JPH02183625A - Transistor logic circuit - Google Patents

Transistor logic circuit

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JPH02183625A
JPH02183625A JP893114A JP311489A JPH02183625A JP H02183625 A JPH02183625 A JP H02183625A JP 893114 A JP893114 A JP 893114A JP 311489 A JP311489 A JP 311489A JP H02183625 A JPH02183625 A JP H02183625A
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JP
Japan
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channel
terminal
input
logic circuit
mos transistor
Prior art date
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Application number
JP893114A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Etsuro Aono
悦郎 青野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH02183625A publication Critical patent/JPH02183625A/en
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Abstract

PURPOSE:To decrease a difference between output delay times between input terminals without increasing much a layout area by varying an input switching level between the input terminals depending on specific constitution. CONSTITUTION:For example, the channel width of P-channel MOS TRs 1-3 is increased sequentially from the side of power supply and the channel width of N-channel MOS TRs 4-6 is decreased as the channel width of the P-channel MOS TR whose gate is connected in common is larger. Thus, the input switching level of input terminals 7, 9 is changed in such a manner. Then without much increase in the layout area, the difference between output delay times between the input terminals can be decreased.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はMOS トランジスタで構成されたトランジス
タ論理回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a transistor logic circuit composed of MOS transistors.

従来の技術 第2図は従来のトランジスタ論理回路の回路図であり、
11.12はPチャネルMOSトランジスタ、13.1
4はNチャネルMOSトランジスタ、15.16は入力
端子、17は出力端子であり、2人力のCMO8型O8
R回路を構成している。また、PチャネルMOSトラン
ジスタ11゜12のチャネル幅は等しく設定され、Nチ
ャネルMOSトランジスタ13.14のチャネル幅も等
しく設定されている。
Conventional technology Figure 2 is a circuit diagram of a conventional transistor logic circuit.
11.12 is a P-channel MOS transistor, 13.1
4 is an N-channel MOS transistor, 15.16 is an input terminal, and 17 is an output terminal.
It constitutes an R circuit. Furthermore, the channel widths of P channel MOS transistors 11 and 12 are set equal, and the channel widths of N channel MOS transistors 13 and 14 are also set equal.

上記従来の回路構成では、入力端子15.16と、これ
に接続されているPチャネルMO8トランジスタ11.
12の接続が、入力端子15は電源端子側のPチャネル
MOSトランジスタ11に接続され、入力端子16は出
力端子側のPチャネルMOSトランジスタ12に接続さ
れているため、これを入力端子15から見るとPチャネ
ルMOSトランジスタ11と出力端子の間にPチャネル
MOSトランジスタ12による抵抗が接続され、入力端
子16から見るとPチャネルMOSトランジスタ12と
電源端子の間にPチャネルMOSトランジスタ11によ
る抵抗が接続されていることになり、入力端子15.1
6は回路的に等価ではない。このために、各入力端子の
入力スイッチングレベルが異なってしまうと同時に、各
入力端子からの出力遅延時間ら異なってしまうという問
題があった。一般にNOR回路では、各入力端子の入力
スイッチングレベルは、入力端子が電源端子に近いPチ
ャネルMOSトランジスタに接続されているほど小さく
、実験によればこれらの入力端子間の人力スイッチレベ
ルの差は約0.2〜0.4V程度になり、各入力端子か
らの出力遅延時間は、入力端子が電源端子に近いPチャ
ネルMOSトランジスタに接続されているほど大きく、
実験によればこれらの入力端子間の出力遅延時間の差は
、出力遅延時間の平均(平均出力遅延時間)の約10〜
40%程度になる。これらの点は従来のようにあまり高
速でないトランジスタ論理回路では問題にならないが、
高速なトランジスタ論理回路で問題になってくる。
In the previous conventional circuit configuration, the input terminal 15.16 and the P channel MO8 transistor connected to this.
When viewed from the input terminal 15, the input terminal 15 is connected to the P-channel MOS transistor 11 on the power supply terminal side, and the input terminal 16 is connected to the P-channel MOS transistor 12 on the output terminal side. A resistor formed by the P channel MOS transistor 12 is connected between the P channel MOS transistor 11 and the output terminal, and when viewed from the input terminal 16, a resistance formed by the P channel MOS transistor 11 is connected between the P channel MOS transistor 12 and the power supply terminal. Input terminal 15.1
6 is not equivalent in terms of circuit. For this reason, there is a problem in that the input switching levels of each input terminal are different, and at the same time, the output delay time from each input terminal is also different. Generally, in a NOR circuit, the input switching level of each input terminal is smaller as the input terminal is connected to a P-channel MOS transistor closer to the power supply terminal, and experiments have shown that the difference in the manual switching level between these input terminals is approximately It becomes about 0.2 to 0.4 V, and the output delay time from each input terminal is larger as the input terminal is connected to the P-channel MOS transistor closer to the power supply terminal.
According to experiments, the difference in output delay time between these input terminals is approximately 10 to 10 times the average output delay time (average output delay time).
It will be about 40%. These points are not a problem in conventional transistor logic circuits that are not very fast, but
This becomes a problem in high-speed transistor logic circuits.

第3図は高速化に対応した従来のトランジスタ論理回路
の回路図であり、18.19,20.21はPチャネル
MO3トランジスタ、22.23はNチャネルMOS 
トランジスタ、24.25は入力端子、26は出力端子
であり、第2図と同様2人力のCMO8型NO型口OR
回路している。また、PチャネルMOSトランジスタ1
8,19゜20.21のチャネル幅は等しく設定され、
NチャネルMOSトランジスタ22.23のチャネル幅
も等しく設定されている。第3図の回路構成では、直列
に接続されたPチャネルMO8トランジスタを2組並列
に接続し、入力端子24をPチャネルMOSトランジス
タ18.21に、入力端子25をPチャネルMO3トラ
ンジスタ19゜20に接続することにより、入力端子2
4.25は回路的に完全に等価となるため、各入力端子
の入力スイッチングレベルは等しくなり、また入力端子
間の出力遅延時間の差も生じない。しかし、この構成で
はMOSトランジスタの数が増加してしまうため、レイ
アウト面積が大きくなってしまうという問題点があった
。第3図に示すような2人力のNOR回路であれば、レ
イアウト面積の増加はそれほど太き(ないが、入力数が
増加するほどレイアウト面積の増加は大きくなり、レイ
アウト面積を大きくすることが難しいメモリ装置等では
使用することが困難であった。
Figure 3 is a circuit diagram of a conventional transistor logic circuit that supports high speed. 18.19 and 20.21 are P-channel MO3 transistors, and 22.23 is an N-channel MOS.
Transistors, 24.25 are input terminals, 26 are output terminals, two-man powered CMO 8 type NO type OR
It's a circuit. In addition, P channel MOS transistor 1
The channel widths of 8,19°20.21 are set equal,
The channel widths of N-channel MOS transistors 22 and 23 are also set to be equal. In the circuit configuration shown in FIG. 3, two sets of P-channel MO8 transistors connected in series are connected in parallel, and the input terminal 24 is connected to the P-channel MOS transistor 18.21, and the input terminal 25 is connected to the P-channel MO3 transistor 19.20. By connecting input terminal 2
4.25 is completely equivalent in circuit terms, the input switching levels of each input terminal are equal, and there is no difference in output delay time between input terminals. However, this configuration has a problem in that the layout area increases because the number of MOS transistors increases. In the case of a two-person NOR circuit as shown in Figure 3, the increase in layout area is not so large (although it is not), the increase in layout area increases as the number of inputs increases, making it difficult to increase the layout area. It has been difficult to use it in memory devices and the like.

発明が解決しようとする課題 本発明は、レイアウト面積をあまり太き(増加させずに
入力端子間の出力遅延時間の差が小さなトランジスタ論
理回路を実現することを目的とする。
Problems to be Solved by the Invention It is an object of the present invention to realize a transistor logic circuit in which the difference in output delay time between input terminals is small without increasing the layout area too much.

課題を解決するための手段 この目的を達成するために、本発明のトランジスタ論理
回路は、電源端子あるいは接地端子と出力端子の間に接
続された、MOSトランジスタのチャネル幅を電源ある
いは接地端子側から順次大きくした、ドレイン、ソース
端子を直列に接続したMOS トランジスタ群と、上記
直列に接続されたMOSトランジスタ群と相補的に動作
する、接地あるいは電源端子と出力端子との間に接続さ
れた、MOSトランジスタのチャネル幅をゲートが共通
に接続されている上記直列に接続されたMOSトランジ
スタ群のチャネル幅が大きいほど小さ(した、ドレイン
、ソース端子を並列に接続したMOSトランジスタ群で
構成されている・。
Means for Solving the Problems In order to achieve this object, the transistor logic circuit of the present invention has a transistor logic circuit of the present invention that changes the channel width of a MOS transistor connected between a power supply terminal or a ground terminal and an output terminal from the power supply or ground terminal side. A group of MOS transistors whose drain and source terminals are connected in series, which have been increased in size, and a MOS transistor which is connected between a ground or power supply terminal and an output terminal, which operates complementary to the series-connected MOS transistor group. The larger the channel width of the series-connected MOS transistors whose gates are connected in common, the smaller the channel width of the transistors. .

作用 この構成によれば、レイアウト面積をあまり大きく増加
させずに各入力端子間の入力スイッチングレベルを変化
させ、入力端子間の出力遅延時間の差か小さなトランジ
スタ論理回路を実現することができる。
According to this configuration, it is possible to change the input switching level between each input terminal without significantly increasing the layout area, and realize a transistor logic circuit with a small difference in output delay time between the input terminals.

実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。
EXAMPLE An example of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例におけるトランジスタ論理回
路の回路−図を示すものである。第1図において1.2
.3はPチャネルMO3トランジスタ、4.5.6はN
チャネルMOSトランジスタ、?、8.9は入力端子、
10は出力端子であり、3人力のCMO8型NO型口O
R回路している。PチャネルMOSトランジスタ1,2
.3のチャネル幅Wは電源側から順次大きくなっており
、例えばそれぞれW=46.50.54 (μm)に設
定されている。NチャネルMOSトランジスタ4.5.
6のチャネル幅Wは、ゲートが共通に接続されているP
チャネルMOSトランジスタのチャネル幅が大きいほど
小さくなっており、例えば、それぞれW=11.10.
9 (μm)に設定されている。CMO3回路の入力ス
イッチングレベルは入力端子に接続されたPチャネルM
OSトランジスタとNチャネルMOSトランジスタのチ
ャネル幅Wp、WNの比で決定され、WP/WNの大き
さが大きいほど入力スイッチングレベルは高くなるため
、この構成により、トランジスタのチャネル幅が等しい
従来の場合に比べて、入力端子7の入力スイッチングレ
ベルは上り、入力端子9の入力スイッチングレベルは下
がることになる。本発明では、上記のように入力スイッ
チングレベルを変化させることにより、各入力端子間の
入力スイッチングレベルの差を小さくしているが、各入
力端子の入力スイッチングレベルは等しくない。これは
、各入力端子間の出力遅延時間の差は入力スイッチング
レベルによって大きく影響されるが、直列に接続された
MOSトランジスタのドレイン、ソース端子のインピー
ダンスが各入力端子により異なっているため、入力スイ
ッチングレベルをすべて等しくするより少しずらしてお
(方が出力遅延時間の差を小さ(することができるため
である。本実施例では、このように各入力端子のスイッ
チングレベルを変化させることにより、入力端子7,9
間の出力遅延時間の差δTは0.04nsecとなり、
従来の構成にした場合の0、15nsecの約27%と
なり、問題とならない・レベルにまで小さくすることが
できる。本実施例の回路の各入力端子からの平均出力遅
延時間Tは0、49nsecであるので、従来の構成で
は出力遅延時間の差δTは平均出力遅延時間Tの約31
%であったものを、本実施例では約8%にまで小さくす
ることができたことになる。
FIG. 1 shows a circuit diagram of a transistor logic circuit in one embodiment of the present invention. 1.2 in Figure 1
.. 3 is P channel MO3 transistor, 4.5.6 is N
Channel MOS transistor? , 8.9 is the input terminal,
10 is the output terminal, which is a 3-person CMO 8 type NO type port O.
It has an R circuit. P-channel MOS transistors 1 and 2
.. The channel width W of No. 3 gradually increases from the power supply side, and is set to, for example, W=46.50.54 (μm). N-channel MOS transistor 4.5.
The channel width W of 6 is P where the gates are commonly connected.
The larger the channel width of the channel MOS transistor, the smaller it becomes, for example, W=11.10.
9 (μm). The input switching level of the CMO3 circuit is the P channel M connected to the input terminal.
It is determined by the ratio of the channel widths Wp and WN of the OS transistor and the N-channel MOS transistor, and the larger the size of WP/WN, the higher the input switching level. Therefore, with this configuration, compared to the conventional case where the channel widths of the transistors are equal, In comparison, the input switching level of input terminal 7 increases, and the input switching level of input terminal 9 decreases. In the present invention, by changing the input switching level as described above, the difference in the input switching level between each input terminal is reduced, but the input switching level of each input terminal is not equal. This is because the difference in output delay time between each input terminal is greatly affected by the input switching level, but since the impedance of the drain and source terminals of the MOS transistors connected in series differs depending on each input terminal, the input switching This is because it is possible to reduce the difference in output delay time by slightly shifting the levels rather than setting them all to the same level.In this example, by changing the switching level of each input terminal in this way, the input terminals 7, 9
The difference δT in output delay time between is 0.04 nsec,
This is approximately 27% of 0.15 nsec in the case of the conventional configuration, and can be reduced to a level that does not pose a problem. Since the average output delay time T from each input terminal of the circuit of this embodiment is 0.49 nsec, in the conventional configuration, the difference δT in output delay time is approximately 31 ns of the average output delay time T.
%, but in this example, it was possible to reduce it to about 8%.

また、本実施例によるレイアウト面積の増加は、MOS
トランジスタのチャネル幅の増加分だけであるので約5
%と小さく、レイアウト面積を太き(することが困難な
メモリ装置でも十分使用可能である。
Furthermore, the increase in layout area due to this embodiment is due to the increase in the layout area due to the MOS
Since it is only the increase in the channel width of the transistor, it is approximately 5
%, and can be used even in memory devices with a large layout area.

以上のように本実施例によれば、PチャネルMO8トラ
ンジスタ1,2.3のチャネル幅を電源側から順次大き
くし、NチャネルMOSトランジスタ4.5.6のチャ
ネル幅を、ゲートが共通に接続されているPチャネルM
OSトランジスタのチャネル幅が大きいほど小さ(する
ことにより、入力端子7,9の入力スイッチングレベル
を変化させ、レイアウト面積の大きな増加なしに、各入
力端子間の出力遅延時間の差が小さなトランジスタ論理
回路を実現することができる。
As described above, according to this embodiment, the channel widths of the P-channel MO8 transistors 1, 2.3 are sequentially increased from the power supply side, and the channel widths of the N-channel MOS transistors 4, 5, 6 are connected so that their gates are connected in common. P channel M
The larger the channel width of the OS transistor, the smaller the transistor logic circuit (by doing so, the input switching levels of input terminals 7 and 9 can be changed, and the difference in output delay time between each input terminal is small without a large increase in layout area. can be realized.

なお、本実施例はNOR回路であるが、これはNAND
回路でもよ<、NAND回路の場合には、直列に接続し
たNチャネルMOSトランジスタ群のチャネル幅を接地
端子側から順次大きくし、ゲートが共通に接続されてい
るNチャネルMOSトランジスタのゲート幅が大きいほ
ど並列に接続したPチャネルMOSトランジスタのチャ
ネル幅を小さくすることにより、NOR回路と同様、レ
イアウト面積の大きな増加なしに入力端子間の出力遅延
時間の差が小さなトランジスタ論理回路が実現できる。
Note that this embodiment is a NOR circuit, but this is a NAND circuit.
In the case of a NAND circuit, the channel widths of the N-channel MOS transistors connected in series are gradually increased from the ground terminal side, and the gate width of the N-channel MOS transistors whose gates are connected in common is large. By reducing the channel width of the P-channel MOS transistors connected in parallel, it is possible to realize a transistor logic circuit with a small difference in output delay time between input terminals without increasing the layout area, similar to a NOR circuit.

また、本実施例では並列に接続されたトランジスタ群の
チャネル幅をすべて変えているが、これは従来のように
同じチャネル幅でもよい。
Further, in this embodiment, the channel widths of all the transistor groups connected in parallel are changed, but the channel widths may be the same as in the conventional case.

入力信号数も本実施例では3人力であるが、さらに多入
力でもよい。
Although the number of input signals is three in this embodiment, it is also possible to input more signals.

発明の効果 本発明によれば、電源端子あるいは接地端子と出力端子
の間に接続された、MOSトランジスタのチャネル幅を
電源あるいは接地端子側から順次大きくした、ドレイン
、ソース端子を直列に接続したMOSトランジスタ群と
、上記直列に接続されたMOSトランジスタ群と相補的
に動作する、接地あるいは電源端子と出力端子との間に
接続され、MOSトランジスタのチャネル幅をゲートが
共通に接続されている上記直列に接続されたMOSトラ
ンジスタ群のチャネル幅が大きいほど小さくした、ドレ
イン、ソース端子を並列に接続したMoSトランジスタ
群とで構成することにより、]・ランシスタ論理回路の
各入力端子の入力スイッチングレベルを変化させ、レイ
アウト面積の大きな増加なしに、各入力端子間の出力遅
延時間の差か小さな優れたトランジスタ論理回路を実現
することができる。
Effects of the Invention According to the present invention, there is provided a MOS transistor connected between a power supply terminal or a ground terminal and an output terminal, in which the channel width of the MOS transistor is sequentially increased from the power supply or ground terminal side, and the drain and source terminals are connected in series. The transistor group is connected between the ground or power supply terminal and the output terminal and operates complementary to the series-connected MOS transistor group, and the gates of the MOS transistors are connected in common. By configuring it with a group of MoS transistors whose drain and source terminals are connected in parallel, the channel width of the MOS transistor group connected to the MOS transistor group is made smaller as the channel width becomes larger, and the input switching level of each input terminal of the Lancistor logic circuit can be changed. Therefore, it is possible to realize an excellent transistor logic circuit with a small difference in output delay time between each input terminal without a large increase in layout area.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例におけるトランジス論理回路
の回路図、第2図は従来のトランジスタ論理回路の回路
図、第3図は従来の改良されたトランジスタ論理回路の
回路図である。 1.2,3,11,12.18,19,20゜21、・
・・・・・PチャネルMOSトランジスタ、4゜5.6
,13,14.22.23・・・・・・NチャネルMO
3トランジスタ、7,8.9,15,16゜24.25
・・・・・・入力端子1.10,17.26・・・・・
・出力端子。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ばか16第 2 図 1〜3−m−p=、>ル間う5トラシシズタto−出り
沼シ 第3図 W+j=W陣 W+> W5ンWe Wn−%コ
FIG. 1 is a circuit diagram of a transistor logic circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional transistor logic circuit, and FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional improved transistor logic circuit. 1.2,3,11,12.18,19,20゜21,・
...P channel MOS transistor, 4°5.6
,13,14.22.23...N channel MO
3 transistors, 7, 8.9, 15, 16°24.25
...Input terminal 1.10, 17.26...
・Output terminal. Agent's name Patent attorney Shigetaka Awano Baka 16th 2 Figures 1 to 3-m-p=, > Le 5 Trashishizuta to-Dearinuma Figure 3 W+j=W group W+> W5 We Wn-%co

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)電源端子あるいは接地端子と出力端子との間に接
続された、MOSトランジスタのチャネル幅を電源ある
いは接地端子側から順次大きくした、ドレイン、ソース
端子を直列に接続した第1のMOSトランジスタ群と、
上記第1のMOSトランジスタ群と相補的に動作する、
接地あるいは電源端子と出力端子との間に接続された、
ドレイン、ソース端子を並列に接続した第2のMOSト
ランジスタ群とで構成されたことを特徴とするトランジ
スタ論理回路。
(1) A first group of MOS transistors connected between a power supply terminal or a ground terminal and an output terminal, in which the channel width of the MOS transistors is gradually increased from the power supply or ground terminal side, and the drain and source terminals are connected in series. and,
operating complementary to the first MOS transistor group;
connected between the ground or power terminal and the output terminal,
A transistor logic circuit comprising a second group of MOS transistors having drain and source terminals connected in parallel.
(2)上記第1のMOSトランジスタ群のチャネル幅が
大きいほど、上記第1のMOSトランジスタ群とゲート
が共通に接続されている上記第2のMOSトランジスタ
群のMOSトランジスタのチャネル幅を小さくしたこと
を特徴とする、請求項(1)記載のトランジスタ論理回
路。
(2) The larger the channel width of the first MOS transistor group, the smaller the channel width of the MOS transistors of the second MOS transistor group whose gates are commonly connected to the first MOS transistor group. The transistor logic circuit according to claim 1, characterized in that:
(3)電源端子あるいは接地端子と出力端子との間に直
列に接続された第1のMOSトランジスタ群が3個以上
のMOSトランジスタで構成されている事を特徴とする
請求項(1)または(2)記載のトランジスタ論理回路
(3) Claim (1) or (1) characterized in that the first MOS transistor group connected in series between the power supply terminal or the ground terminal and the output terminal is composed of three or more MOS transistors. 2) The transistor logic circuit described above.
JP893114A 1989-01-10 1989-01-10 Transistor logic circuit Pending JPH02183625A (en)

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JP (1) JPH02183625A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03247117A (en) * 1990-02-26 1991-11-05 Nec Corp Cmos logic circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03247117A (en) * 1990-02-26 1991-11-05 Nec Corp Cmos logic circuit

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