JPH0216612B2 - - Google Patents
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- JPH0216612B2 JPH0216612B2 JP57107949A JP10794982A JPH0216612B2 JP H0216612 B2 JPH0216612 B2 JP H0216612B2 JP 57107949 A JP57107949 A JP 57107949A JP 10794982 A JP10794982 A JP 10794982A JP H0216612 B2 JPH0216612 B2 JP H0216612B2
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- surface acoustic
- acoustic wave
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一方向性トランスジユーサを備えた
弾性表面波装置に関するものである。
弾性表面波装置に関するものである。
弾性表面波装置は、水晶、LiNbO3(ニオブ酸
リチウム)等の圧電単結晶材料、圧電セラミツク
ス材料又は非圧電基板上に設けられた圧電薄膜材
料等を利用し、この圧電性基板上に形成されたト
ランスジユーサによつて電気信号を弾性表面波に
変換して基板表面を伝播させるように構成したも
のであり、フイルタを初めとし各種の応用がなさ
れている。
リチウム)等の圧電単結晶材料、圧電セラミツク
ス材料又は非圧電基板上に設けられた圧電薄膜材
料等を利用し、この圧電性基板上に形成されたト
ランスジユーサによつて電気信号を弾性表面波に
変換して基板表面を伝播させるように構成したも
のであり、フイルタを初めとし各種の応用がなさ
れている。
第1図はその一例としてフイルタを示すもの
で、1は圧電性基板、2は一対のくし型電極2
A,2Bが交差して成る入力用トランスジユー
サ、3は一対のくし型電極3A,3Bが交差して
成る出力用トランスジユーサで、上記入力用トラ
ンスジユーサ2に加えられた信号源4からの電気
信号は弾性表面波に変換されて上記圧電性基板1
表面を伝播し出力用トランスジユーサ3に到達し
た後、これによつて再び電気信号に変換されて負
荷5から出力されるように構成される。
で、1は圧電性基板、2は一対のくし型電極2
A,2Bが交差して成る入力用トランスジユー
サ、3は一対のくし型電極3A,3Bが交差して
成る出力用トランスジユーサで、上記入力用トラ
ンスジユーサ2に加えられた信号源4からの電気
信号は弾性表面波に変換されて上記圧電性基板1
表面を伝播し出力用トランスジユーサ3に到達し
た後、これによつて再び電気信号に変換されて負
荷5から出力されるように構成される。
ところで第1図の構造のように入出力用トラン
スジユーサ2,3を備えたフイルタにあつては、
これら2個のトランスジユーサ2,3が各々左右
方向に弾性表面波を伝播させるように働きいわゆ
る両方向性トランスジユーサとして動作するため
に、矢印のような入力信号の2分割や、相反性に
よる電気的反射をひき起し挿入損失の増大や多重
反射(TTE)等が発生させるようになつて、フ
イルタとして損失が多くなつてしまう欠点があ
る。
スジユーサ2,3を備えたフイルタにあつては、
これら2個のトランスジユーサ2,3が各々左右
方向に弾性表面波を伝播させるように働きいわゆ
る両方向性トランスジユーサとして動作するため
に、矢印のような入力信号の2分割や、相反性に
よる電気的反射をひき起し挿入損失の増大や多重
反射(TTE)等が発生させるようになつて、フ
イルタとして損失が多くなつてしまう欠点があ
る。
この欠点を除くために圧電性基板1の表面の一
方向のみに弾性表面波を伝播させるように工夫し
たいわゆる一方向性トランスジユーサが提案され
ている。この一方向性トランスジユーサの具体例
としては、第2図のように反射器を用いる構成の
もの、第3図のように120゜移相器を用いる構成の
ものあるいは第4図のように90゜移相器を用いる
構成のものが代表的に知られている。
方向のみに弾性表面波を伝播させるように工夫し
たいわゆる一方向性トランスジユーサが提案され
ている。この一方向性トランスジユーサの具体例
としては、第2図のように反射器を用いる構成の
もの、第3図のように120゜移相器を用いる構成の
ものあるいは第4図のように90゜移相器を用いる
構成のものが代表的に知られている。
このうち第2図のものはくし型電極6A,6B
から成る給電部および反射部を設けると共に共通
電極7を設け、上記給電部6Aに整合回路8を介
して信号源9を接続すると共に反射部6Bに対し
てはリアクタンス回路10を接続し、上記給電部
6Aから左右方向に伝播された弾性表面波のうち
左方向に伝播したものをリアクタンス回路10が
接続された反射部6Bによつて右方向にかつ6A
から右方向に伝播する弾性表面波と同位相となる
ように反射させることにより、弾性表面波を右方
向のみに伝播させるように構成したものである。
から成る給電部および反射部を設けると共に共通
電極7を設け、上記給電部6Aに整合回路8を介
して信号源9を接続すると共に反射部6Bに対し
てはリアクタンス回路10を接続し、上記給電部
6Aから左右方向に伝播された弾性表面波のうち
左方向に伝播したものをリアクタンス回路10が
接続された反射部6Bによつて右方向にかつ6A
から右方向に伝播する弾性表面波と同位相となる
ように反射させることにより、弾性表面波を右方
向のみに伝播させるように構成したものである。
しかしこの反射型トランスジユーサにおいて
は、反射部6Bによる完全反射の条件が用いる弾
表面波の中心周波数0の極く近傍のみに限定され
るために、伝播特性が狭帯域に制限される欠点が
ある。
は、反射部6Bによる完全反射の条件が用いる弾
表面波の中心周波数0の極く近傍のみに限定され
るために、伝播特性が狭帯域に制限される欠点が
ある。
次に第3図のものは各々120゜の位相差をもつた
くし型電極11A,11B,11Cを設け、各電
極11A,11B,11Cに対して120゜移相器1
2を介して信号源9を接続し、各電極11A,1
1B,11Cを各120゜位相が異なつた電気信号で
励振させることにより、弾性表面波を一方向のみ
に伝播させるように構成したものである。
くし型電極11A,11B,11Cを設け、各電
極11A,11B,11Cに対して120゜移相器1
2を介して信号源9を接続し、各電極11A,1
1B,11Cを各120゜位相が異なつた電気信号で
励振させることにより、弾性表面波を一方向のみ
に伝播させるように構成したものである。
しかしこの三相励振型トランスジユーサにおい
ては、位相の異なつた三種類の電極が交差するよ
うに配置させる必要上、立体的な交差部13を設
けなければならないので製造が非常にむずかしい
という欠点がある。
ては、位相の異なつた三種類の電極が交差するよ
うに配置させる必要上、立体的な交差部13を設
けなければならないので製造が非常にむずかしい
という欠点がある。
また第4図のものはくし型電極6A,6Bおよ
び共通電極7を設け、上記給電部6Aおよび6B
に整合回路8を介して信号源9を接続する時特に
反射部6Bに対しては90゜移相器14を介するよ
うにし、両電極6A,6Bを90゜位相が異なつた
電気信号で励振させることにより、弾性表面波を
一方向のみに伝播させるように構成したものであ
る。
び共通電極7を設け、上記給電部6Aおよび6B
に整合回路8を介して信号源9を接続する時特に
反射部6Bに対しては90゜移相器14を介するよ
うにし、両電極6A,6Bを90゜位相が異なつた
電気信号で励振させることにより、弾性表面波を
一方向のみに伝播させるように構成したものであ
る。
しかしこの90゜移相器による一方向性トランス
ジユーサにおいては、一方の電極部(トランスジ
ユーサ)のグループの電極対数をNとすると、両
方のグループ間の距離lが、l=(N+1/4)λ0 (λ0は用いる弾性表面波の中心周波数0の波長)
で表わされることからわかるようにたとえば電極
対数を少なくし広帯域特性を得ようとしたところ
でグループ間の距離lはλ0/4よりかなり大きく
なる。よつて信号が中心周波数0をわずかにずれ
ただけで目的とする方向とは逆の方向にも弾性表
面波を伝播させてしまい狭帯域特性を示すように
なる。
ジユーサにおいては、一方の電極部(トランスジ
ユーサ)のグループの電極対数をNとすると、両
方のグループ間の距離lが、l=(N+1/4)λ0 (λ0は用いる弾性表面波の中心周波数0の波長)
で表わされることからわかるようにたとえば電極
対数を少なくし広帯域特性を得ようとしたところ
でグループ間の距離lはλ0/4よりかなり大きく
なる。よつて信号が中心周波数0をわずかにずれ
ただけで目的とする方向とは逆の方向にも弾性表
面波を伝播させてしまい狭帯域特性を示すように
なる。
本発明は以上の問題に対処してなされたもの
で、弾性体基板上に圧電薄膜が設けられて成る圧
電性基板の上記圧電薄膜上にはシングルフエーズ
トランスジユーサに形成された第1電極、上記弾
性体基板上にはシングルフエーズトランスジユー
サに形成された第2電極が各々設けられ、また上
記圧電薄膜内には平面状に第3電極が設けられ、
この第3電極は上記第1電極および第2電極の間
でかつ両電極からほぼ等しい距離となるような位
置に設けられており、さらに上記第1電極および
第2電極の相対的位置は、弾性表面波の伝播方向
にずらして形成されていることを要旨とする。
で、弾性体基板上に圧電薄膜が設けられて成る圧
電性基板の上記圧電薄膜上にはシングルフエーズ
トランスジユーサに形成された第1電極、上記弾
性体基板上にはシングルフエーズトランスジユー
サに形成された第2電極が各々設けられ、また上
記圧電薄膜内には平面状に第3電極が設けられ、
この第3電極は上記第1電極および第2電極の間
でかつ両電極からほぼ等しい距離となるような位
置に設けられており、さらに上記第1電極および
第2電極の相対的位置は、弾性表面波の伝播方向
にずらして形成されていることを要旨とする。
以下図面を参照して本を目的とするものであ
る。以下図面を参照して本発明実施例を説明す
る。
る。以下図面を参照して本発明実施例を説明す
る。
第5図a,bは本発明実施例による弾性表面波
装置を示す上面図および断面図で、弾性体基板1
5上に圧電薄膜16が設けられて成る圧電性基板
1の上記圧電薄膜16上にはくし型電極17から
成る第1電極、上記弾性体基板15にはくし型電
極18から成る第2電極が各々設けられ、いわゆ
るシングルフエーズトランスジユーサに構成され
て各くし型電極17,18のくし(指)部の電極
幅Wおよび間隔Lはほぼλ0/2に設計される。ま
た上記圧電薄膜16内には平面状に第3電極19
が設けられ、この第3電極19は上記第1電極1
7および第2電極18の間でかつ両電極からほぼ
等しい距離となるような位置に設けられる。
装置を示す上面図および断面図で、弾性体基板1
5上に圧電薄膜16が設けられて成る圧電性基板
1の上記圧電薄膜16上にはくし型電極17から
成る第1電極、上記弾性体基板15にはくし型電
極18から成る第2電極が各々設けられ、いわゆ
るシングルフエーズトランスジユーサに構成され
て各くし型電極17,18のくし(指)部の電極
幅Wおよび間隔Lはほぼλ0/2に設計される。ま
た上記圧電薄膜16内には平面状に第3電極19
が設けられ、この第3電極19は上記第1電極1
7および第2電極18の間でかつ両電極からほぼ
等しい距離となるような位置に設けられる。
さらに上記第1電極17および第2電極18の
相対的位置は、その両者間のずれ寸法dが弾性表
面波の伝播方向にほぼλ0/4となるようにずらし
て形成される。
相対的位置は、その両者間のずれ寸法dが弾性表
面波の伝播方向にほぼλ0/4となるようにずらし
て形成される。
以上の構成において第1電極17と第2電極1
8に対し整合回路8を介して信号源9を接続し特
に第2電極18に対しては90゜移相器14を介し
て接続すると共に、第3電極19を接地電位に接
続すると、第1電極17と第2電極18間には位
相が90゜異なつた信号が加わるので、第1電極1
7および第2電極18の各々と第3電極19との
間にはそれぞれ互いに90゜位相の異なる電界が発
生するようになつて上記第1および第2電極1
7,18を含む各々の領域からそれぞれ90゜位相
の異なる弾性表面波が励振される。
8に対し整合回路8を介して信号源9を接続し特
に第2電極18に対しては90゜移相器14を介し
て接続すると共に、第3電極19を接地電位に接
続すると、第1電極17と第2電極18間には位
相が90゜異なつた信号が加わるので、第1電極1
7および第2電極18の各々と第3電極19との
間にはそれぞれ互いに90゜位相の異なる電界が発
生するようになつて上記第1および第2電極1
7,18を含む各々の領域からそれぞれ90゜位相
の異なる弾性表面波が励振される。
この場合、一方向性トランスジユーサとして動
作させるためには、複数の励振源から発生した弾
性表面波がトランスジユーサを挾んだ2つの領域
の一方で強め合い他方では打ち消すように作用す
ることが条件となるが、この条件は励振源の位置
的な位相差と励振源に加えられる電気的位相差の
和によつて決定される。
作させるためには、複数の励振源から発生した弾
性表面波がトランスジユーサを挾んだ2つの領域
の一方で強め合い他方では打ち消すように作用す
ることが条件となるが、この条件は励振源の位置
的な位相差と励振源に加えられる電気的位相差の
和によつて決定される。
この点で第5図a,bにおいてはその位置的お
よび電気的位相差の和は、一方側Aでは360゜(0゜)
他方側A′では180゜となるので、弾性表面波はA側
のみの一方向に伝播されるようになる。
よび電気的位相差の和は、一方側Aでは360゜(0゜)
他方側A′では180゜となるので、弾性表面波はA側
のみの一方向に伝播されるようになる。
本実施例構造によれば立体的な交差部を設けて
電極を形成する必要がないので製造を簡単にする
ことができる。
電極を形成する必要がないので製造を簡単にする
ことができる。
さらに第1および第2電極17,18間の相対
的位置を電極対数Nに無関係にλ0/4ずらすこと
により、Nが大きい場合従来の90゜移相器を用い
た一方向性トランスジユーサのように信号が中心
周波数0から少しずれただけで弾性表面波の方向
性が大きく劣化してしまうという欠点を除去し広
帯域特性を実現できる。
的位置を電極対数Nに無関係にλ0/4ずらすこと
により、Nが大きい場合従来の90゜移相器を用い
た一方向性トランスジユーサのように信号が中心
周波数0から少しずれただけで弾性表面波の方向
性が大きく劣化してしまうという欠点を除去し広
帯域特性を実現できる。
この構造において、上記第1および第2電極1
7,18を構成している各くし型電極の電極幅W
および間隔Lはほぼλ0/2になつているため、従
来に比べて加工技術の精度が和わらげられる。
7,18を構成している各くし型電極の電極幅W
および間隔Lはほぼλ0/2になつているため、従
来に比べて加工技術の精度が和わらげられる。
したがつて電極間の短絡や電極切れを低減させ
ることができ、特に電気信号を加えるべき第1お
よび第2電極間には圧電薄膜が存在しているため
短絡はほとんど発生しない。特に高周波用トラン
スジユーサの製造が容易となる。また電極幅がほ
ぼλ0/2であるために音響インピーダンスに原因
する弾性表面波の機械的反射を低減することがで
きる。一方電気反射に関しては上述のように一方
向性としたことにより完全に除去できるので、多
重反射を抑圧するにはきわめて有効な手段とな
る。
ることができ、特に電気信号を加えるべき第1お
よび第2電極間には圧電薄膜が存在しているため
短絡はほとんど発生しない。特に高周波用トラン
スジユーサの製造が容易となる。また電極幅がほ
ぼλ0/2であるために音響インピーダンスに原因
する弾性表面波の機械的反射を低減することがで
きる。一方電気反射に関しては上述のように一方
向性としたことにより完全に除去できるので、多
重反射を抑圧するにはきわめて有効な手段とな
る。
第1および第2電極17,18の形状としては
くし型に限らず他の形状例えば第6図のようなス
リツト型とすることができる。
くし型に限らず他の形状例えば第6図のようなス
リツト型とすることができる。
また弾性体基板15として半導体材料を用いる
ことにより電子デバイスと表面波デバイスとの集
積化を計ることができるので、広範囲な用途への
適用が可能となる。さらに圧電薄膜16としては
酸化亜鉛(ZnO)又は窒化アルミニウム(AlN)
を用いると特性上有利である。
ことにより電子デバイスと表面波デバイスとの集
積化を計ることができるので、広範囲な用途への
適用が可能となる。さらに圧電薄膜16としては
酸化亜鉛(ZnO)又は窒化アルミニウム(AlN)
を用いると特性上有利である。
以上説明して明らかなように本発明によれば、
第1および第2電極がシングルフエーズトランス
ジユーサに形成され、従来のように各電極が交差
する構成となるものではないので、各電極幅を広
くでき、製造精度を緩和して歩留りを上げること
ができる。
第1および第2電極がシングルフエーズトランス
ジユーサに形成され、従来のように各電極が交差
する構成となるものではないので、各電極幅を広
くでき、製造精度を緩和して歩留りを上げること
ができる。
また平面状に第3電極が第1電極と第2電極間
に夫々からほぼ等距離となるように配置されてい
るので所望の一方向性特性を得ることができる。
に夫々からほぼ等距離となるように配置されてい
るので所望の一方向性特性を得ることができる。
第1図、第2図、第4図および第3図はいずれ
も従来例を示す上面図および斜視図、第5図a,
bは共に本発明実施例を示す上面図および断面
図、第6図は本発明実施例を示す斜視図である。 8……整合回路、9……信号源、14……90゜
移相器、15……弾性体基板、16……圧電薄
膜、17……第1電極、18……第2電極、19
……第3電極。
も従来例を示す上面図および斜視図、第5図a,
bは共に本発明実施例を示す上面図および断面
図、第6図は本発明実施例を示す斜視図である。 8……整合回路、9……信号源、14……90゜
移相器、15……弾性体基板、16……圧電薄
膜、17……第1電極、18……第2電極、19
……第3電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 弾性体基板上に圧電薄膜が設けられて成る圧
電性基板の上記圧電薄膜上にはシングルフエーズ
トランスジユーサに形成された第1電極、上記弾
性体基板上にはシングルフエーズトランスジユー
サに形成された第2電極が各々設けられ、また上
記圧電薄膜内には平面状に第3電極が設けられ、
この第3電極は上記第1電極および第2電極の間
でかつ両電極からほぼ等しい距離となるような位
置に設けられており、さらに上記第1電極および
第2電極の相対的位置は、弾性表面波の伝播方向
にずらして形成されていることを特徴とする弾性
表面波素子。 2 上記第1電極と第2電極間に加えられる電気
信号が90゜位相差を有することを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の弾性表面波装置。 3 上記第3電極が接地電位に接続されることを
特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載
の弾性表面波装置。 4 上記第1電極と第2電極とが同一形状に形成
されることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃
至第3項のいずれかに記載の弾性表面波装置。 5 上記第1電極および第2電極が幅および各間
隔がλ0/2(λ0は用いる弾性表面波の波長)に設
定された複数の電極指を有することを特徴とする
特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれかに記
載の弾性表面波装置。 6 上記第1電極および第2電極がくし型又はス
リツト型形状から成ることを特徴とする特許請求
の範囲第1項乃至第5項のいずれかに記載の弾性
表面波装置。 7 上記第1電極と第2電極との相対的位置が弾
性表面波の伝播方向にほぼλ0/4ずれていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の弾性表
面波装置。 8 上記弾性体基板が半導体材料から成ることを
特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第7項のい
ずれかに記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10794982A JPS58223911A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 弾性表面波装置 |
GB08316726A GB2123638B (en) | 1982-06-22 | 1983-06-20 | Surface acoustic wave device |
DE19833322310 DE3322310A1 (de) | 1982-06-22 | 1983-06-21 | Oberflaechenschallwellenvorrichtung |
US06/506,569 US4491811A (en) | 1982-06-22 | 1983-06-22 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10794982A JPS58223911A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 弾性表面波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58223911A JPS58223911A (ja) | 1983-12-26 |
JPH0216612B2 true JPH0216612B2 (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=14472131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10794982A Granted JPS58223911A (ja) | 1982-06-22 | 1982-06-22 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58223911A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS596609A (ja) * | 1982-07-02 | 1984-01-13 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54129896A (en) * | 1977-03-26 | 1979-10-08 | Kimio Shibayama | Piezooelectric thin film blind electrode elastic surface wave converter |
-
1982
- 1982-06-22 JP JP10794982A patent/JPS58223911A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54129896A (en) * | 1977-03-26 | 1979-10-08 | Kimio Shibayama | Piezooelectric thin film blind electrode elastic surface wave converter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58223911A (ja) | 1983-12-26 |
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