JPH02148828A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
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- JPH02148828A JPH02148828A JP30271388A JP30271388A JPH02148828A JP H02148828 A JPH02148828 A JP H02148828A JP 30271388 A JP30271388 A JP 30271388A JP 30271388 A JP30271388 A JP 30271388A JP H02148828 A JPH02148828 A JP H02148828A
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- photoresist
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000003595 mist Substances 0.000 abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 12
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 7
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、レジスト塗布装置に関する。
(従来の技術)
一般に、半導体製造工程においては、半導体ウェハ等の
基板上に、フォトレジストを用いたフォトリソグラフ技
術により微細な回路パターンの転写を行う。
基板上に、フォトレジストを用いたフォトリソグラフ技
術により微細な回路パターンの転写を行う。
上記フォトリソグラフ技術の工程の中で半導体ウェハ等
の基板の表面にフォトレジストを塗布するレジスト塗布
装置は、例えば半導体ウェハ表面にフォトレジストを滴
下し、この後半導体ウェハを高速で回転させることによ
り、半導体ウェハ表面にフォトレジストを均一に塗布す
る方法、いわゆるスピンコーティングによりフォトレジ
ストを塗布するよう構成されたものが多い。
の基板の表面にフォトレジストを塗布するレジスト塗布
装置は、例えば半導体ウェハ表面にフォトレジストを滴
下し、この後半導体ウェハを高速で回転させることによ
り、半導体ウェハ表面にフォトレジストを均一に塗布す
る方法、いわゆるスピンコーティングによりフォトレジ
ストを塗布するよう構成されたものが多い。
また、このようなレジスト塗布装置では、半導体ウェハ
の高速回転に伴って余剰のフォトレジストが飛散するた
め、コーターカップ等と称される処理室内で上述したよ
うなスピンコーティングによる塗布を行うよう構成され
ている。そして、このコーターカップ下端から余剰のフ
ォトレジストを排出するとともに、コーターカップ下端
から排気することにより、ミスト状になったフォトレジ
スト等をコーターカップ内から速やかに排出して、半導
体ウェハに付着したり外部に漏洩したりすることを防止
するよう構成されている。
の高速回転に伴って余剰のフォトレジストが飛散するた
め、コーターカップ等と称される処理室内で上述したよ
うなスピンコーティングによる塗布を行うよう構成され
ている。そして、このコーターカップ下端から余剰のフ
ォトレジストを排出するとともに、コーターカップ下端
から排気することにより、ミスト状になったフォトレジ
スト等をコーターカップ内から速やかに排出して、半導
体ウェハに付着したり外部に漏洩したりすることを防止
するよう構成されている。
(発明が解決しようとする課題)
上記説明のレジスト塗布装置では、半導体つエバ等の基
板の高速回転に伴って発生したフォトレジスト等のミス
ト状物質が、他の部位へ拡散することをできるだけ抑制
する必要がある。例えばこのミスト状物質が排気を行う
ための真空ポンプ内等に入ると、オイルの劣化を招き好
ましくない。
板の高速回転に伴って発生したフォトレジスト等のミス
ト状物質が、他の部位へ拡散することをできるだけ抑制
する必要がある。例えばこのミスト状物質が排気を行う
ための真空ポンプ内等に入ると、オイルの劣化を招き好
ましくない。
このため、例えば処理室(コーターカップ)内から排気
を行うための排気経路にミストトラップ等を設けたもの
が多い。
を行うための排気経路にミストトラップ等を設けたもの
が多い。
しかしながら、フォトレジスト等のミスト状物質は完全
に除去することが困難で、従来のレジスト塗布装置では
、ミストトラップ等で除去できないミスト状物質が他の
部位に拡散し、例えば真空ポンプ内等に入ったり、他の
部位に付着したりする等の問題があった。
に除去することが困難で、従来のレジスト塗布装置では
、ミストトラップ等で除去できないミスト状物質が他の
部位に拡散し、例えば真空ポンプ内等に入ったり、他の
部位に付着したりする等の問題があった。
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
従来に較べてフォトレジスト等のミスト状物質の他の部
位への拡散を減少させることのできるレジスト塗布装置
を提供しようとするものである。
従来に較べてフォトレジスト等のミスト状物質の他の部
位への拡散を減少させることのできるレジスト塗布装置
を提供しようとするものである。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
すなわち本発明は、処理室内に設けた基板の表面・にフ
ォトレジストを供給して塗布するレジスト塗布装置にお
いて、前記処理室から排気する排気経路の少なくとも一
部に、該排気経路を冷却する如く冷却機構を設けたこと
を特徴とする。
ォトレジストを供給して塗布するレジスト塗布装置にお
いて、前記処理室から排気する排気経路の少なくとも一
部に、該排気経路を冷却する如く冷却機構を設けたこと
を特徴とする。
(作 用)
上記構成の本発明のレジスト塗布装置では、処理室例え
ばコーターカップから排気を行う排気経路に、該排気経
路を冷却する如く冷却機構が設けられている。
ばコーターカップから排気を行う排気経路に、該排気経
路を冷却する如く冷却機構が設けられている。
したがって、フォトレジスト等のミスト状物質を含む排
気気体を冷却し、この排気気体中のミスト状物質を析出
させてこの冷却部位に捕捉することができ、従来に較べ
てフォトレジスト等のミスト状物質の他の部位への拡散
を減少させることができる。
気気体を冷却し、この排気気体中のミスト状物質を析出
させてこの冷却部位に捕捉することができ、従来に較べ
てフォトレジスト等のミスト状物質の他の部位への拡散
を減少させることができる。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
レジスト塗布装置1には、処理室を構成する如くコータ
ーカップ2が設けられており、このコーターカップ2内
には、例えば真空チャック等によって半導体ウェハ3を
保持し、駆動機構4によってこの半導体ウェハ3を高速
回転可能に構成されたウェハ載置台5が設けられている
。
ーカップ2が設けられており、このコーターカップ2内
には、例えば真空チャック等によって半導体ウェハ3を
保持し、駆動機構4によってこの半導体ウェハ3を高速
回転可能に構成されたウェハ載置台5が設けられている
。
また、ウェハ載置台5の上部には、半導体ウェハ3表面
に所定のフォトレジストを供給するためのノズル6が設
けられており、コーターカップ2の底部には、コーター
カップ2内に飛散した余剰のフォトレジストを排出する
ためのレジスト排出ロアとコーターカップ2内から排気
を行うための排気口8が設けられている。
に所定のフォトレジストを供給するためのノズル6が設
けられており、コーターカップ2の底部には、コーター
カップ2内に飛散した余剰のフォトレジストを排出する
ためのレジスト排出ロアとコーターカップ2内から排気
を行うための排気口8が設けられている。
さらに、上記排気口8には、接続用配管9を介してミス
トトラップ10が接続されている。
トトラップ10が接続されている。
第2図にも示すように、このミストトラップ10は、材
質例えばステンレスからなり、各辺の長さが例えば数十
■〜百数十1程度の容器状に形成されており、その上部
に上記接続用配管9が接続されている。また、ミストト
ラップ10の側部には図示しない排気装置に接続された
排気配管11が、下部には図示しないドレインタンクに
接続されたドレイン配管12がそれぞれ接続されている
。
質例えばステンレスからなり、各辺の長さが例えば数十
■〜百数十1程度の容器状に形成されており、その上部
に上記接続用配管9が接続されている。また、ミストト
ラップ10の側部には図示しない排気装置に接続された
排気配管11が、下部には図示しないドレインタンクに
接続されたドレイン配管12がそれぞれ接続されている
。
なお、上記排気配管11は、ミストトラップ1゜の側面
から、例えば水平方向に対して5度の角度を持って上方
に向かう如く接続されている。
から、例えば水平方向に対して5度の角度を持って上方
に向かう如く接続されている。
さらに、ミストトラップ10内には、接続用配管9と排
気配管11との間の開口面積を′減少させる如(気液分
離板13が設゛けられており、排気配管11から排気す
ることにより、ミストトラップ10内に図示矢印のよう
な排気気体流を形成し、排気気体とミスト状のフォトレ
ジストとを分離し、フォトレジストをドレイン配管12
がら図示しないドレインタンクに導出するよう構成され
ている。
気配管11との間の開口面積を′減少させる如(気液分
離板13が設゛けられており、排気配管11から排気す
ることにより、ミストトラップ10内に図示矢印のよう
な排気気体流を形成し、排気気体とミスト状のフォトレ
ジストとを分離し、フォトレジストをドレイン配管12
がら図示しないドレインタンクに導出するよう構成され
ている。
また、上記排気口8から図示しない排気装置に至る排気
経路、例えば接続用配管9および排気配管11の外側に
は、それぞれ冷却機構として例えば冷却水循環機構14
.15が設けられており、これらの部位は冷却可能に構
成されている。
経路、例えば接続用配管9および排気配管11の外側に
は、それぞれ冷却機構として例えば冷却水循環機構14
.15が設けられており、これらの部位は冷却可能に構
成されている。
上記構成のレジスト塗布装置1は、例えば第3図に示す
ようにレジスト処理装置20に配置される。
ようにレジスト処理装置20に配置される。
すなわち、レジスト処理装置20の一方の端部には、ウ
ェハカセット21内から順次半導体ウェハ3をロードす
るためのセンダー22が設けられており、このセンダー
22の側方にレジスト塗布装置1が設けられ、レジスト
塗布装置1の側方には、ベーキング装置23が設けられ
ている。このベーキング装置23には、上面に半導体ウ
ェハ3を載置可能とされ、加熱機構例えば内蔵された図
示しない抵抗加熱ヒータによってこの半導体ウニ八3を
加熱可能に構成された複数例えば3つの加熱ステージ2
4が一列に配設されており、半導体ウニ八3をステップ
状に 1ステ一ジ分ずつ搬送しなからベーキング処理を
行うよう構成されている。
ェハカセット21内から順次半導体ウェハ3をロードす
るためのセンダー22が設けられており、このセンダー
22の側方にレジスト塗布装置1が設けられ、レジスト
塗布装置1の側方には、ベーキング装置23が設けられ
ている。このベーキング装置23には、上面に半導体ウ
ェハ3を載置可能とされ、加熱機構例えば内蔵された図
示しない抵抗加熱ヒータによってこの半導体ウニ八3を
加熱可能に構成された複数例えば3つの加熱ステージ2
4が一列に配設されており、半導体ウニ八3をステップ
状に 1ステ一ジ分ずつ搬送しなからベーキング処理を
行うよう構成されている。
そして、上記ベーキング装置23の側方には、ベーキン
グ装置23による処理を終了した半導体ウェハ3をウェ
ハカセット21内に収容するレシーバ25が設けられて
いる。
グ装置23による処理を終了した半導体ウェハ3をウェ
ハカセット21内に収容するレシーバ25が設けられて
いる。
上記構成のレジスト処理装置20では、センダー22に
よってウェハカセット21内がら順次半導体ウェハ3を
レジスト塗布装置1のウェハ載置台5にロードする。
よってウェハカセット21内がら順次半導体ウェハ3を
レジスト塗布装置1のウェハ載置台5にロードする。
そして、レジスト塗布装置lでは、ノズル6がら所定量
のフォトレジストを半導体ウェハ3表面のほぼ中央部分
に滴下するとともに、駆動機構4によってこの半導体ウ
ェハ3を高速回転させることにより半導体ウェハ3表面
全面に均一にフォトレジストを塗布する。
のフォトレジストを半導体ウェハ3表面のほぼ中央部分
に滴下するとともに、駆動機構4によってこの半導体ウ
ェハ3を高速回転させることにより半導体ウェハ3表面
全面に均一にフォトレジストを塗布する。
この時、排気配管11から排気を行うとともに、冷却水
循環機構14.15に冷却水を循環させることにより、
排気経路の少なくとも一部の冷却を行う。したがって、
コータカップ2がらの排気気体は、まず冷却水循環機構
14によって冷却された接続用配管9内を通過する際に
冷却され、この排気気体中のミスト状のフォトレジスト
は、この接続用配管9およびミストトラップ1o内に効
率良く捕捉され、ドレイン配管12から図示しないドレ
インタンクに導出される。また、この部位で捕捉できな
かったミスト状のフォトレジストは、冷却水循環機構1
5によって冷却された排気配管11内で再度冷却され、
この部位に付着し、捕捉される。なお、前述のように排
気配管11は、ミストトラップ10の側面から、例えば
水平方向に対して5度の角度を持って上方に向かう如く
接続されているので、排気配管11内に付青したフォト
レジストは、ミストトラップ10内に落下し、ドレイン
配管12から図示しないドレインタンクに導出される。
循環機構14.15に冷却水を循環させることにより、
排気経路の少なくとも一部の冷却を行う。したがって、
コータカップ2がらの排気気体は、まず冷却水循環機構
14によって冷却された接続用配管9内を通過する際に
冷却され、この排気気体中のミスト状のフォトレジスト
は、この接続用配管9およびミストトラップ1o内に効
率良く捕捉され、ドレイン配管12から図示しないドレ
インタンクに導出される。また、この部位で捕捉できな
かったミスト状のフォトレジストは、冷却水循環機構1
5によって冷却された排気配管11内で再度冷却され、
この部位に付着し、捕捉される。なお、前述のように排
気配管11は、ミストトラップ10の側面から、例えば
水平方向に対して5度の角度を持って上方に向かう如く
接続されているので、排気配管11内に付青したフォト
レジストは、ミストトラップ10内に落下し、ドレイン
配管12から図示しないドレインタンクに導出される。
そして、上述したレジスト塗布装置1によるレジストの
塗布が終了すると、半導体ウェハ3をベーキング装置2
3の加熱ステージ24上をステップ状に移動させなから
ベーキング処理を行い、ベーキング処理が終了した半導
体ウェハ3は、レシーバ25によってウェハカセット2
1内に収容される。
塗布が終了すると、半導体ウェハ3をベーキング装置2
3の加熱ステージ24上をステップ状に移動させなから
ベーキング処理を行い、ベーキング処理が終了した半導
体ウェハ3は、レシーバ25によってウェハカセット2
1内に収容される。
以上説明したように、この実施例のレジスト塗布装置1
では、コーターカップ2とミストトラップ10とを接続
する接続用配管9およびミストトラップ10に接続され
た排気配管11の外側に、それぞれ冷却水循環機構14
.15が設けられており、これらの部位を冷却可能に構
成されている。
では、コーターカップ2とミストトラップ10とを接続
する接続用配管9およびミストトラップ10に接続され
た排気配管11の外側に、それぞれ冷却水循環機構14
.15が設けられており、これらの部位を冷却可能に構
成されている。
したがって、排気気体中のフォトレジスト等のミスト状
物質を効率良く補足することができ、このミスト状物質
の他の部位への拡散を従来に較べて減少させることがで
きる。
物質を効率良く補足することができ、このミスト状物質
の他の部位への拡散を従来に較べて減少させることがで
きる。
[発明の効果]
上述のように、本発明のレジスト塗布装置によれば、従
来に較べてフォトレジスト等のミスト状物質の他の部位
への拡散を減少させることができる。
来に較べてフォトレジスト等のミスト状物質の他の部位
への拡散を減少させることができる。
第1図は本発明の一実施例のレジスト塗布装置の構成を
示す図、第2図は第1図のレジスト塗布装置の要部を拡
大して示す図、第3図は第1図のレジスト塗布装置を配
置したレジスト処理装置の構成を示す図である。 1・・・・・・レジスト塗布装置、2・・・・・・コー
ターカップ、3・・・・・・半導体ウェハ、4・・・・
・・駆動機構、5・・・・・・ウェハ載置、6・・・・
・・ノズル、7・・・・・・レジスト排出口、8・・・
・・・排気口、9・・・・・・接続用配管、1o・・・
・・・ミストトラップ、11・・・・・・排気配管、1
2・・・・・・ドレイン配管、13・・・・・・気液分
離板、14.15・・・・・・冷却水循環機構。
示す図、第2図は第1図のレジスト塗布装置の要部を拡
大して示す図、第3図は第1図のレジスト塗布装置を配
置したレジスト処理装置の構成を示す図である。 1・・・・・・レジスト塗布装置、2・・・・・・コー
ターカップ、3・・・・・・半導体ウェハ、4・・・・
・・駆動機構、5・・・・・・ウェハ載置、6・・・・
・・ノズル、7・・・・・・レジスト排出口、8・・・
・・・排気口、9・・・・・・接続用配管、1o・・・
・・・ミストトラップ、11・・・・・・排気配管、1
2・・・・・・ドレイン配管、13・・・・・・気液分
離板、14.15・・・・・・冷却水循環機構。
Claims (1)
- (1)処理室内に設けた基板の表面にフォトレジストを
供給して塗布するレジスト塗布装置において、 前記処理室から排気する排気経路の少なくとも一部に、
冷却機構を設けたことを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63302713A JP2740805B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63302713A JP2740805B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | レジスト塗布装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02148828A true JPH02148828A (ja) | 1990-06-07 |
JP2740805B2 JP2740805B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=17912283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63302713A Expired - Fee Related JP2740805B2 (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2740805B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62216602A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-24 | Fujitsu Ltd | 有機溶剤回収方法 |
JPS62174635U (ja) * | 1986-04-23 | 1987-11-06 |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP63302713A patent/JP2740805B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62216602A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-24 | Fujitsu Ltd | 有機溶剤回収方法 |
JPS62174635U (ja) * | 1986-04-23 | 1987-11-06 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2740805B2 (ja) | 1998-04-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |