JPH0217635A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH0217635A JPH0217635A JP16842188A JP16842188A JPH0217635A JP H0217635 A JPH0217635 A JP H0217635A JP 16842188 A JP16842188 A JP 16842188A JP 16842188 A JP16842188 A JP 16842188A JP H0217635 A JPH0217635 A JP H0217635A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体基板面に対するパターン形成方法に
関し、さらに詳しくは、半導体基板面に対して導電性ポ
リマーを用いたパターンを形成するための方法に係るも
のである。
関し、さらに詳しくは、半導体基板面に対して導電性ポ
リマーを用いたパターンを形成するための方法に係るも
のである。
従来例によるこの種の半導体基板面へのパターン形成技
術としては、光・電解重合を利用したパターン形成方法
があり、この従来例方法を第４図に示す。
術としては、光・電解重合を利用したパターン形成方法
があり、この従来例方法を第４図に示す。
すなわち、この第４図に示す光・電解重合を利用したパ
ターン形成方法においては、通常での電極系の作用極と
して半導体基板ｌを用い、この半導体基板１を対電極５
と共に、電解溶液７を満した透明な電解槽６・中に浸漬
させておき、この状態で、透明な電解Ｍ６を通して外部
から光９を照射させながら、両電極間に電圧を印加させ
るものであり、この光照射、および電圧印加によって、
前記半導体基板ｌ中では、光９を受光して電子・正孔対
が生成され、その正孔が、電極表面において電解溶液７
中に存在する千ツマ−を酸化し、かつこの酸化された千
ツマ−が重合されて、電極上に析出されることになるも
ので、この場合、前記正孔は、光照射を受けた部分にお
いてのみ生成されるために、所定のパターンマスク８を
通して、こ）での光照射を行なうようにすれば、その光
照射部分においてのみ、導電性ポリマーが析出されて、
半導体基板ｌ上に所期通りのパターンを形成し得るので
ある。
ターン形成方法においては、通常での電極系の作用極と
して半導体基板ｌを用い、この半導体基板１を対電極５
と共に、電解溶液７を満した透明な電解槽６・中に浸漬
させておき、この状態で、透明な電解Ｍ６を通して外部
から光９を照射させながら、両電極間に電圧を印加させ
るものであり、この光照射、および電圧印加によって、
前記半導体基板ｌ中では、光９を受光して電子・正孔対
が生成され、その正孔が、電極表面において電解溶液７
中に存在する千ツマ−を酸化し、かつこの酸化された千
ツマ−が重合されて、電極上に析出されることになるも
ので、この場合、前記正孔は、光照射を受けた部分にお
いてのみ生成されるために、所定のパターンマスク８を
通して、こ）での光照射を行なうようにすれば、その光
照射部分においてのみ、導電性ポリマーが析出されて、
半導体基板ｌ上に所期通りのパターンを形成し得るので
ある。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、前記のようにしてなされる光・電解重合
を利用したパターン形成方法にあっては、原理的にみる
とき、半導体基板１面へのマスク８を通した光照射によ
る解像度が、その半導体中における正孔の拡散長により
支配されて、所期通りのパターン形成を行ない得ること
になるのであるが、実際上は、電解溶液７中を通過する
光９によって半導体基板１面を照射しているために、こ
の電解溶液７中で光９の散乱を生ずることになって、微
細なパターンを形成することが困難なものであった。
を利用したパターン形成方法にあっては、原理的にみる
とき、半導体基板１面へのマスク８を通した光照射によ
る解像度が、その半導体中における正孔の拡散長により
支配されて、所期通りのパターン形成を行ない得ること
になるのであるが、実際上は、電解溶液７中を通過する
光９によって半導体基板１面を照射しているために、こ
の電解溶液７中で光９の散乱を生ずることになって、微
細なパターンを形成することが困難なものであった。
この発明は、従来のこのような問題点を解消するために
なされたもので、その目的とするところは、半導体基板
面に対して、微細なパターン形成を所期通りになし得る
ようにした。この種の導電性ポリマーを用いるパターン
形成方法を提供することである。
なされたもので、その目的とするところは、半導体基板
面に対して、微細なパターン形成を所期通りになし得る
ようにした。この種の導電性ポリマーを用いるパターン
形成方法を提供することである。
前記目的を達成するために、この発明に係る導電性ポリ
マーを用いたパターン形成方法は、所期通りにマスクパ
ターン化された絶縁膜をマスクにして、電解重合法によ
り導電性ポリマーをパターン形成させるようにしたもの
である。
マーを用いたパターン形成方法は、所期通りにマスクパ
ターン化された絶縁膜をマスクにして、電解重合法によ
り導電性ポリマーをパターン形成させるようにしたもの
である。
すなわち、この発明は、半導体基板面の導電性膜、Ｆ：
、にあって、所期通りにマスクパターン化された絶縁膜
を形成する工程と、電解重合法を用い、首記絶縁膜をマ
スクにして、前記導電性膜上に導電性ポリマーをパター
ン形成させる工程とを、少なくとも含むことを特徴とす
るパターン形成方法である。
、にあって、所期通りにマスクパターン化された絶縁膜
を形成する工程と、電解重合法を用い、首記絶縁膜をマ
スクにして、前記導電性膜上に導電性ポリマーをパター
ン形成させる工程とを、少なくとも含むことを特徴とす
るパターン形成方法である。
従って、この発明方法においては、半導体基板面の導電
性膜上に形成された絶縁膜をマスクにして、電解重合性
により、分子レベルで薄膜形成を行なうことができる。
性膜上に形成された絶縁膜をマスクにして、電解重合性
により、分子レベルで薄膜形成を行なうことができる。
つまり、微細パターンの形成を可能にするものである。
以下、この発明に係るパターン形成方法の一実施例につ
き、第１図ないし第３図を参照して詳細に説明する。
き、第１図ないし第３図を参照して詳細に説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）はこの実施例方法による半導
体基板へのパターン形成工程を順次に示すそれぞれに断
面図、第２図はこの実施例方法を適用した電解重合装置
の４１１要を示す構成説明図、第３図は同上電解重合の
反応状態の一例を示す説明図である。
体基板へのパターン形成工程を順次に示すそれぞれに断
面図、第２図はこの実施例方法を適用した電解重合装置
の４１１要を示す構成説明図、第３図は同上電解重合の
反応状態の一例を示す説明図である。
この実施例方法での導電性ポリマーによるパターン形成
は、まず、第１図（ａ）に示すように、シリコン半導体
基板１面に形成されたアルミニウム膜などの導電性膜２
上にあって、酸化シリコン膜などの絶縁膜を堆積させ、
かつこれを所定膜りにパターニングして絶縁膜３を形成
させる。
は、まず、第１図（ａ）に示すように、シリコン半導体
基板１面に形成されたアルミニウム膜などの導電性膜２
上にあって、酸化シリコン膜などの絶縁膜を堆積させ、
かつこれを所定膜りにパターニングして絶縁膜３を形成
させる。
ついで、このように導電性膜２上にマスクパターンとな
る絶縁膜３を形成した半導体基板１と、金属板からなる
その対電極５とを、第２図に示すように、電解溶液７を
満した電解Ｍ６中に浸漬させる。この場合、電解溶液７
は、千ツマ−として電解重合性を有するピロール、チオ
フェンなど。
る絶縁膜３を形成した半導体基板１と、金属板からなる
その対電極５とを、第２図に示すように、電解溶液７を
満した電解Ｍ６中に浸漬させる。この場合、電解溶液７
は、千ツマ−として電解重合性を有するピロール、チオ
フェンなど。
支持電解質としてテトラアルキルアンモニウム塩などを
それぞれに用い、これを溶媒にして両電極間に電圧を印
加させることにより、絶縁膜３をマスクにした半導体基
板１での導電性膜２の付近にカチオンラジカルが生成さ
れ、その重合が進むにつれて、同導電性膜２での表面、
つまり換言すると、絶縁膜３でパターニングマスクされ
ていない導電性膜２の露出された表面にあって、導電性
ポリマー（ポリピロール）の薄膜が反応生成されるので
あり、この反応は、例えば、第３図に示すような機構で
進行し、その電解時間、および電解電位を調整すること
で、生成されるポリマーの膜厚を制御し得るため、第１
図（ｂ）に示すように、航記したバターニング部分対応
に所期通りの所定膜Ｊｖの導電性ポリマー膜４をパター
ン形成し得るのである。
それぞれに用い、これを溶媒にして両電極間に電圧を印
加させることにより、絶縁膜３をマスクにした半導体基
板１での導電性膜２の付近にカチオンラジカルが生成さ
れ、その重合が進むにつれて、同導電性膜２での表面、
つまり換言すると、絶縁膜３でパターニングマスクされ
ていない導電性膜２の露出された表面にあって、導電性
ポリマー（ポリピロール）の薄膜が反応生成されるので
あり、この反応は、例えば、第３図に示すような機構で
進行し、その電解時間、および電解電位を調整すること
で、生成されるポリマーの膜厚を制御し得るため、第１
図（ｂ）に示すように、航記したバターニング部分対応
に所期通りの所定膜Ｊｖの導電性ポリマー膜４をパター
ン形成し得るのである。
またこへで、前記千ツマ−としては、先に述べたビロー
ル、チオフェンなどのような複素環式化合物のほかに、
アニリンとかフェノールなどのようなアミノ基、ヒドロ
キシル基を有する芳香族化合物、アズレンなどのような
複数の芳香環を有する多核炭化水素、ビニル基を有する
化合物、およびジベンゾクラウンエーテル化合物類など
を幅広く適用できる。
ル、チオフェンなどのような複素環式化合物のほかに、
アニリンとかフェノールなどのようなアミノ基、ヒドロ
キシル基を有する芳香族化合物、アズレンなどのような
複数の芳香環を有する多核炭化水素、ビニル基を有する
化合物、およびジベンゾクラウンエーテル化合物類など
を幅広く適用できる。
なお、前記実施例方法において、導電性膜としてのアル
ミニウム膜に代え、タングステンシリサイドとかその他
の金属、あるいは導電性ポリマー膜上にあっても、同様
に導電性ポリマー膜をパターン形成できることは勿論で
ある。
ミニウム膜に代え、タングステンシリサイドとかその他
の金属、あるいは導電性ポリマー膜上にあっても、同様
に導電性ポリマー膜をパターン形成できることは勿論で
ある。
以上詳述したように、この発明方法によれば、半導体基
板面の導電性膜上に、所期通りにマスクパターン化され
た絶縁膜を形成しておき、この絶縁膜をマスクに用い、
電解重合法により、導電性膜−トにあって、導電性ポリ
マー膜をパターン形成させるようにしたので、分子レベ
ルでの導電性ポリマー膜を従来例に比較して充分な微細
パターンに薄膜化形成できるものであり、しかもパター
ン形成自体についても、比較的簡単で容易に実施し得る
などの優れた特長がある。
板面の導電性膜上に、所期通りにマスクパターン化され
た絶縁膜を形成しておき、この絶縁膜をマスクに用い、
電解重合法により、導電性膜−トにあって、導電性ポリ
マー膜をパターン形成させるようにしたので、分子レベ
ルでの導電性ポリマー膜を従来例に比較して充分な微細
パターンに薄膜化形成できるものであり、しかもパター
ン形成自体についても、比較的簡単で容易に実施し得る
などの優れた特長がある。
第１図（ａ） 、 （ｂ）はこの発明方法の一実施例に
よる半導体基板へのパターン形成工程を順次に示すそれ
ぞれに断面図、第２図はこの実施例方法を適用した電解
重合装置の概要を示す構成説明図、第３図は同ト電解市
合の反応状態の一例を示す説明図であり、また、第４図
は従来例方法での光・電解重合による半導体基板へのパ
ターン形成の態様を示す構成説明図である。 １・・・・半導体基板、２・・・・導電性膜、３・・・
・絶縁膜、４・・・・導電性ポリマー膜、５・・・・対
電極、６・・・・電解槽、７・・・・電解溶液。 代理人 大 岩 増 雄 第４ 図 手続補正書（自発） ；Ｗ膚１ ・駅 ２月 １゛４日 １、事件の表示 特願昭６３−１６８４２１号 ３、補正をする者 代表者 士 岐 守 哉 ５、補正の対象 ６゜ 補正の内容 明細８６頁１〜２行の［などをそれぞれに用い、これを
溶媒にして両電極間に」を［など、溶媒とし てアセトニトリルなどからなる。 そして、 両電極間 に」と補正する。 以 上
よる半導体基板へのパターン形成工程を順次に示すそれ
ぞれに断面図、第２図はこの実施例方法を適用した電解
重合装置の概要を示す構成説明図、第３図は同ト電解市
合の反応状態の一例を示す説明図であり、また、第４図
は従来例方法での光・電解重合による半導体基板へのパ
ターン形成の態様を示す構成説明図である。 １・・・・半導体基板、２・・・・導電性膜、３・・・
・絶縁膜、４・・・・導電性ポリマー膜、５・・・・対
電極、６・・・・電解槽、７・・・・電解溶液。 代理人 大 岩 増 雄 第４ 図 手続補正書（自発） ；Ｗ膚１ ・駅 ２月 １゛４日 １、事件の表示 特願昭６３−１６８４２１号 ３、補正をする者 代表者 士 岐 守 哉 ５、補正の対象 ６゜ 補正の内容 明細８６頁１〜２行の［などをそれぞれに用い、これを
溶媒にして両電極間に」を［など、溶媒とし てアセトニトリルなどからなる。 そして、 両電極間 に」と補正する。 以 上
Claims (1)
- 半導体基板面の導電性膜上にあつて、所期通りにマスク
パターン化された絶縁膜を形成する工程と、電解重合法
を用い、前記絶縁膜をマスクにして、前記導電性膜上に
導電性ポリマーをパターン形成させる工程とを、少なく
とも含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16842188A JPH0217635A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16842188A JPH0217635A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0217635A true JPH0217635A (ja) | 1990-01-22 |
Family
ID=15867814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16842188A Pending JPH0217635A (ja) | 1988-07-06 | 1988-07-06 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0217635A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10140666A1 (de) * | 2001-08-24 | 2003-03-13 | Univ Braunschweig Tech | Verfahren und Anordnung zur Herstellung eines leitfähigen strukturierten Polymerfilms |
-
1988
- 1988-07-06 JP JP16842188A patent/JPH0217635A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10140666A1 (de) * | 2001-08-24 | 2003-03-13 | Univ Braunschweig Tech | Verfahren und Anordnung zur Herstellung eines leitfähigen strukturierten Polymerfilms |
| DE10140666C2 (de) * | 2001-08-24 | 2003-08-21 | Univ Braunschweig Tech | Verfahren zur Herstellung eines leitfähigen strukturierten Polymerfilms und Verwendung des Verfahrens |
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