JPH021693A - 高解像度静電カメラ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は簡便な処理工程で済み、しかも高解像度を得る
ことが可能な被写体を静電的Ｇ；盪影する高解像度静電
カメラに関する。

〔従来の技術〕

従来、高域度憑影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、画像を再現する場合には銀塩乳剤（
印画紙等）を用いるか、または現像フィルムを光学走査
して陰極線管（以下ＣＲＴ）に再現させる等により行わ
れている。

また、光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコ
ロナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して
光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の
電荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を光
導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆
極性の電荷（または同極性の電荷）を有するトナーを付
着させて現像する電子写真技術があるが、これは主とし
て複写用に用いられており、一般に低感度のため撮影用
としては使用できず、静電荷の保持時間が短いために静
電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である。

また、ＴＶ撮影技術は撮像管で撮影し、光半導体を利用
して得た画像情報を電気信号として取り出し、そのまま
ＣＲＴに出力させるか、磁気記録等を用いてビデオ記録
し、任意の時にＣＲＴ上に像出力させる等の方法がある
。

〔発明が解決すべき課題〕

銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れている
が、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、像
再現においてはハードコピー、ソフトコピー（ＣＲＴ出
力）等に至る複雑な光学的、電気的、または化学的処理
が必要である。

電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像化は銀塩写真
法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現
像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。

ＴＶ撮影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取り出
し、また記録するためには線順次走査が必要となる。線
順次走査は撮像管内では電子ビームで、ビデオ記録では
磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存するため
、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著しく劣
化する。

また、近年発達しつつある固体撮像素子（ＣＣＤ等）を
利用したＴＶ撮像系も解像性に関しては本質的に同様で
ある。

これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。

本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品質、
高解像であると共に、処理工程が簡便であると共に、長
時間の記憶が可能で、記憶した文字、線画、画像、コー
ド、（１，０）情報を目的に応じた画質で任意に反復再
生することができる高解像度静電カメラを提供すること
を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の静電画像記録再生方法における記録方
法を説明するための図で、図中、ｌは感光体、３は電荷
保持媒体、５は光導電層支持体、７は感光体電極、９は
光導電層、１１は絶縁層、１３は電荷保持媒体電極、１
５は絶縁層支持体、１７は電源である。

第１回においては、感光体ｌ側から露光を行う態様であ
り、まず１閣厚のガラスからなる光導電層支持体５上に
１０００人厚のＩＴＯからなる透明な感光体電極７を形
成し、この上に１０μｍ程度の光導電層９を形成して感
光体ｌを構成している。この感光体１に対して、ｌＯμ
ｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３が配置される。電
荷保持媒体３は１腸厚のガラスからなる絶縁層支持体１
５上にｔｏｏｏ人厚のＡ２電極１３を蒸着により形成し
、この電極１３上に１０μｍ厚の絶縁層１１を形成した
ものである。

先ず、第１図（イ）に示すように感光体ｌに対して、１
０μｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３をセットし、
第１図（ロ）に示すように電源１７により電極７．１３
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高抵抗
体であるため、電極間には何の変化も生じない。感光体
１側より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層
９は導電性を示し、絶縁層１１との間に放電が生じ、絶
縁層１１に電荷が蓄積される。

露光が終了したら、第１図（ハ）に示すように電圧をＯ
ＦＦにし、次いで、第１図（ニ）に示すように電荷保持
媒体３を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
。

なお、感光体ｌと電荷保持媒体３とは上記のように非接
触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体電
極７側から光導電層９の露光部に正または負の電荷が注
入され、この電荷は電荷保持媒体３例の電極１３に引か
れて光導電層９を通過し、絶縁層１１面に達した所で電
荷移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そ
して、感光体１と電荷保持媒体３とを分離すると、絶縁
層１１は電荷を蓄積したままの状態で分離される。

この記昼方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写真
法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層ｌ
ｌ上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。

この絶縁層１１上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒体
の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防ぐために絶
縁ｆｉｌｌの表面を絶縁性フィルム等で覆って保存する
ようにしてもよい。

以下、本願発明に用いられる感光体、および電荷保持媒
体の構成材料について説明する。

光導電層支持体５としては、感光体を支持することがで
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がな（、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属板（電極を兼ねることもできる）等の剛体が使用さ
れる。但し、感光体側から光を入射して情報を記録する
装置に用いられる場合には、当然その光を透過させる特
性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体側
から入射するカメラに用いられる場合には、厚み１ｍｍ
程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィルム
、シートが使用される。

感光体電極７は、光導電層支持体５に金属の゛ものが使
用される場合を除いて光導電層支持体５に形成され、そ
の材質は比抵抗値が１０ｈΩ・ｃｍ以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等であ
る。このような感光体重（函７は、光導電層支持体５上
に、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング、メ
ツキ、ディッピング、電解重合等により形成される。ま
たその厚みは、感光体電極７を構成する材質の電気特性
、および情報の記録の際の印加電圧により変化させる必
要があるが、例えばアルミニウムであれば、１００〜３
０００人程度である。この感光体電極７も光導電層支持
体５と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には
、上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光
（４００〜７００ｎｍ）であれば、ｒ　Ｔｏ　（Ｉｎｚ
Ｏ＋−３ｎ０２）　、Ｓ　ｎ　０２等をスパッタリング
、蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にイン
キ化してコーティングしたような透明電極や、Ａｕ、Ａ
Ｉ、Ａｇ、、Ｎｉ５Ｃｒ等を蒸着、またはスパッタリン
グで作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン（
ＴＣＮＱ）、ポリアセチレン等のコーティングによる有
機透明電極等が使用される。

また情報光が赤外（７００ｎｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。

更に、情報光が紫外（４００ｎｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス
等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。

光導電層９は、光が照射されると照射部分で光キャリア
（電子、正孔）が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材料
等で構成される。

以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。

（Ａ）無機感光体（光導電体） 無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。

（イ）アモルファスシリコン感光体 アモルファスシリコン感光体としては ■水素化アモルファスシリコン（ａ　−５ｉ　：　Ｈ）
■フッ素化アモルファスシリコン（ａ−３ｉ：Ｆ）これ
らに対して不純物をドーピングしないもの、 ・Ｂ、、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩ等をドーピングにより
Ｐ型（ホール輸送型）にしたもの、・Ｐ、Ａｇ、Ｓｂ、
Ｂ　ｉ等をドーピングによりＮ型（電子輸送型）にした
もの、 がある。

感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく　１０　””
〜Ｉ　Ｔｏｒｒ）　、グロー放電により加熱、或いは加
熱しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱し
た電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体
原料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは
積層で使用する。膜厚は１〜５０μｍである。

また、透明電極７から電荷が注入され、露光してないの
にもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するため
に、感光体電極７の表面に電荷注入防止層を設けること
ができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と感
光体最上層（表面層）の一方或いは両方に、グロー放電
、蒸着、スパッター法等によりａ−５ｉＮ層、ａ−Ｓｉ
Ｃ層、ＳｉＯ２層、Ａ２□０１層等の絶縁層を設けると
よい。この絶縁層を余り厚くしすぎると露光したとき電
流が流れないので、少なくとも１０００Å以下とする必
要があり、作製し易さ等を考慮すると４００〜５００人
程度が望ましい。

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電ｐ
ｉ基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能
を有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの
場合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層
を設ける。例えば、Ｓｔにボロンをドープしたａ−３ｉ
　：　Ｈ（ｎ”　）は、ホールの輸送特性が上がって整
流効果が得られ、電荷注入防止層として機能する。

（ロ）アモルファスセレン感光体 アモルファスセレン感光体としては、 ■アモルファスセレン（ａ−５ｅ） ■アモルファスセレンテルル（ａ　−３ｅ−Ｔｅ）■ア
モルファスひ素セレン化合物（ａ　−ＡＳｚＳｅｓ）■
アモルファスひ素セレン化合物十Ｔｅがある。

この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層としてＳ＋Ｏｔ、八Ｉ！、２０１．５ｉＣ
１ＳｊＮ層を蒸着、スパッター、グロー放電法等により
電極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み合わせ
、積層型感光体としてもよい、感光体層の膜厚はアモル
ファスシリコン感光体と同様である。

（ハ）硫化カドミウム（ＣｄＳ　’） この感光体は、コーティング、薄着、スパンクリング法
により作製する。蒸着の場合はＣｄＳの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、ＥＢ
（エレクトロンビーム）蒸着により行う。またスパッタ
リングの場合はＣｄＳターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス状態でＣｄＳが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向膜（膜厚方向に配
向）を得ることもできる。コーティングの場合は、Ｃｄ
Ｓ粒子（粒径１〜１００μｍ）をバインダー中に分散さ
せ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい、
。

（ニ）酸化亜鉛（Ｚｎ　Ｏ） この感光体はコーティング法、或いはＣＶＤ法で作製さ
れる。コーティング法としては、ＺｎＳ粒子（粒径１〜
１００μｍ）をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またＣＶＤ
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中（１０−２〜ｌ　Ｔｏｒｒ）で混
合し、加熱した電極基板（１５０〜４００“Ｃ）上で化
学反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も
膜厚方向に配向した膜が得られる。

（Ｂ）有機感光体 有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。

（イ）単層系感光体 単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。

く電荷発生物質系〉 光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ビリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。

く電荷輸送物質系〉 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる怒光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン（ＴＮＦ）は４００ｎｍ波長近傍
しか感じないが、ＰＶＫ−ＴＮＦ錯体は６５０−ｎｍ波
長域まで感じるようになる。

このような単層系感光体の膜厚は、１０〜５０μｍが好
ましい。

（ロ）機能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。

（電荷発生層〉 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアソ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−５ｅ　、、ａ−５
ｔ　、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。

く電荷輸送層〉 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を０
．１〜１０μｍ、電荷輸送層を１０〜５０μｍの膜厚と
するとよい。

なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、メラミン樹脂
、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各１
部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易いようにす
る。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着法
、スパッター法等を使用することができる。

次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。

電荷注入防止層は、光導電層９０両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電層９の電圧印加時の暗電流（
電極からの電荷注入）、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方（電子、またはホール
）が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層１、あるいはこ
れらを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例え
ばＡｓ２０＝　、１ｈ（ｈ、Ｂｉ、０３　、ＣｄＳ　、
　ＣａＯ、Ｃｅ０１．　Ｃｒｚ０３　、Ｃｏｏ　、Ｇｅ
ｍ、、訂０□、Ｆｅ２０＝　、Ｌ、ａｘＯｘ　、ＭｇＯ
、Ｍｎ（ｌｚ、Ｎｄｚ（ｈ　、Ｎｂ２Ｏ５、ＰｂＯ、５
ｂｚＯｓ　、Ｓｔｏｗ、Ｓｅａ、、Ｔａ２０５　、Ｔｉ
０１、ＷＯ，、Ｖ！０．、ＹｚＯｓ、　Ｙ！０３、Ｚｒ
Ｏ２、ＢａＴｉ０１、Ａ１．０゜、ＢｉｚＴｉＯｓ　、
　ＣａＯ−５ｒＯ、、Ｃａ０−Ｙｚ０３、Ｃｒ−５ｉｎ
、　ＬｉＴａＯ７、ＰｂＴｉ０．、ＰｂＺｒＯｓ、Ｚｒ
Ｏ，−Ｃｏ　、　ＺｒＯ！−３ｉ（ｈ　％　ＡｔＮ　Ｘ
ＢＮ、　ＮｂＮ　、　５ｉｓＮ４、ＴａＮ　、　ＴｉＮ
　、　ＶＮ、　ＺｒＮ　。

ＳｉＣ、ＴｉＣ、圓Ｃ，Ａｌ４Ｃ３等をグロー放電、蒸
着、スパッタリング等により形成される。尚、この層の
膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効果の
点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次ぎに
整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を利用
して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する電荷
輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層は無
機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電層で
形成され、その膜厚は０．１〜１０μｍ程度である。具
体的には、電極がマイナスの場合はＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉ
ｎ等をドープしたアモルファスシリコン光導電層、アモ
ルファスセレン、またはオキサジアゾール、ピラゾリン
、ポリビニルカルバゾール、スチルベン、アントラセン
、ナフタレン、トリジフェニルメタン、トリフェニルメ
タン、アジン心アミン、芳香族アミン等を樹脂中に分散
して形成した有機光導電層、電極がプラスの場合は、Ｐ
、Ｎ、Ａｓ５Ｓｂ、、Ｂ　ｉ等をドープしたアモ７Ｌ／
７７スシリコン光導電層、ＺｎＯ光導電層等をグロー放
電、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング等の
方法により形成される。

次ぎに、電荷保持媒体材料、および電荷保持媒体の作製
方法について説明する。

電荷保持媒体３は感光体１と共に用いられて、電荷保持
媒体３を構成する絶縁層１１の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録される情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る。例えば静電カメラ（同一出願人による同日出１ｊＪ
ｌ）に用いられる場′合には、一般のフィルム（単コマ
、連続コマ用）形状、あるいはディスク状となり、レー
ザー等によりデジタル情報、またはアナログ情報を記録
する場合には、テープ形状、ディスク形状、或いはカー
ド形状となる。

絶！ｉ層支持体１５は、上記のような電荷保持媒体３を
強度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支
持体５と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求
される場合がある。具体的には、電荷保持媒体３がフレ
キシブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合
には、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使
用され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、
ガラス等の無機材料等が使用される。

電荷保持媒体電極１３は、基本的には感光体電極７と同
じでよく、上述した感光体電極７と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体１５上に形成される。

絶縁層１１は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で１０１４
Ω・ｃｍ以上の絶縁性を有することが要求される。この
ような絶縁層１１は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ、
コーティング、ディッピングするか、または蒸着、スパ
ッタリング法により層形成させることができる。

ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレン
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロ−ル樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン６６、ナイロン６　ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマ弗素樹脂、セルロース樹脂、
フェノール樹脂ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキ
シ樹脂可撓性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹
脂、フェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、ＰＰＯ，ポ
リスルホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン、
ポリクロロプレン、イソブチレン。

極高ニトリル、ポリアクリルゴム、クロロスルホン化ポ
リエチレン、エチレン・プロピレンラバー弗素ゴム、シ
リコンラバー、多硫化系合成ゴム。

ウレタンゴム等のゴムの単体、あるいは混合物が使用さ
れる。

またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を電
荷保持媒体電極１３上に接着剤等を介して貼着すること
により層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム等
に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、ディ
ッピングすることにより層形成してもよい。

また絶縁層１１として、ラングミュア−・プロシェド法
により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使用
することができる。

またこれら絶縁層１１には、電極面との間、または絶縁
層ｌｌ上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界（１０’Ｖ　／　ｃ　ｍ以上）
が印加された時には電荷が注入するが、低電界（１０’
Ｖ／ｃｍ以下）では電荷が注入しない層のことをいう。

電荷保持強化層としては、例えばＳｒＯ２、Ａｈ（ｈ　
、ＳｉＣ、ＳｉＮ等が使用でき、有機系物質としては例
えばポリエチレン蒸着膜、ポリパラキシレン蒸着膜が使
用できる。

また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層１１
に、電子供与性を有する物質（ドナー材料）、あるいは
電子受容性を有する物質（アクセプター材料）を添加す
るとよい、ドナー材料としてはスチレン系、ピレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン（ＴＴ
Ｆ）、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ポ
リビニルアントラセン、ボリアジン、ポリビニルピレン
、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して用
いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化合
物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的には
テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ））リニトロフル
オレノン（ＴＮＦ）等が使用され、一種、または混合し
て使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹脂
等に対して０．００１〜１０％程度添加して使用される
。

さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体中
に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体と
しては周期律表第１Ａ族（アルカリ金属）、同ＩＢ族（
ｔＲ族）、同ＩＩＡ族（アルカリ土類金属）、同ＩＩＢ
族（亜鉛族）、同１［ＩＡ族（アルミニウム族）、同１
１ＩＢ族（希土類）、同■Ｂ族（チタン族）、同ＶＢ族
（バナジウム族）、同ＶＩＢ族（クロム族）、同■Ｂ族
（マンガン族）、同■族（鉄族、白金族）、また同ＩＶ
Ａ族（炭素族）としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、
同ＶＡ族（窒素族）としてはアンチモン、ビスマス、同
ＶＩＡ族（酸素族）としては硫黄、セレン、テルルが微
細粉状で使用される。また上記元素単体のうち金属類は
金属イオン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態と
しても使用することができる。

更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して０．０
１〜ＩＯ重景％程度でよい。　また絶縁層１１は、絶縁
性の点からは少なくても１０００人（０，１μｍ）以上
の厚みが必要であり、フレキシビル性の点からは１００
μｍ以下が好ましい。

このようにして形成される絶縁層１１は、破損、または
その表面の情報電荷の放電を防止するために、その表面
に保護膜を設けることができる。保護膜としては粘着性
を有するシリコンゴム等のゴム類、ポリテルペン樹脂等
の樹脂類をフィルム状にし、絶縁層１１の表面に貼着す
るか、またプラスチックフィルムをシリコンオイル等の
密着剤を使用して貼着するとよく、比抵抗１０Ｉ４Ω・
ｃｍ以上のものであればよく、膜厚は０．５〜３０μｍ
程度であり、絶縁層１１の情報を高解像度とする必要が
ある場合には保護膜は薄い程よい。この保護層は、情報
再生時には保護股上から情報を再生してもよく、また保
護膜を剥離して絶縁層の情報を再生することもできる。

静電荷保持の方法としては、前述したような表面電荷を
蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内部
に電荷の分布、分極を生しさせるニレクレットがある。

第２図は光エレクトレットを用いた静電荷保持方法を示
す図で、第り図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、１９は透明電極である。

第２回（イ）に示すようにフィルム等の支持体１５上に
電極１３を形成し、電極板上にＺｎＳ、ＣｄＳ、ＺｎＯ
を、蒸着スパッター、ＣＶＤ、］−ティング法等でＩＮ
１〜５μｍ形成する。そしてこの感光層表面に透明電極
１９を接触あるいは非接触で重ね、電圧印加状態で露光
すると（第２図（ロ））、露光部で光によって電荷が発
生し、電場によって分極し、電荷は電場を取り去っても
その位置にトラップされる（第２図（ハ））。こうして
、露光量に応じたエレクトレットが得られる。なお、第
２図の電荷保持媒体の場合は別体の感光体を必要としな
い利点がある。

第３図は熱ニレクレットを用いた静電荷保持方法を示す
図で、第１図と同一番号は同一内容である。

熱エレクトレツト材料としては、例えばポリ弗化ヒニリ
デ７　（ＰＶＤＦ）、ボＩＪ（ＶＤＦ／三７ツ化エチレ
ン）、ポリ（ＶＤＦ／四フッ化エチレン）、ポリフッ化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン。

ポリアクリロニトリル、ポリ−α−クロロアクリロニト
リル、ポリ　（アクリロニトリル／塩化ビニル）、ポリ
アミド１１．ポリアミド３．ポリ−ｍ−フェニレンイソ
ツクルアミド、ポリカーボネート、ポリ（ビニリデンシ
アナイド酢酸ビニル）。

ＰＶＤＦ／ＰＺＴ複合体等からなり、これを電極基板１
３上に１〜５０μｍ単層で設けるかあるいは２種類以上
のものを積層する。

そして露光前に抵抗加熱等で上記媒体材料のガラス転移
以上に媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露光を
行う（第３図（ロ））。高温ではイオンの移動度が大き
くなっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり、熱
的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電極に、正電
荷は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生じる
。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場を取
り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じたエレ
クトレットを生じる（第３図（ハ））。

次ぎに、絶縁層１１に情報を入力する方法としては高解
像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。まず本願発明で使用される高解像度静電カメ
ラは、通常のカメラに使用されている写真フィルムの代
わりに、前面に怒光体電極７を設けた光導電層９からな
る感光体ｌと、感光体１に対向し、後面に電荷保持媒体
電極１３を設けた絶縁層１１からなる電荷保持媒体とに
より記録部材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光
に応じて光導電層を導電性として入射光量に応じて絶縁
層上に電荷を蓄積させることにより入射光学像の静電潜
像を電荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシャッ
タも使用しうるし、また電気的なシャッタも使用しうる
ものであり、また静電潜像は明所、暗所に関係なく長期
間保持することが可能である。またプリズムにより光情
報を、Ｒ，ＧＳＢ光成分に分離し、平行光として取り出
すカラーフィルターを使用し、Ｒ，Ｇ、Ｂ分解した電荷
保持媒体３セツトで１コマを形成するか、または１平面
上にＲＳＧ、Ｂ像を並べて１セツトで１コマとすること
により、カラー撮影することもできる。。

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネ
オンレーザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０
ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と電荷保持媒
体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔をお
いて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキャリ
アの極性と同じ極性に感光体電極をセットするとよい。

この状態で画像信号、文字信号、コード信号、＆！ｉ！
両信号に対応したレーザー露光をスキャニングにより行
うものである。画像のようなアナログ的な記録は、レー
ザーの光強度を変調して行い、文字、コード、線画のよ
うなデジタル的な記録は、レーザー光の０Ｎ−ＯＦＦ制
御により行う。また画像において網点形成されるものに
は、レーザー光にドツトジェネレーター０Ｎ−ＯＦＦ制
御をかけて形成するものである。尚、感光体における光
導電層の分光特性は、パンクロマティックである必要は
なく、レーザー光源の波長に感度を有していればよい。

第４図は本発明の高解像度静電カメラの概略構成を示す
図で、図中、第１図と同一番号は同一内容を示しており
、なお、２１は撮影レンズ、２３はミラー、２５はピン
トグラス、２７はペンタプリズム、２９は接眼レンズ、
３１はネガ像である。

本発明の静電カメラは、１限レフカメラのフィルムの代
わりに第１図〜第３図で示した感光体１と電荷保持媒体
３（但し第２図の電荷保持媒体の場合は感光体は不要）
を使用したもので、開示しないスイッチで電源１７をＯ
Ｎ、ＯＦＦすることによりミラー２３が点線の位置に跳
ね上げられて被写体の静電潜像が電荷保持媒体３に形成
される。

この場合、機械的なシャッターを設けて露光すする方法
でも、また感光体自体が光学的にシャッターの役割を果
たすので、機械的なシャッターを設けずに露光する方法
でもよい。。そして必要に応じて、電荷保持媒体をトナ
ー現像すればネガ像３１が得られる。また静電位を読み
取って電気信号として出力し、ＣＲＴに表示させたり、
或いは磁気テープ等信の記録手段に転記することも可能
である。

またカラーフィルタを使用してカラー撮影することもで
きる。

第５図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図中
、４１．４３．４５はプリズムブロック、４７．４９．
５１はフィルタ、５３．５５はミラーである。

色分解光学系は３つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック４１のａ面から入射した光情報は、６面に
おいて一部が分離反射され、さらにａ面で反射されてフ
ィルタ４７からＢ色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック４３に入射し、０面まで進んで一
部が分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ４９
．５１からＧ色光成分、Ｒ色光成分が取り出される。そ
して、Ｇ、Ｂ色光成分を、ミラー５３．５５で反射させ
ることにより、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すこ
とができる。

このようなフィルタを、第６図に示すように感光体１の
前面に配置して撮影することにより、第６図（ロ）のよ
うにＲ，、Ｇ、Ｂ分解した電荷保持媒体３セツトで１コ
マを形成するか、あるいは第６図（ハ）に示すように１
平面上にＲ，Ｇ、　　Ｂ像として並べてＩセットでエコ
マとすることもできる。

第７図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば、
レジストをコーティングしたフィルムをマスクパターン
で露光してＲ，Ｇ、Ｂストライプパターンを形成し、そ
れぞれＲ，Ｇ、Ｂ染色することにより形成する方法、ま
たは第５図のような方法で色分解した光を、それぞれ細
いスリットに通すことにより生じるＲ、Ｇ、Ｂの干渉縞
をホログラム記録媒体に記録させることにより形成する
方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し、静
電潜像によるＲ、Ｇ、Ｂストライプパターンを形成し、
これをトナー現像して３回転写することによりカラー合
成してトナーのストライプを形成する方法等により形成
する。このような方法で形成されたフィルタのＲ，Ｃ；
、８１組で１画素を形成し、１画素を１０μｍ程度の微
細なものにする。このフィルタを第６図のフィルタ６１
として使用することによりカラー静電潜像を形成するこ
とができる。この場合、フィルタは感光体と離して配置
しても、あるいは感光体と一体に形成するようにしても
よい。

第８図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み合
わせた例を示す図で、フレネルレンズによってＲ，Ｇ、
Ｂパターンを縮小して記録することができ、また通常の
レンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能とな
り、カメラへの装着が容易となる。

第９図はトナー画像からビデオ信号を得るための実施例
を示す図で、トナー画像が形成された電荷保持媒体３の
着色した面を光ビームにより照射してスキャニングし、
その反射光を光電変換器６１で電気信号に変換するもの
であり、光ビーム径を小さくすることにより高分解能を
達成することができる。

第１０図はカラートナー画像からビデオ信号を得る実施
例を示す図であり、微細カラーフィルターにより形成し
たＲ、Ｇ、８分解像をトナー現像し、着色した面を光ビ
ームにより照射し、その反射光によりＹ、Ｍ、Ｃ信号を
得る場合の例を示している。図中、６３は走査信号発生
器、６５はレーザー、６７は反射鏡、６９はハーフミラ
−２７１は充電変換器、７３．７５．７７はゲート回路
である。

走査信号発生器６３からの走査信号でレーザー６５から
のレーザー光を、反射鏡６７、ハーフミラ−６９を介し
て着色面に当てて走査する。着色面からの反射光をハー
フミラ−６９を介して光電変換器７１に入射させて電気
信号に変換する。走査信号発生器６３からの信号に同期
してゲート回路７３．７５．７７を開閉制御すれば、微
細フィルタのパターンに同期してゲート回路７３．７５
．７７が開閉制御されるので、ＹＳＭ、、Ｃに着色して
おかなくてもＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができる。

なお、カラー像が３面分割したものの場合も、全く同様
にＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができ、この場合もＹ、
、Ｍ、Ｃに着色しておかなくてもよいことは同様である
。

第９図、第１０図に示した方法においては、トナー像が
静電潜像の帯電量に対応したγ特性を有していることが
必要で、そのため帯電量のアナログ的変化に対してしき
い値を持たないようにする必要があるが、対応さえとれ
ていれば、γ特性が一致していなくても電気的処理でγ
の補正を行うようにすればよい。

第１１図はＮＤ　（Ｎｅｕｔｒａｌ　　Ｄｅｎｓｉｔｙ
）フィルタとＲ，Ｇ、Ｂフィルターを併用した３面分割
の例を示す図で、入射光をＮＤフィルター８１．８３及
び反射ミラー８５で３分割し、それぞれＲフィルター８
７、Ｇフィルター８９、Ｂフィルター９１を通すことに
より、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すことができ
る。

〔作用〕

本発明の高解像度静電カメラは、通常のカメラに使用さ
れている写真フィルムの代わりに、前面に透明電極を設
けた光導電層からなる感光体と、感光体に対向し、後面
に電極を設けた絶縁層からなる電荷保持媒体とで記録部
材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光に応じて光
導電層を導電性として入射光量に応じて絶縁層上に電荷
を蓄積させることにより入射光学像の静電潜像を電荷蓄
積媒体上に形成するもので、勿論、機械的な光学シャッ
タを設けてもよいが、設けなくてもよく、また静電潜像
は明所、暗所に関係なく長期間保持することが可能であ
る。

〔実施例〕

以下、実施例を説明する。

〔実施例１〕・・・電荷保持媒体の作製方法メチルフェ
ニルシリコン樹脂１０ｇ１キシレンブタノール１：１溶
媒１０ｇの組成を有する混合液に、硬化剤（金属触媒）
：商品名　ＣＲ−１５を１重量％（０，２ｇ）加えてよ
く攪拌し、Ａｌを１０００人蒸着したガラス基板上にド
クターブレード４ミルを用いてコーティングを行った。

その後１５０°Ｃ１１ｈｒの乾燥を行ない、膜厚ｌＯμ
ｍの電荷保持媒体（ａ）を得た。

また上記混合液を、Ａｌを１０００人蒸着した１００μ
ｍポリエステルフィルム上に同様の方法でコーディング
し、次いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体（ｂ）を
得た。

また上記混合液を、ＡＮを１０００人蒸着レム４インチ
ディスク形状アクリル（ｌｏｎ厚）基板上にスピンナー
２００Ｏｒｐｍでコーディングし、５０°Ｃ，３ｈｒ乾
燥させ、膜厚７μｍのディスク状電荷保持媒体（ｃ）を
得た。

また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を０１１ｇ添
加し、同様のコーティング、乾燥を行い、１０μｍの膜
厚を有する電荷保持媒体（ｄ）を得た。

〔実施例２〕 ポリイミド樹脂Ｌｏｇ、Ｎ−メチルピロリドン１０ｇの
組成を有する混合液を、Ａｊ！ｆ！：１０００人蒸着レ
ムガラス基板上にスピンナーコーティング（１０００ｒ
ｐｍ、２０秒）した、溶媒を乾燥させるため１５０°Ｃ
で３０分間、前乾燥を行った後、硬化させるため３５０
°Ｃ，２時間加熱した。

膜厚８μｍを有する均一な被膜が形成された。

〔実施例３〕・・・単層系有機感光体（ＰＶＫ　−ＴＮ
Ｆ　）作製方法 ポ１，１−Ｎ−ビニルカルバゾール１０　ｇ　（亜南ｆ
料（株）製Ｌ２，４．７−）リニトロフルオレノン１０
ｇ、ポリエステル樹ＪＩＦｓ２ｇＣバインダー：バイロ
ン２００東洋紡（株）製）、テトラハイドロフラン（Ｔ
ＨＦ）９０ｇの組成を有する混合液を暗所で作製し、Ｉ
ｎ２Ｏ２−３ｎＯ２を約１０００人の膜厚でスパッター
したガラス基板（１０厚）に、ドクターブレードを用い
て塗布し、６０°Ｃで約１時間通風乾燥し、膜厚杓ｌＯ
μｍの光導電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を
行うために、更に１日自然乾燥を行って用いた。

（実施例４）・・・アモルファスシリコンａＳｉ：Ｈ無
ａ感光体の作製方法 ■基板洗浄 ＳｎＯ，の薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニ
ング社７０５９ガラス（２３ｘ１６ｘＯ９９ｔ、光学研
磨済）をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各液
中、この順番に各々１０分ずつ超音波洗浄する。

■装置の準備 洗浄の済んだ基板を第１２図の反応室２０４内のアノー
ド２０６上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
反応室内を１０−５Ｔｏｒｒ台までり。

Ｐにより真空引きし、反応容器およびガス管の焼出しを
１５０″′Ｃ〜３５０”Ｃで約１時間行い、焼出し後装
置を冷却する。

■ａ−３ｉ：Ｈ（ｎ”）の堆積 ガラス基板が３５０°Ｃになるようにヒーターを２０８
調整、加熱し、予めタンク２０１内で混合しておいたＰ
Ｈ，／Ｓ　１Ｈ４＝１０００ｐｐｒａのガスをニードル
パルプとＰＭＢの回転数を制御することによって反応室
２０４の内圧が２００ａ＋Ｔ。

ｒｒになるように流し内圧が一定になった後、Ｍａ　ｔ
ｃｈｉｎｇ　Ｂｏｘ２０３を通じて、４０ＷのＲｆ　Ｐ
ｏｗｅｒ　２０２　（１３，５６ＫＨｚ）を投入し、カ
ソード・アノード間にプラズマを形成する。堆積は４分
間行い、Ｒｆの投入を止め、ニードルパルプを閉じる。

その結果、ブロッキング層を構成する約０．２μｍのａ
−３ｉ：）（（ｎ”）膜が基板上に堆積された。

■ａ−３ｔ：Ｈの堆積 ５ＩＨ４１００％ガスを■２同じ方法で内圧が２００＋
＋＋　Ｔｏｒｒになるように流し、内圧が一定になった
ところで、Ｍａｔｃｈｉｎｇ　Ｂｏｘ２０３を通じて４
゜ＷのＲｆ　Ｐｏｗｅｒ　２０２　（１３、５６Ｋ　Ｈ
ｚ　）を投入し、プラズマを形成して７０分間維持する
。堆積終了はＲｆの投入を止め、ニードルパルプを閉じ
る。Ｈｅａｔｅｒ２０　Ｂ　Ｏｆｆ後、基板が冷えてい
るから取り出す。

この結果、約１８．８μｍの膜がａ　−Ｓ　ｉ　：　Ｈ
（ｎｏ）膜上に堆積された。

こうして５ｎＯｔ／ａ−３ｉ：Ｈ（ｎ”　）ブロッキン
グ層／ａ−３ｉ　：Ｈ（ｎｏｎ−ｄｏｐｅ）２０μｍの
感光体を作製することができた。

（実施例５）・・・アモルファスセレン−テルル無機感
光体の作製方法 セレン（Ｓｅ）に対しテルル（Ｔｅ）が１３重量％の割
合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりａＳｅ−Ｔ
ｅ　’ＦＪ膜を真空度１０−’Ｔｏ　ｒ　ｒ、抵抗加熱
法でＩＴＯガラス基板上に蒸着した。膜厚はＩＩＪｍと
した。さらに真空度を維持した状態で、同じく抵抗加熱
法でＳｅのみの蒸着を行いａ　−５ｅ−Ｔｅ層上に１０
μｍ　ａ−５ｅ層を積層した。

〔実施例６〕・・・機能分離型感光体の作製方法（電荷
発生層の形成方法） クロロジアンブルー０．４ｇ、ジクロルエタン４０ｇの
組成を有する混合液を２５０ｍｊ！容積のステンレス容
器に入れ、更にガラスピーズＮｏ３．１８０ｍ１を加え
、振動ミル（安用電機製作所ＫＥＤ９−４）により、約
４時間の粉砕を行い粒径〜５μｍのクロロシアンブルー
を得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート、ニ
ーピロンＥ−２０００（三菱ガス化学）を０．４ｇ加え
約４時間攪拌する。この溶液をＩｎ２Ｏ２−３ｎＯ□を
約１０００人スパッターしたガラス基板（１ｍｍ厚）に
ドクターブレードを用いて塗布し、膜厚的１μｍの電荷
発注層を得た。乾燥は室温で１日行った。

〔電荷輸送層の形成方法〕

４−ジベンジルアミノ−２−メチルベンズアルデヒド−
１，１′−ジフェニルヒドラゾン０．１ｇ。

ポリカーボネート（ニーピロンＥ−２０００）０．　１
　ｇ。

ジクロルエタン２．０ｇの組成を有する混合液をドクタ
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約１０Ｉ
Ｉｍの電荷輸送層を得た。乾燥は６０°Ｃで２時間行っ
た。

〔実施例７〕 （電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチル１０ｇにブチラール樹脂（積水化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、下記の構造式を有するアズレニウムＣ
１Ｏ，塩、 ０．５ｇ、ガラスピーズＮｏ、１３３ｇとを混合し、タ
ッチミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したＩＴＯ上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥さ
せた。乾燥後のＭＷ、は１μｍ以下。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１
９１） ０．５ｇとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚
１０μｍ以下であった。

〔実施例８〕 （電荷発生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積水化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮｏ、　　１を３３ｇ、タッチミキサー
で１日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード
、またはアプリケーターでガラス板上に積層したＩＴＯ
上に塗布し、６０°Ｃ，２時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の作製方法） ジクロロエタン９，５ｇに、ポリカーボネート（三菱ガ
ス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、上記ヒドラ
ゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．５ｇを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、６
０°Ｃ，２時間以上乾燥させた。膜厚は１０Ｉ！ｍ以上
であった。

〔実施例９〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離型
感光体の作製方法 （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ｓＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜１μｍ塗布、６０°Ｃ１２時間以上乾燥
させた。

（電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチル１０ｇにブチラール樹脂（積木化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、前記したアズレニウムＣｌＯ４塩０．
５ｇ、ガラスピーズＮ０１１３３ｇとを混合し、タッチ
ミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと前記した
ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．５ｇ
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、６０゛Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚１０μ
ｍ以下であった。

［実施例１０］ （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜１μｍ塗布、６０°Ｃ１２時間以上乾燥
させた。

（電荷発生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（積木化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮｏ、　　１を３３ｇ、タッチミキサー
で１日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード
、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布
し、６０“Ｃ，２時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は
、膜厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法） 溶媒であるジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネー
ト（三菱ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、
前記ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．
５ｇを溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚は１０
μｍ以上であった。

〔実施例１１） （感光体電極層の形成方法） 青板ガラス上に、酸化インジウム錫（ＩＴＯ。

比抵抗１００Ω・ｃｍ”）をスパッタリング法により蒸
着させた。

また、ＥＢ法により同様に蒸着させることができる。

（電荷注入防止層の形成方法） 上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。

膜厚は１００〜３０００人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにＥＢ法により同様に蒸着
させることができる。

（電荷発生層の形成方法） 上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル（テルル含有
量１３重量％）を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は２
μｍ以下である。

（電荷輸送層の形成方法） 上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は１０μｍ以下である。

〔実施例１２〕・・・熱エレクトレットの作製方法ポリ
弗化ビニリデンフィルム２０μｍ上に真空蒸着（Ｉ　Ｏ
−”Ｔｏｒｒ、抵抗加熱法）によりＡｌを１０００人蒸
着レムものを電荷保持媒体とし、機能分離型感光体の光
導電性感光体と共に静電潜像を形成する。

まず電荷保持媒体のＡ１基板側からホットプレート（３
Ｘ３ｃｍ）を接触させ、１８０°Ｃに媒体を加熱する。

加熱直後に感光体を電荷保持媒体に１０８ｍの空気ギャ
ップで表面同志を対向させ、置型極間に一５５０Ｖの電
圧を印加（感光体電極を負とする）し、露光させた。露
光はハロゲンランプを光源として、１０ルツクスで、文
字パターン原稿を介して感光体裏面から１秒間行った。

この後フィルムを自然冷却した結果、露光部（文字部）
には、−１５０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位
が測定されなかった。この帯電パターンの形成されたフ
ィルム上に水滴を滴下し、回収した後、電位測定を行っ
た結果、前と変わらず、露光部では一１５０Ｖの電位が
測定された。

一方間様の電荷保持媒体に強制的にコロナ放電で表面に
一１５０ｖの電荷を形成した後、水滴を滴下し、回収し
たところ、最初−１５０Ｖを示した露光部がＯ■と全く
電荷が消失した。従って加熱下での電荷形成はポリ弗化
ビニリデンの内部で分極が生じ、エレクトレット化して
いることがわかった。

〔実施例１３］・・・光エレクトレットの作製方法１．
１ｍｍ厚のガラス支持体上にＡ２を、約１０００人スパ
ッタリング法により積層して基板とし、そのＡｆ層上に
硫化亜鉛を約１．　５μｍの膜厚に蒸着（１０−５Ｔｏ
ｒｒ、抵抗加熱）させた。この硫化亜鉛層面に、ガラス
上に積層したｌＴＯ面を空気ギャップ１０ＪＩｍ設けて
対向させ、両電極間に＋７００ｖの電圧を印加（Ａｆｆ
ｉｆｆ側を負にする）した状態で、ＩＴＯ基板側から露
光を行った。

露光は実施例１１と同様にして行った。その結果露光部
には＋８０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位が測
定されなかった。この場合も実施例１１と同様な水滴実
験を行ったが、回収後の電位の変化はなく、内部に電荷
の蓄積されたエレクトレットが形成された。

〔実施例１４） 実施例３の単層系有機感光体（ＰＶＫ　−ＴＮＦ　）、
実施例１（ａ）の電荷保持媒体、及びガラス基板を使用
し、これを電極側を外側にして重ねてカメラにセットす
る。その際に感光体ｌと電荷保持媒体３間に空隙を設け
るため、第１３［Ｍに示すように１０μｍのポリエステ
ルフィルムをスペーサー２として露光面以外の周囲に配
置する。

感光体電極側を負、電荷保持媒体側を正にして電圧を７
００ｖ印加し、その状態で露出ｆ＝１゜４、シャッター
スピード１７６０秒で光学シャッターを切るか、あるい
は露出ｆ＝１．４、シャッター開放状態で１／６０秒電
圧印加を行い、屋外昼間の被写体撮影を行った。

露光ＯＦＦ、電圧印加ＯＦＦ後、電荷保持媒体を明るい
所、あるいは暗いで所で取り出し、■微小面積電位読取
り法によるＣＲＴ画像形成、■トナー現象による画像形
成を行った。

■では、１００Ｘ１００μｍの微小面積表面電位測定プ
ローブをｘ−Ｙ軸スキャニングを行い、１００μｍ単位
の電位データを処理し、ＣＲＴ上に電位−輝度変換によ
り画像形成を行った。電荷保持媒体上には最高露光部電
位２００ｖから未露光部Ｏｖまでのアナログ電位潜像が
形成されており、その潜像をＣＲＴ上で１００μｍの解
像度で顕像化することができた。

■では、取り出した電荷保持媒体を負に帯電した湿式ト
ナー（黒）に１０秒浸漬することにより、ポジ像が得ら
れた。得られたトナー像の解像度はｒｕｍの高解像度で
あった。

カラー画像の撮影は以下の方法で行った。

■プリズム型３面分割法 第５図に示すようにプリズムの３面上にＲ，Ｇ。

Ｂフィルターを配置し、それぞれの面に上記媒体をセッ
トし、ｆ＝１．４、シャッタ−スピード１／３０秒で被
写体撮影を行った。

■カラーＣＲＴ表示法 Ｒ，Ｇ、Ｂ潜像各々を同様の方法でスキャニングして読
み取り、Ｒ，Ｇ、Ｂ潜像に対応した螢光発色をＣＲＴ上
で形成し、３色分解画像をＣＲＴ上で合成することによ
りカラー画像を得た。

■トナー現像法 分解露光した電荷保持媒体をＲ，Ｇ、Ｂ潜像に対して負
に帯電したＣ（シアン）、Ｍ（マゼンダ）、Ｙ（イエロ
ー）トナーで各々現像し、トナー像を形成する。トナー
が乾燥する前にシアントナー像を形成した媒体上に普通
紙を重ね、紙上に正のコロナ帯電を行い。その後、剥離
を行うと、普通紙にトナー像が転写された。さらに、同
様の方法で画像の位置を一致させて、同一箇所にマゼン
ダトナー、イエロートナーを順次転写合成すると、普通
紙上にカラー画像が形成された。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、現像工程を必要とせず、
像再現においても複雑な光学的、電気的、または化学的
処理が不要であると共に、銀塩写真と同様に面状アナロ
グ記録であるので、高解像度が得られ、また明所、暗所
に関係なく長期間潜像保存を行うことができ、また機械
的なシャッタを設ける方法と、設けない方法を採用する
ことがで、設けないで露光する方法を採用した場合には
、カメラの構成を簡素化することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の高解像度静電カメラの原理を説明する
ための図、第２図は光エレクトレットを用いた高解像度
静電カメラの原理を説明するための図、第３図は熱エレ
クトレットを用いた高解像度静電カメラの原理を説明す
るための図、第４図は高解像度静電カメラの概略構成を
示す図、第５図は３色分解光学系を示す図、第６図はカ
ラー撮影を行う場合の説明図、第７図は微細カラーフィ
ルタの例を示す図、第８図は微細カラーフィルタとフレ
ネルレンズを組み合わせた例を示す図、第９図、第１０
図はトナー画像からビデオ信号を得る例を説明するため
の図、第１１図はＮＤフィルタとＲ，Ｇ、Ｂフィルタの
併用による３面分割を示す図、第１２図はａ−３ｉ　：
　Ｈ感光体の作製方法を説明するための図、第１３図は
本発明の静電カメラによる撮影の実施例を説明するため
の図である。 １・・・感光体、２・・・スペーサ、３・・・電荷保持
媒体、５・・・透明支持体、７・・・透明電極、９・・
・光導電層、１１・・・絶縁層、１３・・・電極、１５
・・・支持体、１７・・・電源、２１・・・撮影レンズ
、２３・・・ミラー、２５・・・ピントグラス、２７・
・・ペンタプリズム、２９・・・接眼レンズ、３１・・
・ネガ像。 出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　蛭　川　昌　信（外４名）第１図 （ハ） （ニ） 第６　日 甲ヂデ日− コア 図 第１１図 第１３図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）レンズを介して入射する光学像を撮影するカメラ
   において、前面に電極が設けられた光導電層からなる感
   光体と、感光体に対向し、後面に電極が設けられた絶縁
   層からなる電荷保持媒体とを光軸上に配置すると共に、
   両電極間への電圧印加をオン、オフするためのスイッチ
   を設け、スイッチをオン、オフすることにより入射光学
   像に応じた静電潜像を電荷保持媒体上に形成することを
   特徴とする高解像度静電カメラ。
2. （２）光学シャッター、レンズを介して入射する光学像
   を撮影するカメラにおいて、前面に電極が設けられた光
   導電層からなる感光体と、感光体に対向し、後面に電極
   が設けられた絶縁層からなる電荷保持媒体とを光軸上に
   配置すると共に、両電極間へ電圧を印加し、光学シャッ
   ターの開閉により入射光学像に応じた静電潜像を電荷保
   持媒体上に形成することを特徴とする高解像度静電カメ
   ラ。
3. （３）前記感光体と電荷保持媒体とは接触、または非接
   触である請求項１または２記載の高解像度静電カメラ。
4. （４）前記感光体の前面にカラーフィルターを配置した
   請求項１または２記載の高解像度静電カメラ。
5. （５）前記電荷保持媒体は、角板状、円盤状またはフィ
   ルム状である請求項１または２記載の高解像度静電カメ
   ラ。
6. （６）入射光学像を入射する側の電極を用いる基板は、
   可視域を透過する基板である請求項１または２記載の高
   解像度静電カメラ。