JPH01298860A - 静電潜像読み取り入力スキャナー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は画像を静電的に記録し、任意の時点で静電潜像
を静電的に読み出すことが可能な電荷保持媒体を印刷画
像処理システムの入力スキャナとして用いるようにした
静電潜像読み取り入力スキャナーに関するものである。

〔従来の技術〕

従来、原稿走査部で原稿を読み取って色修正やシャープ
ネス等の適当な画像処理を施し、フィルム上へ記録する
手段としてスキャナーが使用されている０例えば、カラ
ースキャナーの場合について説明すると、原稿走査部で
は所与のカラー原稿を光電走査して未修正の赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色分解信号を得て、これらの信
号に色修正、調子修正等の各種処理を施し、修正済みの
シアン（Ｃ）、マゼンダ（Ｍ）、黄（Ｙ）、墨（Ｂｋ）
４色分解信号を作り出す演算部がある。

そして露光記録部では、それらの信号を原稿走査に同期
してフィルムに走査露光を与えて修正済み４色分解画像
を出力として得ることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、従来のスキャナーシステムにおいては、画像
データをコンピュータに取り込めるインターフェースを
介して磁気ディスクに一旦記憶した後、この画像データ
を保存しておく必要性から一旦磁気テープに記憶させて
おき、これを読み出し、再度磁気ディスクに記憶して利
用するようになっており、磁気テープへ記録するための
時間、磁気テープから読み出す時間が非常にかかり、ま
た磁気テープの広い保管場所等が必要であるという問題
があった。また原稿を円筒状の読み取りシリンダーにセ
ントする場合のボジショニング作業が必要となり、また
原稿を所定角度回転させたい場合、正確な回転角度で読
取りシリンダにセットするのが困難であると共に、画像
データの回転をコンピュータ上で演算処理して行なうと
、データ量が膨大であるために多大な処理時間を要する
。

また、色修正、マスキング、シャープネス処理など印刷
製版に必要な処理をコンピュータの演算で行っているた
めに膨大な演算処理の可能な高性能なコンピュータが必
要となり、装置が大掛かりと八って高価格化するという
問題があった。

本発明は上記問題点を解決するためのもので、原稿の読
み取り記録のための時間を短縮すると共に、原稿のポジ
シ町ニングを自動化し、色修正、マスクキング、シャー
プネス処理等を光学的に容易に行うことができ、また、
原稿を静電潜像として記録しておくことにより原稿を再
入力する必要があるときに何度ども読み取りが可能であ
ると共に、必要な画像の色調、階調修正が何度でも可能
で、装置をコンパクト化し、安価にすることが可能な静
電層像読み取り入力スキャナーを提供することを目的と
する。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の電荷保持媒体による記録方法を説明す
るための図で、図中、１は感光体、３は電荷保持媒体、
５は光導電層支持体、７は感光体電極、９は光導電層、
１１は絶縁層、１３は電荷保持媒体電極、１５は絶縁層
支持体、１７は電源である。

第１図においては、感光体１側から露光を行う態様であ
り、まず１■厚のガラスからなる光導電層支持体５上に
１０００人厚のＡ２Ｏからなる透明な感光体電極７を形
成し、この上に１０μｍ程度の光導電層９を形成して感
光体１を構成している。この感光体ｌに対して、１０ｐ
ｎ程度の空隙を介して電荷保持媒体３が配置される。電
荷保持媒体３は１龍厚のガラスからなる絶縁層支持体１
５上に１０００人厚のＡ２電極１３を蒸着により形成し
、この電極１３上に１０ｐｍ厚の絶縁層１１を形成した
ものである。

先ず、第１図（イ）に示すように感光体ｌに対して、ｌ
Ｏμｍ程度の空隙を介して電荷保持媒体３をセットし、
第１図（ロ）に示すように電源１７により電極７．１３
間に電圧を印加する。暗所であれば光導電層９は高抵抗
体であるため、電極間には何の変化も生じない、感光体
ｌ側より光が入射すると、光が入射した部分の光導電層
９は導電性を示し、絶縁層１１との間に放電が生じ、絶
縁層１１に電荷が蓄積される。

露光が終了したら、第１図（ハ）に示すように電圧をＯ
ＦＦにし、次いで、第１図（ニ）に示すように電荷保持
媒体３を取り出すことにより静電潜像の形成が終了する
。

なお、感光体１と電荷保持媒体３とは上記のように非接
触でなく接触式でもよく、接触式の場合には、感光体電
極７側から光導電層９の露光部に正または負の電荷が注
入され、この電荷は電荷保持媒体３側の電極１３に引か
れて光導電層９を通過し、絶縁層１１面に達した所で電
荷移動が停止し、その部位に注入電荷が蓄積される。そ
して、感光体ｌと電荷保持媒体３とを分離すると、絶縁
層１１は電荷を蓄積したままの状態で分離される。

この記録方法は面状アナログ記録とした場合、銀塩写真
法と同様に高解像度が得られ、また形成される絶縁ｉｌ
ｌ上の表面電荷は空気環境に曝されるが、空気は良好な
絶縁性能を持っているので、明所、暗所に関係なく放電
せず長期間保存される。

この絶縁［１１上の電荷保存期間は、絶縁体の性質によ
って定まり、空気の絶縁性以外に絶縁体の電荷捕捉特性
が影響する。前述の説明では電荷は表面電荷として説明
しているが、注入電荷は単に表面に蓄積させる場合もあ
り、また微視的には絶縁体表面付近内部に侵入し、その
物質の構造内に電子またはホールがトラップされる場合
もあるので長期間の保存が行われる。また電荷保持媒体
の物理的損傷や湿度が高い場合の放電等を防ぐために絶
縁層１１の表面を絶縁性フィルム等で覆って保存するよ
うにしてもよい。

以下、本願発明に用いられる感光体、および電荷保持媒
体の構成材料について説明する。

光導電層支持体５としては、感光体を支持することがで
きるある程度の強度を有していれば、その材質、厚みは
特に制限がなく、例えば可撓性のあるプラスチックフィ
ルム、金属箔、紙、或いは硝子、プラスチックシート、
金属板（電極を兼ねることもできる）等の剛体が使用さ
れる。但し、感光体側から光を入射して情報を記録する
装置に用いられる場合には、当然その光を透過させる特
性が必要となり、例えば自然光を入射光とし、感光体側
から入射するカメラに用いられる場合には、厚み１ｍｍ
程度の透明なガラス板、或いはプラスチックのフィルム
、シートが使用される。

感光体電極７は、光導電層支持体５に金属のものが使用
される場合を除いて光導電層支持体５に形成され、その
材質は比抵抗値が１０’Ω・Ｃ−以下であれば限定され
なく、無機金属導電膜、無機金属酸化物導電膜等である
。このような感光体電極７は、光導電層支持体５上に、
蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング、メツキ
、ディッピング、電解重合等により形成される。またそ
の厚みは、感光体電極７を構成する材質の電気特性、お
よび情報の記録の際の印加電圧により変化させる必要が
あるが、例えばアルミニウムであれば、１００〜３００
０人程度である。この感光体電極７も先導Ｔｉ層支持体
５と同様に、情報光を入射させる必要がある場合には、
上述した光学特性が要求され、例えば情報光が可視光（
４００〜７００ｎｍ）であれば、Ｉ　Ｔ　Ｏ（Ｉｒ＋、
０ｌ−５ｎＯ１）　、Ｓ　ｎ　Ｏｔ等をスパッタリング
、蒸着、またはそれらの微粉末をバインダーと共にイン
キ化してコーティングしたような透明電極や、Ａｕ、Ａ
Ｉ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒ等を蒸着、またはスパッタリング
で作製する半透明電極、テトラシアノキノジメタン（Ｔ
ＣＮＱ）、ポリアセチレン等のコーティングによるを機
透明電極等が使用される。

また情報光が赤外（７００ｎｍ以上）光の場合も上記電
極材料が使用できるが、場合によっては可視光をカット
するために、着色された可視光吸収電極も使用できる。

更に、情報光が紫外（４００ｎｍ以下）光の場合も、上
記電極材料を基本的には使用できるが、電極基板材料が
紫外光を吸収するもの（有機高分子材料、ソーダガラス
等）は好ましくなく、石英ガラスのような紫外光を透過
する材料が好ましい。

光導電Ｎ９は、光が照射されると照射部分で光キャリア
（電子、正孔）が発生し、それらのキャリアが層幅を移
動することができる導電性層であり、特に電界が存在す
る場合にその効果が顕著である層である。材料は無機光
導電材料、有機光導電材料、有機無機複合型光導電材料
等で構成され以下、これら光導電材料、および光導電層
の形成方法について説明する。

（Ａ）無機感光体（光導電体） 無機感光体材料としてはアモルファスシリコン、アモル
ファスセレン、硫化カドミウム、酸化亜鉛等がある。

（イ）アモルファスシリコン感光体 アモルファスシリコン感光体としては ■水素化アモルフテスシリコン（ａ　−５ｉ　：　Ｈ）
■フッ素化アモルファスシリコン（ａ−５ｉ：Ｆ）・こ
れらに対して不純物をドーピングしないもの、 ・Ｂ、Ａｌ５Ｇａ、Ｉｎ、ＴＩ等をドーピングによりＰ
型（ホール輸送型）にしたもの、・ＰＸＡｇ、Ｓｂ、Ｂ
　ｉ等をドーピングによりＮ型（電子輸送型）にしたも
の、 がある。

感光体層の形成方法としては、シランガス、不純物ガス
を水素ガスなどと共に低真空中に導入し（１０４〜Ｉ　
Ｔｏｒｒ）　、グロー放電により加熱、或いは加熱しな
い電極基板上に堆積して成膜するか、単に加熱した′ｒ
Ｈ，極基板上に熱化学的に反応形成するか、或いは固体
原料を蒸着、スパッター法により成膜し、単層、或いは
積層で使用する。膜厚は１〜５０μｍである。

また、透明電極７から電荷が注入され、露光してないの
にもかかわらず恰も露光したような帯電を防止するため
に、感光体電極７の表面に電荷注入防止層を設けること
ができる。この電荷注入防止層として、電極基板上と感
光体最上層（表面Ｎ）の一方或いは両方に、グロー放電
、蒸着、スパッター法等によりａ−３ｉＮ層、ａ−５ｉ
Ｃ層、５ｉｆｔ層、Ａｆｆｉ！０３層等の絶縁層を設け
るとよい。この絶縁層を余り厚＜シすぎると露光したと
き電流が流れないので、少なくとも１０００Å以下とす
る必要があり、作製し易さ等を考慮すると４００〜５０
０人程度が望ましい。

また、電荷注入防止層として、整流効果を利用して電極
基板上に電極基板における極性と逆極性の電荷輸送能を
有する電荷輸送層を設けるとよく、電ｌｔがマイナスの
場合はホール輸送層、電極がプラスの場合は電子輸送層
を設ける。例えば、Ｓｉにボロンをドープしたａ−３ｉ
　：　Ｈ（ｎ”　）は、ホールの輸送特性が上がって整
流効果が得られ、電荷注入防止層として機能する。

（ロ）アモルファスセレン感光体 アモルファスセレン感光体としては、 ■アモルファスセレン（ａ−３ｅ） ■アモルファスセレンテルル（ａ　−３ｓ−Ｔｅ）■ア
モルファスひ素セレン化合物（ａ　−ＡＳ！５Ｏ３）■
アモルファスひ素セレン化合物＋　Ｔ　ｅがある。

この感光体は蒸着、スパッター法により作製し、また電
荷注入阻止層として５ｉＯ１Ａ　ｌｘ’ｓ　、５ｉＣ１
ＳｉＮ層を蒸着、スパッター、グロー放電法等により電
極基板上に設けられる。また上記■〜■を組み合わせ、
積層型感光体としてもよい。感光体層の膜厚はアモルフ
ァスシリコン感光体と同様である。

（ハ）硫化カドミウム（ＣｄＳ） この感光体は、コーティング、蒸着、スパッタリング法
により作製する。蒸着の場合はＣｄＳの固体粒をタング
ステンボードにのせ、抵抗加熱により蒸着するか、ＥＢ
（エレクトロンビーム）蒸着により行う。またスバ・ツ
タリングの場合はＣｄＳターゲットを用いてアルゴンプ
ラズマ中で基板上に堆積させる。この場合、通常はアモ
ルファス状態でＣｄＳが堆積されるが、スパッタリング
条件を選択することにより結晶性の配向膜（膜厚方向に
配向）を得ることもできる。コーティングの場合は、Ｃ
ｄＳ粒子（粒径１〜ｌＯＯμｍ）をバインダー中に分散
させ、溶媒を添加して基板上にコーティングするとよい
、。

（ニ）酸化亜鉛（Ｚｎ　Ｏ） この感光体はコーティング法、或いはＣＶＤ法で作製さ
れる。コーティング法としては、ＺｎＳ粒子（粒径１〜
１００μｍ）をバインダー中に分ｎｔさせ、溶媒を添加
して基板上にコーティングを行って得られる。またＣＶ
Ｄ法としては、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛等の有機金
属と酸素ガスを低真空中（１０−”〜Ｉ　Ｔａｒｔ）で
混合し、加熱した電極基板（１５０〜４００°Ｃ）上で
化学反応させ、酸化亜鉛膜として堆積させる。この場合
も膜厚方向に配向した膜が得られる。

（Ｂ）有機感光体 有機感光体としては、単層系感光体、機能分離型感光体
とがある。

（イ）単層系感光体 単層系感光体は電荷発生物質と電荷輸送物質の混合物か
らなっている。

く電荷発生物質系〉 光を吸収して電荷を生じ易い物質であり、例えば、アゾ
系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料、フタロシ
アニン系顔料、ペリレン系顔料、ピリリウム染料系、シ
アニン染料系、メチン染料系が使用される。

〈電荷輸送物質系〉 電離した電荷の輸送特性がよい物質であり、例えばヒド
ラゾン系、ピラゾリン系、ポリビニルカルバゾール系、
カルバゾール系、スチルヘン系、アントラセン系、ナフ
タレン系、トリジフェニルメタン系、アジン系、アミン
系、芳香族アミン系等がある。

また、電荷発生系物質と電荷輸送系物質により錯体を形
成させ、電荷移動錯体としてもよい。

通常、感光体は電荷発生物質の光吸収特性で決まる感光
特性を有するが、電荷発生物質と電荷輸送物質とを混ぜ
て錯体をつくると、光吸収特性が変わり、例えばポリビ
ニルカルバゾール（ＰＶＫ）は紫外域でしか感ぜず、ト
リニトロフルオレノン（ＴＮＦ）は４００　ｎｍ波長近
傍しか感じないが、ＰＶＫ−ＴＮＦ錯体は６５０ｎｍ波
長域まで感じるようになる。

このような単層系感光体の膜厚は、１０〜５０μｍが好
ましい。

（ロ）機能分離型感光体 電荷発生物質は光を吸収し易いが、電荷をトラップする
性質があり、電荷輸送物質は電荷の輸送特性はよいが、
光吸収特性はよくない、そのため両者を分離し、それぞ
れの特性を十分に発揮させようとするものであり、電荷
発生層と電荷輸送層を積層したタイプである。

く電荷発生層） 電荷発生層を形成する物質としては、例えばアゾ系、ジ
スアゾ系、トリスアゾ系、フタロシアニン系、酸性ザン
セン染料系、シアニン系、スチリル色素系、ピリリウム
色素系、ペリレン系、メチン系、ａ−３ｅ　、　ａ−５
ｉ　、アズレニウム塩系、スクアリウム塩基等がある。

〈電荷輸送層〉 電荷輸送層を形成する物質としては、例えばヒドラゾン
系、ピラゾリン系、ＰＶＫ系、カルバゾール系、オキサ
ゾール系、トリアゾール系、芳香族アミン系、アミン系
、トリフェニルメタン系、多環芳香族化合物系等がある
。

機能分離型感光体の作製方法としては、まず電荷発生物
質を溶剤に溶かして、電極上に塗布し、次に電荷輸送層
を溶剤に溶かして電荷輸送層に塗布し、電荷発生層を０
．１〜１０μｍ、電荷輸送層を１０〜５０μｍの膜厚と
するとよい。

なお、単層系感光体、機能分離型感光体の何れの場合に
も、バインダーとしてシリコーン樹脂、スチレン−ブタ
ジェン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽
和又は不飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリビニルアセクール樹脂、フェノール樹脂、ポリメ
チルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂、メラミン樹脂
、ポリイミド樹脂等を電荷発生材料と電荷輸送材料名１
部に対し、０．１〜１０部添加して付着し易いようにす
る。コーティング法としては、ディッピング法、蒸着法
、スパッター法等を使用することができる。

次ぎに、電荷注入防止層について詳述する。

電荷注入防止層は、光導電層９の両表面の少なくとも一
方か、両方の面に、光導電Ｎ９の電圧印加時の暗電流（
電極からの電荷注入）、すなわち露光していないにもか
かわらず恰も露光したように感光層中を電荷が移動する
現象を防止するために設けることができるものである。

この電荷注入防止層は、いわゆるトンネリング効果を利
用した層と整流効果を利用した層との二種類のものがあ
る。まず、いわゆるトンネリング効果を利用したものは
、電圧印加のみではこの電荷注入防止層により、光導電
層、あるいは絶縁層表面まで電流が流れないが、光を入
射した場合には、入射部分に相当する電荷注入防止層に
は光導電層で発生した電荷の一方（電子、またはホール
）が存在するため高電界が加わり、トンネル効果を起こ
して、電荷注入防止層を通過して電流が流れるものであ
る。このような電荷注入防止層は無機絶縁性膜、有機絶
縁性高分子膜、絶縁性単分子膜等の単層、あるいはこれ
らを積層して形成され、無機絶縁性膜としては、例えば
Ａｓ５ｅｓ　、　Ｂｉａｓ、ＢｉｚＯｉ　、ＣｄＳ　ｓ
　ＣａＯ、Ｃｅｎｔ、Ｃｒａｂｓ　、ＣｏＯ、Ｇｅ０１
、ＨｆＯ，、Ｆｅａｒｓ　、Ｌａｔ０３　、ＭｇＯ％　
Ｍｎ０１、Ｎｄ１Ｏｚ　、ＮｂｚＯｓ　、ＰｂＯ，５ｂ
ｚＯｓ　、Ｓｉｎｇ、　５ｅＯｘ、ＴａｚＯＳｓ　Ｔｉ
０ｚ、ＷＯ２、Ｖ！０５Ｓ’ｌｘ’ｓ、ＹｇＯｓ、Ｚｒ
Ｏ２、ＢａＴｉ０ｚ、Ａ１．Ｏ。

、旧ｚＴｉＯｓ　５ＣａＯ−３ｒＯ、Ｃａ０−Ｙ、Ｏ，
、Ｃｒ−５ｉＯ１ＬｉＴａ０３、　ＰｂＴｉＯｓ、　Ｐ
ｂＺｒＯ３、Ｚｒ０ｚ−Ｃｏ　　、、　ＺｒＯ２−３ｉ
０２　　、　八１Ｎ　　、ＢＮ、ＮｂＮ　　、５ｉｓＬ
　　、ＴａＮ　　Ｓ　ＴｉＮ　　、ＶＮ、ＺｒＮ　　。

ＳｉＣ、Ｔｉｃ　、札、Ａ１．Ｃ，等をグロー放電、蒸
着、スパッタリング等により形成される。尚、この層の
膜厚は電荷の注入を防止する絶縁性と、トンネル効果の
点を考慮して使用される材質ごとに決められる０次ぎに
整流効果を利用した電荷注入防止層は、整流効果を利用
して電極基板の極性と逆極性の電荷輸送能を有する電荷
輸送層を設ける。即ち、このような電荷注入防止層は無
機光導電層、有機光導電層、有機無機複合型光導１ｔＮ
で形成され、その膜厚は０．１〜１０μｍ程度である。

具体的には、電極がマイナスの場合はＢ、Ａ１．、Ｇａ
、Ｉｎ等をドープしたアモルファスシリコン光導電層、
アモルファスセレン、またはオキサジアゾール、ピラゾ
リン、ポリビニルカルバゾール、スチルベン、アントラ
セン、ナフタレン、トリジフェニルメタン、トリフェニ
ルメタン、アジン、アミン、芳香族アミン等を樹脂中に
分散して形成した有機光導電層、電極がプラスの場合は
、Ｐ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ　ｉ等をドープしたアモルフ
ァスシリコン光導電層、ＺｎＯ光導電層等をグロー放電
、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、コーティング等の方
法により形成される。

次ぎに、電荷保持媒体材料、および電荷保持媒体の作製
方法について説明する。

電荷保持媒体３は感光体１と共に用いられて、電荷保持
媒体３を構成する絶縁層１１の表面、もしくはその内部
に情報を静電荷の分布として記録するものであるから、
電荷保持媒体自体が記録媒体として使用されるものであ
る。従って記録される情報、あるいは記録の方法により
この電荷保持媒体の形状は種々の形状をとることができ
る。例えば静電カメラ（同一出願人による同日出願）に
用いられる場合には、一般のフィルム（単コマ、連続コ
マ用）形状、あるいはディスク状となり、レーザー等に
よりデジタル情報、またはアナログ情報を記録する場合
には、テープ形状、ディスク形状、或いはは−ド形状と
なる。

絶縁層支持体１５は、上記のような電荷保持媒体３を強
度的に支持するものであるが、基本的には光導電層支持
体５と同様な材質で構成され、光透過性も同様に要求さ
れる場合がある。具体的には、電荷保持媒体３がフレキ
シブルなフィルム、テープ、ディスク形状をとる場合に
は、フレキシブル性のあるプラスチックフィルムが使用
され、強度が要求される場合には剛性のあるシート、ガ
ラス等の無機材料等が使用される。

電荷保持媒体電極１３は、基本的には感光体電極７と同
じでよく、上述した感光体電極７と同様の形成方法によ
って、絶縁層支持体１５上に形成される。

絶縁層１１は、その表面、もしくはその内部に情報を静
電荷の分布として記録するものであるから、電荷の移動
を抑えるため高絶縁性が必要であり、比抵抗でＩＱＩ４
Ω・ｃｍ以上の絶縁性を有することが要求される。この
ような絶縁Ｎ１１は、樹脂、ゴム類を溶剤に溶解させ、
コーティング、ディッピングするか、または蒸着、スパ
ッタリング法により層形成させることができる。

ここで、上記樹脂、ゴムとしては、例えばポリエチレン
、ポリプロピレン、ビニル樹脂、スチロール樹脂、アク
リル樹脂、ナイロン６６、ナイロン６、ポリカーボネー
トアセタールホモポリマー、弗素樹脂、セルロース樹脂
、フェノール樹脂。

ユリア樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂。

可撓性エポキシ樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂、フ
ェノオキシ樹脂、芳香族ポリイミド、ＰＰＯ，ポリスル
ホン等、またポリイソプレン、ポリブタジェン、ポリク
ロロプレン、イソブチレン。

極高ニトリル、ポリアクリルゴム、クロロスルホン化ポ
リエチレン、エチレン・プロピレンラバー。

弗素ゴム、シリコンラバー、多硫化系合成ゴム。

ウレタンゴム等のゴムの単体、あるいは混合物が使用さ
れる。

またシリコンフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイ
ミドフィルム、含弗素フィルム、ポリエチレンフィルム
、ポリプロピレンフィルム、ポリパラバン酸フィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム等を電
荷保持媒体電極１３上に接着剤等を介して貼着すること
により層形成させるか、あるいは熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ゴム等
に必要な硬化剤、溶剤等を添加してコーティング、ディ
ッピングすることにより層形成してもよい。

また絶縁ｔｉｌｌとして、ラングミュア−・プロシェド
法により形成される単分子膜、または単分子累積膜も使
用することができる。

またこれら絶縁層１１には、電極面との間、または絶縁
Ｆｉｌｌ上に電荷保持強化層を設けることができる。電
荷保持強化層とは、強電界（１０４Ｖ　／　ｃ　ｍ以上
）が印加された時には電荷が注入するが、低電界（１０
’Ｖ／ｃｍ以下）では電荷が注入しない層のことをいう
、電荷保持強化層としては、例えばＳｔＯ，、Ａ１ｇ０
３　、ＳｉＣ、ＳｉＮ等が使用でき、有機系物質として
は例えばポリエチレン蒸着膜、ポリバラキシレン蒸着膜
が使用できる。

また静電荷をより安定に保持させるために、絶縁層１１
に、電子供与性を有する物質（ドナー材料）、あるいは
電子受容性を有する物１ｔ（アクセプター材料）を添加
するとよい。ドナー材料としてはスチレン系、ピレン系
、ナフタレン系、アントラセン系、ピリジン系、アジン
系化合物があり、具体的にはテトラチオフルバレン（Ｔ
ＴＦ）、ポリビニルピリジン、ポリビニルナフタレン、
ポリビニルアントラセン、ボリアジン、ポリビニルピレ
ン、ポリスチレン等が使用され、一種、または混合して
用いられる。またアクセプター材料としてはハロゲン化
合物、シアン化合物、ニトロ化合物等があり、具体的に
はテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ））リニトロフ
ルオレノン（ＴＮＦ）等が使用され、一種、または混合
して使用される。ドナー材料、アクセプター材料は、樹
脂等に対して０．００１〜１０％程度添加して使用され
る。

さらに電荷を安定に保持させるために、電荷保持媒体中
に元素単体微粒子を添加することができる。元素単体と
しては周期律表第１Ａ族（アルカリ金［）、同ＩＢ族（
ｗ４族）、同１１Ａ族（アルカリ土類金Ｗ１．）、同Ｉ
ＩＢ族（亜鉛族）、同ｍＡ族（アルミニウム族）、同１
［［Ｂ族（希土類）、同■Ｂ族（チタン族）、同ＶＢ族
（バナジウム族）、同ＶＩＢ族（クロム族）、同■Ｂ族
（マンガン族）、同■族（鉄族、白金族）、また同ＩＶ
Ａ族（炭素族）としては珪素、ゲルマニウム、錫、鉛、
同ＶＡ族（窒素族）としてはアンチモン、ビスマス、同
ＶＩＡ族（Ｍ素族）としては硫黄、セレン、テルルが微
細粉状で使用される。また上記元素単体のうち金属類は
金属イオン、微細粉状の合金、有機金属、錯体の形態と
しても使用することができる。

更に上記元素単体は酸化物、燐酸化物、硫酸化物、ハロ
ゲン化物の形態で使用することができる。これらの添加
物は、上述した樹脂、ゴム等の電荷保持媒体にごく僅か
添加すればよく、添加量は電荷保持媒体に対して０．０
１〜１０重量％程度でよい、また絶縁層１１は、絶縁性
の点からは少なくても１０００人（０，１μｍ）以上の
厚みが必要であり、フレキシビル性の点からは１００μ
ｍ以下が好ましい。

このようにして形成される絶縁層１１は、破損、または
その表面の情報電荷の放電を防止するために、その表面
に保護膜を設けることができる。保護膜としては粘着性
を有するシリコンゴム等のゴム類、ポリテルペン樹脂等
の樹脂類をフィルム状にし、絶縁層１１の表面に貼着す
るか、またプラスチックフィルムをシリコンオイル等の
密着剤を使用して貼着するとよく、比抵抗１０Ｉ４Ω・
ｃｍ以上のものであればよく、膜厚は０．５〜３０μｍ
程度であり、絶縁層１１の情報を高解像度とする必要が
ある場合には保護膜は薄い程よい、この保護層は、情報
再生時には保ｉ膜上から情報を再生してもよく、また保
護膜を剥離して絶縁層の情報を再生することもできる。

静電荷保持の方法としては、前述したような表面電荷を
蓄積するいわゆる自由電荷保持方法以外に絶縁媒体内部
に電荷の分布、分極を生じさせるニレクレットがある。

第２図は光エレクトレットを用いた静電荷保持方法を示
す図で、第１図と同一番号は同一内容を示している。な
お、図中、１９は透明電極である。

第２図（イ）に示すようにフィルム等の支持体１５上に
電極１３を形成し、電極板上にＺｎＳ。

ＣｄＳ、ＺｎＯを、蒸着スパッター、ＣＶＤ、コーティ
ング法等で１層１〜５μｍ形成する。そしてこの感光層
表面に透明電極１９を接触あるいは非接触で重ね、電圧
印加状態で露光すると（第２図（ロ））、露光部で光に
よって電荷が発生し、電場によって分極し、電荷は電場
を取り去ってもその位置にトラップされる（第２図（ハ
））、こうして、露光量に応じたエレクトレットが得ら
れる。なお、第２図の電荷保持媒体の場合は別体の感光
体を必要としない利点がある。

第３図は熱ニレクレットを用いた静電荷保持方法を示す
図で、第１図と同一番号は同一内容である。

熱エレクトレツト材料としては、例えばポリ弗化ビニ’
）デフ　（ＰＶＤＦ）、ポリ（ＶＤＦ／三フッ化エチレ
ン）、ポリ（ＶＤＦ／四フッ化エチレン）、ポリフッ化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン。

ポリアクリロニトリル、ポリ−α−クロロアクリロニト
リル、ポリ（アクリロニトリル／塩化ビニル）、ポリア
ミド１１．ポリアミド３．ポリ−ｍ−フェニレンイソフ
タルアミド、ポリカーボネートポリ（ビニリデンシアナ
イド酢酸ビニル）。

ＰＶＤＦ／ＰＺＴ複合体等からなり、これを電極基板１
３上に１〜５０μｍ単層で設けるかあるいは２種類以上
のものを積層する。

そして露光前に抵抗加熱等で上記媒体材料のガラス転移
以上に媒体を加熱しておき、その状態で電圧印加露光を
行う（第３図（ロ））、高温ではイオンの移動度が大き
くなっており、露光部では絶縁層に高電界が加わり、熱
的に活性化されたイオンの内、負電荷は正電極に、正電
荷は負電極に集まって空間電荷を形成し、分極を生じる
。その後、媒体を冷却すると、発生した電荷は電場を取
り去ってもその位置にトラップされ露光量に応じたエレ
クトレフトを生じる（第３図（ハ））。

次ぎに、絶縁層１１に情報を入力する方法の例として、
高解像度静電カメラによる方法、レーザーによる記録方
法について説明する。

まず高解像度静電カメラによる方法は、通常のカメラに
使用されている写真フィルムの代わりに、前面に感光体
電極７を設けた光導電層９からなる感光体１と、感光体
１に対向し、後面に電荷保持媒体電極１３を設けた絶縁
層１１からなる電荷保持媒体とにより記録部材を構成し
、画電極へ電圧を印加し、入射光に応じて光導電層を導
電性として入射光量に応じて絶縁層上に電荷を蓄積させ
ることにより入射光学像の静電潜像を電荷蓄積媒体上に
形成するもので、機械的なシャッタも使用しうるし、ま
た電気的なシャッタも使用しうるちのであり、また静電
潜像は明所、暗所に関係なく長期間保持することが可能
である。またプリズムにより光情報を、Ｒ，Ｇ、Ｂ光成
分に分離し、平行光として取り出すカラーフィルターを
使用し、ＲｌＧ、Ｂ分解した電荷保持媒体３セツトで１
コマを形成するか、または１平面上にＲ，Ｇ、、Ｂ像を
並べて１セツトで１コマとすることにより、カラー撮影
することもできる。

またレーザーによる記録方法としては、光源としてはア
ルゴンレーザー（５１４，４８８ｎｍ）、ヘリウム−ネ
オンレーザ−（６３３ｎｍ）、半導体レーザー（７８０
ｎｍ、８１０ｎｍ等）が使用でき、感光体と電荷保持媒
体を面状で表面同志を、密着させるか、一定の間隔をお
いて対向させ、電圧印加する。この場合感光体のキャリ
アの極性と同じ極性に感光体電極をセットするとよい、
この状態で画像信号、文字信号、コード信号、線画信号
に対応したレーザー露光をスキャニングにより行うもの
である０画像のようなアナログ的な記録は、レーザーの
光強度を変調して行い、文字、コード、線画のようなデ
ジタル的な記録は、レーザー光の０Ｎ−ＯＦＦ＠御によ
り行う、また画像において網点形成されるものには、レ
ーザー光にドツトジェネレーター０Ｎ−ＯＦＦ制御をか
けて形成するものである。尚、感光体における先導７４
層の分光特性は、パンクロマティックである必要はなく
、レーザー光源の波長に感度を有していればよい。

第４図は本発明の静電潜像読み取り入力スキャナーを用
いたシステムの全体構成を示す図で、図中、３は電荷保
持媒体、１０１は読取りヘッド、１０２はＡ／Ｄ変換器
、１０３はコンピュータ、１０５は磁気ディスク、１０
６は磁気テープ（ＭＴ）、１０Ｂはプリンタ、１０９は
記録ヘッド、１１０は記録シリンダ、１１１はフィルム
である。

図において、電荷保持媒体３には所定の原稿が記録され
ている。そして読取りヘッド１０１をこの電荷保持媒体
３の表面を走査して後述するような方法で電位読取りを
行い、Ａ／Ｄ変換してコンピュータ１０３に読み込む、
この場合、画像データは膨大になり、多くの画像情報を
読み込むためには磁気ディスク１０５に格納する。Ｖａ
気ディスク１０５に格納された画像データは必要な処理
を施した後、再処理を考慮して、通常−旦ＭＴＩＯ６に
記憶させることも可能である。そして、再度処理の必要
性が生じたときにＭＴｉＯ３より前記画像データを読み
出し、図示しないモニタで観察しながら色修正、倍率変
換、マスキング、デイテール強調等所定の画像処理を加
えて記録へラド１０９を通して記録シリンダ１１０にセ
ットしたフィルム１１１に露光記録することもできる。

なお、画像データは必要に応じてプリンタ１０８により
プリントアウトし、校正用プリントとして利用すること
ができる。

この場合、入力スキャナーを構成する電荷保持媒体３は
フラットベットタイプであるので、読取りシリンダ等を
必要とせず、構成をコンパクトにできると共に、原稿の
セット等面倒な操作が軽減される。また、電荷保持媒体
３には面露光によりアナログ情報が記録されており、こ
のままＭＴの代用としておけば、ＭＴへの記録、読みだ
しに要する時間を省略することができる。

第５図は本発明の電荷保持媒体をスキャナーシステムに
組み込んだ全体構成を示す図で、第４図と同一番号は同
一内容を示している。なお、１２０は読取りシリンダ、
１２１は読取りヘッド、１２２は原稿、１３１はレーザ
ー、１３２はＤ／Ａ変換器、１３３は光変調器、１３４
はポリゴンミラーである。

第５図に示すシステムにおいては、原稿読取り、露光記
録は従来のスキャナーと同じであるが、読み込んだ画像
データを一旦記録しておくＭＴの代わりに電荷保持媒体
を使用している。即ち、コンピュータ１０３に読み込ん
だ画像データをＤ／Ａ変換器でアナログ情報に変換し、
この信号でレーザー１３１からのレーザー光を変調し、
ポリゴンミラー１３４で線状感光体１を照射することに
より電荷保持媒体３に順次記録する。こうして、記録し
た情報は、必要に応じて任意の時に第４図の場合と同様
に電位読取りヘッド１０１で読みだしてＡ／Ｄ変換し、
コンピュータに取り込み、必要に応じ画像処理して記録
ヘッド１０９を通してフィルム１１１へ露光記録する。

このシステムによれば電荷保持媒体を画像データの記憶
媒体として用いているため、装置のコンパクト化、読取
り、記録に要する時間を短縮できると共に、情報の一時
的または永久保存も可能である。

なお、上記説明では光学変調器とポリゴンミラーとの組
み合わせにより光を変調して走査露光するようにしたが
、この他にも、例えばフライングスポットスキャナー（
ＦＳＳ）等のようにＣＲＴと偏向手段の組み合わせによ
り電子ビームを走査し、ブラウン管面の輝点からの光に
より感光体を通して走査露光するようにしてもよく、ま
た管面部に針電極群を有する一種のＣＲＴの管面に近接
して電荷保持媒体を対向配置し、走査電子ビームが当た
った針電極を通して電荷保持媒体に直接放電記録するよ
うにしてもよい。

次に第６図、第７図によりカラー画像情報を記録する方
法について説明する。

第６図においては、光源１４１、または１４２で原ｖＳ
１４３を照射し、その反射光または透過光をカラーフィ
ルタ１４５を介して感光体１に面露光して電荷保持媒体
３る記録する。カラーフィルタ１４５はＲ，Ｇ、Ｂの３
つの要素からなっており、これを水平方向に移動させて
Ｒ，Ｇ、Ｂを選択し、電荷保持媒体３枚１組で１つの画
像情報の記録が完了する。

第７図においてはカラーフィルタ１４６を回転型とし、
これの回転によりＲ，Ｇ、Ｂを選択する以外は第６Ｕｊ
Ｊの場合と同様である。

以下、像電位読取り方法について説明する。

第８図は本発明における電位読み取り方法の例を示す図
で、第１図と同一番号は同一内容を示している。なお、
図中、２１は電位読み取り部、２３は検出電極、２５は
ガード電極、２７はコンデンサ、２９は電圧計である。

電位読み取り部２１を電荷保持媒体３の電荷蓄積面に対
向させると、検出電極２３に電荷保持媒体３の絶縁層１
１上に蓄積された電荷によって生じる電界が作用し、検
出電極面上に電荷保持媒体上の電荷と等量の誘導電荷が
生ずる。この誘導電荷と逆極性の等量の電荷でコンデン
サ２７が充電されるので、コンデンサの電極間に蓄積電
荷に応じた電位差が生じ、この値を電圧計２９で読むこ
とによって電荷保持体の電位を求めることができる。そ
して、電位読み取り部２１で電荷保持媒体面上を走査す
ることにより静電潜像を電気信号として出力することが
できる。なお、検出電極２３だけでは電荷保持媒体の検
出電極対向部位よりも広い範囲の電荷による電界（電気
力線）が作用して分解能が落ちるので、検出電極の周囲
に接地したガード電極２５を配置するようにしてもよい
。

これによって、電気力線は面に対して垂直方向を向くよ
うになるので、検出電極２３に対向した部位のみの電気
力線が作用するようになり、検出電極面積に略等しい部
位の電位を読み取ることができる。電位読み取りの精度
、分解能は検出電極、ガード電極の形状、大きさ、及び
電荷保持媒体との間隔によって大きく変わるため、要求
される性能に合わせて最適条件を求めて設計する必要が
ある。

第９図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、検出電
極、ガード電極を絶縁性保護膜３１上に設け、絶縁性保
護膜を介して電位を検出する点板外は第８図の場合と同
様である。

この方法によれば、電荷保持媒体に接触させて検出でき
るため検出電極との間隔を一定にすることができる。

第１Ｏ図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、針状
電極３３を直接電荷保持媒体に接触させ、その部分の電
位を検出するもので、検出面積を小さくすることができ
るので、高分解能を得ることができる。なお、針状電極
を複数設けて検出するようにすれば読み取り速度を向上
させることが可能となる。

以上は接触または非接触で直流信号を検出する直流増幅
型のものであるが、次に交流増幅型の例を説明する。

第１１図は振動電極型の電位読取り方法を示す図で、２
２は検出電極、２４は増幅器、２６はメータである。

検出電極２２は振動し、電荷保持媒体３の帯電面に対し
て時間的に距離が変化するように駆動されており、その
結果、検出電極２２における電位は、帯電面の静電電位
に応じた振幅で時間的に変化する。この時間的な電位変
化をインピーダンスＺの両端の電圧変化として取り出し
、コンデンサＣを通して交流骨を増幅器２４で増幅し、
メータ２Ｇにより読み取ることにより帯電面の静電電位
を測定することができる。

第１２図は回転型検出器の例を示し、図中２８は回転羽
根である。

電極２２と電荷保持媒体３の帯電面の間には導電性の回
転羽１ｊｊ２Ｂが設けられて図示しない駆動手段により
回転駆動されている。その結果、検出電極２２と電荷保
持媒体３との間は周期的に電気的に遮蔽される。そのた
め、検出電極２２には帯電面の静電電位に応じた振幅の
周期的に変化する電位信号が検出され、この交流成分を
増幅器２４で増幅して読み取ることになる。

第１３図は振動容量型検出器の例を示し、２８は駆動回
路、３０は振動片である。

駆動回路２８によってコンデンサーを形成する一方の電
極の振動片３０を振動させて、コンデンサ容量を変化さ
せる。その結果、検出電極２２により検出される直流電
位信号は変調を受け、この交流成分を増幅して検出する
。この検出器は直流を交流に変換して高感度で安定性良
く電位測定することかできる。

第１４図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、細長
い検出電極を用い、ＣＴ平手法コンピュータ断層映像法
）を用いて電位検出を行うものである。

検出電極３５を電荷蓄積面を横断するように対向配置す
ると、得られるデータは検出電極に沿って線積分した値
、即ちＣＴにおける投影データに相当するデータが得ら
れる。そこで、この検出電極を第１４図（ロ）の矢印の
ように全面に行き渡るように走査し、さらに角度θを変
えて同様に走査してい（ことにより必要なデータを収集
し、収集したデータにＣＴアルゴリズムを用いて演算処
理を施すことにより、電荷保持体上の電位分布状態を求
めることができる。

なお、第１５図に示すように検出電極を複数個並べるよ
うにすればデータ収集速度を早くすることができ、全体
としての処理速度を向上させることができる。

第１６図は集電型検出器の例を示し、図中、３２は接地
型金属円筒、３４は絶縁体、３６は集電器である。

集電器３６には放射性物質が内蔵され、そこからα線が
放出されている。そのため、金属円筒内は空気が電離し
て正負のイオン対が形成されている。これらのイオンは
自然の状態では再結合および拡散によって消滅し、平衡
状態を保っているが、電界があると、熱運動による空気
分子との衝突を繰り返しながら統計的には電界の方向に
進み、電荷を運ぶ役割を果たす。

即ち、イオンのため空気が導電化されて、集電器３６も
含めたその周りの物体の間には等価的な電気抵抗路が存
在するとみなすことでできる。

従って、電荷保持媒体３の帯電面と接地金属円筒３２、
帯電体と集電器３６、および集電器３６と接地金属円筒
３２の間の抵抗をそれぞれＲｏ、Ｒ，、Ｒ，とすると、
帯電体の電位をｖｌとすると、集電器３６の電位■、は
、定常状態では、Ｖｚ　＝Ｒｚ　Ｖ＋　／　（Ｒｔ　＋
Ｒ１）となる。その結果、集電器３６の電位を読み取る
ことによって電荷保持媒体３の電位を求めることができ
る。

第１７図は電子ビーム型の電位読取装置の例を示す図で
、３７は電子銃、３８は電子ビーム、３９は第１ダイノ
ード、４０は２次電子増倍部である。

電子銃３７から出た電子を図示しない静電偏向あるいは
は電磁偏向装置により偏向して９１面を走査する。走査
電子ビームのうちの一部は、帯電面の電荷と結合して充
電電流が流れ、その分帯電面の電位は平衡電位に下がる
。残りの変調された電子ビームは電子銃３７の方向に戻
り、第１ダイノード３９に衝突し、その２次電子が２次
電子増倍部４０で増幅されその陽極から信号出力として
取り出される。この戻りの電子ビームとして反射電子あ
るいは２次電子を使用する。

電子ビーム型の場合には、走査後は媒体上には均一な電
荷が形成されるが、走査時に潜像に対応する電流が検出
される。ＷＩ像がマイナス電荷の場合は、電荷が多い部
分（露光部）ではエレクトロンによる蓄積電荷が少なく
、充電電流が小さいが、例えば電荷が存在しない部分で
は最大の充電電流が流れる。プラス電荷の場合はこの逆
でネガ型となる。

第１８図は電位読み取り方法の他の例を示す図で、静電
潜像が形成された電荷保持媒体３をトナー現像し、着色
した面を光ビームにより照射してスキャニングし、その
反射光を光電変換器４１で電気信号に変換するものであ
り、光ビーム径を小さくすることにより高分解能を達成
することができ、また光学的に筒便に静電電位の検出を
行うことができる。

第１９図は電位読み取り方法の他の例を示す図であり、
後述するような微細カラーフィルターにより形成したＲ
、Ｇ、８分解像をトナー現像し、着色した面を光ビーム
により照射し、その反射光によりＹ、Ｍ、Ｃ信号を得る
場合の例を示している。図中、４３は走査信号発生器、
４５はレーザー、４７は反射鏡、４９はハーフミラ−１
５１は光電変換器、５３．５５．５７はゲート回路であ
走査信号発生器４３からの走査信号でレーザー４５から
のレーザー光を、反射ｍ４７、ハーフミラ−４９を介し
て着色面に当てて走査する。着色面からの反射光をハー
フミラ−４９を介して光電変換器５１に入射させて電気
信号に変換する。走査信号発生器４３からの信号に同期
してゲート回路５３．５５．５７を開閉制御すれば、微
細フィルタのパターンに同期してゲート回路５３．５５
．５７が開閉制御されるので、Ｙ、Ｍ、Ｃに着色してお
かなくてもＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができる。

なお、カラー像が後述するように３面分割したものの場
合も、全く同様にＹ、Ｍ、Ｃの信号を得ることができ、
この場合もＹＳＭＳＣに着色しておかなくてもよいこと
は同様である。

第１８図、第１９図に示した静電電位検出法においては
、トナー像が静電潜像の帯電量に対応したγ特性を有し
ていることが必要で、そのため帯電量のアナログ的変化
に対してしきい値を持たないようにする必要がある。対
応さえとれていればγ特性が一致していなくても電気的
な処理によってＴの補正を行うようにすればよい。

次にカラー画像を形成するために使用するカラーフィル
タについて説明する。

第２０図はプリズムによる色分解光学系を示す図で、図
中、７１．７３．７５はプリズムブロック、７７．７９
．８１はフィルタ、８３．８５は反射鏡である。

色分解光学系は３つのプリズムブロックからなり、プリ
ズムブロック７１の８面から入射した光情報は、ｂ面に
おいて一部が分離反射され、さらに８面で反射されてフ
ィルタ７７からＢ色光成分が取り出される。残りの光情
報はプリズムブロック７３に入射し、０面まで進んで一
部が分離反射され、フィルタ７９からＧ色光酸分、他は
直進してフィルタ８１からＲ色光成分が取り出される。

そして、Ｇ、Ｂ色光成分を、反射鏡８３．８５で反射さ
せることにより、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出す
ことができる。

このようなフィルタ９１を、第２１図に示すように感光
体ｌの前面に配置して撮影することにより、第２１図（
ロ）のようにＲ，Ｇ、Ｂ分解した電荷保持媒体３セツト
で１コマを形成するか、また第２１図（ハ）に示すよう
に１平面上にＲ，Ｇ。

Ｂ像として並べて１セツトで１コマとすることもできる
。

第２２図は微細カラーフィルタの例を示す図で、例えば
、レジストをコーティングしたフィルムをマスクパター
ンで露光してＲ，Ｇ、Ｂストライプパターンを形成し、
それぞれＲ，Ｇ、Ｂ染色することにより形成する方法、
または第２０図のような方法で色分解した光を、それぞ
れ細いスリットに通すことにより生じるＲ、Ｇ、Ｂの干
渉縞をホログラム記録媒体に記録させることにより形成
する方法、または光導電体にマスクを密着させて露光し
、静電潜像によるＲ、Ｇ、Ｂストライプパターンを形成
し、これをトナー現像して３回転写することによりカラ
ー合成してトナーのストライブを形成する方法等により
形成する。このような方法で形成されたフィルタのＲ，
Ｇ、Ｂｌｍで１画素を形成し、１画素を１０μｍ程度の
微細なものにする。このフィルタを第２１図のフィルタ
９１として使用することによりカラー静電潜像を形成す
ることができる。この場合、フィルタは感光体と離して
配置しても、あるいは感光体と一体に形成するようにし
てもよい。

第２３図は微細カラーフィルタとフレネルレンズを組み
合わせた例を示す図で、フレネルレンズによってＲ，Ｇ
、Ｂパターンを縮小して記録することができ、また通常
のレンズに比べて薄（コンパクトなレンズ設計が可能と
なる。

第２４図はＮＤ　（Ｎｅｕｔｒａｌ　　Ｄｅｎｓｉｔｙ
）フィルタとＲ，Ｇ、Ｂフィルターを併用した３面分割
の例を示す図で、入射光をＮＤフィルター８１．８３及
び反射ミラー８５で３分割し、それぞれＲフィルター８
７、Ｇフィルター８９、Ｂフィルター９１を通すことに
より、Ｒ，Ｇ、Ｂ光を平行光として取り出すことができ
る。

次に本発明の電荷保持媒体をスキャナーシステムに適用
した場合の特徴的事項を第２５図〜第２９図により説明
する。

第２５図は本発明の電荷保持媒体の露光量に対する像電
位変化特性を示す図で、露光量は任意の単位で対数目盛
としている。

通常、ＣＣＤを用いた平面スキャナーにおいては像濃度
（照射光に対する透過光の比率の対数表示値）のダイナ
ミックレンジが２程度と狭いため、製版用には使用でき
なかった。これに対して、本発明の電荷保持媒体では第
２５図に示す特性から分かるように、露光量の３桁程度
の変化に対応して像電位がほぼリニアに変化するので、
印刷製版用に必要な像濃度のダイナミックレンジ３程度
には十分対応でき、製版スキャナー用として好適である
ことが分かる。

第２６回は原稿を所定角度回転する場合を示す図である
。

従来、画像を回転して露光記録する場合は、コンピュー
タによる演算で行うとその演算処理が大変であるので、
原稿そのものをドラムスキャナーの読取りシリンダに所
定角度回転させてセットして読み出すようにしているが
、シリンダに原稿を正確に所定角度回転させてセットす
る作業は極めて大変であった。本発明の電荷保持媒体は
フラットであるので、第２６図に示すように、電荷保持
媒体３を３ａのように容易に且つ正確に所定角度回転さ
せることができ、図の矢印のように順次読み取ることに
より簡単に像の回転を行うことができる。なお、回転は
、通常画像の中心を回転中心とするが、図示の例では左
上の角を回転中心としている。回転の中心は、電荷保持
媒体を載せるテーブルの中心と電荷保持媒体上の画像の
回転関係が分かれば画像処理を行い、所望の回転直像が
得られる。また回転スピード等を変化させると特殊な変
形画像も得られる。

第２７図は原稿から所定の画像を切り出す場合を示す図
である。

従来では、例えば図形１５１を切り出したい場合には、
図の点線１５３のようにソフト上のマスクにより大きめ
に原稿を切り出すようにしているが、本発明の電荷保持
媒体の場合には図形１５１と全く同じ形状で大きさのマ
スクを用いることにより、図形１５１のみ容易に読み取
ることができる。

第２８図は原稿の切り抜き操作を示す図である。

例えば、図において、切り抜きたい画像が１６１であり
、その切り抜き指示書が１６２であるとすると、１６２
の原点からのヘッド１０１ｂの位置と、１６１の原点か
らのへラド１０１ａの位置との相対位置関係を検出回路
１６５で検出し、この検出信号によりＸＹステージ１６
６を駆動して電荷保持媒体を移動させ、指示された領域
だけ読み取ったり、指示さた領域のみの情報を残し、他
を消去することができる。

第２９図はシャープネス処理を説明するための図である
。

先ず、同図（イ）においてステップ状に濃度が変化する
画像１７１を記録する０次に同図（ロ）においては電荷
保持媒体に印加する電圧の極性を（イ）の極性と逆にし
、画像１７１を光学系でボカしたり、或いは空間フィル
タで画像の高周波成分を除く等の手段により別途のアン
シャープ化された画像１７２を得て画像１７１の静電潜
像の上に二重露光する。この場合の露光では逆極性の電
圧が印加されているので、画像１７１と１７２の引算が
行われ、その結果静電潜像は図の１７３の　　　　□よ
うになる。そして、同図（ハ）において、同図（イ）の
場合と同極性の電圧を印加した状態で像１７３の上に元
の画像１７１を重ね露光することによりエツジの強調さ
れた像１７４を得ることができ、単に面露光を繰り返す
だけで簡単にシャープネス処理を行うことができる。

なお本発明におけるネガ潜像の形成は、所定極性のバイ
アスで一様光量による露光をしておき、次にそれと逆極
性の電圧で露光することにより簡単に得ることが可能で
ある。

〔作用〕

本発明の電荷保持媒体を用いた入力スキャナーは、電荷
保持媒体上に面状にアナログ量として静電潜像を形成し
、その電荷電位を読み取ることにより静電潜像に対応し
た画像データとして取り込み、これに必要な画像処理を
加えて露光記録することにより、色修正、マスキング、
像回転、自動位置決め、シャープネス処理等を電荷保持
媒体上、或いはフィルタ交換等で簡単に行うことができ
、また読取りシリンダの省略、コンピュータの演算の筒
略化等により装置をコンパクト化することができ、さら
に、記録、読取りの時間を短縮化し、永久保存を行うこ
とも可能である。

以下、実施例を説明する。

〔実施例１〕・・・電荷保持媒体の作製方法メチルフェ
ニルシリコン樹脂１０ｇ１キシレン−ブタノールｌ：１
溶媒１０ｇの組成を有する混合液に、硬化剤（金属触媒
）：商品名　ＣＲ−１５を１重量％（０，２ｇ）加えて
よく攪拌し、ＡＰをｔｏｏｏ人蒸着したガラス基板上に
ドクターブレード４ミルを用いてコーティングを行った
。

その後１５０℃、ｌｈｒの乾燥を行ない、膜厚１０μｍ
の電荷保持媒体（ａ）を得た。

また上記混合液を、Ａｆｆｉを１０００人蒸着５た１０
０μｍポリエステルフィルム上に同様の方法でコーディ
ングし、次いで乾燥し、フィルム状の電荷保持媒体（ｂ
）を得た。

また上記混合液を、Ａｆｉを１０００人蒸着５た４イン
チディスク形状アクリル（ＩＩＩ１１厚）基板上にスピ
ンナー２０００ｒｐ−でコーディングし、５０°Ｃ，３
ｈｒ乾燥させ、膜厚１ｐｍのディスク状電荷保持媒体（
Ｃ）を得た。

また上記混合液に、更にステアリン酸亜鉛を０゜１ｇ添
加し、同様のコーティング、乾燥を行い、１０μｍの膜
厚を有する電荷保持媒体（ｄ）を得た。

［実施例２〕 ポリイミド樹脂Ｌｏｇ、Ｎ−メチルピロリドン１０ｇの
組成を有する混合液を、Ａｆｆｉを１０００人蒸着５た
ガラス基板上にスピンナーコーティング（１０００ｒｐ
ｍ、２０秒）した。溶媒を乾燥させるため１５０℃で３
０分間、前乾燥を行った後、硬化させるため３５０°Ｃ
１２時間加熱した。

膜厚８μｍを有する均一な被膜が形成された。

〔実施例３〕・・・単層系有機感光体（ＰＶＫ　−ＴＮ
Ｆ　）作製方法 ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール１０ｇ（西南香料（株）
製）、２，４．７−）リニトロフルオレノン１０ｇ１ポ
リエステル樹脂２ｇ（バインダー：バイロン２００東洋
紡（株）製）、テトラハイドロフラン（ＴＨＦ）９０ｇ
の組成を有する混合液を暗所で作製し、Ｉｎ２Ｏ３−３
ｎ０１を約１０００人の膜厚でスパッターしたガラス基
板（ＩＩＩＩ１１厚）に、ドクターブレードを用いて塗
布し、６０°Ｃで約１時間通風乾燥し、膜厚的１０μｍ
の光導電層を有する感光層を得た。又完全に乾燥を行う
ために、更に１日自然乾燥を行って用いた。

（実ＭｆＮ　４　）・・・アモルファスシリコンａＳｉ
：Ｈ無機感光体の作製方法 ■基板洗浄 ＳｎＯ，の薄膜透明電極層を一方の表面に設けたコーニ
ング社７０５９ガラス（２３Ｘ１６ＸＯ１９Ｌ、光学研
磨済）をトリクロロエタン、アセトン、エタノール各液
中、この順番に各々１０分ずつ超音波洗浄する。

■装置の準備 洗浄の済んだ基板を第３０図の反応室２０４内のアノー
ド２０６上に熱伝導が十分であるようにセットした後、
反応室内を１０−”Ｔｏｒｅ台までり。

Ｐにより真空引きし、反応容器およびガス管の焼出しを
１５０１Ｃ〜３５０°Ｃで約１時間行い、焼出し後装置
を冷却する。

■ａ−３ｉ：Ｈ（ｎ”）の堆積 ガラス基板が３５０°Ｃになるようにヒーターを２０８
ｍ１！整、加熱し、予めタンク２０１内で混合しておい
たＰＨｓ／５ｉＨ４＝１０００ｐｐ−のガスをニードル
バルブとＰＭＢの回転数を制御することによって反応室
２０４の内圧が２００ｍＴ。

ｒｒになるように流し内圧が一定になった後、Ｍａ　ｔ
ｃｈｉｎｇ　Ｂｏｘ２０３を通じて、４０ＷのＲｆ　Ｐ
ｏｗｅｒ　２０２　（１３，５６ＫＨｚ）を投入し、カ
ソード・アノード間にプラズマを形成する。堆積は４分
間行い、Ｒｆの投入を止め、ニードルバルブを閉じる− その結果、ブロッキング層を構成する約０．　２μｍの
ａ−３ｉ：Ｈ（ｎ”）膜が基板上に堆積された。

■ａ−３ｉ：Ｈの堆積 ５ｉｌｌａｌＯＯ％ガスを■と同じ方法で内圧が２００
Ｔｏｒｒになるように流し、内圧が一定になったところ
で、Ｍａｔｃｈｉｎｇ　ＢａＮ６０３を通じて４０Ｗの
ＲｆＰｏｉ＊ｅｒ　２０２　（１３，５６ＫＨｚ）を投
入し、プラズマを形成して７０分間維持する。堆積終了
はＲｆの投入を止め、ニードルバルブを閉じる。

Ｈｅａｔｅｒ２０８　Ｏｆｆ後、基板が冷えているから
取り出す。

この結果、約１８．８μｍの膜がａ−５ｉ　：Ｈ（ｎｏ
）股上に堆積された。

こうしてＳｎＯ，／ａ−Ｓｉ：Ｈ（ｎ”）ブロッキング
層／ａ−３ｔ　：Ｈ（ｎｏｎ−ｄｏｐｅ）２０μｍの感
光体を作製することができた。

（実施９１５）・・・アモルファスセレン−テルル無機
感光体の作製方法 セレン（Ｓｅ）に対しテルル（Ｔｅ）が１３重量％の割
合で混合された金属粒を用い、蒸着法によりａ−３ｅ−
Ｔｅ薄膜を真空度１０−’Ｔｏ　ｒ　ｒ、抵抗加熱法で
ＴＴＯガラス基板上に蒸着した。膜厚は１ｔＩｍとした
。さらに真空度を維持した状態で、同じく抵抗加熱法で
Ｓｅのみの蒸着を行いａ　−５ｅ−Ｔｏ層上に１０μｍ
　ａ−３ｇ層を積層した。

〔実施例６〕・・・機能分離型感光体の作製方法（Ｔｉ
電荷発生層形成方法） クロロジアンブルー０．４ｇ、ジクロルエタン４０ｇの
組成を有する混合液を２５０ｍ１．容積のステンレス容
器に入れ、更にガラスピーズＮｏ３．１８０ｍｊ！を加
え、振動ミル（安用電機製作所ＫＥＤ９−４）により、
約４時間の粉砕を行い粒径〜５μｍのクロロシアンブル
ーを得る。ガラスピーズを濾過後、ポリカーボネート、
ニーピロンＥ−２０００（三菱ガス化学）を０．４ｇ加
え約４時間攪拌する。この溶液をＩｎｚＯｓ−５ｎＯｚ
を約１０００人スパッターしたガラス基板（１閣厚）に
ドクターブレードを用いて塗布し、膜厚約１μｍの電荷
発生層を得た。乾燥は室温で１日行った。

〔電荷輸送層の形成方法〕

４−ジベンジルアミノ−２−メチルベンズアルデヒド−
１，１′−ジフェニルヒドラゾン０．１ｇ。

ポリカーボネート（ニーピロンＥ−２０００）０．　１
　ｇ。

ジクロルエタン２．０ｇの組成を有する混合液をドクタ
ーブレードにて、上記電荷発生層上に塗布し、約１０ａ
ｍの電荷輸送層を得た。乾燥は６０℃で２時間行った。

〔実施例７〕 （電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチル１０ｇにブチラール樹脂（積木化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、下記の構造式を有するアズレニウムＣ
ＺＯ，塩、 ０．５ｇ、ガラスピーズＮｏ、１３３ｇとを混合し、タ
ッチミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターでガラス板上に積
層したＩＴＯ上に塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させ
た。乾燥後の膜厚は１μｍ以下。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと下記の構
造式で示されるヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１
９１） ０．５ｇとを混合し、ドクターブレードで上記電荷発生
層上に塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させた。膜厚１
０μｍ以下であった。

〔実施例８〕 （Ｔ４電荷生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（漬水化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮｏ、　　ｌを３３ｇ、タッチミキサー
で１日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード
、またはアプリケーターでガラス板上に積層したＩＴＯ
上に塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させた。乾燥後の
被膜は、膜厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の作製方法） ジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネート（三菱ガ
ス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、上記ヒドラ
ゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣＩ９１）０．５ｇを溶解
し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上に塗布、６
０″Ｃ１２時間以上乾燥させた。膜厚は１０μｍ以上で
あった。

〔実施例９〕・・・電荷注入防止層を設けた機能分離型
感光体の作製方法 （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜１μｍ塗布、６゜°Ｃ１２時間以上乾燥
させた。

（電荷発生層の形成方法） 酢酸ブチル１０ｇにブチラール樹脂（漬水化学、５ＬＥ
Ｃ）０．２５ｇ、前記したアズレニウム０ｆｆｉ０４塩
０．５ｇ、ガラスピーズＮ０１１３３ｇとを混合し、タ
ッチミキサーで１日間撹拌し、よく分散させものをドク
ターブレード、またはアプリケーターで上記電荷注入防
止層上に塗布し、６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾
燥後の被膜は、Ｈ’′Ｉｌ−１ａ以下テアツタ。

（電荷輸送層の形成方法） テトラヒドロフラン９．５ｇにポリカーボネート（三菱
ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０゜５ｇと前記した
ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．５ｇ
とを溶解させ、ドクターブレードで上記電荷発生層上に
塗布し、６０℃、２時間以上乾燥させた。ａ厚１０μｍ
以下でありた。

〔実施例１０） （電荷注入防止層の形成方法） ガラス板上に積層したＩＴＯ上に可溶性ポリアミド（東
亜合成化学、ＦＳ−１７５ＳＶ１０）をスピンコーター
により０．５〜１μｍ塗布、６０°Ｃ１２時間以上乾燥
させた。

（電荷発生層の形成方法） テトラヒドロフラン２０ｇにブチラール樹脂（漬水化学
、５ＬＥＣ）０．５ｇ、チタニルフタロシアニン０．２
５ｇ、４．１０−ジブロモアンスアンスロン０．２５ｇ
、ガラスピーズＮｏ、１を３３ｇ、タッチミキサーで１
日間撹拌し、よく分散させものをドクターブレード、ま
たはアプリケーターで上記電荷注入防止層上に塗布し、
６０°Ｃ１２時間以上乾燥させた。乾燥後の被膜は、膜
厚１μｍ以下であった。

（電荷輸送層の形成方法） 溶媒であるジクロロエタン９．５ｇに、ポリカーボネー
ト（三菱ガス化学、ニーピロンＥ２０００）０．５ｇ、
前記ヒドラゾン誘導体（阿南香料、ＣＴＣ１９１）０．
５ｇを溶解し、ドクターブレードで、上記電荷発生層上
に塗布、６０℃、２時間以上乾燥させた。膜厚は１０μ
ｍ以上であった。

〔実施例１１） （感光体電極層の形成方法） 青板ガラス上に、酸化インジウム錫（ＩＴＯ。

比抵抗１００Ω・ｃｍ”）をスパッタリング法により蒸
着させた。

また、ＥＢ法により同様に蒸着させることができる。

（電荷注入防止層の形成方法） 上記感光体電極層上に、二酸化珪素をスパッタリング法
により蒸着させた。

膜厚は１００〜３０００人とすことができ、また二酸化
珪素の代わりに酸化アルミニウムを使用してもよく、ま
たスパッタリング法の代わりにＥＢ法により同様に蒸着
させることができる。

（電荷発生層の形成方法） 上記電荷注入防止層上に、セレン−テルル（テルル含有
量１３重量％）を抵抗加熱により蒸着させた。膜厚は２
μｍ以下である。

（電荷輸送層の形成方法） 上記電荷発生層上に粒状セレンを使用し、抵抗加熱法に
より蒸着させた。膜厚は１０μｍ以下である。

〔実施例１２〕・・・熱エレクトレットの作製方法ポリ
弗化ビニリデンフィルム２０μｍ上に真空蒸着（１０−
”Ｔｏｒｒ、抵抗加熱法）によりＡ／！ヲ１０００人蒸
着したものを電荷保持媒体とし、機能分離型感光体の光
導電性感光体と共に静電潜像を形成する。

まず電荷保持媒体のＡｌ基板側からホットプレート（３
Ｘ３ｃｍ）を接触させ、１８０″Ｃに媒体を加熱する。

加熱直後に感光体を電荷保持媒体に１０ＩＩｍの空気ギ
ャップで表面同志を対向させ、量電極間に一５５０ｖの
電圧を印加（ｒＢ光体電極を負とする）し、露光させた
。露光はハロゲンランプを光源として、１０ルツクスで
、文字パターン原稿を介して感光体裏面から１秒間行っ
た。

この後フィルムを自然冷却した結果、露光部（文字部）
には、−１５０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位
が測定されなかった。この帯電パターンの形成されたフ
ィルム上に水滴を滴下し、回収した後、電位測定を行っ
た結果、前と変わらず、露光部では一１５０Ｖの電位が
測定された。

一方間様の電荷保持媒体に強制的にコロナ放電で表面に
一１５０ｖの電荷を形成した後、水滴を滴下し、回収し
たところ、最初−１５０Ｖを示した露光部がＯＶと全く
電荷が消失した。従って加熱下での電荷形成はポリ弗化
ビニリデンの内部で分極が生じ、エレクトレフト化して
いることがわかった。

〔実施例１３〕・・・光エレクトレットの作製方法１．
１ｍｍ厚のガラス支持体上に／ｌを、約１０００人スパ
ッタリング法により積層して基板とし、そのＡ１層上に
硫化亜鉛を約１．　５μｍの膜厚に蒸着（１０−’Ｔｏ
ｒｒ、抵抗加熱）させた。この硫化亜鉛層面に、ガラス
上に積層したＩＴＯ面を空気ギャップ１０μｍ設けて対
向させ、両電掻間に＋７００ｖの電圧を印加（Ａｌ電極
側を負にする）した状態で、ＩＴＯ基板側から露光を行
った。

露光は実施例１１と同様にして行った。その結果露光部
には＋８０Ｖの電位が測定され、未露光部には電位が測
定されなかった。この場合も実施例１１と同様な水滴実
験を行ったが、回収後の電位の変化はなく、内部に電荷
の蓄積されたエレクトレットが形成された。

［実施例１４］ 実施例３の単層系有機感光体（ＰＶＫ−↑ＮＦ　）、実
施例１（ａ）の電荷保持媒体、及びガラス基板を使用し
、これを電極側を外側にして重ねてカメラにセットする
。その際に感光体１と電荷保持媒体３間に空隙を設ける
ため、第３１図に示すように１０μｍのポリエステルフ
ィルムをスペーサー２として露光面以外の周囲に配置す
る。

感光体電極側を負、電荷保持媒体側を正にして電圧を７
００Ｖ印加し、その状態で露出ｒ−１゜４、シャッタ−
スピード１／６０秒で光学シャッターを切るか、あるい
は露出ｆ−１，４、シャッター開放状態で１／６０秒電
圧印加を行い、屋外昼間の被写体撮影を行った。

露光ＯＦＦ、電圧印加ＯＦＦ後、電荷保持媒体を明るい
所、あるいは暗いで所で取り出し、■微小面積電位読取
り法によるＣＲＴ画像形成、■トナー現象による画像形
成を行った。

■では、１００Ｘ１００μｍの微小面積表面電位測定プ
ローブをＸ−Ｙ軸スキャニングを行い、１００μｍ単位
の電位データを処理し、ＣＲＴ上に電位−輝度変換によ
り画像形成を行った。電荷保持媒体上には最高露光部電
位２００Ｖから未露光部Ｏｖまでのアナログ電位潜像が
形成されており、その潜像をＣＲＴ上で１００μｍの解
像度で顕像化することができた。

■では、取り出した電荷保持媒体を負に帯電した湿式ト
ナー（黒）に１０秒浸漬することにより、ポジ像が得ら
れた。得られたトナー像の解像度は１、ｃＩｍの高解像
度であった。

カラー画像の撮影は以下の方法で行った。

■プリズム型３面分割法 第２０図に示すようにプリズムの３面上にＲ２Ｏ，Ｂフ
ィルターを配置し、それぞれの面に上記媒体をセットし
、ｆ＝１．４、シャツタースビー１１７３０秒で被写体
撮影を行った。

■カラーＣＲＴ表示法 Ｒ，Ｇ、Ｂ潜像各々を同様の方法でスキャニングして読
み取り、Ｒ，Ｇ、ＢＷＩ像に対応した螢光発色をＣＲＴ
上で形成し、３色分解画像をＣＲＴ上で合成することに
よりカラー画像を得た。

■トナー現像法 分解露光した電荷保持媒体をＲ，Ｇ、Ｂ潜像に対して負
に帯電したＣ（シアン）、Ｍ（マゼンダ）、Ｙ（イエロ
ー）トナーで各々現像し、トナー像を形成する。トナー
が乾燥する前にシアントナー像を形成した媒体上に普通
紙を重ね、紙上に正のコロナ帯電を行い、その後、′Ａ
離を行うと、普通紙にトナー像が転写された。さらに、
同様の方法で画像の位置を一致させて、同一箇所にマゼ
ンダトナー、イエロートナーを順次転写合成すると、普
通紙上にカラー画像が形成された。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、色修正、マスキング、像
回転、自動位置決め、シャープネス処理等印刷製版工程
で必要な画像処理を電荷保持媒体上、或いはフィルタ交
換等で簡単に行うことができるので入力操作性を向上さ
せることができ、読取りシリンダの省略、コンピュータ
の演算の簡略化等により装置をコンパクト化することが
でき、さらに、記録、読取りの時間を短縮化し、永久保
存を行うことも可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電荷保持媒体の静電潜像記録方法の原
理を説明するための図、第２図は光エレクトレットを用
いた静電潜像記録方法の原理を説明するための図、第３
図は熱エレクトレットを用いた静電潜像記録方法の原理
を説明するための図、第４図は本発明の電荷保持媒体を
用いた入力スキャナーシステムを示す図、第５図は本発
明の電荷保持媒体を使用したスキャナーシステムを示す
図、第６図、第７図はカラー画像記録方法を説明するた
めの図、第８図、第９図、第１０図は直流増幅型の電位
読み取り方法の例を示す図、第１１図、第１２図、第１
３図は交流増幅型の電位読み取り方法の例を示す図、第
１４図、第１５図はＣＴススキャン法よる電位読み取り
方法の例を示す図、第１６図は集電型の電位読み取り方
法の例を示す図、第１７図は電子ビーム型の電位読み取
り方法の例を示す図、第１８図、第１９図はトナー着色
を利用した電位読み取り方法を説明するための図、第２
０図は色分解光学系の構成を示す図、第２１図はカラー
静電潜像を形成する場合の説明図、第２２図は微細カラ
ーフィルタの例を示す図、第２３図は微細カラーフィル
タとフレネルレンズを組み合わせた例を示す図、第２４
図はＮＤフィルタとＲ，Ｇ、Ｂフィルタの併用による３
面分割を示す図、第２５図は本発明の電荷保持媒体の露
光量に対する像電位変化特性を示す図、第２６図は原稿
を所定角度回転する場合を示す図、第２７図は原稿から
所定の画像を切り出す場合を示す図、第２８図は原稿の
切り抜き操作を示す図、第２９図はシャープネス処理を
説明するための図、第３０図はａ−３ｔ：Ｈ感光体の作
製方法を説明するための図、第３１図は本発明を適用し
た静電カメラによる撮影の実施例を説明するための図で
ある。 １・・・感光体、３・・・電荷保持媒体、１０１・・・
読取りヘッド、１０３・・・コンピュータ、１０９・・
・記録ヘッド、１１０・・・記録シリンダ、１３１・・
・レーザー、１３３・・・光変調器。 出　　願　　人　　大日本印刷株式会社代理人　弁理士
　　蛭　川　昌　信（外４名）第１図 （ハ） 第６図 （）−，１４２ 第７図 １↓↓↓ ３”−Ｅ＝＝ヨ ； 射 Ｎト 第８図 第９図　　　　　　第１０図 第１２図 ２ム 第１４図 第１５図 第１６；図 第１７−図 第１８図 第１９図 第２０図 第２１図 】　　３ 第２４図 第２５図 第２６図　　　　　　第２７図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）セットされた原稿からの情報光を感光体に照射す
   ることにより電荷保持媒体に形成された静電潜像の電位
   を読み取ることを特徴とする静電潜像読み取り入力スキ
   ャナー。
2. （２）静電潜像の電位読み取りは、平面状の電荷保持媒
   体上を電位読み取りヘッドで走査することにより行う請
   求項１記載の静電潜像読み取り入力スキャナー。
3. （３）電荷保持媒体上の静電潜像は、原稿を拡大、また
   は縮小したものである請求項１記載の静電潜像読み取り
   入力スキャナー。
4. （４）感光体への照射光は、カラーフィルタを介して行
   われる請求項１記載の静電潜像読み取り入力スキャナー
   。