JPH02185063A - イメージセンサー - Google Patents
イメージセンサーInfo
- Publication number
- JPH02185063A JPH02185063A JP1005548A JP554889A JPH02185063A JP H02185063 A JPH02185063 A JP H02185063A JP 1005548 A JP1005548 A JP 1005548A JP 554889 A JP554889 A JP 554889A JP H02185063 A JPH02185063 A JP H02185063A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- image sensor
- diffused layer
- oxide film
- type
- isolating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ファクシミリやイメージスキャナに用いる
ラインイメージセンサ−や、ＶＴＲ等に用いるエリアイ
メージセンサ−に関する。
ラインイメージセンサ−や、ＶＴＲ等に用いるエリアイ
メージセンサ−に関する。
この発明は、ホトトランジスタを電荷蓄積読み出しで用
いるイメージセンサ−において、受光領域であるホトト
ランジスタのベース拡散層を、素子間分離用酸化膜によ
り分離したことにより、高解像度のイメージセンサ−に
おいて広い受光領域を確保するものである。
いるイメージセンサ−において、受光領域であるホトト
ランジスタのベース拡散層を、素子間分離用酸化膜によ
り分離したことにより、高解像度のイメージセンサ−に
おいて広い受光領域を確保するものである。
（従来の技術〕
イメージセンサ−には、光電変換素子として、主にホト
ダイオードとホトトランジスタが用いられる。ホトトラ
ンジスタは、ホトダイオードに比べて感度が大きく、一
般に電荷蓄積読出しで用いられる。第２図は従来のホト
トランジスタを電荷蓄積読み出しで用いるイメージセン
サ−の−例を示す断面図で、ｌはｎ型半導体基板、２は
Ｐ型ベース拡散層、３はベース分離用ｎ型拡散層、４は
ｎ型エミッタ拡散層、５は第１層間絶縁膜、６はＮ等の
工・ミッタ金属電極、７は第２層間絶縁膜、８はＮ遮光
用膜、９はパンシベーシ日ン膜である。
ダイオードとホトトランジスタが用いられる。ホトトラ
ンジスタは、ホトダイオードに比べて感度が大きく、一
般に電荷蓄積読出しで用いられる。第２図は従来のホト
トランジスタを電荷蓄積読み出しで用いるイメージセン
サ−の−例を示す断面図で、ｌはｎ型半導体基板、２は
Ｐ型ベース拡散層、３はベース分離用ｎ型拡散層、４は
ｎ型エミッタ拡散層、５は第１層間絶縁膜、６はＮ等の
工・ミッタ金属電極、７は第２層間絶縁膜、８はＮ遮光
用膜、９はパンシベーシ日ン膜である。
光入射によりＰ型ベース拡散層に蓄えられた電荷は、エ
ミッタ金属電極６から読み出される。このときトランジ
スタ動作をし、蓄えられた電荷の電流利得倍の出力が得
られ・る。
ミッタ金属電極６から読み出される。このときトランジ
スタ動作をし、蓄えられた電荷の電流利得倍の出力が得
られ・る。
従来のイメージセンサ−は、隣り合うＰ型ベース拡散層
２の間のｎ型半導体基板１の表面反転を防ぐために、ベ
ース分離用ｎ型拡散層を形成している。このため隣り合
うＰ型拡散層２の間隔は、ある程度確保しなくてはなら
ない。したがって、受光領域であるＰ型ベース拡散層２
の面積は広くできないため、イメージセンサ−の感度が
低いという欠点があった。特に解像度が高くなると、受
光領域の面積は、急激に小さくならざるを得なかった。
２の間のｎ型半導体基板１の表面反転を防ぐために、ベ
ース分離用ｎ型拡散層を形成している。このため隣り合
うＰ型拡散層２の間隔は、ある程度確保しなくてはなら
ない。したがって、受光領域であるＰ型ベース拡散層２
の面積は広くできないため、イメージセンサ−の感度が
低いという欠点があった。特に解像度が高くなると、受
光領域の面積は、急激に小さくならざるを得なかった。
そこでこの発明は、従来のこのような欠点を解決するた
め、隣り合うベース拡散層の間隔を小さくし、広い受光
領域を持つ高感度のイメージセンサ−を得ることを目的
としている。
め、隣り合うベース拡散層の間隔を小さくし、広い受光
領域を持つ高感度のイメージセンサ−を得ることを目的
としている。
上記課題を解決するために、この発明はホトトランジス
タを用いるイメージセンサ−において、ベース拡散層を
素子間分離用酸化膜により分離することにより、広い受
光領域を得ることができた。
タを用いるイメージセンサ−において、ベース拡散層を
素子間分離用酸化膜により分離することにより、広い受
光領域を得ることができた。
〔作用〕
上記のように構成されたイメージセンサ−は、隣り合う
ベース拡散層の間隔は、素子間分離用酸化膜の幅と等し
くできるため、小さくでき、したがって広い受光領域を
得ることができるのである。
ベース拡散層の間隔は、素子間分離用酸化膜の幅と等し
くできるため、小さくでき、したがって広い受光領域を
得ることができるのである。
以下に、この発明の実施例を第１図に基づいて説明する
。ｎ型半導体基板１に通常のＬＯＧＯＳプロセスにより
、素子量分ＭＭ化膜１０と素子間分離０士領域１１を形
成する。素子間分離酸化膜ｌＯの幅はＰ型ベース拡散層
２を分離できる最小の大きさに設定されている０次にＰ
型ベース拡散層２を形成するためボロン等を打ち込む。
。ｎ型半導体基板１に通常のＬＯＧＯＳプロセスにより
、素子量分ＭＭ化膜１０と素子間分離０士領域１１を形
成する。素子間分離酸化膜ｌＯの幅はＰ型ベース拡散層
２を分離できる最小の大きさに設定されている０次にＰ
型ベース拡散層２を形成するためボロン等を打ち込む。
このとき、素子間分離酸化膜１０にオーバーラツプする
ように打ち込めば、Ｐ型ベース拡散Ｎ２は、できるだけ
広くすることができる０次にＰ型ベース拡散Ｎ２が適当
な深さになるように、熱処理を行う。そして、ｎ型エミ
ッタ拡散層４を形成し、以下通常の半導体プロセスを用
いて、第１層間絶縁膜５．Ａ！等のエミッタ金属電極６
．第２層間絶縁膜７．Ａ１等の遮光膜８．パッシベーシ
ョン膜９を形成する。以上のような形成方法は、通常の
ＣＭＯ３のプロセスにベースの形成プロセスを加えるだ
けでできる。
ように打ち込めば、Ｐ型ベース拡散Ｎ２は、できるだけ
広くすることができる０次にＰ型ベース拡散Ｎ２が適当
な深さになるように、熱処理を行う。そして、ｎ型エミ
ッタ拡散層４を形成し、以下通常の半導体プロセスを用
いて、第１層間絶縁膜５．Ａ！等のエミッタ金属電極６
．第２層間絶縁膜７．Ａ１等の遮光膜８．パッシベーシ
ョン膜９を形成する。以上のような形成方法は、通常の
ＣＭＯ３のプロセスにベースの形成プロセスを加えるだ
けでできる。
このとき、ｎ型エミッタ拡散層４は、ｎチャンネルＭＯ
３のソース・ドレイン形成と同時に従うことができる。
３のソース・ドレイン形成と同時に従うことができる。
このような方法をとれば、駆動回路を同時に形成するこ
とができる。
とができる。
以上の例において、半導体の導電型は反対でもかまわな
い。
い。
この発明は、以上説明したようにホトトランジスタのベ
ース拡散層を素子間分離用酸化膜により分離するという
、簡単な構造によりベース拡散層の間隔を小さくし、広
い受光領域を得ることができる。したがって高感度、高
ＳＮ比のイメージセンサ−を得ることができる。
ース拡散層を素子間分離用酸化膜により分離するという
、簡単な構造によりベース拡散層の間隔を小さくし、広
い受光領域を得ることができる。したがって高感度、高
ＳＮ比のイメージセンサ−を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例にかかるイメージセンサ−
の受光部の断面図、第２図は従来のイメージセンサ−の
受光部の断面図である。 Ｐ型ベース拡散層 ベース分離用ｎ型拡散層 ｎ型エミッタ拡散層 第１層間絶縁膜 エミッタ金属電極 第２層間絶縁膜 遮光膜 パッシベーション膜 素子間分離酸化膜 素子間分子ｌｄｎ士領域 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 １・・・ｎ型半導体装置
の受光部の断面図、第２図は従来のイメージセンサ−の
受光部の断面図である。 Ｐ型ベース拡散層 ベース分離用ｎ型拡散層 ｎ型エミッタ拡散層 第１層間絶縁膜 エミッタ金属電極 第２層間絶縁膜 遮光膜 パッシベーション膜 素子間分離酸化膜 素子間分子ｌｄｎ士領域 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 代理人 弁理士 林 敬 之 助 １・・・ｎ型半導体装置
Claims (1)
- ホトトランジスタを用いるイメージセンサーにおいて、
前記ホトトランジスタのベース拡散層を素子間分離用酸
化膜により分離することを特徴とするイメージセンサー
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005548A JPH02185063A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | イメージセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1005548A JPH02185063A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | イメージセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02185063A true JPH02185063A (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=11614244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1005548A Pending JPH02185063A (ja) | 1989-01-12 | 1989-01-12 | イメージセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02185063A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440775B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2004-07-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50151090A (ja) * | 1974-05-23 | 1975-12-04 |
-
1989
- 1989-01-12 JP JP1005548A patent/JPH02185063A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50151090A (ja) * | 1974-05-23 | 1975-12-04 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440775B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2004-07-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이미지센서 제조 방법 |
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