JPH02186802A

JPH02186802A - 静磁波フィルタ

Info

Publication number: JPH02186802A
Application number: JP1006404A
Authority: JP
Inventors: Toshio Nishikawa; 敏夫西川; Hiroaki Tanaka; 裕明田中; Satoru Niimura; 悟新村
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1989-01-13
Filing date: 1989-01-13
Publication date: 1990-07-23
Also published as: US5032811A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明静磁波フィルタに関し、特にＹＩＧ　（イツト
リウム、アイアン、ガーネット）薄膜を用いた静磁波フ
ィルタに関する。

（従来技術）第３図は従来の静磁波フィルタの一例を示す図解図であ
る。この静磁波フィルタ１では、接地導体２上にＧＧＧ
　（ガドリニウム、ガリウム、ガーネット）基板３が設
けられ、このＧＧＧ基板３上にＹＩＧ薄膜４が形成され
ている。さらに、ＹＩＧｍ膜４上には、ワイヤからなる
人力アンテナ５ａおよび出力アンテナ５ｂが間隔を隔て
て平行に形成されている。

第４図は従来の静磁波フィルタの他の例を示す図解図で
ある。この静磁波フィルタ１では、第３図に示す従来例
に比べて、特に、入力アンテナ５ａおよび出力アンテナ
５ｂを覆うようにしてＹＩＧＦＩ膜４上に別のＹＩＧ薄
膜６が形成されている。

さらに、この別のＹＩＧ薄膜６上には、別のＧＧＧ基板
７が形成されている。

第５図は従来の静磁波フィルタのさらに他の例を示す図
解図である。この静磁波フィルタ１では、第３図に示す
従来例に比べて、特に、ＧＧＧ基板３が、金属からなる
中空円柱状のキャビティ８の内底に取り付けられている
。そして、このキャビティ８の側面には、２つの同軸コ
ネクタ９ａおよび９ｂが設けられ、これらの同軸コネク
タ９ａおよび９ｂの中心導体に、入力アンテナ５ａおよ
び出力アンテナ５ｂがそれぞれ接続されている。

（発明が解決しようとする課題）第３図に示す静磁波フィルタおよび第４図に示す静磁波
フィルタでは、入力アンテナから出力アンテナへ直接伝
達する電磁波によって、その減衰域の減衰量があまり大
きくなかった。

一方、第５図に示す静磁波フィルタでは、その周波数特
性を第６図に示すように、キャビティの共振モードによ
ってスプリアスが発生してしまう。

それゆえに、この発明の主たる目的は、減衰域での減衰
量が大きく、かつ、スプリアスがほとんど発生しない、
静磁波フィルタを提供することである。

（課題を解決するための手段）この発明は、カットオフ周波数領域を有する導波管と、
導波管内に設けられるＹＩＧ薄膜を含み、導波管のカッ
トオフ周波数領域は減衰域を含む、静磁波フィルタであ
る。

（作用）導波管によって、減衰域における不要な電磁波が減衰さ
れる。

（発明の効果）この発明によれば、減衰域における不要な電磁波が減衰
されるので、減衰域での減衰量が大きくなる。さらに、
この発明によれば、キャビティを使用しないため、キャ
ビティの共振モードによるスプリアスの発生が防止され
る。そのため、スプリアスがほとんど発生しない。

また、導波管をキャビティより小さく形成すれば、キャ
ビティを用いた静磁波フィルタに比べて、全体を小型に
することができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。

（実施例）第１Ａ図ないし第１Ｄ図は、それぞれ、この発明の一実
施例を示し、第１Ａ図はその斜視図であり、第１Ｂ図は
第１Ａ図の線ＩＢ−ＩＢにおける断面図であり、第１Ｃ
図は第１Ａ図の線ＩＣ−ＩＣにおける断面図であり、第
１Ｄ図は第１Ａ図の線１Ｏ−ＩＤにおける断面図である
。

この静磁波フィルタ１０は、たとえば金属からなり両端
にフランジ部１２ａおよび１２ｂを有する４角筒状の筒
体１２を含む。この筒体１２の内部には、特に第１Ｂ図
に示すように、その長手方向の中央にたとえば金属から
なる仕切板１４が設けられる。この仕切板１４は、その
中央に長４角形状の孔１４ａが形成されている。そして
、仕切板１４の孔１４ａを規定する部分で、導波管１６
が構成される。この場合、導波管１６は、この静磁波フ
ィルタ１０の減衰域を含む帯域にカットオフ周波数領域
を有する大きさに形成される。

また、筒体１２の長手方向の一端から中央までの部分で
別の導波管１８が構成され、筒体１２の他端から中央ま
での部分でさらに別の導波管２０が構成される。したが
って、中央の導波管１６の両端には、導波管１８および
２０がそ、れぞれ接続されることになる。

中央の導波管１６の中すなわち仕切板１４の孔１４ａの
中には、特に第１Ｂ図および第１Ｃ図に示すように、Ｙ
ＩＧ薄膜２２が設けられる。なお、このＹＩＧ薄膜２２
は、ＧＧＧ基板２４の一方主面に形成されている。

一方、導波管１８の一端すなわち筒体１２のフランジ部
１２ａには、第１Ａ図および第１Ｂ図に示すように、入
力側の変換器２６が取り付けられる。この変換器２６は
、開口端にフランジ部２８ａを有する箱形の蓋体２８を
含み、そのフランジ部２８ａを筒体１２のフランジ部１
２ａに貼り合わせることによって、蓋体２８が筒体１２
の一端に取り付けられる。この蓋体２８には、同軸コネ
クタ３０が貫通して設けられる。さらに、同軸コネクタ
３０の中心導体には、特に第１Ｄ図に示すよう、ロンド
アンテナ３２が接続され、そのロンドアンテナ３２は蓋
体２８内に配置される。したがって、同軸コネクタ３０
に信号を入力すれば、ロンドアンテナ３２から電磁波と
して導波管１８側に伝搬することができる。

同様に、導波管２０の一端すなわち筒体１２のフランジ
部１２ｂには、出力側の変換器３４が取り付けられる。

この出力側の変換器３４も、入力側の変換器２６と同様
に、開口端にフランジ部３６ａを有する蓋体３６を含み
、そのフランジ部３６ａが筒体１２のフランジ部１２ｂ
に貼り合わされる。そして、この蓋体３６にも、同軸コ
ネクタ３８が貫通して設けられる。さらに、この同軸コ
ネクタ３８の中心導体にも、ロッドアンテナ４０が接続
され、そのロッドアンテナ４０が蓋体３６内に配置され
る。したがって、このロッドアンテナ４０によって、導
波管２０を伝わる電磁波を受信することができる。

また、この静磁波フィルタ１０には、第１Ｂ図の矢印Ｈ
０で示すように、そのＹ　Ｉ　Ｇｉ膜２２の主面に直交
する方向に直流磁界が印加される。

この静磁波フィルタ１０では、たとえば同軸ケーブルに
よってＴＥＭモードの信号が、入力側の変換器２６の同
軸コネクタ３０に入力される。すると、その信号は、Ｔ
　Ｅ　＋。モードの電磁波として、変換器２６のロッド
アンテナ３２から導波管１８を介して、中央の導波管１
６側に伝搬される。

そして、Ｔ　Ｅ　Ｉｏモードの電磁波は、体積前進静磁
波（ＭＳＦＶＷ）として、導波管１６内のＹＩＧ薄膜２
２上で導波管２０側に伝搬される。

それから、その体積前進波は、Ｔ　Ｅ　＋。モードの電
磁波として、導波管２０を介して出力側の変換器３４側
に伝搬される。そして、そのＴＥ、。モードの電磁波は
、変換器３４のロッドアンテナ４０で受信され、同軸コ
ネクタ３８からＴＥＭモードの信号として出力される。

この静磁波フィルタｌＯでは、その減衰域を含む帯域に
カットオフ周波数領域を有する導波管１６内に、ＹＩＧ
薄膜２２が設けられているので、従来例に比べて、不要
な電磁波が除去される。そのため、減衰域の減衰量が大
きくなる。

発明者の実験によれば、たとえば縦０．５ｍ。

横１．０＋＋■のＹＩＧ薄膜を用いた場合、第３図に示
す従来例および第４図に示す従来例では、減衰域の通過
量が一４０ｄＢより大きかったのに対して、この実施例
では、減衰域の通過量が一８０ｄＢより小さかった。な
お、この場合、第３図および第４図に示す従来例では、
出力アンテナおよび入力アンテナの間隔を０．５ｍとし
、それらのアンテナの太さを３０μｍとした。

さらに、この静磁波フィルタＩＯでは、キャビティを用
いないの、で、キャビティによるスプリアスの発生が防
止される。

なお、この実施例では、両側の導波管１８および２０が
、フィルタの減衰域にカットオフ周波数領域を有しない
大きさに形成されているが、それらの導波管１８および
２０も、減衰域を含む帯域にカットオフ周波数領域を有
する大きさに形成されてもよい。

第２八図ないし第２Ｃ図は、それぞれ、この発明の他の
実施例を示し、第２Ａ図はその斜視図であり、第２Ｂ図
は第２Ａ図の線ＵＢ−ＵＢにおける断面図解図であり、
第２Ｃ図は第２Ａ図の線■ｃ−ｎｃにおける断面図であ
る。

この実施例の静磁波フィルタ５０は、たとえば金属から
なる直方体状のブロック５２を含む。

このブロック５２の内部には、特に第２Ｂ図および第２
Ｃ図に示すように、円柱状の２つの空間部５２ａおよび
５２ｂが、間隔を隔てて平行に形成される。

さらに、このブロック５２の内部には、２つの空間部５
２ａおよび５２ｂの軸方向の中間部分を連通ずるように
して、断面矩形状の孔５４が形成される。そして、ブロ
ック５２の孔５４を規定する部分で、この静磁波フィル
タ５０の減衰域を含む帯域にカットオフ周波数領域を有
する導波管５Ｇが構成される。

導波管５６の中すなわちブロック５２の孔５４の中には
、ＹＩＧ薄膜５８が設けられる。なお、このＹＩＧ薄膜
５８も、先の実施例と同様に、ＧＧＧ基板６０の一方主
面に形成されている。

また、ブロック５２の一方端には、一方の空間部５２ａ
に通じるようにして、入力側の同軸コネクタ６２が取り
付けられる。さらに、この同軸コネクタ６２の中心導体
には線状の内導体６４が接続され、その内導体６４は、
空間部５２ａの中心軸を通ってブロック５２の他方端側
に接地される。

そして、ブロック５２．同軸コネクタ６２および内導体
６４で、同軸線路６６が構成される。したがって、この
同軸線路６６は、導波管５６の一端に接続されることに
なる。

一方、ブロック５２の他方端には、他方の空間部５２ｂ
に通じるようにして、出力側の同軸コネクタ６８が取り
付けられる。さらに、この同軸コネクタ６８の中心導体
には内導体７０が接続され、この内導体７０は、空間部
５２ｂの中心軸を通ってブロック５２の一方端側に接地
される。そして、ブロック５２．同軸コネクタ６８およ
び内導体７０で、別の同軸線路７２が構成される。した
がって、この同軸線路７２は、導波管５６の他端に接続
されることになる。

また、この静磁波フィルタ５０にも、第２Ｃ図の矢印Ｈ
０で示すように、ＹＩＧｉ膜５８の主面に直交する方向
に直流磁界が印加される。

この静磁波フィルタ５０では、たとえば同軸ケーブルに
よってＴＥＭモードの信号を入力側のコネクタ６２に入
力すれば、その信号が、同軸線路６６によって、導波管
５６の一端側に伝搬される。

そして、その信号は、体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）と
して、導波管５６内のＹＩＧ薄膜５８上で別の同軸線路
７２側に伝搬される。

それから、体積前進静磁波は、同軸線路７２によって受
信され、出力側の同軸コネクタ６８からＴＥＭモードの
信号として出力される。

この実施例の静磁波フィルタ５０でも、減衰域を含む帯
域にカットオフ周波数帯域を有する導波管５６内に、Ｙ
ＩＧ薄膜５８が設けられているため、不要な静磁波が除
去される。そのため、減衰域の減衰量を大きくすること
ができる。

発明者の実験によれば、たとえば縦０．５ｗ。

横１．０＋ｕのＹＩＧ薄膜を用いた場合、その減衰域の
通過量は、先の実施例と同様に、−８０ｄＢよりも小さ
かった。

さらに、この実施例でもキャビティを用いないため、キ
ャビティによるスプリアスの発生を防止することができ
る。

なお、この実施例において、入力側の同軸コネクタ６２
および出力側の同軸コネクタ６８は、ブロック５２の一
方端側あるいは他方端側というように同じ側に設けられ
てもよい。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図ないし第１Ｄ図は、それぞれ、この発明の一実
施例を示し、第１Ａ図はその斜視図であり、第１Ｂ図は
第１Ａ図の線ＩＢ−ＩＢにおける断面図であり、第１Ｃ
図は第１Ａ図の線ＩＣ−ＩＣにおける断面図であ、第１
Ｄ図は第１Ａ図の線ｒＤｉＤにおける断面図である。第２Ａ図ないし第２Ｃ図は、それぞれ、この発明の他の
実施例を示し、第２Ａ図はその斜視図であり、第２Ｂ図
は第２Ａ図の線ＩＩＢ−ｎＢにおける断面図解図であり
、第２Ｃ図は第２Ａ図の線■ｃ−ｎｃにおける断面図で
ある。第３図は従来の静磁波フィルタの一例を示す図解図であ
る。第４図は従来の静磁波フィルタの他の例を示す図解図で
ある。第５図は従来の静磁波フィルタのさらに他の例を示す図
解図である。第６図は第５図に示す従来例の周波数特性を示すグラフ
である。図において、１０および５０は静磁波フィルタ、１６お
よび５６は導波管、２２および５８はＹＩＧ薄膜を示す
。特許出願人　株式会社　村田製作所代理人　弁理士　岡　１）　全　啓第１Ａ図第２Ａ図第２Ｂ図第１Ｃ図第１Ｄ図第２Ｃ図第図

Claims

【特許請求の範囲】

　カットオフ周波数領域を有する導波管、および前記導
波管内に設けられるＹＩＧ薄膜を含み、前記導波管のカ
ットオフ周波数領域は減衰域を含む、静磁波フィルタ。