JPH02156178A - 光ファイバ磁界センサ - Google Patents
光ファイバ磁界センサInfo
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- JPH02156178A JPH02156178A JP31072188A JP31072188A JPH02156178A JP H02156178 A JPH02156178 A JP H02156178A JP 31072188 A JP31072188 A JP 31072188A JP 31072188 A JP31072188 A JP 31072188A JP H02156178 A JPH02156178 A JP H02156178A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 117
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 abstract description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 229910000976 Electrical steel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N L-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、磁歪効果により先ファイバに歪を与えろ磁界
ゼンサ部の感度を改良した光ファイバ磁界センサに関す
るしのである。
ゼンサ部の感度を改良した光ファイバ磁界センサに関す
るしのである。
「従来の技術」
従来より、磁界、磁気等の測定機器としては、マンハツ
エンダ干渉計型の光ファイバ磁界センサが一般に広く知
られている。従来の光ファイバ磁界センサの構成の一例
を、第4図を用いて説明する。
エンダ干渉計型の光ファイバ磁界センサが一般に広く知
られている。従来の光ファイバ磁界センサの構成の一例
を、第4図を用いて説明する。
図中符号1は、半導体レーザ等の光源部である。
この光源部1より出射された光は、伝送用光ファイバ2
を経て、分波器3により参照先と測定光に分波され、そ
れぞれ参照用光ファイ、バ4、測定用光ファイバ5へ導
かれる。この測定用光ファイバ5には、磁界センサ部6
が設けられており、磁歪効果により測定光に位相変化を
与える。この位相変化された測定光と、参照用光ファイ
バ4に導かれた参照光とが、合波器7により合波され干
渉光が発生ずる。この干渉光をフォトダイオード等の検
出部8て受光し電気変換を行って、アンプ部9にて増幅
し出力する構成となっている。
を経て、分波器3により参照先と測定光に分波され、そ
れぞれ参照用光ファイ、バ4、測定用光ファイバ5へ導
かれる。この測定用光ファイバ5には、磁界センサ部6
が設けられており、磁歪効果により測定光に位相変化を
与える。この位相変化された測定光と、参照用光ファイ
バ4に導かれた参照光とが、合波器7により合波され干
渉光が発生ずる。この干渉光をフォトダイオード等の検
出部8て受光し電気変換を行って、アンプ部9にて増幅
し出力する構成となっている。
上記磁界センサ部6は、強磁性金属をシリンダ状に形成
してなるらの、メタリックガラステープをコイル状に巻
回、積層したらの等の磁歪体の外面上に光ファイバが数
回巻き付けてなるものである。
してなるらの、メタリックガラステープをコイル状に巻
回、積層したらの等の磁歪体の外面上に光ファイバが数
回巻き付けてなるものである。
「発明が解決しようとする課題」
ところが、この磁界センサ部6は微弱な磁界に対する感
度が悪いという問題がある。また高感度の磁界センサ部
6を得るためには、測定する磁界の周波数と磁歪体の磁
界による共振点とを一致させる必要がある。このため、
測定する磁界の周波数により磁歪体の大きさが決定され
、従って磁界センサ部6の形状を小さくできないという
問題がある。さらに、この光ファイバ磁界センサに使用
されている光ファイバは外部に露出しているため、外部
環境に起因するノイズの影響を受けたり、環境により先
ファイバが劣化する問題かある。
度が悪いという問題がある。また高感度の磁界センサ部
6を得るためには、測定する磁界の周波数と磁歪体の磁
界による共振点とを一致させる必要がある。このため、
測定する磁界の周波数により磁歪体の大きさが決定され
、従って磁界センサ部6の形状を小さくできないという
問題がある。さらに、この光ファイバ磁界センサに使用
されている光ファイバは外部に露出しているため、外部
環境に起因するノイズの影響を受けたり、環境により先
ファイバが劣化する問題かある。
「課題を解決するための手段」
本発明は、周囲の磁界を磁界センサ部に収束させる機能
を有する磁性体を設けたことを、解決するための手段と
した。
を有する磁性体を設けたことを、解決するための手段と
した。
「作用」
周辺の磁界を、磁界センサ部に収束させる磁性体を設け
たことにより、磁界が磁界センサ部に収束されるため微
弱な磁界でも磁歪体がひずむことが可能となるため、磁
界センサ部の感度が向上する。また、同じく測定する磁
界が磁界センサ部に収束されているため、磁歪体を小さ
くすることが可能である。さらに、光ファイバが全て容
器に収納されているため、温度変化、圧力変化等のノイ
ズ要因がなく、また光ファイバの劣化が起こらない。
たことにより、磁界が磁界センサ部に収束されるため微
弱な磁界でも磁歪体がひずむことが可能となるため、磁
界センサ部の感度が向上する。また、同じく測定する磁
界が磁界センサ部に収束されているため、磁歪体を小さ
くすることが可能である。さらに、光ファイバが全て容
器に収納されているため、温度変化、圧力変化等のノイ
ズ要因がなく、また光ファイバの劣化が起こらない。
以下、本発明の光ファイバ磁界センサについて、第1図
を用いて詳しく説明する 第1図は本発明の実施例を示すもので、図中符号1は、
光源部を示す。この光源部1はこの光源部14Xら出射
した光を伝送するための伝送用光ファイバ2により、フ
ァイバ形偏光子lOを介して分波器3と結合されている
。この伝送用光ファイバ2は、分波器3により参照用光
ファイバ4と測定用光ファイバ5とに分割されている。
を用いて詳しく説明する 第1図は本発明の実施例を示すもので、図中符号1は、
光源部を示す。この光源部1はこの光源部14Xら出射
した光を伝送するための伝送用光ファイバ2により、フ
ァイバ形偏光子lOを介して分波器3と結合されている
。この伝送用光ファイバ2は、分波器3により参照用光
ファイバ4と測定用光ファイバ5とに分割されている。
測定用光ファイバ5には、磁界センサ部6が設けられて
いる。
いる。
この磁界センサ部6の上方及び下方には、磁界収束用磁
性体11が形成されている。上記測定用光ファイバ5は
、この磁界センサ部6を経て、合波器7にて再び参照用
光ファイバ4と接合し、−本の伝送用光ファイバ2とな
る。この伝送用光ファイバ2は検出部8と結合し、この
検出部8はアンプ部9と結合している。また、これらの
装置は全て容器12内に収納されている。この容器12
の材料としては、プラスチック等の磁界を透過させる材
料が好ましい。
性体11が形成されている。上記測定用光ファイバ5は
、この磁界センサ部6を経て、合波器7にて再び参照用
光ファイバ4と接合し、−本の伝送用光ファイバ2とな
る。この伝送用光ファイバ2は検出部8と結合し、この
検出部8はアンプ部9と結合している。また、これらの
装置は全て容器12内に収納されている。この容器12
の材料としては、プラスチック等の磁界を透過させる材
料が好ましい。
本発明の特徴は、磁界センサ部6の上方及び下方に磁界
収束用磁性体11が形成されたところにある。この磁界
収束用磁性体I+は角柱の一端面に切頭四角錐を付加し
た形状で、磁界セン、す部6にこの切頭面が向くように
設置されるのが好ましいが、形状及び設置の位置はこれ
に限られるものでなく、磁界センサ部6に周囲の磁界が
収束される形状および設置位置であればよい。この磁界
収束用磁性体llの材料としては、けい素鋼等が好適に
用いられる。
収束用磁性体11が形成されたところにある。この磁界
収束用磁性体I+は角柱の一端面に切頭四角錐を付加し
た形状で、磁界セン、す部6にこの切頭面が向くように
設置されるのが好ましいが、形状及び設置の位置はこれ
に限られるものでなく、磁界センサ部6に周囲の磁界が
収束される形状および設置位置であればよい。この磁界
収束用磁性体llの材料としては、けい素鋼等が好適に
用いられる。
上記光源部Iには、レーザダイオードが用いられ、好適
には干渉性の高いDFB(分布帰還形)レーザが用いら
れる。
には干渉性の高いDFB(分布帰還形)レーザが用いら
れる。
また伝送用光ファイバ2、p照用光ファイバ4、測定用
光ファイバ5に用いられる光ファイバは、通常用いられ
る石英系の単一モード光ファイバでも良いが、好適には
偏波安定性を向上させた偏波面保持光ファイバ(複屈折
光ファイバ)が用いられる。この偏波面保持光ファイバ
としては、応力付与型のものが好適であるが、楕円コア
型、楕円クラブト型、矩形コア型等でもよい。これら伝
送用光ファイバ2等には、光ファイバ裸線に熱硬化シリ
コン樹脂、UV硬化樹脂等により一次被覆された光ファ
イバ素線、もしくはこれにナイロン樹脂等により二次被
覆された光ファイバ心線等が好適に用いられる。
光ファイバ5に用いられる光ファイバは、通常用いられ
る石英系の単一モード光ファイバでも良いが、好適には
偏波安定性を向上させた偏波面保持光ファイバ(複屈折
光ファイバ)が用いられる。この偏波面保持光ファイバ
としては、応力付与型のものが好適であるが、楕円コア
型、楕円クラブト型、矩形コア型等でもよい。これら伝
送用光ファイバ2等には、光ファイバ裸線に熱硬化シリ
コン樹脂、UV硬化樹脂等により一次被覆された光ファ
イバ素線、もしくはこれにナイロン樹脂等により二次被
覆された光ファイバ心線等が好適に用いられる。
ファイバ形偏光子IOには、応力付与型偏波面保持光フ
ァイバをコイル状に巻いたコイル形ファイバ偏光子等が
好適に用いられる。また、分波器3および合波器7には
、偏波面保持光カブラ等が好適に用いられる 本発明の光ファイバ磁界センサにおける磁界センサ部6
の一例を第2図に示す。図中符号13は、メタリックガ
ラステープを示す。このメタリックガラステープ13を
多数枚積層ずろことにより、角柱状のm歪体14か形成
され、この表面にセンサ用光ファイバ15を接着するこ
とにより、磁界センサ部6となる。本発明においては、
磁界センサ部6として上記構成のものが好適に用いられ
る。
ァイバをコイル状に巻いたコイル形ファイバ偏光子等が
好適に用いられる。また、分波器3および合波器7には
、偏波面保持光カブラ等が好適に用いられる 本発明の光ファイバ磁界センサにおける磁界センサ部6
の一例を第2図に示す。図中符号13は、メタリックガ
ラステープを示す。このメタリックガラステープ13を
多数枚積層ずろことにより、角柱状のm歪体14か形成
され、この表面にセンサ用光ファイバ15を接着するこ
とにより、磁界センサ部6となる。本発明においては、
磁界センサ部6として上記構成のものが好適に用いられ
る。
上記メタリックガラステープ13は、鉄、ニッケル、コ
バルトなどの強磁性金属を溶融状態から急激に冷却する
ことによってアモルファス金属とし、これをテープ状に
したものなどが好適に用いられる。ここで、磁歪体I4
に接着されるセンサ用光ファイバ15としては、伝送用
光ファイバ2などに用いられるものと同一のものでよい
が、磁界センサ部6をより高感度にするためには、被覆
のされていない光ファイバ裸線を使用することが好まし
く、また温度特性の向上を意図するならば、金属被覆を
施したメタルファイバを用いることも可能である。
バルトなどの強磁性金属を溶融状態から急激に冷却する
ことによってアモルファス金属とし、これをテープ状に
したものなどが好適に用いられる。ここで、磁歪体I4
に接着されるセンサ用光ファイバ15としては、伝送用
光ファイバ2などに用いられるものと同一のものでよい
が、磁界センサ部6をより高感度にするためには、被覆
のされていない光ファイバ裸線を使用することが好まし
く、また温度特性の向上を意図するならば、金属被覆を
施したメタルファイバを用いることも可能である。
検出器8には、フォトダイオード等が用いられ、アンプ
9には、ロックインアンプなどが用いられる。
9には、ロックインアンプなどが用いられる。
次に、この光ファイバ磁界センサの磁界検出機構につい
て説明する。
て説明する。
まず、光源部!より出射したレーザ光は、ファイバ彰偏
光子10にて、その偏波面を伝送用光ファイバ2に用い
られる偏波面保持光ファイバの偏波面に一致させられる
。このファイバ形偏光子10を通過したレーザ光は、偏
波面保持光カプラかろなる分波器3により参照光と測定
光に分波され、それぞれ参照用光ファイバ4、測定用光
ファイバ5へ導かれる。測定用光ファイバ5に導かれた
測定光は、磁界センサ部6に入射する。ここで、周囲に
磁界が存在した場合、この磁界は磁界収束用磁性体11
にて磁界センサ部6に収束される。この磁界センサ部6
において、収束された磁界により磁歪体14がひずみ、
その結果センサ用光ファイバ15にら歪が加わることに
より、測定光に位相変化を与える。この位相変化された
測定光と、参照用光ファイバ4に導かれた参照光とが、
偏波面保持光カブラからなる合波器7により合波される
と干渉光が発生し、この干渉光をフォトダイオード等か
らなる検出部8にて受光し電気変換を行い、さらにロッ
クインアンプ等からなるアンプ部9にて増幅し出力され
磁界が検出される。
光子10にて、その偏波面を伝送用光ファイバ2に用い
られる偏波面保持光ファイバの偏波面に一致させられる
。このファイバ形偏光子10を通過したレーザ光は、偏
波面保持光カプラかろなる分波器3により参照光と測定
光に分波され、それぞれ参照用光ファイバ4、測定用光
ファイバ5へ導かれる。測定用光ファイバ5に導かれた
測定光は、磁界センサ部6に入射する。ここで、周囲に
磁界が存在した場合、この磁界は磁界収束用磁性体11
にて磁界センサ部6に収束される。この磁界センサ部6
において、収束された磁界により磁歪体14がひずみ、
その結果センサ用光ファイバ15にら歪が加わることに
より、測定光に位相変化を与える。この位相変化された
測定光と、参照用光ファイバ4に導かれた参照光とが、
偏波面保持光カブラからなる合波器7により合波される
と干渉光が発生し、この干渉光をフォトダイオード等か
らなる検出部8にて受光し電気変換を行い、さらにロッ
クインアンプ等からなるアンプ部9にて増幅し出力され
磁界が検出される。
ここで、周囲の磁界が微弱な磁界であっても、磁界収束
用磁性体11が形成されているため、これにより磁界が
収束され、磁界センサ部6の磁歪体I4に歪が発生し、
この微弱な磁界が検出される。すなわち、磁界収束用磁
性体IIを設けることにより感度を上げることができる
。また磁界が収束されているため、磁界センサ部6を小
型化することができろ。
用磁性体11が形成されているため、これにより磁界が
収束され、磁界センサ部6の磁歪体I4に歪が発生し、
この微弱な磁界が検出される。すなわち、磁界収束用磁
性体IIを設けることにより感度を上げることができる
。また磁界が収束されているため、磁界センサ部6を小
型化することができろ。
また、磁歪体を共振点近傍で使用する必要がなくなるの
で、寸法に制限されない。そして共振現象を示さないた
めに、磁界検出出力ら磁界の周波数に対して平坦となっ
て、信号処理が簡単となる。
で、寸法に制限されない。そして共振現象を示さないた
めに、磁界検出出力ら磁界の周波数に対して平坦となっ
て、信号処理が簡単となる。
さらに、この光ファイバ磁界センサを容器12に収納す
ることにより外部と遮断されるため、温度変化、圧力変
化等の外部要因に起因するノイズの影響がなく、精度が
良好となる。また、同じく外部1境による光ファイバ等
の劣化を防ぐことができろ。
ることにより外部と遮断されるため、温度変化、圧力変
化等の外部要因に起因するノイズの影響がなく、精度が
良好となる。また、同じく外部1境による光ファイバ等
の劣化を防ぐことができろ。
また、磁界センサ部6を第2図に示す構成とすることに
より磁界の方向により感度が変化するので、この磁界セ
ンサ部を用いた光ファイバ磁界センサは指向性を有する
ものとなる。
より磁界の方向により感度が変化するので、この磁界セ
ンサ部を用いた光ファイバ磁界センサは指向性を有する
ものとなる。
「実施例」
光源部1として、波長1.3μmのDFBレーザダイオ
ードを使用し、光の出力が−4,5dBmの偏光波を出
射させた。この偏波光は、消光比38dI3のファイバ
形偏光子10に・よりシングルモードHE二の偏波光と
された。この際、ファイノく形部光子10としては、応
力付与型の偏波面保持光ファイバを直径50mmのコイ
ル上に巻いて製作したしのを使用した。分波器3、合波
器7として、偏波面保持光カブラを用いて参照先とフリ
足先に分波もしくは合波をした。
ードを使用し、光の出力が−4,5dBmの偏光波を出
射させた。この偏波光は、消光比38dI3のファイバ
形偏光子10に・よりシングルモードHE二の偏波光と
された。この際、ファイノく形部光子10としては、応
力付与型の偏波面保持光ファイバを直径50mmのコイ
ル上に巻いて製作したしのを使用した。分波器3、合波
器7として、偏波面保持光カブラを用いて参照先とフリ
足先に分波もしくは合波をした。
伝送用光ファイバ2、参照用光ファイバ4、ヘリ定用光
ファイバ5には、応力付与型光ファイノくを用い、ブラ
ッド径125μm、被覆材料は紫外線硬化Iat指、被
覆径400μmのものを用いた。
ファイバ5には、応力付与型光ファイノくを用い、ブラ
ッド径125μm、被覆材料は紫外線硬化Iat指、被
覆径400μmのものを用いた。
磁界センサ部6には、幅25mm、長さ30mm。
肉厚25μmのメタリックガラステープを約350収積
層し、厚みを10mmとした磁歪体を用いた。
層し、厚みを10mmとした磁歪体を用いた。
この際使用したメタリックガラステープは、米国アライ
ト社製、2G05COを用いた。これは、鉄、コバルト
、はう素、けい素を溶融状態から急冷して得られたアモ
ルファス状のメタリックガラステープである。この磁歪
体の端面に上記光ファイバを21+1接着して磁界セン
サ部6としたこの磁界センサ部6の上方及び下方に、け
い素鋼からなる磁界収束用磁性体11を形成した。この
磁界収束用磁性体11は幅50mm、長さ50IIII
111肉i’%30mmの角柱の一端面に、切頭面か幅
20mm、長さ20mmで肉摩が3011II11の切
頭四角錐を付加した形状で、磁界センサ部6にこの切頭
面が向くように設置した。
ト社製、2G05COを用いた。これは、鉄、コバルト
、はう素、けい素を溶融状態から急冷して得られたアモ
ルファス状のメタリックガラステープである。この磁歪
体の端面に上記光ファイバを21+1接着して磁界セン
サ部6としたこの磁界センサ部6の上方及び下方に、け
い素鋼からなる磁界収束用磁性体11を形成した。この
磁界収束用磁性体11は幅50mm、長さ50IIII
111肉i’%30mmの角柱の一端面に、切頭面か幅
20mm、長さ20mmで肉摩が3011II11の切
頭四角錐を付加した形状で、磁界センサ部6にこの切頭
面が向くように設置した。
検出部8としてはフォトダイオードを用い、アンプ部9
としてはロックインアンプを用いた。
としてはロックインアンプを用いた。
また容器12としては、へBS樹脂を材料に用い、この
光ファイバ磁界センサが外部と遮断されるように形成し
た。
光ファイバ磁界センサが外部と遮断されるように形成し
た。
上記構成の光ファイバ磁界センサの周波数5kHzの磁
界に対する検出結果を第3図に示す。
界に対する検出結果を第3図に示す。
第3図より明らかなように、I(I@Oeまで磁界検出
が可能であった。また、外部要因からのノイズがなく、
長期間使用してら光ファイバの劣化がなかった。
が可能であった。また、外部要因からのノイズがなく、
長期間使用してら光ファイバの劣化がなかった。
「発明の効果」
本発明の光ファイバ磁界センサは、周辺の磁界を磁歪体
と光ファイバとからなる磁界センサ部に収束させる機能
を佇する磁性体を設けたことにより、磁界か磁界センサ
部に収束されるため磁界センサ部の感度か向上する。ま
た、同じく測定ずろ磁界が磁界センサ部に収束されてい
るため、磁歪体を小さくすることか可能である。さらに
この光ファイバ磁界センサを、容器に収納したことによ
り、温度変化、圧力変化等のノイズ要因がないため精度
が向上し、また光ファイバの劣化が起こらない。
と光ファイバとからなる磁界センサ部に収束させる機能
を佇する磁性体を設けたことにより、磁界か磁界センサ
部に収束されるため磁界センサ部の感度か向上する。ま
た、同じく測定ずろ磁界が磁界センサ部に収束されてい
るため、磁歪体を小さくすることか可能である。さらに
この光ファイバ磁界センサを、容器に収納したことによ
り、温度変化、圧力変化等のノイズ要因がないため精度
が向上し、また光ファイバの劣化が起こらない。
従って、本発明の光ファイバ磁界センサは、感度の向上
、小型化が可能、精度の向上、光ファイバの劣化の防止
という効果を有するものである。
、小型化が可能、精度の向上、光ファイバの劣化の防止
という効果を有するものである。
第1図は本発明の光ファイバ磁界センサの実施例を示す
概略説明図、第2図はその磁界センサ部を示す概略斜視
図、第3図は磁界測定結果を示すグラフ、第4図は従来
の光ファイバ磁界センサを示す概略説明図である。 第1図 6 ・・・・・・磁界センサ部、 II ・・・・ 磁界収束用磁性体、12 ・・・・
・・容器、14 ・・・磁歪体、 15 ・ ・センザ用先ファイバ。 第2図
概略説明図、第2図はその磁界センサ部を示す概略斜視
図、第3図は磁界測定結果を示すグラフ、第4図は従来
の光ファイバ磁界センサを示す概略説明図である。 第1図 6 ・・・・・・磁界センサ部、 II ・・・・ 磁界収束用磁性体、12 ・・・・
・・容器、14 ・・・磁歪体、 15 ・ ・センザ用先ファイバ。 第2図
Claims (1)
- 磁歪体と光ファイバとからなる磁界センサ部に、周囲の
磁界を収束させる機能を有する磁性体を設けたことを特
徴とする光ファイバ磁界センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31072188A JPH02156178A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 光ファイバ磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31072188A JPH02156178A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 光ファイバ磁界センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02156178A true JPH02156178A (ja) | 1990-06-15 |
Family
ID=18008679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31072188A Pending JPH02156178A (ja) | 1988-12-08 | 1988-12-08 | 光ファイバ磁界センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02156178A (ja) |
-
1988
- 1988-12-08 JP JP31072188A patent/JPH02156178A/ja active Pending
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