JPH021693A - 高解像度静電カメラ - Google Patents
高解像度静電カメラInfo
- Publication number
- JPH021693A JPH021693A JP63121591A JP12159188A JPH021693A JP H021693 A JPH021693 A JP H021693A JP 63121591 A JP63121591 A JP 63121591A JP 12159188 A JP12159188 A JP 12159188A JP H021693 A JPH021693 A JP H021693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- layer
- electrode
- photoreceptor
- medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 77
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 29
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 15
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 162
- 238000000034 method Methods 0.000 description 75
- 239000010408 film Substances 0.000 description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 23
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 14
- -1 silver halide Chemical class 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 11
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 8
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 8
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 8
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000010582 Pisum sativum Nutrition 0.000 description 6
- 240000004713 Pisum sativum Species 0.000 description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 5
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 2
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001989 1,3-phenylene group Chemical group [H]C1=C([H])C([*:1])=C([H])C([*:2])=C1[H] 0.000 description 1
- OYUNTGBISCIYPW-UHFFFAOYSA-N 2-chloroprop-2-enenitrile Chemical compound ClC(=C)C#N OYUNTGBISCIYPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJYCALFJFALYAH-UHFFFAOYSA-N 4-[[2-chloro-4-[3-chloro-4-[[2-hydroxy-3-(phenylcarbamoyl)naphthalen-1-yl]diazenyl]phenyl]phenyl]diazenyl]-3-hydroxy-N-phenylnaphthalene-2-carboxamide Chemical compound OC1=C(N=NC2=CC=C(C=C2Cl)C2=CC(Cl)=C(C=C2)N=NC2=C(O)C(=CC3=C2C=CC=C3)C(=O)NC2=CC=CC=C2)C2=C(C=CC=C2)C=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 XJYCALFJFALYAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016384 Al4C3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100021394 CST complex subunit CTC1 Human genes 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical group [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000894433 Homo sapiens CST complex subunit CTC1 Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical group [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000571 Nylon 11 Polymers 0.000 description 1
- 229920003188 Nylon 3 Polymers 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- MPFUOCVWJGGDQN-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;1,2-xylene Chemical compound CCCCO.CC1=CC=CC=C1C MPFUOCVWJGGDQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- QPJDMGCKMHUXFD-UHFFFAOYSA-N cyanogen chloride Chemical compound ClC#N QPJDMGCKMHUXFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical compound [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002681 hypalon Polymers 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N methyl(phenyl)silicon Chemical compound C[Si]C1=CC=CC=C1 LAQFLZHBVPULPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 150000002828 nitro derivatives Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Chemical class [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N phosphoryl Chemical class [P]=O LFGREXWGYUGZLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005559 polyacrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- 150000003097 polyterpenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006268 silicone film Polymers 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical group [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- 239000001018 xanthene dye Substances 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)
- Facsimiles In General (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は簡便な処理工程で済み、しかも高解像度を得る
ことが可能な被写体を静電的G;盪影する高解像度静電
カメラに関する。
ことが可能な被写体を静電的G;盪影する高解像度静電
カメラに関する。
従来、高域度憑影技術として銀塩写真法が知られている
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、画像を再現する場合には銀塩乳剤(
印画紙等)を用いるか、または現像フィルムを光学走査
して陰極線管(以下CRT)に再現させる等により行わ
れている。
。この写真法においては、撮影像は現像工程を経てフィ
ルム等に記録され、画像を再現する場合には銀塩乳剤(
印画紙等)を用いるか、または現像フィルムを光学走査
して陰極線管(以下CRT)に再現させる等により行わ
れている。
また、光導電層に電極を蒸着し、暗所で光導電層上にコ
ロナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して
光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の
電荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を光
導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆
極性の電荷(または同極性の電荷)を有するトナーを付
着させて現像する電子写真技術があるが、これは主とし
て複写用に用いられており、一般に低感度のため撮影用
としては使用できず、静電荷の保持時間が短いために静
電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である。
ロナ帯電により全面帯電させ、次いで強い光で露光して
光の当たった部位の光導電層を導電性にし、その部位の
電荷をリークさせて除去することにより静電荷潜像を光
導電層の面上に光学的に形成させ、その残留静電荷と逆
極性の電荷(または同極性の電荷)を有するトナーを付
着させて現像する電子写真技術があるが、これは主とし
て複写用に用いられており、一般に低感度のため撮影用
としては使用できず、静電荷の保持時間が短いために静
電潜像形成後、直ちにトナー現像するのが普通である。
また、TV撮影技術は撮像管で撮影し、光半導体を利用
して得た画像情報を電気信号として取り出し、そのまま
CRTに出力させるか、磁気記録等を用いてビデオ記録
し、任意の時にCRT上に像出力させる等の方法がある
。
して得た画像情報を電気信号として取り出し、そのまま
CRTに出力させるか、磁気記録等を用いてビデオ記録
し、任意の時にCRT上に像出力させる等の方法がある
。
銀塩写真法は被写体像を保存する手段として優れている
が、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、像
再現においてはハードコピー、ソフトコピー(CRT出
力)等に至る複雑な光学的、電気的、または化学的処理
が必要である。
が、銀塩像を形成させるために現像工程を必要とし、像
再現においてはハードコピー、ソフトコピー(CRT出
力)等に至る複雑な光学的、電気的、または化学的処理
が必要である。
電子写真技術は、得られた静電潜像の顕像化は銀塩写真
法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現
像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。
法よりも簡単、迅速であるが潜像保存は極めて短く、現
像剤の解離性、画質等は銀塩に劣る。
TV撮影技術は撮像管で得られた電気的像信号を取り出
し、また記録するためには線順次走査が必要となる。線
順次走査は撮像管内では電子ビームで、ビデオ記録では
磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存するため
、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著しく劣
化する。
し、また記録するためには線順次走査が必要となる。線
順次走査は撮像管内では電子ビームで、ビデオ記録では
磁気ヘッドで行うが、解像性は走査線数に依存するため
、銀塩写真のような面状アナログ記録に比して著しく劣
化する。
また、近年発達しつつある固体撮像素子(CCD等)を
利用したTV撮像系も解像性に関しては本質的に同様で
ある。
利用したTV撮像系も解像性に関しては本質的に同様で
ある。
これらの技術の内蔵する問題点は画像記録が高品質、高
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。
解像であれば処理工程が複雑であり、工程が簡便であれ
ば記憶機能の欠如、あるいは画質の基本的劣化等があっ
た。
本発明は上記問題点を解決するためのもので、高品質、
高解像であると共に、処理工程が簡便であると共に、長
時間の記憶が可能で、記憶した文字、線画、画像、コー
ド、(1,0)情報を目的に応じた画質で任意に反復再
生することができる高解像度静電カメラを提供すること
を目的とする。
高解像であると共に、処理工程が簡便であると共に、長
時間の記憶が可能で、記憶した文字、線画、画像、コー
ド、(1,0)情報を目的に応じた画質で任意に反復再
生することができる高解像度静電カメラを提供すること
を目的とする。
第1図は本発明の静電画像記録再生方法における記録方
法を説明するための図で、図中、lは感光体、3は電荷
保持媒体、5は光導電層支持体、7は感光体電極、9は
光導電層、11は絶縁層、13は電荷保持媒体電極、1
5は絶縁層支持体、17は電源である。
法を説明するための図で、図中、lは感光体、3は電荷
保持媒体、5は光導電層支持体、7は感光体電極、9は
光導電層、11は絶縁層、13は電荷保持媒体電極、1
5は絶縁層支持体、17は電源である。
第1回においては、感光体l側から露光を行う態様であ
り、まず1閣厚のガラスからなる光導電層支持体5上に
1000人厚のITOからなる透明な感光体電極7を形
成し、この上に10μm程度の光導電層9を形成して感
光体lを構成している。この感光体1に対して、lOμ
m程度の空隙を介して電荷保持媒体3が配置される。電
荷保持媒体3は1腸厚のガラスからなる絶縁層支持体1
5上にtooo人厚のA2電極13を蒸着により形成し
、この電極13上に10μm厚の絶縁層11を形成した
ものである。
り、まず1閣厚のガラスからなる光導電層支持体5上に
1000人厚のITOからなる透明な感光体電極7を形
成し、この上に10μm程度の光導電層9を形成して感
光体lを構成している。この感光体1に対して、lOμ
m程度の空隙を介して電荷保持媒体3が配置される。電
荷保持媒体3は1腸厚のガラスからなる絶縁層支持体1
5上にtooo人厚のA2電極13を蒸着により形成し
、この電極13上に10μm厚の絶縁層11を形成した
ものである。
先ず、第1図(イ)に示すように感光体lに対して、1
0μm程度の空隙を介して電荷保持媒体3をセットし、
第1図(ロ)に示すように電源17により電極7.13
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層9は高抵抗
体であるため、電極間には何の変化も生じない。感光体
1側より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層
9は導電性を示し、絶縁層11との間に放電が生じ、絶
縁層11に電荷が蓄積される。
0μm程度の空隙を介して電荷保持媒体3をセットし、
第1図(ロ)に示すように電源17により電極7.13
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層9は高抵抗
体であるため、電極間には何の変化も生じない。感光体
1側より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層
9は導電性を示し、絶縁層11との間に放電が生じ、絶
縁層11に電荷が蓄積される。
露光が終了したら、第1図(ハ)に示すように電圧をO
FFにし、次いで、第1図(ニ)に示すように電荷保持
媒体3を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
。
FFにし、次いで、第1図(ニ)に示すように電荷保持
媒体3を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
。
なお、感光体lと電荷保持媒体3とは上記のように非接
触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体電
極7側から光導電層9の露光部に正または負の電荷が注
入され、この電荷は電荷保持媒体3例の電極13に引か
れて光導電層9を通過し、絶縁層11面に達した所で電
荷移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そ
して、感光体1と電荷保持媒体3とを分離すると、絶縁
層11は電荷を蓄積したままの状態で分離される。
触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体電
極7側から光導電層9の露光部に正または負の電荷が注
入され、この電荷は電荷保持媒体3例の電極13に引か
れて光導電層9を通過し、絶縁層11面に達した所で電
荷移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そ
して、感光体1と電荷保持媒体3とを分離すると、絶縁
層11は電荷を蓄積したままの状態で分離される。
この記昼方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写真
法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層l
l上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。
法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁層l
l上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。
この絶縁層11上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒体
の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防ぐために絶
縁fillの表面を絶縁性フィルム等で覆って保存する
ようにしてもよい。
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒体
の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防ぐために絶
縁fillの表面を絶縁性フィルム等で覆って保存する
ようにしてもよい。
以下、本願発明に用いられる感光体、および電荷保持媒
体の構成材料について説明する。
体の構成材料について説明する。
光導電層支持体5としては、感光体を支持することがで
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がな(、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属板(電極を兼ねることもできる)等の剛体が使用さ
れる。但し、感光体側から光を入射して情報を記録する
装置に用いられる場合には、当然その光を透過させる特
性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体側
から入射するカメラに用いられる場合には、厚み1mm
程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィルム
、シートが使用される。
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がな(、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属板(電極を兼ねることもできる)等の剛体が使用さ
れる。但し、感光体側から光を入射して情報を記録する
装置に用いられる場合には、当然その光を透過させる特
性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体側
から入射するカメラに用いられる場合には、厚み1mm
程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィルム
、シートが使用される。
感光体電極7は、光導電層支持体5に金属の゛ものが使
用される場合を除いて光導電層支持体5に形成され、そ
の材質は比抵抗値が10hΩ・cm以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等であ
る。このような感光体重(函7は、光導電層支持体5上
に、蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング、メ
ツキ、ディッピング、電解重合等により形成される。ま
たその厚みは、感光体電極7を構成する材質の電気特性
、および情報の記録の際の印加電圧により変化させる必
要があるが、例えばアルミニウムであれば、100〜3
000人程度である。この感光体電極7も光導電層支持
体5と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には
、上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光
(400〜700nm)であれば、r To (Inz
O+−3n02) 、S n 02等をスパッタリング
、蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にイン
キ化してコーティングしたような透明電極や、Au、A
I、Ag、、Ni5Cr等を蒸着、またはスパッタリン
グで作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン(
TCNQ)、ポリアセチレン等のコーティングによる有
機透明電極等が使用される。
用される場合を除いて光導電層支持体5に形成され、そ
の材質は比抵抗値が10hΩ・cm以下であれば限定さ
れなく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等であ
る。このような感光体重(函7は、光導電層支持体5上
に、蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング、メ
ツキ、ディッピング、電解重合等により形成される。ま
たその厚みは、感光体電極7を構成する材質の電気特性
、および情報の記録の際の印加電圧により変化させる必
要があるが、例えばアルミニウムであれば、100〜3
000人程度である。この感光体電極7も光導電層支持
体5と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には
、上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光
(400〜700nm)であれば、r To (Inz
O+−3n02) 、S n 02等をスパッタリング
、蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にイン
キ化してコーティングしたような透明電極や、Au、A
I、Ag、、Ni5Cr等を蒸着、またはスパッタリン
グで作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン(
TCNQ)、ポリアセチレン等のコーティングによる有
機透明電極等が使用される。
また情報光が赤外(700nm以上)光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。
更に、情報光が紫外(400nm以下)光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの(有機高分子材料、ソーダガラス
等)は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの(有機高分子材料、ソーダガラス
等)は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。
光導電層9は、光が照射されると照射部分で光キャリア
(電子、正孔)が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材料
等で構成される。
(電子、正孔)が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材料
等で構成される。
以下、これら光導電材料、および光導電層の形成方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
(A)無機感光体(光導電体)
無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。
(イ)アモルファスシリコン感光体
アモルファスシリコン感光体としては
■水素化アモルファスシリコン(a −5i : H)
■フッ素化アモルファスシリコン(a−3i:F)これ
らに対して不純物をドーピングしないもの、 ・B、、AI、Ga、In、TI等をドーピングにより
P型(ホール輸送型)にしたもの、・P、Ag、Sb、
B i等をドーピングによりN型(電子輸送型)にした
もの、 がある。
■フッ素化アモルファスシリコン(a−3i:F)これ
らに対して不純物をドーピングしないもの、 ・B、、AI、Ga、In、TI等をドーピングにより
P型(ホール輸送型)にしたもの、・P、Ag、Sb、
B i等をドーピングによりN型(電子輸送型)にした
もの、 がある。
感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく 10 ””
〜I Torr) 、グロー放電により加熱、或いは加
熱しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱し
た電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体
原料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは
積層で使用する。膜厚は1〜50μmである。
を水素ガスなどと共に低真空中に導入しく 10 ””
〜I Torr) 、グロー放電により加熱、或いは加
熱しない電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱し
た電極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体
原料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは
積層で使用する。膜厚は1〜50μmである。
また、透明電極7から電荷が注入され、露光してないの
にもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するため
に、感光体電極7の表面に電荷注入防止層を設けること
ができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と感
光体最上層(表面層)の一方或いは両方に、グロー放電
、蒸着、スパッター法等によりa−5iN層、a−Si
C層、SiO2層、A2□01層等の絶縁層を設けると
よい。この絶縁層を余り厚くしすぎると露光したとき電
流が流れないので、少なくとも1000Å以下とする必
要があり、作製し易さ等を考慮すると400〜500人
程度が望ましい。
にもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するため
に、感光体電極7の表面に電荷注入防止層を設けること
ができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と感
光体最上層(表面層)の一方或いは両方に、グロー放電
、蒸着、スパッター法等によりa−5iN層、a−Si
C層、SiO2層、A2□01層等の絶縁層を設けると
よい。この絶縁層を余り厚くしすぎると露光したとき電
流が流れないので、少なくとも1000Å以下とする必
要があり、作製し易さ等を考慮すると400〜500人
程度が望ましい。
また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電p
i基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能
を有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの
場合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層
を設ける。例えば、Stにボロンをドープしたa−3i
: H(n” )は、ホールの輸送特性が上がって整
流効果が得られ、電荷注入防止層として機能する。
i基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能
を有する電荷輸送層を設けるとよく、電極がマイナスの
場合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層
を設ける。例えば、Stにボロンをドープしたa−3i
: H(n” )は、ホールの輸送特性が上がって整
流効果が得られ、電荷注入防止層として機能する。
(ロ)アモルファスセレン感光体
アモルファスセレン感光体としては、
■アモルファスセレン(a−5e)
■アモルファスセレンテルル(a −3e−Te)■ア
モルファスひ素セレン化合物(a −ASzSes)■
アモルファスひ素セレン化合物十Teがある。
モルファスひ素セレン化合物(a −ASzSes)■
アモルファスひ素セレン化合物十Teがある。
この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層としてS+Ot、八I!、201.5iC
1SjN層を蒸着、スパッター、グロー放電法等により
電極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み合わせ
、積層型感光体としてもよい、感光体層の膜厚はアモル
ファスシリコン感光体と同様である。
荷注入阻止層としてS+Ot、八I!、201.5iC
1SjN層を蒸着、スパッター、グロー放電法等により
電極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み合わせ
、積層型感光体としてもよい、感光体層の膜厚はアモル
ファスシリコン感光体と同様である。
(ハ)硫化カドミウム(CdS ’)
この感光体は、コーティング、薄着、スパンクリング法
により作製する。蒸着の場合はCdSの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、EB
(エレクトロンビーム)蒸着により行う。またスパッタ
リングの場合はCdSターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス状態でCdSが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向膜(膜厚方向に配
向)を得ることもできる。コーティングの場合は、Cd
S粒子(粒径1〜100μm)をバインダー中に分散さ
せ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい、
。
により作製する。蒸着の場合はCdSの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、EB
(エレクトロンビーム)蒸着により行う。またスパッタ
リングの場合はCdSターゲットを用いてアルゴンプラ
ズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモル
ファス状態でCdSが堆積されるが、スパッタリング条
件を選択することにより結晶性の配向膜(膜厚方向に配
向)を得ることもできる。コーティングの場合は、Cd
S粒子(粒径1〜100μm)をバインダー中に分散さ
せ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい、
。
(ニ)酸化亜鉛(Zn O)
この感光体はコーティング法、或いはCVD法で作製さ
れる。コーティング法としては、ZnS粒子(粒径1〜
100μm)をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またCVD
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中(10−2〜l Torr)で混
合し、加熱した電極基板(150〜400“C)上で化
学反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も
膜厚方向に配向した膜が得られる。
れる。コーティング法としては、ZnS粒子(粒径1〜
100μm)をバインダー中に分散させ、溶媒を添加し
て基板上にコーティングを行って得られる。またCVD
法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金属
と酸素ガスを低真空中(10−2〜l Torr)で混
合し、加熱した電極基板(150〜400“C)上で化
学反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合も
膜厚方向に配向した膜が得られる。
(B)有機感光体
有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。
とがある。
(イ)単層系感光体
単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。
らなっている。
く電荷発生物質系〉
光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ビリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ビリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。
く電荷輸送物質系〉
電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルベン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。
また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。
成させ、電荷移動錯体としてもよい。
通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる怒光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール(PVK)は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン(TNF)は400nm波長近傍
しか感じないが、PVK−TNF錯体は650−nm波
長域まで感じるようになる。
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール(PVK)は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン(TNF)は400nm波長近傍
しか感じないが、PVK−TNF錯体は650−nm波
長域まで感じるようになる。
このような単層系感光体の膜厚は、10〜50μmが好
ましい。
ましい。
(ロ)機能分離型感光体
電荷発生物質は光を吸収し易いが、光をトラップする性
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。
質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、光
吸収特性はよくない。そのため両者を分離し、それぞれ
の特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷発
生層と電荷輸送層を積層したタイプである。
(電荷発生層〉
電荷発生層を形成する物質としては、例えばアソ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、a−5e 、、a−5
t 、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、a−5e 、、a−5
t 、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。
く電荷輸送層〉
電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、PVK系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。
系、ピラゾリン系、PVK系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。
機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を0
.1〜10μm、電荷輸送層を10〜50μmの膜厚と
するとよい。
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を0
.1〜10μm、電荷輸送層を10〜50μmの膜厚と
するとよい。
なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート(PMMA)樹脂、メラミン樹脂
、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各1
部に対し、0.1〜10部添加して付着し易いようにす
る。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着法
、スパッター法等を使用することができる。
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセタール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート(PMMA)樹脂、メラミン樹脂
、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷発生材料各1
部に対し、0.1〜10部添加して付着し易いようにす
る。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着法
、スパッター法等を使用することができる。
次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。
電荷注入防止層は、光導電層90両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電層9の電圧印加時の暗電流(
電極からの電荷注入)、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。
方か、両方の面に、光導電層9の電圧印加時の暗電流(
電極からの電荷注入)、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。
この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方(電子、またはホール
)が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層1、あるいはこ
れらを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例え
ばAs20= 、1h(h、Bi、03 、CdS 、
CaO、Ce01. Crz03 、Coo 、Ge
m、、訂0□、Fe20= 、L、axOx 、MgO
、Mn(lz、Ndz(h 、Nb2O5、PbO、5
bzOs 、Stow、Sea、、Ta205 、Ti
01、WO,、V!0.、YzOs、 Y!03、Zr
O2、BaTi01、A1.0゜、BizTiOs 、
CaO−5rO、、Ca0−Yz03、Cr−5in
、 LiTaO7、PbTi0.、PbZrOs、Zr
O,−Co 、 ZrO!−3i(h % AtN X
BN、 NbN 、 5isN4、TaN 、 TiN
、 VN、 ZrN 。
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方(電子、またはホール
)が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層1、あるいはこ
れらを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例え
ばAs20= 、1h(h、Bi、03 、CdS 、
CaO、Ce01. Crz03 、Coo 、Ge
m、、訂0□、Fe20= 、L、axOx 、MgO
、Mn(lz、Ndz(h 、Nb2O5、PbO、5
bzOs 、Stow、Sea、、Ta205 、Ti
01、WO,、V!0.、YzOs、 Y!03、Zr
O2、BaTi01、A1.0゜、BizTiOs 、
CaO−5rO、、Ca0−Yz03、Cr−5in
、 LiTaO7、PbTi0.、PbZrOs、Zr
O,−Co 、 ZrO!−3i(h % AtN X
BN、 NbN 、 5isN4、TaN 、 TiN
、 VN、 ZrN 。
SiC、TiC、圓C,Al4C3等をグロー放電、蒸
着、スパッタリング等により形成される。尚、この層の
膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効果の
点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次ぎに
整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を利用
して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する電荷
輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層は無
機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電層で
形成され、その膜厚は0.1〜10μm程度である。具
体的には、電極がマイナスの場合はB、AI、Ga、I
n等をドープしたアモルファスシリコン光導電層、アモ
ルファスセレン、またはオキサジアゾール、ピラゾリン
、ポリビニルカルバゾール、スチルベン、アントラセン
、ナフタレン、トリジフェニルメタン、トリフェニルメ
タン、アジン心アミン、芳香族アミン等を樹脂中に分散
して形成した有機光導電層、電極がプラスの場合は、P
、N、As5Sb、、B i等をドープしたアモ7L/
77スシリコン光導電層、ZnO光導電層等をグロー放
電、蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング等の
方法により形成される。
着、スパッタリング等により形成される。尚、この層の
膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効果の
点を考慮して使用される材質ごとに決められる。次ぎに
整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を利用
して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する電荷
輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層は無
機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導電層で
形成され、その膜厚は0.1〜10μm程度である。具
体的には、電極がマイナスの場合はB、AI、Ga、I
n等をドープしたアモルファスシリコン光導電層、アモ
ルファスセレン、またはオキサジアゾール、ピラゾリン
、ポリビニルカルバゾール、スチルベン、アントラセン
、ナフタレン、トリジフェニルメタン、トリフェニルメ
タン、アジン心アミン、芳香族アミン等を樹脂中に分散
して形成した有機光導電層、電極がプラスの場合は、P
、N、As5Sb、、B i等をドープしたアモ7L/
77スシリコン光導電層、ZnO光導電層等をグロー放
電、蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング等の
方法により形成される。
次ぎに、電荷保持媒体材料、および電荷保持媒体の作製
方法について説明する。
方法について説明する。
電荷保持媒体3は感光体1と共に用いられて、電荷保持
媒体3を構成する絶縁層11の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録される情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る。例えば静電カメラ(同一出願人による同日出1jJ
l)に用いられる場′合には、一般のフィルム(単コマ
、連続コマ用)形状、あるいはディスク状となり、レー
ザー等によりデジタル情報、またはアナログ情報を記録
する場合には、テープ形状、ディスク形状、或いはカー
ド形状となる。
媒体3を構成する絶縁層11の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録される情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る。例えば静電カメラ(同一出願人による同日出1jJ
l)に用いられる場′合には、一般のフィルム(単コマ
、連続コマ用)形状、あるいはディスク状となり、レー
ザー等によりデジタル情報、またはアナログ情報を記録
する場合には、テープ形状、ディスク形状、或いはカー
ド形状となる。
絶!i層支持体15は、上記のような電荷保持媒体3を
強度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支
持体5と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求
される場合がある。具体的には、電荷保持媒体3がフレ
キシブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合
には、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使
用され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、
ガラス等の無機材料等が使用される。
強度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支
持体5と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求
される場合がある。具体的には、電荷保持媒体3がフレ
キシブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合
には、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使
用され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、
ガラス等の無機材料等が使用される。
電荷保持媒体電極13は、基本的には感光体電極7と同
じでよく、上述した感光体電極7と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体15上に形成される。
じでよく、上述した感光体電極7と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体15上に形成される。
絶縁層11は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で1014
Ω・cm以上の絶縁性を有することが要求される。この
ような絶縁層11は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ、
コーティング、ディッピングするか、または蒸着、スパ
ッタリング法により層形成させることができる。
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗で1014
Ω・cm以上の絶縁性を有することが要求される。この
ような絶縁層11は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ、
コーティング、ディッピングするか、または蒸着、スパ
ッタリング法により層形成させることができる。
ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレン
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロ−ル樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン66、ナイロン6 ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマ弗素樹脂、セルロース樹脂、
フェノール樹脂ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキ
シ樹脂可撓性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹
脂、フェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、PPO,ポ
リスルホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン、
ポリクロロプレン、イソブチレン。
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロ−ル樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン66、ナイロン6 ポリカーボネー
ト、アセタールホモポリマ弗素樹脂、セルロース樹脂、
フェノール樹脂ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキ
シ樹脂可撓性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹
脂、フェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、PPO,ポ
リスルホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン、
ポリクロロプレン、イソブチレン。
極高ニトリル、ポリアクリルゴム、クロロスルホン化ポ
リエチレン、エチレン・プロピレンラバー弗素ゴム、シ
リコンラバー、多硫化系合成ゴム。
リエチレン、エチレン・プロピレンラバー弗素ゴム、シ
リコンラバー、多硫化系合成ゴム。
ウレタンゴム等のゴムの単体、あるいは混合物が使用さ
れる。
れる。
またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を電
荷保持媒体電極13上に接着剤等を介して貼着すること
により層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム等
に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、ディ
ッピングすることにより層形成してもよい。
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を電
荷保持媒体電極13上に接着剤等を介して貼着すること
により層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム等
に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、ディ
ッピングすることにより層形成してもよい。
また絶縁層11として、ラングミュア−・プロシェド法
により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使用
することができる。
により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使用
することができる。
またこれら絶縁層11には、電極面との間、または絶縁
層ll上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界(10’V / c m以上)
が印加された時には電荷が注入するが、低電界(10’
V/cm以下)では電荷が注入しない層のことをいう。
層ll上に電荷保持強化層を設けることができる。電荷
保持強化層とは、強電界(10’V / c m以上)
が印加された時には電荷が注入するが、低電界(10’
V/cm以下)では電荷が注入しない層のことをいう。
電荷保持強化層としては、例えばSrO2、Ah(h
、SiC、SiN等が使用でき、有機系物質としては例
えばポリエチレン蒸着膜、ポリパラキシレン蒸着膜が使
用できる。
、SiC、SiN等が使用でき、有機系物質としては例
えばポリエチレン蒸着膜、ポリパラキシレン蒸着膜が使
用できる。
また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層11
に、電子供与性を有する物質(ドナー材料)、あるいは
電子受容性を有する物質(アクセプター材料)を添加す
るとよい、ドナー材料としてはスチレン系、ピレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン(TT
F)、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ポ
リビニルアントラセン、ボリアジン、ポリビニルピレン
、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して用
いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化合
物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的には
テトラシアノキノジメタン(TCNQ))リニトロフル
オレノン(TNF)等が使用され、一種、または混合し
て使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹脂
等に対して0.001〜10%程度添加して使用される
。
に、電子供与性を有する物質(ドナー材料)、あるいは
電子受容性を有する物質(アクセプター材料)を添加す
るとよい、ドナー材料としてはスチレン系、ピレン系、
ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン系
化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン(TT
F)、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、ポ
リビニルアントラセン、ボリアジン、ポリビニルピレン
、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して用
いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化合
物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的には
テトラシアノキノジメタン(TCNQ))リニトロフル
オレノン(TNF)等が使用され、一種、または混合し
て使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹脂
等に対して0.001〜10%程度添加して使用される
。
さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体中
に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体と
しては周期律表第1A族(アルカリ金属)、同IB族(
tR族)、同IIA族(アルカリ土類金属)、同IIB
族(亜鉛族)、同1[IA族(アルミニウム族)、同1
1IB族(希土類)、同■B族(チタン族)、同VB族
(バナジウム族)、同VIB族(クロム族)、同■B族
(マンガン族)、同■族(鉄族、白金族)、また同IV
A族(炭素族)としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、
同VA族(窒素族)としてはアンチモン、ビスマス、同
VIA族(酸素族)としては硫黄、セレン、テルルが微
細粉状で使用される。また上記元素単体のうち金属類は
金属イオン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態と
しても使用することができる。
に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体と
しては周期律表第1A族(アルカリ金属)、同IB族(
tR族)、同IIA族(アルカリ土類金属)、同IIB
族(亜鉛族)、同1[IA族(アルミニウム族)、同1
1IB族(希土類)、同■B族(チタン族)、同VB族
(バナジウム族)、同VIB族(クロム族)、同■B族
(マンガン族)、同■族(鉄族、白金族)、また同IV
A族(炭素族)としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、
同VA族(窒素族)としてはアンチモン、ビスマス、同
VIA族(酸素族)としては硫黄、セレン、テルルが微
細粉状で使用される。また上記元素単体のうち金属類は
金属イオン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態と
しても使用することができる。
更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して0.0
1〜IO重景%程度でよい。 また絶縁層11は、絶縁
性の点からは少なくても1000人(0,1μm)以上
の厚みが必要であり、フレキシビル性の点からは100
μm以下が好ましい。
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して0.0
1〜IO重景%程度でよい。 また絶縁層11は、絶縁
性の点からは少なくても1000人(0,1μm)以上
の厚みが必要であり、フレキシビル性の点からは100
μm以下が好ましい。
このようにして形成される絶縁層11は、破損、または
その表面の情報電荷の放電を防止するために、その表面
に保護膜を設けることができる。保護膜としては粘着性
を有するシリコンゴム等のゴム類、ポリテルペン樹脂等
の樹脂類をフィルム状にし、絶縁層11の表面に貼着す
るか、またプラスチックフィルムをシリコンオイル等の
密着剤を使用して貼着するとよく、比抵抗10I4Ω・
cm以上のものであればよく、膜厚は0.5〜30μm
程度であり、絶縁層11の情報を高解像度とする必要が
ある場合には保護膜は薄い程よい。この保護層は、情報
再生時には保護股上から情報を再生してもよく、また保
護膜を剥離して絶縁層の情報を再生することもできる。
その表面の情報電荷の放電を防止するために、その表面
に保護膜を設けることができる。保護膜としては粘着性
を有するシリコンゴム等のゴム類、ポリテルペン樹脂等
の樹脂類をフィルム状にし、絶縁層11の表面に貼着す
るか、またプラスチックフィルムをシリコンオイル等の
密着剤を使用して貼着するとよく、比抵抗10I4Ω・
cm以上のものであればよく、膜厚は0.5〜30μm
程度であり、絶縁層11の情報を高解像度とする必要が
ある場合には保護膜は薄い程よい。この保護層は、情報
再生時には保護股上から情報を再生してもよく、また保
護膜を剥離して絶縁層の情報を再生することもできる。
静電荷保持の方法としては、前述したような表面電荷を
蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内部
に電荷の分布、分極を生しさせるニレクレットがある。
蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内部
に電荷の分布、分極を生しさせるニレクレットがある。
第2図は光エレクトレットを用いた静電荷保持方法を示
す図で、第り図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、19は透明電極である。
す図で、第り図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、19は透明電極である。
第2回(イ)に示すようにフィルム等の支持体15上に
電極13を形成し、電極板上にZnS、CdS、ZnO
を、蒸着スパッター、CVD、]−ティング法等でIN
1〜5μm形成する。そしてこの感光層表面に透明電極
19を接触あるいは非接触で重ね、電圧印加状態で露光
すると(第2図(ロ))、露光部で光によって電荷が発
生し、電場によって分極し、電荷は電場を取り去っても
その位置にトラップされる(第2図(ハ))。こうして
、露光量に応じたエレクトレットが得られる。なお、第
2図の電荷保持媒体の場合は別体の感光体を必要としな
い利点がある。
電極13を形成し、電極板上にZnS、CdS、ZnO
を、蒸着スパッター、CVD、]−ティング法等でIN
1〜5μm形成する。そしてこの感光層表面に透明電極
19を接触あるいは非接触で重ね、電圧印加状態で露光
すると(第2図(ロ))、露光部で光によって電荷が発
生し、電場によって分極し、電荷は電場を取り去っても
その位置にトラップされる(第2図(ハ))。こうして
、露光量に応じたエレクトレットが得られる。なお、第
2図の電荷保持媒体の場合は別体の感光体を必要としな
い利点がある。
第3図は熱ニレクレットを用いた静電荷保持方法を示す
図で、第1図と同一番号は同一内容である。
図で、第1図と同一番号は同一内容である。
熱エレクトレツト材料としては、例えばポリ弗化ヒニリ
デ7 (PVDF)、ボIJ(VDF/三7ツ化エチレ
ン)、ポリ(VDF/四フッ化エチレン)、ポリフッ化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン。
デ7 (PVDF)、ボIJ(VDF/三7ツ化エチレ
ン)、ポリ(VDF/四フッ化エチレン)、ポリフッ化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン。
ポリアクリロニトリル、ポリ−α−クロロアクリロニト
リル、ポリ (アクリロニトリル/塩化ビニル)、ポリ
アミド11.ポリアミド3.ポリ−m−フェニレンイソ
ツクルアミド、ポリカーボネート、ポリ(ビニリデンシ
アナイド酢酸ビニル)。
リル、ポリ (アクリロニトリル/塩化ビニル)、ポリ
アミド11.ポリアミド3.ポリ−m−フェニレンイソ
ツクルアミド、ポリカーボネート、ポリ(ビニリデンシ
アナイド酢酸ビニル)。
PVDF/PZT複合体等からなり、これを電極基板1
3上に1〜50μm単層で設けるかあるいは2種類以上
のものを積層する。
3上に1〜50μm単層で設けるかあるいは2種類以上
のものを積層する。
そして露光前に抵抗加熱等で上記媒体材料のガラス転移
以上に媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露光を
行う(第3図(ロ))。高温ではイオンの移動度が大き
くなっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり、熱
的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電極に、正電
荷は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生じる
。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場を取
り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じたエレ
クトレットを生じる(第3図(ハ))。
以上に媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露光を
行う(第3図(ロ))。高温ではイオンの移動度が大き
くなっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり、熱
的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電極に、正電
荷は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生じる
。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場を取
り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じたエレ
クトレットを生じる(第3図(ハ))。
次ぎに、絶縁層11に情報を入力する方法としては高解
像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。まず本願発明で使用される高解像度静電カメ
ラは、通常のカメラに使用されている写真フィルムの代
わりに、前面に怒光体電極7を設けた光導電層9からな
る感光体lと、感光体1に対向し、後面に電荷保持媒体
電極13を設けた絶縁層11からなる電荷保持媒体とに
より記録部材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光
に応じて光導電層を導電性として入射光量に応じて絶縁
層上に電荷を蓄積させることにより入射光学像の静電潜
像を電荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシャッ
タも使用しうるし、また電気的なシャッタも使用しうる
ものであり、また静電潜像は明所、暗所に関係なく長期
間保持することが可能である。またプリズムにより光情
報を、R,GSB光成分に分離し、平行光として取り出
すカラーフィルターを使用し、R,G、B分解した電荷
保持媒体3セツトで1コマを形成するか、または1平面
上にRSG、B像を並べて1セツトで1コマとすること
により、カラー撮影することもできる。。
像度静電カメラによる方法、またレーザーによる記録方
法がある。まず本願発明で使用される高解像度静電カメ
ラは、通常のカメラに使用されている写真フィルムの代
わりに、前面に怒光体電極7を設けた光導電層9からな
る感光体lと、感光体1に対向し、後面に電荷保持媒体
電極13を設けた絶縁層11からなる電荷保持媒体とに
より記録部材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光
に応じて光導電層を導電性として入射光量に応じて絶縁
層上に電荷を蓄積させることにより入射光学像の静電潜
像を電荷蓄積媒体上に形成するもので、機械的なシャッ
タも使用しうるし、また電気的なシャッタも使用しうる
ものであり、また静電潜像は明所、暗所に関係なく長期
間保持することが可能である。またプリズムにより光情
報を、R,GSB光成分に分離し、平行光として取り出
すカラーフィルターを使用し、R,G、B分解した電荷
保持媒体3セツトで1コマを形成するか、または1平面
上にRSG、B像を並べて1セツトで1コマとすること
により、カラー撮影することもできる。。
またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー(514,488nm)、ヘリウム−ネ
オンレーザ−(633nm)、半導体レーザー(780
nm、810nm等)が使用でき、感光体と電荷保持媒
体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔をお
いて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキャリ
アの極性と同じ極性に感光体電極をセットするとよい。
ルゴンレーザー(514,488nm)、ヘリウム−ネ
オンレーザ−(633nm)、半導体レーザー(780
nm、810nm等)が使用でき、感光体と電荷保持媒
体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔をお
いて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキャリ
アの極性と同じ極性に感光体電極をセットするとよい。
この状態で画像信号、文字信号、コード信号、&!i!
両信号に対応したレーザー露光をスキャニングにより行
うものである。画像のようなアナログ的な記録は、レー
ザーの光強度を変調して行い、文字、コード、線画のよ
うなデジタル的な記録は、レーザー光の0N−OFF制
御により行う。また画像において網点形成されるものに
は、レーザー光にドツトジェネレーター0N−OFF制
御をかけて形成するものである。尚、感光体における光
導電層の分光特性は、パンクロマティックである必要は
なく、レーザー光源の波長に感度を有していればよい。
両信号に対応したレーザー露光をスキャニングにより行
うものである。画像のようなアナログ的な記録は、レー
ザーの光強度を変調して行い、文字、コード、線画のよ
うなデジタル的な記録は、レーザー光の0N−OFF制
御により行う。また画像において網点形成されるものに
は、レーザー光にドツトジェネレーター0N−OFF制
御をかけて形成するものである。尚、感光体における光
導電層の分光特性は、パンクロマティックである必要は
なく、レーザー光源の波長に感度を有していればよい。
第4図は本発明の高解像度静電カメラの概略構成を示す
図で、図中、第1図と同一番号は同一内容を示しており
、なお、21は撮影レンズ、23はミラー、25はピン
トグラス、27はペンタプリズム、29は接眼レンズ、
31はネガ像である。
図で、図中、第1図と同一番号は同一内容を示しており
、なお、21は撮影レンズ、23はミラー、25はピン
トグラス、27はペンタプリズム、29は接眼レンズ、
31はネガ像である。
本発明の静電カメラは、1限レフカメラのフィルムの代
わりに第1図〜第3図で示した感光体1と電荷保持媒体
3(但し第2図の電荷保持媒体の場合は感光体は不要)
を使用したもので、開示しないスイッチで電源17をO
N、OFFすることによりミラー23が点線の位置に跳
ね上げられて被写体の静電潜像が電荷保持媒体3に形成
される。
わりに第1図〜第3図で示した感光体1と電荷保持媒体
3(但し第2図の電荷保持媒体の場合は感光体は不要)
を使用したもので、開示しないスイッチで電源17をO
N、OFFすることによりミラー23が点線の位置に跳
ね上げられて被写体の静電潜像が電荷保持媒体3に形成
される。
この場合、機械的なシャッターを設けて露光すする方法
でも、また感光体自体が光学的にシャッターの役割を果
たすので、機械的なシャッターを設けずに露光する方法
でもよい。。そして必要に応じて、電荷保持媒体をトナ
ー現像すればネガ像31が得られる。また静電位を読み
取って電気信号として出力し、CRTに表示させたり、
或いは磁気テープ等信の記録手段に転記することも可能
である。
でも、また感光体自体が光学的にシャッターの役割を果
たすので、機械的なシャッターを設けずに露光する方法
でもよい。。そして必要に応じて、電荷保持媒体をトナ
ー現像すればネガ像31が得られる。また静電位を読み
取って電気信号として出力し、CRTに表示させたり、
或いは磁気テープ等信の記録手段に転記することも可能
である。
またカラーフィルタを使用してカラー撮影することもで
きる。
きる。
第5図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図中
、41.43.45はプリズムブロック、47.49.
51はフィルタ、53.55はミラーである。
、41.43.45はプリズムブロック、47.49.
51はフィルタ、53.55はミラーである。
色分解光学系は3つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック41のa面から入射した光情報は、6面に
おいて一部が分離反射され、さらにa面で反射されてフ
ィルタ47からB色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック43に入射し、0面まで進んで一
部が分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ49
.51からG色光成分、R色光成分が取り出される。そ
して、G、B色光成分を、ミラー53.55で反射させ
ることにより、R,G、B光を平行光として取り出すこ
とができる。
ズムブロック41のa面から入射した光情報は、6面に
おいて一部が分離反射され、さらにa面で反射されてフ
ィルタ47からB色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック43に入射し、0面まで進んで一
部が分離反射され、他は直進してそれぞれフィルタ49
.51からG色光成分、R色光成分が取り出される。そ
して、G、B色光成分を、ミラー53.55で反射させ
ることにより、R,G、B光を平行光として取り出すこ
とができる。
このようなフィルタを、第6図に示すように感光体1の
前面に配置して撮影することにより、第6図(ロ)のよ
うにR,、G、B分解した電荷保持媒体3セツトで1コ
マを形成するか、あるいは第6図(ハ)に示すように1
平面上にR,G、 B像として並べてIセットでエコ
マとすることもできる。
前面に配置して撮影することにより、第6図(ロ)のよ
うにR,、G、B分解した電荷保持媒体3セツトで1コ
マを形成するか、あるいは第6図(ハ)に示すように1
平面上にR,G、 B像として並べてIセットでエコ
マとすることもできる。
第7図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば、
レジストをコーティングしたフィルムをマスクパターン
で露光してR,G、Bストライプパターンを形成し、そ
れぞれR,G、B染色することにより形成する方法、ま
たは第5図のような方法で色分解した光を、それぞれ細
いスリットに通すことにより生じるR、G、Bの干渉縞
をホログラム記録媒体に記録させることにより形成する
方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し、静
電潜像によるR、G、Bストライプパターンを形成し、
これをトナー現像して3回転写することによりカラー合
成してトナーのストライプを形成する方法等により形成
する。このような方法で形成されたフィルタのR,C;
、81組で1画素を形成し、1画素を10μm程度の微
細なものにする。このフィルタを第6図のフィルタ61
として使用することによりカラー静電潜像を形成するこ
とができる。この場合、フィルタは感光体と離して配置
しても、あるいは感光体と一体に形成するようにしても
よい。
レジストをコーティングしたフィルムをマスクパターン
で露光してR,G、Bストライプパターンを形成し、そ
れぞれR,G、B染色することにより形成する方法、ま
たは第5図のような方法で色分解した光を、それぞれ細
いスリットに通すことにより生じるR、G、Bの干渉縞
をホログラム記録媒体に記録させることにより形成する
方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し、静
電潜像によるR、G、Bストライプパターンを形成し、
これをトナー現像して3回転写することによりカラー合
成してトナーのストライプを形成する方法等により形成
する。このような方法で形成されたフィルタのR,C;
、81組で1画素を形成し、1画素を10μm程度の微
細なものにする。このフィルタを第6図のフィルタ61
として使用することによりカラー静電潜像を形成するこ
とができる。この場合、フィルタは感光体と離して配置
しても、あるいは感光体と一体に形成するようにしても
よい。
第8図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み合
わせた例を示す図で、フレネルレンズによってR,G、
Bパターンを縮小して記録することができ、また通常の
レンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能とな
り、カメラへの装着が容易となる。
わせた例を示す図で、フレネルレンズによってR,G、
Bパターンを縮小して記録することができ、また通常の
レンズに比べて薄くコンパクトなレンズ設計が可能とな
り、カメラへの装着が容易となる。
第9図はトナー画像からビデオ信号を得るための実施例
を示す図で、トナー画像が形成された電荷保持媒体3の
着色した面を光ビームにより照射してスキャニングし、
その反射光を光電変換器61で電気信号に変換するもの
であり、光ビーム径を小さくすることにより高分解能を
達成することができる。
を示す図で、トナー画像が形成された電荷保持媒体3の
着色した面を光ビームにより照射してスキャニングし、
その反射光を光電変換器61で電気信号に変換するもの
であり、光ビーム径を小さくすることにより高分解能を
達成することができる。
第10図はカラートナー画像からビデオ信号を得る実施
例を示す図であり、微細カラーフィルターにより形成し
たR、G、8分解像をトナー現像し、着色した面を光ビ
ームにより照射し、その反射光によりY、M、C信号を
得る場合の例を示している。図中、63は走査信号発生
器、65はレーザー、67は反射鏡、69はハーフミラ
−271は充電変換器、73.75.77はゲート回路
である。
例を示す図であり、微細カラーフィルターにより形成し
たR、G、8分解像をトナー現像し、着色した面を光ビ
ームにより照射し、その反射光によりY、M、C信号を
得る場合の例を示している。図中、63は走査信号発生
器、65はレーザー、67は反射鏡、69はハーフミラ
−271は充電変換器、73.75.77はゲート回路
である。
走査信号発生器63からの走査信号でレーザー65から
のレーザー光を、反射鏡67、ハーフミラ−69を介し
て着色面に当てて走査する。着色面からの反射光をハー
フミラ−69を介して光電変換器71に入射させて電気
信号に変換する。走査信号発生器63からの信号に同期
してゲート回路73.75.77を開閉制御すれば、微
細フィルタのパターンに同期してゲート回路73.75
.77が開閉制御されるので、YSM、、Cに着色して
おかなくてもY、M、Cの信号を得ることができる。
のレーザー光を、反射鏡67、ハーフミラ−69を介し
て着色面に当てて走査する。着色面からの反射光をハー
フミラ−69を介して光電変換器71に入射させて電気
信号に変換する。走査信号発生器63からの信号に同期
してゲート回路73.75.77を開閉制御すれば、微
細フィルタのパターンに同期してゲート回路73.75
.77が開閉制御されるので、YSM、、Cに着色して
おかなくてもY、M、Cの信号を得ることができる。
なお、カラー像が3面分割したものの場合も、全く同様
にY、M、Cの信号を得ることができ、この場合もY、
、M、Cに着色しておかなくてもよいことは同様である
。
にY、M、Cの信号を得ることができ、この場合もY、
、M、Cに着色しておかなくてもよいことは同様である
。
第9図、第10図に示した方法においては、トナー像が
静電潜像の帯電量に対応したγ特性を有していることが
必要で、そのため帯電量のアナログ的変化に対してしき
い値を持たないようにする必要があるが、対応さえとれ
ていれば、γ特性が一致していなくても電気的処理でγ
の補正を行うようにすればよい。
静電潜像の帯電量に対応したγ特性を有していることが
必要で、そのため帯電量のアナログ的変化に対してしき
い値を持たないようにする必要があるが、対応さえとれ
ていれば、γ特性が一致していなくても電気的処理でγ
の補正を行うようにすればよい。
第11図はND (Neutral Density
)フィルタとR,G、Bフィルターを併用した3面分割
の例を示す図で、入射光をNDフィルター81.83及
び反射ミラー85で3分割し、それぞれRフィルター8
7、Gフィルター89、Bフィルター91を通すことに
より、R,G、B光を平行光として取り出すことができ
る。
)フィルタとR,G、Bフィルターを併用した3面分割
の例を示す図で、入射光をNDフィルター81.83及
び反射ミラー85で3分割し、それぞれRフィルター8
7、Gフィルター89、Bフィルター91を通すことに
より、R,G、B光を平行光として取り出すことができ
る。
本発明の高解像度静電カメラは、通常のカメラに使用さ
れている写真フィルムの代わりに、前面に透明電極を設
けた光導電層からなる感光体と、感光体に対向し、後面
に電極を設けた絶縁層からなる電荷保持媒体とで記録部
材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光に応じて光
導電層を導電性として入射光量に応じて絶縁層上に電荷
を蓄積させることにより入射光学像の静電潜像を電荷蓄
積媒体上に形成するもので、勿論、機械的な光学シャッ
タを設けてもよいが、設けなくてもよく、また静電潜像
は明所、暗所に関係なく長期間保持することが可能であ
る。
れている写真フィルムの代わりに、前面に透明電極を設
けた光導電層からなる感光体と、感光体に対向し、後面
に電極を設けた絶縁層からなる電荷保持媒体とで記録部
材を構成し、画電極へ電圧を印加し、入射光に応じて光
導電層を導電性として入射光量に応じて絶縁層上に電荷
を蓄積させることにより入射光学像の静電潜像を電荷蓄
積媒体上に形成するもので、勿論、機械的な光学シャッ
タを設けてもよいが、設けなくてもよく、また静電潜像
は明所、暗所に関係なく長期間保持することが可能であ
る。
以下、実施例を説明する。
〔実施例1〕・・・電荷保持媒体の作製方法メチルフェ
ニルシリコン樹脂10g1キシレンブタノール1:1溶
媒10gの組成を有する混合液に、硬化剤(金属触媒)
:商品名 CR−15を1重量%(0,2g)加えてよ
く攪拌し、Alを1000人蒸着したガラス基板上にド
クターブレード4ミルを用いてコーティングを行った。
ニルシリコン樹脂10g1キシレンブタノール1:1溶
媒10gの組成を有する混合液に、硬化剤(金属触媒)
:商品名 CR−15を1重量%(0,2g)加えてよ
く攪拌し、Alを1000人蒸着したガラス基板上にド
クターブレード4ミルを用いてコーティングを行った。
その後150°C11hrの乾燥を行ない、膜厚lOμ
mの電荷保持媒体(a)を得た。
mの電荷保持媒体(a)を得た。
また上記混合液を、Alを1000人蒸着した100μ
mポリエステルフィルム上に同様の方法でコーディング
し、次いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体(b)を
得た。
mポリエステルフィルム上に同様の方法でコーディング
し、次いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体(b)を
得た。
また上記混合液を、ANを1000人蒸着レム4インチ
ディスク形状アクリル(lon厚)基板上にスピンナー
200Orpmでコーディングし、50°C,3hr乾
燥させ、膜厚7μmのディスク状電荷保持媒体(c)を
得た。
ディスク形状アクリル(lon厚)基板上にスピンナー
200Orpmでコーディングし、50°C,3hr乾
燥させ、膜厚7μmのディスク状電荷保持媒体(c)を
得た。
また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を011g添
加し、同様のコーティング、乾燥を行い、10μmの膜
厚を有する電荷保持媒体(d)を得た。
加し、同様のコーティング、乾燥を行い、10μmの膜
厚を有する電荷保持媒体(d)を得た。
〔実施例2〕
ポリイミド樹脂Log、N−メチルピロリドン10gの
組成を有する混合液を、Aj!f!:1000人蒸着レ
ムガラス基板上にスピンナーコーティング(1000r
pm、20秒)した、溶媒を乾燥させるため150°C
で30分間、前乾燥を行った後、硬化させるため350
°C,2時間加熱した。
組成を有する混合液を、Aj!f!:1000人蒸着レ
ムガラス基板上にスピンナーコーティング(1000r
pm、20秒)した、溶媒を乾燥させるため150°C
で30分間、前乾燥を行った後、硬化させるため350
°C,2時間加熱した。
膜厚8μmを有する均一な被膜が形成された。
〔実施例3〕・・・単層系有機感光体(PVK −TN
F )作製方法 ポ1,1−N−ビニルカルバゾール10 g (亜南f
料(株)製L2,4.7−)リニトロフルオレノン10
g、ポリエステル樹JIFs2gCバインダー:バイロ
ン200東洋紡(株)製)、テトラハイドロフラン(T
HF)90gの組成を有する混合液を暗所で作製し、I
n2O2−3nO2を約1000人の膜厚でスパッター
したガラス基板(10厚)に、ドクターブレードを用い
て塗布し、60°Cで約1時間通風乾燥し、膜厚杓lO
μmの光導電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を
行うために、更に1日自然乾燥を行って用いた。
F )作製方法 ポ1,1−N−ビニルカルバゾール10 g (亜南f
料(株)製L2,4.7−)リニトロフルオレノン10
g、ポリエステル樹JIFs2gCバインダー:バイロ
ン200東洋紡(株)製)、テトラハイドロフラン(T
HF)90gの組成を有する混合液を暗所で作製し、I
n2O2−3nO2を約1000人の膜厚でスパッター
したガラス基板(10厚)に、ドクターブレードを用い
て塗布し、60°Cで約1時間通風乾燥し、膜厚杓lO
μmの光導電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を
行うために、更に1日自然乾燥を行って用いた。
(実施例4)・・・アモルファスシリコンaSi:H無
a感光体の作製方法 ■基板洗浄 SnO,の薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニ
ング社7059ガラス(23x16xO99t、光学研
磨済)をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各液
中、この順番に各々10分ずつ超音波洗浄する。
a感光体の作製方法 ■基板洗浄 SnO,の薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニ
ング社7059ガラス(23x16xO99t、光学研
磨済)をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各液
中、この順番に各々10分ずつ超音波洗浄する。
■装置の準備
洗浄の済んだ基板を第12図の反応室204内のアノー
ド206上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
反応室内を10−5Torr台までり。
ド206上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
反応室内を10−5Torr台までり。
Pにより真空引きし、反応容器およびガス管の焼出しを
150″′C〜350”Cで約1時間行い、焼出し後装
置を冷却する。
150″′C〜350”Cで約1時間行い、焼出し後装
置を冷却する。
■a−3i:H(n”)の堆積
ガラス基板が350°Cになるようにヒーターを208
調整、加熱し、予めタンク201内で混合しておいたP
H,/S 1H4=1000ppraのガスをニードル
パルプとPMBの回転数を制御することによって反応室
204の内圧が200a+T。
調整、加熱し、予めタンク201内で混合しておいたP
H,/S 1H4=1000ppraのガスをニードル
パルプとPMBの回転数を制御することによって反応室
204の内圧が200a+T。
rrになるように流し内圧が一定になった後、Ma t
ching Box203を通じて、40WのRf P
ower 202 (13,56KHz)を投入し、カ
ソード・アノード間にプラズマを形成する。堆積は4分
間行い、Rfの投入を止め、ニードルパルプを閉じる。
ching Box203を通じて、40WのRf P
ower 202 (13,56KHz)を投入し、カ
ソード・アノード間にプラズマを形成する。堆積は4分
間行い、Rfの投入を止め、ニードルパルプを閉じる。
その結果、ブロッキング層を構成する約0.2μmのa
−3i:)((n”)膜が基板上に堆積された。
−3i:)((n”)膜が基板上に堆積された。
■a−3t:Hの堆積
5IH4100%ガスを■2同じ方法で内圧が200+
++ Torrになるように流し、内圧が一定になった
ところで、Matching Box203を通じて4
゜WのRf Power 202 (13、56K H
z )を投入し、プラズマを形成して70分間維持する
。堆積終了はRfの投入を止め、ニードルパルプを閉じ
る。Heater20 B Off後、基板が冷えてい
るから取り出す。
++ Torrになるように流し、内圧が一定になった
ところで、Matching Box203を通じて4
゜WのRf Power 202 (13、56K H
z )を投入し、プラズマを形成して70分間維持する
。堆積終了はRfの投入を止め、ニードルパルプを閉じ
る。Heater20 B Off後、基板が冷えてい
るから取り出す。
この結果、約18.8μmの膜がa −S i : H
(no)膜上に堆積された。
(no)膜上に堆積された。
こうして5nOt/a−3i:H(n” )ブロッキン
グ層/a−3i :H(non−dope)20μmの
感光体を作製することができた。
グ層/a−3i :H(non−dope)20μmの
感光体を作製することができた。
(実施例5)・・・アモルファスセレン−テルル無機感
光体の作製方法 セレン(Se)に対しテルル(Te)が13重量%の割
合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりaSe−T
e ’FJ膜を真空度10−’To r r、抵抗加熱
法でITOガラス基板上に蒸着した。膜厚はIIJmと
した。さらに真空度を維持した状態で、同じく抵抗加熱
法でSeのみの蒸着を行いa −5e−Te層上に10
μm a−5e層を積層した。
光体の作製方法 セレン(Se)に対しテルル(Te)が13重量%の割
合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりaSe−T
e ’FJ膜を真空度10−’To r r、抵抗加熱
法でITOガラス基板上に蒸着した。膜厚はIIJmと
した。さらに真空度を維持した状態で、同じく抵抗加熱
法でSeのみの蒸着を行いa −5e−Te層上に10
μm a−5e層を積層した。
〔実施例6〕・・・機能分離型感光体の作製方法(電荷
発生層の形成方法) クロロジアンブルー0.4g、ジクロルエタン40gの
組成を有する混合液を250mj!容積のステンレス容
器に入れ、更にガラスピーズNo3.180m1を加え
、振動ミル(安用電機製作所KED9−4)により、約
4時間の粉砕を行い粒径〜5μmのクロロシアンブルー
を得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート、ニ
ーピロンE−2000(三菱ガス化学)を0.4g加え
約4時間攪拌する。この溶液をIn2O2−3nO□を
約1000人スパッターしたガラス基板(1mm厚)に
ドクターブレードを用いて塗布し、膜厚的1μmの電荷
発注層を得た。乾燥は室温で1日行った。
発生層の形成方法) クロロジアンブルー0.4g、ジクロルエタン40gの
組成を有する混合液を250mj!容積のステンレス容
器に入れ、更にガラスピーズNo3.180m1を加え
、振動ミル(安用電機製作所KED9−4)により、約
4時間の粉砕を行い粒径〜5μmのクロロシアンブルー
を得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート、ニ
ーピロンE−2000(三菱ガス化学)を0.4g加え
約4時間攪拌する。この溶液をIn2O2−3nO□を
約1000人スパッターしたガラス基板(1mm厚)に
ドクターブレードを用いて塗布し、膜厚的1μmの電荷
発注層を得た。乾燥は室温で1日行った。
4−ジベンジルアミノ−2−メチルベンズアルデヒド−
1,1′−ジフェニルヒドラゾン0.1g。
1,1′−ジフェニルヒドラゾン0.1g。
ポリカーボネート(ニーピロンE−2000)0. 1
g。
g。
ジクロルエタン2.0gの組成を有する混合液をドクタ
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約10I
Imの電荷輸送層を得た。乾燥は60°Cで2時間行っ
た。
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約10I
Imの電荷輸送層を得た。乾燥は60°Cで2時間行っ
た。
〔実施例7〕
(電荷発生層の形成方法)
酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(積水化学、5LE
C)0.25g、下記の構造式を有するアズレニウムC
1O,塩、 0.5g、ガラスピーズNo、133gとを混合し、タ
ッチミキサーで1日間撹拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したITO上に塗布し、60°C12時間以上乾燥さ
せた。乾燥後のMW、は1μm以下。
C)0.25g、下記の構造式を有するアズレニウムC
1O,塩、 0.5g、ガラスピーズNo、133gとを混合し、タ
ッチミキサーで1日間撹拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したITO上に塗布し、60°C12時間以上乾燥さ
せた。乾燥後のMW、は1μm以下。
(電荷輸送層の形成方法)
テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC1
91) 0.5gとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、60°C12時間以上乾燥させた。膜厚
10μm以下であった。
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC1
91) 0.5gとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、60°C12時間以上乾燥させた。膜厚
10μm以下であった。
〔実施例8〕
(電荷発生層の形成方法)
テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(積水化学
、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズNo、 1を33g、タッチミキサー
で1日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード
、またはアプリケーターでガラス板上に積層したITO
上に塗布し、60°C,2時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚1μm以下であった。
、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズNo、 1を33g、タッチミキサー
で1日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード
、またはアプリケーターでガラス板上に積層したITO
上に塗布し、60°C,2時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚1μm以下であった。
(電荷輸送層の作製方法)
ジクロロエタン9,5gに、ポリカーボネート(三菱ガ
ス化学、ニーピロンE2000)0.5g、上記ヒドラ
ゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.5gを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、6
0°C,2時間以上乾燥させた。膜厚は10I!m以上
であった。
ス化学、ニーピロンE2000)0.5g、上記ヒドラ
ゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.5gを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、6
0°C,2時間以上乾燥させた。膜厚は10I!m以上
であった。
〔実施例9〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離型
感光体の作製方法 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミド(東
亜合成化学、FS−175sV10)をスピンコーター
により0.5〜1μm塗布、60°C12時間以上乾燥
させた。
感光体の作製方法 (電荷注入防止層の形成方法) ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミド(東
亜合成化学、FS−175sV10)をスピンコーター
により0.5〜1μm塗布、60°C12時間以上乾燥
させた。
(電荷発生層の形成方法)
酢酸ブチル10gにブチラール樹脂(積木化学、5LE
C)0.25g、前記したアズレニウムClO4塩0.
5g、ガラスピーズN01133gとを混合し、タッチ
ミキサーで1日間撹拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、60°C12時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚1μm以下であった。
C)0.25g、前記したアズレニウムClO4塩0.
5g、ガラスピーズN01133gとを混合し、タッチ
ミキサーで1日間撹拌し、よく分散させものをドクター
ブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層
上に塗布し、60°C12時間以上乾燥させた。乾燥後
の被膜は、膜厚1μm以下であった。
(電荷輸送層の形成方法)
テトラヒドロフラン9.5gにポリカーボネート(三菱
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと前記した
ヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.5g
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、60゛C12時間以上乾燥させた。膜厚10μ
m以下であった。
ガス化学、ニーピロンE2000)0゜5gと前記した
ヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.5g
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、60゛C12時間以上乾燥させた。膜厚10μ
m以下であった。
[実施例10]
(電荷注入防止層の形成方法)
ガラス板上に積層したITO上に可溶性ポリアミド(東
亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコーター
により0.5〜1μm塗布、60°C12時間以上乾燥
させた。
亜合成化学、FS−175SV10)をスピンコーター
により0.5〜1μm塗布、60°C12時間以上乾燥
させた。
(電荷発生層の形成方法)
テトラヒドロフラン20gにブチラール樹脂(積木化学
、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズNo、 1を33g、タッチミキサー
で1日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード
、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布
し、60“C,2時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は
、膜厚1μm以下であった。
、5LEC)0.5g、チタニルフタロシアニン0.2
5g、4.10−ジブロモアンスアンスロン0.25g
、ガラスピーズNo、 1を33g、タッチミキサー
で1日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード
、またはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布
し、60“C,2時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は
、膜厚1μm以下であった。
(電荷輸送層の形成方法)
溶媒であるジクロロエタン9.5gに、ポリカーボネー
ト(三菱ガス化学、ニーピロンE2000)0.5g、
前記ヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.
5gを溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、60°C12時間以上乾燥させた。膜厚は10
μm以上であった。
ト(三菱ガス化学、ニーピロンE2000)0.5g、
前記ヒドラゾン誘導体(阿南香料、CTC191)0.
5gを溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、60°C12時間以上乾燥させた。膜厚は10
μm以上であった。
〔実施例11)
(感光体電極層の形成方法)
青板ガラス上に、酸化インジウム錫(ITO。
比抵抗100Ω・cm”)をスパッタリング法により蒸
着させた。
着させた。
また、EB法により同様に蒸着させることができる。
(電荷注入防止層の形成方法)
上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。
により蒸着させた。
膜厚は100〜3000人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにEB法により同様に蒸着
させることができる。
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにEB法により同様に蒸着
させることができる。
(電荷発生層の形成方法)
上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル(テルル含有
量13重量%)を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は2
μm以下である。
量13重量%)を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は2
μm以下である。
(電荷輸送層の形成方法)
上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は10μm以下である。
より蒸着させた。膜厚は10μm以下である。
〔実施例12〕・・・熱エレクトレットの作製方法ポリ
弗化ビニリデンフィルム20μm上に真空蒸着(I O
−”Torr、抵抗加熱法)によりAlを1000人蒸
着レムものを電荷保持媒体とし、機能分離型感光体の光
導電性感光体と共に静電潜像を形成する。
弗化ビニリデンフィルム20μm上に真空蒸着(I O
−”Torr、抵抗加熱法)によりAlを1000人蒸
着レムものを電荷保持媒体とし、機能分離型感光体の光
導電性感光体と共に静電潜像を形成する。
まず電荷保持媒体のA1基板側からホットプレート(3
X3cm)を接触させ、180°Cに媒体を加熱する。
X3cm)を接触させ、180°Cに媒体を加熱する。
加熱直後に感光体を電荷保持媒体に108mの空気ギャ
ップで表面同志を対向させ、置型極間に一550Vの電
圧を印加(感光体電極を負とする)し、露光させた。露
光はハロゲンランプを光源として、10ルツクスで、文
字パターン原稿を介して感光体裏面から1秒間行った。
ップで表面同志を対向させ、置型極間に一550Vの電
圧を印加(感光体電極を負とする)し、露光させた。露
光はハロゲンランプを光源として、10ルツクスで、文
字パターン原稿を介して感光体裏面から1秒間行った。
この後フィルムを自然冷却した結果、露光部(文字部)
には、−150Vの電位が測定され、未露光部には電位
が測定されなかった。この帯電パターンの形成されたフ
ィルム上に水滴を滴下し、回収した後、電位測定を行っ
た結果、前と変わらず、露光部では一150Vの電位が
測定された。
には、−150Vの電位が測定され、未露光部には電位
が測定されなかった。この帯電パターンの形成されたフ
ィルム上に水滴を滴下し、回収した後、電位測定を行っ
た結果、前と変わらず、露光部では一150Vの電位が
測定された。
一方間様の電荷保持媒体に強制的にコロナ放電で表面に
一150vの電荷を形成した後、水滴を滴下し、回収し
たところ、最初−150Vを示した露光部がO■と全く
電荷が消失した。従って加熱下での電荷形成はポリ弗化
ビニリデンの内部で分極が生じ、エレクトレット化して
いることがわかった。
一150vの電荷を形成した後、水滴を滴下し、回収し
たところ、最初−150Vを示した露光部がO■と全く
電荷が消失した。従って加熱下での電荷形成はポリ弗化
ビニリデンの内部で分極が生じ、エレクトレット化して
いることがわかった。
〔実施例13]・・・光エレクトレットの作製方法1.
1mm厚のガラス支持体上にA2を、約1000人スパ
ッタリング法により積層して基板とし、そのAf層上に
硫化亜鉛を約1. 5μmの膜厚に蒸着(10−5To
rr、抵抗加熱)させた。この硫化亜鉛層面に、ガラス
上に積層したlTO面を空気ギャップ10JIm設けて
対向させ、両電極間に+700vの電圧を印加(Aff
iff側を負にする)した状態で、ITO基板側から露
光を行った。
1mm厚のガラス支持体上にA2を、約1000人スパ
ッタリング法により積層して基板とし、そのAf層上に
硫化亜鉛を約1. 5μmの膜厚に蒸着(10−5To
rr、抵抗加熱)させた。この硫化亜鉛層面に、ガラス
上に積層したlTO面を空気ギャップ10JIm設けて
対向させ、両電極間に+700vの電圧を印加(Aff
iff側を負にする)した状態で、ITO基板側から露
光を行った。
露光は実施例11と同様にして行った。その結果露光部
には+80Vの電位が測定され、未露光部には電位が測
定されなかった。この場合も実施例11と同様な水滴実
験を行ったが、回収後の電位の変化はなく、内部に電荷
の蓄積されたエレクトレットが形成された。
には+80Vの電位が測定され、未露光部には電位が測
定されなかった。この場合も実施例11と同様な水滴実
験を行ったが、回収後の電位の変化はなく、内部に電荷
の蓄積されたエレクトレットが形成された。
〔実施例14)
実施例3の単層系有機感光体(PVK −TNF )、
実施例1(a)の電荷保持媒体、及びガラス基板を使用
し、これを電極側を外側にして重ねてカメラにセットす
る。その際に感光体lと電荷保持媒体3間に空隙を設け
るため、第13[Mに示すように10μmのポリエステ
ルフィルムをスペーサー2として露光面以外の周囲に配
置する。
実施例1(a)の電荷保持媒体、及びガラス基板を使用
し、これを電極側を外側にして重ねてカメラにセットす
る。その際に感光体lと電荷保持媒体3間に空隙を設け
るため、第13[Mに示すように10μmのポリエステ
ルフィルムをスペーサー2として露光面以外の周囲に配
置する。
感光体電極側を負、電荷保持媒体側を正にして電圧を7
00v印加し、その状態で露出f=1゜4、シャッター
スピード1760秒で光学シャッターを切るか、あるい
は露出f=1.4、シャッター開放状態で1/60秒電
圧印加を行い、屋外昼間の被写体撮影を行った。
00v印加し、その状態で露出f=1゜4、シャッター
スピード1760秒で光学シャッターを切るか、あるい
は露出f=1.4、シャッター開放状態で1/60秒電
圧印加を行い、屋外昼間の被写体撮影を行った。
露光OFF、電圧印加OFF後、電荷保持媒体を明るい
所、あるいは暗いで所で取り出し、■微小面積電位読取
り法によるCRT画像形成、■トナー現象による画像形
成を行った。
所、あるいは暗いで所で取り出し、■微小面積電位読取
り法によるCRT画像形成、■トナー現象による画像形
成を行った。
■では、100X100μmの微小面積表面電位測定プ
ローブをx−Y軸スキャニングを行い、100μm単位
の電位データを処理し、CRT上に電位−輝度変換によ
り画像形成を行った。電荷保持媒体上には最高露光部電
位200vから未露光部Ovまでのアナログ電位潜像が
形成されており、その潜像をCRT上で100μmの解
像度で顕像化することができた。
ローブをx−Y軸スキャニングを行い、100μm単位
の電位データを処理し、CRT上に電位−輝度変換によ
り画像形成を行った。電荷保持媒体上には最高露光部電
位200vから未露光部Ovまでのアナログ電位潜像が
形成されており、その潜像をCRT上で100μmの解
像度で顕像化することができた。
■では、取り出した電荷保持媒体を負に帯電した湿式ト
ナー(黒)に10秒浸漬することにより、ポジ像が得ら
れた。得られたトナー像の解像度はrumの高解像度で
あった。
ナー(黒)に10秒浸漬することにより、ポジ像が得ら
れた。得られたトナー像の解像度はrumの高解像度で
あった。
カラー画像の撮影は以下の方法で行った。
■プリズム型3面分割法
第5図に示すようにプリズムの3面上にR,G。
Bフィルターを配置し、それぞれの面に上記媒体をセッ
トし、f=1.4、シャッタ−スピード1/30秒で被
写体撮影を行った。
トし、f=1.4、シャッタ−スピード1/30秒で被
写体撮影を行った。
■カラーCRT表示法
R,G、B潜像各々を同様の方法でスキャニングして読
み取り、R,G、B潜像に対応した螢光発色をCRT上
で形成し、3色分解画像をCRT上で合成することによ
りカラー画像を得た。
み取り、R,G、B潜像に対応した螢光発色をCRT上
で形成し、3色分解画像をCRT上で合成することによ
りカラー画像を得た。
■トナー現像法
分解露光した電荷保持媒体をR,G、B潜像に対して負
に帯電したC(シアン)、M(マゼンダ)、Y(イエロ
ー)トナーで各々現像し、トナー像を形成する。トナー
が乾燥する前にシアントナー像を形成した媒体上に普通
紙を重ね、紙上に正のコロナ帯電を行い。その後、剥離
を行うと、普通紙にトナー像が転写された。さらに、同
様の方法で画像の位置を一致させて、同一箇所にマゼン
ダトナー、イエロートナーを順次転写合成すると、普通
紙上にカラー画像が形成された。
に帯電したC(シアン)、M(マゼンダ)、Y(イエロ
ー)トナーで各々現像し、トナー像を形成する。トナー
が乾燥する前にシアントナー像を形成した媒体上に普通
紙を重ね、紙上に正のコロナ帯電を行い。その後、剥離
を行うと、普通紙にトナー像が転写された。さらに、同
様の方法で画像の位置を一致させて、同一箇所にマゼン
ダトナー、イエロートナーを順次転写合成すると、普通
紙上にカラー画像が形成された。
以上のように本発明によれば、現像工程を必要とせず、
像再現においても複雑な光学的、電気的、または化学的
処理が不要であると共に、銀塩写真と同様に面状アナロ
グ記録であるので、高解像度が得られ、また明所、暗所
に関係なく長期間潜像保存を行うことができ、また機械
的なシャッタを設ける方法と、設けない方法を採用する
ことがで、設けないで露光する方法を採用した場合には
、カメラの構成を簡素化することができる。
像再現においても複雑な光学的、電気的、または化学的
処理が不要であると共に、銀塩写真と同様に面状アナロ
グ記録であるので、高解像度が得られ、また明所、暗所
に関係なく長期間潜像保存を行うことができ、また機械
的なシャッタを設ける方法と、設けない方法を採用する
ことがで、設けないで露光する方法を採用した場合には
、カメラの構成を簡素化することができる。
第1図は本発明の高解像度静電カメラの原理を説明する
ための図、第2図は光エレクトレットを用いた高解像度
静電カメラの原理を説明するための図、第3図は熱エレ
クトレットを用いた高解像度静電カメラの原理を説明す
るための図、第4図は高解像度静電カメラの概略構成を
示す図、第5図は3色分解光学系を示す図、第6図はカ
ラー撮影を行う場合の説明図、第7図は微細カラーフィ
ルタの例を示す図、第8図は微細カラーフィルタとフレ
ネルレンズを組み合わせた例を示す図、第9図、第10
図はトナー画像からビデオ信号を得る例を説明するため
の図、第11図はNDフィルタとR,G、Bフィルタの
併用による3面分割を示す図、第12図はa−3i :
H感光体の作製方法を説明するための図、第13図は
本発明の静電カメラによる撮影の実施例を説明するため
の図である。 1・・・感光体、2・・・スペーサ、3・・・電荷保持
媒体、5・・・透明支持体、7・・・透明電極、9・・
・光導電層、11・・・絶縁層、13・・・電極、15
・・・支持体、17・・・電源、21・・・撮影レンズ
、23・・・ミラー、25・・・ピントグラス、27・
・・ペンタプリズム、29・・・接眼レンズ、31・・
・ネガ像。 出 願 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
蛭 川 昌 信(外4名)第1図 (ハ) (ニ) 第6 日 甲ヂデ日− コア 図 第11図 第13図
ための図、第2図は光エレクトレットを用いた高解像度
静電カメラの原理を説明するための図、第3図は熱エレ
クトレットを用いた高解像度静電カメラの原理を説明す
るための図、第4図は高解像度静電カメラの概略構成を
示す図、第5図は3色分解光学系を示す図、第6図はカ
ラー撮影を行う場合の説明図、第7図は微細カラーフィ
ルタの例を示す図、第8図は微細カラーフィルタとフレ
ネルレンズを組み合わせた例を示す図、第9図、第10
図はトナー画像からビデオ信号を得る例を説明するため
の図、第11図はNDフィルタとR,G、Bフィルタの
併用による3面分割を示す図、第12図はa−3i :
H感光体の作製方法を説明するための図、第13図は
本発明の静電カメラによる撮影の実施例を説明するため
の図である。 1・・・感光体、2・・・スペーサ、3・・・電荷保持
媒体、5・・・透明支持体、7・・・透明電極、9・・
・光導電層、11・・・絶縁層、13・・・電極、15
・・・支持体、17・・・電源、21・・・撮影レンズ
、23・・・ミラー、25・・・ピントグラス、27・
・・ペンタプリズム、29・・・接眼レンズ、31・・
・ネガ像。 出 願 人 大日本印刷株式会社代理人 弁理士
蛭 川 昌 信(外4名)第1図 (ハ) (ニ) 第6 日 甲ヂデ日− コア 図 第11図 第13図
Claims (6)
- (1)レンズを介して入射する光学像を撮影するカメラ
において、前面に電極が設けられた光導電層からなる感
光体と、感光体に対向し、後面に電極が設けられた絶縁
層からなる電荷保持媒体とを光軸上に配置すると共に、
両電極間への電圧印加をオン、オフするためのスイッチ
を設け、スイッチをオン、オフすることにより入射光学
像に応じた静電潜像を電荷保持媒体上に形成することを
特徴とする高解像度静電カメラ。 - (2)光学シャッター、レンズを介して入射する光学像
を撮影するカメラにおいて、前面に電極が設けられた光
導電層からなる感光体と、感光体に対向し、後面に電極
が設けられた絶縁層からなる電荷保持媒体とを光軸上に
配置すると共に、両電極間へ電圧を印加し、光学シャッ
ターの開閉により入射光学像に応じた静電潜像を電荷保
持媒体上に形成することを特徴とする高解像度静電カメ
ラ。 - (3)前記感光体と電荷保持媒体とは接触、または非接
触である請求項1または2記載の高解像度静電カメラ。 - (4)前記感光体の前面にカラーフィルターを配置した
請求項1または2記載の高解像度静電カメラ。 - (5)前記電荷保持媒体は、角板状、円盤状またはフィ
ルム状である請求項1または2記載の高解像度静電カメ
ラ。 - (6)入射光学像を入射する側の電極を用いる基板は、
可視域を透過する基板である請求項1または2記載の高
解像度静電カメラ。
Priority Applications (14)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12159188A JP2716042B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 高解像度静電カメラ |
US07/352,525 US5161233A (en) | 1988-05-17 | 1989-05-16 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
KR1019890006572A KR100223697B1 (ko) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | 정보기록 재생 처리방법, 처리장치 및 기록체 |
ES89305010T ES2094728T3 (es) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Procedimiento para grabar y reproducir informacion, aparato para ejecutar el procedimiento indicado y medio para grabar. |
EP96100346A EP0714093B1 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
IL9032389A IL90323A (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Install and mediate information entry and recovery |
ES96100346T ES2143097T3 (es) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Procedimiento para grabar y reproducir informacion, aparato para el mismo, y medio de grabacion. |
DE68927280T DE68927280T2 (de) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Verfahren zur Informationsaufzeichnung und -wiedergabe, Vorrichtung dazu und Aufzeichnungsmedium |
DE68929129T DE68929129T2 (de) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Verfahren zur Informationsaufzeichnung und -wiedergabe, Vorrichtung dazu und Aufzeichnungsmedium |
CA000599963A CA1339151C (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor andrecording medium |
EP89305010A EP0342968B1 (en) | 1988-05-17 | 1989-05-17 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
US08/462,775 US5638103A (en) | 1988-02-20 | 1995-06-05 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
US08/462,595 US5983057A (en) | 1988-05-17 | 1995-06-05 | Color imaging system with selectively openable optical shutter |
US08/812,559 US6493013B2 (en) | 1988-05-17 | 1997-03-07 | Method for recording and reproducing information, apparatus therefor and recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12159188A JP2716042B2 (ja) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | 高解像度静電カメラ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH021693A true JPH021693A (ja) | 1990-01-05 |
JP2716042B2 JP2716042B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=14815040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12159188A Expired - Fee Related JP2716042B2 (ja) | 1988-02-20 | 1988-05-17 | 高解像度静電カメラ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2716042B2 (ja) |
KR (1) | KR100223697B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
US5978610A (en) * | 1995-03-14 | 1999-11-02 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Exposure control apparatus for electronic development type camera |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4917739A (ja) * | 1972-04-10 | 1974-02-16 | ||
JPS519838A (ja) * | 1974-07-16 | 1976-01-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Seidensenzokirokuhoho |
JPS62241475A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-22 | Canon Inc | 画像記録システム |
JPS62296657A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Canon Inc | 画像記録システム |
JPS631163A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-06 | Canon Inc | 画像記録再生システム |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP12159188A patent/JP2716042B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-05-17 KR KR1019890006572A patent/KR100223697B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4917739A (ja) * | 1972-04-10 | 1974-02-16 | ||
JPS519838A (ja) * | 1974-07-16 | 1976-01-26 | Tokyo Shibaura Electric Co | Seidensenzokirokuhoho |
JPS62241475A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-22 | Canon Inc | 画像記録システム |
JPS62296657A (ja) * | 1986-06-17 | 1987-12-23 | Canon Inc | 画像記録システム |
JPS631163A (ja) * | 1986-06-19 | 1988-01-06 | Canon Inc | 画像記録再生システム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5903296A (en) * | 1993-04-26 | 1999-05-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Photoelectric sensor, information recording system and information recording and reproducing method |
US5978610A (en) * | 1995-03-14 | 1999-11-02 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Exposure control apparatus for electronic development type camera |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100223697B1 (ko) | 1999-10-15 |
KR900018747A (ko) | 1990-12-22 |
JP2716042B2 (ja) | 1998-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5731116A (en) | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method | |
JPH052280A (ja) | 静電情報記録媒体及び静電情報記録再生方法 | |
US5439768A (en) | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method | |
EP0676752B1 (en) | Electrostatic information recording medium and electrostatic information recording and reproducing method | |
JP2891462B2 (ja) | 電荷保持媒体露光記録方法 | |
JPH021693A (ja) | 高解像度静電カメラ | |
JP2891461B2 (ja) | トナー画像形成方法 | |
JP2835368B2 (ja) | 画像形成方法及び画像形成装置 | |
JP2842870B2 (ja) | 静電画像記録再生方法 | |
JP2716975B2 (ja) | 音声、画像情報を記録した電荷保持媒体及びその記録、再生方法 | |
JP2667222B2 (ja) | 静電画像記録媒体 | |
JP2732855B2 (ja) | 音声情報入力機能を備えた静電カメラ | |
JP2795851B2 (ja) | 静電画像記録媒体、および電荷保持媒体 | |
JP2912429B2 (ja) | 情報記録媒体及び静電情報記録方法、静電情報記録再生方法 | |
JP3034256B2 (ja) | 高解像度静電カメラ | |
JPH01296255A (ja) | 電荷保持媒体 | |
JPH01295897A (ja) | 静電荷記録カード | |
JPH01298860A (ja) | 静電潜像読み取り入力スキャナー | |
JP2980349B2 (ja) | 静電情報記録方法 | |
JPH02176765A (ja) | 静電画像記録再生方法 | |
JP2962780B2 (ja) | 感光体及び静電情報記録方法 | |
JPH01290368A (ja) | 静電潜像画像化システム | |
JPH0256557A (ja) | 電荷保持媒体 | |
JPH01298865A (ja) | 電荷保持媒体を用いた画像処理システム | |
JPH02173756A (ja) | 静電画像記録方法、及び静電画像記録装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |