JPH02173728A - Active device - Google Patents

Active device

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JPH02173728A
JPH02173728A JP63329665A JP32966588A JPH02173728A JP H02173728 A JPH02173728 A JP H02173728A JP 63329665 A JP63329665 A JP 63329665A JP 32966588 A JP32966588 A JP 32966588A JP H02173728 A JPH02173728 A JP H02173728A
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JP
Japan
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electrode
layer
coupling
active device
coupling layer
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JP63329665A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Sato
尚 佐藤
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain images which are bright and are high in contrast by providing a ferroelectric substance layer and coupling layer on an insulated substrate and forming electrodes on the coupling layer. CONSTITUTION:Electrodes 13 consisting of ITO are provided on the insulated substrate 12 consisting of a glass substrate and the ferroelectric substance layer 14 consisting of the copolymer of vinylidene fluoride and trifluoroethylene is provided on the electrodes 13. The coupling layer 18 consisting of a titanate coupling agent is provided on the ferroelectric substance layer 14 and the electrodes 15 consisting of Al are provided on the coupling layer 18. The coupling layer 18 increases the adhesive strength between the electrodes 15 and the ferroelectric substance layer 14. The images which are bright and high in contrast are obtd. in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は、アクティブマトリクスデイスプレィの画素駆
動用アクティブデバイス及びプリンターのプリンタエン
ジンに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an active device for driving pixels of an active matrix display and a printer engine of a printer.

〔従来の技術1 従来、SID (Society  For  Inf
ormation  Display)、1986  
Symposium  Digest  P296〜2
97に記載されているようなアクティブデバイスが知ら
れていた。その概要を第2図に示す。ガラス基板l上に
形成されたゲート電極2、ゲート絶縁Il!3、チャネ
ルアモルファス5i10、 ソース及びドレイン領域1
1.6、ソース及びドレイン電極5,4から成る薄膜ト
ランジスタに1画素電極7が接続されて成る下側基iA
と、ガラス基板9上に電極8が形成された上側基板Bの
間に液晶Cを保持したアクティブデバイスが知られてい
た。
[Conventional technology 1 Conventionally, SID (Society For Inf.
display), 1986
Symposium Digest P296-2
Active devices such as those described in 97 were known. The outline is shown in Figure 2. Gate electrode 2 formed on glass substrate l, gate insulation Il! 3. Channel amorphous 5i10, source and drain region 1
1.6. A lower base iA in which one pixel electrode 7 is connected to a thin film transistor consisting of source and drain electrodes 5 and 4.
An active device is known in which a liquid crystal C is held between an upper substrate B having an electrode 8 formed on a glass substrate 9.

【発明が解決しようとする課題] しかし、従来のアクティブデバイスは次のような課題を
有していた。すなわち、ソース電極5に印加された画像
情報は、ゲート電極2によりオン、オフをコントロール
されるチャネルアモルファスSt 10を通して画素電
極7と電極8間に保持された液晶Cに伝えられ、画像情
報は液晶Cの電荷として保持される。ところが、液晶C
の電荷は液晶自身のリーク、および薄膜トランジスタの
リーク電流などのために、時間と共に減少してい(。そ
れは、時間と共に画像情報が失われることを意味してい
る。そのために、鮮明で高コントラストの画像を得るこ
とは困難であった。
[Problems to be Solved by the Invention] However, conventional active devices have had the following problems. That is, the image information applied to the source electrode 5 is transmitted to the liquid crystal C held between the pixel electrode 7 and the electrode 8 through the channel amorphous St 10 whose on/off is controlled by the gate electrode 2. It is held as a charge of C. However, LCD C
The charge decreases over time due to the leakage of the liquid crystal itself and the leakage current of thin film transistors (which means that image information is lost over time. Therefore, clear, high-contrast images It was difficult to obtain.

そこで、本発明は従来のこのような課題を解決するもの
で、目的とするところは、鮮明で高コントラストの画像
を提供するアクティブデバイスを提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is intended to solve these conventional problems, and an object of the present invention is to provide an active device that provides clear, high-contrast images.

〔課題を解決するための手段1 本発明のアクティブデバイスは、絶縁基板上に形成され
た強誘電体層、前記強誘電体層上に形成されたカップリ
ング層、前記カップリング層上に形成された電極を具備
したことを特徴とする。
[Means for Solving the Problems 1] The active device of the present invention includes a ferroelectric layer formed on an insulating substrate, a coupling layer formed on the ferroelectric layer, and a coupling layer formed on the coupling layer. It is characterized by being equipped with an electrode.

[実 施 例] 本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第1図(a
)、(b)は本発明第1のアクティブデバイスの断面図
、上視図であり、第1図(a)は同図(b)A−Bにお
ける断面図である。ガラス基板から成る絶縁基板12上
にITOから成る電極13が設けられ、電極13上にフ
ッ化ビニリデン(以下VDFと略記する。)とトリフル
オロエチレン(以下TrFEと略記する。)との共重合
体から成る強誘電体層14が設けられ、強誘電体層14
上にチタネート系カップリング剤から成るカップリング
層18が設けられており、カップリング層18上にAε
から成る電極15が設けられている。カップリング層1
8は、電極15と強誘電体層14間の密着強度を増加さ
せるものであり、同時に本発明第1のアクティブデバイ
スの信頼性をも向上させる。
[Example] An example of the present invention will be described based on the drawings. Figure 1 (a
) and (b) are a sectional view and a top view of the first active device of the present invention, and FIG. 1(a) is a sectional view taken along line AB in FIG. 1(b). An electrode 13 made of ITO is provided on an insulating substrate 12 made of a glass substrate, and a copolymer of vinylidene fluoride (hereinafter abbreviated as VDF) and trifluoroethylene (hereinafter abbreviated as TrFE) is provided on the electrode 13. A ferroelectric layer 14 consisting of
A coupling layer 18 made of a titanate coupling agent is provided thereon, and Aε
An electrode 15 consisting of is provided. Coupling layer 1
8 increases the adhesion strength between the electrode 15 and the ferroelectric layer 14, and at the same time improves the reliability of the first active device of the present invention.

第1図(a)、(b)において、カップリング層18と
して用いられるチタネート系カップリング剤は、例えば
、 や、 といった構造を有したものが用いられるが、チタネート
系カップリング剤であれば何を用いても良く、上記2つ
の構造に限るものではない、また、チタネート系カップ
リング剤の代わりにシランカップリング剤やアルミニウ
ム系カップリング剤を用いても良い。
In FIGS. 1(a) and 1(b), the titanate coupling agent used as the coupling layer 18 has a structure such as or, for example, but any titanate coupling agent can be used. The structure is not limited to the above two structures, and a silane coupling agent or an aluminum coupling agent may be used instead of the titanate coupling agent.

上記各種のカップリング剤は例^ばイソプロピルアルコ
ール等の溶剤で希釈しく粘度調整)強誘電体層14上に
スピンコード法やディッピング法等で塗布し、乾燥する
ことにより形成される。その後カップリング剤がなるべ
(空気中の水分と反応しないように、直ちに電極15を
形成しても良いし、あるいは、カップリング剤を水分と
十分反応させた(例^ば水に入れた後に乾燥させる)後
に電15を形成しても良い。
The above-mentioned various coupling agents are coated onto the ferroelectric layer 14 (for example, by diluting with a solvent such as isopropyl alcohol to adjust the viscosity) by a spin cord method or a dipping method, and are then dried. After that, the electrode 15 may be formed immediately so that the coupling agent does not react with moisture in the air, or the coupling agent may be sufficiently reacted with moisture (for example, after being placed in water). The electrode 15 may be formed after drying).

カップリング層18の厚さは、カップリング剤1分子層
の厚さでも良いし、複数分子要分の厚さであっても良い
、また、カップリング層18は必ずしも一種類のカップ
リング剤から形成される必要は無く、2種類以上のカッ
プリング剤を用いて構成されても良い。
The thickness of the coupling layer 18 may be the thickness of one molecular layer of the coupling agent, or may be the thickness of multiple molecules. It does not need to be formed, and may be formed using two or more types of coupling agents.

また、カップリング層18として用いられる材料はカッ
プリング剤に限る必要は無(、例えばSiOx、シロキ
サン、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル等の無機材
料や有機材料、あるいはそれらの合成材料を一層あるい
は2層以上にして用いても良い、あるいはそれらの材料
をカップリング剤と混合し、あるいはカップリング剤を
塗布した上、あるいはその逆の構成、あるいは2層のカ
ップリング剤でサンドイッチ状にはさんだ状態で用いて
も良い。
Furthermore, the material used for the coupling layer 18 does not need to be limited to a coupling agent (for example, inorganic materials such as SiOx, siloxane, polyimide, epoxy resin, acrylic, etc., organic materials, or synthetic materials thereof can be used in one or two layers). Alternatively, these materials may be mixed with a coupling agent, or coated with a coupling agent, or vice versa, or sandwiched between two layers of coupling agents. May be used.

カップリング層18の表面形状は凹凸の無いフラットで
あっても良いし、例えば数百〜数千オングストローム程
度の凹凸を具備せしめて、電極15の密着性を向上せし
めても良い。
The surface shape of the coupling layer 18 may be flat with no irregularities, or may have irregularities of, for example, several hundred to several thousand angstroms to improve the adhesion of the electrodes 15.

第1図(a)、(b)において、電極13゜15に用い
られる材料はITOやAffに限る必要は無く、例久ば
他の透明電極や金属、半導体、シリサイド、超伝導材料
、導電性高分子を用いて形成しても良い、絶縁基板12
に用いられる材料はガラスに限る必要は無く、セラミッ
ク等の無機材料やプラスチック等の有機材料を用いても
良い。
In FIGS. 1(a) and 1(b), the material used for the electrodes 13 and 15 is not limited to ITO and Aff; examples include other transparent electrodes, metals, semiconductors, silicides, superconducting materials, and conductive materials. Insulating substrate 12, which may be formed using a polymer
The material used for this need not be limited to glass, and may be inorganic materials such as ceramics or organic materials such as plastics.

第1図(a)、(bJ中の強誘電体層3としてBaT 
iOs 、PbTi Os 、WOsなどのペロブスカ
イト型強誘電体、ロツシエル塩、重水素ロツシエル塩、
酒石酸塩などのロッシェル塩系強誘電体、KDP、リン
酸塩、砒酸塩、リン酸二水素カリウム、リン酸二重水素
、カリウムなどのリン酸二水素アルカリ系強誘電体、G
ASH,TGSなどのグアニジン系強誘電体、ニオブ酸
カリウム、グリシン硫酸塩、硫酸アンモニウム、亜硝酸
ナトリウム、ヘキサシアノ鉄(11)酸カリウム(黄血
塩)、ヨウ化硫化アンチモン、あるいはL i TaO
2,PbT i Oxなどの非晶質強誘電体、PLZT
、PZT、フッ化ビニリデン及びその共重合体、フッ化
ビニリデンとテトラフルオロエチレンなどとの共重合体
、シアン化ビニリデンと酢酸ビニルとの共重合体などの
高分子強誘電体、B i+ Tis (Lm、Fe−B
−0系、エレクトレットなどを単結晶あるいは非単結晶
で用いても良い、また、前記強誘電体の2種類以上の合
成物、あるいは常誘電体との合成物を用いても良い、 
T IB Oaなどの無機の強誘電体は大きな残留分極
と早いスイッチングスピードを持つ特徴があり、非晶質
強誘電体は大面積に均一な強誘電体層を得やすいという
特徴があり、有機の強誘電体はスピンコード法で得られ
るため、大面積に均一に低コストで得られるという特徴
がある。また。
Fig. 1(a), (BaT as ferroelectric layer 3 in bJ)
Perovskite ferroelectrics such as iOs, PbTiOs, WOs, Rothsiel salt, deuterium Rothsiel salt,
Rochelle salt-based ferroelectrics such as tartrate, KDP, phosphate, arsenate, potassium dihydrogen phosphate, dihydrogen phosphate, alkaline ferroelectrics such as potassium, G
Guanidine-based ferroelectrics such as ASH and TGS, potassium niobate, glycine sulfate, ammonium sulfate, sodium nitrite, potassium hexacyanoferrate (yellow blood salt), antimony iodide sulfide, or Li TaO
2, Amorphous ferroelectric materials such as PbT i Ox, PLZT
, PZT, vinylidene fluoride and its copolymers, copolymers of vinylidene fluoride and tetrafluoroethylene, etc., copolymers of vinylidene cyanide and vinyl acetate, and other polymeric ferroelectrics, B i+ Tis (Lm , Fe-B
-0 series, electret, etc. may be used in a single crystal or non-single crystal form, or a composite of two or more types of ferroelectrics, or a composite with a paraelectric substance may be used.
Inorganic ferroelectric materials such as T IB Oa are characterized by large residual polarization and fast switching speed, and amorphous ferroelectric materials are characterized by the ease of obtaining a uniform ferroelectric layer over a large area. Since ferroelectric materials are obtained by the spin-coding method, they have the characteristic that they can be obtained uniformly over a large area at low cost. Also.

はとんどの強誘電体は実使用温度に於いて、誘電率や残
留分極の変化がほとんどないため、a度特性は安定して
いる。
Most ferroelectric materials have stable A degree characteristics because there is almost no change in dielectric constant or residual polarization at actual operating temperatures.

第1図(a)、(b)において、絶縁基板12側から、
電極15、強誘電体層14、カップリング層18.電極
13と、電極13と15の位置を逆にして用いても良い
In FIGS. 1(a) and 1(b), from the insulating substrate 12 side,
Electrode 15, ferroelectric layer 14, coupling layer 18. The positions of electrode 13 and electrodes 13 and 15 may be reversed.

第3図に本発明筒1のアクティブデバイスを用いた液晶
パネルの断面図を示す、ガラス基板から成る絶縁基板1
上に設けられたITOから成る電極13、VDFとTr
FEとの共重合体から成る強誘電体層14.チタネート
系カップリング剤から成るカップリング層18、AI2
から成る電極15より成る基iDとガラス基板よりから
成る絶縁基板16上に設けられたITOより成る電極1
7より成る対向基板Eの間に液晶Fを保持した液晶パネ
ルである。
FIG. 3 shows a cross-sectional view of a liquid crystal panel using the active device of the tube 1 of the present invention, an insulating substrate 1 made of a glass substrate.
Electrode 13 made of ITO provided above, VDF and Tr
Ferroelectric layer 14 made of a copolymer with FE. Coupling layer 18 made of titanate coupling agent, AI2
An electrode 1 made of ITO provided on an insulating substrate 16 made of a glass substrate and a base iD made of an electrode 15 made of
This is a liquid crystal panel in which a liquid crystal F is held between opposing substrates E consisting of 7.

第3図において電極13は画素電極を形成しているため
、カップリングN18は液晶の配向膜として用いること
ができる。また、液晶に印加される直流電圧をカットす
る。直流電圧カット膜としての作用も有する。従って本
発明筒1のアクティブデバイスを用いて液晶パネルは、
特別な工程を付加して液晶の配向膜や直流電圧カット膜
を形成する必要がないため、短い工程で高い歩留りで形
成でき、工業的価値は絶大である。また、カップリング
層18は液晶Fと強誘電体層14の中間に位置している
ため、例えば液晶F中に強誘電体層14中の不純物が溶
は込み液晶Fの特性が悪化したりあるいは信頼性が低下
したり、あるいはその逆の強誘電体層14の特性の悪化
現象が生じるのを防ぐ、保護膜の機能も兼ね備えている
。また、その保護膜の機能としては、絶縁基板12中の
不純物が液晶F中に混入することを防ぐこともできる。
In FIG. 3, since the electrode 13 forms a pixel electrode, the coupling N18 can be used as an alignment film for liquid crystal. It also cuts the DC voltage applied to the liquid crystal. It also functions as a DC voltage cutting film. Therefore, a liquid crystal panel using the active device of the present invention tube 1 is
Since there is no need to add a special process to form a liquid crystal alignment film or a DC voltage cut film, it can be formed in a short process with a high yield, and has great industrial value. Furthermore, since the coupling layer 18 is located between the liquid crystal F and the ferroelectric layer 14, impurities in the ferroelectric layer 14 may dissolve into the liquid crystal F, deteriorating the characteristics of the liquid crystal F, or It also has the function of a protective film that prevents the reliability from decreasing or vice versa from deteriorating the characteristics of the ferroelectric layer 14 . Further, the function of the protective film is to prevent impurities in the insulating substrate 12 from being mixed into the liquid crystal F.

そのため、従来は不純物の問題で液晶パネルには用いる
ことのできなかった安価な絶縁基板を用いることも可能
となり、この点でも工業的価値は絶大となるものである
Therefore, it becomes possible to use inexpensive insulating substrates that could not be used in liquid crystal panels due to impurity problems, and in this respect as well, the industrial value is enormous.

第3図において、絶縁基板16、電極17に用いられる
材ネ4はガラスやAffに限る必要は無(、絶縁基板1
2、電極13に用いられるものと同じものを用いて良い
In FIG. 3, the material 4 used for the insulating substrate 16 and the electrode 17 is not limited to glass or Aff (the insulating substrate 1
2. The same material as used for the electrode 13 may be used.

第3図において、液晶Fの代わりに、電気光学効果を持
つ材料、EL材料、気体、エレクトロクロミック材料な
どの電界によって光の透過率を変化させる材料、発光非
発光状態を変化させる材料、色が変化する材料などを用
いても良い。
In Figure 3, instead of liquid crystal F, materials that have an electro-optical effect, EL materials, gases, electrochromic materials, etc. that change the transmittance of light by an electric field, materials that change the light emitting/non-emitting state, and materials that change the color A variable material or the like may also be used.

第4図に本発明筒1のアクティブデバイスを用いたアク
ティブマトリクスパネルの一部の上視図を示す。ガラス
基板から成る絶縁基板12上にIToから成る電極13
、VDFとTrFEとの共重合体より成る強誘電体層、
チタネート系力・ノブリング剤より成るカップリング層
、Aρから成る電極15から成る基板と、ガラス基板か
ら成る絶縁基板上に設けられたITOより成る電極17
で形成された対向基板の間に液晶を保持しており。
FIG. 4 shows a top view of a part of an active matrix panel using the active device of the tube 1 of the present invention. An electrode 13 made of ITo is placed on an insulating substrate 12 made of a glass substrate.
, a ferroelectric layer made of a copolymer of VDF and TrFE,
A coupling layer made of a titanate-based force/knobling agent, a substrate made of an electrode 15 made of Aρ, and an electrode 17 made of ITO provided on an insulating substrate made of a glass substrate.
The liquid crystal is held between opposing substrates formed by.

両基板の電極15と17はマトリクス状に配置されてい
る。
Electrodes 15 and 17 on both substrates are arranged in a matrix.

第5図(a)、(b)に本発明筒2のアクティブデバイ
スを示す、第5図(b)は上視図であり、同図(a)は
同図A−Hにおける断面図である。ガラス基板から成る
絶縁基板12上にITOから成る電極13が設けられて
おり、電極13上にVDFとTrFEとの共重合体から
成る強誘電体層14が設けられており、強誘電体層14
上にチタネート系カップリング剤から成るカップリング
層18が設けられており、カップリング層18上に八2
から成る電極15が設けられている0強誘電体層14と
カップリング層18.電極15は同一形状で形成されて
いる。
FIGS. 5(a) and 5(b) show the active device of the tube 2 of the present invention, FIG. 5(b) is a top view, and FIG. 5(a) is a sectional view taken along line A-H in the same figure. . An electrode 13 made of ITO is provided on an insulating substrate 12 made of a glass substrate, and a ferroelectric layer 14 made of a copolymer of VDF and TrFE is provided on the electrode 13.
A coupling layer 18 made of a titanate-based coupling agent is provided on the coupling layer 18.
A ferroelectric layer 14 and a coupling layer 18, on which an electrode 15 is provided. The electrodes 15 are formed in the same shape.

第5図(a)、(b)において、カップリング層18を
必ずしも電極15と同一形状にする必要は無く、第1の
アクティブデバイスと同様に絶縁基板12と電極13を
被覆するように設けても良い。その際強誘電体層14と
電極15は同一形状に形成されても良いし、異なった形
状でも良い。
In FIGS. 5(a) and 5(b), the coupling layer 18 does not necessarily have to have the same shape as the electrode 15, but may be provided to cover the insulating substrate 12 and the electrode 13 as in the first active device. Also good. In this case, the ferroelectric layer 14 and the electrode 15 may be formed in the same shape or may be formed in different shapes.

第6図(a)、(b)に本発明筒3のアクティブデバイ
スを示す、第6図(b)は上視図であり、同図(a)は
同図(b)のA−Bにおける断面図である。ガラス基板
から成る絶縁基板12上にVDFとTrFEとの共重合
体から成る強誘電体層14が設けられており、強誘電体
層14上にチタネート系カップリング剤から成るカップ
リング層18が設けられており、カップリング層18上
にITOから成る電極13とAr1から成る電極15が
設けられている。
FIGS. 6(a) and 6(b) show the active device of the cylinder 3 of the present invention, FIG. 6(b) is a top view, and FIG. FIG. A ferroelectric layer 14 made of a copolymer of VDF and TrFE is provided on an insulating substrate 12 made of a glass substrate, and a coupling layer 18 made of a titanate coupling agent is provided on the ferroelectric layer 14. An electrode 13 made of ITO and an electrode 15 made of Ar1 are provided on the coupling layer 18.

第6図(a)、(b)において、カップリング層18は
強誘電体層14上全面に設けることは必ずしも必要では
無く、電極13.15と接しない領域のカップリング層
18を取り除いた形で設けても良い。
In FIGS. 6(a) and 6(b), it is not necessarily necessary to provide the coupling layer 18 on the entire surface of the ferroelectric layer 14, and the coupling layer 18 in the area not in contact with the electrode 13.15 is removed. You can also set it as

第7図(a)、(b)に本発明筒4のアクティブデバイ
スを示す、第7図(b)は上視図であり、同図(a)は
同図(b)のA−Hにおける断面図である。ガラス基板
から成る絶縁基板12上にVDFとTrFEとの共重合
体から成る強誘電体層14が島状に設けられており、強
誘電体層14と絶縁基板12を被覆するようにチタネー
ト系カップリング剤から成るカップリング層18が設け
られており、カップリング層18上にITOから成る電
極13とAr1から成る電極15が、カップリング層1
8を介し、一部が強誘電体層14と重なるように設けら
れている。
FIGS. 7(a) and 7(b) show the active device of the cylinder 4 of the present invention, FIG. 7(b) is a top view, and FIG. FIG. A ferroelectric layer 14 made of a copolymer of VDF and TrFE is provided in an island shape on an insulating substrate 12 made of a glass substrate, and a titanate cup is formed to cover the ferroelectric layer 14 and the insulating substrate 12. A coupling layer 18 made of a ring agent is provided, and an electrode 13 made of ITO and an electrode 15 made of Ar1 are placed on the coupling layer 18.
The ferroelectric layer 14 is provided so as to partially overlap with the ferroelectric layer 14 via the ferroelectric layer 8 .

本発明筒4のアクティブデバイスにおいて。In the active device of the present invention cylinder 4.

カップリング層18は必ずしも絶縁基板12と接する領
域にも設ける必要は無く、少なくとも、強誘電体層14
と電極13.15間にはさまれた領域に設けられていれ
ば良い。
The coupling layer 18 does not necessarily need to be provided also in the region in contact with the insulating substrate 12, and at least the ferroelectric layer 14
It suffices if it is provided in a region sandwiched between the electrodes 13 and 15.

本発明筒2〜4のアクティブデバイスにおいても、カッ
プリング層18は本発明筒1のアクティブデバイスと同
様に強誘電体層14と電極13または電極15間の密着
強度を増加するために用いられるが、液晶パネルに本発
明筒2〜4のアクティブデバイスを用いた際は、本発明
筒1のアクティブデバイスを用いた際と同様に、カップ
リング層18は液晶の配向膜、直流電圧カット膜、保護
膜としての機能も兼ね備^ている。
In the active devices according to the invention cylinders 2 to 4, the coupling layer 18 is used to increase the adhesion strength between the ferroelectric layer 14 and the electrode 13 or the electrode 15, as in the active device according to the invention cylinder 1. When the active devices of the present invention cylinders 2 to 4 are used in a liquid crystal panel, the coupling layer 18 is a liquid crystal alignment film, a DC voltage cut film, and a protective film, as in the case of using the active device of the present invention cylinder 1. It also has the function of a membrane.

本発明筒2〜4のアクティブデバイスに用いられる絶縁
基板121強誘電体層14.電極13.15、カップリ
ング層18に用いられる材料は本発明筒1のアクティブ
デバイスに用いられる材料を同様に用いて良い。
Insulating substrate 121 ferroelectric layer 14 used in active devices of cylinders 2 to 4 of the present invention. The materials used for the electrodes 13, 15 and the coupling layer 18 may be the same as those used for the active device of the cylinder 1 of the present invention.

本発明筒2〜4のアクティブデバイスを本発明筒1のア
クティブデバイスの代わりに用いて、第2図、3図に示
す液晶パネル、アクティブマトリクスパネルを形成して
も良い。
The active devices of the tubes 2 to 4 of the present invention may be used instead of the active devices of the tube 1 of the present invention to form a liquid crystal panel or an active matrix panel shown in FIGS. 2 and 3.

本発明筒1〜4のアクティブデバイスはメモリー性を有
する強誘電体の残留分極を用いて液晶を駆動するもので
、アクティブデバイス自身のリーク電流は無(、鮮明で
高コントラストな画像を提供するアクティブデバイスで
ある。
The active devices of cylinders 1 to 4 of the present invention drive the liquid crystal using the residual polarization of a ferroelectric material that has memory properties, and the active devices themselves have no leakage current (the active devices provide clear, high-contrast images). It is a device.

(発明の効果] 本発明のアクティブデバイスは高信頼性のアクティブデ
バイスであり、鮮明で高コントラストな・カップリング
層 画像を提供する。
(Effects of the Invention) The active device of the present invention is a highly reliable active device and provides a clear and high-contrast coupling layer image.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図(a)、(b)は本発明第1のアクティブデバイ
スの断面図、上視図、第2図は従来のアクティブデバイ
スを示す図、第3図は本発明第1のアクティブデバイス
を用いた液晶パネルの断面図、第4図は本発明第1のア
クティブデバイスを用いたアクティブデバイスの一部の
上視図、第5図(a)、(b)は本発明第2のアクティ
ブデバイスの断面図、上視図、第6図(a)、(b)は
本発明第3のアクティブデバイスの断面図、上視図、第
7図(a)、(b)は本発明第4のアクティブデバイス
の断面図、上視図である。 出願人  セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉(他1名)12・・・
絶縁基板 13・・・電極 14・・・強誘電体層 15・・・電極 <a) (b) 第1図 (lt) (し) $5図 第 図 (い $乙図
FIGS. 1(a) and (b) are cross-sectional views and top views of the first active device of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a conventional active device, and FIG. 3 is a diagram showing the first active device of the present invention. 4 is a top view of a part of an active device using the first active device of the present invention, and FIGS. 5(a) and 5(b) are a cross-sectional view of the liquid crystal panel used. 6(a) and (b) are sectional views and top views of the third active device of the present invention, and FIGS. 7(a) and (b) are the fourth active device of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view and a top view of an active device. Applicant Seiko Epson Co., Ltd. Agent Patent Attorney Masatoshi Kamiyanagi (and 1 other person) 12...
Insulating substrate 13...electrode 14...ferroelectric layer 15...electrode<a) (b) Figure 1 (lt) (shi) Figure 5 (Figure 2)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 絶縁基板上に形成された強誘電体層、前記強誘電体層上
に形成されたカップリング層、前記カップリング層上に
形成された電極を具備したことを特徴とするアクティブ
デバイス。
An active device comprising: a ferroelectric layer formed on an insulating substrate; a coupling layer formed on the ferroelectric layer; and an electrode formed on the coupling layer.
JP63329665A 1988-12-27 1988-12-27 Active device Pending JPH02173728A (en)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54155795A (en) * 1978-05-30 1979-12-08 Seiko Instr & Electronics Ltd Electro-optical display unit
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