JPH0215634B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0215634B2 JPH0215634B2 JP60271730A JP27173085A JPH0215634B2 JP H0215634 B2 JPH0215634 B2 JP H0215634B2 JP 60271730 A JP60271730 A JP 60271730A JP 27173085 A JP27173085 A JP 27173085A JP H0215634 B2 JPH0215634 B2 JP H0215634B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- rate
- control
- computer
- formaldehyde
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 105
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 87
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009469 supplementation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1683—Control of electrolyte composition, e.g. measurement, adjustment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1617—Purification and regeneration of coating baths
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
- C23C18/405—Formaldehyde
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野
本発明は無電解メツキ技術に関するものであ
り、特に、無電解メツキ中にメツキ溶液を構成す
る化学薬品の補充速度を制御する方法に関するも
のである。
り、特に、無電解メツキ中にメツキ溶液を構成す
る化学薬品の補充速度を制御する方法に関するも
のである。
Ｂ 従来技術
回路板の回路図形上に銅を無電解メツキするこ
とにより大型の多層回路板が形成される。付着す
る銅の品質を維持するため、銅の付着速度は実質
的に一定に保つ必要がある。銅の付着速度を制御
する従来技術には、温度、PH、銅濃度、シアン化
物濃度、ホルムアルデヒド濃度等、多くの化学的
変動要因を制御することが含まれる。約１時間間
隔で、メツキ浴中に吊り下げられた銅クーポンの
重量増加を測定することにより、メツキ速度を測
定する。作業者は必要なメツキ速度を得るため、
重量増加の測定を使つて、ホルムアルデヒド・コ
ントローラの設定点を調整する。速度測定の時間
に間隔があることと、およびホルムアルデヒド濃
度を手動で正確に測定することが困難なため、メ
ツキ付着速度の品質管理が不確実となり、ひいて
は付着金属の品質管理が不確実になる。
とにより大型の多層回路板が形成される。付着す
る銅の品質を維持するため、銅の付着速度は実質
的に一定に保つ必要がある。銅の付着速度を制御
する従来技術には、温度、PH、銅濃度、シアン化
物濃度、ホルムアルデヒド濃度等、多くの化学的
変動要因を制御することが含まれる。約１時間間
隔で、メツキ浴中に吊り下げられた銅クーポンの
重量増加を測定することにより、メツキ速度を測
定する。作業者は必要なメツキ速度を得るため、
重量増加の測定を使つて、ホルムアルデヒド・コ
ントローラの設定点を調整する。速度測定の時間
に間隔があることと、およびホルムアルデヒド濃
度を手動で正確に測定することが困難なため、メ
ツキ付着速度の品質管理が不確実となり、ひいて
は付着金属の品質管理が不確実になる。
Ｃ 発明が解決しようとする問題点
この発明の目的は、無電解メツキ浴を構成する
化学成分の濃度を効率的に制御し一定に保つ方法
を提供することにある。
化学成分の濃度を効率的に制御し一定に保つ方法
を提供することにある。
Ｄ 問題点を解決するための手段
本発明は、無電解メツキ浴を構成する化学成分
の濃度を制御する方法を提供する。本発明は、メ
ツキ操作中に無電解メツキ浴のメツキ速度を連続
的に監視することにより、成分の容器を制御する
ためのものである。構成成分の補充速度を制御す
るため、このメツキ速度から制御電圧が引出され
る。
の濃度を制御する方法を提供する。本発明は、メ
ツキ操作中に無電解メツキ浴のメツキ速度を連続
的に監視することにより、成分の容器を制御する
ためのものである。構成成分の補充速度を制御す
るため、このメツキ速度から制御電圧が引出され
る。
本発明の実施例では、制御される構成成分はホ
ルムアルデヒドである。タンクコントローラを操
作するため制御電圧は、メツキ浴のメツキ速度か
ら求められる。この制御電圧は、第１、第２およ
び第３のフイードバツク項を組合せることにより
形成する。第１のフイードバツク項は、現在のメ
ツキ速度と、所要の速度との差に比例するもの、
第２のフイードバツク項は、第１のフイードバツ
ク項の積分値に比例するもの、第３のフイードバ
ツク項は、第１のフイードバツク項の時間導関数
に比例するものである。求められた制御電圧は、
補充速度を設定するために、コントローラに供給
される。
ルムアルデヒドである。タンクコントローラを操
作するため制御電圧は、メツキ浴のメツキ速度か
ら求められる。この制御電圧は、第１、第２およ
び第３のフイードバツク項を組合せることにより
形成する。第１のフイードバツク項は、現在のメ
ツキ速度と、所要の速度との差に比例するもの、
第２のフイードバツク項は、第１のフイードバツ
ク項の積分値に比例するもの、第３のフイードバ
ツク項は、第１のフイードバツク項の時間導関数
に比例するものである。求められた制御電圧は、
補充速度を設定するために、コントローラに供給
される。
本発明の実施例は、作業者の判断により、他の
形式の補充制御をすることのできるコンピユー
タ・コントローラにより行われる。さらに速度の
不確実性は、フイードバツク制御項を計算する前
にコンピユータにより確認される。コンピユータ
は、過剰のメツキ速度の不確実性を、表示装置ま
たはプリンタに出力する。
形式の補充制御をすることのできるコンピユー
タ・コントローラにより行われる。さらに速度の
不確実性は、フイードバツク制御項を計算する前
にコンピユータにより確認される。コンピユータ
は、過剰のメツキ速度の不確実性を、表示装置ま
たはプリンタに出力する。
Ｅ 実施例
本発明の１実施例を行うための装置を第１図を
参照して説明する。第１図は、メツキ浴３３中の
ホルムアルデヒドの補充を制御する装置のブロツ
ク・ダイヤグラムである。第１図の装置は、ホイ
ートストン・ブリツジ３０を有する速度監視装置
２４を含み、この装置は変成器１４およびオーデ
イオ発振器１０により駆動される。ホイートスト
ン・ブリツジ３０は２つのアームRrおよびRnを
有し、メツキ浴３３に浸漬にされている。メツキ
浴３３内でメツキが行われると、抵抗体Rnの抵
抗が変化する。抵抗Rnの変化はメツキ速度とし
て検出される。増幅器４０は、ブリツジの端子３
４と３８の間の電圧に比例する出力を与える。メ
ツキ速度検出器２４は、アナログ・デイジタル変
換器４４に接続されており、ここで増幅器４０の
測定値はコンピユータで分析するため、デイジタ
ル化される。
参照して説明する。第１図は、メツキ浴３３中の
ホルムアルデヒドの補充を制御する装置のブロツ
ク・ダイヤグラムである。第１図の装置は、ホイ
ートストン・ブリツジ３０を有する速度監視装置
２４を含み、この装置は変成器１４およびオーデ
イオ発振器１０により駆動される。ホイートスト
ン・ブリツジ３０は２つのアームRrおよびRnを
有し、メツキ浴３３に浸漬にされている。メツキ
浴３３内でメツキが行われると、抵抗体Rnの抵
抗が変化する。抵抗Rnの変化はメツキ速度とし
て検出される。増幅器４０は、ブリツジの端子３
４と３８の間の電圧に比例する出力を与える。メ
ツキ速度検出器２４は、アナログ・デイジタル変
換器４４に接続されており、ここで増幅器４０の
測定値はコンピユータで分析するため、デイジタ
ル化される。
上記のメツキ速度検出器は、1983年12月16日に
出願された、本出願人の米国特許出願第562390号
に記載されている。この特許出願の主題を簡単に
述べれば、コンピユータ４６の制御により、可変
抵抗器Rvにより平衡を保つホイートストン・ブ
リツジ３０である。コンピユータ４６は、１分間
隔でインターフエース２１に８ビツトのステツプ
信号を送つてRvの値をステツプさせる。インタ
ーフエース２１は、インターフエース２１に与え
られた８ビツトの二進数に比例する抵抗をその出
力に与える。ホイートストン・ブリツジに与える
信号は、オーデイオ発振器１０からのものであ
る。一次巻線１２を有する変成器は、発振器１０
に接続され、二次巻線１４は、ブリツジ３０の端
子３２および３５を通る信号を送る。ブリツジ３
０は、最初は増幅器４０により監視された状態が
平衡でないようにRvを十分に増加させて、平衡
でなくしておく。メツキが始まると、Rnの値が
減少し、ついには時間間隔Ａの間、平衡に達す
る。次に、第２の時間間隔Ｂの間、コンピユータ
４６がインターフエース２１を通じて抵抗器Rv
に既知の抵抗値をステツプで増大することにより
第２の非平衡状態にする。上記の特許出願に述べ
るように、メツキの進行により、抵抗Rnが次の
平衡状態になる時間を測定する。次の間隔Ｂの間
に、ブリツジ３０の非平衡と、メツキにより再び
平衡となるまでの時間を測定し、次式により、厚
みの変化Δtが求められる。
出願された、本出願人の米国特許出願第562390号
に記載されている。この特許出願の主題を簡単に
述べれば、コンピユータ４６の制御により、可変
抵抗器Rvにより平衡を保つホイートストン・ブ
リツジ３０である。コンピユータ４６は、１分間
隔でインターフエース２１に８ビツトのステツプ
信号を送つてRvの値をステツプさせる。インタ
ーフエース２１は、インターフエース２１に与え
られた８ビツトの二進数に比例する抵抗をその出
力に与える。ホイートストン・ブリツジに与える
信号は、オーデイオ発振器１０からのものであ
る。一次巻線１２を有する変成器は、発振器１０
に接続され、二次巻線１４は、ブリツジ３０の端
子３２および３５を通る信号を送る。ブリツジ３
０は、最初は増幅器４０により監視された状態が
平衡でないようにRvを十分に増加させて、平衡
でなくしておく。メツキが始まると、Rnの値が
減少し、ついには時間間隔Ａの間、平衡に達す
る。次に、第２の時間間隔Ｂの間、コンピユータ
４６がインターフエース２１を通じて抵抗器Rv
に既知の抵抗値をステツプで増大することにより
第２の非平衡状態にする。上記の特許出願に述べ
るように、メツキの進行により、抵抗Rnが次の
平衡状態になる時間を測定する。次の間隔Ｂの間
に、ブリツジ３０の非平衡と、メツキにより再び
平衡となるまでの時間を測定し、次式により、厚
みの変化Δtが求められる。
Δt＝PnLn／WnRr×250／Rf
式で、PnはRnの抵抗率に等しく、Lnは長方形
のRnの長さ、Wnは長方形のRnの幅、Rrはメツ
キ浴の基準線の測定した抵抗値、250はRvの増分
値、Rfはたとえば10000オームである。
のRnの長さ、Wnは長方形のRnの幅、Rrはメツ
キ浴の基準線の測定した抵抗値、250はRvの増分
値、Rfはたとえば10000オームである。
このようにメツキの厚みの変化Δtを求め、厚
みの変化Δtの生じる時間をＢとすると、メツキ
速度Δt／Ｂが正確に求められる。メツキ浴３３
内にある他のものが同じ速度でメツキされると、
メツキ速度がブリツジ３０、アナログ・デイジタ
ル変換器４４、およびコンピユータ４６により効
果的に測定される。コンピユータ４６は、説明す
る方法でプログラムされた標準型のパーソナル・
コンピユータでよい。
みの変化Δtの生じる時間をＢとすると、メツキ
速度Δt／Ｂが正確に求められる。メツキ浴３３
内にある他のものが同じ速度でメツキされると、
メツキ速度がブリツジ３０、アナログ・デイジタ
ル変換器４４、およびコンピユータ４６により効
果的に測定される。コンピユータ４６は、説明す
る方法でプログラムされた標準型のパーソナル・
コンピユータでよい。
このように、コンピユータ制御によりRv中の
二進抵抗増分によつて、ブリツジ３０の非平衡を
連続的に測定し、メツキ速度を少くとも１分間隔
で求めることができる。ブリツジが平衡に達する
時間が正確に測定され、メツキ速度が求められ
る。
二進抵抗増分によつて、ブリツジ３０の非平衡を
連続的に測定し、メツキ速度を少くとも１分間隔
で求めることができる。ブリツジが平衡に達する
時間が正確に測定され、メツキ速度が求められ
る。
本発明により行う上記のメツキ速度の測定は、
メツキ浴３３へのホルムアルデヒドの補充速度を
設定するための制御電圧を決定するのに有用であ
る。補充のための制御電圧を求めるため、上記の
特許出願に述べるように、コンピユータ４６のプ
ログラミングの工程を変形している。
メツキ浴３３へのホルムアルデヒドの補充速度を
設定するための制御電圧を決定するのに有用であ
る。補充のための制御電圧を求めるため、上記の
特許出願に述べるように、コンピユータ４６のプ
ログラミングの工程を変形している。
コンピユータ４６には、フロツピー・デイスク
４８、プリンタ４９、陰極線管表示装置５０を含
む、従来の周辺装置が付加されている。第１図に
示す装置では、条片チヤート記録装置５１がデイ
ジタル・アナログ変換器５６を通じてコンピユー
タに接続されている。条片チヤート記録装置５１
により、経時的に測定されるメツキ速度と同時
に、温度その他の変動要因の測定値を記録するこ
とができる。
４８、プリンタ４９、陰極線管表示装置５０を含
む、従来の周辺装置が付加されている。第１図に
示す装置では、条片チヤート記録装置５１がデイ
ジタル・アナログ変換器５６を通じてコンピユー
タに接続されている。条片チヤート記録装置５１
により、経時的に測定されるメツキ速度と同時
に、温度その他の変動要因の測定値を記録するこ
とができる。
ホルムアルデヒドの補充速度を制御する制御電
圧は、コンピユータ４６が使用する速度決定プロ
グラムとともに、フロツピー・デイスク４８に記
憶されたフイードバツク制御プログラム５８によ
り求められる。
圧は、コンピユータ４６が使用する速度決定プロ
グラムとともに、フロツピー・デイスク４８に記
憶されたフイードバツク制御プログラム５８によ
り求められる。
コンピユータ４６は、ホルムアルデヒド補充速
度を指示するデイジタル信号を発生する。デイジ
タル・アナログ変換器５９は、求められた補充速
度を浴コントローラ６０のためのアナログ制御電
圧に変換する。浴コントローラ６０は周知のもの
であり、印加された電圧に従つて、メツキ浴にホ
ルムアルデヒドを補充する。浴コントローラ６０
は、メツキ速度に関係なくホルムアルデヒド濃度
を一定にするため設定することができるホルムア
ルデヒド濃度制御信号を含んでいる。このホルム
アルデヒド濃度制御信号は浴コントローラ６０か
ら得られるもので、アナログ・デイジタル変換器
４４に送られる。コンピユータは、測定したメツ
キ速度に従つて、または単に信号を浴コントロー
ラ６０に接続することにより、浴コントローラ６
０から得られるホルムアルデヒド濃度信号から、
ホルムアルデヒド補充速度を制御することができ
る。
度を指示するデイジタル信号を発生する。デイジ
タル・アナログ変換器５９は、求められた補充速
度を浴コントローラ６０のためのアナログ制御電
圧に変換する。浴コントローラ６０は周知のもの
であり、印加された電圧に従つて、メツキ浴にホ
ルムアルデヒドを補充する。浴コントローラ６０
は、メツキ速度に関係なくホルムアルデヒド濃度
を一定にするため設定することができるホルムア
ルデヒド濃度制御信号を含んでいる。このホルム
アルデヒド濃度制御信号は浴コントローラ６０か
ら得られるもので、アナログ・デイジタル変換器
４４に送られる。コンピユータは、測定したメツ
キ速度に従つて、または単に信号を浴コントロー
ラ６０に接続することにより、浴コントローラ６
０から得られるホルムアルデヒド濃度信号から、
ホルムアルデヒド補充速度を制御することができ
る。
第１図の装置により、オペレータは３つのキー
Ｒ，Ｆ，Ｓのうちの１つを押して装置の運転モー
ドを選択する。オペレータがＳのキーを押すと、
コンピユータはメツキ速度設定点の番号を入力す
るよう指示する。これにより、測定したメツキ速
度を比較する通常のメツキ速度が得られる。フイ
ードバツク制御プログラムは、設定点におけるメ
ツキ速度を実測したメツキ速度と比較することに
よつて、必要な計算された制御電圧を発生させ
る。
Ｒ，Ｆ，Ｓのうちの１つを押して装置の運転モー
ドを選択する。オペレータがＳのキーを押すと、
コンピユータはメツキ速度設定点の番号を入力す
るよう指示する。これにより、測定したメツキ速
度を比較する通常のメツキ速度が得られる。フイ
ードバツク制御プログラムは、設定点におけるメ
ツキ速度を実測したメツキ速度と比較することに
よつて、必要な計算された制御電圧を発生させ
る。
オペレータがけん盤上のＦのキーを選択する
と、コンピユータ４６は、浴コントローラ６０の
ホルムアルデヒド濃度信号を、浴コントローラ６
０の制御入力に接続するよう作動し、これにより
厳密に浴コントローラ６０からのホルムアルデヒ
ド濃度信号に従つて、補充を制御する。
と、コンピユータ４６は、浴コントローラ６０の
ホルムアルデヒド濃度信号を、浴コントローラ６
０の制御入力に接続するよう作動し、これにより
厳密に浴コントローラ６０からのホルムアルデヒ
ド濃度信号に従つて、補充を制御する。
第１図に示す装置により、ホルムアルデヒド補
充速度を調整することによるメツキの連続制御が
自動的に行われる。単に所要のメツキ速度を選定
することにより、第１図に示す自動フイードバツ
ク回路がホルムアルデヒド補充制御を通じてメツ
キ速度を制御する。メツキ速度を設定点における
メツキ速度により設定された一定値に維持するこ
とにより、無電解アデイテイブ浴メツキ装置にお
ける付着物、回路板の場合は銅の品質が管理され
る。
充速度を調整することによるメツキの連続制御が
自動的に行われる。単に所要のメツキ速度を選定
することにより、第１図に示す自動フイードバツ
ク回路がホルムアルデヒド補充制御を通じてメツ
キ速度を制御する。メツキ速度を設定点における
メツキ速度により設定された一定値に維持するこ
とにより、無電解アデイテイブ浴メツキ装置にお
ける付着物、回路板の場合は銅の品質が管理され
る。
装置の動作は第３，４図にさらく詳細に示され
る。これらの図はメツキ速度を装置にキー入力さ
れた２つの設定点の関数として示したものであ
る。第３図は、２つの異なる設定点についてのメ
ツキ速度を時間に対してプロツトしたものであ
る。第１の設定点は毎時0.11ミル（2.79×10-3mm）
に、第２の設定点は毎時0.13ミル（3.30×10-3mm）
に設定したものである。第３図から、装置はメツ
キ速度を設定点近くのせまい範囲内の値に維持す
ることが明らかにわかる。
る。これらの図はメツキ速度を装置にキー入力さ
れた２つの設定点の関数として示したものであ
る。第３図は、２つの異なる設定点についてのメ
ツキ速度を時間に対してプロツトしたものであ
る。第１の設定点は毎時0.11ミル（2.79×10-3mm）
に、第２の設定点は毎時0.13ミル（3.30×10-3mm）
に設定したものである。第３図から、装置はメツ
キ速度を設定点近くのせまい範囲内の値に維持す
ることが明らかにわかる。
第４図は、浴コントローラ６０のデユーテイ・
サイクルを経時的に示したものである。第４図は
第３図と時間が一致しており、設定点を変更する
ことにより、新しい設定点での新しいメツキ速度
を得るため、ホルムアルデヒド供給のデユーテ
イ・サイクルが増大するのがわかる。このよう
に、本装置は従来技術の装置に必要な浴の化学成
分を冗長な手動による調節をすることなく、メツ
キ速度を長時間安定に保つよう制御することがで
きる。
サイクルを経時的に示したものである。第４図は
第３図と時間が一致しており、設定点を変更する
ことにより、新しい設定点での新しいメツキ速度
を得るため、ホルムアルデヒド供給のデユーテ
イ・サイクルが増大するのがわかる。このよう
に、本装置は従来技術の装置に必要な浴の化学成
分を冗長な手動による調節をすることなく、メツ
キ速度を長時間安定に保つよう制御することがで
きる。
第２Ａ図ないし第２Ｃ図は、メツキ速度を測定
し、メツキ速度の測定値から制御信号を得るため
のコンピユータ４６のプログラミングの手順を示
すものである。第２Ａ図ないし第２Ｃ図では、こ
れらの図に示すプログラミング手順の多くは上記
の出願中の特許におけるプログラミングであり、
これに第１図のフイードバツク制御プログラム５
８が追加されたものである。
し、メツキ速度の測定値から制御信号を得るため
のコンピユータ４６のプログラミングの手順を示
すものである。第２Ａ図ないし第２Ｃ図では、こ
れらの図に示すプログラミング手順の多くは上記
の出願中の特許におけるプログラミングであり、
これに第１図のフイードバツク制御プログラム５
８が追加されたものである。
コンピユータ４６は、最初のステツプ76からプ
ログラムを実行する。ステツプ76は、プログラム
の実行を続ける前に、あらかじめ選定した時間間
隔をカウントする。これによる実行の遅れは約１
秒である。次にコンピユータは手順77でコンピユ
ータのけん盤を読取り、制御入力が行われている
かどうかを決定する。オペレータがけん盤上の１
つのキーを押すと、制御は径路７７ｂを経て手順
80に進み、Ｒ，Ｆ，Ｓキーのいずれかが選択され
たかどうかを決定する。これら３つのキーのうち
１つが押された場合は、制御は径路８０ａに沿つ
て進められ、Ｒ，Ｆ，Ｓキーのうち、どれが押さ
れたかを決定する。これらのグループに含まれな
いキーが選択された場合は、コンピユータによる
制御は径路８０ｂに沿つて進められる。
ログラムを実行する。ステツプ76は、プログラム
の実行を続ける前に、あらかじめ選定した時間間
隔をカウントする。これによる実行の遅れは約１
秒である。次にコンピユータは手順77でコンピユ
ータのけん盤を読取り、制御入力が行われている
かどうかを決定する。オペレータがけん盤上の１
つのキーを押すと、制御は径路７７ｂを経て手順
80に進み、Ｒ，Ｆ，Ｓキーのいずれかが選択され
たかどうかを決定する。これら３つのキーのうち
１つが押された場合は、制御は径路８０ａに沿つ
て進められ、Ｒ，Ｆ，Ｓキーのうち、どれが押さ
れたかを決定する。これらのグループに含まれな
いキーが選択された場合は、コンピユータによる
制御は径路８０ｂに沿つて進められる。
ステツプ81、82および83のプログラミングを含
んだ装置により、ホルムアルデヒド・コントロー
ラの制御は２つのモードが可能となる。キーＳが
押されると、コンピユータはCRT上に、装置に
より設定されたメツキ速度の設定点を入力するよ
うオペレータに指示する表示を行う。
んだ装置により、ホルムアルデヒド・コントロー
ラの制御は２つのモードが可能となる。キーＳが
押されると、コンピユータはCRT上に、装置に
より設定されたメツキ速度の設定点を入力するよ
うオペレータに指示する表示を行う。
ＲおよびＦキーを押すことにより、２つのモー
ドの操作が可能になる。キーＲを押すと、ステツ
プ81により、ホルムアルデヒドの制御を測定した
メツキ速度に比例して行うようコンピユータに指
示する。キーＦを押すと、コンピユータは第１図
のコントローラ６０からのホルムアルデヒド濃度
信号を、コントローラ６０の制御入力へ戻すため
の導管としての作用をし、これにより、ホルムア
ルデヒド濃度か浴３３を補充する制御要因とな
る。
ドの操作が可能になる。キーＲを押すと、ステツ
プ81により、ホルムアルデヒドの制御を測定した
メツキ速度に比例して行うようコンピユータに指
示する。キーＦを押すと、コンピユータは第１図
のコントローラ６０からのホルムアルデヒド濃度
信号を、コントローラ６０の制御入力へ戻すため
の導管としての作用をし、これにより、ホルムア
ルデヒド濃度か浴３３を補充する制御要因とな
る。
コンピユータは最初にオペレータの入力する命
令に従つて設定した後、操作モードおよび特定の
メツキ速度設定点を選択し、メツキ浴３３中の溶
液のメツキ速度を測定する。アナログ・デイジタ
ル変換器４４は、ステツプ85で測定されるブリツ
ジの出力電圧をコンピユータに指示する。この出
力電圧はメツキ速度を決定するため監視される。
メツキ速度を計算する前に、プログラムは選択さ
れた制御装置モードに従つて２つの実行径路８７
または８８のいずれかを選択する。実行径路８７
は、第２Ｃ図に示すプログラミング手順を実行し
ている間に計算された制御電圧を、第１図のデイ
ジタル・アナログ変換器５９に与える。ホルムア
ルデヒド濃度が制御の形で選択された瞬間に、ホ
ルムアルデヒド濃度を指示するホルムアルデヒ
ド・コントローラ６０上に現れる電圧が、制御電
圧としてデイジタル・アナログ変換器５９に与え
られる。
令に従つて設定した後、操作モードおよび特定の
メツキ速度設定点を選択し、メツキ浴３３中の溶
液のメツキ速度を測定する。アナログ・デイジタ
ル変換器４４は、ステツプ85で測定されるブリツ
ジの出力電圧をコンピユータに指示する。この出
力電圧はメツキ速度を決定するため監視される。
メツキ速度を計算する前に、プログラムは選択さ
れた制御装置モードに従つて２つの実行径路８７
または８８のいずれかを選択する。実行径路８７
は、第２Ｃ図に示すプログラミング手順を実行し
ている間に計算された制御電圧を、第１図のデイ
ジタル・アナログ変換器５９に与える。ホルムア
ルデヒド濃度が制御の形で選択された瞬間に、ホ
ルムアルデヒド濃度を指示するホルムアルデヒ
ド・コントローラ６０上に現れる電圧が、制御電
圧としてデイジタル・アナログ変換器５９に与え
られる。
これらの特定形式の制御電圧のいずれかが選択
されると、コンピユータはステツプ92へ進む。ス
テツプ92では前に測定したブリツジの出力電圧が
統計的に合計したブリツジの出力電圧に加えられ
る。１秒の処理時間にコンピユータ・プログラム
全体が実行されると、ブリツジの出力電圧が毎分
60回単独に測定されることが予想される。このよ
うにして、１分間に第１図のホイートストン・ブ
リツジによる速度検出装置２４による電圧の統計
的平均を求めることが可能になる。選択して１分
間の終りに、コンピユータはブリツジの出力電
圧、および経過時間をそれぞれ累計し、測定した
ブリツジの出力電圧と経過時間との積を求める。
これらの累計から、周知の統計技法により、前に
出願した特許明細書に示すホイートストン・ブリ
ツジ２４が平衡に達する期間“Ａ”“Ｂ”“Ｃ”の
それぞれに最も良く一致するこれらの累積量の直
線が得られる。
されると、コンピユータはステツプ92へ進む。ス
テツプ92では前に測定したブリツジの出力電圧が
統計的に合計したブリツジの出力電圧に加えられ
る。１秒の処理時間にコンピユータ・プログラム
全体が実行されると、ブリツジの出力電圧が毎分
60回単独に測定されることが予想される。このよ
うにして、１分間に第１図のホイートストン・ブ
リツジによる速度検出装置２４による電圧の統計
的平均を求めることが可能になる。選択して１分
間の終りに、コンピユータはブリツジの出力電
圧、および経過時間をそれぞれ累計し、測定した
ブリツジの出力電圧と経過時間との積を求める。
これらの累計から、周知の統計技法により、前に
出願した特許明細書に示すホイートストン・ブリ
ツジ２４が平衡に達する期間“Ａ”“Ｂ”“Ｃ”の
それぞれに最も良く一致するこれらの累積量の直
線が得られる。
その後、コンピユータは、ステツプ93で、最小
数のブリツジ測定値がとられているかどうかを決
定する。通常の場合、この最小数は10である。最
小数のサンプルがとられていない場合は、プログ
ラムの制御はステツプ76に戻り、さらにブリツジ
の出力電圧の測定が行われる。
数のブリツジ測定値がとられているかどうかを決
定する。通常の場合、この最小数は10である。最
小数のサンプルがとられていない場合は、プログ
ラムの制御はステツプ76に戻り、さらにブリツジ
の出力電圧の測定が行われる。
ステツプ93で、ブリツジの出力電圧の最小数の
サンプルがとられたと仮定すると、プログラムの
実行はステツプ94に移り、ブリツジの出力電圧が
０と比較される。ブリツジの出力電圧がほぼ０の
場合は、第１図のRvの基準ブリツジ・アームに
与えられたRvの最後の増分における平衡状態が
検出される。この時、Rvはステツプ96で再び増
分され、次の測定期間が開始する。ステツプ91で
得た測定電圧の合計が、直線を画定するのに用い
られ、これが累積したデータ点に最も良く一致す
る直線となる。ステツプ98では、ステツプ92の直
線の勾配と切片が決定され、それがブリツジが空
白となる時間間隔にブリツジ２４が供給する電圧
の直線性を定義する。
サンプルがとられたと仮定すると、プログラムの
実行はステツプ94に移り、ブリツジの出力電圧が
０と比較される。ブリツジの出力電圧がほぼ０の
場合は、第１図のRvの基準ブリツジ・アームに
与えられたRvの最後の増分における平衡状態が
検出される。この時、Rvはステツプ96で再び増
分され、次の測定期間が開始する。ステツプ91で
得た測定電圧の合計が、直線を画定するのに用い
られ、これが累積したデータ点に最も良く一致す
る直線となる。ステツプ98では、ステツプ92の直
線の勾配と切片が決定され、それがブリツジが空
白となる時間間隔にブリツジ２４が供給する電圧
の直線性を定義する。
電圧特性の近似直線から、ブリツジの理論的空
白点を設定する０交さ点が決定される。装置はス
テツプ94で実際のブリツジ出力を測定し、平衡状
態が得られた時を指示するが、ステツプ99で、累
積した電圧データ点から電圧特性を求める０交さ
点を計算するほうがより正確である。このように
して、ステツプ99でのブリツジの測定で空白の測
定に誤差があつても、空白時間の時間間隔の決定
には誤差を生じない。
白点を設定する０交さ点が決定される。装置はス
テツプ94で実際のブリツジ出力を測定し、平衡状
態が得られた時を指示するが、ステツプ99で、累
積した電圧データ点から電圧特性を求める０交さ
点を計算するほうがより正確である。このように
して、ステツプ99でのブリツジの測定で空白の測
定に誤差があつても、空白時間の時間間隔の決定
には誤差を生じない。
プログラムのステツプ100、103および105は、
メツキ速度の計算の精度を上げるために実行され
る。ホイートストン・ブリツジ３０が平衡に達し
た後、Rvの値が増分されることは前述とおりで
ある。抵抗値の増分は２進で行われる。空白平衡
間の偶数の間隔の間、抵抗を増分するコンピユー
タの出力ポートの最も小さい有効ビツトが２進０
から２進１に変化しているが、抵抗インターフエ
ース２１への残りのビツトの状態はそのままであ
る。時間間隔が偶数から奇数に移行すると、２個
以上の抵抗が抵抗チエーンRvへまたはこれから
切換えられ、その結果抵抗値のステツプ増加に誤
差を生じることがある。したがつて、ステツプ
100では最小の有効ビツトが切換えられたかどう
かを検出し、間隔が偶数か奇数かを確認する。手
順100の答が、最小の有効ビツトが切換えられて
いれば、メツキの速度は前に述べたように計算さ
れる。
メツキ速度の計算の精度を上げるために実行され
る。ホイートストン・ブリツジ３０が平衡に達し
た後、Rvの値が増分されることは前述とおりで
ある。抵抗値の増分は２進で行われる。空白平衡
間の偶数の間隔の間、抵抗を増分するコンピユー
タの出力ポートの最も小さい有効ビツトが２進０
から２進１に変化しているが、抵抗インターフエ
ース２１への残りのビツトの状態はそのままであ
る。時間間隔が偶数から奇数に移行すると、２個
以上の抵抗が抵抗チエーンRvへまたはこれから
切換えられ、その結果抵抗値のステツプ増加に誤
差を生じることがある。したがつて、ステツプ
100では最小の有効ビツトが切換えられたかどう
かを検出し、間隔が偶数か奇数かを確認する。手
順100の答が、最小の有効ビツトが切換えられて
いれば、メツキの速度は前に述べたように計算さ
れる。
最小有効ビツトがまだ切換えられていない場合
は、時間間隔の移行が偶数と奇数の間であること
を示し、ΔRvの計算値は付着速度を決定するのに
用いられる。このΔRvの値はRp×ｂ／bpに等しい。
は、時間間隔の移行が偶数と奇数の間であること
を示し、ΔRvの計算値は付着速度を決定するのに
用いられる。このΔRvの値はRp×ｂ／bpに等しい。
式中Rpはインターフエース２１による抵抗変化
の最小有効ビツト、ΔRvは最後に計算された奇数
の間隔の最初に生じるRvの変化、ｂは最初に生
じる変位したＹ軸の切片、bpは前の偶数の間隔に
おける変位したＹ軸の切片である。
の最小有効ビツト、ΔRvは最後に計算された奇数
の間隔の最初に生じるRvの変化、ｂは最初に生
じる変位したＹ軸の切片、bpは前の偶数の間隔に
おける変位したＹ軸の切片である。
ステツプ109では、計算されたメツキ速度と、
相当する速度の不確実性が記憶される。プログラ
ミング手順107では、速度の測定に誤差があつた
かどうかを決定する。ステツプ107では、ブリツ
ジの出力電圧対時間の直線に対する最小二乗法に
よる適合性を決定する。適合した直線の値を個々
の電圧の読みから差引くことにより、理想的な値
からの偏差が得られる。この偏差の２乗の平均が
分散であり、分散の平方根が標準偏差、すなわち
装置の電圧ノイズである。この標準偏差から速度
の不確実性が求められる。
相当する速度の不確実性が記憶される。プログラ
ミング手順107では、速度の測定に誤差があつた
かどうかを決定する。ステツプ107では、ブリツ
ジの出力電圧対時間の直線に対する最小二乗法に
よる適合性を決定する。適合した直線の値を個々
の電圧の読みから差引くことにより、理想的な値
からの偏差が得られる。この偏差の２乗の平均が
分散であり、分散の平方根が標準偏差、すなわち
装置の電圧ノイズである。この標準偏差から速度
の不確実性が求められる。
第２Ｃ図におけるプログラミング手順の残りの
部分では、メツキ速度制御を選択した場合のメツ
キ浴コントローラの誤差制御電圧が計算される。
ステツプ111では、記憶された速度の不確実性の
値が検出され、最後の10の不確実性の移動平均以
内で比較される。ステツプ107での速度計算値の
累積値から求めた速度の不確実性が所定の基準値
を超えた場合は、誤差が許容限度を超過している
ことを示すメツセージ、および現在の速度計算は
ホルムアルデヒド補充を制御するフイードバツク
電圧を発生させるために使用されないことを示す
メツセージが印字される。
部分では、メツキ速度制御を選択した場合のメツ
キ浴コントローラの誤差制御電圧が計算される。
ステツプ111では、記憶された速度の不確実性の
値が検出され、最後の10の不確実性の移動平均以
内で比較される。ステツプ107での速度計算値の
累積値から求めた速度の不確実性が所定の基準値
を超えた場合は、誤差が許容限度を超過している
ことを示すメツセージ、および現在の速度計算は
ホルムアルデヒド補充を制御するフイードバツク
電圧を発生させるために使用されないことを示す
メツセージが印字される。
速度の不確実性が設定した限度内にある場合
は、プログラミング・サイクルの径路１１２で、
制御電圧を求めるため、求めたメツキ速度が用い
られる。ステツプ114では、前の10回の読みにつ
いてのメツキ速度と、メツキ速度の不確実性の両
方の走行平均が計算される。
は、プログラミング・サイクルの径路１１２で、
制御電圧を求めるため、求めたメツキ速度が用い
られる。ステツプ114では、前の10回の読みにつ
いてのメツキ速度と、メツキ速度の不確実性の両
方の走行平均が計算される。
制御信号の第１項は、メツキ速度から求められ
るもので、ステツプ117で得られる。ステツプ83
で設定した速度設定点は、ステツプ114で求めた
メツキ速度の平均値から差引かれる。
るもので、ステツプ117で得られる。ステツプ83
で設定した速度設定点は、ステツプ114で求めた
メツキ速度の平均値から差引かれる。
ステツプ118では、この微分に、設定点のメツ
キ速度と測定したメツキ速度との差から求めた前
の偏差すべての合計を加え、微分の積分値に到達
する。
キ速度と測定したメツキ速度との差から求めた前
の偏差すべての合計を加え、微分の積分値に到達
する。
ステツプ119では、求めた偏差の前の値を現在
値から差引くことにより、導関数項を得る。
値から差引くことにより、導関数項を得る。
次にこれら３項にゲイン係数Rfac、Ifacおよび
Dfacを掛けて合計した下記の制御CVを求める。
Dfacを掛けて合計した下記の制御CVを求める。
CV＝Rfac×偏差＋Ifac×積分値＋Dfac×微分値
ステツプ122では、制御電圧を所定の値と比較
して期待した制御電圧の範囲内にあることを確認
する。
して期待した制御電圧の範囲内にあることを確認
する。
制御電圧が期待値の範囲内にあると仮定して、
プログラムの制御は開始点のステツプ76に戻る。
計算した制御電圧は、速度制御が行われるべきで
あることを示すステツプ86での決定により、コン
トローラ６０に印加される。
プログラムの制御は開始点のステツプ76に戻る。
計算した制御電圧は、速度制御が行われるべきで
あることを示すステツプ86での決定により、コン
トローラ６０に印加される。
上記は、前述の米国特許出願に記載されたコン
ピユータのプログラミング手順に関して述べたも
ので、ホルムアルデヒドの補充のフイードバツク
制御に影響を与えるものである。第２Ａ図ないし
第２Ｃ図におけるプログラミングのステツプによ
り、オペレータは速度制御、ホルムアルデヒド制
御、または速度設定点変更のいずれかを選択する
ことができる。運転時には装置をホルムアルデヒ
ド制御モードで始動させることが好ましく、この
モードでは、コンピユータは単にメツキ浴コント
ローラ６０を、ホルムアルデヒド供給速度制御電
圧が、コントローラ６０によるメツキ液の流れ中
のホルムアルデヒド濃度の測定によつて得られる
通常の構成に接続する配線として作用する。ホル
ムアルデヒド・モードに設定され、メツキ浴でメ
ツキが開始された後は、コンピユータのキー入力
により、速度制御モードに切換えることが望まし
い。
ピユータのプログラミング手順に関して述べたも
ので、ホルムアルデヒドの補充のフイードバツク
制御に影響を与えるものである。第２Ａ図ないし
第２Ｃ図におけるプログラミングのステツプによ
り、オペレータは速度制御、ホルムアルデヒド制
御、または速度設定点変更のいずれかを選択する
ことができる。運転時には装置をホルムアルデヒ
ド制御モードで始動させることが好ましく、この
モードでは、コンピユータは単にメツキ浴コント
ローラ６０を、ホルムアルデヒド供給速度制御電
圧が、コントローラ６０によるメツキ液の流れ中
のホルムアルデヒド濃度の測定によつて得られる
通常の構成に接続する配線として作用する。ホル
ムアルデヒド・モードに設定され、メツキ浴でメ
ツキが開始された後は、コンピユータのキー入力
により、速度制御モードに切換えることが望まし
い。
ステツプ114ないし120でフイードバツク・アル
ゴリズムが適用されると、３つのゲイン係数、
Pfac、IfacおよびDfacが経験的に決定される。最適
制御のためには、これらのゲイン定数は供給速度
制御装置の形式によつて決定する。これらのゲイ
ン定数は、ホルムアルデヒド・コントローラ、供
給ライン圧力、メツキ槽の大きさ、メツキされる
表面積、その他の要因によるデユーテイ・サイク
ルに従つて設定される。
ゴリズムが適用されると、３つのゲイン係数、
Pfac、IfacおよびDfacが経験的に決定される。最適
制御のためには、これらのゲイン定数は供給速度
制御装置の形式によつて決定する。これらのゲイ
ン定数は、ホルムアルデヒド・コントローラ、供
給ライン圧力、メツキ槽の大きさ、メツキされる
表面積、その他の要因によるデユーテイ・サイク
ルに従つて設定される。
上述の装置をさらに精巧にするには、これらの
ゲイン係数をメツキ浴の状態変化に応じて変形す
るデータを入力させることにより実行されること
が予想される。これにより、さらにメツキ速度の
品質管理が行われる。
ゲイン係数をメツキ浴の状態変化に応じて変形す
るデータを入力させることにより実行されること
が予想される。これにより、さらにメツキ速度の
品質管理が行われる。
Ｆ 発明の効果
以上のように、この発明によれば、メツキ浴の
メツキ速度が監視されて自動的に化学物質が補給
されるので、ほぼ一定のメツキ速度が得られる。
メツキ速度が監視されて自動的に化学物質が補給
されるので、ほぼ一定のメツキ速度が得られる。
第１図は、本発明の実施例の全体的なブロツ
ク・ダイヤグラム、第２Ａ図、第２Ｂ図および第
２Ｃ図は、本発明の実施例を実行するための、コ
ンピユータ４６のプログラミング手順を示す図、
第３図は、装置にメツキ速度設定点の変更を入力
した場合のメツキ速度の変化を示す図、第４図
は、メツキ速度設定点の変更がホルムアルデヒ
ド・コントローラのデユーテイ・サイクルに与え
る影響を示す図である。 １０……オーデイオ発振器、１４……変成器、
２１……インターフエース、２４……メツキ速度
監視装置、３０……ホイートストン・ブリツジ、
３３……メツキ浴、４４……アナログ・デイジタ
ル変換器、４６……コンピユータ。
ク・ダイヤグラム、第２Ａ図、第２Ｂ図および第
２Ｃ図は、本発明の実施例を実行するための、コ
ンピユータ４６のプログラミング手順を示す図、
第３図は、装置にメツキ速度設定点の変更を入力
した場合のメツキ速度の変化を示す図、第４図
は、メツキ速度設定点の変更がホルムアルデヒ
ド・コントローラのデユーテイ・サイクルに与え
る影響を示す図である。 １０……オーデイオ発振器、１４……変成器、
２１……インターフエース、２４……メツキ速度
監視装置、３０……ホイートストン・ブリツジ、
３３……メツキ浴、４４……アナログ・デイジタ
ル変換器、４６……コンピユータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 無電解メツキ浴のメツキ速度を制御する方法
において、 (a) 上記無電解メツキ浴中でメツキされ得るを表
面をもつ材料を上記無電解メツキ浴中に浸漬し
て、該材料の電気抵抗を経時的に測定し、該電
気抵抗値の時間的な変化率に比例する電気信号
を発生させる段階と、 (b) 上記電気抵抗値の時間的な変化率に比例する
値を、予め選択された所望の時間的な変化率の
値と比較してその差を表す電気信号を発生させ
る段階と、 (c) 上記差を表す電気信号から、予め設定した関
係式に従い制御電圧を導出する段階と、 (d) 上記制御電圧に従い、上記無電解メツキ浴へ
のメツキ浴成分の補充を制御する段階を有す
る、 無電解メツキ浴のメツキ速度制御方法。 ２ 上記補充されるメツキ浴成分がホルムアルデ
ヒドであることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ３ 上記制御電圧が、上記差の値と、上記差の積
分値と、上記差の導関数に比例することを特徴と
する特許請求の範囲第２項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/709,955 US4623554A (en) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | Method for controlling plating rate in an electroless plating system |
| US709955 | 1985-03-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204379A JPS61204379A (ja) | 1986-09-10 |
| JPH0215634B2 true JPH0215634B2 (ja) | 1990-04-12 |
Family
ID=24851997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60271730A Granted JPS61204379A (ja) | 1985-03-08 | 1985-12-04 | 無電解メツキ浴のメツキ速度制御方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4623554A (ja) |
| EP (1) | EP0194530B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61204379A (ja) |
| CA (1) | CA1223157A (ja) |
| DE (1) | DE3685241D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018141667A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | アズビル株式会社 | 電磁流量計 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61199069A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | C Uyemura & Co Ltd | めっき液濃度自動連続管理装置 |
| US5200047A (en) * | 1985-02-28 | 1993-04-06 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Plating solution automatic control |
| US4736304A (en) * | 1986-04-07 | 1988-04-05 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method and apparatus for operating one or more deposition systems |
| US4692346A (en) * | 1986-04-21 | 1987-09-08 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for controlling the surface chemistry on objects plated in an electroless plating bath |
| US4756923A (en) * | 1986-07-28 | 1988-07-12 | International Business Machines Corp. | Method of controlling resistivity of plated metal and product formed thereby |
| US4908242A (en) * | 1986-10-31 | 1990-03-13 | Kollmorgen Corporation | Method of consistently producing a copper deposit on a substrate by electroless deposition which deposit is essentially free of fissures |
| US4814197A (en) * | 1986-10-31 | 1989-03-21 | Kollmorgen Corporation | Control of electroless plating baths |
| EP0265895B1 (en) * | 1986-10-31 | 1993-02-10 | AMP-AKZO CORPORATION (a Delaware corp.) | Method for electrolessly depositing high quality copper |
| US4774101A (en) * | 1986-12-10 | 1988-09-27 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Technologies, Inc. | Automated method for the analysis and control of the electroless metal plating solution |
| US4808431A (en) * | 1987-12-08 | 1989-02-28 | International Business Machines Corp. | Method for controlling plating on seeded surfaces |
| US5117370A (en) * | 1988-12-22 | 1992-05-26 | Ford Motor Company | Detection system for chemical analysis of zinc phosphate coating solutions |
| JP2638283B2 (ja) * | 1990-10-17 | 1997-08-06 | 日立化成工業株式会社 | 無電解めっき析出速度測定装置 |
| US5484626A (en) * | 1992-04-06 | 1996-01-16 | Shipley Company L.L.C. | Methods and apparatus for maintaining electroless plating solutions |
| US5631845A (en) * | 1995-10-10 | 1997-05-20 | Ford Motor Company | Method and system for controlling phosphate bath constituents |
| US5993892A (en) * | 1996-09-12 | 1999-11-30 | Wasserman; Arthur | Method of monitoring and controlling electroless plating in real time |
| AU3489999A (en) * | 1998-04-09 | 1999-11-01 | Dj Parker Company, Inc. | Automated chemical process control system |
| EP1099013A2 (en) * | 1998-07-13 | 2001-05-16 | DJ Parker Company, Inc. d/b/a Parker Systems | Paced chemical replenishment system |
| TWI707061B (zh) * | 2015-11-27 | 2020-10-11 | 德商德國艾托特克公司 | 鈀之電鍍浴組合物及無電電鍍方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1285693A (en) * | 1968-09-04 | 1972-08-16 | Nat Res Dev | Actuator drive apparatus |
| US4344142A (en) * | 1974-05-23 | 1982-08-10 | Federal-Mogul Corporation | Direct digital control of rubber molding presses |
| US3951602A (en) * | 1974-06-25 | 1976-04-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Spectrophotometric formaldehyde-copper monitor |
| DE2521282C2 (de) * | 1975-05-13 | 1977-03-03 | Siemens Ag | Prozessteueranlage zum selbsttaetigen analysieren und auffrischen von galvanischen baedern |
| US4096301A (en) * | 1976-02-19 | 1978-06-20 | Macdermid Incorporated | Apparatus and method for automatically maintaining an electroless copper plating bath |
| ZA775495B (en) * | 1976-11-22 | 1978-07-26 | Kollmorgen Tech Corp | Method and apparatus for control of electroless plating solutions |
| JPS5926660B2 (ja) * | 1979-03-07 | 1984-06-29 | 株式会社東芝 | 無電解メツキ反応の測定方法 |
| US4326940A (en) * | 1979-05-21 | 1982-04-27 | Rohco Incorporated | Automatic analyzer and control system for electroplating baths |
| US4276323A (en) * | 1979-12-21 | 1981-06-30 | Hitachi, Ltd. | Process for controlling of chemical copper plating solution |
| US4320463A (en) * | 1980-02-25 | 1982-03-16 | S. Himmelstein And Company | Production control system |
| US4479980A (en) * | 1983-12-16 | 1984-10-30 | International Business Machines Corporation | Plating rate monitor |
-
1985
- 1985-03-08 US US06/709,955 patent/US4623554A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-12-04 JP JP60271730A patent/JPS61204379A/ja active Granted
-
1986
- 1986-01-13 CA CA000499458A patent/CA1223157A/en not_active Expired
- 1986-02-28 EP EP86102645A patent/EP0194530B1/en not_active Expired
- 1986-02-28 DE DE8686102645T patent/DE3685241D1/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018141667A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | アズビル株式会社 | 電磁流量計 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4623554A (en) | 1986-11-18 |
| JPS61204379A (ja) | 1986-09-10 |
| DE3685241D1 (de) | 1992-06-17 |
| EP0194530B1 (en) | 1992-05-13 |
| EP0194530A2 (en) | 1986-09-17 |
| CA1223157A (en) | 1987-06-23 |
| EP0194530A3 (en) | 1987-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0215634B2 (ja) | ||
| EP0042689A1 (en) | Method and apparatus for controlling electrode drive speed in a consumable electrode furnace | |
| GB2092400A (en) | Heating apparatus | |
| EP0242745B1 (en) | Method and apparatus for controlling the chemical state of an electroless plating bath | |
| US4129480A (en) | Method and apparatus for determining the immersed surface area of one of the electrodes of an electro-chemical bath | |
| JPH0139670B2 (ja) | ||
| JPS6320485A (ja) | 無電解めつき浴中の汚染物質を制御する方法 | |
| EP0180090A2 (en) | System and method for automatically monitoring and maintaining desired concentrations of metal plating baths | |
| US5298145A (en) | Signal subtraction apparatus and method | |
| US4169224A (en) | Apparatus for obtaining feedback signals for controlling a parameter of an arc welding machine | |
| US4336111A (en) | Method for determining the strength of a metal processing solution | |
| CA1308686C (en) | Regulating quantity of metal electrolytically deposited on travelling band | |
| US4842886A (en) | Method for electroless plating | |
| JP4598425B2 (ja) | 渦流式センサの補正方法、溶融メッキの目付け量制御装置及び制御方法 | |
| US3719565A (en) | Method and means for measuring the deposition rate in metallic plating baths | |
| US5368716A (en) | Method and apparatus for analyzing the composition of an electro-deposition coating material and method and apparatus for controlling said composition | |
| EP0090407A1 (en) | Apparatus and methods for control in plating | |
| SU798199A1 (ru) | Способ измерени площадидЕТАли пРи гАльВАНичЕСКОМпРОцЕССЕ | |
| KR100482465B1 (ko) | 특정 물질 농도 검출 장치 및 이를 이용한 특정 물질 농도확인 장치 및 포화 상태 확인 방법 | |
| SU1095059A1 (ru) | Способ неразрушающего контрол электропровод щих изделий и устройство дл его осуществлени | |
| JPH0787057B2 (ja) | 塗装電線の製造方法および製造装置 | |
| SU200774A1 (ja) | ||
| JPS59195106A (ja) | めつき制御装置および方法 | |
| JPH068054B2 (ja) | サ−マルヘツドの製造方法 | |
| SU968730A2 (ru) | Способ измерени физико-механических параметров неферромагнитных изделий |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |