JP2721214B2 - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

Info

Publication number
JP2721214B2
JP2721214B2 JP32815088A JP32815088A JP2721214B2 JP 2721214 B2 JP2721214 B2 JP 2721214B2 JP 32815088 A JP32815088 A JP 32815088A JP 32815088 A JP32815088 A JP 32815088A JP 2721214 B2 JP2721214 B2 JP 2721214B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
film
pixel electrode
insulating protective
protective film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP32815088A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH02171721A (en
Inventor
繁光 水嶋
英一郎 西村
隆治 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Original Assignee
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC filed Critical Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority to JP32815088A priority Critical patent/JP2721214B2/en
Priority to DE68915524T priority patent/DE68915524T2/en
Priority to US07/454,781 priority patent/US5066110A/en
Priority to EP89313515A priority patent/EP0376648B1/en
Priority to KR1019890019514A priority patent/KR0136867B1/en
Publication of JPH02171721A publication Critical patent/JPH02171721A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2721214B2 publication Critical patent/JP2721214B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は,マトリクス状に配設された多数の絵素電極
により,液晶層の各絵素を駆動するマトリクス型の液晶
表示装置に関する。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a matrix type liquid crystal display device which drives each picture element of a liquid crystal layer by a large number of picture element electrodes arranged in a matrix.

(従来の技術) アクティブマトリクス型の液晶表示装置では,絵素電
極基板と対向電極基板とにより液晶層が挟まれて,液晶
表示セルが構成される。絵素電極基板は。透明基板に,
マトリクス状に配設された多数の絵素電極を有し,各絵
素電極に所定の電圧を印加するTFT(薄膜トランジス
タ),MIM(金属−絶縁層−金属)素子,トランジスタ,
ダイオード,バリスタ等の機能素子が各絵素電極に接続
されて,該透明基板上に配設されている。このような絵
素電極基板では,各絵素電極および各機能素子の機械的
損傷や化学的損傷を防止し,かつ,各絵素電極間に電流
がリークすることを防止するために,各機能素子および
各絵素電極を,絶縁性の保護膜にて,外部端子等と接続
される一部を除いて全面に被覆している。そして,該絶
縁保護膜上に,液晶層の液晶分子を配向させるために,
例えばポリイミド系樹脂を用いた配向膜が積層されてお
り,該配向膜にて絵素電極基板上に積層される液晶層の
液晶分子がツイスト配向される。液晶層を挟んで該絵素
電極基板と対向配設される対向電極基板には対向電極が
配設されている。
(Prior Art) In an active matrix type liquid crystal display device, a liquid crystal layer is sandwiched between a pixel electrode substrate and a counter electrode substrate to form a liquid crystal display cell. Picture element electrode substrate. On a transparent substrate,
TFT (Thin Film Transistor), MIM (Metal-Insulating Layer-Metal), Transistor, which has a large number of pixel electrodes arranged in a matrix and applies a predetermined voltage to each pixel electrode.
Functional elements such as diodes and varistors are connected to the respective picture element electrodes and arranged on the transparent substrate. In such a pixel electrode substrate, each of the pixel electrodes and each functional element is prevented from being mechanically or chemically damaged, and each function is prevented from leaking between the pixel electrodes. The element and each picture element electrode are entirely covered with an insulating protective film except for a part connected to an external terminal or the like. And, in order to align the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer on the insulating protective film,
For example, an alignment film using a polyimide resin is laminated, and the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer laminated on the pixel electrode substrate are twist-aligned by the alignment film. A counter electrode is provided on a counter electrode substrate which is provided to face the pixel electrode substrate with the liquid crystal layer interposed therebetween.

特開昭62−296123号公報には,絵素電極基板の絶縁保
護膜としてポリイミドを用い,各絵素電極上ではその一
部上にのみ該ポリイミドの絶縁保護膜を積層し,該絶縁
保護膜および絵素電極をポリイミドからなる液晶配向膜
にて覆った液晶表示装置が開示されている。この場合,
絶縁保護膜として用いられるポリイミドは,膜質が粗い
ためにピンホールが生じやすく,また透湿性も高いため
に電流がリークしやすいという欠点がある。このため,
このようなポリイミドを,TFT等の機能素子を保護するた
めの絶縁保護膜として使用する場合には,2μm以上の膜
厚が必要になる。上記公報では,ポリイミド絶縁保護膜
の膜厚は約2.5μmとされている。液晶表示装置では,
液晶層は,通常,10μm程度の厚さとされるため,ポリ
イミド絶縁保護膜を絵素電極全面に被覆すれば,該絶縁
保護膜のインピーダンスは液晶の1/2〜1/3に相当し,電
圧ロスが著しく,液晶層に高電圧を印加しなければ,液
晶分子は配向変換されない。このように,ポリイミド絶
縁保護膜を絵素電極全面に被覆すれば,液晶層の駆動に
高電圧を必要とし,TFT等の機能素子の負荷,配線の負荷
が増大し,液晶表示装置はその寿命が著しく低減され
る。上記公報の液晶表示装置では,絵素電極上のポリイ
ミド絶縁保護膜を除去して,比較的低い電圧により液晶
層を駆動し得るようにしており,このような問題が解消
される。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-296123 discloses that a polyimide is used as an insulating protective film on a pixel electrode substrate, and on each pixel electrode, the polyimide insulating protective film is laminated only on a part thereof. A liquid crystal display device in which a pixel electrode is covered with a liquid crystal alignment film made of polyimide is disclosed. in this case,
Polyimide used as an insulating protective film has the drawbacks that pinholes are likely to occur due to the poor film quality, and that current tends to leak due to high moisture permeability. For this reason,
When such a polyimide is used as an insulating protective film for protecting a functional element such as a TFT, a film thickness of 2 μm or more is required. In the above publication, the thickness of the polyimide insulating protective film is about 2.5 μm. In liquid crystal display devices,
Since the thickness of the liquid crystal layer is usually about 10 μm, if a polyimide insulating protective film is coated over the entire surface of the pixel electrode, the impedance of the insulating protective film is equivalent to 1/2 to 1/3 of the liquid crystal. The loss is remarkable and the liquid crystal molecules do not undergo alignment conversion unless a high voltage is applied to the liquid crystal layer. In this way, if the polyimide insulating protective film is coated over the entire surface of the pixel electrode, a high voltage is required to drive the liquid crystal layer, and the load on functional elements such as TFTs and the load on wiring are increased. Is significantly reduced. In the liquid crystal display device of the above publication, the polyimide insulating protective film on the picture element electrode is removed so that the liquid crystal layer can be driven by a relatively low voltage, and such a problem is solved.

(発明が解決しようとする課題) しかし,上記公報に開示された液晶表示装置出は,絵
素電極の一部に積層されるポリイミド絶縁保護膜の膜厚
を厚くしなければならず,そのために該保護絶縁膜のイ
ンピーダンスが大きくなり,液晶層を駆動するべく絵素
電極に電圧が印加されると,ポリイミド絶縁保護膜が積
層された絵素電極部分は,ポリイミド絶縁保護膜が積層
されていない他の部分よりも液晶層への印加電圧が低く
なり,一つの絵素電極にて駆動される絵素内にコントラ
ストムラが生じ,表示品位が著しく低下するという問題
がある。
(Problems to be Solved by the Invention) However, in the liquid crystal display device disclosed in the above publication, the thickness of the polyimide insulating protective film laminated on a part of the pixel electrode must be increased. When the impedance of the protective insulating film increases and a voltage is applied to the pixel electrode to drive the liquid crystal layer, the pixel electrode portion where the polyimide insulating protective film is laminated does not have the polyimide insulating protective film laminated. There is a problem that the applied voltage to the liquid crystal layer becomes lower than that of the other portions, so that contrast unevenness occurs in a picture element driven by one picture element electrode, and display quality is remarkably deteriorated.

また,液晶層の配向膜としてポリイミド系樹脂を用い
た場合には,絵素電極との間に内部分極が生じやすい。
この内部分極についての詳細なメカニズムについては不
明であるが,ポリイミド系樹脂が, という構成を有し,極性基を多数有しているため,ポリ
イミド系樹脂の配向膜は,その膜内または表面に極性分
子またはイオン等が特異吸着され,絵素電極との間に電
気二重層が形成されるために内部分極が発生すると考え
られる。このように,内部分極が生じると,液晶層に印
加される電圧に悪影響を及ぼす。具体的には,液晶層を
駆動するために,絵素電極と対向電極との間に印加され
る交流電圧に直流オフセット電圧が印加され,該交流電
圧を非平衡状態とする。このように,液晶層に印加され
る交流電圧に直流成分が重畳されてオフセット状態にな
ると,液晶層の表示には,フリッカーの発生,コントラ
ストの低下等が生じ,さらには,重畳される直流成分の
バラツキにより,コントラストムラが生じる等,表示品
位を著しく低下させる。このような内部分極の容量は,
ポリイミド系樹脂製の配向膜と絵素電極との間に絶縁保
護膜が介装されている場合には,その膜厚により影響を
受け,絶縁保護膜が厚くなるほど大きくなる。上記公報
に開示された液晶表示装置のように,絶縁保護膜として
ポリイミドを用いる場合には,その膜厚が2μm以上を
必要とし,絵素電極の一部に絶縁保護膜が積層された状
態であっても,内部分極の発生によるコントラストムラ
等の表示品位の低下を無視することができない。
In addition, when a polyimide resin is used as the alignment film of the liquid crystal layer, internal polarization easily occurs between the pixel electrode and the pixel electrode.
Although the detailed mechanism of this internal polarization is unknown, the polyimide resin Since the polarizer has many polar groups, polar molecules or ions are specifically adsorbed in or on the polyimide-based alignment film, and an electric double layer Is considered to cause internal polarization. When the internal polarization occurs, the voltage applied to the liquid crystal layer is adversely affected. Specifically, in order to drive the liquid crystal layer, a DC offset voltage is applied to an AC voltage applied between the pixel electrode and the counter electrode, and the AC voltage is brought into a non-equilibrium state. As described above, if the DC component is superimposed on the AC voltage applied to the liquid crystal layer and the DC voltage is offset, the display of the liquid crystal layer may cause flicker, decrease the contrast, and the like. The display quality is remarkably deteriorated, for example, due to the unevenness of contrast. The capacity of such internal polarization is
If an insulating protective film is interposed between the polyimide resin alignment film and the pixel electrode, the thickness is affected by the thickness of the insulating protective film, and the thickness increases as the insulating protective film becomes thicker. When polyimide is used as an insulating protective film as in the liquid crystal display device disclosed in the above publication, the film thickness needs to be 2 μm or more, and the insulating protective film is laminated on a part of the pixel electrode. Even if there is, degradation of display quality such as uneven contrast due to the occurrence of internal polarization cannot be ignored.

また,各絵素電極に接続される機能素子としてTFTを
使用する場合には,ドレイン電圧に,ゲート・ドレイン
電極間容量によるゲート電圧がカップリングし,直流電
圧成分が重畳する。このように,ドレイン電圧に直流電
圧成分が重量される場合には,対向電極に印加される電
圧に直流電圧を印加して,対向電極の電圧波形をオフセ
ットすることにより,ドレイン電圧に重畳される直流電
圧成分を補償する方法が知られている。しかし,ドレイ
ン電圧に重畳される直流電圧成分は,ソース電圧のレベ
ルにより大きく変化することがよく知られており,実際
には,完全に補償することができない。完全に補償され
ない直流電圧成分は,液晶層に印加され,上述した内部
分極の容量を大きくし,内部分極の極性を緩和させるた
めに長時間を要する。その結果,画像信号として印加さ
れたソース電圧により生じる内部分極の強い極性は,所
定時間にわたってメモリーされることになるため,ソー
ス電圧(画像信号)の変化に追従させて液晶層を駆動す
ることができなくなり,該液晶層に残像となって表示さ
れる。TFTを機能素子として用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置では残像が表示される原因の一つは,
この内部分極の発生にあることが判明した。
When a TFT is used as a functional element connected to each pixel electrode, the gate voltage due to the capacitance between the gate and the drain electrode is coupled to the drain voltage, and a DC voltage component is superimposed. As described above, when the DC voltage component is weighed in the drain voltage, the DC voltage is applied to the voltage applied to the counter electrode, and the voltage waveform of the counter electrode is offset to be superimposed on the drain voltage. A method for compensating for a DC voltage component is known. However, it is well known that the DC voltage component superimposed on the drain voltage greatly changes depending on the level of the source voltage, and in fact, it cannot be completely compensated. The DC voltage component that is not completely compensated is applied to the liquid crystal layer, and it takes a long time to increase the capacity of the above-described internal polarization and relax the polarity of the internal polarization. As a result, the strong polarity of the internal polarization generated by the source voltage applied as the image signal is stored for a predetermined time, so that the liquid crystal layer can be driven by following the change in the source voltage (image signal). It is no longer possible, and an afterimage is displayed on the liquid crystal layer. One of the causes of an afterimage in an active matrix type liquid crystal display device using a TFT as a functional element is as follows.
It was found that this internal polarization occurred.

このように,絵素電極上に絶縁保護膜を介してポリイ
ミド系樹脂の配向膜を積層する場合には,内部分極の発
生により種々の問題が生じるが,配向膜としてSiO2等の
無機材料やシランカップリング剤を用いる場合には,上
述のような問題はほとんど生じない。
Thus, if on the pixel electrode via an insulating protective film is laminated an alignment layer of polyimide resin, various problems caused by the generation of internal polarization, Ya inorganic material such as SiO 2 as an alignment film When a silane coupling agent is used, the above-mentioned problems hardly occur.

ポリイミド系樹脂を配向膜として用いる場合には,絵
素電極上に積層される絶縁保護膜の影響により,上述し
た問題が生じるために,例えば,絶縁保護膜を配設しな
いことも考えられる。しかし,絶縁保護膜を取り除く
と,製造時の機械的および化学的損傷に対する耐性が劣
化し,例えば,配向膜として用いられるポリイミド系樹
脂をラビング配向処理する際に透明基板上の絵素電極等
の膜はがれが生じる。さらに,各絵素電極間のリーク電
流の増加,例えばTFTのオフ電流の増加等により表示ム
ラ等が生じて表示品位が低下すると共に,表示の信頼性
も低下する。
When a polyimide resin is used as the alignment film, the above-described problem occurs due to the influence of the insulating protective film laminated on the pixel electrode. For example, it is conceivable that the insulating protective film is not provided. However, if the insulating protective film is removed, the resistance to mechanical and chemical damage during manufacturing will deteriorate. For example, when a polyimide resin used as an alignment film is subjected to a rubbing alignment process, the pixel electrode on a transparent substrate, etc. Peeling occurs. Further, an increase in leakage current between the pixel electrodes, for example, an increase in the off-state current of the TFT, causes display unevenness and the like, thereby deteriorating the display quality and lowering the display reliability.

本発明は上記従来の問題を解決するものであり,その
目的は,ポリイミド系樹脂を配向膜として用いた場合に
生じる内部分極現象の影響を防止し得る液晶表示装置を
提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device capable of preventing the influence of an internal polarization phenomenon that occurs when a polyimide resin is used as an alignment film.

(課題を解決するための手段) 本発明の液晶表示装置は,液晶層と,該液晶層の各絵
素を駆動すべく基板上にマトリクス状に配設された多数
の絵素電極,および各絵素電極にそれぞれ電気的に接続
されて該基板上に配設された機能素子とを有する絵素電
極基板とを備えた液晶表示装置であって, ポリイミド系樹脂からなる配向膜が該絵素電極上に直
接積層される部分の面積が各絵素電極の面積の1/100以
上となるように,無機質窒化物または無機質酸化物から
なる絶縁保護膜が2000Åから5000Åの膜厚で各絵素電極
の一部に積層され,且つ該絶縁保護膜が積層されていな
い各絵素電極部分並びに該絶縁保護上を300Åから1000
Åの膜厚の該配向膜で覆った分極消失構造を有する絵素
電極基板を備えてなり,そのことにより上記目的が達成
される。
(Means for Solving the Problems) A liquid crystal display device according to the present invention comprises a liquid crystal layer, a large number of picture element electrodes arranged in a matrix on a substrate for driving each picture element of the liquid crystal layer, and A liquid crystal display device comprising: a pixel electrode substrate having a functional element disposed on the substrate and electrically connected to each of the pixel electrodes; An insulating protective film made of an inorganic nitride or an inorganic oxide with a thickness of 2,000 to 5,000 mm is applied to each pixel so that the area of the part directly laminated on the electrode is 1/100 or more of the area of each pixel electrode. Each of the picture element electrode portions laminated on a part of the electrode and not covered with the insulating protective film and the insulating protective film has a thickness of 300 to 1000
A pixel electrode substrate having a polarization extinction structure covered with the alignment film having a thickness of Å is provided, whereby the object is achieved.

好ましくは,前記配向膜と前記絵素電極の周縁部との
間に前記絶縁保護膜を介装する構成とする。
Preferably, the insulating protection film is interposed between the alignment film and the peripheral portion of the picture element electrode.

(作用) 上記の分極消失構造によれば,各絵素電極に所定電圧
が印加されても,絵素電極と配向膜とが直接積層される
部分に,イオン,極性分子等が集中するため,内部分極
の発生が抑制される。
(Operation) According to the above-mentioned polarization elimination structure, even if a predetermined voltage is applied to each pixel electrode, ions, polar molecules, and the like are concentrated at a portion where the pixel electrode and the alignment film are directly laminated. The occurrence of internal polarization is suppressed.

また,無機質窒化物または無機質酸化物からなる絶縁
保護膜は,膜質が緻密でしかも高耐湿性および高誘電率
を有するための膜厚を薄くでき,この絶縁保護膜を介し
て各絵素電極の一部に積層される配向膜の部分において
も内部分極の発生が抑制される。
In addition, the insulating protective film made of inorganic nitride or inorganic oxide can be made thin in order to have a dense film and high moisture resistance and high dielectric constant. The occurrence of internal polarization is also suppressed in the part of the alignment film that is partially laminated.

しかも,各絵素電極により液晶層の各絵素に印加され
る電圧は,絶縁保護膜が積層された部分と配向膜が直接
積層された他の部分とでもほとんど差がなく均一になっ
ているため,駆動される絵素にフリッカーが発生するお
それがなく,コントラストの低下やコントラストムラの
ない高品位な画像が得られる。
Moreover, the voltage applied to each picture element of the liquid crystal layer by each picture element electrode is uniform with little difference between the portion where the insulating protective film is laminated and the other portion where the alignment film is directly laminated. Therefore, a flicker does not occur in the driven picture element, and a high-quality image without a decrease in contrast or contrast unevenness can be obtained.

従って,TFTのオフ特性劣化による表示ムラ,内部分極
による表示品位の低下(ちらつき,コントラストムラ
等)配向乱れ及び残像が併せて解消されて,高品位な表
示が可能となる。
Accordingly, display unevenness due to TFT off-characteristic degradation, display quality deterioration (flicker, contrast unevenness, etc.) due to internal polarization, alignment disorder and afterimage are also eliminated, and high-quality display becomes possible.

加えて,配向膜と絵素電極の周縁部との間に絶縁保護
膜を介装する構成とする場合には,製造時の機械的およ
び化学的損傷に対する耐性が向上する。このため,例え
ば,配向膜として用いられるポリイミド系樹脂をラビン
グ配向処理する際に透明基板上の絵素電極等の膜はがれ
が生じることがなくなる。
In addition, in the case where an insulating protective film is interposed between the alignment film and the peripheral portion of the pixel electrode, resistance to mechanical and chemical damage during manufacturing is improved. For this reason, for example, when a polyimide resin used as an alignment film is subjected to rubbing alignment treatment, a film such as a pixel electrode on a transparent substrate does not peel off.

(実施例) 以下に本発明を実施例について説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples.

本発明の液晶表示装置は,第1図に示すように,多数
のITO膜でなる絵素電極12が配設された絵素電極基板10
と,該絵素電極基板10とは液晶層30を介して対向配設さ
れた対向電極基板20とを有する。
As shown in FIG. 1, the liquid crystal display device of the present invention comprises a pixel electrode substrate 10 on which a plurality of pixel electrodes 12 composed of ITO films are disposed.
And the picture element electrode substrate 10 and a counter electrode substrate 20 disposed to face the liquid crystal layer 30 with the liquid crystal layer 30 interposed therebetween.

絵素電極基板10は,透明基板11上に第2図に示すよう
に,チタンよりなる多数のソース配線13が相互に平行に
配線されており,また各ソース配線13とは相互に絶縁状
態で直交するようにタンタルよりなる多数のゲート配線
14が配線されている。そして,各ソース配線13および各
ゲート配線14とにより囲まれた領域内に,各絵素電極12
がそれぞれ収納されて,該透明基板11上に多数の絵素電
極が,マトリクス状にパターン化されて配置される。
As shown in FIG. 2, the pixel electrode substrate 10 has a large number of source wirings 13 made of titanium arranged in parallel with each other on a transparent substrate 11 and is insulated from each other. Many gate wires made of tantalum so as to be orthogonal
14 are wired. Each pixel electrode 12 is located in a region surrounded by each source line 13 and each gate line 14.
Are stored, and a large number of picture element electrodes are arranged in a matrix on the transparent substrate 11.

各ゲート配線14における各ソース配線13との交差部近
傍には,機能素子としてのTFT15がそれぞれ設けられて
おり,TFT15と所定の絵素電極12とが電気的に接続されて
いる。
TFTs 15 as functional elements are provided in the vicinity of intersections of the gate lines 14 with the source lines 13, respectively, and the TFTs 15 and predetermined pixel electrodes 12 are electrically connected.

各TFT15および絵素電極12の具体的な構成は次のとお
りである。第1図に示すように,透明基板11上に配線さ
れたタンタル製のゲート配線14の一部にてゲート電極が
構成されており,該ゲート電極を構成する部分は,ゲー
ト絶縁膜を構成する酸化タンタル15aにて覆われてお
り,該酸化タンタル15aは,ゲート絶縁膜を構成するSiN
x(窒化シリコン)膜15bにより覆われている。該SiNx膜
15bは,酸化タンタル膜15aおよび各ゲート配線14間の透
明基板11表面全体を覆っている。
The specific configuration of each TFT 15 and picture element electrode 12 is as follows. As shown in FIG. 1, a gate electrode is formed by a part of a tantalum gate wiring 14 wired on a transparent substrate 11, and the portion forming the gate electrode forms a gate insulating film. It is covered with tantalum oxide 15a, and the tantalum oxide 15a
It is covered with an x (silicon nitride) film 15b. The SiNx film
15b covers the entire surface of the transparent substrate 11 between the tantalum oxide film 15a and each gate wiring 14.

各ゲート電極に相当するゲート配線14部分は,酸化タ
ンタル膜15aおよびSiNx膜15bの2層にて構成されるゲー
ト絶縁膜を介してa−Si膜15cにて覆われている。該a
−Si膜15cの各側部を除く中央部上には,保護膜15dが積
層されており,該保護膜15dの中央部を除く各側部に一
対のa−Si(n+)膜15eおよび15eの一側部分がそれぞれ
積層されている。各a−Si(n+)膜15eは,保護膜15dが
積層された部分を除いてa−Si膜15c上に積層されてい
る。
The portion of the gate wiring 14 corresponding to each gate electrode is covered with an a-Si film 15c via a gate insulating film composed of two layers of a tantalum oxide film 15a and a SiNx film 15b. The a
A protective film 15d is laminated on the central portion of the Si film 15c except for each side, and a pair of a-Si (n + ) films 15e and One side portion of 15e is laminated. Each a-Si (n + ) film 15e is stacked on the a-Si film 15c except for the portion where the protective film 15d is stacked.

一方のa−Si(n+)膜15e上には,ソース配線13から
延出したソース電極15fが積層されている。該ソース電
極15fは,ゲート絶縁膜のSiNx膜15bの上方に達してい
る。
On one a-Si (n + ) film 15e, a source electrode 15f extending from the source wiring 13 is laminated. The source electrode 15f reaches above the SiNx film 15b as a gate insulating film.

他方のa−Si(n+)膜15e上には,チタンで構成され
たドレイン電極15gが積層されている。該ドレイン電極1
5gはゲート絶縁膜を構成するSiNx膜15b上方に達してお
り,該SiNx膜15bの上方に積層されたドレイン電極15g上
に,絵素電極12の一部が積層されている。絵素電極12
は,ドレイン電極15g上に積層された部分を除いて,SiNx
膜15b上に積層されている。
On the other a-Si (n + ) film 15e, a drain electrode 15g made of titanium is laminated. The drain electrode 1
5g reaches above the SiNx film 15b constituting the gate insulating film, and a part of the pixel electrode 12 is laminated on the drain electrode 15g laminated above the SiNx film 15b. Pixel electrode 12
Is SiNx except for the part laminated on the drain electrode 15g.
It is laminated on the film 15b.

各TFT15は,このような構成により,ソース配線13お
よびゲート配線14とは電気的に接続され,かつ,絵素電
極12とも電気的に接続されている。
With such a configuration, each TFT 15 is electrically connected to the source line 13 and the gate line 14, and is also electrically connected to the pixel electrode 12.

透明基板11上に配線された各ゲート配線14,各ソース
配線13および各TFT15全体,および絵素電極12の一部
は,外部端子との接続部等の不要部を除いて,例えばSi
Nxでなる絶縁保護膜16にて覆われている。該絶縁保護膜
16は,例えば第2図に一点鎖線で示すように,絵素電極
12上ではその周縁部にのみ積層されて,該周縁部を覆っ
ている。そして,該絶縁保護膜16,および絶縁保護膜16
が積層されていない絵素電極12部分の全体にわたって,
ポリイミド(例えば日本合成ゴム(株)社製,商品名オ
プトマーAL)よりなる配向膜17が600Åの厚さに積層さ
れて,該配向膜17にて,絵素電極基板10全体が覆われて
いる。
Each of the gate lines 14, the source lines 13, the entire TFTs 15, and a part of the pixel electrode 12 wired on the transparent substrate 11 are made of, for example, Si
It is covered with an insulating protective film 16 made of Nx. The insulating protective film
Reference numeral 16 denotes a pixel electrode as shown by a dashed line in FIG. 2, for example.
On 12, it is laminated only on the peripheral portion and covers the peripheral portion. The insulating protective film 16 and the insulating protective film 16
Over the entire pixel electrode 12 portion where
An alignment film 17 made of polyimide (for example, Optmer AL manufactured by Nippon Synthetic Rubber Co., Ltd.) is laminated to a thickness of 600 mm, and the entire pixel electrode substrate 10 is covered with the alignment film 17. .

このような構成の絵素電極基板10は,公知のプロセス
により,透明基板上に,ゲート配線14,ソース配線13,TF
T15および絵素電極12を形成した後に,例えばCVD法によ
り窒化シリコン(SiNx)を5000Åの厚さに形成して,こ
のSiNx膜を,フォトレジストを塗布してマスクを重ねて
露光(マスク露光)した後に,フッ酸エッチングし,絵
素電極12の周縁部以外の部分に積層されたSiNx膜および
外部端子との接続部等の不要部に積層されたSiNx膜を除
去して,絶縁保護膜16が形成される。その後に,該絶縁
保護膜16が積層された側の面全体にわたってポリイミド
系樹脂を積層して配向膜17が形成される。
The pixel electrode substrate 10 having such a structure is formed on a transparent substrate by a known process by forming a gate wiring 14, a source wiring 13, a TF
After forming the T15 and the pixel electrode 12, for example, silicon nitride (SiNx) is formed to a thickness of 5000 mm by a CVD method, and the SiNx film is exposed by applying a photoresist and overlaying a mask (mask exposure). After that, hydrofluoric acid etching is performed to remove the SiNx film laminated on portions other than the peripheral portion of the pixel electrode 12 and the SiNx film laminated on unnecessary portions such as a connection portion with an external terminal. Is formed. Thereafter, an alignment film 17 is formed by laminating a polyimide resin over the entire surface on which the insulating protective film 16 is laminated.

該絵素電極基板10に対向配設される対向電極基板20
は,透明基板21上に,例えばゼラチン染色法により,光
三原色である赤色(R),緑色(G),青色(B)の三
色の,カラーフィルターパターン22が各絵素電極12と対
向するように配設されている。そして,全カラーフィル
ターパターン22を覆うように,例えば膜厚600ÅのITO膜
をスパッタリングにより積層して形成された対向電極23
が設けられている。該対向電極23上にはポリイミドの配
向膜24が積層されている。
Counter electrode substrate 20 disposed opposite to the pixel electrode substrate 10
The color filter patterns 22 of the three primary colors red (R), green (G), and blue (B) are opposed to the respective pixel electrodes 12 on a transparent substrate 21 by, for example, a gelatin staining method. It is arranged as follows. Then, a counter electrode 23 formed by laminating an ITO film having a thickness of, for example, 600 ス パ ッ タ リ ン グ by sputtering so as to cover all the color filter patterns 22.
Is provided. On the counter electrode 23, a polyimide alignment film 24 is laminated.

該配合膜24は,例えば,前述の配向膜17と同様のポリ
イミドを用いて,オフセット印刷によりパターニング形
成した後に,200℃の熱処理を1時間行い,さらに,ナイ
ロン織布によりラビングした後に,フロン系溶剤により
洗浄して得られる。
The compounded film 24 is patterned by offset printing using, for example, the same polyimide as the alignment film 17 described above, heat-treated at 200 ° C. for 1 hour, further rubbed with a nylon woven fabric, and then treated with a fluorocarbon-based material. It is obtained by washing with a solvent.

絵素電極基板10と対向電極基板20とは適当な間隔をあ
けて配設され,両基板間の周縁部がシールされて,その
間隙内に液晶が注入されることにより,液晶層30が構成
されている。
The pixel electrode substrate 10 and the counter electrode substrate 20 are disposed at an appropriate distance from each other, the periphery of the two substrates is sealed, and liquid crystal is injected into the gap to form the liquid crystal layer 30. Have been.

本実施例の液晶表示装置では,各ゲート配線14から入
力される走査信号および各ソース配線13から入力される
表示データ信号に基づき,各TFT15がオンされ,各絵素
電極12に所定電圧が印加される。これにより,所定電圧
が印加された各絵素電極12に対向する液晶層30部分(絵
素部分)が駆動される。
In the liquid crystal display device of this embodiment, each TFT 15 is turned on based on a scanning signal input from each gate wiring 14 and a display data signal input from each source wiring 13, and a predetermined voltage is applied to each pixel electrode 12. Is done. Thereby, the liquid crystal layer 30 portion (picture element portion) facing each picture element electrode 12 to which a predetermined voltage is applied is driven.

このとき,各絵素電極12は,周縁部を除いてポリイミ
ド系樹脂の配向膜17が直接積層されているため,所定電
圧が印加されても,内部分極の発生が抑制される。各絵
素電極12の周縁部は配向膜17との間に絶縁保護膜16が介
装されているが,該絶縁保護膜16は,膜質が緻密でしか
も高耐湿性および高誘電率を有するSiNx膜で構成されて
いるため,膜厚は,2000Å程度の薄さとされており,該
絶縁保護膜16に積層された配向膜17部分においても内部
分極の発生が抑制される。しかも,各絵素電極12により
液晶層30の各絵素に印加される電圧は,絶縁保護膜が積
層された部分とポリイミド配向膜17が直接積層された他
の部分とでもほとんど差がなく均一になっているため,
駆動される絵素にフリッカーが発生するおそれがなく,
コントラストの低下やコントラストムラのない高品位な
画像が得られる。
At this time, since each pixel electrode 12 is directly laminated with the polyimide resin alignment film 17 except for the peripheral portion, the occurrence of internal polarization is suppressed even when a predetermined voltage is applied. An insulating protective film 16 is interposed between the periphery of each pixel electrode 12 and an alignment film 17, and the insulating protective film 16 is made of SiNx having a dense film quality and high moisture resistance and high dielectric constant. Since it is composed of a film, the film thickness is as thin as about 2000 °, and the occurrence of internal polarization is suppressed even in the part of the alignment film 17 laminated on the insulating protective film 16. In addition, the voltage applied to each picture element of the liquid crystal layer 30 by each picture element electrode 12 has almost no difference between the portion where the insulating protective film is laminated and the other portion where the polyimide alignment film 17 is directly laminated. Because
There is no danger of flicker occurring in the driven picture elements,
A high-quality image without a decrease in contrast or uneven contrast can be obtained.

各絵素電極12上におけるポリイミド配向膜17が絶縁保
護膜を介装させることなく直接積層される面積は各絵素
電極12全体の面積の1/100以上であれば,内部分極の発
生を抑制できるが,大きければ大きいほど効果があり,1
/30以上で十分な効果が得られる。内部分極の発生を抑
制し得るのは,絵素電極12とポリイミド配向膜17とが直
接積層される部分に,イオン,極性分子等が集中するた
めと考えられる。
Suppresses the occurrence of internal polarization if the area where the polyimide alignment film 17 on each pixel electrode 12 is directly laminated without interposing an insulating protective film is 1/100 or more of the entire area of each pixel electrode 12 Yes, but the larger, the more effective
A sufficient effect can be obtained with / 30 or more. It is considered that the occurrence of internal polarization can be suppressed because ions, polar molecules, and the like are concentrated in a portion where the pixel electrode 12 and the polyimide alignment film 17 are directly laminated.

本実施例の液晶表示装置における内部分極の発生状態
を調べたところ,第3図に示す結果が得られた。内部分
極の測定は,所定の直流電圧を30分間印加して,フリッ
カー(ちらつき)の消去に必要な電圧を評価して行っ
た。なお,第3図に,各TFTおよび各絵素電極の全てにS
iNx製の絶縁保護膜を設けた場合の内部分極について測
定し,その結果を併記した。本実施例では,内部分極は
ほとんど発生しなかった。
When the state of occurrence of internal polarization in the liquid crystal display device of this example was examined, the results shown in FIG. 3 were obtained. The internal polarization was measured by applying a predetermined DC voltage for 30 minutes and evaluating the voltage required for eliminating flicker (flicker). FIG. 3 shows that all TFTs and pixel electrodes have S
The internal polarization was measured when an insulating protective film made of iNx was provided, and the results were also shown. In this example, internal polarization hardly occurred.

なお,ポリイミド配向膜17の膜厚を300〜1000Å程
度,好ましくは,600〜800Åにすることにより,絶縁保
護膜16の厚さに基因する特性の変化にほとんど影響を与
えない。また,保護絶縁膜としては,SiNx等の無機質窒
化物に限らず,SiO2,Ta2O5,Al2O3,Y2O3,TiO2等の無機質
酸化物であってもよい。配向膜に使用されるポリイミド
系樹脂としては,イミド基を有する高分子樹脂全般につ
いて適用し得る。
By setting the film thickness of the polyimide alignment film 17 to about 300 to 1000 mm, and preferably to 600 to 800 mm, there is almost no effect on the change in the characteristics due to the thickness of the insulating protective film 16. Further, the protective insulating film is not limited to an inorganic nitride such as SiNx, but may be an inorganic oxide such as SiO 2 , Ta 2 O 5 , Al 2 O 3 , Y 2 O 3 , and TiO 2 . As the polyimide resin used for the alignment film, any polymer resin having an imide group can be applied.

第1図および第2図に示す本実施例の液晶表示装置の
TFTのオフ特性劣化による表示ムラ,内部分極による分
極表示品位低下(ちらつき,コントラストムラ等),お
よび残像について調べたところ,表1の実施例1に示す
結果が得られた。比較のために,第1図において,対向
電極基板20の対向電極22とポリイミド配向膜24との間
に,厚さ2000ÅのSiO2絶縁保護膜を設けたもの(実施例
2),絵素電極基板に絶縁保護膜を全く設けず,かつ,
対向電極基板にも絶縁保護膜を設けないもの(比較例
1),絵素電極基板の絶縁保護膜を,各絵素電極の全面
に被覆すると共に,対向電極基板に絶縁保護膜を設けた
もの(比較例2),対向電極基板に絶縁保護膜を設けな
いこと以外比較例2とおなじもの(比較例3)について
も,TFTのオフ特性劣化による表示ムラ,内部分極による
表示品位の低下,および残像について調べた。結果を表
1に併記する。
The liquid crystal display device of the present embodiment shown in FIGS.
When the display unevenness due to the TFT off characteristic deterioration, the polarization display quality deterioration (flicker, contrast unevenness, etc.) due to the internal polarization, and the afterimage were examined, the results shown in Example 1 of Table 1 were obtained. For comparison, in FIG. 1, a 2000-mm-thick SiO 2 insulating protective film was provided between the counter electrode 22 of the counter electrode substrate 20 and the polyimide alignment film 24 (Example 2). No insulating protective film is provided on the substrate, and
Insulation protection film not provided on the counter electrode substrate (Comparative Example 1), Insulation protection film of the pixel electrode substrate is coated on the entire surface of each pixel electrode, and the insulation protection film is provided on the counter electrode substrate. (Comparative Example 2) The same as Comparative Example 2 (Comparative Example 3) except that the insulating protective film was not provided on the counter electrode substrate also showed display unevenness due to TFT off-characteristic deterioration, degradation of display quality due to internal polarization, and The afterimage was examined. The results are also shown in Table 1.

このように,本発明の液晶表示装置は,TFTオフ特性劣
化による表示ムラ,内部分極表示品位の低下,および残
像がほとんど生じず,良好な表示が得られた。
As described above, in the liquid crystal display device of the present invention, good display was obtained with almost no display unevenness due to TFT off characteristic deterioration, deterioration of internal polarization display quality, and almost no afterimage.

なお,対向電極基板の対向電極とポリイミド配向膜と
の間に,絶縁保護膜を介装させない方が,より良好な表
示が得られる。また,絵素電極基盤の保護絶縁膜とし
て,SiO2を用いた場合にも同様の結果が得られた。
It is to be noted that better display is obtained without interposing an insulating protective film between the counter electrode of the counter electrode substrate and the polyimide alignment film. Similar results were obtained when SiO 2 was used as the protective insulating film on the pixel electrode substrate.

(発明の効果) 本発明の液晶表示装置は,上記の分極消失構造を有す
るので,各絵素電極に所定電圧が印加されても,絵素電
極と配向膜とが直接積層される部分に,イオン,極性分
子等が集中するため,内部分極の発生を抑制することが
できる。
(Effect of the Invention) Since the liquid crystal display device of the present invention has the above-described polarization elimination structure, even if a predetermined voltage is applied to each pixel electrode, the portion where the pixel electrode and the alignment film are directly laminated is formed. Since ions and polar molecules are concentrated, the occurrence of internal polarization can be suppressed.

また,無機質窒化物または無機質酸化物からなる絶縁
保護膜は,膜質が緻密でしかも高耐湿性および高誘電率
を有するため膜厚を薄くでき,この絶縁保護膜を介して
各絵素電極の一部に積層される配向膜の部分においても
内部分極の発生を抑制することができる。
Further, the insulating protective film made of inorganic nitride or inorganic oxide can be made thinner because of its dense film quality and high moisture resistance and high dielectric constant. The occurrence of internal polarization can be suppressed even in the portion of the alignment film laminated on the portion.

しかも,各絵素電極により液晶層の各絵素に印加され
る電圧を,絶縁保護膜が積層された部分と配向膜が直接
積層された他の部分とでもほとんど差がなく均一にでき
るため,駆動される絵素にフリッカーが発生するおそれ
がなく,コントラストの低下やコントラストムラのない
高品位な画像を得ることができる。
In addition, the voltage applied to each pixel of the liquid crystal layer by each pixel electrode can be made uniform with almost no difference between the portion where the insulating protective film is laminated and the other portion where the alignment film is directly laminated. There is no possibility that flicker will occur in the driven picture element, and it is possible to obtain a high-quality image without a decrease in contrast or uneven contrast.

従って,TFTのオフ特性劣化による表示ムラ,内部分極
による表示品位の低下(ちらつき,コントラストムラ
等),配向乱れ及び残像が併せて解消されて,高品位な
表示が可能となる。
Accordingly, display unevenness due to deterioration of the off-characteristics of the TFT, display quality deterioration (flicker, contrast unevenness, etc.) due to internal polarization, alignment disorder, and afterimage are also eliminated, and high-quality display becomes possible.

加えて,配向膜と絵素電極の周縁部との間に絶縁保護
膜を介装する構成とする場合には,製造時の機械的およ
び化学的損傷に対する耐性を向上することができる。そ
の結果,例えば,配向膜として用いられるポリイミド系
樹脂をラビング配向処理する際に透明基板上の絵素電極
等の膜はがれが生じることがなくなる。
In addition, in the case where an insulating protective film is interposed between the alignment film and the peripheral portion of the pixel electrode, the resistance to mechanical and chemical damage during manufacturing can be improved. As a result, for example, when a rubbing alignment treatment is performed on a polyimide resin used as an alignment film, a film such as a pixel electrode on a transparent substrate does not peel off.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明の絵素電極基板を有する液晶表示装置の
一例を示す断面図,第2図はその絵素電極基板の平面
図,第3図は絵素電極に直流電圧を印加した場合に発生
する内部分極について示すグラフである。 10……絵素電極基板,11……透明基板,12……絵素電極,1
3……ソース配線,14……ゲート配線,15……TFT,16……
絶縁保護膜,17……配向膜,20……対向電極基板,21……
透明基板,22……カラーフィルターパターン,23……対向
電極,24……配向膜,30……液晶。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of a liquid crystal display device having a pixel electrode substrate according to the present invention, FIG. 2 is a plan view of the pixel electrode substrate, and FIG. 6 is a graph showing internal polarization generated in FIG. 10 ... pixel electrode substrate, 11 ... transparent substrate, 12 ... pixel electrode, 1
3… Source wiring, 14… Gate wiring, 15… TFT, 16…
Insulating protective film, 17 Alignment film, 20 Counter electrode substrate, 21
Transparent substrate, 22 color filter pattern, 23 counter electrode, 24 alignment film, 30 liquid crystal.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−296123(JP,A) 特開 昭64−32234(JP,A) 実開 昭61−206922(JP,U) ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (56) References JP-A-62-296123 (JP, A) JP-A-64-32234 (JP, A)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】液晶層と,該液晶層の各絵素を駆動すべく
基板上にマトリクス状に配設された多数の絵素電極,お
よび各絵素電極にそれぞれ電気的に接続されて該基板上
に配設された機能素子とを有する絵素電極基板とを備え
た液晶表示装置であって, ポリイミド系樹脂からなる配向膜が該絵素電極上に直接
積層される部分の面積が各絵素電極の面積の1/100以上
となるように,無機質窒化物または無機質酸化物からな
る絶縁保護膜が2000Åから5000Åの膜厚で各絵素電極の
一部に積層され,且つ該絶縁保護膜が積層されていない
各絵素電極部分並びに該絶縁保護膜上を300Åから1000
Åの膜厚の該配向膜で覆った分極消失構造を有する絵素
電極基板を備えた液晶表示装置。
1. A liquid crystal layer, a large number of pixel electrodes arranged in a matrix on a substrate for driving each pixel of the liquid crystal layer, and said plurality of pixel electrodes electrically connected to the respective pixel electrodes. A liquid crystal display device comprising: a pixel electrode substrate having a functional element disposed on a substrate; and an area in which an alignment film made of a polyimide resin is directly laminated on the pixel electrode. An insulating protective film made of an inorganic nitride or an inorganic oxide is laminated on a part of each of the pixel electrodes in a thickness of 2,000 to 5,000 mm so that the area is at least 1/100 of the area of the pixel electrodes. 300 Å to 1000 各 on each pixel electrode part where the film is not laminated and on the insulating protective film
A liquid crystal display device comprising a pixel electrode substrate having a polarization extinction structure covered with the alignment film having a thickness of Å.
【請求項2】前記配向膜と前記絵素電極の周縁部との間
に前記絶縁保護膜を介装する構成とした請求項1記載の
液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said insulating protective film is interposed between said alignment film and a peripheral portion of said picture element electrode.
JP32815088A 1988-12-26 1988-12-26 Liquid crystal display Expired - Lifetime JP2721214B2 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32815088A JP2721214B2 (en) 1988-12-26 1988-12-26 Liquid crystal display
DE68915524T DE68915524T2 (en) 1988-12-26 1989-12-22 Liquid crystal display device.
US07/454,781 US5066110A (en) 1988-12-26 1989-12-22 Liquid crystal display apparatus
EP89313515A EP0376648B1 (en) 1988-12-26 1989-12-22 A liquid crystal display apparatus
KR1019890019514A KR0136867B1 (en) 1988-12-26 1989-12-26 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32815088A JP2721214B2 (en) 1988-12-26 1988-12-26 Liquid crystal display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02171721A JPH02171721A (en) 1990-07-03
JP2721214B2 true JP2721214B2 (en) 1998-03-04

Family

ID=18207045

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32815088A Expired - Lifetime JP2721214B2 (en) 1988-12-26 1988-12-26 Liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2721214B2 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2710874B2 (en) * 1991-06-13 1998-02-10 沖電気工業株式会社 Thin film transistor type liquid crystal display
JP3172840B2 (en) * 1992-01-28 2001-06-04 株式会社日立製作所 Active matrix substrate manufacturing method and liquid crystal display device
EP0843194B1 (en) * 1993-07-27 2005-03-16 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
JPH08101376A (en) * 1994-09-30 1996-04-16 Nec Corp Liquid crystal display device
US6800875B1 (en) * 1995-11-17 2004-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer
TW309633B (en) 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US8981374B2 (en) * 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61206922U (en) * 1985-06-14 1986-12-27
JPS62296123A (en) * 1986-06-17 1987-12-23 Toshiba Corp Active-matrix type liquid-crystal display device
JPS6432234A (en) * 1987-07-29 1989-02-02 Toshiba Corp Production of active matrix type liquid crystal display device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02171721A (en) 1990-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3793915B2 (en) Liquid crystal display
US6268895B1 (en) Liquid crystal display device having light shield in periphery of display
JP2859093B2 (en) Liquid crystal display
JP4364952B2 (en) Manufacturing method of liquid crystal display device
JP3289099B2 (en) Active matrix type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101888422B1 (en) Thin film transistor substrate and method of fabricating the same
JP3294748B2 (en) Active matrix liquid crystal display panel
KR100320416B1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device
US5066110A (en) Liquid crystal display apparatus
KR100684699B1 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
JP2721214B2 (en) Liquid crystal display
JPH031648B2 (en)
JPH08220518A (en) Liquid crystal display and its manufacture
JPH0782171B2 (en) Liquid crystal display
JP3427664B2 (en) Horizontal electric field type active matrix liquid crystal display
JP2003215556A (en) Liquid crystal display device
KR19990012990A (en) Transverse electric field liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2721214C (en)
JP3216640B2 (en) Liquid crystal image display device and method of manufacturing semiconductor device for image display device
JP3337011B2 (en) Active matrix type liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2000267598A (en) Array substrate and liquid crystal display device
JP3124025B2 (en) Liquid crystal display
JPH0786610B2 (en) Liquid crystal display
US20020033905A1 (en) Liquid crystal display device
JP2582479B2 (en) Liquid crystal display

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081121

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091121

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091121

Year of fee payment: 12