JPH02162240A - 微粒子検出装置における光源の光出力制御装置 - Google Patents
微粒子検出装置における光源の光出力制御装置Info
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- JPH02162240A JPH02162240A JP63317880A JP31788088A JPH02162240A JP H02162240 A JPH02162240 A JP H02162240A JP 63317880 A JP63317880 A JP 63317880A JP 31788088 A JP31788088 A JP 31788088A JP H02162240 A JPH02162240 A JP H02162240A
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、流体中のゴミ、煙等の微粒子を光学系を利用
して検出する微粒子検出装置における光源の光出力制御
装置に関する。
して検出する微粒子検出装置における光源の光出力制御
装置に関する。
(従来の技術)
光源からの光を集光レンズを介して暗箱内の検出部位に
集光し、検出部位を流れる空気、液体等の試料流体中の
微粒子からの散乱光を受光素子で検出するようにした微
粒子検出装置がある。
集光し、検出部位を流れる空気、液体等の試料流体中の
微粒子からの散乱光を受光素子で検出するようにした微
粒子検出装置がある。
(発明が解決しようとする課題)
この種の装置では、光源に赤外発光ダイオード、レーザ
ーダイオード等を使用しているが、長期にわたって使用
した場合、特性の劣化により光出力が変化するため、検
出部位の光量が低下する欠点があった。
ーダイオード等を使用しているが、長期にわたって使用
した場合、特性の劣化により光出力が変化するため、検
出部位の光量が低下する欠点があった。
また集光レンズにも曇りが発生するため、同様に検出部
位における光量の低下の原因となっていた。
位における光量の低下の原因となっていた。
本発明は、かかる従来の課題に檻み、光源の劣化、集光
レンズの曇り等に起因する検出部位の光量の低下を防止
することを目的とする。
レンズの曇り等に起因する検出部位の光量の低下を防止
することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、そのための手段として、光源13からの光を
集光レンズ15を介して暗箱4内の検出部位6に集光し
、検出部位6に流れる試料流体中の微粒子からの散乱光
を受光素子24で検出するようにした微粒子検出装置に
おいて、集光レンズ15に対して光源13と反対側で該
光源13からの光量を検出する光センサ24を設け、こ
の先センサ24からの信号を設定値と比較して両者が等
しくなるように光源13の光出力を制御する制御手段3
9を設けたものである。
集光レンズ15を介して暗箱4内の検出部位6に集光し
、検出部位6に流れる試料流体中の微粒子からの散乱光
を受光素子24で検出するようにした微粒子検出装置に
おいて、集光レンズ15に対して光源13と反対側で該
光源13からの光量を検出する光センサ24を設け、こ
の先センサ24からの信号を設定値と比較して両者が等
しくなるように光源13の光出力を制御する制御手段3
9を設けたものである。
(作 用)
光源13の特性の劣化、集光レンズ15の曇り等によっ
て検出部位6の光量が低下すると、光センサ29の検出
信号が下がるので、基準信号との偏差が大となり、制御
手段39が光源13の光出力を増加させる。これによっ
て検出部位6の光量を常に略−定に制御できる。
て検出部位6の光量が低下すると、光センサ29の検出
信号が下がるので、基準信号との偏差が大となり、制御
手段39が光源13の光出力を増加させる。これによっ
て検出部位6の光量を常に略−定に制御できる。
(実施例)
以下、図示の実施例について本発明を詳述すると、第2
図及び第3図において、1は検出装置のケースであり、
このケース1の内部には取付板2と回路基板3とが設け
られている。4は取付板2に装着された暗箱で、内部空
間が暗室5となっている。暗箱4には、その暗室5内の
検出部位6に試料空気が下側から上側へ向かって流れる
ように、下部に空気取入ロアが、上部に空気吐出口8が
夫々形成されている。そして空気取入ロアには空気取入
ダクト9が、空気吐出口8には空気吐出ダクト10が夫
々接続されている。この各ダクト9.10は断面角筒状
であって、外部の光が暗室5内に入り難(なるように4
箇所の屈曲部で屈曲した鉤状に形成され、かつ取付板2
に沿って左右方向に長く形成されている。また試料空気
が対流によって流通するように、空気取入ダクト9の取
入口側、及び空気吐出ダク)10の吐出口側に夫々抵抗
器から成るヒーター11.12が設けられている。
図及び第3図において、1は検出装置のケースであり、
このケース1の内部には取付板2と回路基板3とが設け
られている。4は取付板2に装着された暗箱で、内部空
間が暗室5となっている。暗箱4には、その暗室5内の
検出部位6に試料空気が下側から上側へ向かって流れる
ように、下部に空気取入ロアが、上部に空気吐出口8が
夫々形成されている。そして空気取入ロアには空気取入
ダクト9が、空気吐出口8には空気吐出ダクト10が夫
々接続されている。この各ダクト9.10は断面角筒状
であって、外部の光が暗室5内に入り難(なるように4
箇所の屈曲部で屈曲した鉤状に形成され、かつ取付板2
に沿って左右方向に長く形成されている。また試料空気
が対流によって流通するように、空気取入ダクト9の取
入口側、及び空気吐出ダク)10の吐出口側に夫々抵抗
器から成るヒーター11.12が設けられている。
13は赤外発光ダイオード等の光源で、光源ケース14
を介して取付板2に装着されている。15は集光レンズ
で、暗箱4の開口に位置すべく光源ケース14の先端に
取付けられており、この集光レンズ15には光源13か
らの光が検出部位6で集光するような焦点距離を有する
ものが使用されている。16は射光器で、暗箱4の光′
tA13と対向する対向壁面側で光源13の光軸17上
に配置されており、密閉容器状に構成されている。射光
器16は第4図に示すように正面視において前部側から
後部側に向かって光軸17方向に先細り状に形成された
射光空間1日を有する射光器本体19を備え、この射光
器本体19の前面壁20に入射用の開口部21が光軸1
7と同心状に形成されている。また射光空間18を形成
する上下の内壁面22.23は、開口部21から入射す
る光の入射角θが90°以下となるように光軸17に対
して傾斜して設けられ、またこの上下の内壁面22.2
3は光軸17上で鋭角状に交差し連結されている。また
射光器16は上下の内壁面22.23を含む全面が黒色
に塗装されており、光吸収性を有するように形成されて
いる。なお、上下の内壁面22.23を含む全ての内壁
面に光吸収性物質を塗布しても良い。
を介して取付板2に装着されている。15は集光レンズ
で、暗箱4の開口に位置すべく光源ケース14の先端に
取付けられており、この集光レンズ15には光源13か
らの光が検出部位6で集光するような焦点距離を有する
ものが使用されている。16は射光器で、暗箱4の光′
tA13と対向する対向壁面側で光源13の光軸17上
に配置されており、密閉容器状に構成されている。射光
器16は第4図に示すように正面視において前部側から
後部側に向かって光軸17方向に先細り状に形成された
射光空間1日を有する射光器本体19を備え、この射光
器本体19の前面壁20に入射用の開口部21が光軸1
7と同心状に形成されている。また射光空間18を形成
する上下の内壁面22.23は、開口部21から入射す
る光の入射角θが90°以下となるように光軸17に対
して傾斜して設けられ、またこの上下の内壁面22.2
3は光軸17上で鋭角状に交差し連結されている。また
射光器16は上下の内壁面22.23を含む全面が黒色
に塗装されており、光吸収性を有するように形成されて
いる。なお、上下の内壁面22.23を含む全ての内壁
面に光吸収性物質を塗布しても良い。
24はホトトランジスタ等の受光素子で、光軸17に対
して約35°傾斜して取付板2に装着された受光ケース
25内に収められており、また受光ケース25の先端に
は、検出部位6が焦点となるように集光レンズ26が取
付けられている。従って、受光素子24は検出部位6を
流れる試料空気中に微粒子があれば、集光レンズ26を
介してその散乱光を検出可能である。なお、ケース1に
は各ダクト9.10に対応して通気孔27.28が夫々
設けられている。
して約35°傾斜して取付板2に装着された受光ケース
25内に収められており、また受光ケース25の先端に
は、検出部位6が焦点となるように集光レンズ26が取
付けられている。従って、受光素子24は検出部位6を
流れる試料空気中に微粒子があれば、集光レンズ26を
介してその散乱光を検出可能である。なお、ケース1に
は各ダクト9.10に対応して通気孔27.28が夫々
設けられている。
29はフォトトランジスタ等の光センサで、集光レンズ
15に対して光源13と反対側で光源13からの光量を
検出するように、射光器16の開口部21に斜め方向か
ら対向すべく暗箱4側に取付けられており、開口部21
に入射する光量を検出できるようになっている。
15に対して光源13と反対側で光源13からの光量を
検出するように、射光器16の開口部21に斜め方向か
ら対向すべく暗箱4側に取付けられており、開口部21
に入射する光量を検出できるようになっている。
受光素子24は、第1図に示すように、増幅器30を介
して波形整形器31に接続される。波形整形器31は、
増幅器30からの出力信号〔第5図のQ〕を所定レベル
を基準としてパルス信号(第5図の0〕に波形整形する
ようになっている。32はマイクロコンピュータの中央
処理装置で、波形整形器31からのパルス信号を読込ん
でカウントすると共に、そのカウント値を基に絶対評価
又は相対評価を行ない、表示部33及び制御出力部34
に夫々出力を出すようになっている。絶対評価は空気中
の微粒子が零の時を基準として、試料空気中の微粒子の
数を判断するものであり、相対評価は当初に試料空気中
の微粒子の数を測定し、その測定値を基準として増加又
は減少した微粒子の数を判断するものであり、これらの
モード切換えは操作部35で行なうようになっている。
して波形整形器31に接続される。波形整形器31は、
増幅器30からの出力信号〔第5図のQ〕を所定レベル
を基準としてパルス信号(第5図の0〕に波形整形する
ようになっている。32はマイクロコンピュータの中央
処理装置で、波形整形器31からのパルス信号を読込ん
でカウントすると共に、そのカウント値を基に絶対評価
又は相対評価を行ない、表示部33及び制御出力部34
に夫々出力を出すようになっている。絶対評価は空気中
の微粒子が零の時を基準として、試料空気中の微粒子の
数を判断するものであり、相対評価は当初に試料空気中
の微粒子の数を測定し、その測定値を基準として増加又
は減少した微粒子の数を判断するものであり、これらの
モード切換えは操作部35で行なうようになっている。
なお、中央処理装置32はホストコンピュータに接続さ
れ、ホストコンピュータにより集中管理されている。
れ、ホストコンピュータにより集中管理されている。
36は比較器で、光センサ29からの検出信号と設定器
37で設定された基準信号とを比較して、その偏差信号
により電流制御器38を駆動するように構成されている
。電流制御器38は光源13に流れる電流を調整して光
源13の光出力を制御するものである。そして、これら
比較器36、電流制御器38等により制御手段39が構
成され、これによって光センサ29の検出信号と設定器
37の基準信号とが等しくなるように光源13の光出力
を制御する。40はA/D変換器で、比較器36の偏差
信号を^/D変換して中央処理装置32にフィードバッ
クする。
37で設定された基準信号とを比較して、その偏差信号
により電流制御器38を駆動するように構成されている
。電流制御器38は光源13に流れる電流を調整して光
源13の光出力を制御するものである。そして、これら
比較器36、電流制御器38等により制御手段39が構
成され、これによって光センサ29の検出信号と設定器
37の基準信号とが等しくなるように光源13の光出力
を制御する。40はA/D変換器で、比較器36の偏差
信号を^/D変換して中央処理装置32にフィードバッ
クする。
上記構成において、光源13より光軸17方向に出力さ
れた光は、集光レンズ15により集光され、暗箱4内の
検出部位6に集中する。一方、ヒーター1.1.12を
発熱させると、これによって空気が加熱されるので、対
流が発生し、第2図に示すように外部の空気が試料空気
として空気取入ダクト9がら暗箱4内に取入れられると
共に、暗箱4内の試料空気が空気吐出ダクト10を経て
外部へと吐出される。このため検出部位6に下から上へ
と試料空気が流れるので、試料空気中に微粒子があれば
、光源13からの光が微粒子に当って散乱し、その散乱
光が集光レンズ26を介して受光素子24に集光されて
入射する。
れた光は、集光レンズ15により集光され、暗箱4内の
検出部位6に集中する。一方、ヒーター1.1.12を
発熱させると、これによって空気が加熱されるので、対
流が発生し、第2図に示すように外部の空気が試料空気
として空気取入ダクト9がら暗箱4内に取入れられると
共に、暗箱4内の試料空気が空気吐出ダクト10を経て
外部へと吐出される。このため検出部位6に下から上へ
と試料空気が流れるので、試料空気中に微粒子があれば
、光源13からの光が微粒子に当って散乱し、その散乱
光が集光レンズ26を介して受光素子24に集光されて
入射する。
受光素子24が散乱光を受光すると、受光時に出力信号
のレベルが立上がり、第5図Qに示すように変化する。
のレベルが立上がり、第5図Qに示すように変化する。
そして、この出力信号を増幅器3oで増幅した後、波形
整形器31で第5図0の如くパルス信号に波形整形し、
中央処理装置31に入力してパルス数、即ち微粒子をカ
ウントし、所定の演算処理を行なう。しかして、演算結
果を表示部33に表示すると共に、制御出力部34より
制御出力を出す。
整形器31で第5図0の如くパルス信号に波形整形し、
中央処理装置31に入力してパルス数、即ち微粒子をカ
ウントし、所定の演算処理を行なう。しかして、演算結
果を表示部33に表示すると共に、制御出力部34より
制御出力を出す。
長期間にわたって使用した場合、光源13の特性の劣化
、集光レンズ15の曇り等によって検出部位6の光量が
低下する。この場合には、射光器16の開口部21に入
射する光量を反射式で光センサ29により常に検出し、
その検出信号を比較器36で基準信号と比較しているの
で、検出信号が下がれば、偏差信号が大となり、その偏
差信号により電流制御器38を駆動する。すると光源1
3に流れる電流が増加し、光量の低下分だけ光源13の
光出力を増大させるため、常に検出部位6の光量を略一
定に制御できる。故に、光源13の特性の劣化等に関係
な(、受光素子24で微粒子からの散乱光を確実に検出
することができ、検出装置の信頼性が向上する。
、集光レンズ15の曇り等によって検出部位6の光量が
低下する。この場合には、射光器16の開口部21に入
射する光量を反射式で光センサ29により常に検出し、
その検出信号を比較器36で基準信号と比較しているの
で、検出信号が下がれば、偏差信号が大となり、その偏
差信号により電流制御器38を駆動する。すると光源1
3に流れる電流が増加し、光量の低下分だけ光源13の
光出力を増大させるため、常に検出部位6の光量を略一
定に制御できる。故に、光源13の特性の劣化等に関係
な(、受光素子24で微粒子からの散乱光を確実に検出
することができ、検出装置の信頼性が向上する。
設定器37は可変式であり、基準信号を任意に選択し設
定することができる。
定することができる。
なお、実施例では空気中の微粒子の検出について例示し
たが、水等の液体の場合にも同様に実施できる。
たが、水等の液体の場合にも同様に実施できる。
また光センサ29は集光レンズ15を通過した光の光量
を検出すれば良いので、第6図に示すように設けても良
い。
を検出すれば良いので、第6図に示すように設けても良
い。
(発明の効果)
本発明によれば、集光レンズ15に対して光11111
3と反対側で該光源13からの光量を検出する光センサ
24を設け、この光センサ24からの信号を設定値と比
較して両者が等しくなるように光源13の光出力を制御
する制御手段39を設けているので、光源13の特性の
劣化、集光レンズ15の曇り等に関係なく検出部位6の
光量を略一定にできる。従って、従来に比較して信頼性
が著しく向上する。
3と反対側で該光源13からの光量を検出する光センサ
24を設け、この光センサ24からの信号を設定値と比
較して両者が等しくなるように光源13の光出力を制御
する制御手段39を設けているので、光源13の特性の
劣化、集光レンズ15の曇り等に関係なく検出部位6の
光量を略一定にできる。従って、従来に比較して信頼性
が著しく向上する。
第1図乃至第5図は本発明の一実施例を示し、第1図は
全体の構成図、第2図は検出装置の断面正面図、第3図
は同断面底面図、第4図は射光器の断面図、第5図1/
11)@は波形図である。第6図は別の実施例を示す断
面図である。 4・・・暗箱、5・・・暗室、9・・・空気取入ダクト
、10・・・空気吐出ダク ト、 13・・・光源、 15.26 ・・・集光レン ズ、 16・・・射光器、 24・・・受光素子、 29・・・光センサ、 39・・・制御手段。 特 許 出 願 人 池田電機株式会社
全体の構成図、第2図は検出装置の断面正面図、第3図
は同断面底面図、第4図は射光器の断面図、第5図1/
11)@は波形図である。第6図は別の実施例を示す断
面図である。 4・・・暗箱、5・・・暗室、9・・・空気取入ダクト
、10・・・空気吐出ダク ト、 13・・・光源、 15.26 ・・・集光レン ズ、 16・・・射光器、 24・・・受光素子、 29・・・光センサ、 39・・・制御手段。 特 許 出 願 人 池田電機株式会社
Claims (1)
- (1)光源(13)からの光を集光レンズ(15)を介
して暗箱(4)内の検出部位(6)に集光し、検出部位
(6)に流れる試料流体中の微粒子からの散乱光を受光
素子(24)で検出するようにした微粒子検出装置にお
いて、集光レンズ(15)に対して光源(13)と反対
側で該光源(13)からの光量を検出する光センサ(2
9)を設け、この光センサ(29)からの信号を設定値
と比較して両者が等しくなるように光源(13)の光出
力を制御する制御手段(39)を設けたことを特徴とす
る微粒子検出装置における光源の光出力制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63317880A JPH02162240A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 微粒子検出装置における光源の光出力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63317880A JPH02162240A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 微粒子検出装置における光源の光出力制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02162240A true JPH02162240A (ja) | 1990-06-21 |
Family
ID=18093088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63317880A Pending JPH02162240A (ja) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | 微粒子検出装置における光源の光出力制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02162240A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007147519A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Nidec Sankyo Corp | 粒子計数装置及び粒子計数システム |
JP2008082708A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | Nittan Co Ltd | 煙感知装置 |
US7736051B2 (en) | 2004-03-30 | 2010-06-15 | Yamatake Corporation | Thermoelectric device and mirror surface state detection device |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5744836A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Rion Co Ltd | Detecting device for light scattering type ice-crystal water droplet |
JPS59176649A (ja) * | 1983-03-28 | 1984-10-06 | Shimadzu Corp | 粒子分析装置 |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP63317880A patent/JPH02162240A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS5744836A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | Rion Co Ltd | Detecting device for light scattering type ice-crystal water droplet |
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