

この発明においては、人力トランジスタが導通して、出
力ノードがディスチャージされることが確定している場
合、プリチャージ制御手段によってプリチャージが停止
される。
In this invention, when it is determined that the human transistor is conductive and the output node is discharged, the precharge control means stops the precharge.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の半導体集積回路(CMO3型のPLAの
OR平面)の一実施例を説明するための構成図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
The figure is a configuration diagram for explaining an embodiment of the semiconductor integrated circuit (OR plane of CMO3 type PLA) of the present invention.

この図において、第6図と同一符号は同一のものを示し
、4はプリチャージ制御用のNチャネルトランジスタ、
5はノードBをH″にするPチャネルトランジスタ、6
は入力トランジスタとしての前記Nチャネルトランジス
タ3bとデイチャージ用のNチャネルトランジスタ2b
の共通接続点のノードAを制御信号としてノードBを“
L”にするNチャネルトランジスタ、10はプリチャー
ジ制御手段、φBはクロックである。
In this figure, the same symbols as in FIG. 6 indicate the same things, and 4 is an N-channel transistor for precharge control;
5 is a P-channel transistor that makes node B H''; 6
are the N-channel transistor 3b as an input transistor and the N-channel transistor 2b for decharging.
The common connection point of node A is used as a control signal, and node B is “
10 is a precharge control means, and φB is a clock.

ここでは人力となる出力信号y2〜ynはすべて“L”
とし、出力信号y1はクロックφBの立下りまでには十
分確定しているものとする。
Here, all human output signals y2 to yn are “L”
It is assumed that the output signal y1 is sufficiently determined by the falling edge of the clock φB.

今、出力信号y1が“L”の場合、ノードAは“L″で
あり、Nチャネルトランジスタ6はOFF状態にある。
Now, when the output signal y1 is "L", the node A is "L" and the N-channel transistor 6 is in the OFF state.

また、φB=“L”以外、つまりプリチャージが行われ
ているとき以外、Pチャネルトランジスタ5はクロック
φBによってON状態にあり、ノードBはH″となって
いる。したがって、プリチャージ制御用のNチャネルト
ランジスタ4はON状態になっている。そしてφB=“
L”となると、Pチャネルトランジスタ1bはON状態
となり、プリチャージを開始し、出力信号f1は“H”
となる。このとき、出力信号yI〜y2はすべて“L”
であるからノードAは“L“のままであり、ノードBの
電圧変化はないので、通常のプリチャージ動作を行う。
In addition, except when φB="L", that is, when precharging is not being performed, the P channel transistor 5 is in the ON state by the clock φB, and the node B is at H''. N-channel transistor 4 is in the ON state, and φB="
When it becomes "L", the P-channel transistor 1b turns on and starts precharging, and the output signal f1 becomes "H".
becomes. At this time, all output signals yI to y2 are “L”
Therefore, node A remains at "L" and there is no change in the voltage at node B, so a normal precharge operation is performed.

次に、yl;“H”の場合について説明する。Next, the case where yl; "H" will be explained.

11=“L″以外ときは、ノードAは“L″となる。し
たがって、Nチャネルトランジスタ6はOFF状態であ
る。また、φB=“L”であるからPチャネルトランジ
スタ5はON状態にあり、ノードBは“H”状態となる
。よってプリチャージ制御用のNチャネルトランジスタ
4は、ON状態にある。そして、φB=“L”となると
、プリチャージ用のPチャネルトランジスタ1bはON
状態となり、プリチャージを開始する。このとき3’t
=“H”により、Nチャネルトランジスタ3bのうちの
出力信号y1が入力されるトランジスタはON状態にあ
り、ノードAもブリチャージしはじめる。それによって
Nチャネルトランジスタ6はON状態となる。そこでφ
B=“H″によりPチャネルトランジスタ5はOFF状
態となっているから、ノードBはディスチャージされ“
L”となる。したがって、プリチャージ制御用のNチャ
ネルトランジスタ4はOFF状態となり、プリチャージ
期間の途中でプリチャージが終了する。すなわち、これ
によって、φB=“H”となり、ディスチャージ用のN
チャネルトランジスタ2bがON状態となって、出力信
号f1およびノードAの容量をディスチャージする際の
無駄な放電が最小限に抑えられたことになる。
11="L", the node A becomes "L". Therefore, N-channel transistor 6 is in an OFF state. Furthermore, since φB="L", the P channel transistor 5 is in the ON state, and the node B is in the "H" state. Therefore, the N-channel transistor 4 for precharge control is in the ON state. Then, when φB becomes “L”, the P-channel transistor 1b for precharging is turned on.
state and starts precharging. At this time 3't
="H", the transistor to which the output signal y1 is input of the N-channel transistor 3b is in the ON state, and the node A also begins to be recharged. As a result, N-channel transistor 6 is turned on. So φ
Since the P-channel transistor 5 is in the OFF state due to B="H", the node B is discharged "
Therefore, the N-channel transistor 4 for precharge control becomes OFF, and the precharge ends in the middle of the precharge period.In other words, φB becomes "H" and the N channel transistor 4 for discharge becomes OFF.
This means that the channel transistor 2b is turned on, and wasteful discharge when discharging the output signal f1 and the capacitance of the node A is minimized.

このときのタイミングチャートを第2図に示す。A timing chart at this time is shown in FIG.

なお、上記実施例では、プリチャージ制御用のトランジ
スタをNチャネルトランジスタ4で構成しであるが、P
チャネルトランジスタで構成してもよい。この場合、第
3図に示すような回路となる。7はインバータである。
In the above embodiment, the precharge control transistor is composed of the N channel transistor 4, but the P
It may also be configured with a channel transistor. In this case, the circuit becomes as shown in FIG. 7 is an inverter.

また、上記実施例では、PLAのOR平面について説明
したが、他のダイナミック論理回路にも適応できる。そ
のときの構成図を第4図、第5図に示す。
Further, in the above embodiment, the OR plane of PLA has been described, but it can also be applied to other dynamic logic circuits. The configuration diagrams at that time are shown in FIGS. 4 and 5.

これらの図において、第1図と同一符号は同一のものを
示し、1はプリチャージ用のPチャネルトランジスタ、
2はディスチャージ用のNチャネルトランジスタ、3は
論理ゲート群、φ1.φ1はクロックである。
In these figures, the same symbols as in FIG. 1 indicate the same things, and 1 is a P-channel transistor for precharging;
2 is an N-channel transistor for discharge, 3 is a logic gate group, φ1. φ1 is a clock.

(発明の効果〕 以上のように、この発明によれば入力トランジスタが導
通した時にプリチャージを停止させるプリチャージ制御
手段を設けたので、レイアウト面積をほとんど増加させ
ることなく、無駄なプリチャージを最小限におさめるこ
とが可能になり、低消費電力の半導体集積回路が得られ
るという効果がある。
(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, since a precharge control means is provided that stops precharging when the input transistor becomes conductive, unnecessary precharging is minimized without increasing the layout area. This has the effect that a semiconductor integrated circuit with low power consumption can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の半導体集積回路の一実施例を示す構
成図、第2図は第1図の動作を示すタイミングチャート
、第3図〜第5図は他の実施例を示す構成図、第6図は
従来の2相りロック方式PLAの回路図、第7図は第6
図の等価的な回路図、第8図は第7図の動作を示すタイ
ミングチャートである。 図において、1.la、1b、5はPチャネルトランジ
スタ、2.2a、2b、3a、3b、4はNチャネルト
ランジスタ、3は論理ゲート群である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄    (外2名)1ス1胃 第 図 第 図
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the semiconductor integrated circuit of the present invention, FIG. 2 is a timing chart showing the operation of FIG. 1, and FIGS. 3 to 5 are block diagrams showing other embodiments. Figure 6 is a circuit diagram of a conventional two-phase lock type PLA, and Figure 7 is a circuit diagram of a conventional two-phase lock type PLA.
FIG. 8 is a timing chart showing the operation of FIG. 7. In the figure, 1. la, 1b, and 5 are P-channel transistors; 2.2a, 2b, 3a, 3b, and 4 are N-channel transistors; and 3 is a logic gate group. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts. Agent Masuo Oiwa (2 others) 1st stomach diagram

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 第1の電源と第2の電源間に直列に接続されて交互に導
通するプリチャージ用のトランジスタおよびディスチャ
ージ用のトランジスタと、これらのトランジスタ間に直
列に接続された入力トランジスタを有し、前記プリチャ
ージ用のトランジスタと入力トランジスタ間を出力ノー
ドとする半導体集積回路において、前記入力トランジス
タが導通した時にプリチャージを停止させるプリチャー
ジ制御手段を設けたことを特徴とする半導体集積回路。
A precharging transistor and a discharging transistor are connected in series between a first power source and a second power source and are alternately conductive, and an input transistor is connected in series between these transistors. 1. A semiconductor integrated circuit having an output node between a charging transistor and an input transistor, characterized in that the semiconductor integrated circuit is provided with precharge control means for stopping precharging when the input transistor becomes conductive.
JP684289A 1989-01-13 1989-01-13 Semiconductor integrated circuit Pending JPH02186827A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP684289A JPH02186827A (en) 1989-01-13 1989-01-13 Semiconductor integrated circuit

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JP684289A JPH02186827A (en) 1989-01-13 1989-01-13 Semiconductor integrated circuit

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JP (1) JPH02186827A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH087585A (en) * 1993-12-28 1996-01-12 Sgs Thomson Microelettronica Spa Detection device of counting finish of nonvolatile memory

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH087585A (en) * 1993-12-28 1996-01-12 Sgs Thomson Microelettronica Spa Detection device of counting finish of nonvolatile memory

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