JPH02168446A - Optical information recording medium - Google Patents

Optical information recording medium

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JPH02168446A
JPH02168446A JP1007510A JP751089A JPH02168446A JP H02168446 A JPH02168446 A JP H02168446A JP 1007510 A JP1007510 A JP 1007510A JP 751089 A JP751089 A JP 751089A JP H02168446 A JPH02168446 A JP H02168446A
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layer
light absorption
light
absorption layer
information recording
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Yuji Arai
新井 雄治
Emiko Hamada
浜田 恵美子
Ariake Shin
有明 辛
Takashi Ishiguro
隆 石黒
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To obtain modulation of a reproducing signal suitable for a compact disk format by deforming a layer of a base adjacent to a light absorbing layer of a pit part so as to record the information. CONSTITUTION:When a laser beam 7 from a pickup 8 is converged and irradiates a light absorbing layer 2, the irradiated part absorbs the laser beam 7 and is heated, the irradiated part is molten and decomposed, and the base adjacent to the irradiated part or other layer 1 is softened and molten. Then part 12 of a cyanine group dystuff such as indodicarbocyanine being a constituent of the layer 2 is diffused or in viscous fluid into the layer 1, the content is mixed with the component of the layer 1 and combined partially. Thus, a projection deformed part 6 is formed to the surface of the layer 1. Then there exists a phase difference of light at between pits and other parts and a large difference in the reflected luminous quantity is caused in the laser beam. Thus, the modulation of the reproduced signal is increased and the result is in compliance with the format of the compact disk.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、レーザ光により記録されたビットを有する光
情報記録媒体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an optical information recording medium having bits recorded by laser light.

[従来の技術] レーザ光の照射により、データを記録することができる
光情報記録媒体は、Tes  Bis  Mn1Fの金
属層や、シアニン、メロシアニン、フタロシアニン等の
色素層等からなる記録層を存し、レーザ光の照射により
、上記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手
段で、ビットを形成し、データを記録する。この記録層
を有する光情報記録媒体では、ビットを形成する際の記
録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするため、
記録層の背後に空隙を設けることが一般に行なわれてい
る。具体的には例えば、空間部を挟んで2枚の基板を積
層する、いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層
構造がとられる。
[Prior Art] An optical information recording medium capable of recording data by irradiation with laser light has a recording layer consisting of a metal layer of Tes Bis Mn1F, a dye layer of cyanine, merocyanine, phthalocyanine, etc. Bits are formed and data are recorded by deforming, sublimating, evaporating, or denaturing the recording layer by irradiating it with laser light. In an optical information recording medium having this recording layer, in order to facilitate deformation, sublimation, evaporation, denaturation, etc. of the recording layer when forming bits,
It is common practice to provide a void behind the recording layer. Specifically, for example, a stacked structure called an air sandwich structure is used, in which two substrates are stacked with a space in between.

この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板l側
からレーザ光を照射し、ビットを形成する。そして、記
録したデータを再生するときは、上記基板1側から記録
時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ビットとそ
れ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みとる
In this optical information recording medium, bits are formed by irradiating laser light from the light-transmitting substrate l side. When reproducing the recorded data, a laser beam with a lower power than that during recording is irradiated from the substrate 1 side, and the signal is read based on the difference in reflected light between the bit and other parts.

一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き込
みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広(実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのビットを予めプレス等の
手段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この上
にAuX Ags  Cus  At等の金属1漠から
なる反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆ったも
のである。
On the other hand, so-called ROM type optical information recording media, in which data is recorded in advance and data cannot be written or erased afterwards, have already been widely used (practical) in the information processing and audio sectors. Bits for reproducing recorded data without the above-mentioned recording layer are formed in advance on a polycarbonate substrate by means such as pressing, and on this is a reflective layer made of a metal such as AuX Ags Cus At. A protective layer is formed on the protective layer.

このROM型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格
化され、これに準拠する再生装置は、コンパクトディス
クプレーヤ(CDプレーヤ)として極めて広く普及して
いる。
The most typical type of ROM-type optical information recording medium is the compact disc, or so-called CD, which is widely used in the audio and information processing sectors.The specifications of the recording and playback signals of this CD are in the so-called CD format. It has been standardized as a compact disc player (CD player), and playback devices that comply with this standard have become extremely popular as compact disc players (CD players).

[発明が解決しようとする課題] 上記光情報記録媒体は、再生に際し、既に広(普及した
CDと互換性を有し、CDプレーヤで再生できることが
強く望まれる。
[Problems to be Solved by the Invention] It is strongly desired that the above-mentioned optical information recording medium be compatible with the already widely used CD and playable on a CD player.

しかしながら、上記の光情報記録媒体は、CDには無い
記録層を有し、基板にではなく、記録層にビットを形成
して記録する手段がとられる。さらに、この記録層にビ
ットを形成するのを容易にするための空隙層等を育する
ことから、レーザ光の反射層、再生信号の変調度等の点
で再生信号がCDと異なってくる。特に、レーザ光を照
射して形成するビットは、プレスのように機械的に形成
されるビットのように明瞭でないため、大きな変調度が
とりにくい。このため、いわゆるCDについての規格を
定めた上記CD)t−マットを満足することが困難であ
り、CDプレーヤで再生可能な光ディスクを提供するこ
とができなかった。
However, the above-mentioned optical information recording medium has a recording layer that is not present in a CD, and uses a method of recording bits by forming them on the recording layer instead of on the substrate. Furthermore, since a gap layer and the like are grown in this recording layer to facilitate the formation of bits, the reproduced signal differs from that of a CD in terms of the laser beam reflection layer, the degree of modulation of the reproduced signal, etc. In particular, bits formed by laser beam irradiation are not as clear as bits formed mechanically, such as by pressing, and therefore it is difficult to achieve a large degree of modulation. For this reason, it is difficult to satisfy the above-mentioned CD t-mat, which defines the standard for so-called CDs, and it has not been possible to provide an optical disc that can be played on a CD player.

本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、その目的は、CDフォーマットに適合することが
できる変調度ををする再生信号が得られる光情報記録媒
体を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and its purpose is to provide an optical information recording medium that can obtain a reproduced signal with a modulation degree that can be adapted to the CD format. .

[課題を解決するための手段] すなわち、上記目的を達成するため、本発明では第一に
、透光性基板の上に直接または他の層を介してレーザ光
を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接または
他の層を介してレーザ光を反射する光反射層と、レーザ
光の照射によってデータを再生するためのビットが形成
されている光情報記録媒体において、上記ビットの部分
の光吸収層と隣接する基板側の層が変形している光情報
記録媒体を提供する。
[Means for Solving the Problems] That is, in order to achieve the above object, the present invention first includes a light absorption layer that absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate; In an optical information recording medium, a light reflecting layer that reflects laser light directly or through another layer is formed on the light absorption layer, and a bit for reproducing data by irradiation with laser light is formed. To provide an optical information recording medium in which a layer on a substrate side adjacent to a light absorption layer is deformed.

この場合において、上記光吸収層と隣接する基板側の層
の変形は、光吸収層側に凸状、波状或は凹状の変形が一
般的にをり得る。また、上記ピットの部分の光吸収層と
隣接する基板fli11の層に局部的に光学特性が変わ
った光学特性変性部を有することが多い。さらに、上記
ピットの部分の光吸収層と同層に隣接する他の層との界
面部分に空隙が形成されていたり、ピットの部分の光吸
収層に微細な気泡が分散している場合がある。
In this case, the deformation of the layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer can generally be convex, wavy, or concave on the light absorption layer side. Further, in many cases, a layer of the substrate fli11 adjacent to the light absorption layer in the pit portion has an optical property modified portion where the optical properties are locally changed. Furthermore, voids may be formed at the interface between the light absorption layer in the pit area and another layer adjacent to the same layer, or fine air bubbles may be dispersed in the light absorption layer in the pit area. .

本発明では第二に、透光性基板の上に直接または他の層
を介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層
の上に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光
反射層と、レーザ光の照射によってデータを再生するた
めのピットが形成されている光情報記録媒体において、
上記ピット部分の光吸収層と隣接する基板側の層に、局
部的に光学特性が変わった光学特性変性部を有する光情
報記録媒体を提供する。
Second, the present invention includes a light absorption layer that absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate, and a light absorption layer that absorbs laser light directly or through another layer on the light absorption layer. In an optical information recording medium in which a reflective light layer and pits for reproducing data are formed by irradiation with laser light,
An optical information recording medium is provided which has an optical property modified portion in which the optical properties are locally changed in a layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer in the pit portion.

この場合において、光学特性変性部は、光吸収層に隣接
する基板側の層に、光吸収層の分解成分が拡散して形成
されているのが一般的である。
In this case, the optical property modification portion is generally formed in a layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer, in which decomposed components of the light absorption layer are diffused.

[作   用コ 上記第一の手段の光情報記録媒体では、そのピットにお
いて、光吸収層と隣接する基板側の層が局部的に変形し
ていることにより、ピット部分とピット部分以外との間
に位相差が生じ、かつ、入射したレーザスポットが散乱
され、レーザ光の反射光mに大きな違いが生じる。その
ため、再生信号の変調度を大きくとることができる。
[Function] In the optical information recording medium of the first means above, in the pit, the layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer is locally deformed, so that the gap between the pit portion and the non-pit portion is A phase difference occurs between the two, and the incident laser spot is scattered, resulting in a large difference in the reflected light m of the laser beam. Therefore, the degree of modulation of the reproduced signal can be increased.

この場合において、ピット部分の基板側の変形は、光吸
収層側に凸状であると、凹状であると、波状であるとを
問わず、上述の作用は概ね同等である。さらに、ビット
部分に上記のような変形に加えて、基板側の層に局部的
に光学特性が変わった光学特性変性部を育していたり、
光吸収層と同層に隣接する他の層との界面部分に空隙が
形成されていたり、ピットの部分の光吸収層に微細な気
泡が分散していると、これらによるレーザスポットの位
相差、吸収、散乱等の作用により、ピットの部分とピッ
ト以外の部分とのレーザ光の反射光量により大きな違い
が生じ、再生信号の変調度をより大きくとることができ
る。
In this case, regardless of whether the deformation of the pit portion on the substrate side is convex, concave, or wavy toward the light absorption layer side, the above-mentioned effect is generally the same. Furthermore, in addition to the above-mentioned deformation in the bit part, the layer on the substrate side has a locally modified optical property region, where the optical property has changed locally.
If voids are formed at the interface between the light absorption layer and another layer adjacent to the same layer, or if fine bubbles are dispersed in the light absorption layer in the pit area, the phase difference of the laser spot due to these, Due to effects such as absorption and scattering, a large difference occurs in the amount of reflected laser light between the pit portion and the non-pit portion, and the degree of modulation of the reproduced signal can be increased.

さらに、上記第二の手段の光情報記録媒体では、ピット
の部分の光吸収層と隣接する基板側の層に、局部的に光
学特性が変わった光学特性変性部を有することにより、
入射したレーザ光が上記光学特性変性部で位相差、吸収
、散乱等の作用により、ピット以外の部分と、ピットの
部分との光学的条件、特にレーザ光の反射に大きな違い
が生じ、上記第一の手段と同様に、再生信号の変調度を
大きくとることができる。
Furthermore, in the optical information recording medium according to the second means, by having an optical property modified portion in which the optical properties are locally changed in the layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer in the pit portion,
Due to the effects of phase difference, absorption, scattering, etc. of the incident laser light in the optical property modification part, a large difference occurs in the optical conditions between the part other than the pit and the part of the pit, especially in the reflection of the laser light. Similar to the first method, the degree of modulation of the reproduced signal can be increased.

このように光吸収層に隣接する基板側の層を変形酸は変
化させてピットを形成する光情報記録媒体では、光吸収
層の背後に密着して反射層を設けることができることか
ら、形態的にもCDに近似した層構造を有する光情報記
録媒体が得られ、特に、データを読みとる際の再生信号
がCDフォーマットに適合する記録可能な光111報記
録媒体が容易に得られる。
In optical information recording media in which pits are formed by deforming the layer on the substrate side adjacent to the light-absorbing layer, a reflective layer can be provided closely behind the light-absorbing layer. Also, an optical information recording medium having a layer structure similar to that of a CD can be obtained, and in particular, a recordable optical 111 information recording medium whose reproduction signal when reading data conforms to the CD format can be easily obtained.

[実 施 例コ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。
[Embodiments] Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、第
1図〜第3図に示す。同図において、1は、透光性を有
する基板、2は、その上に形成された光吸収層で、後述
するように、照射されたレーザ光を吸収して発熱すると
共に、融解、蒸発、昇華、変形または変性し、レーザス
ポットが照射された位置にピット5を形成するための層
である。第2図は、レーザ光による記録前の状態を、第
3図は、記録後の状態、すなわち、光学ピックアップ8
からレーザ光7を光吸収層2に収束して照射した時に、
透光性基板1の表面が一部変形及び/または変化し、ピ
ット5が形成された状態を模式的に示す。
Examples of the schematic structure of the optical information recording medium according to the present invention are shown in FIGS. 1 to 3. In the figure, 1 is a light-transmitting substrate, and 2 is a light-absorbing layer formed thereon, which absorbs irradiated laser light and generates heat, and also melts, evaporates, and This layer is sublimated, deformed, or denatured to form pits 5 at the positions irradiated with the laser spot. Figure 2 shows the state before recording with laser light, and Figure 3 shows the state after recording, that is, the optical pickup 8.
When the laser beam 7 is focused and irradiated onto the light absorption layer 2 from
A state in which the surface of the transparent substrate 1 is partially deformed and/or changed and pits 5 are formed is schematically shown.

光吸収層2にレーザ光7を照射したとき、その照射部分
がレーザ光7を吸収して発熱すると共に、同照射部分が
融解、分解し、同時にこれに隣接する層も軟化、融解す
る。そして、上記光吸収WIJ2を構成する成分の一部
が同層と隣接する層に拡散或は粘性流動し、これが光吸
収層2に隣接する透光性基板1側の層の成分と混合し、
部分的に化合する。これに伴って、光吸収層2と隣接す
る層の表面に凸状の変形部分6が形成される。こうした
現象は、例えば、光吸収層2と隣接する一方の層が金y
4層からなる光反射層3であり、隣接する他方の層が樹
脂層からなる透光性基板1である場合には、主として透
光性基板1側で起こり易いが、光吸収層2との界面側の
変形は、光反射W!J3側にも生じることがある。なお
、上記変形部分6は、場合によっては、光吸収FJ2側
に波状の場合もあり、さらには、凹状である場合もある
When the light absorption layer 2 is irradiated with the laser beam 7, the irradiated portion absorbs the laser beam 7 and generates heat, and at the same time, the irradiated portion melts and decomposes, and at the same time, the layer adjacent thereto also softens and melts. Then, a part of the components constituting the light absorption WIJ2 diffuses or viscous flows into the layer adjacent to the same layer, and this mixes with the components of the layer on the transparent substrate 1 side adjacent to the light absorption layer 2,
Partially combined. Accordingly, a convex deformed portion 6 is formed on the surface of the layer adjacent to the light absorption layer 2. This phenomenon can occur, for example, when one layer adjacent to the light absorption layer 2 is made of gold.
In the case where the light reflecting layer 3 is made up of four layers and the other adjacent layer is the light-transmitting substrate 1 made of a resin layer, it tends to occur mainly on the light-transmitting substrate 1 side, but when the light-absorbing layer 2 and the light-absorbing layer 2 The deformation on the interface side is due to light reflection W! This may also occur on the J3 side. Note that the deformed portion 6 may be wavy toward the light absorption FJ2 side, or may be concave in some cases.

透光性基板lは、レーザ光に対する透明度の高い材料で
、耐衝撃性に優れた主として樹脂により形成されたもの
、例えばポリカーボネート板、アクリル板、エポキシ板
等が用いられる。
The transparent substrate 1 is made of a material that is highly transparent to laser light and is mainly made of resin with excellent impact resistance, such as a polycarbonate plate, an acrylic plate, an epoxy plate, or the like.

光吸収WJ2は、上記透光性基板1側から入射したレー
ザ光を吸収して発熱すると共に、融解、分解するもので
、例えば、インドシカ−ポジアニン等のシアニン系色素
を上記基板1のよまたはその上に形成された他の層を介
してスピンコード法等により形成される。反射層3は金
属膜により形成され、例えば、金、銀、銅、アルミニウ
ムあるいはこれらを含む合金膜等により形成される。保
護層4は、透光性基板1と同様の耐衝撃性に優れた樹脂
により形成され、最も一般的には紫外線硬化性樹脂をス
ピンコード法により塗布し、これに紫外線を照射して硬
化させることにより形成される。この他、エポキシ樹脂
、アクリル樹脂、シリコーン系ハードコート樹脂等が一
般に使用される。
The light absorbing WJ2 absorbs the laser beam incident from the transparent substrate 1 side, generates heat, and melts and decomposes. It is formed by a spin code method or the like via another layer formed thereon. The reflective layer 3 is formed of a metal film, for example, gold, silver, copper, aluminum, or an alloy film containing these. The protective layer 4 is formed of a resin with excellent impact resistance similar to that of the transparent substrate 1, and most commonly, an ultraviolet curable resin is applied by a spin code method and cured by irradiating it with ultraviolet rays. It is formed by In addition, epoxy resins, acrylic resins, silicone hard coat resins, etc. are commonly used.

なお、この発明による光情報記録媒体において、上記光
吸収層2の複素屈折率の実数部nabとその膜厚d a
bs 七再生光の波長λとで与えられるρ” n ab
s d sbm/λが0,055/:l≦0゜6であり
、かつ上記複素屈折率の虚部1(absが0.3以下で
あるのが望ましい。これは、上記再生光に対する反射率
を高くするためであり、上記の条件を満足する場合は、
高い反射率が得られ、反射率70%以上というCDフォ
ーマットに定められた規格特性を十分確保できる。
In the optical information recording medium according to the present invention, the real part nab of the complex refractive index of the light absorption layer 2 and its film thickness d a
ρ” n ab given by the wavelength λ of the reproduction light
It is desirable that s d sbm/λ satisfies 0,055/:l≦0゜6, and the imaginary part 1 (abs) of the complex refractive index is 0.3 or less. If the above conditions are satisfied,
A high reflectance can be obtained, and the standard characteristics specified for the CD format, which is a reflectance of 70% or more, can be sufficiently ensured.

第4図〜第8図にレーザ光を照射して形成された上述の
ビット5の状態の例を模式的に示している。
FIGS. 4 to 8 schematically show examples of the states of the above-mentioned bits 5 formed by laser beam irradiation.

第4図は、ビット5の部分において、レーザ光7のスポ
ットを光吸収層2に照射する事により、光吸収層2と隣
接する基板1に変形6が生じた状態を模式的に示してい
る。
FIG. 4 schematically shows a state in which deformation 6 has occurred in the substrate 1 adjacent to the light absorption layer 2 by irradiating the light absorption layer 2 with a spot of laser light 7 at the bit 5 part. .

これをより具体的に説明すると、第4図(a)は、光吸
収JI12にレーザスポットを照射したとき、同層2の
成分が融解、分解されると共に、透光性基板lの上記光
吸収層2との界面側が軟化し、これによって光吸収層2
の成分が透光性基板l側に拡散或は粘性流動することに
より、変形6が形成された場合を模式的に示している。
To explain this more specifically, FIG. 4(a) shows that when the light absorbing JI 12 is irradiated with a laser spot, the components of the same layer 2 are melted and decomposed, and the light absorbing material of the transparent substrate 1 is melted and decomposed. The interface side with layer 2 is softened, and as a result, the light absorption layer 2
This diagram schematically shows a case where a deformation 6 is formed due to the components of 1 being diffused or viscous flowing toward the transparent substrate l.

この変形6の部分は、同時に、光吸収層2の成分が透光
性基板lを構成する材料と局部的に混合し、部分的に化
合することにより、光吸収層2や透光性基板1と光学的
特性が異なるようになった光学特性変性部12であるこ
とが多い。
At the same time, the components of the light-absorbing layer 2 are locally mixed with the material constituting the light-transmitting substrate l, and are partially combined, so that the light-absorbing layer 2 and the light-transmitting substrate l are partially combined. It is often the optical property modification portion 12 that has different optical properties.

例えば、光吸収層2をシアニン系色素で形成し、透光性
基板lをポリカーボネートにより形成した場合、上記光
学特性変性部12の光学的特性は、透光性基板lと若干
界なった値となる。
For example, when the light absorption layer 2 is formed of a cyanine-based dye and the transparent substrate l is formed of polycarbonate, the optical characteristics of the optical property modification portion 12 have values that are slightly different from those of the transparent substrate l. Become.

ビット5を形成するため、そこの光吸収層2にレーザス
ポットを照射すると、その部分で光吸収層2を形成する
成分が局部的に発熱し、融解、分解するため、光吸収層
2の光学特性も局部的に変化するのが通例である。さら
に、こうした現象に伴い、物理的には第4図(b)で示
すように、光吸収層2とこれに隣接する他の層、例えば
光反射層3との界面が剥離し、そこに空隙部lOが形成
されたり、或は光吸収層2の中に気泡が発生し、これが
冷却後にも残存していることがある。
When a laser spot is irradiated onto the light absorption layer 2 in order to form the bit 5, the components forming the light absorption layer 2 locally generate heat, melt, and decompose at that part, so that the optical absorption layer 2 is Characteristics also typically vary locally. Furthermore, as a result of this phenomenon, physically, as shown in FIG. 4(b), the interface between the light absorbing layer 2 and other layers adjacent thereto, such as the light reflecting layer 3, peels off, leaving voids there. Part 1O may be formed, or bubbles may be generated in the light absorption layer 2, and these may remain even after cooling.

上記のような空隙10は、光吸収層2のレーザ光7の入
射する側に隣接する層、例えば基板l側が、光吸収層2
の背後側の層、例えば光反射層3及び保護層4側より比
較的熱変形しやすく、光吸収層2との結着性が、後者が
前者に比べて悪い場合に形成できる。すなわち、このよ
うな光情報記録媒体では、光吸収層2のレーザ光7を照
射したとき、既に述べたようにして光吸収層2にエネル
ギーが発生し、基板1が変形6されると同時に、光吸収
層2の中にガスが発生し、これによって結着性の悪い光
吸収層2とそれに隣接する光反射層3との界面が剥離し
、そこにガスが溜ることによって生じるものと考えられ
る。また、光吸収層2の内部で発生したガスは、気泡1
1となって残有する。
The above-mentioned void 10 is formed by forming a layer adjacent to the side of the light absorption layer 2 on which the laser beam 7 is incident, for example, a layer adjacent to the substrate l side.
It can be formed when the layer behind the layer, for example, the light reflective layer 3 and the protective layer 4, is more easily thermally deformed than the latter, and the latter has poorer adhesiveness with the light absorbing layer 2 than the former. That is, in such an optical information recording medium, when the light absorption layer 2 is irradiated with the laser beam 7, energy is generated in the light absorption layer 2 as described above, and at the same time, the substrate 1 is deformed 6. This is thought to occur because gas is generated in the light absorption layer 2, which causes the interface between the light absorption layer 2 with poor binding properties and the adjacent light reflection layer 3 to separate, and gas to accumulate there. . In addition, the gas generated inside the light absorption layer 2 has bubbles 1
1 and remain.

第4図(C)と(d)は、透光性基板l側の変形6の他
の形状を示すもので、 (C)は、凸状の変形60頂部
が2つに割れた状態を示しており、 (d)は、凹凸が
交互に繰り返される波状の変形6を示している。これら
の場合にも、上記のような空隙部10、気泡11、光学
的変性部I2が形成されることがあり得る。
Figures 4 (C) and (d) show other shapes of the deformation 6 on the transparent substrate l side, and (C) shows a state in which the convex top of the deformation 60 is broken into two. (d) shows a wavy deformation 6 in which unevenness is alternately repeated. In these cases as well, the above-mentioned voids 10, bubbles 11, and optically modified portions I2 may be formed.

第8図は、透光性基板1の表面に形成されたトラッキン
グ手段であるところのプレグルーブ13に沿ってビット
5を形成するため、上記プレグルーブ13に沿って光吸
収層2にCD信号に変調されたレーザスポットを照射し
た後、保護層4と光反射層3を透光性基板1から剥離し
、さらに同基板lの表面から光吸収層2を除去した状態
を模式的に示している。
In FIG. 8, in order to form a bit 5 along a pre-groove 13 which is a tracking means formed on the surface of a transparent substrate 1, a CD signal is applied to a light absorption layer 2 along the pre-groove 13. After irradiation with a modulated laser spot, the protective layer 4 and the light reflection layer 3 are peeled off from the transparent substrate 1, and the light absorption layer 2 is further removed from the surface of the same substrate 1, which is schematically shown. .

さらに、S TM (Scaning Tunneli
ng Microscope)を用いて、上記プレグル
ーブ13に沿う透光性基板lの表面の状態を観察した例
を、第9図に示す。同図では、チップ(探針)14のプ
レグルーブ13に沿う方向、つまりトラッキング方向の
移動距離を横軸にとり、透光性基板lの表面の高度を縦
軸にとって示しである。同図(a)は、ビットの距離が
10000オングストロームと比較的短い場合であり、
ここでは高さ約200オングストロームの凸状の明瞭な
変形6が形成されていることが理解できる。また、同図
(b)は、ビットの距離が40000オングストローム
と比較的長い場合であり、ここでは高さ約200オング
ストロームの凸状の変形6が認められるが、この変形の
中間部がやや低くなっており、変形6の峰が2つに分か
れていることが分かる。
Furthermore, S TM (Scanning Tunneli
FIG. 9 shows an example in which the state of the surface of the transparent substrate l along the pre-groove 13 was observed using a NG Microscope. In the figure, the horizontal axis represents the moving distance of the tip (probe) 14 in the direction along the pregroove 13, that is, the tracking direction, and the vertical axis represents the height of the surface of the transparent substrate l. Figure (a) shows the case where the bit distance is relatively short at 10,000 angstroms.
It can be seen here that a clear convex deformation 6 with a height of about 200 angstroms is formed. In addition, Figure (b) shows the case where the bit distance is relatively long at 40,000 angstroms, and here a convex deformation 6 with a height of about 200 angstroms is recognized, but the middle part of this deformation is slightly lower. It can be seen that the peak of deformation 6 is divided into two.

第5図は、ビット50部分における、光1汲収層2と隣
接する透光性基板1の変形6が、光吸収層2に対し、凹
状に形成されている場合を模式的に示す。
FIG. 5 schematically shows a case where the deformation 6 of the light-transmitting substrate 1 adjacent to the light-absorbing layer 2 in the bit 50 portion is formed in a concave shape with respect to the light-absorbing layer 2.

第5図(a)は、光吸収層2と光反射層3との境界に空
隙IOが形成された場合を示しており、同図(b)は、
上記空隙lOが形成されるのと同時に、光吸収層2の中
に微細な気泡11゜11・・・が分散し、さらに変形6
が形成された透光性基板1に、光吸収層2の分解成分が
拡散し、この成分と透光性基板lを構成する成分とが混
合して、部分的に化合し、光学特性変性部12が形成さ
れている場合を示している。さらに、同図(C)は、上
記空隙10が形成されるのと同時に、基板1と光吸収層
2との間に空隙lO″が形成された場合を示している。
FIG. 5(a) shows a case where a void IO is formed at the boundary between the light absorption layer 2 and the light reflection layer 3, and FIG.
At the same time as the above-mentioned voids 1O are formed, fine bubbles 11°11... are dispersed in the light absorption layer 2, and further deformation 6
The decomposed components of the light-absorbing layer 2 are diffused into the transparent substrate 1 on which the transparent substrate 1 is formed, and this component and the components constituting the transparent substrate 1 are mixed and partially combined, resulting in an optical property modification portion. 12 is formed. Furthermore, FIG. 1C shows a case where a gap lO'' is formed between the substrate 1 and the light absorption layer 2 at the same time as the gap 10 is formed.

第6図は、ビット5における変形6.6′が、光吸収層
2に隣接する双方の層に及んでいる場合を示している。
FIG. 6 shows the case where the deformation 6.6' in bit 5 extends to both layers adjacent to light absorbing layer 2.

こうしたビットは、光吸収層2を挟む両側の層、例えば
基板lと光反射層2及び保護層4との熱変形温度または
硬度がほぼ同等である場合に形成されることが多い。
Such a bit is often formed when the layers on both sides of the light absorbing layer 2, for example, the substrate 1, the light reflecting layer 2, and the protective layer 4, have approximately the same heat deformation temperature or hardness.

第6図(a)では、上記ビット5において、光吸収層2
と基板1との間に空隙lO′が形成された場合を、同図
(b)は、光吸収層2と隣接する基板1及び光反射層3
との間の双方に空隙部10.10’が形成された場合を
、同図(C)は、光吸収層2の中に微細な気泡11,1
1・・・が分散している場合を各々示している。第6図
(d)には、透光性基板lと光反射層3側の変形6.6
′が、何れも光吸収層2側に向かって凸状に形成されて
いる状態を示している。
In FIG. 6(a), in the bit 5, the light absorption layer 2
In the case where a gap lO' is formed between the light absorbing layer 2 and the substrate 1, FIG.
10 and 10' are formed in both the light absorbing layer 2 and
The cases where 1... are dispersed are shown respectively. FIG. 6(d) shows deformation 6.6 of the light-transmitting substrate l and the light-reflecting layer 3 side.
' are both formed in a convex shape toward the light absorption layer 2 side.

さらに第7図は、光吸収層2に対して、レーザ光7が入
射される0111の層に、ビット50部分において他の
部分と光学的特性の変わった光学特性変性部13を育す
る場合である。この変性部13は、必ずレーザ光70入
射側にあり、これが光吸収層2の内部に及ぶことが多い
。この場合、光吸収層2に隣接する層の変形6がみられ
ることがあるが、光学特性変性部13の存在により、変
形が不明瞭であるのが一般的である。
Further, FIG. 7 shows a case in which an optical characteristic modified portion 13 having optical characteristics different from other portions in a bit 50 portion is grown in the layer 0111 on which the laser beam 7 is incident on the light absorption layer 2. be. This modified portion 13 is always located on the laser beam 70 incidence side, and often extends into the interior of the light absorption layer 2. In this case, deformation 6 of the layer adjacent to the light absorption layer 2 may be observed, but the deformation is generally unclear due to the presence of the optical property modification portion 13.

第7図(a)は、光吸収層2に隣接する、例えば基板l
の部分に光学特性変性部13が形成された状態を示し、
同図(b)は、上記基板lから光吸収層2に至って、そ
の厚み方向に光学特性が漸次変化する状態を示している
FIG. 7(a) shows, for example, a substrate l adjacent to the light absorption layer 2.
It shows a state in which the optical property modification part 13 is formed in the part,
FIG. 2B shows a state in which the optical characteristics gradually change in the thickness direction from the substrate 1 to the light absorption layer 2.

こうした各層の変性は、光吸収層2にレーザ光7が照射
されたときに発生する熱の作用により、光吸収層2や他
の層が分解、反応、相互拡散することにより形成される
。従って、このようなピット5は、光吸収層2とこれ?
こ隣接する層とに、こう′した作用を有する材料を選択
したときに形成される。
Such modification of each layer is caused by decomposition, reaction, and interdiffusion of the light absorption layer 2 and other layers due to the action of heat generated when the light absorption layer 2 is irradiated with the laser beam 7. Therefore, such pits 5 are located between the light absorption layer 2 and this?
This is formed when a material having such an effect is selected for the adjacent layer.

さらに、本発明の具体的な実施例1こつぃて、以下に説
明する。
Further, a concrete example 1 of the present invention will be explained below.

(実施例り 表面に幅0.8μmt  深さ0.08am、ピッチ1
.6μmのスパイラル状のプレグルーブ8が形成された
厚さ1. 2mm5  外径120mmφ、内径15m
mφのポリカーボネーjすλ板lを射出成形法により成
形した。このポリカーボネート基板lのロックウェル硬
度ASTMD785は、M2S(鉛筆硬度HBと同等)
であり、熱変形温度ASTM  D648は、4゜6k
g/am’、121’Cであった。
(In the example, the surface has a width of 0.8 μm, a depth of 0.08 am, and a pitch of 1
.. Thickness 1. In which spiral pregroove 8 of 6 μm is formed. 2mm5 Outer diameter 120mmφ, inner diameter 15m
A polycarbonate lambda plate l of mφ was molded by injection molding. The Rockwell hardness ASTM D785 of this polycarbonate substrate is M2S (equivalent to pencil hardness HB)
The heat distortion temperature ASTM D648 is 4°6k
g/am', 121'C.

光吸収WB2を形成するための有機色素として、0.6
5gのl、1′ジブチル3. 3. 3’31テトラメ
チル4. 5. 4’、  5’ ジベンゾインドジカ
ーボシアニンパークロレート(日本感光色素研究所時、
品番NK3219)を、ジアセトンアルコール溶剤10
c cJこ溶解し、これを上記の基板lの表面に、スピ
ンフ−1・法により塗布し、膜厚130nmの光吸収層
2を形成した。
As an organic dye for forming light absorption WB2, 0.6
5g l,1'dibutyl3. 3. 3'31 tetramethyl4. 5. 4', 5' dibenzoindodicarbocyanine perchlorate (Japan Photosensitive Pigment Research Institute,
Product number NK3219) in diacetone alcohol solvent 10
c cJ was dissolved and applied to the surface of the above-mentioned substrate 1 by a spin-free method to form a light absorption layer 2 with a thickness of 130 nm.

次に、このディスクの直径45〜118mmφの領域の
全面にスパッタリング法により、1膜厚80nmのAu
膜を成1模し、反射層3を形成した。さらに、この反射
層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし、これに
紫外線を照射して硬化させ、膜厚lOμmの保護層4を
形成した。この保護層4の硬化後のロックウェル硬度A
STM  D785はM2Oであり、熱変形温度AST
M  D848は、 4.  s+<g、”cm2.1
35℃であった。
Next, a single layer of Au with a thickness of 80 nm was deposited on the entire surface of the disk with a diameter of 45 to 118 mmφ by sputtering.
A reflective layer 3 was formed by copying the film. Furthermore, an ultraviolet curable resin was spin-coded on the reflective layer 3 and cured by irradiating ultraviolet rays to form a protective layer 4 having a thickness of 10 μm. Rockwell hardness A after curing of this protective layer 4
STM D785 is M2O, heat distortion temperature AST
MD848 is: 4. s+<g,"cm2.1
The temperature was 35°C.

こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導
体レーザを線速1.2m/see。
A semiconductor laser with a wavelength of 780 nm was applied to the optical disc thus obtained at a linear velocity of 1.2 m/see.

記録パワー6.0mWで照射し、EFM信号を記録した
。その後、この光ディスクを、市販のCDプレーヤCA
urex  XR−V73、再生光の波長λ=780n
m)で再生したところ、半導体レーザの反射率が72%
、Iz/It。。
Irradiation was performed at a recording power of 6.0 mW, and an EFM signal was recorded. Thereafter, this optical disc is transferred to a commercially available CD player CA.
urex XR-V73, wavelength λ of reproduction light = 780n
m), the reflectance of the semiconductor laser was 72%.
, Iz/It. .

が0.68、I3/Is。。が0.35、ブロックエラ
ーレートBLERが1.2X10−2でありた。
is 0.68, I3/Is. . was 0.35, and the block error rate BLER was 1.2X10-2.

CD規格では、反射率が70%以上、I、1/I、。、
が0.6以上、I3/It。、が0.3〜0゜7、ブロ
ックエラーレートBLERが3XJ0−2以下と定めら
れており、この実施例による光ディスクは、この規格を
満足している。
According to the CD standard, the reflectance is 70% or more, I, 1/I. ,
is 0.6 or more, I3/It. , is defined as 0.3 to 0°7, and the block error rate BLER is defined as 3XJ0-2 or less, and the optical disc according to this embodiment satisfies these standards.

さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層4と光反射
層3とを剥離し、光吸収層2を溶剤で洗浄、除去して、
透光性基板1の表面をSTM (Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、ピットの部分に凸状の変形が見られた。さらに、
基板1の記録部分と未記録部分を分光高度計で測定した
ところ、記録部分では未記録部分で見られた樹脂のピー
クのピーク以外にピークが見られた。
Furthermore, the protective layer 4 and light reflective layer 3 of the optical disc after recording are peeled off, and the light absorbing layer 2 is washed and removed with a solvent.
The surface of the transparent substrate 1 is subjected to STM (Scanning Tube).
When observed with a cutting microscope, a convex deformation was observed in the pit portion. moreover,
When the recorded and unrecorded portions of the substrate 1 were measured using a spectroscopic altimeter, peaks were observed in the recorded portion in addition to the resin peak seen in the unrecorded portion.

(実施例2) 上記実施例Iにおいて、光吸収層2と光反射層3との間
に、エポキシ樹脂をスピンコートシ、膜厚1100nの
硬質層を設けたこと以外は、上記実施例1と同様にして
、光ディスクを製作した。なお、このエポキシ樹脂硬化
後のロックウェル硬度ASTM  D785はM2Oで
あり、熱変形温度ASTM  D648は、4.6kg
/cm’%135℃であった。
(Example 2) Example 1 is the same as Example 1 above, except that a hard layer of 1100 nm thick is provided between the light absorption layer 2 and the light reflection layer 3 by spin-coating an epoxy resin. An optical disc was produced in the same manner. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of this epoxy resin is M2O, and the heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg.
/cm'% was 135°C.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、上記実施例1と
同様の半導体レーザの反射率、再生信号出力特性が得ら
れ、さらにブロックエラーレー)BLERは、3.0×
l0−3であった。
EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When played back on a commercially available CD player, the same reflectivity and playback signal output characteristics of the semiconductor laser as in Example 1 were obtained, and the block error (BLER) was 3.0×.
It was l0-3.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板1の表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、凸状の変形部分6が認められた。この変形部分6
の中間はやや低くなっており、変形の峰が2つに分かれ
ていることが確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm lining microscope, a convex deformed portion 6 was observed. This deformed part 6
It was confirmed that the middle part of the curve is slightly lower, and the peak of deformation is divided into two.

(実施例3) 上記実施例1において、光吸収層2と光反射WJ3との
間であって、光吸収層2の上面に形成するエポキシ樹脂
に代えて厚膜1100nのシリコンアクリル樹脂の硬質
層を設け、この硬質層の上面にエポキシ樹脂からなる2
0nmの結着層をそれぞれスピンコード法により形成し
たこと以外は、上記実施例1と同様にして、光ディスク
を製作した。なお、シリコンアクリル樹脂層の硬化後の
ロックウェル硬度ASTM  D785はMlooであ
り、熱変形温度ASTMD648は、 4. 6kg/
cm2.100°Cであった。
(Example 3) In the above Example 1, instead of the epoxy resin formed on the upper surface of the light absorption layer 2 between the light absorption layer 2 and the light reflection WJ3, a hard layer of silicon acrylic resin with a thickness of 1100 nm is formed. 2 made of epoxy resin is provided on the upper surface of this hard layer.
Optical disks were manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that a 0 nm binding layer was formed by the spin code method. The Rockwell hardness ASTM D785 of the silicon acrylic resin layer after curing is Mloo, and the heat distortion temperature ASTM D648 is 4. 6kg/
cm2.100°C.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
して記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤ
(Aurex  XR−V73、再生光の波長780n
mで1Y生したところ、半導体レーザの反射率が75%
、■目/It1.=が0.63、I3/It。、が0.
35、ブロックエラーレートBLERが2.5XlO°
3であった。
EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was placed in the same CD player as in Example 1 (Aurex XR-V73, with a reproduction light beam of Wavelength 780n
When 1Y was generated at m, the reflectance of the semiconductor laser was 75%.
,■eye/It1. =0.63, I3/It. , is 0.
35. Block error rate BLER is 2.5XlO°
It was 3.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例4) 上記実施例1において、光吸収ff2の上に、光反射n
3として金とアンチモンとの9: 1の割合の合金膜を
真空前着法で形成したこと、及びこの反射層3の上に、
エポキシ樹脂からなる20nmの結着層を介して紫外線
硬化樹脂からなる保護層4を形成したこと以外は、上記
実施例1と同様にして、光ディスクを製作した。なお、
上記光反射層3は、鉛筆硬度としてrHJ以上の硬度を
有する。
(Example 4) In the above Example 1, on the light absorption ff2, the light reflection n
3, an alloy film of gold and antimony in a ratio of 9:1 was formed by a vacuum pre-deposition method, and on this reflective layer 3,
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that the protective layer 4 made of ultraviolet curable resin was formed via a 20 nm binding layer made of epoxy resin. In addition,
The light reflecting layer 3 has a pencil hardness of rHJ or more.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
して記録パワー8.2mWにてEFM信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例1と同じCDプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が72%、I
z/It。。
EFM signals were recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 8.2 mW in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 1. rate is 72%, I
z/It. .

が0.62.Is/It。、が0.32)ブロックエラ
ーレートBLERが3.5XIO−”であった。
is 0.62. Is/It. , was 0.32) and the block error rate BLER was 3.5XIO-''.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling旧croscope)で観察したところ
、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
As a result of observation using an old microscope, the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例5) 上記実施例1において、ポリカーボネート基板1の光入
射側上に紫外線硬化型ハードコート樹脂をスピンコード
し、厚さ1μmの基板保護層を設け、プリグループを設
けた面上に光吸収層2を形成したこと、及びこの光吸収
層2の上に、光反射層3としてイリジウムと金との3=
1の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこ
と以外は、上記実施例1と同様にして、光ディスクを製
作した。なお、上記光反射層3は、鉛筆硬度として「5
H」以上の硬度を有する。
(Example 5) In Example 1 above, an ultraviolet curable hard coat resin was spin-coded on the light incident side of the polycarbonate substrate 1, a substrate protective layer with a thickness of 1 μm was provided, and a light The absorption layer 2 is formed, and on this light absorption layer 2, a light reflection layer 3 of 3= of iridium and gold is formed.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that the alloy film having a ratio of 1:1 was formed by sputtering. The light reflecting layer 3 has a pencil hardness of "5".
It has a hardness of H" or higher.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例1と同じCDプレーヤで再生したところ、半
導体レーザの反射率が70%、f++/It。、が0.
62.13/1top が0.37、ブロックエラーレ
ートBLERが3.7X10−”であった。
EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When reproduced using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 70%, f++/It. , is 0.
62.13/1top was 0.37, and the block error rate BLER was 3.7X10-''.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板1の表面をSTM(Scannlg Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例6) 上記実施例1において、光反射層3を厚さ60%mの銀
膜で形成したこと、その、Lにシリコーン系ハードコー
ト剤をスピンコードし、これを加熱、硬化させて厚み3
μmの硬質保護層4を形成した以外は、上記実施例1と
同様にして、光ディスクを製作した。なお、上記保護層
4は、鉛筆硬度としてrHBJ以上の硬度を有する。
(Example 6) In Example 1 above, the light reflection layer 3 was formed of a silver film with a thickness of 60% m, and a silicone hard coating agent was spin-coded on L, and this was heated and cured. Thickness 3
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above, except that the hard protective layer 4 having a thickness of μm was formed. The protective layer 4 has a pencil hardness equal to or higher than rHBJ.

、こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを
、実施例1と同じCDプレーヤで再生したところ、半導
体レーザの反射率が71%、I++/Itopが0. 
63、I3/lt。−が0.35、ブロックエラーレー
トBLERが2.8X10”であった。
, EFM signals were recorded on the thus obtained optical disk in the same manner as in Example 1, and then this optical disk was played back using the same CD player as in Example 1. When the reflectance of the semiconductor laser was 71%, I++ /Itop is 0.
63, I3/lt. - was 0.35, and the block error rate BLER was 2.8×10''.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nne!ing Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
nne! As a result of observation using a microscopic microscope, the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例7) 上記実施例1において、膜厚50 nmのAu膜を真空
蒸着した光反射層3の上に、ジグリシジルエーテルで希
釈したボリサルフ?イト添加エポキシ樹脂をスピンコー
ドして形成された30%mの結若層を介してシリコーン
系ハードコート剤をスピンコードシ、これを加熱、硬化
させて厚み3μmの硬質保護層4を形成した以外は、上
記実施例1と同様にして、光ディスクを製作した。
(Example 7) In the above Example 1, a 50 nm thick Au film was placed on the light reflection layer 3, which was vacuum-deposited, with Borisulf® diluted with diglycidyl ether. A hard protective layer 4 with a thickness of 3 μm was formed by spin-coding a silicone hard coating agent through a 30% m thick condensed layer formed by spin-coding an epoxy resin containing light, and heating and curing this. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例1と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が72%、夏目/It6.が0.65.
13/l、。。
EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When played back using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 72%, Natsume/It6. is 0.65.
13/l. .

が0.35、ブロックエラーレートBLERが2.5X
10−3であった。
is 0.35, block error rate BLER is 2.5X
It was 10-3.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例8) 上記実施例1において、l、  1’ ジブチル3.3
.3′  3′テトラメチル5.5′ジエトキシインド
ジカーボシアニンアイオダイドを用いて光吸収層2を形
成したこと、光反射層3の」二にエポキシ樹脂からなる
1100nの硬質層を形成し、さらにこの上に紫外線硬
化樹脂を108m設けて、保護層4を形成した以外は、
上記実施例1と同様にして、光ディスクを製作した。
(Example 8) In the above Example 1, l, 1' dibutyl 3.3
.. The light absorption layer 2 was formed using 3'3' tetramethyl 5.5' diethoxy indodicarbocyanine iodide, and the 1100 nm hard layer made of epoxy resin was formed on the second side of the light reflection layer 3. Furthermore, 108 m of ultraviolet curing resin was provided on top of this to form the protective layer 4.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例Iと同じCDプレーヤで再生したところ1 半導
体レーザの反射率が74%、I++/It。、が0. 
68、I3/It。。
EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When reproduced using the same CD player as in Example I, the reflectance of the semiconductor laser was 74%, I++/It. , is 0.
68, I3/It. .

が0.34、ブロックエラーレートBLERが8.3X
10−3であった。
is 0.34, block error rate BLER is 8.3X
It was 10-3.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板1の表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例9) 上記実施例1において、ポリカーボネート】、(板1の
光入射側上に紫外線硬化型ハードコート樹脂をスピンコ
ードし、厚さ1μmの基板保護層を設けたこと以外は、
上記実施例1と同様にして、光ディスクを製作した。
(Example 9) In the above Example 1, except that polycarbonate], (an ultraviolet curable hard coat resin was spin-coded on the light incident side of the plate 1 and a substrate protective layer with a thickness of 1 μm was provided.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例1と同じCDプレーヤで再生したところ、半
導体レーザの反射率が70%、r++/It。、が0.
62.li/I、。、が0.37、ブロックエラーレ−
1−B L ERが1.3X10”であった。
EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When reproduced using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 70%, r++/It. , is 0.
62. li/I,. , is 0.37, block error rate
1-BL ER was 1.3×10”.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例10) 上記実施例1において、光吸収層2と反射層3との間に
、シクロヘキサンに溶解したポリブタジェン樹脂をスピ
ンコードし、厚さ10%mのポリブタジェン樹脂層を設
けたこと以外は、上記実施例1と同様にして、光ディス
クを製作した。
(Example 10) In Example 1 above, except that a polybutadiene resin layer with a thickness of 10% m was provided between the light absorption layer 2 and the reflection layer 3 by spin-coding polybutadiene resin dissolved in cyclohexane. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 1 above.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例1と同じCDプレーヤで再生したところ、半
導体レーザの反射率が72%、I++/It。、が0.
65.13/1、。、が0.35、ブロックエラーレー
トBLERが8.6X10−”であった。
EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc in the same manner as in Example 1, and then this optical disc was
When reproduced using the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 72%, I++/It. , is 0.
65.13/1. , was 0.35, and the block error rate BLER was 8.6X10-''.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例11) 上記実施例1において使用したのと同じポリカーボネー
ト基板1の表面にジイソブチルケトンで溶解したアクリ
ル樹脂をスピンコードし、厚み40 nmの樹脂層(図
示せず)を形成した。
(Example 11) An acrylic resin dissolved in diisobutyl ketone was spin-coded onto the surface of the same polycarbonate substrate 1 used in Example 1 to form a 40 nm thick resin layer (not shown).

この樹脂層のロックウェル硬度ASTM  D785は
、M2Sであり、熱変形温度ASTMD648は、4.
6kg/cm2.100°Cであった。
The Rockwell hardness ASTM D785 of this resin layer is M2S, and the heat distortion temperature ASTM D648 is 4.
6 kg/cm2.100°C.

光吸収層2を形成するための有機色素として、0.6g
の1.1’ ジプロピル、  3. 3. 3’3′テ
トラメチル5.5′ ジメトキシインドジカーボシアニ
ンアイオダイドを、イソプロピルアルコール溶剤10c
cに溶解し、これを上記の基板lの表面に、スピンコー
ド法により塗布し、膜厚120nmの光吸収層2を形成
した。
0.6g as an organic dye for forming the light absorption layer 2
1.1' dipropyl, 3. 3. 3'3'tetramethyl 5.5' dimethoxyindodicarbocyanine iodide was dissolved in isopropyl alcohol solvent 10c.
c and coated on the surface of the above-mentioned substrate l by a spin code method to form a light absorption layer 2 with a thickness of 120 nm.

この光吸収層2の複素屈折率の実数部nabs とその
膜厚d abs と再生光の波長λとで与えられるρ”
nabsdal+s/λは、0.41であり、かつ上記
複素屈折率の虚部k absは0.02であった。
ρ” given by the real part nabs of the complex refractive index of the light absorption layer 2, its film thickness d abs and the wavelength λ of the reproduction light.
nabsdal+s/λ was 0.41, and the imaginary part k abs of the complex refractive index was 0.02.

次に、この上にシクロヘキサンに溶解したシリコンアク
リル樹脂をスピンコードシ、厚さ1100nの硬質層を
形成した。この硬質層は、鉛箪硬度2H,熱変形温度A
STM  D6484.8kg/cm”、120℃であ
った。硬質層の上にスパッタリング法により、膜厚50
nmのAu膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、
この反射層3の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし
、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの保
護層4を形成した。この保護層4の硬化後のロックウェ
ル硬度ASTM  D785はM2Oであり、熱変形温
度ASTM  D648は、4.6 k g / c 
m2,135℃であった。
Next, a silicone acrylic resin dissolved in cyclohexane was spun onto this to form a hard layer having a thickness of 1100 nm. This hard layer has a hardness of 2H and a heat distortion temperature of A.
STM D6484.8kg/cm", 120°C. A film thickness of 50°C was formed on the hard layer by sputtering.
A reflective layer 3 was formed by depositing a nm thick Au film. moreover,
An ultraviolet curable resin was spin-coded on the reflective layer 3 and cured by irradiating ultraviolet rays to form a protective layer 4 with a thickness of 10 μm. The Rockwell hardness ASTM D785 after curing of this protective layer 4 is M2O, and the heat distortion temperature ASTM D648 is 4.6 kg/c.
m2, 135°C.

こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導
体レーザを線速1.2m/5ecs記録パワー7.5m
Wで照射し、EFM信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、実施例1と同じCDプレーヤで再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が74%、I++/It。、
が0.82 、I 3/ I topが0.31、ブロ
ックエラーレートBLERが4.0X10−3であった
A semiconductor laser with a wavelength of 780 nm was applied to the optical disc thus obtained at a linear velocity of 1.2 m/5ecs and a recording power of 7.5 m.
It was irradiated with W and the EFM signal was recorded. Thereafter, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 1, the reflectance of the semiconductor laser was 74%, I++/It. ,
was 0.82, I3/I top was 0.31, and block error rate BLER was 4.0X10-3.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板1の表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例12) 上記実施例1!において、樹脂層の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコートシて、厚み0゜01μmのシリケー
トaを設け、その上に光吸収層2を形成したこと以外は
、上記実施例11と同様にして、光ディスクを製作した
(Example 12) Example 1 above! In the same manner as in Example 11, except that a silicone coating agent was spin-coated on the resin layer to form a silicate a having a thickness of 0°01 μm, and a light absorption layer 2 was formed thereon. Created an optical disc.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例11と同様
にして記録パワー7.8mWにてEFM信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例11と同じCDプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が73%
、I、、/1、。、が0.62)Ia/L。、が0.3
1.  ブロックエラーレートBLERが3.4XlO
−3であった。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.8 mW in the same manner as in Example 11, and
After that, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 11, the reflectance of the semiconductor laser was 73%.
,I,,/1,. , is 0.62) Ia/L. , is 0.3
1. Block error rate BLER is 3.4XlO
-3.

また、上記実施例Iと同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example I above, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例13) 上記実施例11において、基板lとしてガラス基板を用
いたこと、及び反射層の上に、トルエンとメチルエチル
ケトンのl: lの溶剤で溶解したイソシアネート樹脂
をスピンコード法にて形成された厚さ20%mの結着層
を形成したこと以外は、上記実施例itと同様にして、
光ディスクを製作した。
(Example 13) In Example 11 above, a glass substrate was used as the substrate l, and an isocyanate resin dissolved in a l:l solvent of toluene and methyl ethyl ketone was formed on the reflective layer by a spin coding method. In the same manner as in Example IT above, except that a binding layer with a thickness of 20% m was formed.
Created an optical disc.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例11と同様
にして記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例11と同じCDプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が72%
、l、、/1、。、が0.65、la/L0−が0.3
3、ブロックエラーレー)BLERが3.6XIO弓で
あった。
An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 11, and
After that, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 11, the reflectance of the semiconductor laser was 72%.
,l,,/1,. , is 0.65, la/L0- is 0.3
3. Block error rate) BLER was 3.6XIO bow.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板Iの表面をSTM(SCannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1 above, the surface of the transparent substrate I of the optical disc after recording was coated with STM (SCannig Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例14) 上記実施例11において、樹脂層の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコ−1・して、厚み0゜018mのシリケ
ート層を設け、その上に光吸収層2を形成したこと、及
び光反射層3の上に、ポリブタジェンをスピンコード法
にて形成した厚さ20%mの結着層を形成したこと以外
は、上記実施例11と同様にして、光ディスクを製作し
た。
(Example 14) In Example 11 above, a silicate layer with a thickness of 0°018 m was provided on the resin layer by spin-coating a silicone coating agent, and a light absorption layer 2 was formed on the silicate layer. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 11, except that a 20% thick binding layer made of polybutadiene by spin-coding was formed on the light-reflecting layer 3.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例11と同様
にして記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例11と同じCDプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が72%
、lz/1、。、が0.66、Is/It。、が0.3
5、ブロックエラーレートBLERが3.5X]O”で
あった。
An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 11, and
After that, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 11, the reflectance of the semiconductor laser was 72%.
,lz/1,. , is 0.66, Is/It. , is 0.3
5. Block error rate BLER was 3.5X]O''.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板10表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 10 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例15) 上記実施例11において、樹脂層の厚みを20%mとし
たこと、シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反
射層3としてイリジウムと金とのl: 9の割合の合金
膜をスパッタリング法により形成したこと以外は、上記
実施例11と同様にして、光ディスクを製作した。なお
、前記合金1漠の鉛筆硬度は2Hであった。
(Example 15) In Example 11 above, the thickness of the resin layer was 20% m, the silicon acrylic resin layer was not provided, and the reflective layer 3 was an alloy film of iridium and gold at a ratio of l: 9. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 11 above, except that it was formed by sputtering. The pencil hardness of Alloy 1 was 2H.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例11と同様
にして記録パワー7.0mWにでEFM信号を記録し、
その後、この光テ゛イスクを、実施例Ifと同じCDプ
レーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が71
%、I+1/1、。。が0.63、L/Ito−が0.
32)ブロックエラーレー)BLERが3.3XIO−
’であった。
An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 11, and
Thereafter, when this optical disk was played back on the same CD player as in Example If, the reflectance of the semiconductor laser was 71.
%, I+1/1,. . is 0.63, and L/Ito- is 0.
32) Block error rate) BLER is 3.3XIO-
'Met.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例16) 上記実施例!■において、(j(脂層のLに、シリコン
コート剤をスピンコーI・して Ipみ0゜01μmの
シリケート層を設け、その上に光吸収層2を形成したこ
と、シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層
3としてイリジウムと金とのl二〇の割合の合金膜をス
パッタリング法により形成したこと以外は、上記実施例
11と同様にして、光ディスクを製作した。
(Example 16) The above example! In (j), a silicate layer with an Ip diameter of 0°01 μm was formed by spin-coating a silicone coating agent on L of the fat layer, and a light absorption layer 2 was formed on it, and a silicone acrylic resin layer was formed. An optical disk was manufactured in the same manner as in Example 11, except that the reflective layer 3 was formed using an alloy film of iridium and gold in a ratio of 120 by sputtering.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例11と同様
にして記録パワー7.8mWにてEFM信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例11と同じCDプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が71%
、Iz/1、。、が0. 64、Is/ I t。、が
0.32)ブロックエラーレートBLERが2.8X1
0”であった。
An EFM signal was recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.8 mW in the same manner as in Example 11, and
After that, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 11, the reflectance of the semiconductor laser was 71%.
,Iz/1,. , is 0. 64, Is/It. , is 0.32) Block error rate BLER is 2.8X1
It was 0".

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板1の表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例17) 上記実施例11において、シリコンアクリル樹脂層を設
けないこと及び反射層3としてイリジウムと金との1=
9の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこ
と、及び光反射層の上に、ポリイソプレンをスピンコー
1− Lで、厚さ20 nmの結着層を形成し、この上
に紫外線硬化性樹脂製の保護層4を形成したこと以外は
、上記実施例11と同様にして、光ディスクを製作した
(Example 17) In the above Example 11, the silicon acrylic resin layer is not provided and the reflective layer 3 is made of iridium and gold.
9 was formed by sputtering, and on the light reflective layer, a 20 nm thick binding layer of polyisoprene was formed by spin coating 1-L, and on top of this was formed an ultraviolet curable resin. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 11 above, except that the protective layer 4 made of A.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例11と同様
にして記録パワー7.4mWにてEFM信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例11と同じCDプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が72%
、I++/1、。、が0.64.1s/It−eが0.
32)ブロックエラーレートBLERが4. 1X10
−31?あった。
An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in Example 11, and
After that, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 11, the reflectance of the semiconductor laser was 72%.
, I++/1,. , is 0.64.1s/It-e is 0.
32) Block error rate BLER is 4. 1X10
-31? there were.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板1の表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例18) 上記実施例11において、シリコンアクリル樹脂層を設
けないこと及び反射層3として厚さ50%mの銅膜を形
成したこと、及び保護層4としてジグリシジルエーテル
溶剤に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をス
ピンコードして厚さ5μmのエポキシ樹脂層を形成した
こと以外は、上記実施例11と同様にして、光ディスク
を製作した。なお、上記保護層はロックウェル硬度AS
TM  D785がM!10であることから硬質層とし
ての機能を有する。
(Example 18) In Example 11, the silicon acrylic resin layer was not provided, a copper film with a thickness of 50% m was formed as the reflective layer 3, and bisphenol diluted in diglycidyl ether solvent was used as the protective layer 4. An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 11 above, except that a 5 μm thick epoxy resin layer was formed by spin-coding the curable epoxy resin. The above protective layer has a Rockwell hardness of AS.
TM D785 is M! 10, it functions as a hard layer.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例11と同様
に、して記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し
、その後、この光ディスクを、実施例11と同じCDプ
レーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が75
%、I+、/1、。、が0.64.Ia/I*。、が0
.33、ブロックエラーレートBLERが2.9X10
−3であった。
EFM signals were recorded on the optical disk thus obtained at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 11, and then this optical disk was played back using the same CD player as in Example 11. The reflectance of
%,I+,/1,. , is 0.64. Ia/I*. , is 0
.. 33. Block error rate BLER is 2.9X10
-3.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例19) 上記実施例IIにおいて、樹脂層の上に、シリコンコー
ト剤をスピンフ−1−1,て、厚み0゜01μmのシリ
ケート層を設け、その上に光吸収層2を形成したこと、
シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層3と
して厚さ50%mの銅膜を形成したこと、及び保護層4
としてジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノ
ール硬化型エポキシ樹脂をスピンコードして厚さ5μm
のエポキシ樹脂層を形成したこと以外は、上記実施例1
1と同様にして、光ディスクを製作した。
(Example 19) In Example II above, a silicate layer with a thickness of 0.01 μm was provided on the resin layer by spin-firing a silicone coating agent, and a light absorption layer 2 was formed on the silicate layer. ,
No silicon acrylic resin layer was provided, a copper film with a thickness of 50% m was formed as the reflective layer 3, and the protective layer 4
A bisphenol-curing epoxy resin diluted with diglycidyl ether solvent was spin-coded to a thickness of 5 μm.
Example 1 above except that an epoxy resin layer was formed.
An optical disc was manufactured in the same manner as in 1.

こうして得られた光ディスク?こ、上記実施例11と同
様にして記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し
、その後、この光ディスクを、実施例11と同じCDプ
レーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が74
%、I++/1、。、が0.64.夏3/I、。、が0
.33、ブロックエラーレー)BLERが3.5XIO
−3であった。
An optical disc obtained in this way? When an EFM signal was recorded at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 11, and this optical disc was then played back using the same CD player as in Example 11, the reflectance of the semiconductor laser was 74.
%, I++/1,. , is 0.64. Summer 3/I. , is 0
.. 33, block error rate) BLER is 3.5XIO
-3.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板10表面をSTMC5cannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 10 of the optical disc after recording was coated with STMC5cannig Tu.
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例20) 上記実施例11において、アクリル樹脂に発砲剤を混入
し、シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層
3として厚さ50%mの銅膜を真空蒸着法で形成したこ
と、反射層の上に、トルエンとメチルエチルケトンの8
:4の溶剤で溶解したポリ酢酸ビニル樹脂をスピンコー
ドて形成した厚さ20%mの結着層を介して保護層4を
形成したこと、及び保護層4としてジグリシジルエーテ
ル溶剤に希釈したビスフェノール硬化型エボ牛シ樹脂を
スピンコードして厚さ58mのエポキシ樹JJIltJ
mを形成したこと以外は、上記実施例11と同様にして
、光ディスクを製作した。
(Example 20) In Example 11 above, a foaming agent was mixed into the acrylic resin, no silicone acrylic resin layer was provided, and a copper film with a thickness of 50% m was formed by vacuum evaporation as the reflective layer 3. 8 of toluene and methyl ethyl ketone on top of the reflective layer.
: The protective layer 4 was formed via a 20% m thick binding layer formed by spin-coding polyvinyl acetate resin dissolved in the solvent of 4, and bisphenol diluted with diglycidyl ether solvent as the protective layer 4. Epoxy tree JJIltJ with a thickness of 58m made by spin-coding hardened evo-gyushi resin
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 11 above, except for forming m.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例11と同様
にして記録パワー7.4mWにてEFM信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例11と同じCDプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が74%
、I++/1、。、が0.64、Is/I*−が0.3
3、ブロックエラーレートBLERが3.6XIO”で
あった。
An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 7.4 mW in the same manner as in Example 11, and
Thereafter, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 11, the reflectance of the semiconductor laser was 74%.
, I++/1,. , is 0.64, Is/I*- is 0.3
3. The block error rate BLER was 3.6XIO''.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板1の表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例21) 表面に幅0.8μms  深さ0.08μms  ピッ
チ1.6μmのスパイラル状のプレグルーブ8が形成さ
れた厚さ1. 2mm5  外径120mmφ、内径1
6mmφのガラス基板1の上に、光吸収層2を形成する
ためのを機色素として、0.5gの1.1’、  ジプ
ロピル3. 3. 3’31テトラメチル6.5′ジエ
トキシインドジカーポシアニンバークロレートを、ジク
ロロエタン溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板1
の表面に、スピンコード法により塗布し、j膜厚100
 nmの光吸収J152を形成した。
(Example 21) A spiral-shaped pregroove 8 having a width of 0.8 μm, a depth of 0.08 μm, and a pitch of 1.6 μm was formed on the surface with a thickness of 1. 2mm5 Outer diameter 120mmφ, Inner diameter 1
On a glass substrate 1 with a diameter of 6 mm, 0.5 g of 1.1' dipropyl and 3. 3. 3'31 Tetramethyl 6.5' Diethoxyindodicarpocyanine verchlorate was dissolved in 10 cc of dichloroethane solvent, and this was added to the above substrate 1.
was coated on the surface of
nm optical absorption J152 was formed.

次に、このディスクの直径45〜118mmφの領域の
全面にスパッタリング法により、膜厚50nmのAu膜
を成膜し、反射層3を形成した。さらに、この反射層3
の上にメチルエチルケトンで溶解したウレタン樹脂を1
100nの厚みにスピンコードし、緩衝層を形成し、こ
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし、これに紫外
線を照射して硬化させ、膜厚lOμmの保護層4を形成
した。
Next, a reflective layer 3 was formed by depositing an Au film with a thickness of 50 nm on the entire surface of the disk with a diameter of 45 to 118 mm by sputtering. Furthermore, this reflective layer 3
Add 1 urethane resin dissolved in methyl ethyl ketone on top.
This was spin-coded to a thickness of 100 nm to form a buffer layer, and an ultraviolet curable resin was spin-coded thereon and cured by irradiating ultraviolet rays to form a protective layer 4 with a thickness of 10 μm.

こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導
体レーザを線速1.2m/5ecs記録パワー7.2m
Wで照射し、EFM信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、市販のCDプレーヤ(Aurex  XR−
V73、再生光の波長λ=780nm)で再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が77%、I 、、/ I 
t、。
A semiconductor laser with a wavelength of 780 nm was applied to the optical disc thus obtained at a linear velocity of 1.2 m/5ecs and a recording power of 7.2 m.
It was irradiated with W and the EFM signal was recorded. Thereafter, this optical disc is inserted into a commercially available CD player (Aurex
When reproducing with V73 (wavelength of reproducing light λ = 780 nm), the reflectance of the semiconductor laser was 77%, I , , / I
T.

が0.65.1s/1*、−が0.33、ブロックエラ
ーレー)BLERが3.0X10−3であった。
was 0.65.1s/1*, -0.33, block error rate) BLER was 3.0X10-3.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannlg Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
In addition, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例22) 表面に幅0゜8μm1  深さ0.08μm1  ピッ
チ1,6μmのスパイラル状のプレグルーブ8が形成さ
れた厚さ1. 2mm5  外径120mmφ、内径1
5mmφのポリカーボネート基板lを射出成型した。光
吸収Jifi2を形成するための有機色素として、0.
 5gL:J)l、  I’、  ジプロピル3. 3
. 3’、  3’ テトラメチル5.51ジエトキシ
インドジカーポシアニンパークロレートを、イソプロピ
ルアルコール溶剤10cCに溶解し、これを上記の基板
1の表面に、スピンコード法により塗布し、1摸厚11
00nの光吸収層2を形成した。さらにこの上に5iO
eWXを40%mの厚みにスパッタリング法で成膜した
(Example 22) A spiral pregroove 8 having a width of 0°8 μm1, a depth of 0.08 μm1, and a pitch of 1.6 μm was formed on the surface with a thickness of 1.6 μm. 2mm5 Outer diameter 120mmφ, Inner diameter 1
A polycarbonate substrate 1 with a diameter of 5 mm was injection molded. As an organic dye for forming light-absorbing Jifi2, 0.
5gL:J)l, I', dipropyl3. 3
.. 3', 3' Tetramethyl 5.51 diethoxyindodicarpocyanine perchlorate was dissolved in 10 cC of isopropyl alcohol solvent, and this was applied to the surface of the above substrate 1 by a spin code method, so that one sample had a thickness of 11
A light absorption layer 2 of 00n was formed. Furthermore, 5iO on top of this
eWX was deposited to a thickness of 40% m by sputtering.

次に、このディスクの直径45〜118mmφの領域の
全面にスパッタリング法により、11厚50nmのAu
膜を成膜し、反射層3を形成した。さらに、この反射層
3の上にメチルエチルケトンで溶解したウレタン樹脂を
1100nの厚みにスピンコードし、緩衝層を形成し、
この上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードシ、これに紫
外線を照射して硬化させ、膜厚10μmの保護層4を形
成した。
Next, a 50 nm thick layer of Au 11 was deposited on the entire surface of the disk with a diameter of 45 to 118 mmφ using a sputtering method.
A film was formed to form a reflective layer 3. Furthermore, a urethane resin dissolved in methyl ethyl ketone was spin-coded onto the reflective layer 3 to a thickness of 1100 nm to form a buffer layer.
On top of this, an ultraviolet curable resin was spin-coated and cured by irradiating ultraviolet rays to form a protective layer 4 with a thickness of 10 μm.

こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導
体レーザを線速1.2m/5ect記録パワー6.8m
Wで照射し、EFM信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、市販のCDプレーヤ(Aurex  XR−
V73、再生光の波長λ=780nm)で再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が77%、I + +/ l
 to−が0.66、Ia/L0−が0.36、ブロッ
クエラーレートBLERが3.5X10−’であった。
A semiconductor laser with a wavelength of 780 nm was applied to the optical disc thus obtained at a linear velocity of 1.2 m/5ect and a recording power of 6.8 m.
It was irradiated with W and the EFM signal was recorded. Thereafter, this optical disc is inserted into a commercially available CD player (Aurex
When reproducing with V73 (reproduction light wavelength λ = 780 nm), the reflectance of the semiconductor laser was 77%, I + + / l
to- was 0.66, Ia/L0- was 0.36, and block error rate BLER was 3.5×10-'.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例2と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 2 was confirmed.

(実施例23) 上記実施例22において、5iO2111をLPD法に
より形成したこと、及び光吸収層2を形成する際のコー
ティング剤の溶剤としてジオキサン溶剤を用いたこと以
外は、上記実施例22と同様にして、光ディスクを製作
した。
(Example 23) Same as Example 22 above, except that 5iO2111 was formed by the LPD method and dioxane solvent was used as a solvent for the coating agent when forming the light absorption layer 2. and produced an optical disc.

こうして得られた光ディスクに、」二記実施例22と同
様にして記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し
、その後、この光ディスクを、実施例22と同じCDプ
レーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が77
%、I++/1、。、が0.66、Is/I*。、が0
.35、ブロックエラーレートBLERが4.0XIO
−”であった。
EFM signals were recorded on the thus obtained optical disc at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 22, and then this optical disc was played back using the same CD player as in Example 22. The reflectance of
%, I++/1,. , is 0.66, Is/I*. , is 0
.. 35. Block error rate BLER is 4.0XIO
-” was.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板10表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 10 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例24) 上記実施例22において、SiO2膜に代えて、ジグリ
シジルエーテルに溶解したエポキシ樹脂をスピンコード
して、厚さ1100nのエポキシ樹脂層を形成したこと
、反射層3として金とチタンの9: 1の割合による合
金薄膜1mを形成したこと、及び光吸収層2と反射1m
 3との間に、シクロヘキサンに溶解したポリブタジェ
ン樹脂をスピンコードし、厚さ120%mのポリブタジ
ェン樹脂層を設けたこと以外は、上記実施例22と同様
にして、光ディスクを製作した。
(Example 24) In the above Example 22, instead of the SiO2 film, an epoxy resin dissolved in diglycidyl ether was spin-coded to form an epoxy resin layer with a thickness of 1100 nm, and the reflective layer 3 was made of gold and titanium. 9: 1 m of alloy thin film was formed at a ratio of 1, and a light absorbing layer 2 and a reflective layer of 1 m were formed.
An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 22, except that a polybutadiene resin layer dissolved in cyclohexane was spin-coded to form a polybutadiene resin layer with a thickness of 120% m between the disc and the disc.

こうして得られた光ディスクに、」二記実施例22と同
様にして記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し
、その後、この光ディスクを、実施例22と同じCDプ
レーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が74
%、I++/11゜、が0.84、Is/Ir。、が0
.33、ブロックエラーレー)BLERが2.5X10
−3であった。
EFM signals were recorded on the thus obtained optical disk at a recording power of 7.0 mW in the same manner as in Example 22, and then this optical disk was played back using the same CD player as in Example 22. The reflectance of
%, I++/11°, is 0.84, Is/Ir. , is 0
.. 33, block error rate) BLER is 2.5X10
-3.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope, the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例25) 上記実施例22において、5iOall!に代えて、ジ
グリシジルエーテルに溶解したエポキシ樹脂をスピンコ
ードして、厚さ1100nのエポキシ樹脂層を形成した
こと、反射層3として金とチタンの9: lの割合によ
る合金薄膜層を形成したこと、光吸収層2と反射層3と
の間に、シクロヘキサンに溶解したポリブタジェン樹脂
をスピンコードし、厚さ120%mのポリブタジェン樹
脂層を設けたこと、及び光反射層と保護層4との結着性
を高めるため、その間にビスフェノール硬化型エポキシ
樹脂を20%mの厚みにスピンコードしたこと以外は、
」二記実施例22と同様にして、光ディスクを製作した
(Example 25) In the above Example 22, 5iOall! Instead, an epoxy resin layer dissolved in diglycidyl ether was spin-coded to form an epoxy resin layer with a thickness of 1100 nm, and an alloy thin film layer of gold and titanium in a ratio of 9:1 was formed as the reflective layer 3. In particular, a polybutadiene resin layer with a thickness of 120% m was provided between the light absorption layer 2 and the reflective layer 3 by spin-coding polybutadiene resin dissolved in cyclohexane, and the difference between the light reflective layer and the protective layer 4 was Except that a bisphenol-curing epoxy resin was spin-coded to a thickness of 20% in order to improve binding.
An optical disc was produced in the same manner as in Example 22 described in Section 2.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例22と同様
にして記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例22と同じCDプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が74%
、I目/1、。、が0.64、Is/Itopが0.3
3、ブロックエラーレー)BLERが3.0X10弓で
あった。
An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 22, and
After that, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 22, the reflectance of the semiconductor laser was 74%.
,Ith/1,. , is 0.64, Is/Itop is 0.3
3. Block error rate) BLER was 3.0X10 bow.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板1の表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate 1 of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例26) 上記実施例22において、5i0211Nに代えて、ジ
グリシジルエーテルに溶解したエポキシ樹脂をスピンコ
ードして、厚さ1100nのエポキシ樹脂層を形成した
こと、このエポキシ樹脂層と反射層3との間に、シクロ
ヘキサンに溶解したポリオブタジェン樹脂をスピンコー
ドし、厚さ120%mのポリブタジェン樹脂層を設けた
こと、及び保護層の膜厚を5μmとしたこと以外は、上
記実施例22と同様にして、光ディスクを製作した。
(Example 26) In the above Example 22, instead of 5i0211N, an epoxy resin dissolved in diglycidyl ether was spin-coded to form an epoxy resin layer with a thickness of 1100 nm, and this epoxy resin layer and the reflective layer 3 Example 22 except that a polybutadiene resin layer dissolved in cyclohexane was spin-coded to form a polybutadiene resin layer with a thickness of 120% m and the thickness of the protective layer was 5 μm. An optical disc was produced in the same manner.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例22と同様
にして記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例22と同じCDプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が74%
、I、、/1、。、が0.64、Is/h0−が0.3
2)ブロックエラーレートBLERが3.3X10−3
であった。
An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 22, and
After that, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 22, the reflectance of the semiconductor laser was 74%.
,I,,/1,. , is 0.64, Is/h0- is 0.3
2) Block error rate BLER is 3.3X10-3
Met.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例27) 上記実施例22において、5iO211+を形成しない
こと、光吸収層2と反射層3との間に、シクロヘキサン
に溶解したポリブタジェン樹脂をスピンコードし、厚さ
120%mのポリブタジェン樹脂層を設けたこと、反射
層と保護層4との結着性を高めるため、その間にビスフ
ェノール硬化型エポキシ樹脂を20%mの厚みにスピン
コードしたこと、及び保護層の膜厚を5μmとしたこと
以外は、上記実施例22と同様にして、光ディスクを製
作した。
(Example 27) In the above Example 22, 5iO211+ was not formed, and a polybutadiene resin dissolved in cyclohexane was spin-coded between the light absorption layer 2 and the reflection layer 3, and a polybutadiene resin layer with a thickness of 120% m was formed. In order to improve the binding between the reflective layer and the protective layer 4, bisphenol curing epoxy resin was spin-coded to a thickness of 20% m between the reflective layer and the protective layer 4, and the thickness of the protective layer was 5 μm. Except for this, an optical disc was manufactured in the same manner as in Example 22 above.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例22と同様
にして記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例22と同じCDプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が74%
、1.1/1、。、が0.63.1./1.。、が0.
32)ブロックエラーレートBLERが2.8XIO−
3であった。
An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 22, and
After that, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 22, the reflectance of the semiconductor laser was 74%.
,1.1/1,. , is 0.63.1. /1. . , is 0.
32) Block error rate BLER is 2.8XIO-
It was 3.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

(実施例28) 上記実施例22において、上記SiO2膜を形成しない
こと以外は、上記実施例22と同様にして、光ディスク
を製作した。
(Example 28) An optical disc was manufactured in the same manner as in Example 22 above, except that the SiO2 film was not formed.

こうして得られた光ディスクに、上記実施例22と同様
にして記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例22と同じCDプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が77%
、+、、/1、。、が0.66、I3/It。、が0.
35、ブロックエラーレートBLERが1.0XIO−
2であった。
An EFM signal was recorded on the optical disc thus obtained at a recording power of 7.2 mW in the same manner as in Example 22, and
After that, when this optical disc was played back on the same CD player as in Example 22, the reflectance of the semiconductor laser was 77%.
,+,,/1,. , is 0.66, I3/It. , is 0.
35, Block error rate BLER is 1.0XIO-
It was 2.

また、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板lの表面をSTM(Scannig Tu
nneling Microscope)で観察したと
ころ、実施例1と同様の状態が確認された。
Further, in the same manner as in Example 1, the surface of the transparent substrate l of the optical disc after recording was subjected to STM (Scanning Tube).
When observed using a 300 mm ring microscope), the same condition as in Example 1 was confirmed.

[発明の効果コ 以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体によれば、
変調度の高い再生信号が得られるピットが形成できる。
[Effects of the Invention As explained above, according to the optical information recording medium of the present invention,
It is possible to form pits from which a reproduced signal with a high degree of modulation can be obtained.

これにより、CDフォーマットに適合した光情報記録媒
体が容易に得られる効果がある。
This has the effect that an optical information recording medium compatible with the CD format can be easily obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、光情報記録媒体のR4Wの一例を示す模式半
断面斜視図、第2図は、第1図の光情報記録媒体の光記
録前のトラックに沿って断面した部分拡大図、第3図は
、第1図の光情報記録媒体の光記録後のトラックに沿っ
て断面した部分拡大図、第4図〜第7図は、光情報記録
媒体ビットの各側を示すためトラックに沿って断面した
要部断面拡大図、第8図は、記録後の光情報記録媒体の
透光性基板の表面を示す要部拡大斜視図、第9図は、上
記透光性基板の表面をS TM (Scannig T
unneling Microscope)で観察した
ときのチップのトラッキング方向に沿う移動距離と高度
の関係を示すグラフの例である。 l・・・基板 2・・・光吸収層 3・・・光反射層 
4・・・保護層 5・・・ピッ)8.6’・・・変形部
分 10.10’・・・空隙部 11・・・微細な気泡
 12.13・・・光学特性変性部
FIG. 1 is a schematic half-sectional perspective view showing an example of R4W of an optical information recording medium, and FIG. 2 is a partial enlarged view of the optical information recording medium in FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view of the optical information recording medium of FIG. 1 taken along the track after optical recording, and FIGS. 4 to 7 are cross-sectional views taken along the track to show each side of the optical information recording medium bit. FIG. 8 is an enlarged perspective view of the main part showing the surface of the transparent substrate of the optical information recording medium after recording, and FIG. TM (Scannig T
This is an example of a graph showing the relationship between the moving distance of the chip along the tracking direction and the altitude when observed with a rolling microscope. l...Substrate 2...Light absorption layer 3...Light reflection layer
4... Protective layer 5... Beep) 8.6'... Deformed part 10.10'... Void part 11... Fine air bubbles 12.13... Optical property modified part

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)透光性基板の上に直接または他の層を介してレー
ザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接ま
たは他の層を介してレーザ光を反射する光反射層と、レ
ーザ光の照射によってデータを再生するためのピットが
形成されている光情報記録媒体において、上記ピットの
部分の光吸収層と隣接する基板側の層が変形しているこ
とを特徴とする光情報記録媒体。
(1) A light absorption layer that absorbs laser light directly or through another layer on a transparent substrate, and a light reflection layer that reflects laser light directly on the light absorption layer or through another layer. An optical information recording medium in which a layer and pits for reproducing data are formed by irradiation with laser light, characterized in that a layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer in the pit portion is deformed. optical information recording medium.
(2)特許請求の範囲第1項において、上記光吸収層と
隣接する基板側の層の変形が、光吸収層側に凸状の変形
である光情報記録媒体。
(2) The optical information recording medium according to claim 1, wherein the deformation of the layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer is a convex deformation toward the light absorption layer side.
(3)特許請求の範囲第1項において、上記光吸収層と
隣接する基板側の層の変形が、光吸収層側に凹状の変形
である光情報記録媒体。
(3) The optical information recording medium according to claim 1, wherein the deformation of the layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer is a concave deformation toward the light absorption layer side.
(4)特許請求の範囲第1項において、上記光吸収層と
隣接する基板側の層の変形が、波状の変形である光情報
記録媒体。
(4) The optical information recording medium according to claim 1, wherein the layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer is deformed in a wave-like manner.
(5)特許請求の範囲第1項〜第4項に何れかにおいて
、上記ピットの部分の光吸収層と隣接する基板側の層に
、局部的に光学特性が変わった光学特性変性部を有する
光情報記録媒体。
(5) In any one of claims 1 to 4, a layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer in the pit portion has an optical property modified portion where the optical properties are locally changed. Optical information recording medium.
(6)特許請求の範囲第1項〜第5項に何れかにおいて
、上記ピットの部分の光吸収層と同層に隣接する他の層
との界面部分に空隙が形成されている光情報記録媒体。
(6) Optical information recording according to any of claims 1 to 5, in which voids are formed at the interface between the light absorption layer in the pit portion and another layer adjacent to the same layer. Medium.
(7)特許請求の範囲第1項〜第6項に何れかにおいて
、上記ピットの部分の光吸収層に微細な気泡が分散して
いる光情報記録媒体。
(7) An optical information recording medium according to any one of claims 1 to 6, in which fine air bubbles are dispersed in the light absorption layer in the pit portion.
(8)透光性基板の上に直接または他の層を介してレー
ザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接ま
たは他の層を介してレーザ光を反射する光反射層と、レ
ーザ光の照射によってデータを再生するためのピットが
形成されている光情報記録媒体において、上記ピット部
分の光吸収層と隣接する基板側の層に、局部的に光学特
性が変わった光学特性変性部を有することを特徴とする
光情報記録媒体。
(8) A light absorption layer that absorbs laser light directly or through another layer on the transparent substrate, and a light reflection layer that reflects the laser light directly on the light absorption layer or through another layer. In an optical information recording medium in which pits are formed for reproducing data by irradiation with a laser beam, the optical properties of the layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer in the pit area are locally changed. An optical information recording medium characterized by having an optical property modification portion.
(9)特許請求の範囲第8項において、光学特性変性部
は、光吸収層に隣接する基板側の層に、光吸収層の分解
成分が拡散して形成されている光情報記録媒体。
(9) The optical information recording medium according to claim 8, wherein the optical property modification portion is formed by diffusing decomposed components of the light absorption layer into a layer on the substrate side adjacent to the light absorption layer.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02244437A (en) * 1989-12-26 1990-09-28 Tdk Corp Optical recording medium
JPH0366042A (en) * 1989-08-03 1991-03-20 Tdk Corp Optical recording medium
JPH03224792A (en) * 1989-03-03 1991-10-03 Tdk Corp Optical recording medium
US6737143B2 (en) 2001-06-14 2004-05-18 Ricoh Company Ltd. Optical recording medium, optical recording method and optical recording device
US6936323B2 (en) 2003-04-30 2005-08-30 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium, and method and device using the same
US7778145B2 (en) 2004-07-16 2010-08-17 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Optical recording medium and optical recording method of the same
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5755540A (en) * 1980-08-13 1982-04-02 Thomson Csf Heat and light method for writing information and information medium
JPS62281133A (en) * 1986-05-30 1987-12-07 Toshiba Corp Optical disk
JPH0287343A (en) * 1988-09-24 1990-03-28 Taiyo Yuden Co Ltd Optical information recording medium

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5755540A (en) * 1980-08-13 1982-04-02 Thomson Csf Heat and light method for writing information and information medium
JPS62281133A (en) * 1986-05-30 1987-12-07 Toshiba Corp Optical disk
JPH0287343A (en) * 1988-09-24 1990-03-28 Taiyo Yuden Co Ltd Optical information recording medium

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03224792A (en) * 1989-03-03 1991-10-03 Tdk Corp Optical recording medium
JPH0366042A (en) * 1989-08-03 1991-03-20 Tdk Corp Optical recording medium
JPH02244437A (en) * 1989-12-26 1990-09-28 Tdk Corp Optical recording medium
US6737143B2 (en) 2001-06-14 2004-05-18 Ricoh Company Ltd. Optical recording medium, optical recording method and optical recording device
US6936323B2 (en) 2003-04-30 2005-08-30 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium, and method and device using the same
US7778145B2 (en) 2004-07-16 2010-08-17 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Optical recording medium and optical recording method of the same
US8114496B2 (en) 2006-01-13 2012-02-14 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Optical recording medium

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