JPH02173771A - エレクトロクロミックスイッチング系を使用したイメージバー - Google Patents
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-
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- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
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- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
発明の分野
本発明は電子写真像を形成するための装置および方法に
関する。特に、本発明はエレクトロクロミックスイッヂ
ング系を利用した、電子コピアまたはプリンターに使用
りるのに適する、シャッター型イメージバー（ｉｍａｇ
ｅ ｂａｒ ）に関する。 従来技術 シャッター型光学イメージバーは一様光源の光アウトプ
ットを制御ツる、ピクセル（ｐｉｘｅｌ ）サイズのシ
ャッターのアレイである。代表的なシャッター型イメー
ジバーは光を通過させるか又はさせないかのどちらかで
ある電気的にアドレスされたシャッター群のシングルラ
インまたはダブルラインのアレイからなる。このアレイ
は（１シ電された光受容体のような感光性媒体を露光す
るために使用される。従って、−様光源からの光をイメ
ージバーを介して感光性媒体に当てると、媒体上の特定
領域が露光されて放電することによって、感光性媒体上
に潜像が形成される。 多数の既知のシャッター型イメージバーは液晶系を含有
しており、そこではシャッターは各シャッターに適用さ
れた電圧に依存して、光が通過づるのを許すか又は光の
通過を許さない不透明状態で存在づるかのどちらかであ
る、個別的に７ドレスされた液晶デバイスからなる。液
晶デバイスは−・般に色選択性ではなく、単に黒白の光
遮断に、従って、黒色印刷に適する。しかしながら、？
！数の異なる液晶材料を使用した成る特殊な複合セル構
成は、■、υｃｈｉｄａ、 Ｈｏｔ、 ＣｒｙｓＬ、Ｌ
ｉｑ、Ｃｒｙｓｔ、工２３ （１−４）、１５−５５
（１９８５）に開示されているように、多色応用を可能
にジる。液晶イメージバーは色選択性光受容体のカラー
像露光を可能にするには色選択性シャッター用に異なる
液晶材料の多数の層が必要になるという欠点をもつ傾向
がある。液晶光学イメージバーはまた、ＤＣ電源に接続
して使用すると液晶デバイスの有効寿命がυ１限される
ことから、操作のために、比較的簡単なりＣ駆動回路の
代わりに複雑なＡＣ駆動回路を要求するＡＣ電圧を必要
とするという欠点も一般に所有する。イメージングバー
のシャッターの中の結晶性物質の配向および発色は電圧
が除去されるやいなや失われるので、液晶デバイスはイ
メージを維持するための電力の使用も要求づる。 ざらに、液晶デバイスは一般に約１ミリ秒という比較的
遅いスイッチング時間を示すが、特殊な系ではマイクロ
秒のスイッチング時間が可能である。 例えば、８．へ、 Ｃ１ａｒｋ ａｎｄ Ｓ、１’、
Ｌａｇｃｒｗａｌｌ、八ｐｐＩＰｈｔｓ、Ｌｃｔｔ、
Ｖｏｌ、３６． ｐｐ８９９−９０１ （１９８０）
に開示されている。 イメージングバーを使用した電子的１９形成装置は既知
である。例えば、米国特ｒ＋第４，３７４゜３９７号〈
この開示は全体的に参考のために本願明細書中に組み入
れられる）には、改とされたアドレッシング構造Ｊ３よ
び様式を有する光バルブデバイスを使用した電子的像形
成装置が開示されている。この装置は複数の位置−アド
レスセクターを有する局部アドレス用光バルブアレイを
有し、各セクターは光の通過を制御するために電子的に
アドレス可能である複数の離隔した光バルブのピクセル
部分を含有している。各々の離隔したピクセル部分は他
のセクターの各々の一つの対応づる光パルプピクセル部
分と電気的に対になつ又いるが、それ自身のセクターに
おける他の光バルブピクセル部分から独立している。 さらに、米国特許請求用４．５９５．２５９月（この開
示は全体的に参考のために本願明細書中に組み入れられ
る）には、電子写真プリンター川の液晶イメージバーが
開示されている。イメージバーは単一の周波数電源によ
って駆動されるドツトシャッターのシングルアレイとし
て構成された直交偏光子を用いたネマチック液晶デバイ
スをイ１づる。このイメージバーはｆジタル化されたデ
ータ信号の受信に応答して一度にプリンター光導電性部
材の一ラインに静電潜像を形成する。操作態様中には、
イメージバーシャッターの全てに賦勢されており、そし
てこの電気的駆動状態では、イメージバーシャッターは
非透過性である。潜像は部材上の予め帯電された電荷を
背崇部領域で選択的に消去することによって形成される
。消去を起こすためには、データ信号に応答して選沢さ
れたシｔ７ツターへの駆動電圧が遮断される。そうなる
と、その選択シャッターは透過性になる。伺放４
関する。特に、本発明はエレクトロクロミックスイッヂ
ング系を利用した、電子コピアまたはプリンターに使用
りるのに適する、シャッター型イメージバー（ｉｍａｇ
ｅ ｂａｒ ）に関する。 従来技術 シャッター型光学イメージバーは一様光源の光アウトプ
ットを制御ツる、ピクセル（ｐｉｘｅｌ ）サイズのシ
ャッターのアレイである。代表的なシャッター型イメー
ジバーは光を通過させるか又はさせないかのどちらかで
ある電気的にアドレスされたシャッター群のシングルラ
インまたはダブルラインのアレイからなる。このアレイ
は（１シ電された光受容体のような感光性媒体を露光す
るために使用される。従って、−様光源からの光をイメ
ージバーを介して感光性媒体に当てると、媒体上の特定
領域が露光されて放電することによって、感光性媒体上
に潜像が形成される。 多数の既知のシャッター型イメージバーは液晶系を含有
しており、そこではシャッターは各シャッターに適用さ
れた電圧に依存して、光が通過づるのを許すか又は光の
通過を許さない不透明状態で存在づるかのどちらかであ
る、個別的に７ドレスされた液晶デバイスからなる。液
晶デバイスは−・般に色選択性ではなく、単に黒白の光
遮断に、従って、黒色印刷に適する。しかしながら、？
！数の異なる液晶材料を使用した成る特殊な複合セル構
成は、■、υｃｈｉｄａ、 Ｈｏｔ、 ＣｒｙｓＬ、Ｌ
ｉｑ、Ｃｒｙｓｔ、工２３ （１−４）、１５−５５
（１９８５）に開示されているように、多色応用を可能
にジる。液晶イメージバーは色選択性光受容体のカラー
像露光を可能にするには色選択性シャッター用に異なる
液晶材料の多数の層が必要になるという欠点をもつ傾向
がある。液晶光学イメージバーはまた、ＤＣ電源に接続
して使用すると液晶デバイスの有効寿命がυ１限される
ことから、操作のために、比較的簡単なりＣ駆動回路の
代わりに複雑なＡＣ駆動回路を要求するＡＣ電圧を必要
とするという欠点も一般に所有する。イメージングバー
のシャッターの中の結晶性物質の配向および発色は電圧
が除去されるやいなや失われるので、液晶デバイスはイ
メージを維持するための電力の使用も要求づる。 ざらに、液晶デバイスは一般に約１ミリ秒という比較的
遅いスイッチング時間を示すが、特殊な系ではマイクロ
秒のスイッチング時間が可能である。 例えば、８．へ、 Ｃ１ａｒｋ ａｎｄ Ｓ、１’、
Ｌａｇｃｒｗａｌｌ、八ｐｐＩＰｈｔｓ、Ｌｃｔｔ、
Ｖｏｌ、３６． ｐｐ８９９−９０１ （１９８０）
に開示されている。 イメージングバーを使用した電子的１９形成装置は既知
である。例えば、米国特ｒ＋第４，３７４゜３９７号〈
この開示は全体的に参考のために本願明細書中に組み入
れられる）には、改とされたアドレッシング構造Ｊ３よ
び様式を有する光バルブデバイスを使用した電子的像形
成装置が開示されている。この装置は複数の位置−アド
レスセクターを有する局部アドレス用光バルブアレイを
有し、各セクターは光の通過を制御するために電子的に
アドレス可能である複数の離隔した光バルブのピクセル
部分を含有している。各々の離隔したピクセル部分は他
のセクターの各々の一つの対応づる光パルプピクセル部
分と電気的に対になつ又いるが、それ自身のセクターに
おける他の光バルブピクセル部分から独立している。 さらに、米国特許請求用４．５９５．２５９月（この開
示は全体的に参考のために本願明細書中に組み入れられ
る）には、電子写真プリンター川の液晶イメージバーが
開示されている。イメージバーは単一の周波数電源によ
って駆動されるドツトシャッターのシングルアレイとし
て構成された直交偏光子を用いたネマチック液晶デバイ
スをイ１づる。このイメージバーはｆジタル化されたデ
ータ信号の受信に応答して一度にプリンター光導電性部
材の一ラインに静電潜像を形成する。操作態様中には、
イメージバーシャッターの全てに賦勢されており、そし
てこの電気的駆動状態では、イメージバーシャッターは
非透過性である。潜像は部材上の予め帯電された電荷を
背崇部領域で選択的に消去することによって形成される
。消去を起こすためには、データ信号に応答して選沢さ
れたシｔ７ツターへの駆動電圧が遮断される。そうなる
と、その選択シャッターは透過性になる。伺放４
【らば
、液晶材料が過渡状態に入るからである。透過性のため
の応答時間は約１ミリ秒である。同一シャッターによる
逐次消去スポットは駆ＦＩＪ電圧の瞬時再適用を要求す
る。 らう一つの特許、米国特許第４，３７５，６４７号（こ
の開示は全体的に参考のために本願明細と中に組み入れ
られる）には、カラーオリジナルが走査ステージコンを
通過していくような逐次ライン走査装置が開示されてい
る。この装置は光検出手段；オリジナルの一ライン毎の
通過によって、検出器に多数の離隔した色分解照射を生
じざＵるための照射手段；光検出各の色分解照射を制御
＋するための、走査ステーシミ１ンのピクセルと整合さ
れた、離隔的に賦活できるピクセル部分を有する光バル
ブアレイ；および、予め定められた一連のシーケンスで
、かつオリジナルの移動との時間的関係で７レイのピク
セル部分を賦活Ｊるための走査アドレス手段を包含する
。 さらに、米国特許用４．３７５．６４８号（この開示は
全体的に参考のために本願明＄１ＱｉＱ中に組み入れら
れる）には、電子的像形成のための高解像力の光バルブ
装置が開示されている。この装置は多数の部分ライン露
光の部分時間（５ｕｂｐｃｒｉｏｄ ）の間にエリア露
光領域を通過する、記録媒体のラインを高ピクセル解像
露光するための、エリア光バルブアレイを使用している
。この装置は簡素化の代わりにピクセルの高解像光学ア
ドレスを与える、光バルブデバイスの電気光学要素鼎お
よびア体的に参考のために本願用１１１ｍ中に組み入れ
られる）には、“電界によって光透過状態と光遮断状態
との閂で賦活されることができるＩｌｌ隔的にアドレス
可能なピクセルのラインを有する光バルブイメージング
装置が開示されている。この５Ａ置は光バルブ装置を電
気的にアドレスするための改善された４ｔ４造および方
法を有する。 さらに、米国特許用４，４４９．１５３号（その開示は
全体的に参考のために本願明細書中に組み入れられる）
は、光が直線状の光パルプアレイ上へ一様に導かれるよ
うな光バルブイメージング￥ｉ装置および方法に関して
おり、それは逐次ラインアドレス時間中に光を遮断また
は透過するように選択的に賦話すれるピクセル部分を包
含している。 この特許には、光バルブアレイを通る光の強度が各ライ
ンアドレス時間中に変調されるような改善されたグレー
スケール像形成方法が開示されている。さらに、米国特
許用４，４５８．９８９＠〈その開示は全体的に参考の
ために本願明細書中に組み入れられる）には、改善され
た′ｔｔｉ極配胃および改善されたアドレス制御を有す
る電気光学アドレス装置がＩ？ｉＪ示されている。第一
アドレス段階では、賦活用と非賦活用の参照電位が変調
器の第一と第二の隣接ピクセル部分にそれぞれ印加され
、その１ｍ、両ピクセル部分にアドレス信号電位が印加
される。第ニアドレス段階では、賦活用と非賦活用の参
照電位がそれぞれ第二と第一・のピクセル部分に選択的
に印加され、その間、両ピクセル部分に信号電位が印加
される。 もう一つの特許、米１月特許第４．５６０．９９４号（
この開示は全体的に参考のために本ａｆｔ ｉｌｌ ｌ
１１ｍ中に組み入れられる）には、電気光学要素と、？
！２敗の横軸に沿って光ビームを立体変調させるための
独立にアドレス可能な電極の二次元平面７レイとからな
る印刷用の二次元電気光学変調器が開示されている。こ
の変調器は電気光学ライン印刷や光学デイスプレィのよ
うな分野に有効である。 さらに、米国特許第３，４３９，１７４号（その開示は
参考のために全体的に本願明細書中に組み入れられる）
には、光像を半永久型の像に変換する像形成機構が開示
されている。像は望む限りの良い時間維持することがで
き、そしてこの機構は再使ｆｆＪ可能である。この機構
は電解プロセスを基本にしており、そして透明基体と、
透明電極と、透明光導電体と１．ｔＷｌ質層と、金属陽
穫を含む数廟のＷ４層サンドイッチ配置からなる。光像
は光導電性層上の対応金ｌ１ＩＩ＆の沈積によって変換
される。 また、米国特許用４．２５０．８７６号（この１１示は
参考のために全体的に本願用ｌｌ１１ｍ中に組み入れら
れる）には、電界が印加される複数の透明シートを使用
し、そして光導電性シー；へと液晶シートのような電気
的光学的活性シートを有する光増幅器が開本されている
。光導電性シートと液晶シートの間には格子部材が挿入
されており、グラビアデイスプレィが得られる。 本発明に使用されるようなエレクトロクロミック材料は
既知である。一般に、エレクトロタ１コミツク材料は少
なくとも二つの酸化状態を有しそれぞれの醇化状態で異
なる色を有するしのである。 この材料は電界の印加によって電子が除去される（酸化
）か又は付与される（還元）かしたときに一方の酸化状
態から他方の酸化状態ヘシフトする。 例えば、エレクトロクロミックデイスプレィは活性膜被
覆の上に電気化学的に誘発される色変化によって動作す
る。薄膜は導電性基体上に付着されており、電気化学的
セルにおける電極として使用され、それは還元または酸
化されることができる。 この膜は印加電圧の大きさおよび極性に依存づる可逆的
色変化特性を有する。 エレクトロク［」ミックおよび電気光学デバイスも取卸
である。例えば、米国特許用３．５２１゜９４１号には
、二つの導電性透明電極の間にはさまれた、持続的エレ
クトロクロミズムを示寸遷移金属化合物の層と、絶縁層
とからなる電気光学デバイスが開示されている。印加さ
れる電界の極性を制御すると、デバイスに発色と潤色が
起こる。 この特許に開示されたデバイスは電極−エレクトロクロ
ミック層り゛ンドイッチに絶縁層を追加したことによっ
て従来の装置よりも改善されている。 この絶縁層は電界の印加によるエレクトロクロミック装
置の迅速変化と、元の状態への迅速復帰を可能にする。 エレクトロクロミック層は電界の除去後にも、その初期
状態に瞬時に戻るかわりに、変化した状態にある吸収状
態を維持する能力を持つ電気的に絶縁性のまたは半１ｔ
、ｆ性の材料からなってもよい。 類似のエレクトロクロミック装置が米国特許用３．９８
６．７７１’ｊに開示されている。この特許には、導電
性透明電極の間にはさまれたエレクトＩ」クロミック層
と光′市性層からなる、Ａ゛リジナル光像記憶および再
生を可能にする装置が教示されている。この装置はエレ
クトロク［１ミツク材料からなる情報記憶媒体上に情報
を繰り返し記憶し消去することを可能にする。さらに、
この装置は記憶媒体上にオリジナル像を投射する手段を
有してあり、かつ、記憶媒体上に昌積された像を複写り
るように感光性材料上に投射することも可能である。消
去または追加によって、オリジナル像の自由な改造また
は編集も可能である。 米国特許用４，４７９．１２１号には、コンスタントな
色濃度を維持する能力を有するルりｌ−ロクロミックデ
ィスプレイ装置が開示されている。 この装置は電解質に接触している第一・の基体上に多数
のデイスプレィレグメン１〜を有し、電解質は第二のサ
ンドイッチ用基体の表面上の対向主権（ｃｏｕｎｔｅｒ
ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）に接触している。各デイスプレィ
セグメントはデイスプレィしグメントによって保持され
る？ｈ界のｈｌに依存して着色状態または潤色状態のど
ららかを示すエレクトロクロミック層によって覆われた
透明電極からなる。今回のデイスプレィ状態における発
色用電荷量と次回のデイスプレィ状態における電荷潰と
の闇の差異を補償する、デイスプレィセグメントへの電
荷の注入またはデイスプレィセグメントからの電荷の抽
出によって、色濃度は一定に維持される。 さらに別の特許、米国特許用４．１１０．０１４号には
、マイクロ画像の形態で記憶された情報をデイスプレィ
するための、かつ−アレビジ」ン信号のような時系列情
報を提示し記録するための装置が開示されている。スイ
ッチング装置は多数の透明な導電性ストリップに接続さ
れており、それ等導電性ストリップは各々がそれ独自の
電界を確保するように互いに分離されている。この装置
は透明導電性アドレッサ−ストリップ群の二つの平面状
のＸとＹの組の間にはさまれた電気光学シートと光導゛
重性シーｉ−を包含する。Ｘアドレッサ−ストリップ群
はＹアドレッ丈−ストリップ群に直角に配置されている
。平列モードの操作では、各組のアドレッサ−ストリッ
プ群は同じ電界で運転され、そしてＸ電極とＹ電極の間
には均一な電界が維持される。直列モードの操作では、
電気光学シートは電界を局所的に印加されたときに光学
的性質の変化を受ける。ＸとＹのアデレッナー回路はテ
レビジョン受像システムのような通常の直列の情報を源
に接続されている。連続情報は装置の光導電体を一様露
光しぞしてアドレッサ−ストリップを使用して電気光学
層に酸パターンを形成することによって記録できる。 米国特許用４．２２９．０９５号には、感色性の像形成
層（単数または複数）の多数の離隔した画素またはビク
レルを１４時に像様露光りる電気光学カラー像形成装置
が開示されている。この装置は光導電性粒子の多色混合
物またはその他の感色性の像形成層と共に使用するのに
適しており、このｉ置は像形成層の多数の画素をそれぞ
れに、形成されるべき像の色内容に従った様々な色の光
パルスに同時に曝すような多数の別々にアドレス可能な
電気光学的照射手段からなる。 別の刊行物、米国特許箱３，５８９．８９６号には、エ
レクトロクロミック材料と光導電性材料を使用する電気
光学製品が開示されている。このデバイスは電算機派生
デイスプレィ応用のために使用Ｊることができるように
、光ＶＪ電性材料の追加層と共に、電也問にはさまれた
エレクトロクロミック材料からなる。この追加層は受け
た衝撃によって導電性が誘発される材料（ｓｕｓｔａｉ
ｎｅｔｉｂｏｍｂａｒｄｎ＋ｃｎｔ １ｎｄｕｃｅｄ
ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ＋ｎａｔｅｒｉａｌ ）す
なわち５ＢＩＣ材料からなり、この材料は光導電体と同
類であるが、電子ビーム励起にも感受性である。 さらに、米国特許箱３，７０８，２２０号には、窓やデ
ータデイスプレィ装置やその他の品目による可視および
赤外線の吸収を制御Ｉｌするのに有効な電気光学デバイ
スが開示されている。このデバイスは１対の電極の間に
、半固体の高導電性硫酸ゲル電解質によって分離された
濫移金屈エレクトロク１コミツク化合物の２層の同一層
を有している。 さらに、米国特許箱３．８４０．２８８号には、順に、
透明導電性電極、エレクトロクロミック層、イオン浸透
性絶縁層、電気触媒層、スポンジ材料、および任意的に
トップ電極を含んでいてもよい、からなる積層構造を有
するエレクトロタ０ミツク装置が開示されている。この
装置は全固体デイスプレィを可能にし、そして電気触媒
層中の原子または分子のイオン化によって第一吸収状態
から第二状態に変化することができ、その結果、可逆性
の色変化が冑られる。 米国特許箱４．２９７．６９５号には、エレクトロクロ
ミック材料に局部色変化を生じさせるのに十分な信号の
電位を有する第一および第二主権マトリックスアドレス
手段に電気信号を選択的に印加することによって操作さ
れるエレクトＬ】クロミックデイスプレィ装置が開示さ
れている。色変化は第一マトリックスによって付与され
る短い「露出」パルス（このパルスは発色のために必要
なしきい値より上の電位を有するが、発色を起こさせる
のには不十分な電荷を有している）と、その後に第二マ
トリックスによって付与される第二の長い「現像」パル
ス（このパルスは発色しぎい電位より低い）とによって
行われる。 ざらに、米国特許箱４．４２６，６４３号には、書込ま
たは消去操作のポテンショスタティック制御を用いるタ
イプのエレクトロクロミックデイスプレィのような参照
電極を使用する電解装置が開示されている。この装置は
電源または書込電流への電極の断続的接続によって予め
定められた陽のエレクトロクロミック材料またはその他
の電着性材料が維持または補充される少なくとも一つの
電極を右する。この特許によれば、このタイプの被覆さ
れた参照電極は溶液との関係で安定した電位を有してお
り、このことはポテンショスタティック制御のために必
要である。 従来の装置および方法はそれぞれの意図した目的のため
には適する。しかし、単色像の形成のために光受容体の
選択領域を完全に放電させることができるか、又は、二
色以上の像形成のために単一バスで光受容体の放電レベ
ルを変調させることができる（それにより、得られる電
圧レベルは異なる色のトナーで選択的に現像される）か
のどららかである、シャッター型イメージバーに対する
要求が存在する。また、光受容体上に多色または完全色
の像を書込むことができる多色スイッチング能力を有す
るイメージバーに対する要求ら存在する。この受容体は
露光用の光の色に依存して様様なレベルの電位に放電す
るということで色選択性を有する。さらに、単一の活性
材料をもって多色スイッチング能力を有するイメージバ
ーに対する要求も存在する。さらに、ＤＣ電圧で操作す
ることができるイメージバーに対する要求ら存在する。 それによって、簡単な駆動回路を有Ｊることができる。 さらに、像の＾速形成を［ｉＴ能にするために迅速スイ
ッチング時間を有′するイメージバーに対する要求が存
在する。また、低コスト、低スイッチングエネルギー、
および高コントラストの像を提供しながら低電圧要求を
有するイメージバ−に対する要求も存在する。さらに、
独立にアドレス可能なピクセルが発色状態を維持するの
に、その必要な状態にスイッチングされた後では継続し
て電界を印加することを必要としないような、イメージ
バーに対する要求が存在する。それによって、液晶イメ
ージバーを含ｉするデバイスに比べて低いエネルギー消
′ｆ１要求を有するデバイスが提供される。 発明の概要 本発明の目的は電子写真像の形成に使用するための、Ｅ
記の諸々の利点を有するイメージバーを提供することで
ある。 本発明のこれ等、１１３よびその他の［１的は、電場の
選択的適用によって光透過性と部分光透過性と非光透過
性の波長の間で賦活可能な複数の離隔した独立にアドレ
ス可能なピクセル部分をもった直線状の光バルブアレイ
からなるイメージバーであって、前記ピクセル部分が、
順に、第一透明基体：前記透明基体に接触しており、か
つ可変電流可変電圧源に接続している、透明電極：ｉｙ
Ｉ記透明電極に接触しているエレクトロクロミッタ月料
からなるＡｌ股；前記薄膜に接触し１いる透明電界質材
料；前記透明電界質材料に接触しており、かつ前記・可
変電流０■変電圧源に接続している対向電極；Ｊ３よび
第二基体からなる、前記イメージバーを提供することに
よって達成される。 好ましい態様の■細 第１図には、エレクトロクロミッグイメージパー１２を
利用する本発明に従って配列されたｉｆｔ ’ｆ’写真
プリンター１０が図解されている。プリンター１０は無
端ベルトの形態の光導電性部材１４が通過する一連のプ
ロレスステーションを包含する。 好ましい態様は無端ベルト構造の光導電性部材で表現さ
れているが、円筒ドラムのようなその伯の様々な構造（
図示されていない）も使用できる。 潜像を形成するイメージングステーション１３から始ま
って、光導電性部材１４は矢印１５の方向へ、ローラー
２５．２６．および２７に沿って進み、現像ステーショ
ン１６、転写ステーシミ１ン１８、清掃ステーション２
０、消去ランプ２２、および、イメージングステーシコ
ンに戻る前の予備帯電用コロナ発生Ｖ！Ａ２４を通過す
る。少なくとも一個のガイドローラーは光導電性部材に
適切な緊張力を維持させるために、かつ光導電性部材１
４をそれが徐々に動いたり又はガイドローラーから「は
ずれ」たすしないように操縦するために、調節可能であ
る。この調節可能なローラー（これは好ましい態様にお
いてはローラー２７である）はベルトトラッキングの従
来技術において周知の手段によって自動的に操縦できる
。 現像ステージシン１６では、ホッパー１９の中に収容さ
れた回転磁気ブラシまたはパドルホイール１７は光導電
性部材１４がガイドローラー２５のまわりを移動ザると
きにトナー粒子２１を光導電性部材の表面に提供する。 トナー粒子２１は摩擦帯電技術によって又はコロナ発生
器（図示されていない）によって又はそれ等両方によっ
て、周知の手段によって、光導電性部材上にコロナ発生
器２４によって置かれた電荷の極性とは反対の極性に帯
電されている。トを一粒子はイメージングステーション
の光導電性部材上に記録された静電ｔｌＧｌによって引
き付けられて保持されるので、潜像を現像して可視イヒ
す°る。現像された像は転写ステーション１８で、紙の
ような恒久的Ｈ料２８へ転写される。現像像が転写され
た後に、光導電性部材は清掃ステーション２０に進み、
そこで残（Ｙイトナー粒子が除去される。 現像像は転写ステーション１８で紙へ静電転写される。 紙は供給ロール２９によって供給され、駆動［１−ル３
０によって転写ステーション中を引っ張られ、そして駆
動ロール３４によってトナー粒子融若ステーション３２
中を引っ張られ、そこで現像像は熱と圧力を現像像に適
用する融着ロール３３のような周知の手段によって永久
的に紙に定着される。ガイドローラー２６のところて°
紙を光導電性部材と密着状態に維持するために一対のア
イドラーローラー３１が配置されており、その密着状態
の間に、転写コロナ発生１５３６は紙の背面に帯電トを
一粒子の極性とは反対の極性の電荷を置く。現像像の紙
への転写を容易にするために、コロナ発生器３６からの
電荷の大きさは静電潜像の電荷より大きい。この静電転
写技術は多数の多様性をもって既に十分に確立されてい
る。 カッターアセンブリー３８は定着像を有する紙２８を切
断して個々のシートにし、紙は矢印３７の方向に移動し
、そしてプリンター１０から集積トレーまたはソーター
（図示されていない）の中へ排出される。 現像像の転写後に、光導電性部材１４は紙に転写されな
かった残留トナー粒子を除去する清局ステーション２０
を通過する。ヂャンバ−４０の中に収容された柔らかい
回転ブラシ３９は残留トナーを光導電性部材１４から除
去する。ブラシ３９からトナー粒子を除去するためには
、電気的にバイアスされた単一の導電性ロール４１が使
用される柔らかいブラシからのトナー粒子の除去を助け
るために通常の７リツカーバー（図示されていない）が
配置されており、そしてバイアスロール４１上にドクタ
ーブレード４２が使用されていてトナー粒子をロールか
ら回収トレー４３の中へ掻き落とすので、望むならば回
収トナー粒子は再使用できる。 イメージングステーションはここでさらに十分に論じら
れるエレクトロクロミックイメージパー１２を照射する
光源４４および反射体４５を含む。 イメージバーを選択的に通過した光はレンズ手段４６に
よって結像される。レンズ手段は一個または一個以上の
シングルレンズ、セルホツクレツズ系、またはファイバ
ーレンズを組み合わされた複数の小型レンズであっても
よい。イメージバーは像背景部を消去すなわち放電する
ことによって一度に静電潜像を一列形成するように選択
的に光を通過させる。イメージバーはイメージバーの一
方の基体の上の複数電極に選択的に電圧を印加すること
によって作動される一列のドツトシャッターによって構
成される。電路５１を介して、電子制御１機またはマイ
クロコンピュータ−５０は電荷結合デバイス（ＣＯＤ）
５２のような走査手段からのデジタルデータにまたはプ
リンター１０の外源例えば文字発生機やコンピューター
やデータを記憶し取出すその他手段からのデジタルデー
タに応答して適切な電極を賦勢する。走査ＣＯＤが使用
される場合には、それは透明固定プラテン５５の上に置
かれた静止文書５４から一度に一列の情報を走査する。 リアルタイムの像形成が起こるべき場合には、矢印５３
の方向へのＣＯＤ走査速度は光導電性部材の速度と実質
的に同じである。そうでない場合には、文書のデジタル
化されたデータを記憶させる手段が電子制御機の中に含
有されなければならないであろう。 第２図には、本発明のイメージバーおよび像形成システ
ムについての一つの可能なＶ４造が示されており、そこ
では２個のピクセルまたはドツトシャッターの断面が示
されている。一般に約１／１６インチ〜約１／４インチ
の厚さを有する透明基体１および３はそれ等の間に１１
数の透明電橋５および７と、単一の透明な対向電極９を
含有している。 電橋は一般に約０．１μ〜約１０μである。電橋５およ
び７の各々の上には、約０．０５〜約１．０μの厚さを
有し、そして遷移金属錯体やフタロシアニンやアントラ
キノンやその伯の適切な材料のようなエレクトロクロミ
ック材料からなる薄膜１１および１３が含有されている
。 電極５および７と対向電極９との間に１よ、ノツ化カル
シウムのような固体材料であってもよいし又は塩化カリ
ウムの水溶液のような液体材料であってもよい透明なＫ
ｖ！Ｉ質材料１５が配置されている。液体電解質はガス
ケット（図示されていない）によってその場に保持され
る。電橋５および７は独立にスイッチング可能であり、
従って、第２図にはワイＡ／２９および３０によって可
変電圧／電流源またはドライバー８の２個のそれぞれ独
立したアットプツトに接続されるべく図示されている。 ドライバーは一般に約−１０ボルト〜約ト１０ボルトを
生じることができる。電橋５、電極７、および対向電極
９はいずれし【■変電圧可変電流のドライバー８に接続
されている。２９および３０における可変電圧は、第２
図に示されているようにワイヤ１ｏによってドライバー
８に接続されている共通対向電極との相対で適用される
。操作中、電極５および７の各々は電極５および７と対
向電極９との間に所望の電圧および電流を印加するよう
に独立にアドレスされるので、各薄膜１１および１３は
所望の酸化状態になる。キセノンランプ（図示されてい
ない）のような光源手段からの白色光（第２図では矢印
２１によって示されている）は透明基体１および透明電
極５おにび７を通過し、そして薄膜１１および１３によ
って選択的に透過される。本発明のこの具体的態様にお
いて示されているように、薄膜１１は、酸化状態の一つ
が赤色を有しており、ぞしてｎ２を通過できる赤色光以
外の可視スペクトルの全ての部分からの光を除くような
材料である。同様に、薄膜１３Ｇ、［＋膜１１の材料と
同じ材料からなり、そしてその材料のもう一つの酸化状
態にあり、例えば、青色を有しており、膜を通過できる
青色光以外の可視スペクトルの全での部分からの光を除
く。かかる材料の例はポリ−３−メヂルチオフエンであ
り、それはその還元された状態では赤色であり、そして
その酸化された状態では青色である。矢印２３によって
示される赤色光と、矢印２５によって示される青色光は
透明電解質１５、透明対向電極９、および透明基体３を
通過し、そして光受容体２７のｖＡ域を放電させる。 第３図には、本発明のイメージバーおよび像形成システ
ムについての別の可能な構成が図解されており、そこで
はイメージバーは第２図に示されたｉＩｉにおいて透過
光が遮断されたのとは反対に、反射光を遮断する。透Ｉ
ｌｌ基体２１と椿体２３との間にｔよ多数の透明電極２
５および２７と、単一の対向電極２９とが含有されてい
る。対向電＆２９はこの態様にａ３いては透明であるべ
き℃なく、むしろ高反射性であるべきであり、白金のよ
うな材料から成ってもよい。電極２５および２７の各々
の上には、約０．０５〜約１．０μのＶさを有し、かつ
遷移金属錯体やフタロシアニンやアントラキノンやその
他の適切な材料のようなエレクトロクロミック材料から
なる薄膜が含有されている。 電ｌ４ｉ２５おにび２７と対向電極２９との間には、フ
ッ化カルシウムのような固体材料または塩化カリウムの
水溶液のような液体材料どちらであってもよい透明電解
質材料が配置されている。電極２５および２７はそれぞ
れ独立にスイッチング【可能であり、従って第３図には
ワイヤ４９Ｊ３よび５゜を介して可変電圧／゛市流源ま
たはドライバー２６の２個の独立したアウトプットに接
ＶＣされるべく示されている。可変アラミルプツトは第
３図に示されているようにワイｒ２８を介してドライバ
ー２６に接続されている共通対向電極２９との相対で適
用される。操作においては、電極２５および２７の各々
は各薄膜３１および３３が所望の酸化状態になるように
電極２５および２７と対向電極２９との間に所望の電圧
および電流を印加Ｊ−るように独立にアドレスされる。 キレノンランプ（図示されていない）のような光源手段
からの白色光（第３図では矢印４１にょっＣ表わされて
いる）は半ミラー４５を、そして透明基体２１を通過す
る。半ミラー４５は白色光４１に対して４５度の角度に
配置されており、そして、光をいくらが通過さぼること
ができ、かつ光を反射する材料からなる。例えば、半ミ
ラー４５は一方の表面上に厚さ約１００人のアルミニウ
ムの薄層を與空蒸着されているガラスから構成されても
よい。入射白色光４１の一部は半ミラーによってド方に
反射され（図示されていない）で失われる。半ミラー４
５を透過した白色光はそれから透明電極２５Ｊ３よび２
７を通過する。本発明のこの具体的態様にａＪいて示さ
れているように、薄膜３１は、その一つの酸化状態で赤
色を有しており、そして矢印３２によって表わされてい
るように膜を通過できる赤色光以外の可視スペクトルの
全ての部分からの光を除くような材料である。同様に、
ａ膜３３は薄膜３１と同じ材料からなり、そしてそのも
う一つの酸化状態にあり、例えば、それは青色を有して
Ｊ３す、そして矢印３４によって表わされているように
膜を通過できる青色光以外の可視スペクトルの全ての部
分からの光を除く。白金対向電也２９は高反射性であり
、そして簿膜３１および３３によって透過された赤色お
よび青色の光を反射しそれぞれ膜３１および３３に逆戻
りさせる。薄膜３１は赤色光だけを透過するので、反射
された赤色光はｇ１３１および電極２５並びに透明基体
２１を再度通過して半ミラー４５の方へ向かう。同様に
、＠１１９３３は青色光だけを透過するので、白金対向
′：ｆＸ極２９から反射された青色光は薄膜３３並びに
電極２７および透明基体２１を再度通過して半ミラー４
５の方へ向かう。赤色光および青色光の領域は半ミラー
４５によって反射された光受容体４７上にあたる。右側
から半ミラー４５に入（ト）した青色および赤色の光の
−・部は反射ミラー４５によって反射されるかわりに透
過して光源の方へ戻る（図示されていない）。光受容体
４７上に入射した赤色光〇よび青色光の領域は光受容体
４７のそれら領域を様々な度合に放電さＶる。光受容体
４７の上の赤色域と青色域の相対的放電は光受容体４７
の固有色選択性および感度に依存する。光受容体４７上
の得られた様々な電圧レベルは異なる色のトナーによっ
て選択的に現像されてハイライトカラーまたはフルカラ
ーの像を生成することができる。 第４図には、本発明のイメージバーおよび像形成システ
ムについてのさらに別の可能な槙成が図解されており、
そこでは、２個のピクセルまたはドットシ１１ツタ−の
断面が示されている。透明基体３１と３３の間には多数
の透明電極３５および３７と単一の透明対向電極３９が
含有されている。 電極３５および３７の各々は、約０．０５〜約１．０μ
の厚さを有してａ３す、かつ遷移金属やフタロシアニン
やアン１へラキノンやその他の適切な材料のＪ−うなエ
レクトロクロミック４４利からなる単一の連続付着した
ｉｔｕ Ｉｔ美４１と接触している。電！４３５および
３７と対向電極３９との間には、フッ化カルシウムのよ
うな固体材料または塩化カリウムの水溶液のような液体
材料どちらでもにい透明な゛電解質材料４５が配置され
ており、液体電界負はガスケット（図示されていない）
によってその場に保持される。電極３５および３７はそ
れぞれ独立にスイッチング可能であり、従って第４図に
はワイヤ４８および５０を介して角変電圧／電流源また
はドライバー３６の２個のそれぞれ独立したアウトプッ
トに接続されるべく示されている。 可変アウトプットは第４図に示されているようにワイヤ
３８を介してドライバー３６に接続されている共通対向
電極３９との相対で適用される。操作においては、電極
３５および３７の各々は薄膜４１がｆｆｆ極３５ａ３よ
び３７の領域において所望の酸化状態にあるようにｒｔ
ｉＶ７Ａ３５ Ｊ３よび３７と対向電極３９との間に所
望の電圧および°Ｍ流を印加するように個別にアドレス
される。キセノンランプのような光源（図示されていな
い）からの白色光（第４図では矢印５１で表わされてい
る）は透明基体３１を、そして透明電極３５ ｊ−３よ
び３７を通過し、そして薄膜４１によって選択的に遮光
される５１本発明のこの具体的態様において示されてい
るように、電極３５の領域では、Ｎ膜４１は赤色を有し
ており、そして矢印４２によって示されているように膜
を通過できる赤色光以外の可視スペクトルの全ての部分
からの光を除く。同様に、電極３７の領域においては、
薄膜４１は青色を有しており、そして矢印４４ににつて
示されているように膜を通過できる青色光以外のｎＪ視
スベクｌ−ルの全ての部分からの光を除く。赤色光４２
と青色光４４は透明電解質４５、透明対向電極３９、お
にび透明基体３３を通過し、そして光受容体４７の領域
を放電させる。 第２図、第３図、および第４図に図解されている本発明
の態様に使用される光受容体は既知の多数の光受容体の
一つ、例えば、可どう性ベルトの形態の積層型有機像形
成部材、または、レレン、しレン／ヒ素合金、セレン／
テルル合金、セレン／ヒ素／テルルやセレン／ヒ素／ビ
スマスやレレン／ヒ素／アンヂレンなどのような三元合
金のような材料の無機ドラム光受容体であってもよい。 黒磯材料はまた塩素を含めてハロゲンのような物質が約
１０〜約５００１）ｌ）Ｉｌｌのような怜でドープされ
ていてもよい。適する光受容体の具体例は米国特許第４
．２６５．９９０号に記載されており、この特許の開示
は全体的に参考のために本願明細書中に組み入れられる
。像形成プロセス中に、完成像を形成するためにイメー
ジバーと光受容体は−ライン毎に互いに関連をもって駆
動される。イメージバーを静止させて、光受容体を移動
させることが好ましいが、光受容体を静止ざぜて、イメ
ージバーを移動させるか、又はイメージバーと光受容体
の両方を移動させてもよい。 第５図には、本発明のイメージバーにおける電極をアド
レスするための多ｍｍ造の可能な一例が図解されている
。この具体的態様における電極８１はイメージバーにお
けるピクセルの各列において１インチ当たり約２００〜
約２０００個の槍で、かつ約１〜５列のピクセルの列で
存在する。各列における各ｌＨ４１８１はローカルスイ
ッチとして作用する各ピクセルのコーナーに示されてい
る隣接薄膜トランジスター９５の手段によって、第５図
に８３および８５として表わされている一個のゲートラ
インに接続され、かつ第５図に８７．８９゜９１、およ
び９３で表わされている一個の電源ラインに接続されて
いる。トランジスターはアモルファスシリコンのような
材料や、大面積の集積素子を製造し易いその他の材料か
ら製造されてもよい。アモルファスシリコンの薄膜トラ
ンジスターの製造は、１１．ｃ、Ｔｕａｎ、 Ｍａｔ、
Ｒｃｓ、Ｓｏｃ、Ｓｙ＋＋ｐ、Ｐｒｏｃｖｏｌ、３３．
ｐ、２４７−２５７（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ、 １９８４
）；Ｈ，Ｃ，Ｔｕａｎｅｔ ａｌ、、Ｔ［ＥＥ ｃ＋ｅ
ｃｔｒｏｎ ＤｅＶｉＣＯｔｅｔｔｅｒｓ、 ＶＯｌ、
３ｎｏ、１２． ｐ、３５７−３５９（１９８２）、
Ｈ，Ｊ、Ｔｈｏｍｐｓｏｎ 。 Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、Ｂ２（４）、
ｐ、８２７−８３４（１９８４）に、にａｔｏｈ ａｔ
ａｌ、、 Ｈｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、
ｖｏｌ、１８ｎｏ、１４． Ｄ、５９９−６００（
１９８２）；Ｐ、Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ ｅｔ ａ
ｌＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ｖｏ
ｌ、１５ ｎｏ、６ ｐ、１７９−１８１（１９７
９）；１１．ｌＩａｙａｍａ ｅｔ ａｔ、、 Ａｐｐ
ｌ、Ｐｈｙｓ、ＬａＬｔｖｏｌ、３６． ｎｏ、９．
Ｄ、７５４−７５５（１９８０）：Ｈ，Ｊ、ＰＯＷＱＩ
Ｉ ｅｔａｔ、、 ＡＩ）１１１．ＰｈＶｓ、Ｌｅｔ
ｔ、、 ＶＯｌ、３８． ｎｏ、１０． Ｉ）、
７９４−７９５（１９８１）；＾、Ｊ、 ５ｎｅｌｌ
ｅｔ ａｔ、、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 ｖ。 ２４、 ｐ、３５７−３６２（１９８１）・およびＨ，
ＹａｌｌａｎＯｅｔ ａｔ。 Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ ’８３（Ｉｎｔｅｒｎ
ａ口ｏｎａｌ ＤｉｓｐｌａｙＲｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏ
ｎｆｅｒｅｎｃｅ ３ｒｄ、 Ｊａｐａｎ：１９８３
年１０月）に開示されている。 多重アレイにおいては、ドライバーは独立した可変電圧
および可変電流のアウトプットからなる。 電源ライン８７．８９．９１、および９３は可変電圧お
よび電流のこれ等独立のアウトプットに接続されている
。ドライバーはまた、独立のスイッチング用または権能
付与用のアウトプットからなる。ゲートライン８３およ
び８５は独立のスイッチング用またはゲート操作用のア
ウトプットに接続されている。与えられた列における全
てのトランジスターはその列と組み合わされたゲートラ
インに必要な電圧および電流を印加することによって権
能付与される；その他の全ての列のトランジスターはオ
フに保たれる。その列の各トランジスターはそれから、
その特定のトランジスターと組み合わされた電源ライン
に適切な電圧および電流を印加することによって独立に
賦活される。各ピクセルはその対応するトランジスター
のトレインに接続されているので、そのピクセルは適切
な電圧および電流を授与され、そして所望の色に切り換
わる。各ピクセルの切り換わる色は各ピクセルに印加さ
れた電圧レベルによって決まる。発色の強度はピクセル
に配給される全電流によって決まる。電源に配給される
電Ｆ［および電流を制御することによって、各ピクセル
の色は制御できる。 本発明のイメージバーは、多数の列のピクセルおよび第
５図に示されているような多重構成を有するのではなく
、−列のピクセルを有するらのであってもよい。多重は
必ずしも必要ではない；各ピクセルはそれに接続した単
一のリード線だ【）を必要とし、そしてローカル薄膜ト
ランジスタースイッチは必要ない。やはり、発色の色お
よび強度は電圧／電流源によって制御される。 本発明のイメージバーは、電子写真像形成装置の中に存
在する場合には、光導電体上で複写されるべき文書の巾
より大きい、またはその１［］と同じ、またはその巾よ
り小さい巾を有していてもよい。 イメージバーの良さが複写されるべき文書の１１１より
大きい場合には、文書の巾を越す領域の光導電体は作成
されるコピーのまわりの境界の現像を防止するために、
像形成システムが光導電体の露光部または非露光部を現
像するかどうかに依存して、それ等領域に対応するイメ
ージバーのピクセルを光の通過を許ずか又は阻止するか
どちらかになるように選択的にアドレスすることによっ
て、露光されてもよいし又は露光を阻止されてもよい。 イメージバーが複写されるべき文書の巾に等しいＩ（さ
を有する場合には、イメージバーは像形成装置内で静止
されたままであってもよく、そして像の各領域を光導電
体上に再生するときに光受容体がイメージングバーに対
して移動させられる。イメージバーの長さが複写される
べき文書の１］より小さい場合には、イメージバーと光
受容体の両方が像形成装置内を移動し、イメージバーは
光受容体の移動方向に対し一’ＣＮ交方向に移動する。 本発明のイメージングバーの中に存在するピクセルの数
に関して述べる。イメージバーの１にざに沿って延びる
ピクセルの列は１インチ当たり約２００〜約２０００１
Ｕのピクセル、好ましくは１インチ当たり約３００〜約
１２００個のピクセルを含有する。イメージバーは少な
くとも一列のピクセルを有し、そして−列のみのピクセ
ルを有するイメージバーによって可能な解像力より高い
ＰＭ像力の像を形成できるようにするためには、−列よ
り多い列を好ましくはジグザグ構造で有する。追加の列
のピクセルはまた光受容体上の潜像のより迅速な形成し
可能にり゛るが、−列のピクセルを右するイメージバー
のために必要とされる−６のより複雑な駆動回路を必要
とづる。 本発明のイメージバーの第一基体のためには、ガラス、
プラスチック、ポリエステル、石英などのような適切な
透明ｖＵ料が使用できる。但し、その材料はイメージバ
ーの操作中に生じる電界の存在下で安定であり、電解質
４１１３１によって攻撃を受けず、かつイメージバーの
操作中に生じる熱の下で寸法安定性であることを条件と
１６゜第二基体もこれ等材料から成ってらよいが、第二
基体は透明である必要がない。透明電極はＳｎＯ２、Ｉ
ｎ Ｏ、Ｓｂ Ｏ、これ等の混合物や、Ｃｕｌ、Ａｏｌ
、これ等の混合物のような適切な材料のどれから成って
もよい。但し、その材料はイメージバーの操作中の酸化
および還元に対して安定であり、電解質材料によって攻
撃を受けず、基体に対して良好な接着性を有し、かつイ
メージバーの操作中に生じる熱の下で化学的および寸法
的に安定であることを条件とする。対向主権および第二
基体が透明である必要のない第３図によって表わされる
本発明の１ぶ様のためには、対向電極（ユ白金、金、チ
タン、ジルコニウム、銅、クロムなどのような材料のど
れであってもよく、好ましくは、白金または金であり、
そして第二基体は石英、プラスチック、ポリエステル、
アルミニウムなどのような材料から成ってもよい。電極
材料は真空蒸着、化学蒸着、スパッタリングなどのよう
な適切な方法によって基体上に１４着される。第５図に
図解されているＪ：うにイメージバーの各ピクセルを個
別にアドレスするために使用されるしののような薄膜１
〜ランシスターはアモルファスシリコンや、大面積の集
積デバイスを製造し易いその他材料から成ってもよい。 イメージバーはしばしば少なくとも完全ページ１］の大
きさを右するので、薄膜トランジスタースイッチは一般
にこのサイズの基体上に形成される。一般に、アモルフ
ァスシリコン技術はこのサイズのスイッチのアレイを製
造するための最も経演的な方法をもたらすが、このサイ
ズの単結晶シリコンやヒ化ガリウムチップも有効である
。 第４図に図解されている本発明の態様は、そこに示され
ているように、イメージバーの丁度曲面に配置されイメ
ージバーの全長を走査する半ミラーを包含している。半
ミラー（よ白色光ビームの方向に対して約４５Ｕの角度
で、かつ光受容体の面に対しても約４５度の角度で配置
されている。ミラーはイメージバーに最ム近い側のミラ
ー面上に蒸上された半透明のアルミニウムまたは金被膜
を有する平１■なガラスまたは石英プレートから成るこ
とができる。 本発明のイメージバーの電極間に配置されている電解質
は電流がこの系の中を流れることを可能にし、そしてエ
レクトロクロミック膜が酸化状態に変化を受けるとぎに
エレクトロクロミック膜中に生じる電荷の変化をバラン
スさぼる対電荷（ｃｏｕｎｔｃｒｃｈａｒｃ＋ｅ ）を
提供する。この電解性材料はＣａＦ ５ＺｒＯ、Ｔａ
２０５、ＴｉＯ２、β−Ａｔ Ｏ、Ｃｕｔ、ＡＣＩ
ＩＫＣＪ、ＮａＣｊ！、ｓｎｏ 、ｌ ｎ２０３ 、
Ｓｂ２０３、Ｌ ｉ Ｆ、ＭｏＦ３などのような固体で
あってもよく、この固体は真空蒸も、化学蒸石、スパッ
タリングなどのような手段によって透明層の状態で形成
される。また、電解質材料はナショナル・スターチ・ア
ンド・ケミカル・カンパニーから人手できるベルサ（Ｖ
ｅｒｓａ ）■ＴＬ製品を含めてスルホン化ポリエステ
ル、またはポリ（２−アクリルアミドル２−メチル−１
−ブロバンベスルホン）酸のような、高分子？ｔｉ解質
であってもよい。また、電解質はＫＣｊ！、ＮａＣｊ！
、ＬｉＣｊ！０４などの水溶液、または過塩素酸テトラ
ブチルアンモニウムや過塩素酸テトラエチルアンモニウ
ムやテトラノルオロホーク酸テトラエチルアンモニウム
などの有機溶媒溶液のような、液体であってもよい。 本発明のエレクトロクロミック薄膜に適するエレクトロ
クロミック材料は純元素または合金または化学化合物で
あるかどうかにかかわらず固体であり、少なくとも二つ
の酸化状態を有しており、より好ましくは、その材料の
酸化状態の変化が電解質接触したこの材料の薄膜と対向
電極に電圧を印加することによってなされるような材料
である。 好ましくは、選択された材料はその材料が一つの酸化状
態からもう一つの酸化状態にジットしたときに大きなコ
ントラストまたははっきりした容易に認識できる色変化
を示す。材料はまた、何ら分解や品質劣化を受けること
なく酸化状態のいくつかの可逆シフトを可能にするのに
十分な支足性を示ずべぎである。また、材料は一度電圧
を印加されると酸化状態の比較的迅速な変化を受けるも
のであるべきであり；好ましいスイッチング速度は５０
μｘ５０μのピクヒルについて約５０ナノ秒〜約１ミリ
秒である。適するエレクト［１クロミツク材料の例はフ
タロシアニン、アントラキノン、ランタニドおよびアク
チニド系の元素を含めて遷移金属元素含有物質、例えば
、遷移金属酸化物、遷移金属硫化物、遷移金属オキシス
ルフィド、遷移金属ハロゲン化物、遷移金属窒化物、ク
ロム酸塩、モリブデンＩ！１塩、タングステン１ｌＩＩ
Ｒ、バナジン酸塩、ニオブ酸塩、タンタル酸塩、チタン
酸塩、賜酸銅、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸
化チタン、酸化バナジウム、酸化ニオ１１酸化セリ１ク
ム、ＭｎＯ，Ｎ＋０１Ｃｏｏ、および、弐ＭＯのその他
の金属酸化物（式中、Ｍは金属イオンを表わす）；式Ｍ
２Ｏ３の金Ｖ４Ｐｌｉ化物たとえばＣｒ ’０ 、
Ｆｅ Ｏ、Ｙ２０３ 、Ｙｂ２０３．１１２０３、
およびＭｎ２Ｏ３；式Ｍ０２の金属酸化物たとえばＴ
ｉ Ｏ、Ｔｈ０２ 、およびＣｒＯ２；式Ｍ３０４の金
属酸化物たとえばＣｏ Ｏ、Ｍｎ Ｏ、およびＦｅ
３Ｏ４：式３式％４ ＭＯ３の金属酸化物たとえばＣｒＯ３、ＭＯｏ３、ＷＯ
３、およびＵＯ３；式Ｍ２Ｏ３の金属酸化物たとえばＹ
２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、およびｌａ Ｏ：式Ｍ４０．の
金属酸化物、式ＭＯの金属酸化物、式ＸＹＯ２の複合金
属酸化物（式中、ＸとＹは異なる元素である）たとえば
ＬｉＮｉ０ ：ＸＹＯ３酸化物たとえばＬｉＭｎ０
、ＦｅＴｉ０ 、ＭｎＴ＋０３、ＣｏＴｉＯ、Ｎｉ
Ｔｉ０ 、ＬｉＮｂＯ３、Ｌ、１Ｔａｏ、およびＮａ
ＷＯ；ＸＹＯ４Ｍ化物たとえばＭｇＷＯ４、ＣｄＷＯ４
、およびＮ１ＷＯ：ＸＹ２Ｏ６酸化物たとえば ＣａＮｂ２Ｏ６；Ｘ２Ｙ２０６ Ｍ化物たとえばＮａ
Ｎｂ Ｏ；Ｘ Ｙｏ４ｖｉ化物たとえばＮａ
ＭｏＯ、Δｇ ＭｏＯ４， Ｃｕ ＭｏＯ、Ｌｉ２ＭｏＯ４、Ｌｉ２ＷＯ４、Ｓｒ
ＴｉＯ２，およびＣａ２Ｍ「）０４；ＸＹ２Ｏ４Ｆ
！化物たとえばＦ ｅ Ｃｒ ２０４Ｊ３よび１− ｉ
Ｚｎ２０４；式Ｘ ２ Ｙ Ｏ５の金属酸化物だとえ
ばＦｅ２Ｔ１０５およびＡ ｊ！ ２ ”Ｔ” ０５
；特定の金属酸化物の水和物たとえばＷｏ ・１１２０
、Ｗｏ ・２ＨＯ，ＭＯｏ ・１−１０、およびＭ−
ｏｏ φ２Ｈ２０；タングステン酸コバルトモリブデ
ン酸の金属塩、チタン酸の金属塩、ニオブ酸の金属塩、
および類似物、およびこれ等の混合物である。 本発明のイメージングバーのエレクトロクロミック材料
として特に好ましいものはフタロシアニン、特にランタ
ニドシフタロジアニン、およびアントラキノンである。 適するフタロシアニンの例は２（３）−６（７）−１０
（１１）−１４（１５）−テトうｔｅｒｔブチルフタロ
シアニンｚ４−ｔ−ブチル）４１−１．、ＰＣとも呼ば
れる］、２＜３＞−６（７）−１０（１１）−１４（１
５）−テトラクロロフタロシアニン［（４−ＣＩ）４Ｈ
２ＰＣとも呼ばれている］、ビス（°ノタロシアニナト
）ネオジム（■） （これはネオジムシフタ［コシアニ
ンとも呼ばれている）、ビス（フタロシアニナト）ネオ
ジム（ＩＶ）（これは酸化されたネオジムシフタロジア
ニンとも呼ばれている）、ビス（フタロシアニナト）ル
テチウム（■）（これはルテチウムシフタロジアニンと
も呼ばれている）、ビス（フタロシアニナト）イッテル
ビウム（■） （これはイツテルビ自りムジフタロシア
ニンとも呼ばれている）などである。上記化合物の命名
は次のようなフタロシアニンの位置番号にすづいている
： 但し、ＭはＨ２または２価金属のどちらかである。 適するアントラキノンは１．４−ジアミノ−２゜３−ジ
シアノアントラキノン、１，８−ジアミノ−４，５−ジ
ヒドロキシアントラキノン、１，４゜５．８−テトラミ
ノアントラキノンなどである。 また、ポリピロールや、ポリ３〜メチルチオフエンや、
エレクトロボリメリゼーションによって生成され後で可
逆的な還元および酸化が可能であるその伯重合体のよう
な重合体物質も本発明に適するエレクトロクロミック材
料を提供することが判明した。上記化合物の命名は次の
アントラキノンの位置番号に基づいている： さらに、ランタニドシフタロジアニンの多段還元−酸化
状態は本発明に適するエレクトロクロミック材料を生成
するためエレクトロボリメライズド重合体の安定性と結
びつけられてもよい。スルホン化されたおよびその他の
陰イオン性ランタニドシフタロジアニンたとえばオクタ
ヒドロキシランタニドシフタロジアニンはビロールまた
は３−メチルチオフェンのエレクトロボリメリＵ−シ］
ンにＪ３ける陰イオンとして使用できる。この方法にお
いては、ピロールまたは３−メチルチオフェンの酸化−
還元が色の切り換えに使用できるばかりでなく、シフタ
ロジアニンの多段酸化状態も色の切り換えを行うのに使
用できる。特に、陰イオン性ルテチウムシフタＯシアニ
ンはイメージバーに適するエレクトロボリメライズドエ
レクトロクロミックｌ料に使用するのに適する陰イオン
である。 本発明のイメージングバーに利用されるエレクトロクロ
ミック賎は真空蒸着法によって製造されてもよい。この
方法は円形タンタルヒーターバンドの中に挿入された石
英るつぼのような蒸発源を有する真空Ｖｔ買の中にイン
ジウム錫酸化物（■丁Ｏ）で被覆されたガラス基体を装
填することを伴う。ヒーターバンドおよび内容物を４ｉ
するるつぼを加熱するためにヒーターバンドに電流を通
す。十分な時間加熱した後、るつぼ内の材料は昇華して
ＩＴＯ基体上に付着する。得られた膜で被覆されたＩＴ
Ｏ′市極はイメージングバーの中に組み入れられる。代
替法として、本発明のイメージングバーに利用されるエ
レクトロクロミック膜はラングミ１アープロツジエツト
法（ＬａｎＢｕ ｉ ｒ−Ｂｌｏｄｏｃｔｔ ）によっ
て製造されてもよい。この方法はＧ、Ｊ、にｏｖａｃｓ
ａｔ ａｌ、、 Ｃａｎ、 Ｊ、 Ｐｈｙｓ、、 ｖ
ｏｌ、６３、ｐ、３４６−３４．９ ＜１９８５）に開
示されている。一般に、真空蒸着法によって製造された
アントラキノンエレクトロタ１］ミツク材料からなる膜
は色変化を伴う可逆的酸化−還元反応を示すということ
に関して、ラングミ１アープロツジエツト法に従って製
造された膜に比べて優れた結果をもたらす。しかしなが
ら、ラングミュ７−プロツジェット膜は不連続、ピンホ
ール、分子無秩序、材料分解による不純物、およびエレ
クトロクロミック膜の性能の品質に影響することがある
その他の欠陥のような膜欠陥に関しては、真空蒸着膜に
比べて優れ７ｊ品質を一般に右する。真空蒸着法または
ラングミ１７−ブロンジェット法どちらによって製造さ
れた本発明に適するエレクト〔１クロミツク膜も約１０
ｎｏ＋〜約１μ、好ましくは約１０００１１１〜約１μ
の厚さを有する。 多様な酸化状態におけるエレクトロクロミック材料によ
って示される広く多様な色のせいで、イメージバーのエ
レクトロクロミック膜には多数の色が利用できる。単色
イメージングまたはハイライトカラーイメージングのよ
うな幾つかの用途のためには、選択されたエレクトロク
ロミック材料によって示される色は十分であろう。しか
しながら場合ににっでは、たとえば、光受容体が特定波
長の光に感光するとか、金色像を作成づるとかの場合に
−よ、エレクトロクロミック膜のいくつかの色の微妙な
調整が望まれるであろう。 与えられた電圧において具体的材料によって示される色
はイメージバーの中の電解質のｐＨを調整することによ
って制御されてもよい。たとえば、ルテチウムシフタロ
ジアニンのエレクト［１クロミツク薄膜の場合、濃度１
．０モル、ｐＨ１、２３のＫＣ１水溶液の電解質では、
膜の色は電極に印加される電圧＋０．９６Ｖではオレン
ジ色、＋０．４８Ｖでは緑色、０■では青色、０．４４
Ｖｌ；Ｌ赤紫色、そし？−０．．９６Ｖでは紫色である
。ｐＨ５，２では、膜の色は十〇 、 ９６ Ｖ テハ
オＬ／ ンシ色、＋０．４８Ｖｔ’は緑色、ＯＶでは緑
色、−０，４４Ｖでは青色、そして−〇、９６Ｖでは紫
色である。従って、ｐｌｌは与えられた電圧における材
料の色を制御するのに使用できる。さらに、ｐＨは達成
可能な色の数に影響することができる。 エレクトロクロミック膜が様々な電界条件下で示す色を
調節するためのもう一つの方法は２種以上のエレクトロ
クロミック材料の混合物から膜を処方することである。 たとえば、Ｏｖの電圧が印加されたときに紫色を、そし
て−１，２ｖの電圧を印加されたときに黄色を示す１．
８−ジアミノ−４，５−ジヒドロキシアントラキノンと
、＋ｉ、ｏｖの電圧が印加されたときに肖〜縁色を、そ
して−０，７５Ｖの電圧が印加されたときに赤色を示す
１．４−ジアミノ−２，３−ジシアノアントラキノンと
の真空共蒸肴によって生成された膜はＯｖの電圧が印加
されたとき青色、−０，７５Ｖの′を圧を印加されたと
き赤色、−１，２Ｖの電圧が印加されたとぎ黄色、０■
が印加されたとき赤色、＋１．０Ｖが印加されたとき青
色、そしてＯＶの電圧が印加されたときやはり青色を示
１エレクトロクロミック膜を生じる。 履歴効果は与えられた電圧における膜の色が常に同じと
いうわけではなく、その与えられた電圧においては電圧
走査の方向に依存するということを意味している。本例
においては、膜の色は電圧走査が酸化方向にある場合に
はＯＶＣ赤色であり、そして電圧走査が還元方向にある
場合にはＯｖで青色である。この２種類の材料の酸化−
還元電位は同一ではなく、各々が独立に応答する。 一般に、イメージバーの中の各ビクヒルに印加される電
圧は対ＳＣＥ （飽和カロメル電極）で約３．０ｖ〜約
−）３．ＯＶ、好ましくは約−２，５Ｖ〜約＋２．５Ｖ
ｖｓ ＳＣＥの範囲にある。印加電圧はイメージバー
のために選択されたエレクトロクロミック材料、電解質
、および電極材料に依存する。エレクトロクロミック材
料の酸化状態を変化させるには、所定の大きさの電圧が
必要である。たとえば、１．４．５．８−テトラアミノ
アントラキノンの薄膜の還元を行うには、飽和カロメル
電極（ＳＣＥ）に比して約−〇、 ５Ｖの電位が印加さ
れなければならない；この材料を酸化させるには、約＋
〇、５５Ｖ ｖｓ ＳＣＥの電位が印加されなければな
らない。インジウム錫酸化物電極の上の薄膜形態の各種
ルクトロクロミック材料の酸化並びに還元を行うのに必
要な対ＳＣＥ′市位を次の表に掲載する： 級初の材料、１．４．５．８−テトラアミノアントラキ
ノンは最初蒸着されたときには紫色である。 酸化後に、それは青〜緑色に変化し、次いで還元された
ときには赤紫色に変化する。その後、それは青〜緑色の
状態と赤紫色の状態の間を循環し、そして初期の紫色に
は戻らない。ネオジムシフタロジアニンは類似の挙動を
示し、初期には肖〜緑色であり、還元されたときに暗青
色に変化し、酸化されたときに赤紫色になり、次いで赤
紫色と１１ｎ青色のｌａｌを循環する。上記表の中のア
ントラキノンはいずれも、−電Ｆ還元を受け、そして中
性状態からシングル還元された状態に切り換わる。３−
メチルチオフェンおよびピロールは酸化状態から中性状
態に切り換わる。ネオジムシフタロジアニンの非酸化状
態においては、式Ｎ ｄ ＨＰ Ｃ、。 ３＋ ＋ ’ｌ−（但し、原
子価状態はＮｄ ｌ−１（ＰＣ） として表わさ
れる）によって与え゛られるように、不安定な水素がそ
の中に存在するはずである。これが酸化されるとＮａＰ
Ｏ３の形態になり、その原４＋ ２− 予価状態はＮｄ（Ｐｃ）（中性分子）として表わされる
。この酸化された材料、ビス（フタロシアニナト）ネオ
ジム（ＩＶ ）は上記表のスイッチング結果を与える蒸
着膜を形成するために使用された。上記表に示されてい
るエレクトロクロミックスイッチング中に、この材料は Ｎｄ （ＰＣ）２の形態とＬＮｄ （ＰＣ）２ ］−の
形態の間をスイッチングする。 ［Ｎｄ （Ｐｃ）２１−における原子価状態は３ト
２− Ｎｄ （Ｐｃ） として表わすことができる。 （４−ｔｅｒｔ−ブチル）４１−（２Ｐｃについては、
分子は酸化され、すなわち電子が除去され、それから還
元されると分子は中性状態に戻る。 （４ＣＩ ）４ Ｈ２ｐｃについては、分子は還元され
、すなわち電子が追加され、それから酸化されると分子
は中性状態にもどる。ルテチウムシフタロジアニンにつ
いては、□分子はＯｖで中性−ｃ アリ、それから逐次
、シングル酸化（７１なわち１個の電子が除去）され、
そしてダブル酸化（すなわち、第二の電子が除去）され
る。電位を負にスウィーブすると、分子はＯｖで中性で
あり、それから順次、シングル還元（すなわち、１個の
電子が追加）され、ぞしてダブル還元（すなわち、第二
の電子が追加）される。上記表の中の、ルテチウムシフ
タロジアニンとポリピロールとポリ−３メチルチオフ１
ンを除く、全ての例について、電解質はｐＨ未調整の水
中の１．０モルの塩化カリウムである。ルアチウムシフ
タロジアニンについては、電解質はｐＨ１，２３の水中
の１．０モルの塩化カリウムであり、そしてポリピロー
ルとポリ３−メチルチオフェンについては、“電解質は
アセトニトリル中の０．１モルの過塩素酸ツートリウム
である。 完全に可逆性の色変化を受（）る材料はイメージバ一応
用のために最ら望ましい。完全に可逆性の色変化を示す
ことからイメージバ一応用のために最も望ましい材料は
ビス（フタロシアニナト）ネオジム（■）、ビス（フタ
ロシアニナト）ルテチウム（ＩＩＩ）、１．４−ジアミ
ノ−２，３−ジシアノアントラキノン、１，４．５．８
−テトラアミノアントラキノン、および導電性重合体ポ
リピロールおよびポリ−３−メチルチオフェンなどであ
る。 第６Ａ図〜第６に図には、上記表に掲載された材料が一
定電位にされたときに起こる変化が示されている。第６
Ａ図は１．４，５．８−テトラアミノアントラキノンの
可視吸収スペクトルをボす。 色強度を表わす吸光度が相対光学濃度単位をもって表示
されており、波ｆ％（ｎｉｌ）に対してプロットされて
いる。電位を適用する以前の材料（実線で表わされてい
る）は約５７５ｎｍの波長域に吸収ピークを示ず（紫色
に相当する）。約−０，５５Ｖの還元電位を印加すると
材料は還元され、約５５０ｎｍに吸収ピーク（赤紫色に
相当する）をもつ破線として第６Ａ図に表わされる色変
化が生じる。 この還元された材料に＋０．５５Ｖの電位を印加すると
材料は酸化され、約５９ Ｏｎｉｌの波長域に吸収ピー
ク（青〜緑色に相当する）をもつ点線として第６Ａ図に
表わされた色変化が生じる。 第６Ｂ図は１，４−ジアミノ−２，３−ジシアノアント
ラキノンの可視吸収スペクトルを示す。 元の材料は実線で表わされているように、約６７５ｎＩ
ｌ＋の波長域に吸収ピークを示ず（古〜緑色に相当する
）。−０，７５Ｖの電位を印加すると材料は還元され、
約４９Ｏｎ−に吸収ピーク（赤色に相当する）をもつ点
線で表わされた色変化が誘発される。この還元された材
料に＋１．０Ｖ（７）電位を印加すると、プロセスは逆
転し、ぞして材料は実線で示されているように元の色お
よび吸収スペクトルに戻る。 第６Ｃ図は４−テトラクロロフタロシアニンの可視吸収
スペクトルを示す。元の材料は実線で表わされているよ
うに、約６１０ｎｍの波長域に吸収ピークを示す（青〜
緑色に相当する）。−１，５■の電位を印加すると材料
は還元され、約５５０ｎＩ１１に吸収ピーク（赤紫色に
相当する）をもつ点線として表わされた色変化が誘発さ
れる。この還元された材料に＋１．５Ｖの電位を印加づ
ると、プロセスは逆転し、そしていくらか元の材料が生
成され、それは破線で表わされるように約６１０ｒｖに
吸収ピークを示す。この吸収ピークは出発材料の吸収ピ
ークと比べて吸光度が低く、このことは還元反応の逆転
によって材料が完全に回復されたわけではないことを意
味している。 同様に、第６Ｄ図は１．８−ジアミノ−４，５ジヒドロ
キシアントラキノンの可視吸収スペクトルを示す。この
材料は実線によって表わされでいるように約５６０ｎｍ
に吸収ピークを示す（紫色に相当する）。−１，２■の
電位を印加すると材料は還元され、約４４０ｎｌ域に吸
収ピーク（黄色に相当する）を有する点線として表わさ
れる色変化が誘発される。この還元された材料の電位を
ＯＶに戻すと、プロセスは逆転し、そして元の材料がい
くらか生成され、それは破線で表わされているように約
５６０ｒｖに吸収ピークを示す。このピークは出発材料
の吸収ピークに比べて吸光度が低く、そのことは還元反
応の逆転によって材料の全てが回復したわけではないこ
とを意味している。 第６Ｅ図は１．８−ジニトロ−４，５−ジヒドロキシア
ントラキノンの可視吸収スペクトルを尽す。この材料は
初期には、実線で表わされているように、約４４０ｎｍ
に吸収ピークを示す（黄色に相当する）。−１，５Ｖの
電位を印加すると、材料は還元されて６２５ｒｖに吸収
ピーク（暗青色に相当する）を有する点線で表わされた
色変化を受ける。 第６Ｆ図はネオジムシフタロジアニンの可視吸収スペク
トルを示す。この材料【よ初期には、実線で表わされて
いるように、約６６ Ｏｒ＋ｍに吸収ピークを示す（青
〜緑色に相当する）。この元の材料に−０，９Ｖの電位
を印加すると、材料は還元され、６４０ｎｍ域に吸収ピ
ーク（暗青色に相当づる）を有する点線で表わされた色
変化が誘発される。 この還元された材料に＋１，１ｖの電位を印加すると、
材料は酸化され、５３０ｒ＋ｍ域に吸収ピーク（赤紫色
に相当する）を右する破線で表わされた色変化が誘発さ
れる。 第６Ｇ図は（４−ｔｅｒｔ−ブチル）４フタ１コシアニ
ンの可視吸収スペクトルを示す。この材料は初１［ＩＪ
には、実線で表わされているように、約６１０１１に吸
収ピークを示す（暗青色に相当する）。この元の材料に
＋１．５■の電位を印加すると、５５０〜７００ ｎｍ
ｂｌＪ、に吸収ピーク（淡青色に相当する）を有する点
線で表わされた色変化が誘発される。この酸化された材
料の電位をＯＶに戻すと、プロセスは逆転し、そして一
部は元の材料になり、それは破線で表わされているよう
に約６１ＯｎＩ１１に吸収ピークをボす。このピークの
吸光度が出発材料のそれに比べて低いことは酸化反応の
逆転で材料の全てが回復したわけではないことは意味し
ている。 第６Ｈ図と第６１図はルテチウムシフタロジアニンの可
視吸収スペクトルを表わしている。初３１１の形態にお
いて、この材料は第６Ｈ図では点線によって、そして第
６１図では実線によって表わされているように、約６４
０１に吸収ピークを示す（これは緑〜青色に相当する）
。この初期の材料に一〇、４４Ｖを印加すると材料は還
元され、６６０ ｎ１ｌｔｄに吸収ピーク（青〜緑色に
相当する）を有する実線として第６Ｈ図に表われた色変
化が誘発される。この還元された材料に−０，９６Ｖの
電位を印加すると、ルテチウムシフタロジアニンは還元
され、６９０ ｎｍ域に吸収ピーク（青色に相当する）
を有する破線として第６Ｈ図に表われた色変化が誘発さ
れる。元の材料に＋〇、４８Ｖの電位を印加すると、材
料は酸化状態になり、そして６４０ｎｍ、 ５２０ｎｗ
＋、および４３０＋ｖＩ＋の領域に吸収ピークを有する
破線として第６１図に表わされた色変化を受け、これは
紫色に相当づる。この酸化された材料に＋〇、９６Ｖの
電位を印加すると、ルテチウムシフタロジアニンはさら
に酸化され、５２０ ｎ１Ｊ３よび４３０ ｒｖの領域
に吸収ピークを有する点線として第６１図に表われた色
変化が誘発され、これは赤紫色に相当する。 第６Ｊ図はエレク１−ロ重合されたポリ−３−メチルチ
オフェンの可視吸収スペクトルを表わす。 ＋０．１ｖ電位で現れるその還元された状態においては
、実線によって表わされているように約５１０ｎｍに吸
収ピークを示し、それは赤色に相当する。＋１．３ｖ電
位で現れるその酸化された状態においては、この材料は
破線によって表わされているように約６４０ ｒｖに吸
収ピークを示し、これは青色に相当する。 第６に図はエレクトロ重合されたポリピロールの目視吸
収スペクトルを示す。−１，ＯＶ電位で現れるその還元
された状態においては、実線によって表わされているよ
うに約４００ｎｍに吸収ピークを示し、それは黄色に相
当する。＋０．５層電位で現れるその酸化された状態に
おいては、この材料は認め得る吸収ピークを示さない；
その可視スペクトルは破線によって表わされ、暗黒色に
相当する。 ５０μ×５０μのピクセルでは、イメージバーの中の各
ピクセルに印加される電界の電流は１ミリ秒〜１マイク
ロ秒にわたって約２．５マイクロアンペア〜約２．５ミ
リアンペアであり、好ましくは、１ミリ秒〜１００マイ
クロ秒にわたって約２．５マイクロアンペア〜約２．５
ミリアンペアである。通った全電荷はエレクトロクロミ
ック膜によって示される色の強度に影響する。何故なら
ば、全電荷はエレクトロクロミック材料が酸化または還
元を受ける程度を制御ｔｌｌｉＪるからである。電流、
従って電荷を制御することによって、エレクトロクロミ
ック膜の色は所望の色合いにａｍされる。 本発明のイメージバーは単色像または多色像どちらを作
成するのにも使用できる。単色像を作成するには、イメ
ージバーは酸化状態の一つが特定波長の光を吸収するエ
レクトロクロミック膜を含有し、かつその波長の光を付
与する光源およびその波長の光に感光する光受容体と組
み合わせて使用される。たとえば、エレクトロクロミッ
ク膜は第６Ｊ図に示されているようにポリ−３−メチル
チオフェンのように、一つの酸化状態では赤色を示し、
そしてもう一つの酸化状態では青色を示す材料から処方
される。この膜を含有する本発明のイメージバーは、青
色光源および青色感光性光受容体と組み合わせて使用さ
れたときに、ピクセルが赤色から青色に切り換わるプロ
セスによって像を作成することができる。青色光はバー
の赤色領域を通過しないので、その領域では光受容体を
放雷させないが、バーの青色領域を通過してその領域の
光受容体を放電させる。そのようにして作成されたｍ像
は次いでどれかの色の現像剤組成物で現像される。 金色像は各酸化状態の色が相互に著しく異なる少なくと
も３つの（可能ならばもっと多くの）酸化状態を有する
材料のエレクトロクロミック膜をイメージバーに装備さ
せることによって本発明のイメージバーによって作成す
ることができる。バーは金色像を生じさせることができ
る光受容体と組み合わせて使用されるべきである。各層
が異なる波長の光に感光する数個の層を有するかかる光
受容体の例は米国特許第４．３０８．３３３号に開示さ
れている。この特許の開示は全体的に参考のために本願
用１１１ｉｌ中に組み入れられる。金色像はまた、広い
特殊な応答性を有する光受容体を使用することによって
本発明のイメージバーによって作成することもできる。 像は光受容体上に３回書き込まれ、その各回毎に駒数、
光受容体は一つの色の光フィルターを通して露光され、
その色の現像剤で現像され、基体に転写され、そして多
色像が形成されるまで再度、別の色の光フィルターを通
しての露光以Ｆを繰り返される。この方法は米山特許第
３．８３６．２４４号に開示されており、その開示は全
体的に参考のために本願明細ｍ中に組み入れられる。２
色すなわちハイライトカラー像もまた、少なくとも２つ
の酸化状態を有し、その一方がたとえば赤色光を透過し
青色光を吸収し、そしてもう一方が透明に近く白色光を
透過するような材料のエレクトロクロミック膜をイメー
ジバーに装備させることによって本発明のイメージバー
によって作成できる。バーは好ましくは、２色像を生じ
させることができる光受容体との組み合わせで使用され
る。２層の光導電性層を有し、その一方が赤色光に感光
し、そしてもう一方が青色光にのみ感光し赤色光に感光
しない、かかる光受容体の例は米１０特許第４．３３５
．１９４Ｍに開示されている。この開示は全体的に参考
のために本願明細ｍ中に組み入れられる。 操作中に、これ等イメージバーの各ピクセルはエレクト
ロクロミック膜に所望の色を発生さけるために電気的に
アドレスされる。ピクセルを通過する光は所望の波長の
光だけが与えられた領域において光受容体に到達できる
ように選択的にフィルターされる。そのようにして作成
された潜像は次いで２色以上の現像剤組成物によって現
像される。金色コピーとハイライトカラーコピーの両方
がこの方法によって作成できる。多色像は一回のバスで
光受容体上に多色像を横たえさせることによって作成さ
れてもよいし、または米国特許第３゜８３６．２４４号
に開示されているように、光受容体に潜像を形成し、そ
の像を現像し転写し、その後で光受容体上に追加の像を
形成し、これ等追加の像を他の色の現像剤組成物で現像
し、そして先の第一・像を含有している基体にそれ等像
を転写する方法によって作成されてもよい。 次に、本発明を具体的に実施例によって説明する。これ
等実施例は例示であって、本発明はこれ等実施例に記載
されている材料、条件、またはプロセスパラメーターに
限定されるものではない。 部およびパーセントは別に指定されていない限り、１世
による。 実施例１ ４− ｔａｒｔ−ブヂル無金属フタロシアニンの製造４
− ｔｅｒｔ−ブチルフタロニトリル出発材料を次のよ
うに製造した。２１の三角フラスコの中の０キシレン２
６６．７８ｇ（２，５ｌ−ＴＥル）とｔブチルクロリド
２３２．５４ｇ（２，５１モル）の磁気攪拌混合物に、
塩化第二鉄１ｇを添加した。 室温で３時間後に、混合物を１１の丸底フラスコの中に
自重ろ過し、そして蒸留した。３つの留分を集め、後で
気−液クロマトグラフイーによって分析した。１５０〜
２０２℃で集められた留分Ａは約６５％の４−ｔ−ブチ
ル−０−キシレン（４３，４８ｇ）を含有し、０−キシ
レンを含まず、そして主にｔ−ブチルクロリドからなる
汚染物を含有していた。２０３〜２０９℃で集められた
留分Ｂは約８７．８％の４−ｔ−ジブルー０キシレン（
１２８，００ｇ）を含有しており、そして２０９〜２１
１℃で集められた留分Ｃは１００％の４−ｔ−ブチル−
Ｏ−キシレン （１８６，２８ｇ）であった。全収量は３５７．７６９
（２，２０６モル、８７，９％収′率）であった。生
成物の同定はＩ Ｒスペクトルによって確立された。 それから、５１の三ロフラスコに冷却器、機械的攪拌器
、およびストッパーを装備し、そしてそのフラスコに水
１２６０ａｔｆ！、濃１ｉ１１酸６３０ａｔ！、および
４− ｔｃｒｔ−ブチル−０−キシレン１８４．６９９
（１，１３９モル）を添加した。 このＵ合物を４８時間還流し、それから水中で冷ｉＪＩ
Ｌ、、その後、ｐＨを濃水酸化カリウム液の添加によ
って１３．５に調整した。非酸性材料をジエチルエーテ
ルで３回抽出することによって除去し、その後、ｌ）Ｈ
を０．９に調整し、そして生成油状物をジエチルニーデ
ル各２００ａｔｅで３回抽出することによって分離し、
そしてエーテル抽出物を回転蒸発器で蒸発させた。室状
着色ガムが１４られた（１６４．７５ｃＪ、７５．６％
収率）。これはＩＲスペクトルによって２−メチル−５
−ｔ−ブチル安息香酸と２−メチル−４−ｔ−ブチル安
息香酸の混合物として同定された。 次いで、５１の三ロフラスコに冷却器、機械的攪拌機、
およびストッパーを装備し、そして上記ガムを、水酸化
カリウム８Ｅｌを含有している蒸留水２２００ｍの中に
溶解した。この溶液を５１フラスコの中に入れ、そして
還流した。４ｒＲ１問後、この溶液に過マンガン酸カリ
ウム３６０．３！Ｊ（２，２８モル）を添加し、そして
この混合物をさらに２時間速流した。それから、過剰の
過マンガン酸塩をメタノール７５−の添加によって分解
し、そしてこの熱い反応混合物を吸引ろ過して褐色の二
酸化マンガンを除去した。沈澱を水で３回洗浄した。合
わせたろ液のｐＨを濃塩酸によって０．９に調整し、そ
の後、４〜５日かかつて４−ｔ−ブチルフタル酸生成物
の白色結晶が生成された。この結晶は１４８〜１５０℃
の融点を示し、そして１７３．６６ｇ（０，７８１４モ
ル）の量で生成された。４−ｔ−ブチルフタル酸生成物
の同定はＩ Ｒスペクトルによって確認された。 その後、１１の丸底フラスコに還流冷却器を装怖し、そ
こに１−ｔ−ブチルフタル酸 １７３．６６ｇ（０，７８１４モル）および塩化ヂオニ
ル５００ｄを装填した。この黄色の溶液を磁気攪拌し、
そして３時間速流し、その後、減圧下で無水物から塩化
チオニルを除去した。得られた白色結晶性固体を無水ヘ
キサンで３回洗浄し、そして減圧下でヘキサンを除去し
て、融点７７〜７８℃を示す無水４−ｔ−ブチルフタル
酸生成物１５０．３３ｇ（０，７３６１モル）を生じた
。 無水４−ｔ−ブチルフタル酸生成物の同定はＩＲスペク
トルによって確認された。 等モル励の無水４−ｔ−ブチルフタル酸（１５０，３３
シ、０．７３６１モル）と尿素（４４，２１ｇ）を１１
の丸底フラスコの中で温度計によって混合した。これ等
固体をメケルバーナーでゆっくり加熱した。１７５℃で
、反応系は発熱したので、空気銃によって冷却されなけ
ればならなかった。発熱がおさまったときには温度は２
５０℃に増加しており、その温度に３０分維持した。そ
れから、フラスコを冷却し、そしてジメチルホルムアミ
ド３００ｍを加え、その後、この溶液を１手ろ過して溶
解されるはずのない固体を除去した。水（１１）を加え
たところ、融点１３６．５〜１４０℃を示す４−ｔ−ブ
チルフタルイミド１３７．３４り（０，６７５７モル）
の沈澱を生じた。４−ｔ−ブチル−フタルイミド生成物
の同定はＩＲスペクトルにＪ、って確認された。 それから、４１の三角フラスコに４−ｔ−ブチルフタル
イミド１３７．４ｇ（０，６７５７モル）および２９％
水酸化アンモニウム液２１を装填し、そしてこの溶液を
機械階拌機で激しく攪拌した。 ３時間後、このクリーム状の懸濁物を吸引ろ過し、そし
て少量の水″Ｃ洗浄した。この淡緑色粉末を１２０℃で
１日間乾燥して、融点１７２〜１７５℃を示す４−ｔ−
ブチルフタルアミド１３４．１９９を生じた。４−ｔ−
ブチルフタルアミド生成物の同定はＩＲスペクトルによ
って確認された。 ４−ｔ−ブチルフタロニトリルは次のようにして製造し
た。窒素入口、１００−均圧フラスコ、およびストッパ
ーを装備した５００−の三角フラスコを水浴に置き、そ
してそのフラスコに４−ｔブチルフタルアミド６０ｇ（
０，２７１３Ｅル）およびピリジン４００ｍ！を装填し
た。得られた混合物を一定の窒素流の下に維持した。燐
オキシクロリド（４９，７ａｅ、０．５４２６モル）を
滴下漏斗に入れ、そしてピリジン溶液に、温度を約４℃
に維持するようにゆっくりと添加した。この反応系を４
時間磁気攪拌し、それからこの混合物を、２００ｄの砕
氷を含有するビーカーの中に注いだ。 全容積が１６００−になるまで水を加えて淡褐色固体を
生成した。この固体を吸引ろ過によって取り出して融点
５８〜５９℃の４−ｔ−ブチルフタロニトリル３１．２
４！Ｊ （０，１６９６モル）を生じた。４−ｔ−ブチ
ルフタロニトリル生成物の同定はＩＲスベク、トルによ
って確認された。 次いで、ｔｅｒｔ−ブチル無金属フタロシアニン［（４
−ｔ−ブチル）４フタロシアニン］が次のように製造さ
れた。１１の丸底フラスコの中のアミルアルコール１２
６ｒＩＩＩ中に０．６４９＜２７．２ミリグラム原子）
を溶解した後、アミルアルコール中にナトリウム金属を
溶解することによって生成されたこのナトリウムアミラ
ード溶液に、４−ｔ−ブチルフタロニトリル９．０９（
４８，９ミリモル）を添加し、そしてこのＵ合物を５．
２５時間還流した。この溶液を冷却し、そしてメタノー
ル４４５−で希釈した後、この懸濁物に標準塩酸３７ａ
ｅを添加し、そしてこの懸濁物を１６時間攪拌した。そ
れから、この反応混合物をろ過し、そして得られた固体
の青色ｍ料生成物をメタノール２５０ｒｎｌ、水２５０
〆、ジメチルホルムアミド２５０ｊＩｉ！、そしてメタ
ノール２５〇−で吸引洗浄し、それから−晩乾燥して５
．２８ｇ（５８，４％収率）の顔料を生成した。 こうして得られた（４−ｔ−ブチル）４フタロシアニン
生成物を次のように精製した。この顔料２．００９を４
℃の９６％硫Ｍ’５０ａｅにゆっくり添加した。この溶
液を１時間攪拌し、それからガラスろ過器によって、不
断の攪拌を伴う氷水５００威の上に吸引ろ過し、その後
、ろ過器と反応器を９６％硫Ｍ１０−で洗浄した。（４
−ｔ−ブチル）４ノタロシアニン生成物の全てが溶解さ
れたわけではなかった。氷水の中に現れた青色固体をろ
過し、そして水各１００−で１０回洗浄した。 青色顔料および混合物のＤＩを水酸化アンモニウムの添
加によって８．５に調整し、それから青色固体をろ過し
、そして水各１５０ｍで６回洗浄し、そして硫酸イオン
が存在しなくなるまで生成物が洗浄されたことを確保す
るために洗浄液を塩化バリウム溶液で試験した。生成物
をメタノール１１で洗浄し、乾燥して１．６６ｇ（８３
％収率）の青色固体を生じた。その元素分析は純粋ｔｅ
ｒｔ−ブチル無金属フタロシアニンであることを示した
。 実施例２ １．４−ジアミノ−２３−ジシアノアント−キノンの製
造 ３００ｍのバー（Ｐａｒｒ）加圧釜をドライアイス／イ
ソプロパツール浴で冷ｕ１シ、それに乾燥窒素を浴びせ
、そして順次、液体アンモニア約１５ａｅ。 水から再結晶化し高真空で５０℃で１５時間乾燥したブ
ロモアミン酸ナトリウム塩１５．０９（３７ミリモル）
、酢酸第一銅６２０ＩＩｇ（５ミリモル）、およびホル
ムアミド１００Ｉｄ、を装填した。 反応釜を密封し、そして８０℃に加熱し、そして８０ボ
ンド／平方インチの内部圧にした。反応混合物を８０℃
で９時間攪拌し、次いで４０℃に冷７Ｊ１シ、そして室
温に戻す前に過剰アンモニアを除去するために水アスピ
レータ−で１５分間排気した。反応混合物の１１クロマ
トグラフイー（シリカゲルカラム、容量比４：１のトル
エン／メタノール溶離剤）はオレンジル赤色の出発材料
ブロモアミン酸が完全に消失したことを示した。 得られた紫色の反応混合物を、温度ｉ１と冷却器と磁気
攪拌器を装備した５００ｄの三〇九底フラスコに移した
。ホルムアミドを全容１１！２５０ｄになるまで加えた
。この混合物に順次、炭酸ナトリウム１９．６ｇ＜０．
１８５モル）、ニトロベンゼン７．６ｍ（９，１ｇ、０
．０７４モル）、およびシアン化ナトリウム１０．８９
＜０．２２２モル）を添加した。それから、この反応
混合物を攪拌しながら８０℃に加熱し、そして出発材料
の完全消失が起こる（それはＴＬＣによって指示される
）までこの温度に維持した。 それから、この反応混合物を熱いままろ過し、そして沈
殿物をまず冷ホルムアミドでろ液がほぼ無色になるまで
洗浄し、それから沸騰水（約３００１ｄ）でろ液が無色
になるまで洗浄した。それを−晩乾燥して微細な暗い赤
味がかった青色固体として１，４−ジアミノ−２，３−
ジシアノアントラキノン（７，８ｇ、７３％）を得た。 アセトニトリル中の１，４−ジアミノ−２，３−ジシア
ノアントラキノンの溶液は６２３ｎｌｌｌのピーク吸収
（λ ）を示した。 ａＸ 実施例３ エレクト口重 ポリピロールの アセトニトリル中の０．２５モルのビロールと０．１モ
ルの過塩素酸ナトリウムとの溶液を電気化学槽に入れた
。作用電極はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）の導電性透
明被膜で被覆されたガラス片であり、対向電極は白金線
であり、そして参照？ｔ［は飽和カロメル電極（ＳＣＥ
）であった。電解槽は容器にアルゴンガスを吹き込むこ
とによって酸素を追い出された。次いで、作用電極を十
０．９〜＋１．０ボルト対ＳＣＥの範囲で陽極として作
用させ、その間にＩＴＯ電橋上にポリピロール膜が形成
された。この膜は最初に形成されたときには酸化形態で
あり、恵色に見えた。この膜が約１μの十分な厚さに成
長したら、電極が溶液から取り出されるまで電流が流れ
続けるように陽極電圧を維持しながら電極を溶液から取
り出した。 実施例４ エレクトロｆｉＡポリー３−メチルチオフエ゛の潰 アセトニトリル中の０．２５モルの３−メチルチオフェ
ンと０．１モルの過塩素酸ナトリウムの溶液を電気化学
槽に入れた。作用電橋はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）
の導電性透明被膜で被覆されたガラス片であり、対向電
極は白金線であり、そして参照゛電極は飽和カロメル電
極（ＳＣＥ）であっだ。槽は溶液にアルゴンガスを吹き
込むことによって酸素を追い出された。次いで、作用電
極は＋２．０ボルト対ＳＣＥで陽極として操作され、そ
の間にＩＴＯｔｆｆｌ上にポリ−３−メチルチオフェン
が形成された。膜が約１μの十分な厚さに成長したら、
電極が溶液から取り出されるまでは電流が流れ続けるよ
うに陽極電圧を維持しながら電極を溶液から除去した。 実施例５ 酸化ネオジムシフタロジアニンの １ ネオジムシフタロジアニンが酢酸ネオジムとＯ−フタロ
ニトリルから次のようにして合成された。 ガラス攪拌機と冷ｆＪＩ器を装備した５００ａ４！の三
ロフラスコの中でＮｄ（ＣＨＯ） ・ト１０粉末５．
０ｇ（０，０１４７モル）とフタロニトリル粉末１５．
ｉｇ（０，１１７９モル）を混合した。この混合物を２
９０〜３００℃で３時間溶融加熱した優で、青色物質が
得られた。この生成物をジメチルホルムアミド１２５ｄ
中に溶解し、そして不溶性物質をろ過によって除き、残
った青色物質の溶液を蒸留水１１に加えてネオジムシフ
タロジアニン疎生成物（１２ＳＦ）を析出させ、これを
ろ紙上に集めた。それから、このネオジムシフタロジア
ニン疎生成物１ｇをジメチルホルムアミド１２５ａｌ！
中に溶解した。この溶液を、最初にメタノール溶媒で充
填されているシリカゲルカラム（３，５Ｃｊｌφｘ ６
０ ａｓ ）に通した。メタノール溶剤と共に空色の物
質が排出され、そしてカラムの中に緑色の不純物が残っ
た。それから空色物質をもう１つのシリカゲルカラムに
通して３つの両分を集めた。そのうちの最初の２つはジ
メチルホルムアミド（ＤＭＦ）中で生成物の紫外〜可視
スペクトルによって同定されたように、６３４ ｎｍの
ピーク吸収（λ ）を示す純粋ネオジムジッタａＸ ロシアニンを含有していた。次いで、この最初の２つの
両分を回転蒸発器で乾燥して０．１００ｇの純粋ネオジ
ムフタロシアニンを生じた。 それから、酸化ネオジムシフタロジアニンが、１％ヒド
ラジン水和物を含有するジメチルボルムアミド中でネオ
ジムシフタロジアニンから電気化学的に合成された。電
気分解は白金メツシュ陽極と白金プレートｔ４極を装備
した電解槽の中で０．８−＾／α２の初期電流密度で２
４時間実施された。酸化ネオジムシフタロジアニン結晶
が陽極の底に析出した。この結晶をろ過によって集め、
そしてアセトンで洗浄した。酸化ネオジムシフタロジア
ニンの可視吸収スペクトルを測定したところ、ネオジム
シフタロジアニンのそれとは異なることが判明した（λ
−６７０ｎｇｉ１ＤＭＦ中）。 ａＸ また、ベンゼン溶液における非酸化ネオジムシフタロジ
アニンの吸収スペクトルは６７０ ｎｍと３２５ｒｖで
吸収極大を示し、そしてベンゼン溶液における酸化ネオ
ジムシフタロジアニンの吸収スペクトルは６６２ ｎｍ
、５８０ ｎｌ、および３３０ ｎｉで吸収極大を示し
た。酸化ネオジムシフタロジアニンは酸化物質であるこ
とを確認する強いＥ Ｓ Ｒ吸収も示した。 友１！１ ルテチ ムシフタロシアニンの ルテチウムシフタロジアニンは次のようにして製造され
た。機械攪拌機、冷却器、およびガス流入管を装備した
２００ｍの三ロフラスコの中で、ジョンソン・マットヘ
イ（Ｊｏｈｎｓｏｎ−Ｈａｔｔｈｅｙ ）から入手でき
る無水酢酸ルテチウム１．００９（２，８ミリモル）と
、イーストマン・コダック社から入手できる無金属フタ
ロシアニン２．９７ｙ（５，７ミリモル）とを混合した
。この混合物を窒Ｎ雰囲気下で２２時間遠流した後では
、塩化メチレン中に希釈された混合物のアリコートの紫
外〜可視分光分析は所望生成物の生成を示した。 せＩられた懸濁物を塩化メチレン２００ｊｌｅ′ｃ希釈
してからガラスろ過器でろ過した。回収された固体の無
金属フタロシアニンをろ液が緑色にならなくなるまで約
１００−の塩化メチレンで洗浄した。 次いで、回転乾燥鼎によってろ液から塩化メチレンを除
去し、そして残留キノリン懸濁物をベトリ皿に移した。 真空オーブンで１００℃でキノリンを除去して約０．３
ｇ（約９％収率）のルテチウムシフタ０シアニンを生じ
た。 実施例７ 真空蒸着法による薄膜の製 エレクトロクロミック材料の薄膜が次のようにして真空
蒸着によって製造された。インジウム錫酸化物（ＩＴＯ
）で被覆されたガラス基体をバギューム・ジエネレータ
ーズ・モデルｏ ｐ Ｕ ＨＶ ｉ２真空システムの中
に蒸発源から約０．４ｍの離して配置した。蒸発源は円
形タンタル加熱帯のなかに挿入された約１インチ直径×
１インチ高さの石英るつぼからなる。加熱帯に電流を通
して加熱帯と、蒸発されてＩＷ膜になる材料を含有して
いるるつぼとを加熱した。十分な温度に加熱した後、材
料は昇華してＩＴＯ基体上に句着した。昇華するために
材料が加熱されるべき温度は次の通りである： 材料 温（４−ｔ−ブ
チル）４１−１２Ｐｃ ２５０℃１．８−ジア
ミノ−４，５− ジヒドロキシアントラキノン １００℃１．４．
５．８−テトラアミノ アントラキノン １２０℃１．４−
ジアミノ−２，３− ジシアノアントラキノン ° １００℃１．８−
ジニトロ−４，５− ジヒドロキシアントラキノン １００℃４．８−
ジニトロ−１，５− ジヒドロキシアントラキノン ９０℃（４−Ｃ
Ｉ）４Ｐｃ ト（２２７５℃ネオジムシフタ０シアニ
ン ４００℃ルテチウムシフタＯシアニン
４００℃実施例８ ラン ムユアープロツジェット による の潰 ｔａｒｔ−ブチル無金属フタロシアニン［（ｔ−ブチル
）４Ｈ，２ＰＣ］のラングミュアーブロツジェット模が
次のようにして製造された。材料を約６．６５Ｘ１０’
モル濃度の溶液になるようにイーストマンコダックＡＣ
Ｓスペクトログレードのトルエンの中に溶解した。使用
゛されるサブ相（５ｕｂｐｈａｓｃ）はミリ−く旧１１
ｉ−） Ｑシステムに通してろ過された後に蒸留され室
温に冷却された水であった。チラシ（Ｔｅｒｒａｚｚｏ
）無振動テーブルの上のグローブボックスの中に収容さ
れた円形ラングミュアトラフを膜圧縮のために使用し、
そして垂直浸＠装置によって転写を行う。約５０μＡの
溶液を約３０００２のトラフ領域上に塗布した。 約５分後、トルエンが蒸発してから、躾を膜圧約１０ダ
イン／ａＳに達するまで約０．０６〜約０．１５平方入
／分子／秒（約０．１２〜約０．３０ｍ２／秒）で圧縮
した。インジウム錫酸化物で被腐されたガラス基体を、
塗布に先だってクロム酸で清浄にし、蒸苗水で洗い、そ
れからサブ相中に垂直に挿入した。それから、基体を約
３．８μｍの定速度で引き取る間中、表面圧を約１０ダ
イン／αで一定に保った。Ｚ型付者が観察された。すな
わち、（４−ブチル）４Ｈ２ＰＣの単層がサブ相から各
引取り基体へ転写された６基体引取り後に氷表面を清浄
化し、そして新たな単層が塗布される前にその基体を再
挿入することによって各層が製造された。 実施例９ エレクトロクロミックイメージバーはインジウム錫酸化
物（ｌ Ｔ Ｏ） Ｔｉ極の直線アレイを用意し、そし
てエレクトロクロミック材料としてのルテチウムシフタ
ロジアニン［ＬＵ （ＰＣ）２ ］と共に前記７レイを
エレクトロクロミックセルに組み込むことによってｔＪ
造された。 製造プロセスの第一工程はエレクトロクロミックヒルの
脊面接触のアレイを構成する透明な導電性ＩＴＯ電極（
リード付き）の直線状アレイを製造することから成る。 ＩＴＯアレイは全体で２９４個のピクセル要素をもって
２５１ｍｍの長さにわたって５μ間隔で分離された８０
μ×８０μ四方のＩＴＯピクセルからなる。各ｆｉ１Ｍ
ピクセルはそれ自身のＩＴＯ導電体片によって接してい
るか、または駆動用電子装置に接続するｌｔＪ １０μ
のリードによって接している。 −−−プレート上のｌ ＴＯｆｌ［膜は約８０／口と測
定される。このアレイはエレクトロクロミックセルの有
向接触を構成する。 ＩＴＯアレイを製造するためには、２インチ×２インヂ
Ｘ １／１６インチのガラス基体の上に、りロム被膜か
らなる投影マスクがまず加工される。 このマスクパターンは電極アレイ用基体の上にマスクを
投影するのに１：１の投影光学系が使用されるように要
望のＩＴＯパターンと同一寸法のものである。このマス
クを加工するためには、チップウィックと呼ばれるゼロ
ックスソフトウェアパッケージを使用してゼロックス６
０８５■ワークステーシヨンの上に要望の電極パターン
がまず構図される。発生パターンは標準の５−１／４イ
ンチのフロッピーディスクの上に搭載されている。 それから、マスク製造は次のように行われる。 ２インチ×２インチＸ １／１６インチのガラス基体
の上の連続した真空蒸着クロム膜をエレクトロンレジス
トで被覆する。要望のコンピューター発生パターンを有
するフロッピーディスクはエレクトロンレジストを要望
パターンに従って電子ビームに露出させるためのコンピ
ューター制ｔｌｌ電子ビーム書込ユニットに装着される
。それから、レジストは現像されて電極パターンのネガ
であるレジストパターンを形成する。レジストによって
覆われていないクロム膜の領域は次いで酸性腐食剤に騙
すことによってエツチングされる。洗浄後、ＰＩＵ：Ｉ
ｋ雰囲気下でマスク全体を３００℃に３時開加熱するこ
とによって、レジスト自体は剥離される。このプロセス
によって、要望電極パターンのネガであるクロム膜バウ
ーンがガラス上に得られる。このプロセスによって製造
されるマスクは電極パターンを含有するフロッピーディ
スクをアベック・サイエンティフィック社（８０９１５
１０ラド州コロラドスプリングス、ノース・ウラテン・
ロード８１５）のようなマスクＶｆｆｉ業者に送ること
によって得ることができる。 それから、このクロムマスクは投影フォトリソグラフィ
ーに使用される。コーニング７０ｂＯガラスの２インチ
×２インチｘＯ，０４８インチのガラス基体をり１コム
酸で予備洗浄してから蒸留水で十分に洗う。乾燥後、ガ
ラス基体をボジノ１＼トレシスト・シップレイ（Ｓｈｉ
ｐｌｅｙ ） １４００でスピンコードする。それから
、このホトレジスト被膜を、１：１投影光学系を使用す
るパーキン−１ルマーφミクラリン（Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅ
ｌｍｃｒ Ｈｉｃａｌｉｏｎ ）走査投影プリンターで
、上記ネガマスクパターンに露出させる。ホトレジスト
の露出域はマスクの光照射域に相当する。次いで、これ
等領域はこの製造東名によって供給されるシップレイ・
ミクロポジット・レジスト現像剤の中で洗うことによっ
て基体から除去される。パーキン−エルマー・ミクラリ
ン走査投影プリンターの使用、このポジホトレジストの
使用、およびマイクロリソグラフィー法についてのこれ
以上の情報は一般にり、Ｆ、ｔ−ンプソンとＣ，Ｑ、ウ
ィルソンとＨ，Ｊ、ボーデン著の「イントロダクション
・ツー・マイクロリソグラフィー：セオリー・マテリア
ルズ・アンド・ブＯセツシング（Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉ
ｏｎ ｔｏ Ｈｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ： ｔ
ｈｅｏｒｙＨａｔｏｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｏ） Ｊ ＡＣＳシンポジウムシリーズ２１９（
ワシントン、１９８３）２０頁〜、および１０７貞〜に
開示されている。この開示は全体的に参考のために本願
明細山中に組み入れられる。こうして、上記ネガクロム
マスクに従って、ガラス基体上にネガホトレジストパタ
ーンが生成され、このパターンは１５０℃で３０分間ベ
ーキングすることによって硬化される。 それから、このホトレジストパターンはＩＴＯ電極アレ
イのスパッター付着に際して密着マスクとして作用する
。ＩＴＯはレジストマスクを介してガラス基体上に約１
５０ｎｉの厚さにスパーターされる。スパッタリングは
パーキンーエルマーランデックス（ｒａｎｄｅｘ）高周
波数ダイオードスパッタリングシステム・モデル３１４
０で行われる。 １丁０の６インチ直径円形ターゲットがバートンエルマ
ーによって使用され、それは酸化インジウム（９０％）
と酸化錫（１０％）からなる。次いて・、真空チャンバ
ーが５×１０−７トルの圧力に排気され、モしてｆＩＩ
Ｊ ’１１０されたアルゴンガス（９９，９９％）流が
背癩圧５０ミリトルになるように導入される。それから
、Ａｎｎ高周波ダグ０放電がターゲット電圧１３００Ｖ
およびパワー密度１．１ワツト／ｃ＃Ｉ２によって開始
され、それによって１００八／分の付着速度が得られる
。それから、ホトレジストおよびそれを覆うＩＴＯはシ
ップレイ・ホトレジスト・リムーバー（前記製造業者に
よって供給される溶剤）によって流除され、ガラス括体
上に所望のポジＩＴＯ電極パターンが残される。 次いで、この電極の直線上アレイを連続的かつ完全に覆
うように、１１ｎｂ ミルのポリエステルシートから機械的に裁断された密着
マスクを介して、ルデチウムジフタロシアニンの厚さ１
１００ｎの層が６英るつぼから真空蒸着される。それか
ら、このＬｕ （Ｐｃ）２層を有するエツチングされた
プレートから約０．５層ｍ離して、ＰＰＧインダストリ
ーズ（ピッツバーグ在）から商業的に入手できる２イン
チ×２インチ×１／１６インチのエツチングされていな
い１１’Ｏプレートを配置することによって、エレクト
ロクロミックセルを作Ｉ Ｔる。プレート間の０．５ｍ
の間隙をｐｌ＋１．２３の１．０モル塩化カリークム電
解質で充填する。液体電解質をその楊に保持するために
プレート間にスクィーズされた薄い円形ビトン（Ｖｉｔ
Ｏｎ ）ガスケットによってシールを構成する。エツチ
ングされたＩＴＯアレイのリードまたは導電体片はプレ
ートの端部で駆りＪ用型子機器に接続される。 、パルス発光キセ ノン円筒光源と狭バンドパスフィルターの組み合わせに
よって、約４６５ ｎ１１１の波長の光を得る。この光
を円筒レンズ系によってエレクトロクロミックセル上に
結像させる。セルを通過した光はそれからｂう一つの円
筒レンズを通って、約＋８００ボルトに予め帯電された
セレン先受容体トに到達−σる。エレクトロクロミック
セルの光透過は共通のス・１向電梅に比べて約＋５ボル
トの電位を作用電極に印加することでＬｕ （ＰＣ＞２
層の選択ｆＩ域を酸化させることによって遮断される。 １−ｕ（Ｐｃ）２９の酸化は４６５ｒｌＩ１１ノ光ノ高
吸収を生じさせるので、その領域では光がエレクトロク
ロミックセルを通過することが阻止される。従って、ヒ
ルを通過した光は像パターン状で光受容体に到達し、潜
像を形成する。前記寸法のイメージバーは光受容体に１
インチ条分だけ像形成する。 先に酸化されたイメージバー領域は次いで、Ｊ（通の対
向電極に比べて約−５ボルトを作用電極に印加すること
によって還元され、そうなると４６５ｎｍの波長の光が
エレクトロクロミックセルを通過することを可能にさせ
る。光受容体は回転し、それによってイメージバーに対
して移動１−る。光受容体の１回転後に、イメージバー
をビクはルアレイの良さ分（〜２５ｐｎＩＩｌ）だけス
テップさせる。 それから、新しい位置で光受容体の周面に像を書き込む
。１０回転とイメージバーの１０ステツプの俊には、隣
接する１インチ条の１０条分に像形成されている。これ
等条分はフルサイズ像を成す。 それから、最終像をトナ−３瓜同部とキャリヤ１００１
ｆｆｉ部からなる黒色現像剤で現像する。トナーはり一
ガル（Ｒｅａａｌ ） ３３００力−ボンブラツク９重
量部と、（スチレンが約５８ｍｍ％の世で ４存在し、
そしてｎ−ブチルメタクリレートが約４２重Ｍ％の量で
存在する）スチレン／ｎ−ブチルメタクリレート共重合
体９１重Ｍ部からなる。キャリヤは米国特許第３．５２
６．５３３号に開示されているように約０．６％の被［
１でメチルターポリマー（メチルメタクリレート、スチ
レン、トリオルガノシラン）を被覆されたスチールコア
からなる。この特許の開示は全体的に参考のために本願
明ｍ書中に組み入れられる。次いで、現像像は紙に転写
され、そして熱と圧力によって永久的に＠着され、黒白
像が得られる。各１インチ条につき２インチ／秒の書込
速度が達成され、その結果、０．２インチ／秒の全印刷
速度が１！７られる。 解像力は約１０本／調であり、そして光学１１１度は約
１．４であり、背景部付着は無い。 これ等実施例は例示であり、本発明の範囲を限定するも
のではない。当業者には、本発明のその他の態様も想起
されるようになろうが、それ等ら本発明の範囲に包含さ
れる。
、液晶材料が過渡状態に入るからである。透過性のため
の応答時間は約１ミリ秒である。同一シャッターによる
逐次消去スポットは駆ＦＩＪ電圧の瞬時再適用を要求す
る。 らう一つの特許、米国特許第４，３７５，６４７号（こ
の開示は全体的に参考のために本願明細と中に組み入れ
られる）には、カラーオリジナルが走査ステージコンを
通過していくような逐次ライン走査装置が開示されてい
る。この装置は光検出手段；オリジナルの一ライン毎の
通過によって、検出器に多数の離隔した色分解照射を生
じざＵるための照射手段；光検出各の色分解照射を制御
＋するための、走査ステーシミ１ンのピクセルと整合さ
れた、離隔的に賦活できるピクセル部分を有する光バル
ブアレイ；および、予め定められた一連のシーケンスで
、かつオリジナルの移動との時間的関係で７レイのピク
セル部分を賦活Ｊるための走査アドレス手段を包含する
。 さらに、米国特許用４．３７５．６４８号（この開示は
全体的に参考のために本願明＄１ＱｉＱ中に組み入れら
れる）には、電子的像形成のための高解像力の光バルブ
装置が開示されている。この装置は多数の部分ライン露
光の部分時間（５ｕｂｐｃｒｉｏｄ ）の間にエリア露
光領域を通過する、記録媒体のラインを高ピクセル解像
露光するための、エリア光バルブアレイを使用している
。この装置は簡素化の代わりにピクセルの高解像光学ア
ドレスを与える、光バルブデバイスの電気光学要素鼎お
よびア体的に参考のために本願用１１１ｍ中に組み入れ
られる）には、“電界によって光透過状態と光遮断状態
との閂で賦活されることができるＩｌｌ隔的にアドレス
可能なピクセルのラインを有する光バルブイメージング
装置が開示されている。この５Ａ置は光バルブ装置を電
気的にアドレスするための改善された４ｔ４造および方
法を有する。 さらに、米国特許用４，４４９．１５３号（その開示は
全体的に参考のために本願明細書中に組み入れられる）
は、光が直線状の光パルプアレイ上へ一様に導かれるよ
うな光バルブイメージング￥ｉ装置および方法に関して
おり、それは逐次ラインアドレス時間中に光を遮断また
は透過するように選択的に賦話すれるピクセル部分を包
含している。 この特許には、光バルブアレイを通る光の強度が各ライ
ンアドレス時間中に変調されるような改善されたグレー
スケール像形成方法が開示されている。さらに、米国特
許用４，４５８．９８９＠〈その開示は全体的に参考の
ために本願明細書中に組み入れられる）には、改善され
た′ｔｔｉ極配胃および改善されたアドレス制御を有す
る電気光学アドレス装置がＩ？ｉＪ示されている。第一
アドレス段階では、賦活用と非賦活用の参照電位が変調
器の第一と第二の隣接ピクセル部分にそれぞれ印加され
、その１ｍ、両ピクセル部分にアドレス信号電位が印加
される。第ニアドレス段階では、賦活用と非賦活用の参
照電位がそれぞれ第二と第一・のピクセル部分に選択的
に印加され、その間、両ピクセル部分に信号電位が印加
される。 もう一つの特許、米１月特許第４．５６０．９９４号（
この開示は全体的に参考のために本ａｆｔ ｉｌｌ ｌ
１１ｍ中に組み入れられる）には、電気光学要素と、？
！２敗の横軸に沿って光ビームを立体変調させるための
独立にアドレス可能な電極の二次元平面７レイとからな
る印刷用の二次元電気光学変調器が開示されている。こ
の変調器は電気光学ライン印刷や光学デイスプレィのよ
うな分野に有効である。 さらに、米国特許第３，４３９，１７４号（その開示は
参考のために全体的に本願明細書中に組み入れられる）
には、光像を半永久型の像に変換する像形成機構が開示
されている。像は望む限りの良い時間維持することがで
き、そしてこの機構は再使ｆｆＪ可能である。この機構
は電解プロセスを基本にしており、そして透明基体と、
透明電極と、透明光導電体と１．ｔＷｌ質層と、金属陽
穫を含む数廟のＷ４層サンドイッチ配置からなる。光像
は光導電性層上の対応金ｌ１ＩＩ＆の沈積によって変換
される。 また、米国特許用４．２５０．８７６号（この１１示は
参考のために全体的に本願用ｌｌ１１ｍ中に組み入れら
れる）には、電界が印加される複数の透明シートを使用
し、そして光導電性シー；へと液晶シートのような電気
的光学的活性シートを有する光増幅器が開本されている
。光導電性シートと液晶シートの間には格子部材が挿入
されており、グラビアデイスプレィが得られる。 本発明に使用されるようなエレクトロクロミック材料は
既知である。一般に、エレクトロタ１コミツク材料は少
なくとも二つの酸化状態を有しそれぞれの醇化状態で異
なる色を有するしのである。 この材料は電界の印加によって電子が除去される（酸化
）か又は付与される（還元）かしたときに一方の酸化状
態から他方の酸化状態ヘシフトする。 例えば、エレクトロクロミックデイスプレィは活性膜被
覆の上に電気化学的に誘発される色変化によって動作す
る。薄膜は導電性基体上に付着されており、電気化学的
セルにおける電極として使用され、それは還元または酸
化されることができる。 この膜は印加電圧の大きさおよび極性に依存づる可逆的
色変化特性を有する。 エレクトロク［」ミックおよび電気光学デバイスも取卸
である。例えば、米国特許用３．５２１゜９４１号には
、二つの導電性透明電極の間にはさまれた、持続的エレ
クトロクロミズムを示寸遷移金属化合物の層と、絶縁層
とからなる電気光学デバイスが開示されている。印加さ
れる電界の極性を制御すると、デバイスに発色と潤色が
起こる。 この特許に開示されたデバイスは電極−エレクトロクロ
ミック層り゛ンドイッチに絶縁層を追加したことによっ
て従来の装置よりも改善されている。 この絶縁層は電界の印加によるエレクトロクロミック装
置の迅速変化と、元の状態への迅速復帰を可能にする。 エレクトロクロミック層は電界の除去後にも、その初期
状態に瞬時に戻るかわりに、変化した状態にある吸収状
態を維持する能力を持つ電気的に絶縁性のまたは半１ｔ
、ｆ性の材料からなってもよい。 類似のエレクトロクロミック装置が米国特許用３．９８
６．７７１’ｊに開示されている。この特許には、導電
性透明電極の間にはさまれたエレクトＩ」クロミック層
と光′市性層からなる、Ａ゛リジナル光像記憶および再
生を可能にする装置が教示されている。この装置はエレ
クトロク［１ミツク材料からなる情報記憶媒体上に情報
を繰り返し記憶し消去することを可能にする。さらに、
この装置は記憶媒体上にオリジナル像を投射する手段を
有してあり、かつ、記憶媒体上に昌積された像を複写り
るように感光性材料上に投射することも可能である。消
去または追加によって、オリジナル像の自由な改造また
は編集も可能である。 米国特許用４，４７９．１２１号には、コンスタントな
色濃度を維持する能力を有するルりｌ−ロクロミックデ
ィスプレイ装置が開示されている。 この装置は電解質に接触している第一・の基体上に多数
のデイスプレィレグメン１〜を有し、電解質は第二のサ
ンドイッチ用基体の表面上の対向主権（ｃｏｕｎｔｅｒ
ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）に接触している。各デイスプレィ
セグメントはデイスプレィしグメントによって保持され
る？ｈ界のｈｌに依存して着色状態または潤色状態のど
ららかを示すエレクトロクロミック層によって覆われた
透明電極からなる。今回のデイスプレィ状態における発
色用電荷量と次回のデイスプレィ状態における電荷潰と
の闇の差異を補償する、デイスプレィセグメントへの電
荷の注入またはデイスプレィセグメントからの電荷の抽
出によって、色濃度は一定に維持される。 さらに別の特許、米国特許用４．１１０．０１４号には
、マイクロ画像の形態で記憶された情報をデイスプレィ
するための、かつ−アレビジ」ン信号のような時系列情
報を提示し記録するための装置が開示されている。スイ
ッチング装置は多数の透明な導電性ストリップに接続さ
れており、それ等導電性ストリップは各々がそれ独自の
電界を確保するように互いに分離されている。この装置
は透明導電性アドレッサ−ストリップ群の二つの平面状
のＸとＹの組の間にはさまれた電気光学シートと光導゛
重性シーｉ−を包含する。Ｘアドレッサ−ストリップ群
はＹアドレッ丈−ストリップ群に直角に配置されている
。平列モードの操作では、各組のアドレッサ−ストリッ
プ群は同じ電界で運転され、そしてＸ電極とＹ電極の間
には均一な電界が維持される。直列モードの操作では、
電気光学シートは電界を局所的に印加されたときに光学
的性質の変化を受ける。ＸとＹのアデレッナー回路はテ
レビジョン受像システムのような通常の直列の情報を源
に接続されている。連続情報は装置の光導電体を一様露
光しぞしてアドレッサ−ストリップを使用して電気光学
層に酸パターンを形成することによって記録できる。 米国特許用４．２２９．０９５号には、感色性の像形成
層（単数または複数）の多数の離隔した画素またはビク
レルを１４時に像様露光りる電気光学カラー像形成装置
が開示されている。この装置は光導電性粒子の多色混合
物またはその他の感色性の像形成層と共に使用するのに
適しており、このｉ置は像形成層の多数の画素をそれぞ
れに、形成されるべき像の色内容に従った様々な色の光
パルスに同時に曝すような多数の別々にアドレス可能な
電気光学的照射手段からなる。 別の刊行物、米国特許箱３，５８９．８９６号には、エ
レクトロクロミック材料と光導電性材料を使用する電気
光学製品が開示されている。このデバイスは電算機派生
デイスプレィ応用のために使用Ｊることができるように
、光ＶＪ電性材料の追加層と共に、電也問にはさまれた
エレクトロクロミック材料からなる。この追加層は受け
た衝撃によって導電性が誘発される材料（ｓｕｓｔａｉ
ｎｅｔｉｂｏｍｂａｒｄｎ＋ｃｎｔ １ｎｄｕｃｅｄ
ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ＋ｎａｔｅｒｉａｌ ）す
なわち５ＢＩＣ材料からなり、この材料は光導電体と同
類であるが、電子ビーム励起にも感受性である。 さらに、米国特許箱３，７０８，２２０号には、窓やデ
ータデイスプレィ装置やその他の品目による可視および
赤外線の吸収を制御Ｉｌするのに有効な電気光学デバイ
スが開示されている。このデバイスは１対の電極の間に
、半固体の高導電性硫酸ゲル電解質によって分離された
濫移金屈エレクトロク１コミツク化合物の２層の同一層
を有している。 さらに、米国特許箱３．８４０．２８８号には、順に、
透明導電性電極、エレクトロクロミック層、イオン浸透
性絶縁層、電気触媒層、スポンジ材料、および任意的に
トップ電極を含んでいてもよい、からなる積層構造を有
するエレクトロタ０ミツク装置が開示されている。この
装置は全固体デイスプレィを可能にし、そして電気触媒
層中の原子または分子のイオン化によって第一吸収状態
から第二状態に変化することができ、その結果、可逆性
の色変化が冑られる。 米国特許箱４．２９７．６９５号には、エレクトロクロ
ミック材料に局部色変化を生じさせるのに十分な信号の
電位を有する第一および第二主権マトリックスアドレス
手段に電気信号を選択的に印加することによって操作さ
れるエレクトＬ】クロミックデイスプレィ装置が開示さ
れている。色変化は第一マトリックスによって付与され
る短い「露出」パルス（このパルスは発色のために必要
なしきい値より上の電位を有するが、発色を起こさせる
のには不十分な電荷を有している）と、その後に第二マ
トリックスによって付与される第二の長い「現像」パル
ス（このパルスは発色しぎい電位より低い）とによって
行われる。 ざらに、米国特許箱４．４２６，６４３号には、書込ま
たは消去操作のポテンショスタティック制御を用いるタ
イプのエレクトロクロミックデイスプレィのような参照
電極を使用する電解装置が開示されている。この装置は
電源または書込電流への電極の断続的接続によって予め
定められた陽のエレクトロクロミック材料またはその他
の電着性材料が維持または補充される少なくとも一つの
電極を右する。この特許によれば、このタイプの被覆さ
れた参照電極は溶液との関係で安定した電位を有してお
り、このことはポテンショスタティック制御のために必
要である。 従来の装置および方法はそれぞれの意図した目的のため
には適する。しかし、単色像の形成のために光受容体の
選択領域を完全に放電させることができるか、又は、二
色以上の像形成のために単一バスで光受容体の放電レベ
ルを変調させることができる（それにより、得られる電
圧レベルは異なる色のトナーで選択的に現像される）か
のどららかである、シャッター型イメージバーに対する
要求が存在する。また、光受容体上に多色または完全色
の像を書込むことができる多色スイッチング能力を有す
るイメージバーに対する要求ら存在する。この受容体は
露光用の光の色に依存して様様なレベルの電位に放電す
るということで色選択性を有する。さらに、単一の活性
材料をもって多色スイッチング能力を有するイメージバ
ーに対する要求も存在する。さらに、ＤＣ電圧で操作す
ることができるイメージバーに対する要求ら存在する。 それによって、簡単な駆動回路を有Ｊることができる。 さらに、像の＾速形成を［ｉＴ能にするために迅速スイ
ッチング時間を有′するイメージバーに対する要求が存
在する。また、低コスト、低スイッチングエネルギー、
および高コントラストの像を提供しながら低電圧要求を
有するイメージバ−に対する要求も存在する。さらに、
独立にアドレス可能なピクセルが発色状態を維持するの
に、その必要な状態にスイッチングされた後では継続し
て電界を印加することを必要としないような、イメージ
バーに対する要求が存在する。それによって、液晶イメ
ージバーを含ｉするデバイスに比べて低いエネルギー消
′ｆ１要求を有するデバイスが提供される。 発明の概要 本発明の目的は電子写真像の形成に使用するための、Ｅ
記の諸々の利点を有するイメージバーを提供することで
ある。 本発明のこれ等、１１３よびその他の［１的は、電場の
選択的適用によって光透過性と部分光透過性と非光透過
性の波長の間で賦活可能な複数の離隔した独立にアドレ
ス可能なピクセル部分をもった直線状の光バルブアレイ
からなるイメージバーであって、前記ピクセル部分が、
順に、第一透明基体：前記透明基体に接触しており、か
つ可変電流可変電圧源に接続している、透明電極：ｉｙ
Ｉ記透明電極に接触しているエレクトロクロミッタ月料
からなるＡｌ股；前記薄膜に接触し１いる透明電界質材
料；前記透明電界質材料に接触しており、かつ前記・可
変電流０■変電圧源に接続している対向電極；Ｊ３よび
第二基体からなる、前記イメージバーを提供することに
よって達成される。 好ましい態様の■細 第１図には、エレクトロクロミッグイメージパー１２を
利用する本発明に従って配列されたｉｆｔ ’ｆ’写真
プリンター１０が図解されている。プリンター１０は無
端ベルトの形態の光導電性部材１４が通過する一連のプ
ロレスステーションを包含する。 好ましい態様は無端ベルト構造の光導電性部材で表現さ
れているが、円筒ドラムのようなその伯の様々な構造（
図示されていない）も使用できる。 潜像を形成するイメージングステーション１３から始ま
って、光導電性部材１４は矢印１５の方向へ、ローラー
２５．２６．および２７に沿って進み、現像ステーショ
ン１６、転写ステーシミ１ン１８、清掃ステーション２
０、消去ランプ２２、および、イメージングステーシコ
ンに戻る前の予備帯電用コロナ発生Ｖ！Ａ２４を通過す
る。少なくとも一個のガイドローラーは光導電性部材に
適切な緊張力を維持させるために、かつ光導電性部材１
４をそれが徐々に動いたり又はガイドローラーから「は
ずれ」たすしないように操縦するために、調節可能であ
る。この調節可能なローラー（これは好ましい態様にお
いてはローラー２７である）はベルトトラッキングの従
来技術において周知の手段によって自動的に操縦できる
。 現像ステージシン１６では、ホッパー１９の中に収容さ
れた回転磁気ブラシまたはパドルホイール１７は光導電
性部材１４がガイドローラー２５のまわりを移動ザると
きにトナー粒子２１を光導電性部材の表面に提供する。 トナー粒子２１は摩擦帯電技術によって又はコロナ発生
器（図示されていない）によって又はそれ等両方によっ
て、周知の手段によって、光導電性部材上にコロナ発生
器２４によって置かれた電荷の極性とは反対の極性に帯
電されている。トを一粒子はイメージングステーション
の光導電性部材上に記録された静電ｔｌＧｌによって引
き付けられて保持されるので、潜像を現像して可視イヒ
す°る。現像された像は転写ステーション１８で、紙の
ような恒久的Ｈ料２８へ転写される。現像像が転写され
た後に、光導電性部材は清掃ステーション２０に進み、
そこで残（Ｙイトナー粒子が除去される。 現像像は転写ステーション１８で紙へ静電転写される。 紙は供給ロール２９によって供給され、駆動［１−ル３
０によって転写ステーション中を引っ張られ、そして駆
動ロール３４によってトナー粒子融若ステーション３２
中を引っ張られ、そこで現像像は熱と圧力を現像像に適
用する融着ロール３３のような周知の手段によって永久
的に紙に定着される。ガイドローラー２６のところて°
紙を光導電性部材と密着状態に維持するために一対のア
イドラーローラー３１が配置されており、その密着状態
の間に、転写コロナ発生１５３６は紙の背面に帯電トを
一粒子の極性とは反対の極性の電荷を置く。現像像の紙
への転写を容易にするために、コロナ発生器３６からの
電荷の大きさは静電潜像の電荷より大きい。この静電転
写技術は多数の多様性をもって既に十分に確立されてい
る。 カッターアセンブリー３８は定着像を有する紙２８を切
断して個々のシートにし、紙は矢印３７の方向に移動し
、そしてプリンター１０から集積トレーまたはソーター
（図示されていない）の中へ排出される。 現像像の転写後に、光導電性部材１４は紙に転写されな
かった残留トナー粒子を除去する清局ステーション２０
を通過する。ヂャンバ−４０の中に収容された柔らかい
回転ブラシ３９は残留トナーを光導電性部材１４から除
去する。ブラシ３９からトナー粒子を除去するためには
、電気的にバイアスされた単一の導電性ロール４１が使
用される柔らかいブラシからのトナー粒子の除去を助け
るために通常の７リツカーバー（図示されていない）が
配置されており、そしてバイアスロール４１上にドクタ
ーブレード４２が使用されていてトナー粒子をロールか
ら回収トレー４３の中へ掻き落とすので、望むならば回
収トナー粒子は再使用できる。 イメージングステーションはここでさらに十分に論じら
れるエレクトロクロミックイメージパー１２を照射する
光源４４および反射体４５を含む。 イメージバーを選択的に通過した光はレンズ手段４６に
よって結像される。レンズ手段は一個または一個以上の
シングルレンズ、セルホツクレツズ系、またはファイバ
ーレンズを組み合わされた複数の小型レンズであっても
よい。イメージバーは像背景部を消去すなわち放電する
ことによって一度に静電潜像を一列形成するように選択
的に光を通過させる。イメージバーはイメージバーの一
方の基体の上の複数電極に選択的に電圧を印加すること
によって作動される一列のドツトシャッターによって構
成される。電路５１を介して、電子制御１機またはマイ
クロコンピュータ−５０は電荷結合デバイス（ＣＯＤ）
５２のような走査手段からのデジタルデータにまたはプ
リンター１０の外源例えば文字発生機やコンピューター
やデータを記憶し取出すその他手段からのデジタルデー
タに応答して適切な電極を賦勢する。走査ＣＯＤが使用
される場合には、それは透明固定プラテン５５の上に置
かれた静止文書５４から一度に一列の情報を走査する。 リアルタイムの像形成が起こるべき場合には、矢印５３
の方向へのＣＯＤ走査速度は光導電性部材の速度と実質
的に同じである。そうでない場合には、文書のデジタル
化されたデータを記憶させる手段が電子制御機の中に含
有されなければならないであろう。 第２図には、本発明のイメージバーおよび像形成システ
ムについての一つの可能なＶ４造が示されており、そこ
では２個のピクセルまたはドツトシャッターの断面が示
されている。一般に約１／１６インチ〜約１／４インチ
の厚さを有する透明基体１および３はそれ等の間に１１
数の透明電橋５および７と、単一の透明な対向電極９を
含有している。 電橋は一般に約０．１μ〜約１０μである。電橋５およ
び７の各々の上には、約０．０５〜約１．０μの厚さを
有し、そして遷移金属錯体やフタロシアニンやアントラ
キノンやその伯の適切な材料のようなエレクトロクロミ
ック材料からなる薄膜１１および１３が含有されている
。 電極５および７と対向電極９との間に１よ、ノツ化カル
シウムのような固体材料であってもよいし又は塩化カリ
ウムの水溶液のような液体材料であってもよい透明なＫ
ｖ！Ｉ質材料１５が配置されている。液体電解質はガス
ケット（図示されていない）によってその場に保持され
る。電橋５および７は独立にスイッチング可能であり、
従って、第２図にはワイＡ／２９および３０によって可
変電圧／電流源またはドライバー８の２個のそれぞれ独
立したアットプツトに接続されるべく図示されている。 ドライバーは一般に約−１０ボルト〜約ト１０ボルトを
生じることができる。電橋５、電極７、および対向電極
９はいずれし【■変電圧可変電流のドライバー８に接続
されている。２９および３０における可変電圧は、第２
図に示されているようにワイヤ１ｏによってドライバー
８に接続されている共通対向電極との相対で適用される
。操作中、電極５および７の各々は電極５および７と対
向電極９との間に所望の電圧および電流を印加するよう
に独立にアドレスされるので、各薄膜１１および１３は
所望の酸化状態になる。キセノンランプ（図示されてい
ない）のような光源手段からの白色光（第２図では矢印
２１によって示されている）は透明基体１および透明電
極５おにび７を通過し、そして薄膜１１および１３によ
って選択的に透過される。本発明のこの具体的態様にお
いて示されているように、薄膜１１は、酸化状態の一つ
が赤色を有しており、ぞしてｎ２を通過できる赤色光以
外の可視スペクトルの全ての部分からの光を除くような
材料である。同様に、薄膜１３Ｇ、［＋膜１１の材料と
同じ材料からなり、そしてその材料のもう一つの酸化状
態にあり、例えば、青色を有しており、膜を通過できる
青色光以外の可視スペクトルの全での部分からの光を除
く。かかる材料の例はポリ−３−メヂルチオフエンであ
り、それはその還元された状態では赤色であり、そして
その酸化された状態では青色である。矢印２３によって
示される赤色光と、矢印２５によって示される青色光は
透明電解質１５、透明対向電極９、および透明基体３を
通過し、そして光受容体２７のｖＡ域を放電させる。 第３図には、本発明のイメージバーおよび像形成システ
ムについての別の可能な構成が図解されており、そこで
はイメージバーは第２図に示されたｉＩｉにおいて透過
光が遮断されたのとは反対に、反射光を遮断する。透Ｉ
ｌｌ基体２１と椿体２３との間にｔよ多数の透明電極２
５および２７と、単一の対向電極２９とが含有されてい
る。対向電＆２９はこの態様にａ３いては透明であるべ
き℃なく、むしろ高反射性であるべきであり、白金のよ
うな材料から成ってもよい。電極２５および２７の各々
の上には、約０．０５〜約１．０μのＶさを有し、かつ
遷移金属錯体やフタロシアニンやアントラキノンやその
他の適切な材料のようなエレクトロクロミック材料から
なる薄膜が含有されている。 電ｌ４ｉ２５おにび２７と対向電極２９との間には、フ
ッ化カルシウムのような固体材料または塩化カリウムの
水溶液のような液体材料どちらであってもよい透明電解
質材料が配置されている。電極２５および２７はそれぞ
れ独立にスイッチング【可能であり、従って第３図には
ワイヤ４９Ｊ３よび５゜を介して可変電圧／゛市流源ま
たはドライバー２６の２個の独立したアウトプットに接
ＶＣされるべく示されている。可変アラミルプツトは第
３図に示されているようにワイｒ２８を介してドライバ
ー２６に接続されている共通対向電極２９との相対で適
用される。操作においては、電極２５および２７の各々
は各薄膜３１および３３が所望の酸化状態になるように
電極２５および２７と対向電極２９との間に所望の電圧
および電流を印加Ｊ−るように独立にアドレスされる。 キレノンランプ（図示されていない）のような光源手段
からの白色光（第３図では矢印４１にょっＣ表わされて
いる）は半ミラー４５を、そして透明基体２１を通過す
る。半ミラー４５は白色光４１に対して４５度の角度に
配置されており、そして、光をいくらが通過さぼること
ができ、かつ光を反射する材料からなる。例えば、半ミ
ラー４５は一方の表面上に厚さ約１００人のアルミニウ
ムの薄層を與空蒸着されているガラスから構成されても
よい。入射白色光４１の一部は半ミラーによってド方に
反射され（図示されていない）で失われる。半ミラー４
５を透過した白色光はそれから透明電極２５Ｊ３よび２
７を通過する。本発明のこの具体的態様にａＪいて示さ
れているように、薄膜３１は、その一つの酸化状態で赤
色を有しており、そして矢印３２によって表わされてい
るように膜を通過できる赤色光以外の可視スペクトルの
全ての部分からの光を除くような材料である。同様に、
ａ膜３３は薄膜３１と同じ材料からなり、そしてそのも
う一つの酸化状態にあり、例えば、それは青色を有して
Ｊ３す、そして矢印３４によって表わされているように
膜を通過できる青色光以外の可視スペクトルの全ての部
分からの光を除く。白金対向電也２９は高反射性であり
、そして簿膜３１および３３によって透過された赤色お
よび青色の光を反射しそれぞれ膜３１および３３に逆戻
りさせる。薄膜３１は赤色光だけを透過するので、反射
された赤色光はｇ１３１および電極２５並びに透明基体
２１を再度通過して半ミラー４５の方へ向かう。同様に
、＠１１９３３は青色光だけを透過するので、白金対向
′：ｆＸ極２９から反射された青色光は薄膜３３並びに
電極２７および透明基体２１を再度通過して半ミラー４
５の方へ向かう。赤色光および青色光の領域は半ミラー
４５によって反射された光受容体４７上にあたる。右側
から半ミラー４５に入（ト）した青色および赤色の光の
−・部は反射ミラー４５によって反射されるかわりに透
過して光源の方へ戻る（図示されていない）。光受容体
４７上に入射した赤色光〇よび青色光の領域は光受容体
４７のそれら領域を様々な度合に放電さＶる。光受容体
４７の上の赤色域と青色域の相対的放電は光受容体４７
の固有色選択性および感度に依存する。光受容体４７上
の得られた様々な電圧レベルは異なる色のトナーによっ
て選択的に現像されてハイライトカラーまたはフルカラ
ーの像を生成することができる。 第４図には、本発明のイメージバーおよび像形成システ
ムについてのさらに別の可能な槙成が図解されており、
そこでは、２個のピクセルまたはドットシ１１ツタ−の
断面が示されている。透明基体３１と３３の間には多数
の透明電極３５および３７と単一の透明対向電極３９が
含有されている。 電極３５および３７の各々は、約０．０５〜約１．０μ
の厚さを有してａ３す、かつ遷移金属やフタロシアニン
やアン１へラキノンやその他の適切な材料のＪ−うなエ
レクトロクロミック４４利からなる単一の連続付着した
ｉｔｕ Ｉｔ美４１と接触している。電！４３５および
３７と対向電極３９との間には、フッ化カルシウムのよ
うな固体材料または塩化カリウムの水溶液のような液体
材料どちらでもにい透明な゛電解質材料４５が配置され
ており、液体電界負はガスケット（図示されていない）
によってその場に保持される。電極３５および３７はそ
れぞれ独立にスイッチング可能であり、従って第４図に
はワイヤ４８および５０を介して角変電圧／電流源また
はドライバー３６の２個のそれぞれ独立したアウトプッ
トに接続されるべく示されている。 可変アウトプットは第４図に示されているようにワイヤ
３８を介してドライバー３６に接続されている共通対向
電極３９との相対で適用される。操作においては、電極
３５および３７の各々は薄膜４１がｆｆｆ極３５ａ３よ
び３７の領域において所望の酸化状態にあるようにｒｔ
ｉＶ７Ａ３５ Ｊ３よび３７と対向電極３９との間に所
望の電圧および°Ｍ流を印加するように個別にアドレス
される。キセノンランプのような光源（図示されていな
い）からの白色光（第４図では矢印５１で表わされてい
る）は透明基体３１を、そして透明電極３５ ｊ−３よ
び３７を通過し、そして薄膜４１によって選択的に遮光
される５１本発明のこの具体的態様において示されてい
るように、電極３５の領域では、Ｎ膜４１は赤色を有し
ており、そして矢印４２によって示されているように膜
を通過できる赤色光以外の可視スペクトルの全ての部分
からの光を除く。同様に、電極３７の領域においては、
薄膜４１は青色を有しており、そして矢印４４ににつて
示されているように膜を通過できる青色光以外のｎＪ視
スベクｌ−ルの全ての部分からの光を除く。赤色光４２
と青色光４４は透明電解質４５、透明対向電極３９、お
にび透明基体３３を通過し、そして光受容体４７の領域
を放電させる。 第２図、第３図、および第４図に図解されている本発明
の態様に使用される光受容体は既知の多数の光受容体の
一つ、例えば、可どう性ベルトの形態の積層型有機像形
成部材、または、レレン、しレン／ヒ素合金、セレン／
テルル合金、セレン／ヒ素／テルルやセレン／ヒ素／ビ
スマスやレレン／ヒ素／アンヂレンなどのような三元合
金のような材料の無機ドラム光受容体であってもよい。 黒磯材料はまた塩素を含めてハロゲンのような物質が約
１０〜約５００１）ｌ）Ｉｌｌのような怜でドープされ
ていてもよい。適する光受容体の具体例は米国特許第４
．２６５．９９０号に記載されており、この特許の開示
は全体的に参考のために本願明細書中に組み入れられる
。像形成プロセス中に、完成像を形成するためにイメー
ジバーと光受容体は−ライン毎に互いに関連をもって駆
動される。イメージバーを静止させて、光受容体を移動
させることが好ましいが、光受容体を静止ざぜて、イメ
ージバーを移動させるか、又はイメージバーと光受容体
の両方を移動させてもよい。 第５図には、本発明のイメージバーにおける電極をアド
レスするための多ｍｍ造の可能な一例が図解されている
。この具体的態様における電極８１はイメージバーにお
けるピクセルの各列において１インチ当たり約２００〜
約２０００個の槍で、かつ約１〜５列のピクセルの列で
存在する。各列における各ｌＨ４１８１はローカルスイ
ッチとして作用する各ピクセルのコーナーに示されてい
る隣接薄膜トランジスター９５の手段によって、第５図
に８３および８５として表わされている一個のゲートラ
インに接続され、かつ第５図に８７．８９゜９１、およ
び９３で表わされている一個の電源ラインに接続されて
いる。トランジスターはアモルファスシリコンのような
材料や、大面積の集積素子を製造し易いその他の材料か
ら製造されてもよい。アモルファスシリコンの薄膜トラ
ンジスターの製造は、１１．ｃ、Ｔｕａｎ、 Ｍａｔ、
Ｒｃｓ、Ｓｏｃ、Ｓｙ＋＋ｐ、Ｐｒｏｃｖｏｌ、３３．
ｐ、２４７−２５７（Ｅｌｓｅｖｉｅｒ、 １９８４
）；Ｈ，Ｃ，Ｔｕａｎｅｔ ａｌ、、Ｔ［ＥＥ ｃ＋ｅ
ｃｔｒｏｎ ＤｅＶｉＣＯｔｅｔｔｅｒｓ、 ＶＯｌ、
３ｎｏ、１２． ｐ、３５７−３５９（１９８２）、
Ｈ，Ｊ、Ｔｈｏｍｐｓｏｎ 。 Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃｉ、Ｔｅｃｈｎｏｌ、Ｂ２（４）、
ｐ、８２７−８３４（１９８４）に、にａｔｏｈ ａｔ
ａｌ、、 Ｈｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、
ｖｏｌ、１８ｎｏ、１４． Ｄ、５９９−６００（
１９８２）；Ｐ、Ｇ、ＬｅＣｏｍｂｅｒ ｅｔ ａ
ｌＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ｖｏ
ｌ、１５ ｎｏ、６ ｐ、１７９−１８１（１９７
９）；１１．ｌＩａｙａｍａ ｅｔ ａｔ、、 Ａｐｐ
ｌ、Ｐｈｙｓ、ＬａＬｔｖｏｌ、３６． ｎｏ、９．
Ｄ、７５４−７５５（１９８０）：Ｈ，Ｊ、ＰＯＷＱＩ
Ｉ ｅｔａｔ、、 ＡＩ）１１１．ＰｈＶｓ、Ｌｅｔ
ｔ、、 ＶＯｌ、３８． ｎｏ、１０． Ｉ）、
７９４−７９５（１９８１）；＾、Ｊ、 ５ｎｅｌｌ
ｅｔ ａｔ、、 Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、 ｖ。 ２４、 ｐ、３５７−３６２（１９８１）・およびＨ，
ＹａｌｌａｎＯｅｔ ａｔ。 Ｊａｐａｎ Ｄｉｓｐｌａｙ ’８３（Ｉｎｔｅｒｎ
ａ口ｏｎａｌ ＤｉｓｐｌａｙＲｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏ
ｎｆｅｒｅｎｃｅ ３ｒｄ、 Ｊａｐａｎ：１９８３
年１０月）に開示されている。 多重アレイにおいては、ドライバーは独立した可変電圧
および可変電流のアウトプットからなる。 電源ライン８７．８９．９１、および９３は可変電圧お
よび電流のこれ等独立のアウトプットに接続されている
。ドライバーはまた、独立のスイッチング用または権能
付与用のアウトプットからなる。ゲートライン８３およ
び８５は独立のスイッチング用またはゲート操作用のア
ウトプットに接続されている。与えられた列における全
てのトランジスターはその列と組み合わされたゲートラ
インに必要な電圧および電流を印加することによって権
能付与される；その他の全ての列のトランジスターはオ
フに保たれる。その列の各トランジスターはそれから、
その特定のトランジスターと組み合わされた電源ライン
に適切な電圧および電流を印加することによって独立に
賦活される。各ピクセルはその対応するトランジスター
のトレインに接続されているので、そのピクセルは適切
な電圧および電流を授与され、そして所望の色に切り換
わる。各ピクセルの切り換わる色は各ピクセルに印加さ
れた電圧レベルによって決まる。発色の強度はピクセル
に配給される全電流によって決まる。電源に配給される
電Ｆ［および電流を制御することによって、各ピクセル
の色は制御できる。 本発明のイメージバーは、多数の列のピクセルおよび第
５図に示されているような多重構成を有するのではなく
、−列のピクセルを有するらのであってもよい。多重は
必ずしも必要ではない；各ピクセルはそれに接続した単
一のリード線だ【）を必要とし、そしてローカル薄膜ト
ランジスタースイッチは必要ない。やはり、発色の色お
よび強度は電圧／電流源によって制御される。 本発明のイメージバーは、電子写真像形成装置の中に存
在する場合には、光導電体上で複写されるべき文書の巾
より大きい、またはその１［］と同じ、またはその巾よ
り小さい巾を有していてもよい。 イメージバーの良さが複写されるべき文書の１１１より
大きい場合には、文書の巾を越す領域の光導電体は作成
されるコピーのまわりの境界の現像を防止するために、
像形成システムが光導電体の露光部または非露光部を現
像するかどうかに依存して、それ等領域に対応するイメ
ージバーのピクセルを光の通過を許ずか又は阻止するか
どちらかになるように選択的にアドレスすることによっ
て、露光されてもよいし又は露光を阻止されてもよい。 イメージバーが複写されるべき文書の巾に等しいＩ（さ
を有する場合には、イメージバーは像形成装置内で静止
されたままであってもよく、そして像の各領域を光導電
体上に再生するときに光受容体がイメージングバーに対
して移動させられる。イメージバーの長さが複写される
べき文書の１］より小さい場合には、イメージバーと光
受容体の両方が像形成装置内を移動し、イメージバーは
光受容体の移動方向に対し一’ＣＮ交方向に移動する。 本発明のイメージングバーの中に存在するピクセルの数
に関して述べる。イメージバーの１にざに沿って延びる
ピクセルの列は１インチ当たり約２００〜約２０００１
Ｕのピクセル、好ましくは１インチ当たり約３００〜約
１２００個のピクセルを含有する。イメージバーは少な
くとも一列のピクセルを有し、そして−列のみのピクセ
ルを有するイメージバーによって可能な解像力より高い
ＰＭ像力の像を形成できるようにするためには、−列よ
り多い列を好ましくはジグザグ構造で有する。追加の列
のピクセルはまた光受容体上の潜像のより迅速な形成し
可能にり゛るが、−列のピクセルを右するイメージバー
のために必要とされる−６のより複雑な駆動回路を必要
とづる。 本発明のイメージバーの第一基体のためには、ガラス、
プラスチック、ポリエステル、石英などのような適切な
透明ｖＵ料が使用できる。但し、その材料はイメージバ
ーの操作中に生じる電界の存在下で安定であり、電解質
４１１３１によって攻撃を受けず、かつイメージバーの
操作中に生じる熱の下で寸法安定性であることを条件と
１６゜第二基体もこれ等材料から成ってらよいが、第二
基体は透明である必要がない。透明電極はＳｎＯ２、Ｉ
ｎ Ｏ、Ｓｂ Ｏ、これ等の混合物や、Ｃｕｌ、Ａｏｌ
、これ等の混合物のような適切な材料のどれから成って
もよい。但し、その材料はイメージバーの操作中の酸化
および還元に対して安定であり、電解質材料によって攻
撃を受けず、基体に対して良好な接着性を有し、かつイ
メージバーの操作中に生じる熱の下で化学的および寸法
的に安定であることを条件とする。対向主権および第二
基体が透明である必要のない第３図によって表わされる
本発明の１ぶ様のためには、対向電極（ユ白金、金、チ
タン、ジルコニウム、銅、クロムなどのような材料のど
れであってもよく、好ましくは、白金または金であり、
そして第二基体は石英、プラスチック、ポリエステル、
アルミニウムなどのような材料から成ってもよい。電極
材料は真空蒸着、化学蒸着、スパッタリングなどのよう
な適切な方法によって基体上に１４着される。第５図に
図解されているＪ：うにイメージバーの各ピクセルを個
別にアドレスするために使用されるしののような薄膜１
〜ランシスターはアモルファスシリコンや、大面積の集
積デバイスを製造し易いその他材料から成ってもよい。 イメージバーはしばしば少なくとも完全ページ１］の大
きさを右するので、薄膜トランジスタースイッチは一般
にこのサイズの基体上に形成される。一般に、アモルフ
ァスシリコン技術はこのサイズのスイッチのアレイを製
造するための最も経演的な方法をもたらすが、このサイ
ズの単結晶シリコンやヒ化ガリウムチップも有効である
。 第４図に図解されている本発明の態様は、そこに示され
ているように、イメージバーの丁度曲面に配置されイメ
ージバーの全長を走査する半ミラーを包含している。半
ミラー（よ白色光ビームの方向に対して約４５Ｕの角度
で、かつ光受容体の面に対しても約４５度の角度で配置
されている。ミラーはイメージバーに最ム近い側のミラ
ー面上に蒸上された半透明のアルミニウムまたは金被膜
を有する平１■なガラスまたは石英プレートから成るこ
とができる。 本発明のイメージバーの電極間に配置されている電解質
は電流がこの系の中を流れることを可能にし、そしてエ
レクトロクロミック膜が酸化状態に変化を受けるとぎに
エレクトロクロミック膜中に生じる電荷の変化をバラン
スさぼる対電荷（ｃｏｕｎｔｃｒｃｈａｒｃ＋ｅ ）を
提供する。この電解性材料はＣａＦ ５ＺｒＯ、Ｔａ
２０５、ＴｉＯ２、β−Ａｔ Ｏ、Ｃｕｔ、ＡＣＩ
ＩＫＣＪ、ＮａＣｊ！、ｓｎｏ 、ｌ ｎ２０３ 、
Ｓｂ２０３、Ｌ ｉ Ｆ、ＭｏＦ３などのような固体で
あってもよく、この固体は真空蒸も、化学蒸石、スパッ
タリングなどのような手段によって透明層の状態で形成
される。また、電解質材料はナショナル・スターチ・ア
ンド・ケミカル・カンパニーから人手できるベルサ（Ｖ
ｅｒｓａ ）■ＴＬ製品を含めてスルホン化ポリエステ
ル、またはポリ（２−アクリルアミドル２−メチル−１
−ブロバンベスルホン）酸のような、高分子？ｔｉ解質
であってもよい。また、電解質はＫＣｊ！、ＮａＣｊ！
、ＬｉＣｊ！０４などの水溶液、または過塩素酸テトラ
ブチルアンモニウムや過塩素酸テトラエチルアンモニウ
ムやテトラノルオロホーク酸テトラエチルアンモニウム
などの有機溶媒溶液のような、液体であってもよい。 本発明のエレクトロクロミック薄膜に適するエレクトロ
クロミック材料は純元素または合金または化学化合物で
あるかどうかにかかわらず固体であり、少なくとも二つ
の酸化状態を有しており、より好ましくは、その材料の
酸化状態の変化が電解質接触したこの材料の薄膜と対向
電極に電圧を印加することによってなされるような材料
である。 好ましくは、選択された材料はその材料が一つの酸化状
態からもう一つの酸化状態にジットしたときに大きなコ
ントラストまたははっきりした容易に認識できる色変化
を示す。材料はまた、何ら分解や品質劣化を受けること
なく酸化状態のいくつかの可逆シフトを可能にするのに
十分な支足性を示ずべぎである。また、材料は一度電圧
を印加されると酸化状態の比較的迅速な変化を受けるも
のであるべきであり；好ましいスイッチング速度は５０
μｘ５０μのピクヒルについて約５０ナノ秒〜約１ミリ
秒である。適するエレクト［１クロミツク材料の例はフ
タロシアニン、アントラキノン、ランタニドおよびアク
チニド系の元素を含めて遷移金属元素含有物質、例えば
、遷移金属酸化物、遷移金属硫化物、遷移金属オキシス
ルフィド、遷移金属ハロゲン化物、遷移金属窒化物、ク
ロム酸塩、モリブデンＩ！１塩、タングステン１ｌＩＩ
Ｒ、バナジン酸塩、ニオブ酸塩、タンタル酸塩、チタン
酸塩、賜酸銅、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸
化チタン、酸化バナジウム、酸化ニオ１１酸化セリ１ク
ム、ＭｎＯ，Ｎ＋０１Ｃｏｏ、および、弐ＭＯのその他
の金属酸化物（式中、Ｍは金属イオンを表わす）；式Ｍ
２Ｏ３の金Ｖ４Ｐｌｉ化物たとえばＣｒ ’０ 、
Ｆｅ Ｏ、Ｙ２０３ 、Ｙｂ２０３．１１２０３、
およびＭｎ２Ｏ３；式Ｍ０２の金属酸化物たとえばＴ
ｉ Ｏ、Ｔｈ０２ 、およびＣｒＯ２；式Ｍ３０４の金
属酸化物たとえばＣｏ Ｏ、Ｍｎ Ｏ、およびＦｅ
３Ｏ４：式３式％４ ＭＯ３の金属酸化物たとえばＣｒＯ３、ＭＯｏ３、ＷＯ
３、およびＵＯ３；式Ｍ２Ｏ３の金属酸化物たとえばＹ
２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、およびｌａ Ｏ：式Ｍ４０．の
金属酸化物、式ＭＯの金属酸化物、式ＸＹＯ２の複合金
属酸化物（式中、ＸとＹは異なる元素である）たとえば
ＬｉＮｉ０ ：ＸＹＯ３酸化物たとえばＬｉＭｎ０
、ＦｅＴｉ０ 、ＭｎＴ＋０３、ＣｏＴｉＯ、Ｎｉ
Ｔｉ０ 、ＬｉＮｂＯ３、Ｌ、１Ｔａｏ、およびＮａ
ＷＯ；ＸＹＯ４Ｍ化物たとえばＭｇＷＯ４、ＣｄＷＯ４
、およびＮ１ＷＯ：ＸＹ２Ｏ６酸化物たとえば ＣａＮｂ２Ｏ６；Ｘ２Ｙ２０６ Ｍ化物たとえばＮａ
Ｎｂ Ｏ；Ｘ Ｙｏ４ｖｉ化物たとえばＮａ
ＭｏＯ、Δｇ ＭｏＯ４， Ｃｕ ＭｏＯ、Ｌｉ２ＭｏＯ４、Ｌｉ２ＷＯ４、Ｓｒ
ＴｉＯ２，およびＣａ２Ｍ「）０４；ＸＹ２Ｏ４Ｆ
！化物たとえばＦ ｅ Ｃｒ ２０４Ｊ３よび１− ｉ
Ｚｎ２０４；式Ｘ ２ Ｙ Ｏ５の金属酸化物だとえ
ばＦｅ２Ｔ１０５およびＡ ｊ！ ２ ”Ｔ” ０５
；特定の金属酸化物の水和物たとえばＷｏ ・１１２０
、Ｗｏ ・２ＨＯ，ＭＯｏ ・１−１０、およびＭ−
ｏｏ φ２Ｈ２０；タングステン酸コバルトモリブデ
ン酸の金属塩、チタン酸の金属塩、ニオブ酸の金属塩、
および類似物、およびこれ等の混合物である。 本発明のイメージングバーのエレクトロクロミック材料
として特に好ましいものはフタロシアニン、特にランタ
ニドシフタロジアニン、およびアントラキノンである。 適するフタロシアニンの例は２（３）−６（７）−１０
（１１）−１４（１５）−テトうｔｅｒｔブチルフタロ
シアニンｚ４−ｔ−ブチル）４１−１．、ＰＣとも呼ば
れる］、２＜３＞−６（７）−１０（１１）−１４（１
５）−テトラクロロフタロシアニン［（４−ＣＩ）４Ｈ
２ＰＣとも呼ばれている］、ビス（°ノタロシアニナト
）ネオジム（■） （これはネオジムシフタ［コシアニ
ンとも呼ばれている）、ビス（フタロシアニナト）ネオ
ジム（ＩＶ）（これは酸化されたネオジムシフタロジア
ニンとも呼ばれている）、ビス（フタロシアニナト）ル
テチウム（■）（これはルテチウムシフタロジアニンと
も呼ばれている）、ビス（フタロシアニナト）イッテル
ビウム（■） （これはイツテルビ自りムジフタロシア
ニンとも呼ばれている）などである。上記化合物の命名
は次のようなフタロシアニンの位置番号にすづいている
： 但し、ＭはＨ２または２価金属のどちらかである。 適するアントラキノンは１．４−ジアミノ−２゜３−ジ
シアノアントラキノン、１，８−ジアミノ−４，５−ジ
ヒドロキシアントラキノン、１，４゜５．８−テトラミ
ノアントラキノンなどである。 また、ポリピロールや、ポリ３〜メチルチオフエンや、
エレクトロボリメリゼーションによって生成され後で可
逆的な還元および酸化が可能であるその伯重合体のよう
な重合体物質も本発明に適するエレクトロクロミック材
料を提供することが判明した。上記化合物の命名は次の
アントラキノンの位置番号に基づいている： さらに、ランタニドシフタロジアニンの多段還元−酸化
状態は本発明に適するエレクトロクロミック材料を生成
するためエレクトロボリメライズド重合体の安定性と結
びつけられてもよい。スルホン化されたおよびその他の
陰イオン性ランタニドシフタロジアニンたとえばオクタ
ヒドロキシランタニドシフタロジアニンはビロールまた
は３−メチルチオフェンのエレクトロボリメリＵ−シ］
ンにＪ３ける陰イオンとして使用できる。この方法にお
いては、ピロールまたは３−メチルチオフェンの酸化−
還元が色の切り換えに使用できるばかりでなく、シフタ
ロジアニンの多段酸化状態も色の切り換えを行うのに使
用できる。特に、陰イオン性ルテチウムシフタＯシアニ
ンはイメージバーに適するエレクトロボリメライズドエ
レクトロクロミックｌ料に使用するのに適する陰イオン
である。 本発明のイメージングバーに利用されるエレクトロクロ
ミック賎は真空蒸着法によって製造されてもよい。この
方法は円形タンタルヒーターバンドの中に挿入された石
英るつぼのような蒸発源を有する真空Ｖｔ買の中にイン
ジウム錫酸化物（■丁Ｏ）で被覆されたガラス基体を装
填することを伴う。ヒーターバンドおよび内容物を４ｉ
するるつぼを加熱するためにヒーターバンドに電流を通
す。十分な時間加熱した後、るつぼ内の材料は昇華して
ＩＴＯ基体上に付着する。得られた膜で被覆されたＩＴ
Ｏ′市極はイメージングバーの中に組み入れられる。代
替法として、本発明のイメージングバーに利用されるエ
レクトロクロミック膜はラングミ１アープロツジエツト
法（ＬａｎＢｕ ｉ ｒ−Ｂｌｏｄｏｃｔｔ ）によっ
て製造されてもよい。この方法はＧ、Ｊ、にｏｖａｃｓ
ａｔ ａｌ、、 Ｃａｎ、 Ｊ、 Ｐｈｙｓ、、 ｖ
ｏｌ、６３、ｐ、３４６−３４．９ ＜１９８５）に開
示されている。一般に、真空蒸着法によって製造された
アントラキノンエレクトロタ１］ミツク材料からなる膜
は色変化を伴う可逆的酸化−還元反応を示すということ
に関して、ラングミ１アープロツジエツト法に従って製
造された膜に比べて優れた結果をもたらす。しかしなが
ら、ラングミュ７−プロツジェット膜は不連続、ピンホ
ール、分子無秩序、材料分解による不純物、およびエレ
クトロクロミック膜の性能の品質に影響することがある
その他の欠陥のような膜欠陥に関しては、真空蒸着膜に
比べて優れ７ｊ品質を一般に右する。真空蒸着法または
ラングミ１７−ブロンジェット法どちらによって製造さ
れた本発明に適するエレクト〔１クロミツク膜も約１０
ｎｏ＋〜約１μ、好ましくは約１０００１１１〜約１μ
の厚さを有する。 多様な酸化状態におけるエレクトロクロミック材料によ
って示される広く多様な色のせいで、イメージバーのエ
レクトロクロミック膜には多数の色が利用できる。単色
イメージングまたはハイライトカラーイメージングのよ
うな幾つかの用途のためには、選択されたエレクトロク
ロミック材料によって示される色は十分であろう。しか
しながら場合ににっでは、たとえば、光受容体が特定波
長の光に感光するとか、金色像を作成づるとかの場合に
−よ、エレクトロクロミック膜のいくつかの色の微妙な
調整が望まれるであろう。 与えられた電圧において具体的材料によって示される色
はイメージバーの中の電解質のｐＨを調整することによ
って制御されてもよい。たとえば、ルテチウムシフタロ
ジアニンのエレクト［１クロミツク薄膜の場合、濃度１
．０モル、ｐＨ１、２３のＫＣ１水溶液の電解質では、
膜の色は電極に印加される電圧＋０．９６Ｖではオレン
ジ色、＋０．４８Ｖでは緑色、０■では青色、０．４４
Ｖｌ；Ｌ赤紫色、そし？−０．．９６Ｖでは紫色である
。ｐＨ５，２では、膜の色は十〇 、 ９６ Ｖ テハ
オＬ／ ンシ色、＋０．４８Ｖｔ’は緑色、ＯＶでは緑
色、−０，４４Ｖでは青色、そして−〇、９６Ｖでは紫
色である。従って、ｐｌｌは与えられた電圧における材
料の色を制御するのに使用できる。さらに、ｐＨは達成
可能な色の数に影響することができる。 エレクトロクロミック膜が様々な電界条件下で示す色を
調節するためのもう一つの方法は２種以上のエレクトロ
クロミック材料の混合物から膜を処方することである。 たとえば、Ｏｖの電圧が印加されたときに紫色を、そし
て−１，２ｖの電圧を印加されたときに黄色を示す１．
８−ジアミノ−４，５−ジヒドロキシアントラキノンと
、＋ｉ、ｏｖの電圧が印加されたときに肖〜縁色を、そ
して−０，７５Ｖの電圧が印加されたときに赤色を示す
１．４−ジアミノ−２，３−ジシアノアントラキノンと
の真空共蒸肴によって生成された膜はＯｖの電圧が印加
されたとき青色、−０，７５Ｖの′を圧を印加されたと
き赤色、−１，２Ｖの電圧が印加されたとぎ黄色、０■
が印加されたとき赤色、＋１．０Ｖが印加されたとき青
色、そしてＯＶの電圧が印加されたときやはり青色を示
１エレクトロクロミック膜を生じる。 履歴効果は与えられた電圧における膜の色が常に同じと
いうわけではなく、その与えられた電圧においては電圧
走査の方向に依存するということを意味している。本例
においては、膜の色は電圧走査が酸化方向にある場合に
はＯＶＣ赤色であり、そして電圧走査が還元方向にある
場合にはＯｖで青色である。この２種類の材料の酸化−
還元電位は同一ではなく、各々が独立に応答する。 一般に、イメージバーの中の各ビクヒルに印加される電
圧は対ＳＣＥ （飽和カロメル電極）で約３．０ｖ〜約
−）３．ＯＶ、好ましくは約−２，５Ｖ〜約＋２．５Ｖ
ｖｓ ＳＣＥの範囲にある。印加電圧はイメージバー
のために選択されたエレクトロクロミック材料、電解質
、および電極材料に依存する。エレクトロクロミック材
料の酸化状態を変化させるには、所定の大きさの電圧が
必要である。たとえば、１．４．５．８−テトラアミノ
アントラキノンの薄膜の還元を行うには、飽和カロメル
電極（ＳＣＥ）に比して約−〇、 ５Ｖの電位が印加さ
れなければならない；この材料を酸化させるには、約＋
〇、５５Ｖ ｖｓ ＳＣＥの電位が印加されなければな
らない。インジウム錫酸化物電極の上の薄膜形態の各種
ルクトロクロミック材料の酸化並びに還元を行うのに必
要な対ＳＣＥ′市位を次の表に掲載する： 級初の材料、１．４．５．８−テトラアミノアントラキ
ノンは最初蒸着されたときには紫色である。 酸化後に、それは青〜緑色に変化し、次いで還元された
ときには赤紫色に変化する。その後、それは青〜緑色の
状態と赤紫色の状態の間を循環し、そして初期の紫色に
は戻らない。ネオジムシフタロジアニンは類似の挙動を
示し、初期には肖〜緑色であり、還元されたときに暗青
色に変化し、酸化されたときに赤紫色になり、次いで赤
紫色と１１ｎ青色のｌａｌを循環する。上記表の中のア
ントラキノンはいずれも、−電Ｆ還元を受け、そして中
性状態からシングル還元された状態に切り換わる。３−
メチルチオフェンおよびピロールは酸化状態から中性状
態に切り換わる。ネオジムシフタロジアニンの非酸化状
態においては、式Ｎ ｄ ＨＰ Ｃ、。 ３＋ ＋ ’ｌ−（但し、原
子価状態はＮｄ ｌ−１（ＰＣ） として表わさ
れる）によって与え゛られるように、不安定な水素がそ
の中に存在するはずである。これが酸化されるとＮａＰ
Ｏ３の形態になり、その原４＋ ２− 予価状態はＮｄ（Ｐｃ）（中性分子）として表わされる
。この酸化された材料、ビス（フタロシアニナト）ネオ
ジム（ＩＶ ）は上記表のスイッチング結果を与える蒸
着膜を形成するために使用された。上記表に示されてい
るエレクトロクロミックスイッチング中に、この材料は Ｎｄ （ＰＣ）２の形態とＬＮｄ （ＰＣ）２ ］−の
形態の間をスイッチングする。 ［Ｎｄ （Ｐｃ）２１−における原子価状態は３ト
２− Ｎｄ （Ｐｃ） として表わすことができる。 （４−ｔｅｒｔ−ブチル）４１−（２Ｐｃについては、
分子は酸化され、すなわち電子が除去され、それから還
元されると分子は中性状態に戻る。 （４ＣＩ ）４ Ｈ２ｐｃについては、分子は還元され
、すなわち電子が追加され、それから酸化されると分子
は中性状態にもどる。ルテチウムシフタロジアニンにつ
いては、□分子はＯｖで中性−ｃ アリ、それから逐次
、シングル酸化（７１なわち１個の電子が除去）され、
そしてダブル酸化（すなわち、第二の電子が除去）され
る。電位を負にスウィーブすると、分子はＯｖで中性で
あり、それから順次、シングル還元（すなわち、１個の
電子が追加）され、ぞしてダブル還元（すなわち、第二
の電子が追加）される。上記表の中の、ルテチウムシフ
タロジアニンとポリピロールとポリ−３メチルチオフ１
ンを除く、全ての例について、電解質はｐＨ未調整の水
中の１．０モルの塩化カリウムである。ルアチウムシフ
タロジアニンについては、電解質はｐＨ１，２３の水中
の１．０モルの塩化カリウムであり、そしてポリピロー
ルとポリ３−メチルチオフェンについては、“電解質は
アセトニトリル中の０．１モルの過塩素酸ツートリウム
である。 完全に可逆性の色変化を受（）る材料はイメージバ一応
用のために最ら望ましい。完全に可逆性の色変化を示す
ことからイメージバ一応用のために最も望ましい材料は
ビス（フタロシアニナト）ネオジム（■）、ビス（フタ
ロシアニナト）ルテチウム（ＩＩＩ）、１．４−ジアミ
ノ−２，３−ジシアノアントラキノン、１，４．５．８
−テトラアミノアントラキノン、および導電性重合体ポ
リピロールおよびポリ−３−メチルチオフェンなどであ
る。 第６Ａ図〜第６に図には、上記表に掲載された材料が一
定電位にされたときに起こる変化が示されている。第６
Ａ図は１．４，５．８−テトラアミノアントラキノンの
可視吸収スペクトルをボす。 色強度を表わす吸光度が相対光学濃度単位をもって表示
されており、波ｆ％（ｎｉｌ）に対してプロットされて
いる。電位を適用する以前の材料（実線で表わされてい
る）は約５７５ｎｍの波長域に吸収ピークを示ず（紫色
に相当する）。約−０，５５Ｖの還元電位を印加すると
材料は還元され、約５５０ｎｍに吸収ピーク（赤紫色に
相当する）をもつ破線として第６Ａ図に表わされる色変
化が生じる。 この還元された材料に＋０．５５Ｖの電位を印加すると
材料は酸化され、約５９ Ｏｎｉｌの波長域に吸収ピー
ク（青〜緑色に相当する）をもつ点線として第６Ａ図に
表わされた色変化が生じる。 第６Ｂ図は１，４−ジアミノ−２，３−ジシアノアント
ラキノンの可視吸収スペクトルを示す。 元の材料は実線で表わされているように、約６７５ｎＩ
ｌ＋の波長域に吸収ピークを示ず（古〜緑色に相当する
）。−０，７５Ｖの電位を印加すると材料は還元され、
約４９Ｏｎ−に吸収ピーク（赤色に相当する）をもつ点
線で表わされた色変化が誘発される。この還元された材
料に＋１．０Ｖ（７）電位を印加すると、プロセスは逆
転し、ぞして材料は実線で示されているように元の色お
よび吸収スペクトルに戻る。 第６Ｃ図は４−テトラクロロフタロシアニンの可視吸収
スペクトルを示す。元の材料は実線で表わされているよ
うに、約６１０ｎｍの波長域に吸収ピークを示す（青〜
緑色に相当する）。−１，５■の電位を印加すると材料
は還元され、約５５０ｎＩ１１に吸収ピーク（赤紫色に
相当する）をもつ点線として表わされた色変化が誘発さ
れる。この還元された材料に＋１．５Ｖの電位を印加づ
ると、プロセスは逆転し、そしていくらか元の材料が生
成され、それは破線で表わされるように約６１０ｒｖに
吸収ピークを示す。この吸収ピークは出発材料の吸収ピ
ークと比べて吸光度が低く、このことは還元反応の逆転
によって材料が完全に回復されたわけではないことを意
味している。 同様に、第６Ｄ図は１．８−ジアミノ−４，５ジヒドロ
キシアントラキノンの可視吸収スペクトルを示す。この
材料は実線によって表わされでいるように約５６０ｎｍ
に吸収ピークを示す（紫色に相当する）。−１，２■の
電位を印加すると材料は還元され、約４４０ｎｌ域に吸
収ピーク（黄色に相当する）を有する点線として表わさ
れる色変化が誘発される。この還元された材料の電位を
ＯＶに戻すと、プロセスは逆転し、そして元の材料がい
くらか生成され、それは破線で表わされているように約
５６０ｒｖに吸収ピークを示す。このピークは出発材料
の吸収ピークに比べて吸光度が低く、そのことは還元反
応の逆転によって材料の全てが回復したわけではないこ
とを意味している。 第６Ｅ図は１．８−ジニトロ−４，５−ジヒドロキシア
ントラキノンの可視吸収スペクトルを尽す。この材料は
初期には、実線で表わされているように、約４４０ｎｍ
に吸収ピークを示す（黄色に相当する）。−１，５Ｖの
電位を印加すると、材料は還元されて６２５ｒｖに吸収
ピーク（暗青色に相当する）を有する点線で表わされた
色変化を受ける。 第６Ｆ図はネオジムシフタロジアニンの可視吸収スペク
トルを示す。この材料【よ初期には、実線で表わされて
いるように、約６６ Ｏｒ＋ｍに吸収ピークを示す（青
〜緑色に相当する）。この元の材料に−０，９Ｖの電位
を印加すると、材料は還元され、６４０ｎｍ域に吸収ピ
ーク（暗青色に相当づる）を有する点線で表わされた色
変化が誘発される。 この還元された材料に＋１，１ｖの電位を印加すると、
材料は酸化され、５３０ｒ＋ｍ域に吸収ピーク（赤紫色
に相当する）を右する破線で表わされた色変化が誘発さ
れる。 第６Ｇ図は（４−ｔｅｒｔ−ブチル）４フタ１コシアニ
ンの可視吸収スペクトルを示す。この材料は初１［ＩＪ
には、実線で表わされているように、約６１０１１に吸
収ピークを示す（暗青色に相当する）。この元の材料に
＋１．５■の電位を印加すると、５５０〜７００ ｎｍ
ｂｌＪ、に吸収ピーク（淡青色に相当する）を有する点
線で表わされた色変化が誘発される。この酸化された材
料の電位をＯＶに戻すと、プロセスは逆転し、そして一
部は元の材料になり、それは破線で表わされているよう
に約６１ＯｎＩ１１に吸収ピークをボす。このピークの
吸光度が出発材料のそれに比べて低いことは酸化反応の
逆転で材料の全てが回復したわけではないことは意味し
ている。 第６Ｈ図と第６１図はルテチウムシフタロジアニンの可
視吸収スペクトルを表わしている。初３１１の形態にお
いて、この材料は第６Ｈ図では点線によって、そして第
６１図では実線によって表わされているように、約６４
０１に吸収ピークを示す（これは緑〜青色に相当する）
。この初期の材料に一〇、４４Ｖを印加すると材料は還
元され、６６０ ｎ１ｌｔｄに吸収ピーク（青〜緑色に
相当する）を有する実線として第６Ｈ図に表われた色変
化が誘発される。この還元された材料に−０，９６Ｖの
電位を印加すると、ルテチウムシフタロジアニンは還元
され、６９０ ｎｍ域に吸収ピーク（青色に相当する）
を有する破線として第６Ｈ図に表われた色変化が誘発さ
れる。元の材料に＋〇、４８Ｖの電位を印加すると、材
料は酸化状態になり、そして６４０ｎｍ、 ５２０ｎｗ
＋、および４３０＋ｖＩ＋の領域に吸収ピークを有する
破線として第６１図に表わされた色変化を受け、これは
紫色に相当づる。この酸化された材料に＋〇、９６Ｖの
電位を印加すると、ルテチウムシフタロジアニンはさら
に酸化され、５２０ ｎ１Ｊ３よび４３０ ｒｖの領域
に吸収ピークを有する点線として第６１図に表われた色
変化が誘発され、これは赤紫色に相当する。 第６Ｊ図はエレク１−ロ重合されたポリ−３−メチルチ
オフェンの可視吸収スペクトルを表わす。 ＋０．１ｖ電位で現れるその還元された状態においては
、実線によって表わされているように約５１０ｎｍに吸
収ピークを示し、それは赤色に相当する。＋１．３ｖ電
位で現れるその酸化された状態においては、この材料は
破線によって表わされているように約６４０ ｒｖに吸
収ピークを示し、これは青色に相当する。 第６に図はエレクトロ重合されたポリピロールの目視吸
収スペクトルを示す。−１，ＯＶ電位で現れるその還元
された状態においては、実線によって表わされているよ
うに約４００ｎｍに吸収ピークを示し、それは黄色に相
当する。＋０．５層電位で現れるその酸化された状態に
おいては、この材料は認め得る吸収ピークを示さない；
その可視スペクトルは破線によって表わされ、暗黒色に
相当する。 ５０μ×５０μのピクセルでは、イメージバーの中の各
ピクセルに印加される電界の電流は１ミリ秒〜１マイク
ロ秒にわたって約２．５マイクロアンペア〜約２．５ミ
リアンペアであり、好ましくは、１ミリ秒〜１００マイ
クロ秒にわたって約２．５マイクロアンペア〜約２．５
ミリアンペアである。通った全電荷はエレクトロクロミ
ック膜によって示される色の強度に影響する。何故なら
ば、全電荷はエレクトロクロミック材料が酸化または還
元を受ける程度を制御ｔｌｌｉＪるからである。電流、
従って電荷を制御することによって、エレクトロクロミ
ック膜の色は所望の色合いにａｍされる。 本発明のイメージバーは単色像または多色像どちらを作
成するのにも使用できる。単色像を作成するには、イメ
ージバーは酸化状態の一つが特定波長の光を吸収するエ
レクトロクロミック膜を含有し、かつその波長の光を付
与する光源およびその波長の光に感光する光受容体と組
み合わせて使用される。たとえば、エレクトロクロミッ
ク膜は第６Ｊ図に示されているようにポリ−３−メチル
チオフェンのように、一つの酸化状態では赤色を示し、
そしてもう一つの酸化状態では青色を示す材料から処方
される。この膜を含有する本発明のイメージバーは、青
色光源および青色感光性光受容体と組み合わせて使用さ
れたときに、ピクセルが赤色から青色に切り換わるプロ
セスによって像を作成することができる。青色光はバー
の赤色領域を通過しないので、その領域では光受容体を
放雷させないが、バーの青色領域を通過してその領域の
光受容体を放電させる。そのようにして作成されたｍ像
は次いでどれかの色の現像剤組成物で現像される。 金色像は各酸化状態の色が相互に著しく異なる少なくと
も３つの（可能ならばもっと多くの）酸化状態を有する
材料のエレクトロクロミック膜をイメージバーに装備さ
せることによって本発明のイメージバーによって作成す
ることができる。バーは金色像を生じさせることができ
る光受容体と組み合わせて使用されるべきである。各層
が異なる波長の光に感光する数個の層を有するかかる光
受容体の例は米国特許第４．３０８．３３３号に開示さ
れている。この特許の開示は全体的に参考のために本願
用１１１ｉｌ中に組み入れられる。金色像はまた、広い
特殊な応答性を有する光受容体を使用することによって
本発明のイメージバーによって作成することもできる。 像は光受容体上に３回書き込まれ、その各回毎に駒数、
光受容体は一つの色の光フィルターを通して露光され、
その色の現像剤で現像され、基体に転写され、そして多
色像が形成されるまで再度、別の色の光フィルターを通
しての露光以Ｆを繰り返される。この方法は米山特許第
３．８３６．２４４号に開示されており、その開示は全
体的に参考のために本願明細ｍ中に組み入れられる。２
色すなわちハイライトカラー像もまた、少なくとも２つ
の酸化状態を有し、その一方がたとえば赤色光を透過し
青色光を吸収し、そしてもう一方が透明に近く白色光を
透過するような材料のエレクトロクロミック膜をイメー
ジバーに装備させることによって本発明のイメージバー
によって作成できる。バーは好ましくは、２色像を生じ
させることができる光受容体との組み合わせで使用され
る。２層の光導電性層を有し、その一方が赤色光に感光
し、そしてもう一方が青色光にのみ感光し赤色光に感光
しない、かかる光受容体の例は米１０特許第４．３３５
．１９４Ｍに開示されている。この開示は全体的に参考
のために本願明細ｍ中に組み入れられる。 操作中に、これ等イメージバーの各ピクセルはエレクト
ロクロミック膜に所望の色を発生さけるために電気的に
アドレスされる。ピクセルを通過する光は所望の波長の
光だけが与えられた領域において光受容体に到達できる
ように選択的にフィルターされる。そのようにして作成
された潜像は次いで２色以上の現像剤組成物によって現
像される。金色コピーとハイライトカラーコピーの両方
がこの方法によって作成できる。多色像は一回のバスで
光受容体上に多色像を横たえさせることによって作成さ
れてもよいし、または米国特許第３゜８３６．２４４号
に開示されているように、光受容体に潜像を形成し、そ
の像を現像し転写し、その後で光受容体上に追加の像を
形成し、これ等追加の像を他の色の現像剤組成物で現像
し、そして先の第一・像を含有している基体にそれ等像
を転写する方法によって作成されてもよい。 次に、本発明を具体的に実施例によって説明する。これ
等実施例は例示であって、本発明はこれ等実施例に記載
されている材料、条件、またはプロセスパラメーターに
限定されるものではない。 部およびパーセントは別に指定されていない限り、１世
による。 実施例１ ４− ｔａｒｔ−ブヂル無金属フタロシアニンの製造４
− ｔｅｒｔ−ブチルフタロニトリル出発材料を次のよ
うに製造した。２１の三角フラスコの中の０キシレン２
６６．７８ｇ（２，５ｌ−ＴＥル）とｔブチルクロリド
２３２．５４ｇ（２，５１モル）の磁気攪拌混合物に、
塩化第二鉄１ｇを添加した。 室温で３時間後に、混合物を１１の丸底フラスコの中に
自重ろ過し、そして蒸留した。３つの留分を集め、後で
気−液クロマトグラフイーによって分析した。１５０〜
２０２℃で集められた留分Ａは約６５％の４−ｔ−ブチ
ル−０−キシレン（４３，４８ｇ）を含有し、０−キシ
レンを含まず、そして主にｔ−ブチルクロリドからなる
汚染物を含有していた。２０３〜２０９℃で集められた
留分Ｂは約８７．８％の４−ｔ−ジブルー０キシレン（
１２８，００ｇ）を含有しており、そして２０９〜２１
１℃で集められた留分Ｃは１００％の４−ｔ−ブチル−
Ｏ−キシレン （１８６，２８ｇ）であった。全収量は３５７．７６９
（２，２０６モル、８７，９％収′率）であった。生
成物の同定はＩ Ｒスペクトルによって確立された。 それから、５１の三ロフラスコに冷却器、機械的攪拌器
、およびストッパーを装備し、そしてそのフラスコに水
１２６０ａｔｆ！、濃１ｉ１１酸６３０ａｔ！、および
４− ｔｃｒｔ−ブチル−０−キシレン１８４．６９９
（１，１３９モル）を添加した。 このＵ合物を４８時間還流し、それから水中で冷ｉＪＩ
Ｌ、、その後、ｐＨを濃水酸化カリウム液の添加によ
って１３．５に調整した。非酸性材料をジエチルエーテ
ルで３回抽出することによって除去し、その後、ｌ）Ｈ
を０．９に調整し、そして生成油状物をジエチルニーデ
ル各２００ａｔｅで３回抽出することによって分離し、
そしてエーテル抽出物を回転蒸発器で蒸発させた。室状
着色ガムが１４られた（１６４．７５ｃＪ、７５．６％
収率）。これはＩＲスペクトルによって２−メチル−５
−ｔ−ブチル安息香酸と２−メチル−４−ｔ−ブチル安
息香酸の混合物として同定された。 次いで、５１の三ロフラスコに冷却器、機械的攪拌機、
およびストッパーを装備し、そして上記ガムを、水酸化
カリウム８Ｅｌを含有している蒸留水２２００ｍの中に
溶解した。この溶液を５１フラスコの中に入れ、そして
還流した。４ｒＲ１問後、この溶液に過マンガン酸カリ
ウム３６０．３！Ｊ（２，２８モル）を添加し、そして
この混合物をさらに２時間速流した。それから、過剰の
過マンガン酸塩をメタノール７５−の添加によって分解
し、そしてこの熱い反応混合物を吸引ろ過して褐色の二
酸化マンガンを除去した。沈澱を水で３回洗浄した。合
わせたろ液のｐＨを濃塩酸によって０．９に調整し、そ
の後、４〜５日かかつて４−ｔ−ブチルフタル酸生成物
の白色結晶が生成された。この結晶は１４８〜１５０℃
の融点を示し、そして１７３．６６ｇ（０，７８１４モ
ル）の量で生成された。４−ｔ−ブチルフタル酸生成物
の同定はＩ Ｒスペクトルによって確認された。 その後、１１の丸底フラスコに還流冷却器を装怖し、そ
こに１−ｔ−ブチルフタル酸 １７３．６６ｇ（０，７８１４モル）および塩化ヂオニ
ル５００ｄを装填した。この黄色の溶液を磁気攪拌し、
そして３時間速流し、その後、減圧下で無水物から塩化
チオニルを除去した。得られた白色結晶性固体を無水ヘ
キサンで３回洗浄し、そして減圧下でヘキサンを除去し
て、融点７７〜７８℃を示す無水４−ｔ−ブチルフタル
酸生成物１５０．３３ｇ（０，７３６１モル）を生じた
。 無水４−ｔ−ブチルフタル酸生成物の同定はＩＲスペク
トルによって確認された。 等モル励の無水４−ｔ−ブチルフタル酸（１５０，３３
シ、０．７３６１モル）と尿素（４４，２１ｇ）を１１
の丸底フラスコの中で温度計によって混合した。これ等
固体をメケルバーナーでゆっくり加熱した。１７５℃で
、反応系は発熱したので、空気銃によって冷却されなけ
ればならなかった。発熱がおさまったときには温度は２
５０℃に増加しており、その温度に３０分維持した。そ
れから、フラスコを冷却し、そしてジメチルホルムアミ
ド３００ｍを加え、その後、この溶液を１手ろ過して溶
解されるはずのない固体を除去した。水（１１）を加え
たところ、融点１３６．５〜１４０℃を示す４−ｔ−ブ
チルフタルイミド１３７．３４り（０，６７５７モル）
の沈澱を生じた。４−ｔ−ブチル−フタルイミド生成物
の同定はＩＲスペクトルにＪ、って確認された。 それから、４１の三角フラスコに４−ｔ−ブチルフタル
イミド１３７．４ｇ（０，６７５７モル）および２９％
水酸化アンモニウム液２１を装填し、そしてこの溶液を
機械階拌機で激しく攪拌した。 ３時間後、このクリーム状の懸濁物を吸引ろ過し、そし
て少量の水″Ｃ洗浄した。この淡緑色粉末を１２０℃で
１日間乾燥して、融点１７２〜１７５℃を示す４−ｔ−
ブチルフタルアミド１３４．１９９を生じた。４−ｔ−
ブチルフタルアミド生成物の同定はＩＲスペクトルによ
って確認された。 ４−ｔ−ブチルフタロニトリルは次のようにして製造し
た。窒素入口、１００−均圧フラスコ、およびストッパ
ーを装備した５００−の三角フラスコを水浴に置き、そ
してそのフラスコに４−ｔブチルフタルアミド６０ｇ（
０，２７１３Ｅル）およびピリジン４００ｍ！を装填し
た。得られた混合物を一定の窒素流の下に維持した。燐
オキシクロリド（４９，７ａｅ、０．５４２６モル）を
滴下漏斗に入れ、そしてピリジン溶液に、温度を約４℃
に維持するようにゆっくりと添加した。この反応系を４
時間磁気攪拌し、それからこの混合物を、２００ｄの砕
氷を含有するビーカーの中に注いだ。 全容積が１６００−になるまで水を加えて淡褐色固体を
生成した。この固体を吸引ろ過によって取り出して融点
５８〜５９℃の４−ｔ−ブチルフタロニトリル３１．２
４！Ｊ （０，１６９６モル）を生じた。４−ｔ−ブチ
ルフタロニトリル生成物の同定はＩＲスベク、トルによ
って確認された。 次いで、ｔｅｒｔ−ブチル無金属フタロシアニン［（４
−ｔ−ブチル）４フタロシアニン］が次のように製造さ
れた。１１の丸底フラスコの中のアミルアルコール１２
６ｒＩＩＩ中に０．６４９＜２７．２ミリグラム原子）
を溶解した後、アミルアルコール中にナトリウム金属を
溶解することによって生成されたこのナトリウムアミラ
ード溶液に、４−ｔ−ブチルフタロニトリル９．０９（
４８，９ミリモル）を添加し、そしてこのＵ合物を５．
２５時間還流した。この溶液を冷却し、そしてメタノー
ル４４５−で希釈した後、この懸濁物に標準塩酸３７ａ
ｅを添加し、そしてこの懸濁物を１６時間攪拌した。そ
れから、この反応混合物をろ過し、そして得られた固体
の青色ｍ料生成物をメタノール２５０ｒｎｌ、水２５０
〆、ジメチルホルムアミド２５０ｊＩｉ！、そしてメタ
ノール２５〇−で吸引洗浄し、それから−晩乾燥して５
．２８ｇ（５８，４％収率）の顔料を生成した。 こうして得られた（４−ｔ−ブチル）４フタロシアニン
生成物を次のように精製した。この顔料２．００９を４
℃の９６％硫Ｍ’５０ａｅにゆっくり添加した。この溶
液を１時間攪拌し、それからガラスろ過器によって、不
断の攪拌を伴う氷水５００威の上に吸引ろ過し、その後
、ろ過器と反応器を９６％硫Ｍ１０−で洗浄した。（４
−ｔ−ブチル）４ノタロシアニン生成物の全てが溶解さ
れたわけではなかった。氷水の中に現れた青色固体をろ
過し、そして水各１００−で１０回洗浄した。 青色顔料および混合物のＤＩを水酸化アンモニウムの添
加によって８．５に調整し、それから青色固体をろ過し
、そして水各１５０ｍで６回洗浄し、そして硫酸イオン
が存在しなくなるまで生成物が洗浄されたことを確保す
るために洗浄液を塩化バリウム溶液で試験した。生成物
をメタノール１１で洗浄し、乾燥して１．６６ｇ（８３
％収率）の青色固体を生じた。その元素分析は純粋ｔｅ
ｒｔ−ブチル無金属フタロシアニンであることを示した
。 実施例２ １．４−ジアミノ−２３−ジシアノアント−キノンの製
造 ３００ｍのバー（Ｐａｒｒ）加圧釜をドライアイス／イ
ソプロパツール浴で冷ｕ１シ、それに乾燥窒素を浴びせ
、そして順次、液体アンモニア約１５ａｅ。 水から再結晶化し高真空で５０℃で１５時間乾燥したブ
ロモアミン酸ナトリウム塩１５．０９（３７ミリモル）
、酢酸第一銅６２０ＩＩｇ（５ミリモル）、およびホル
ムアミド１００Ｉｄ、を装填した。 反応釜を密封し、そして８０℃に加熱し、そして８０ボ
ンド／平方インチの内部圧にした。反応混合物を８０℃
で９時間攪拌し、次いで４０℃に冷７Ｊ１シ、そして室
温に戻す前に過剰アンモニアを除去するために水アスピ
レータ−で１５分間排気した。反応混合物の１１クロマ
トグラフイー（シリカゲルカラム、容量比４：１のトル
エン／メタノール溶離剤）はオレンジル赤色の出発材料
ブロモアミン酸が完全に消失したことを示した。 得られた紫色の反応混合物を、温度ｉ１と冷却器と磁気
攪拌器を装備した５００ｄの三〇九底フラスコに移した
。ホルムアミドを全容１１！２５０ｄになるまで加えた
。この混合物に順次、炭酸ナトリウム１９．６ｇ＜０．
１８５モル）、ニトロベンゼン７．６ｍ（９，１ｇ、０
．０７４モル）、およびシアン化ナトリウム１０．８９
＜０．２２２モル）を添加した。それから、この反応
混合物を攪拌しながら８０℃に加熱し、そして出発材料
の完全消失が起こる（それはＴＬＣによって指示される
）までこの温度に維持した。 それから、この反応混合物を熱いままろ過し、そして沈
殿物をまず冷ホルムアミドでろ液がほぼ無色になるまで
洗浄し、それから沸騰水（約３００１ｄ）でろ液が無色
になるまで洗浄した。それを−晩乾燥して微細な暗い赤
味がかった青色固体として１，４−ジアミノ−２，３−
ジシアノアントラキノン（７，８ｇ、７３％）を得た。 アセトニトリル中の１，４−ジアミノ−２，３−ジシア
ノアントラキノンの溶液は６２３ｎｌｌｌのピーク吸収
（λ ）を示した。 ａＸ 実施例３ エレクト口重 ポリピロールの アセトニトリル中の０．２５モルのビロールと０．１モ
ルの過塩素酸ナトリウムとの溶液を電気化学槽に入れた
。作用電極はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）の導電性透
明被膜で被覆されたガラス片であり、対向電極は白金線
であり、そして参照？ｔ［は飽和カロメル電極（ＳＣＥ
）であった。電解槽は容器にアルゴンガスを吹き込むこ
とによって酸素を追い出された。次いで、作用電極を十
０．９〜＋１．０ボルト対ＳＣＥの範囲で陽極として作
用させ、その間にＩＴＯ電橋上にポリピロール膜が形成
された。この膜は最初に形成されたときには酸化形態で
あり、恵色に見えた。この膜が約１μの十分な厚さに成
長したら、電極が溶液から取り出されるまで電流が流れ
続けるように陽極電圧を維持しながら電極を溶液から取
り出した。 実施例４ エレクトロｆｉＡポリー３−メチルチオフエ゛の潰 アセトニトリル中の０．２５モルの３−メチルチオフェ
ンと０．１モルの過塩素酸ナトリウムの溶液を電気化学
槽に入れた。作用電橋はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）
の導電性透明被膜で被覆されたガラス片であり、対向電
極は白金線であり、そして参照゛電極は飽和カロメル電
極（ＳＣＥ）であっだ。槽は溶液にアルゴンガスを吹き
込むことによって酸素を追い出された。次いで、作用電
極は＋２．０ボルト対ＳＣＥで陽極として操作され、そ
の間にＩＴＯｔｆｆｌ上にポリ−３−メチルチオフェン
が形成された。膜が約１μの十分な厚さに成長したら、
電極が溶液から取り出されるまでは電流が流れ続けるよ
うに陽極電圧を維持しながら電極を溶液から除去した。 実施例５ 酸化ネオジムシフタロジアニンの １ ネオジムシフタロジアニンが酢酸ネオジムとＯ−フタロ
ニトリルから次のようにして合成された。 ガラス攪拌機と冷ｆＪＩ器を装備した５００ａ４！の三
ロフラスコの中でＮｄ（ＣＨＯ） ・ト１０粉末５．
０ｇ（０，０１４７モル）とフタロニトリル粉末１５．
ｉｇ（０，１１７９モル）を混合した。この混合物を２
９０〜３００℃で３時間溶融加熱した優で、青色物質が
得られた。この生成物をジメチルホルムアミド１２５ｄ
中に溶解し、そして不溶性物質をろ過によって除き、残
った青色物質の溶液を蒸留水１１に加えてネオジムシフ
タロジアニン疎生成物（１２ＳＦ）を析出させ、これを
ろ紙上に集めた。それから、このネオジムシフタロジア
ニン疎生成物１ｇをジメチルホルムアミド１２５ａｌ！
中に溶解した。この溶液を、最初にメタノール溶媒で充
填されているシリカゲルカラム（３，５Ｃｊｌφｘ ６
０ ａｓ ）に通した。メタノール溶剤と共に空色の物
質が排出され、そしてカラムの中に緑色の不純物が残っ
た。それから空色物質をもう１つのシリカゲルカラムに
通して３つの両分を集めた。そのうちの最初の２つはジ
メチルホルムアミド（ＤＭＦ）中で生成物の紫外〜可視
スペクトルによって同定されたように、６３４ ｎｍの
ピーク吸収（λ ）を示す純粋ネオジムジッタａＸ ロシアニンを含有していた。次いで、この最初の２つの
両分を回転蒸発器で乾燥して０．１００ｇの純粋ネオジ
ムフタロシアニンを生じた。 それから、酸化ネオジムシフタロジアニンが、１％ヒド
ラジン水和物を含有するジメチルボルムアミド中でネオ
ジムシフタロジアニンから電気化学的に合成された。電
気分解は白金メツシュ陽極と白金プレートｔ４極を装備
した電解槽の中で０．８−＾／α２の初期電流密度で２
４時間実施された。酸化ネオジムシフタロジアニン結晶
が陽極の底に析出した。この結晶をろ過によって集め、
そしてアセトンで洗浄した。酸化ネオジムシフタロジア
ニンの可視吸収スペクトルを測定したところ、ネオジム
シフタロジアニンのそれとは異なることが判明した（λ
−６７０ｎｇｉ１ＤＭＦ中）。 ａＸ また、ベンゼン溶液における非酸化ネオジムシフタロジ
アニンの吸収スペクトルは６７０ ｎｍと３２５ｒｖで
吸収極大を示し、そしてベンゼン溶液における酸化ネオ
ジムシフタロジアニンの吸収スペクトルは６６２ ｎｍ
、５８０ ｎｌ、および３３０ ｎｉで吸収極大を示し
た。酸化ネオジムシフタロジアニンは酸化物質であるこ
とを確認する強いＥ Ｓ Ｒ吸収も示した。 友１！１ ルテチ ムシフタロシアニンの ルテチウムシフタロジアニンは次のようにして製造され
た。機械攪拌機、冷却器、およびガス流入管を装備した
２００ｍの三ロフラスコの中で、ジョンソン・マットヘ
イ（Ｊｏｈｎｓｏｎ−Ｈａｔｔｈｅｙ ）から入手でき
る無水酢酸ルテチウム１．００９（２，８ミリモル）と
、イーストマン・コダック社から入手できる無金属フタ
ロシアニン２．９７ｙ（５，７ミリモル）とを混合した
。この混合物を窒Ｎ雰囲気下で２２時間遠流した後では
、塩化メチレン中に希釈された混合物のアリコートの紫
外〜可視分光分析は所望生成物の生成を示した。 せＩられた懸濁物を塩化メチレン２００ｊｌｅ′ｃ希釈
してからガラスろ過器でろ過した。回収された固体の無
金属フタロシアニンをろ液が緑色にならなくなるまで約
１００−の塩化メチレンで洗浄した。 次いで、回転乾燥鼎によってろ液から塩化メチレンを除
去し、そして残留キノリン懸濁物をベトリ皿に移した。 真空オーブンで１００℃でキノリンを除去して約０．３
ｇ（約９％収率）のルテチウムシフタ０シアニンを生じ
た。 実施例７ 真空蒸着法による薄膜の製 エレクトロクロミック材料の薄膜が次のようにして真空
蒸着によって製造された。インジウム錫酸化物（ＩＴＯ
）で被覆されたガラス基体をバギューム・ジエネレータ
ーズ・モデルｏ ｐ Ｕ ＨＶ ｉ２真空システムの中
に蒸発源から約０．４ｍの離して配置した。蒸発源は円
形タンタル加熱帯のなかに挿入された約１インチ直径×
１インチ高さの石英るつぼからなる。加熱帯に電流を通
して加熱帯と、蒸発されてＩＷ膜になる材料を含有して
いるるつぼとを加熱した。十分な温度に加熱した後、材
料は昇華してＩＴＯ基体上に句着した。昇華するために
材料が加熱されるべき温度は次の通りである： 材料 温（４−ｔ−ブ
チル）４１−１２Ｐｃ ２５０℃１．８−ジア
ミノ−４，５− ジヒドロキシアントラキノン １００℃１．４．
５．８−テトラアミノ アントラキノン １２０℃１．４−
ジアミノ−２，３− ジシアノアントラキノン ° １００℃１．８−
ジニトロ−４，５− ジヒドロキシアントラキノン １００℃４．８−
ジニトロ−１，５− ジヒドロキシアントラキノン ９０℃（４−Ｃ
Ｉ）４Ｐｃ ト（２２７５℃ネオジムシフタ０シアニ
ン ４００℃ルテチウムシフタＯシアニン
４００℃実施例８ ラン ムユアープロツジェット による の潰 ｔａｒｔ−ブチル無金属フタロシアニン［（ｔ−ブチル
）４Ｈ，２ＰＣ］のラングミュアーブロツジェット模が
次のようにして製造された。材料を約６．６５Ｘ１０’
モル濃度の溶液になるようにイーストマンコダックＡＣ
Ｓスペクトログレードのトルエンの中に溶解した。使用
゛されるサブ相（５ｕｂｐｈａｓｃ）はミリ−く旧１１
ｉ−） Ｑシステムに通してろ過された後に蒸留され室
温に冷却された水であった。チラシ（Ｔｅｒｒａｚｚｏ
）無振動テーブルの上のグローブボックスの中に収容さ
れた円形ラングミュアトラフを膜圧縮のために使用し、
そして垂直浸＠装置によって転写を行う。約５０μＡの
溶液を約３０００２のトラフ領域上に塗布した。 約５分後、トルエンが蒸発してから、躾を膜圧約１０ダ
イン／ａＳに達するまで約０．０６〜約０．１５平方入
／分子／秒（約０．１２〜約０．３０ｍ２／秒）で圧縮
した。インジウム錫酸化物で被腐されたガラス基体を、
塗布に先だってクロム酸で清浄にし、蒸苗水で洗い、そ
れからサブ相中に垂直に挿入した。それから、基体を約
３．８μｍの定速度で引き取る間中、表面圧を約１０ダ
イン／αで一定に保った。Ｚ型付者が観察された。すな
わち、（４−ブチル）４Ｈ２ＰＣの単層がサブ相から各
引取り基体へ転写された６基体引取り後に氷表面を清浄
化し、そして新たな単層が塗布される前にその基体を再
挿入することによって各層が製造された。 実施例９ エレクトロクロミックイメージバーはインジウム錫酸化
物（ｌ Ｔ Ｏ） Ｔｉ極の直線アレイを用意し、そし
てエレクトロクロミック材料としてのルテチウムシフタ
ロジアニン［ＬＵ （ＰＣ）２ ］と共に前記７レイを
エレクトロクロミックセルに組み込むことによってｔＪ
造された。 製造プロセスの第一工程はエレクトロクロミックヒルの
脊面接触のアレイを構成する透明な導電性ＩＴＯ電極（
リード付き）の直線状アレイを製造することから成る。 ＩＴＯアレイは全体で２９４個のピクセル要素をもって
２５１ｍｍの長さにわたって５μ間隔で分離された８０
μ×８０μ四方のＩＴＯピクセルからなる。各ｆｉ１Ｍ
ピクセルはそれ自身のＩＴＯ導電体片によって接してい
るか、または駆動用電子装置に接続するｌｔＪ １０μ
のリードによって接している。 −−−プレート上のｌ ＴＯｆｌ［膜は約８０／口と測
定される。このアレイはエレクトロクロミックセルの有
向接触を構成する。 ＩＴＯアレイを製造するためには、２インチ×２インヂ
Ｘ １／１６インチのガラス基体の上に、りロム被膜か
らなる投影マスクがまず加工される。 このマスクパターンは電極アレイ用基体の上にマスクを
投影するのに１：１の投影光学系が使用されるように要
望のＩＴＯパターンと同一寸法のものである。このマス
クを加工するためには、チップウィックと呼ばれるゼロ
ックスソフトウェアパッケージを使用してゼロックス６
０８５■ワークステーシヨンの上に要望の電極パターン
がまず構図される。発生パターンは標準の５−１／４イ
ンチのフロッピーディスクの上に搭載されている。 それから、マスク製造は次のように行われる。 ２インチ×２インチＸ １／１６インチのガラス基体
の上の連続した真空蒸着クロム膜をエレクトロンレジス
トで被覆する。要望のコンピューター発生パターンを有
するフロッピーディスクはエレクトロンレジストを要望
パターンに従って電子ビームに露出させるためのコンピ
ューター制ｔｌｌ電子ビーム書込ユニットに装着される
。それから、レジストは現像されて電極パターンのネガ
であるレジストパターンを形成する。レジストによって
覆われていないクロム膜の領域は次いで酸性腐食剤に騙
すことによってエツチングされる。洗浄後、ＰＩＵ：Ｉ
ｋ雰囲気下でマスク全体を３００℃に３時開加熱するこ
とによって、レジスト自体は剥離される。このプロセス
によって、要望電極パターンのネガであるクロム膜バウ
ーンがガラス上に得られる。このプロセスによって製造
されるマスクは電極パターンを含有するフロッピーディ
スクをアベック・サイエンティフィック社（８０９１５
１０ラド州コロラドスプリングス、ノース・ウラテン・
ロード８１５）のようなマスクＶｆｆｉ業者に送ること
によって得ることができる。 それから、このクロムマスクは投影フォトリソグラフィ
ーに使用される。コーニング７０ｂＯガラスの２インチ
×２インチｘＯ，０４８インチのガラス基体をり１コム
酸で予備洗浄してから蒸留水で十分に洗う。乾燥後、ガ
ラス基体をボジノ１＼トレシスト・シップレイ（Ｓｈｉ
ｐｌｅｙ ） １４００でスピンコードする。それから
、このホトレジスト被膜を、１：１投影光学系を使用す
るパーキン−１ルマーφミクラリン（Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅ
ｌｍｃｒ Ｈｉｃａｌｉｏｎ ）走査投影プリンターで
、上記ネガマスクパターンに露出させる。ホトレジスト
の露出域はマスクの光照射域に相当する。次いで、これ
等領域はこの製造東名によって供給されるシップレイ・
ミクロポジット・レジスト現像剤の中で洗うことによっ
て基体から除去される。パーキン−エルマー・ミクラリ
ン走査投影プリンターの使用、このポジホトレジストの
使用、およびマイクロリソグラフィー法についてのこれ
以上の情報は一般にり、Ｆ、ｔ−ンプソンとＣ，Ｑ、ウ
ィルソンとＨ，Ｊ、ボーデン著の「イントロダクション
・ツー・マイクロリソグラフィー：セオリー・マテリア
ルズ・アンド・ブＯセツシング（Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉ
ｏｎ ｔｏ Ｈｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ： ｔ
ｈｅｏｒｙＨａｔｏｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｐｒｏｃｅｓ
ｓｉｎｏ） Ｊ ＡＣＳシンポジウムシリーズ２１９（
ワシントン、１９８３）２０頁〜、および１０７貞〜に
開示されている。この開示は全体的に参考のために本願
明細山中に組み入れられる。こうして、上記ネガクロム
マスクに従って、ガラス基体上にネガホトレジストパタ
ーンが生成され、このパターンは１５０℃で３０分間ベ
ーキングすることによって硬化される。 それから、このホトレジストパターンはＩＴＯ電極アレ
イのスパッター付着に際して密着マスクとして作用する
。ＩＴＯはレジストマスクを介してガラス基体上に約１
５０ｎｉの厚さにスパーターされる。スパッタリングは
パーキンーエルマーランデックス（ｒａｎｄｅｘ）高周
波数ダイオードスパッタリングシステム・モデル３１４
０で行われる。 １丁０の６インチ直径円形ターゲットがバートンエルマ
ーによって使用され、それは酸化インジウム（９０％）
と酸化錫（１０％）からなる。次いて・、真空チャンバ
ーが５×１０−７トルの圧力に排気され、モしてｆＩＩ
Ｊ ’１１０されたアルゴンガス（９９，９９％）流が
背癩圧５０ミリトルになるように導入される。それから
、Ａｎｎ高周波ダグ０放電がターゲット電圧１３００Ｖ
およびパワー密度１．１ワツト／ｃ＃Ｉ２によって開始
され、それによって１００八／分の付着速度が得られる
。それから、ホトレジストおよびそれを覆うＩＴＯはシ
ップレイ・ホトレジスト・リムーバー（前記製造業者に
よって供給される溶剤）によって流除され、ガラス括体
上に所望のポジＩＴＯ電極パターンが残される。 次いで、この電極の直線上アレイを連続的かつ完全に覆
うように、１１ｎｂ ミルのポリエステルシートから機械的に裁断された密着
マスクを介して、ルデチウムジフタロシアニンの厚さ１
１００ｎの層が６英るつぼから真空蒸着される。それか
ら、このＬｕ （Ｐｃ）２層を有するエツチングされた
プレートから約０．５層ｍ離して、ＰＰＧインダストリ
ーズ（ピッツバーグ在）から商業的に入手できる２イン
チ×２インチ×１／１６インチのエツチングされていな
い１１’Ｏプレートを配置することによって、エレクト
ロクロミックセルを作Ｉ Ｔる。プレート間の０．５ｍ
の間隙をｐｌ＋１．２３の１．０モル塩化カリークム電
解質で充填する。液体電解質をその楊に保持するために
プレート間にスクィーズされた薄い円形ビトン（Ｖｉｔ
Ｏｎ ）ガスケットによってシールを構成する。エツチ
ングされたＩＴＯアレイのリードまたは導電体片はプレ
ートの端部で駆りＪ用型子機器に接続される。 、パルス発光キセ ノン円筒光源と狭バンドパスフィルターの組み合わせに
よって、約４６５ ｎ１１１の波長の光を得る。この光
を円筒レンズ系によってエレクトロクロミックセル上に
結像させる。セルを通過した光はそれからｂう一つの円
筒レンズを通って、約＋８００ボルトに予め帯電された
セレン先受容体トに到達−σる。エレクトロクロミック
セルの光透過は共通のス・１向電梅に比べて約＋５ボル
トの電位を作用電極に印加することでＬｕ （ＰＣ＞２
層の選択ｆＩ域を酸化させることによって遮断される。 １−ｕ（Ｐｃ）２９の酸化は４６５ｒｌＩ１１ノ光ノ高
吸収を生じさせるので、その領域では光がエレクトロク
ロミックセルを通過することが阻止される。従って、ヒ
ルを通過した光は像パターン状で光受容体に到達し、潜
像を形成する。前記寸法のイメージバーは光受容体に１
インチ条分だけ像形成する。 先に酸化されたイメージバー領域は次いで、Ｊ（通の対
向電極に比べて約−５ボルトを作用電極に印加すること
によって還元され、そうなると４６５ｎｍの波長の光が
エレクトロクロミックセルを通過することを可能にさせ
る。光受容体は回転し、それによってイメージバーに対
して移動１−る。光受容体の１回転後に、イメージバー
をビクはルアレイの良さ分（〜２５ｐｎＩＩｌ）だけス
テップさせる。 それから、新しい位置で光受容体の周面に像を書き込む
。１０回転とイメージバーの１０ステツプの俊には、隣
接する１インチ条の１０条分に像形成されている。これ
等条分はフルサイズ像を成す。 それから、最終像をトナ−３瓜同部とキャリヤ１００１
ｆｆｉ部からなる黒色現像剤で現像する。トナーはり一
ガル（Ｒｅａａｌ ） ３３００力−ボンブラツク９重
量部と、（スチレンが約５８ｍｍ％の世で ４存在し、
そしてｎ−ブチルメタクリレートが約４２重Ｍ％の量で
存在する）スチレン／ｎ−ブチルメタクリレート共重合
体９１重Ｍ部からなる。キャリヤは米国特許第３．５２
６．５３３号に開示されているように約０．６％の被［
１でメチルターポリマー（メチルメタクリレート、スチ
レン、トリオルガノシラン）を被覆されたスチールコア
からなる。この特許の開示は全体的に参考のために本願
明ｍ書中に組み入れられる。次いで、現像像は紙に転写
され、そして熱と圧力によって永久的に＠着され、黒白
像が得られる。各１インチ条につき２インチ／秒の書込
速度が達成され、その結果、０．２インチ／秒の全印刷
速度が１！７られる。 解像力は約１０本／調であり、そして光学１１１度は約
１．４であり、背景部付着は無い。 これ等実施例は例示であり、本発明の範囲を限定するも
のではない。当業者には、本発明のその他の態様も想起
されるようになろうが、それ等ら本発明の範囲に包含さ
れる。
第１図は本発明のイメージバーを含有する電子写真像形
成システムを示す。 第２図は本発明のイメージバーの一態僅を示し、そこで
は各ピクセルは離隔したエレク１へロクロミツク躾を備
えており、そしてイメージバーシャッターは光を透過し
ている。 第３図は本発明のイメージバーの別の態様を示し、そこ
では各ピクセルは離隔したエレクトロクロミック族を備
えており、そしてイメージバーシャッターは光を反射し
ている。 第４図は本発明のさらに別の態様を示し、そこでは本発
明のイメージバーの各ピクセルは単一電極を含み、そし
てエレクトロクロミック材料は連続状態で付着されてい
るので電極間の領域をも占めている。 第５図は本発明のイメージバーにおりる各ピクセルを個
別にアドレスするための構成を承り。 第６Ａ図〜第６に図は多数のエレクトロクロミック材料
の躾の分光吸収の、還元または酸化による、変化を示す
。 ＦＩＧ、 １ に２き − 口 〜ノ ｄ ヰ
成システムを示す。 第２図は本発明のイメージバーの一態僅を示し、そこで
は各ピクセルは離隔したエレク１へロクロミツク躾を備
えており、そしてイメージバーシャッターは光を透過し
ている。 第３図は本発明のイメージバーの別の態様を示し、そこ
では各ピクセルは離隔したエレクトロクロミック族を備
えており、そしてイメージバーシャッターは光を反射し
ている。 第４図は本発明のさらに別の態様を示し、そこでは本発
明のイメージバーの各ピクセルは単一電極を含み、そし
てエレクトロクロミック材料は連続状態で付着されてい
るので電極間の領域をも占めている。 第５図は本発明のイメージバーにおりる各ピクセルを個
別にアドレスするための構成を承り。 第６Ａ図〜第６に図は多数のエレクトロクロミック材料
の躾の分光吸収の、還元または酸化による、変化を示す
。 ＦＩＧ、 １ に２き − 口 〜ノ ｄ ヰ
Claims (1)
- （１）電界の選択的適用によつて光透過性、部分光透過
性、および非光透過性の波長の間で賦活できる複数の離
隔した独立にアドレス可能なピクセル部分をもつた直線
状の光バルブアレイからなるイメージバーであつて、前
記ピクセル部分が、順に、 第一の透明基体； 前記第一の透明基体に接触しており、かつ可変電流可変
電圧源に接続している、透明電極；前記透明電極に接触
しているエレクトロクロミック材料からなる薄膜； 前記薄膜に接触している透明電解質材料； 前記透明電界質材料に接触しており、かつ前記可変電流
可変電圧源に接続している対向電極；および 第二の基体 からなる、前記イメージバー。
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