JPH02162276A - 磁気測定方法及び磁気測定装置 - Google Patents
磁気測定方法及び磁気測定装置Info
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- JPH02162276A JPH02162276A JP11010989A JP11010989A JPH02162276A JP H02162276 A JPH02162276 A JP H02162276A JP 11010989 A JP11010989 A JP 11010989A JP 11010989 A JP11010989 A JP 11010989A JP H02162276 A JPH02162276 A JP H02162276A
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、例えば漏洩磁束探傷法等に使用される磁気2
1−1定方法及び磁気測定装置に関する。
1−1定方法及び磁気測定装置に関する。
[従来の技術]
例えば鋼管や鉄板等に発生する欠陥を検査する方法とし
て、超音波探傷法、渦電流探傷法、漏洩磁束探傷法等が
用いられている。
て、超音波探傷法、渦電流探傷法、漏洩磁束探傷法等が
用いられている。
このうち漏洩磁束探傷法は肉厚鉄板の両面を片面から探
傷可能であること、また鋼管の内外面に発生する欠陥に
対して高い検出感度を(−jすることから比較的広く使
用されている。
傷可能であること、また鋼管の内外面に発生する欠陥に
対して高い検出感度を(−jすることから比較的広く使
用されている。
漏洩磁束探傷法について従来から公知の技術について述
べると、第7図に示すように、磁化ヨーク1に巻装され
た電磁石用コイル2に直流電源3から直流電力を供給し
ている。磁化ヨーク1の上には試験片4が設置され磁化
されるようになっている。そして試験片4に欠陥部5が
あればその欠陥部5から試験片4の外側に磁束の一部が
図中点線で示すように漏洩する。そこで磁気センサ6に
より漏洩磁束を検出して電気信号に変換することによっ
て欠陥部5を間接的に検出する。
べると、第7図に示すように、磁化ヨーク1に巻装され
た電磁石用コイル2に直流電源3から直流電力を供給し
ている。磁化ヨーク1の上には試験片4が設置され磁化
されるようになっている。そして試験片4に欠陥部5が
あればその欠陥部5から試験片4の外側に磁束の一部が
図中点線で示すように漏洩する。そこで磁気センサ6に
より漏洩磁束を検出して電気信号に変換することによっ
て欠陥部5を間接的に検出する。
なお、詳細については非破壊検査便覧(日本非破壊検査
協会編)第■編(P573〜599)を参照。
協会編)第■編(P573〜599)を参照。
ところで欠陥部5から漏洩する磁束密度は第8図に鋼材
表面と磁気センサであるホール素子との距離との関係で
示されているように非常に微弱である。なお、TS9図
は第8図の7111定に使用される鋼材を示すもので、
Wは欠陥幅、dは欠陥の深さを示している。
表面と磁気センサであるホール素子との距離との関係で
示されているように非常に微弱である。なお、TS9図
は第8図の7111定に使用される鋼材を示すもので、
Wは欠陥幅、dは欠陥の深さを示している。
このこと・から漏洩磁束を検出する磁気センサ6として
は、■微少磁界に対する検出感度が高いこと、■磁気セ
ンサの初期バイアス電圧のバラツキが小さいこと、■温
度特性が良好であること、が要求される。
は、■微少磁界に対する検出感度が高いこと、■磁気セ
ンサの初期バイアス電圧のバラツキが小さいこと、■温
度特性が良好であること、が要求される。
しかし現在市販されている磁気センサの微少磁束に対す
る検出感度は第10図に示すように極めて小さい。なお
、図中グラフaは磁気センサとして磁気ダイオードを使
用したものであり、グラフbは磁気抵抗素子を使用した
ものであり、またグラフCはホール素子を使用したもの
である。
る検出感度は第10図に示すように極めて小さい。なお
、図中グラフaは磁気センサとして磁気ダイオードを使
用したものであり、グラフbは磁気抵抗素子を使用した
ものであり、またグラフCはホール素子を使用したもの
である。
また磁気抵抗素子の初期バイアス電圧のバラツキについ
て見ると12個の磁気抵抗素子に対して第11図に示す
バラツキがあり、このため各セン。
て見ると12個の磁気抵抗素子に対して第11図に示す
バラツキがあり、このため各セン。
す毎に初期バイアスを:S!I!Lないと増幅時に飽和
して探傷不能となる場合が発生する。
して探傷不能となる場合が発生する。
さらに第12図に示すように磁気ダイオード7を抵抗8
を介して直流電源9に接続して温度変化特性をΔp1定
したところTs13図に示す特性となり、温度による出
力変化が大きい問題があった。
を介して直流電源9に接続して温度変化特性をΔp1定
したところTs13図に示す特性となり、温度による出
力変化が大きい問題があった。
そこで本発明者は先にこれらの問題を解決できるものと
して可飽和形磁気センサを使用して漏洩磁束探傷を行う
磁気i1?1定装置を提案し出願した。
して可飽和形磁気センサを使用して漏洩磁束探傷を行う
磁気i1?1定装置を提案し出願した。
(実願昭63−50539号)
この基本原理について述べると、第14図に示すように
パルス電流を発生する発振器11に固定インピーダンス
】2と強磁性体コア13に巻回されたコイル14との直
列回路において、発振器11から第15図の(b)に示
すような波形のパルス電流をコイル14に供給したとす
ると、コイル14の両端に発生する電圧は固定インピー
ダンス12の抵抗値Rとコイル14のインピーダンスZ
Sに対応して決定される。すなわち、eQ −e−Zs
/ (R+Zs )で示される。なお、eQはコイル
14の両端電圧、eは発振器11の出力電圧である。
パルス電流を発生する発振器11に固定インピーダンス
】2と強磁性体コア13に巻回されたコイル14との直
列回路において、発振器11から第15図の(b)に示
すような波形のパルス電流をコイル14に供給したとす
ると、コイル14の両端に発生する電圧は固定インピー
ダンス12の抵抗値Rとコイル14のインピーダンスZ
Sに対応して決定される。すなわち、eQ −e−Zs
/ (R+Zs )で示される。なお、eQはコイル
14の両端電圧、eは発振器11の出力電圧である。
そしてコイル14は強磁性体コア13に巻回されている
のでその強磁性体コア13の透磁率に比例してコイル1
4のインピーダンスが変化する。
のでその強磁性体コア13の透磁率に比例してコイル1
4のインピーダンスが変化する。
今、外部磁界を与えるための磁石15を離した状態で、
すなわち外部磁界を加えない状態でコイル14にパルス
電流を流したとすると、第15図の(a)に実線で示す
ように強磁性体コア13のヒステリシス特性によって強
磁性体コア13の透磁率特性は第15図の(c)に示す
ようになる。
すなわち外部磁界を加えない状態でコイル14にパルス
電流を流したとすると、第15図の(a)に実線で示す
ように強磁性体コア13のヒステリシス特性によって強
磁性体コア13の透磁率特性は第15図の(c)に示す
ようになる。
なお、第15図の(a)においてnはコイル巻数、iは
コイル電流である。
コイル電流である。
このためコイル14の両端に発生する出力電圧は第16
図の(a)に示すような波形となる。そして外部磁界を
加えられない状態では波形は正、負対称波形となり、正
方向の電圧v1と負方向の電圧v2は等しくなる。
図の(a)に示すような波形となる。そして外部磁界を
加えられない状態では波形は正、負対称波形となり、正
方向の電圧v1と負方向の電圧v2は等しくなる。
しかし磁石15を第14図中点線で示すようにコイル1
4に近接させると強磁性体コア13を交差する磁束はコ
イル14で発生する磁界と外部磁界との合成磁束となる
。このため強磁性体コア13の磁気特性は第15図の(
a)に点線で示すように上下方向にシフトする。しかし
てコイル14の両端に発生する出力電圧は第16図の(
b)に示すように電圧V、と電圧v2とは等しくならず
v、>v、となる。
4に近接させると強磁性体コア13を交差する磁束はコ
イル14で発生する磁界と外部磁界との合成磁束となる
。このため強磁性体コア13の磁気特性は第15図の(
a)に点線で示すように上下方向にシフトする。しかし
てコイル14の両端に発生する出力電圧は第16図の(
b)に示すように電圧V、と電圧v2とは等しくならず
v、>v、となる。
従ってコイル14の両端に発生する出力電圧の正方向電
圧V、と負方向電圧v2との差を求めることによって間
接的に外部磁界を計A1できることになる。そして外部
磁界は欠陥によっても発生するのでこの基本原理を適用
すれば欠陥を探傷できることになる。
圧V、と負方向電圧v2との差を求めることによって間
接的に外部磁界を計A1できることになる。そして外部
磁界は欠陥によっても発生するのでこの基本原理を適用
すれば欠陥を探傷できることになる。
具体的には第17図に示すようにコイル14の両端に発
生する出力電圧eoを正極性検波器16及び負極性検波
器17にttt給してそれぞれ正方向電圧V、と負方向
7d圧v2を検出し、それぞれに比例する電圧V、 、
V2を加算器18にO(給してVl+(V2)の加算を
行うことによって電圧差V。を求めるようにしている。
生する出力電圧eoを正極性検波器16及び負極性検波
器17にttt給してそれぞれ正方向電圧V、と負方向
7d圧v2を検出し、それぞれに比例する電圧V、 、
V2を加算器18にO(給してVl+(V2)の加算を
行うことによって電圧差V。を求めるようにしている。
この方式を使用1することによって第18図に示すよう
に0〜数ガウスという微少な磁束密度に対して0〜略5
00mVという高い出力電圧V。が得られるようになっ
た。なお、図中a、b、= cの各グラフは従来の磁気
ダイオード、磁気抵抗素子及びホール素子を使用したと
きのもので、第10図のグラ′フa、b、cと対応して
いる。
に0〜数ガウスという微少な磁束密度に対して0〜略5
00mVという高い出力電圧V。が得られるようになっ
た。なお、図中a、b、= cの各グラフは従来の磁気
ダイオード、磁気抵抗素子及びホール素子を使用したと
きのもので、第10図のグラ′フa、b、cと対応して
いる。
[発明が解決しようとする課題]
このように可飽和形磁気センサを漏洩磁束探傷法に使用
すれば、微少磁界に対する検出感度が高いことなどの利
点を奏するが、以下の問題点もある。
すれば、微少磁界に対する検出感度が高いことなどの利
点を奏するが、以下の問題点もある。
すなわち第19図に示すように、電磁石21の電磁石用
コイル22に直流電流を流し探傷材23を磁化すると、
電磁石21で発生した磁界はFT4傷材23が閉磁気回
路となり、主に探傷材23中を磁束が通る。しかし磁化
力(磁化電流)をアップすると、一部の磁束は空気中に
漏洩する。この漏洩磁束は欠陥24が存在するとその部
分の磁気抵抗が増加するのでより多くの磁束が発生する
。
コイル22に直流電流を流し探傷材23を磁化すると、
電磁石21で発生した磁界はFT4傷材23が閉磁気回
路となり、主に探傷材23中を磁束が通る。しかし磁化
力(磁化電流)をアップすると、一部の磁束は空気中に
漏洩する。この漏洩磁束は欠陥24が存在するとその部
分の磁気抵抗が増加するのでより多くの磁束が発生する
。
そこで探傷材23の上にセットした可飽和形磁気センサ
25を矢印で示す方向に走査して欠陥24から発生する
磁束を計測することにより、間接的に欠陥24を検知で
きることになる。
25を矢印で示す方向に走査して欠陥24から発生する
磁束を計測することにより、間接的に欠陥24を検知で
きることになる。
第20図は第19図に示すセンサ25を探傷材23全体
に亙ってセットし電磁石21のコイル22に磁化電流を
供給し、その磁化電流を0〜7Aに変更したときのセン
サ出力電圧を測定したものである。
に亙ってセットし電磁石21のコイル22に磁化電流を
供給し、その磁化電流を0〜7Aに変更したときのセン
サ出力電圧を測定したものである。
この結果から磁化電流がO〜267Aで線形特性が得ら
れるが、約2.7Aの磁束電流では飽和特性を示し、そ
れ以上の磁化電流では磁化電流にλ・tして逆特性を示
し、センサの測定スパンが狭くなる問題があった。そし
てセンサのat+定スパスパンいと漏洩磁束探傷におい
て探傷性能を悪化させるという問題があった。
れるが、約2.7Aの磁束電流では飽和特性を示し、そ
れ以上の磁化電流では磁化電流にλ・tして逆特性を示
し、センサの測定スパンが狭くなる問題があった。そし
てセンサのat+定スパスパンいと漏洩磁束探傷におい
て探傷性能を悪化させるという問題があった。
そこで本発明は可飽和形磁気センサを使用した漏洩磁束
探傷において、磁気センサの測定スパンを拡大し、探傷
性能を向上できる磁気71−1定方法及び磁気ap3定
装蓋装置(Il、 Lようとするものである。
探傷において、磁気センサの測定スパンを拡大し、探傷
性能を向上できる磁気71−1定方法及び磁気ap3定
装蓋装置(Il、 Lようとするものである。
[課題を解決するための手段]
請求項(1)記載の発明は、固定インピーダンスを介し
て強磁性体コアに巻回されたコイルに直流バイアスを加
算したパルス電流を供給し、・コイルの両端に発生する
電圧の直流分レベルにより磁気71−1定を行うことに
ある。、。
て強磁性体コアに巻回されたコイルに直流バイアスを加
算したパルス電流を供給し、・コイルの両端に発生する
電圧の直流分レベルにより磁気71−1定を行うことに
ある。、。
請求項・(2)記載の発明は、強磁性体をコアとするコ
イルとこのコイルと直列に接続された固定インピーダン
スとからなる直列回路と、この直列回路にパルス電流を
供給する発振器と、この発振器から直列回路へのパルス
電流に直流バイアスを加算するバイアス加算手段と、コ
イルの両端に発生する電圧の直流分を検出する直流分検
出手段を設け、直流分検出手段が検出した直流分レベル
により磁気測定を行うものである。
イルとこのコイルと直列に接続された固定インピーダン
スとからなる直列回路と、この直列回路にパルス電流を
供給する発振器と、この発振器から直列回路へのパルス
電流に直流バイアスを加算するバイアス加算手段と、コ
イルの両端に発生する電圧の直流分を検出する直流分検
出手段を設け、直流分検出手段が検出した直流分レベル
により磁気測定を行うものである。
また請求項(3)記載の発明は、さらに直流分検出手段
が検出した直流分レベルを予め設定された基準電圧と比
較し、その差分電圧に応じてバイアス加算手段によって
加算される直流バイアスを可変制御する制御手段を設け
たものである。
が検出した直流分レベルを予め設定された基準電圧と比
較し、その差分電圧に応じてバイアス加算手段によって
加算される直流バイアスを可変制御する制御手段を設け
たものである。
[作用]
請求項(1)及び(2)記載の発明においては、探傷材
に欠陥が無い状態であっても必ずある値の漏洩磁束が発
生するが、磁気センサにパルス電流に直流バイアスを加
算した電流が供給されるので、漏洩磁束が磁気センサと
交差しても磁気センサ内でそれを補償することができる
。これにより磁気センサのa−1定スパンの向上を図っ
ている。
に欠陥が無い状態であっても必ずある値の漏洩磁束が発
生するが、磁気センサにパルス電流に直流バイアスを加
算した電流が供給されるので、漏洩磁束が磁気センサと
交差しても磁気センサ内でそれを補償することができる
。これにより磁気センサのa−1定スパンの向上を図っ
ている。
また請求項(3)記載の発明においては、磁気センサに
流す直流バイアスをコイルの両端に発生する直流分レベ
ルに応じて可変し漏洩磁束の程度に応じて直流バイアス
を可変できる。
流す直流バイアスをコイルの両端に発生する直流分レベ
ルに応じて可変し漏洩磁束の程度に応じて直流バイアス
を可変できる。
次に本発明の基本原理について述べる。
第1図に示すように電磁石21のコイル22に直流電流
を供給して探傷材23を磁化すると、探傷材23に欠陥
が存在しなく、でも一部の磁束φが漏洩して磁気センサ
25と交差し、磁化電流に対して前述した第20図に示
すような出力電圧が磁気センサ25から得られる。
を供給して探傷材23を磁化すると、探傷材23に欠陥
が存在しなく、でも一部の磁束φが漏洩して磁気センサ
25と交差し、磁化電流に対して前述した第20図に示
すような出力電圧が磁気センサ25から得られる。
そこで磁気センサ25に近接して局部磁界を発生する磁
石26を設置する。そしてその磁石26の極性をコイル
22によって発生する磁界の極性と反々・1となるよう
にし、かつ磁界強さの絶対値を等しくすると、磁気セン
サの出力はOvとなり、見掛は上の測定スパンを拡大す
ることができる。
石26を設置する。そしてその磁石26の極性をコイル
22によって発生する磁界の極性と反々・1となるよう
にし、かつ磁界強さの絶対値を等しくすると、磁気セン
サの出力はOvとなり、見掛は上の測定スパンを拡大す
ることができる。
この磁石26の役目を発振器からのパルス電流に加算さ
せる直流バイアスが担うようにしている。
せる直流バイアスが担うようにしている。
すなわち、第2図に示すように、発振器31から出力さ
れる高周波電圧(パルス電流)を加算器32に0(給し
ている。また直流電源33を設け、この直流電源33か
ら直流バイアスを前記加算器32に供給している。
れる高周波電圧(パルス電流)を加算器32に0(給し
ている。また直流電源33を設け、この直流電源33か
ら直流バイアスを前記加算器32に供給している。
前記加算器32は発振器31からの高周波電圧に直流電
源33からの直流バイアスを加算しその合成出力を電力
増幅器34に供給している。前記電力増幅器34で増幅
されて得られる出力を固定インピーダンスである抵抗3
5を介して磁気センサを構成する強磁性体コア36に巻
回されたコイル37に供給している。
源33からの直流バイアスを加算しその合成出力を電力
増幅器34に供給している。前記電力増幅器34で増幅
されて得られる出力を固定インピーダンスである抵抗3
5を介して磁気センサを構成する強磁性体コア36に巻
回されたコイル37に供給している。
この構成においては、磁気センサのコイル37に直流電
流が流れるとコイル37の巻@Hによって直流磁界H−
Nl (AT)が発生する。例えば今磁気センサの上側
がS極であるとする。
流が流れるとコイル37の巻@Hによって直流磁界H−
Nl (AT)が発生する。例えば今磁気センサの上側
がS極であるとする。
次に上側がN極の外部磁石38が矢印方向に移動してそ
の外部磁石38による磁界が交差すると、外部磁石38
による磁界と磁気センサによる磁界が相互に反発して磁
気センサ内を交差する磁界が打ち消される。すなわち磁
気センサのコイル37に直流電流を0(給することは第
3図の(a)に示すように磁気センサの強磁性体コア3
6の磁気特性を実線で示す特性から点線で示すように負
側にシフトさせる。従って磁気センサの出力電圧特性も
第3図の(b)に示す特性から第3図の(c)に示す特
性へと変化する。
の外部磁石38による磁界が交差すると、外部磁石38
による磁界と磁気センサによる磁界が相互に反発して磁
気センサ内を交差する磁界が打ち消される。すなわち磁
気センサのコイル37に直流電流を0(給することは第
3図の(a)に示すように磁気センサの強磁性体コア3
6の磁気特性を実線で示す特性から点線で示すように負
側にシフトさせる。従って磁気センサの出力電圧特性も
第3図の(b)に示す特性から第3図の(c)に示す特
性へと変化する。
このように直流バイアスの印加によって特性を負側にシ
フトして動作点を負側に偏位させる。
フトして動作点を負側に偏位させる。
[実施例]
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第4図に示すように、発振器41から高周波電圧(パル
ス電流)を加算器42に供給するとともに直流電源43
から直流バイアスを加算器42に供給している。前記加
算器42は発振器41からの高周波電圧と直流電源43
からの直流バイアスを加算し、その合成出力を電力増幅
器44に供給している。
ス電流)を加算器42に供給するとともに直流電源43
から直流バイアスを加算器42に供給している。前記加
算器42は発振器41からの高周波電圧と直流電源43
からの直流バイアスを加算し、その合成出力を電力増幅
器44に供給している。
前記型・力増幅器44は・入力された合成電圧を増幅し
、固定インピーダンスとしての抵抗45と強磁性体コア
47に巻回された磁気センサ46のコイル48との直列
接続体に供給している。
、固定インピーダンスとしての抵抗45と強磁性体コア
47に巻回された磁気センサ46のコイル48との直列
接続体に供給している。
前記コイル48の両端に発生する出力電圧を正極性振幅
検波器49及び負極性振幅検波器5oにそれぞれ供給し
ている。そして前記各検波器49゜50からの検波出力
を加算器51に供給して加算し出力電圧voを出力する
ようになっている。
検波器49及び負極性振幅検波器5oにそれぞれ供給し
ている。そして前記各検波器49゜50からの検波出力
を加算器51に供給して加算し出力電圧voを出力する
ようになっている。
なお、前記各検波器49.50及び加算器51は直流分
検出手段を構成するものである。
検出手段を構成するものである。
このような構成の本実施例においては、発振器41から
高周波電圧が加算器42に供給されるとともに直流電源
43がら直流バイアスが加算器42に供給される。しか
して加算器42では高周波電圧に直流バイアスを加算し
て合成電圧を発生し、その合成電圧が電力増幅器44で
増幅されてから抵抗45を介して磁気センサ46に供給
される。
高周波電圧が加算器42に供給されるとともに直流電源
43がら直流バイアスが加算器42に供給される。しか
して加算器42では高周波電圧に直流バイアスを加算し
て合成電圧を発生し、その合成電圧が電力増幅器44で
増幅されてから抵抗45を介して磁気センサ46に供給
される。
こうして磁気センサ46のコイル48の両端には出力電
圧e。が発生し、その電圧e0がそれぞれ検波器49.
50で検出される。そして正極性振幅検波器49ではコ
イル48に発生する出力電圧e。の正71 )f V
+に比例した直流電圧■1を得る。また負極性振幅検波
器50ではコイル48に発生する出力電圧e□の負電圧
v2に比例した直流電圧v2を得る。
圧e。が発生し、その電圧e0がそれぞれ検波器49.
50で検出される。そして正極性振幅検波器49ではコ
イル48に発生する出力電圧e。の正71 )f V
+に比例した直流電圧■1を得る。また負極性振幅検波
器50ではコイル48に発生する出力電圧e□の負電圧
v2に比例した直流電圧v2を得る。
しかしてこの各直流電圧V l、 V 2が加算器5
1に1共給され、V+ + (V2 )”加算が行われ
て出力電圧voが出力されることになる。
1に1共給され、V+ + (V2 )”加算が行われ
て出力電圧voが出力されることになる。
この実施例において直流電源43からの直流ノ(イアス
を直流電流としてその値を01A% 501A%100
鋼A、 150mA、 200s^と変化させたときの
磁気センサ46の磁化電流−出力電圧特性をδ−1定し
たところ第5図に示す結果が得られた。
を直流電流としてその値を01A% 501A%100
鋼A、 150mA、 200s^と変化させたときの
磁気センサ46の磁化電流−出力電圧特性をδ−1定し
たところ第5図に示す結果が得られた。
これからも分るように、磁気センサ46に直流電流を1
00s^供給すると直流電流が0會^のときに比べて線
形特性が得られる範囲が磁化°電流の0〜略4.5Aと
なり約2倍の7111定スパンが得られることになる。
00s^供給すると直流電流が0會^のときに比べて線
形特性が得られる範囲が磁化°電流の0〜略4.5Aと
なり約2倍の7111定スパンが得られることになる。
このように測定スパンを拡大することができるので探傷
性能を向上できる。
性能を向上できる。
そして直流電流を100s^からさらに多くすると測定
スパンは変化しないが磁界強度の測定エリアがシフトす
るようになる。
スパンは変化しないが磁界強度の測定エリアがシフトす
るようになる。
次に本発明の他の実施例を図面を参照して説明する。な
お、前記実施例と同一の部分には同一符号を付して詳細
な説明は省略する。
お、前記実施例と同一の部分には同一符号を付して詳細
な説明は省略する。
これは′v56図に示すように直流電源として出力され
る直流バイアスが可変可能な直流電源43′を設けてい
る。
る直流バイアスが可変可能な直流電源43′を設けてい
る。
また加算器51からの出力電圧■oをローパスフィルタ
52を介して差動増幅器53に供給している。前記差動
増幅器53は入力される出力電圧を基準電圧発生器54
からの基準電圧と比較しその差電圧を前記直流電源43
′に供給している。
52を介して差動増幅器53に供給している。前記差動
増幅器53は入力される出力電圧を基準電圧発生器54
からの基準電圧と比較しその差電圧を前記直流電源43
′に供給している。
前記直流電源43′では差動増幅器53からの電圧に応
じて加算器42に出力する直流バイアスを可変するよう
にしている。
じて加算器42に出力する直流バイアスを可変するよう
にしている。
なお、前記ローパスフィルタ52、差動増幅器53、基
準電圧発生″a54は直流バイアスを可変制御する制御
手段を構成するものである。
準電圧発生″a54は直流バイアスを可変制御する制御
手段を構成するものである。
第4図に示すような構成の本実施例においては、例えば
電磁石の磁化電流を一定に固定しても電磁石と探傷材と
の接触条件や探傷材の厚み等の変動によって探傷材の健
全部における漏洩磁束が変化する。
電磁石の磁化電流を一定に固定しても電磁石と探傷材と
の接触条件や探傷材の厚み等の変動によって探傷材の健
全部における漏洩磁束が変化する。
このため探傷精度を向上させるためには磁気センサ46
の測定スパンの例えば中央に動作点を自動的に補償する
とよい。
の測定スパンの例えば中央に動作点を自動的に補償する
とよい。
そこで第6図に示すような構成を取ることにより、加算
器51の出力電圧によって磁気センサ46の動作点を検
出し、基準電圧発生器54の基準電圧との差電圧を差動
増幅器53で求めて直流電源43′からの直流バイアス
を制御することによって欠陥が無い状態での加算″W5
1の出力電圧v0が常にOvになるように自動的に補償
する。
器51の出力電圧によって磁気センサ46の動作点を検
出し、基準電圧発生器54の基準電圧との差電圧を差動
増幅器53で求めて直流電源43′からの直流バイアス
を制御することによって欠陥が無い状態での加算″W5
1の出力電圧v0が常にOvになるように自動的に補償
する。
このようにすれば測定条件が変化しても常に良好な測定
スパンを確保でき、探傷性能をさらに向上させることが
できる。
スパンを確保でき、探傷性能をさらに向上させることが
できる。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、可飽和形磁気セン
サを使用した漏洩磁束探傷において、磁気センサのlT
11定スパンを拡大し、探傷性能を向上できる磁気Δp
1定方法及び磁気Δp1定装置を提供できるものである
。
サを使用した漏洩磁束探傷において、磁気センサのlT
11定スパンを拡大し、探傷性能を向上できる磁気Δp
1定方法及び磁気Δp1定装置を提供できるものである
。
第1図乃至第3図は本発明の基本原理を説明するための
もので、第1図は構成図、第2図は回路ブロック図、第
3図は特性図、第4図及び第5図は本発明の一実施例を
示すもので、第4図は回路ブロック図、第5図は磁化電
流−出力電圧特性図、第6図は本発明の他の実施例を示
す回路ブロック図、第7図は従来の漏洩磁束探傷法を説
明するための構成図、第8図は第7図における鋼材表面
とホール素子との距離に対する漏れ磁束密度特性を示す
特性図、第9図は第8図の特性を得るための鋼材におけ
る欠陥例を示す図、第10図は従来の各種磁気センサの
磁束密度−出力電圧特性を示す特性図、第11図は従来
の磁気抵抗素子の初期バイアス電圧のバラツキを示すグ
ラフ、第12図は従来の磁気ダイオードの温度−出力電
圧特性をaFJ定するための回路図、第13図は第12
図での温度−出力電圧特性を示す特性図、第14図乃至
第20図は先願を示すもので、第14図は基本原理を説
明するための回路図、第15図は磁気センサのヒステリ
シス特性、透磁率特性及び入力電流を示す図、第16図
は磁気センサの出力波形図、第17図は回路例を示すブ
ロック図、第18図は磁束密度−出力電圧特性を示す特
性図、第19図は構成図、第20図は磁化電流−出力電
圧特性を示す特性図である。 21・・・電磁石、22・・・電磁石用コイル、23・
・・探傷材、24・・・欠陥、 25・・・「−1飽和形磁気センサ、 26・・・局部磁石、 31.41・・・発振器、 32.42・・・加算器、 33.43.43’ ・・・直流電源、35.45・・
・抵抗(固定インピーダンス)46・・・磁気センサ、 36.47・・・強磁性体コア、 37.48・・・コイル、 49・・・正極性振幅検波器、 50・・・負極性振幅検波器、 51・・・加算器、53・・・差動増幅器、54・・・
基準電圧発生器。
もので、第1図は構成図、第2図は回路ブロック図、第
3図は特性図、第4図及び第5図は本発明の一実施例を
示すもので、第4図は回路ブロック図、第5図は磁化電
流−出力電圧特性図、第6図は本発明の他の実施例を示
す回路ブロック図、第7図は従来の漏洩磁束探傷法を説
明するための構成図、第8図は第7図における鋼材表面
とホール素子との距離に対する漏れ磁束密度特性を示す
特性図、第9図は第8図の特性を得るための鋼材におけ
る欠陥例を示す図、第10図は従来の各種磁気センサの
磁束密度−出力電圧特性を示す特性図、第11図は従来
の磁気抵抗素子の初期バイアス電圧のバラツキを示すグ
ラフ、第12図は従来の磁気ダイオードの温度−出力電
圧特性をaFJ定するための回路図、第13図は第12
図での温度−出力電圧特性を示す特性図、第14図乃至
第20図は先願を示すもので、第14図は基本原理を説
明するための回路図、第15図は磁気センサのヒステリ
シス特性、透磁率特性及び入力電流を示す図、第16図
は磁気センサの出力波形図、第17図は回路例を示すブ
ロック図、第18図は磁束密度−出力電圧特性を示す特
性図、第19図は構成図、第20図は磁化電流−出力電
圧特性を示す特性図である。 21・・・電磁石、22・・・電磁石用コイル、23・
・・探傷材、24・・・欠陥、 25・・・「−1飽和形磁気センサ、 26・・・局部磁石、 31.41・・・発振器、 32.42・・・加算器、 33.43.43’ ・・・直流電源、35.45・・
・抵抗(固定インピーダンス)46・・・磁気センサ、 36.47・・・強磁性体コア、 37.48・・・コイル、 49・・・正極性振幅検波器、 50・・・負極性振幅検波器、 51・・・加算器、53・・・差動増幅器、54・・・
基準電圧発生器。
Claims (3)
- (1)固定インピーダンスを介して強磁性体コアに巻回
されたコイルに直流バイアスを加算したパルス電流を供
給し、前記コイルの両端に発生する電圧の直流分レベル
により磁気測定を行うことを特徴とする磁気測定方法。 - (2)強磁性体をコアとするコイルとこのコイルと直列
に接続された固定インピーダンスとからなる直列回路と
、この直列回路にパルス電流を供給する発振器と、この
発振器から前記直列回路へのパルス電流に直流バイアス
を加算するバイアス加算手段と、前記コイルの両端に発
生する電圧の直流分を検出する直流分検出手段を設け、
前記直流分検出手段が検出した直流分レベルにより磁気
測定を行う磁気測定装置。 - (3)強磁性体をコアとするコイルとこのコイルと直列
に接続された固定インピーダンスとからなる直列回路と
、この直列回路にパルス電流を供給する発振器と、この
発振器から前記直列回路へのパルス電流に直流バイアス
を加算するバイアス加算手段と、前記コイルの両端に発
生する電圧の直流分を検出する直流分検出手段と、この
直流分検出手段が検出した直流分レベルを予め設定され
た基準電圧と比較し、その差分電圧に応じて前記バイア
ス加算手段によって加算される直流バイアスを可変制御
する制御手段を設け、前記直流分検出手段が検出した直
流分レベルにより磁気測定を行う磁気測定装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1110109A JP2617571B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 磁気測定装置 |
DE1989618682 DE68918682T2 (de) | 1988-12-15 | 1989-12-15 | Methode zur Messung des magnetischen Flusses und Gerät zur Anwendung dieser Methode. |
EP19890123276 EP0376095B1 (en) | 1988-12-15 | 1989-12-15 | Magnetic flux measuring method and apparatus for embodying the same |
US08/389,979 US5537038A (en) | 1988-12-15 | 1995-02-14 | Magnetic flux measuring method and apparatus for detecting high frequency components of magnetic flux with high speed orientation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1110109A JP2617571B2 (ja) | 1989-04-28 | 1989-04-28 | 磁気測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02162276A true JPH02162276A (ja) | 1990-06-21 |
JP2617571B2 JP2617571B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=14527275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1110109A Expired - Fee Related JP2617571B2 (ja) | 1988-12-15 | 1989-04-28 | 磁気測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2617571B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06294850A (ja) * | 1993-04-06 | 1994-10-21 | Nippon Hihakai Keisoku Kenkyusho:Kk | 微弱磁気測定方法及びその装置並びにそれを用いた非破壊検査方法 |
CN106525956A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-03-22 | 贵州大学 | 快速检测钢件表面渗碳层网状碳化物组织的方法及装置 |
CN106596707A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-04-26 | 贵州大学 | 快速检测钢件表面渗氮层脉网状组织的方法及装置 |
CN106596706A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-04-26 | 贵州大学 | 快速简便检测钢件表面渗层网状组织的方法及装置 |
CN106596708A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-04-26 | 贵州大学 | 快速检测钢件表面碳氮共渗网状组织的方法及装置 |
CN106645381A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-05-10 | 贵州大学 | 快速检测钢件网状碳化物组织的方法及装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5127452A (ja) * | 1974-08-29 | 1976-03-08 | Mishima Kosan Co Ltd | |
JPS5565165A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | Angle sensor |
-
1989
- 1989-04-28 JP JP1110109A patent/JP2617571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5127452A (ja) * | 1974-08-29 | 1976-03-08 | Mishima Kosan Co Ltd | |
JPS5565165A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | Angle sensor |
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---|---|---|---|---|
JPH06294850A (ja) * | 1993-04-06 | 1994-10-21 | Nippon Hihakai Keisoku Kenkyusho:Kk | 微弱磁気測定方法及びその装置並びにそれを用いた非破壊検査方法 |
CN106525956A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-03-22 | 贵州大学 | 快速检测钢件表面渗碳层网状碳化物组织的方法及装置 |
CN106596707A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-04-26 | 贵州大学 | 快速检测钢件表面渗氮层脉网状组织的方法及装置 |
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CN106596708A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-04-26 | 贵州大学 | 快速检测钢件表面碳氮共渗网状组织的方法及装置 |
CN106645381A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-05-10 | 贵州大学 | 快速检测钢件网状碳化物组织的方法及装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2617571B2 (ja) | 1997-06-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |