JPH0214840A - 合成石英ガラス基板 - Google Patents
合成石英ガラス基板Info
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- JPH0214840A JPH0214840A JP16437788A JP16437788A JPH0214840A JP H0214840 A JPH0214840 A JP H0214840A JP 16437788 A JP16437788 A JP 16437788A JP 16437788 A JP16437788 A JP 16437788A JP H0214840 A JPH0214840 A JP H0214840A
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Classifications
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/12—Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes
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- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
- C03B2201/03—Impurity concentration specified
-
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- C03B2201/04—Hydroxyl ion (OH)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は合成石英ガラス基板、特にはOH基含有量およ
びC1基含有量が少なく、かつは高温度における粘度特
性が高いので、液晶デイスプレィやエレクトロルミネッ
センスなどに有用とされる高温でも平坦な耐熱性のすぐ
れた合成石英ガラス基板に関するものである。
びC1基含有量が少なく、かつは高温度における粘度特
性が高いので、液晶デイスプレィやエレクトロルミネッ
センスなどに有用とされる高温でも平坦な耐熱性のすぐ
れた合成石英ガラス基板に関するものである。
(従来の技術)
液晶デイスプレィ(LCD)は近年、小形ポケットテレ
ビ、ラップトツブパーソナルコンピューターなどの伸び
に伴って急速に市場が拡大されてきており、このものは
ガラス基板上にソースドレインと導電チャンネルを多結
晶シリコン薄膜またはアモルファスシリコン薄膜で形成
し、これでTN液晶をサンドイッチする構造とされてい
る。しかして、この多結晶シリコン薄膜のガラス基板上
への析出は通常トリクロロシランと水素とを1゜100
〜1,200℃で反応させるという方法、あるいはアモ
ルファスシリコンを400〜600℃で析出させ、1,
100〜1.200℃で多結晶化させる方法で行われて
いるが、ガラス基板が約1mmと薄いものであるために
これには変形(伸び、反り)が起り、平坦性や均一性が
劣ることが問題となっており、事実、温度的な制約から
このガラス基板を青板ガラスとすることはできないし、
これを天然石英ガラスとするとこれは脈理があり、不純
物含有量が多いということから使用面に限界があり、合
成石英ガラスには平坦度はすぐれているが高温における
粘度が低いし、伸びや反りに問題がある。
ビ、ラップトツブパーソナルコンピューターなどの伸び
に伴って急速に市場が拡大されてきており、このものは
ガラス基板上にソースドレインと導電チャンネルを多結
晶シリコン薄膜またはアモルファスシリコン薄膜で形成
し、これでTN液晶をサンドイッチする構造とされてい
る。しかして、この多結晶シリコン薄膜のガラス基板上
への析出は通常トリクロロシランと水素とを1゜100
〜1,200℃で反応させるという方法、あるいはアモ
ルファスシリコンを400〜600℃で析出させ、1,
100〜1.200℃で多結晶化させる方法で行われて
いるが、ガラス基板が約1mmと薄いものであるために
これには変形(伸び、反り)が起り、平坦性や均一性が
劣ることが問題となっており、事実、温度的な制約から
このガラス基板を青板ガラスとすることはできないし、
これを天然石英ガラスとするとこれは脈理があり、不純
物含有量が多いということから使用面に限界があり、合
成石英ガラスには平坦度はすぐれているが高温における
粘度が低いし、伸びや反りに問題がある。
他方、各種のエレクトロルミネッセンス素子(ELi子
)はブラウン管に代る薄くて軽量な平面デイスプレィと
して使用されており、このものはガラス基板上に透明電
極、下部絶縁層、発光層、上部絶縁層、上部電極を順次
積層した構造とされているが、このEL素子については
これに回路素子や駆動ICを搭載して一体構造としたE
Cデイスプレィも開発されつつあり、EC素子が高電圧
をかける方向になってきていることから、このガラス基
板は高抵抗性、高誘導率で耐熱性のすぐれたものとする
必要があり、このような性質をもつ合成石英ガラス基板
の提供が求められている。
)はブラウン管に代る薄くて軽量な平面デイスプレィと
して使用されており、このものはガラス基板上に透明電
極、下部絶縁層、発光層、上部絶縁層、上部電極を順次
積層した構造とされているが、このEL素子については
これに回路素子や駆動ICを搭載して一体構造としたE
Cデイスプレィも開発されつつあり、EC素子が高電圧
をかける方向になってきていることから、このガラス基
板は高抵抗性、高誘導率で耐熱性のすぐれたものとする
必要があり、このような性質をもつ合成石英ガラス基板
の提供が求められている。
(発明の構成)
本発明は上記したような不利を解決し、かっは上記した
ような要望に応え得る合成石英ガラス基板に関するもの
であり、これはアルコキシシラン溶液を加水分解して得
たゾル液をゲル化し、乾燥したのち、1,000〜1,
600℃でグリスドパライト化し、脱水させ、ついでガ
ラス化温度以上の温度で溶融してなることを特徴とする
ものである。
ような要望に応え得る合成石英ガラス基板に関するもの
であり、これはアルコキシシラン溶液を加水分解して得
たゾル液をゲル化し、乾燥したのち、1,000〜1,
600℃でグリスドパライト化し、脱水させ、ついでガ
ラス化温度以上の温度で溶融してなることを特徴とする
ものである。
すなわち1本発明者らは液晶デイスプレィやエレクトロ
ルミネッセンス用のガラス基板として有用とされる合成
石英ガラス基板の開発について種々検討した結果、ガラ
スの粘性と反りとの関係については厚さinn、径10
0mmの各種粘性を有する合成石英ガラスウェーハを半
導体拡散治具に立て、実際の反り量を測定したところ、
1,200℃での粘性と反り速度との関係はη=4.,
05×1012v[こNにηは1,200℃での粘性値
。
ルミネッセンス用のガラス基板として有用とされる合成
石英ガラス基板の開発について種々検討した結果、ガラ
スの粘性と反りとの関係については厚さinn、径10
0mmの各種粘性を有する合成石英ガラスウェーハを半
導体拡散治具に立て、実際の反り量を測定したところ、
1,200℃での粘性と反り速度との関係はη=4.,
05×1012v[こNにηは1,200℃での粘性値
。
(1位はボイズ)、■は反り速度(単位はμIIl/時
)〕となったが、ウェーハの反りは10μm/時が限界
であり、それ以上反ったものは液晶デイスプレィとした
場合、ゆがみの発生が起って不良となるため、1,20
0℃での粘性値としては4.1×1012ポイズ以上、
規格的には5 X 10”ボイズ以上が必要であること
が判った。また、合成石英ガラスの粘度を上げるために
合成石英ガラス中のOH基含有量、C1含有量を減らす
ことはすでに公知であるが1本発明者らはOH基含有量
およびC1含有量を減少させるだけではこの粘性が天然
ガラスのそれよりも低くなることを実験によって確認す
ると共に、天然石英ガラスは水晶を溶融したものである
ために結晶に限りなく近いガラス構造をもつものであり
、水晶結晶は溶融点以上でガラスへの変態を起し、この
ものは粘性が高いために完全に結晶が切れず結晶構造を
残存したガラス構造となるため、結合のフレキシビリテ
ィが小さく、粘性が高くなるのに対し、アモルファスか
らガラス化した合成石英ガラスは非常に不規則な構造を
もっているために結合のフレキシビリティが大きく粘性
が低くなることを確認した。しかして、本発明者らはこ
のような知見にもとづいてアルコキシシランの加水分解
で得たゾルをゲル化し、乾燥してから1,000〜1.
600℃に加熱してクリストバライト化し、それをその
ガラス化温度以上で溶融すると、この合成石英ガラスを
結晶に近い構造をもつものとすることができるので、こ
のクリストバライト化に伴うOH基、C1の含有量減少
と共にこの粘度を天然石英ガラスの粘度にまで上げるこ
とができることを見出し、この各工程についての研究を
進めて本発明を完成させた。
)〕となったが、ウェーハの反りは10μm/時が限界
であり、それ以上反ったものは液晶デイスプレィとした
場合、ゆがみの発生が起って不良となるため、1,20
0℃での粘性値としては4.1×1012ポイズ以上、
規格的には5 X 10”ボイズ以上が必要であること
が判った。また、合成石英ガラスの粘度を上げるために
合成石英ガラス中のOH基含有量、C1含有量を減らす
ことはすでに公知であるが1本発明者らはOH基含有量
およびC1含有量を減少させるだけではこの粘性が天然
ガラスのそれよりも低くなることを実験によって確認す
ると共に、天然石英ガラスは水晶を溶融したものである
ために結晶に限りなく近いガラス構造をもつものであり
、水晶結晶は溶融点以上でガラスへの変態を起し、この
ものは粘性が高いために完全に結晶が切れず結晶構造を
残存したガラス構造となるため、結合のフレキシビリテ
ィが小さく、粘性が高くなるのに対し、アモルファスか
らガラス化した合成石英ガラスは非常に不規則な構造を
もっているために結合のフレキシビリティが大きく粘性
が低くなることを確認した。しかして、本発明者らはこ
のような知見にもとづいてアルコキシシランの加水分解
で得たゾルをゲル化し、乾燥してから1,000〜1.
600℃に加熱してクリストバライト化し、それをその
ガラス化温度以上で溶融すると、この合成石英ガラスを
結晶に近い構造をもつものとすることができるので、こ
のクリストバライト化に伴うOH基、C1の含有量減少
と共にこの粘度を天然石英ガラスの粘度にまで上げるこ
とができることを見出し、この各工程についての研究を
進めて本発明を完成させた。
以下に本発明の方法をさらに詳細に説明する6本発明の
方法はまず、アルコキシシランを始発材とし、これを加
水分解してゾル液を作り、このゾル液をゲル化し、乾燥
、加熱脱水するという公知のゾル−ゲル法で行なわれる
。
方法はまず、アルコキシシランを始発材とし、これを加
水分解してゾル液を作り、このゾル液をゲル化し、乾燥
、加熱脱水するという公知のゾル−ゲル法で行なわれる
。
本発明の方法で使用されるアルコキシシランは式(RO
)4Siで示され、Rが1価炭化水素基であるテトラア
ルコキシシランとすることがよく、したがってこれには
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ
プロポキシシラン、テトラブトキシシラン、メトキシト
リエトキシシラン、ジメトキシジェトキシシラン、トリ
メトキシ工1へキシシランなどが例示されるが、加水分
解性。
)4Siで示され、Rが1価炭化水素基であるテトラア
ルコキシシランとすることがよく、したがってこれには
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ
プロポキシシラン、テトラブトキシシラン、メトキシト
リエトキシシラン、ジメトキシジェトキシシラン、トリ
メトキシ工1へキシシランなどが例示されるが、加水分
解性。
人手のし易さ1価格の点からはテトラメトキシシラン、
テトラエトキシシンとすることがよい。
テトラエトキシシンとすることがよい。
このアルコキシシランはまず加水分解によってゾル液と
されるが、この加水分解は公知の方法にしたがって塩酸
などの酸性触媒溶液またはアンモニアなどの塩基性触媒
溶液の存在下で行えばよい。
されるが、この加水分解は公知の方法にしたがって塩酸
などの酸性触媒溶液またはアンモニアなどの塩基性触媒
溶液の存在下で行えばよい。
このようにして得られたゾル液はこれを加温してゲル化
させたのち、乾燥し、加熱してクリストバライ1へ化す
るのであるが、このゲル化はゾル液を30〜60℃に加
温すればよく、この乾燥は急激乾燥するとクラックが生
しるので湿性ゲルに含有されている水分と残存アルコー
ルの揮発速度を抑えて徐々に行なオ〕せることかよく、
シたがってこれは開口率が0.1〜5%である容器中で
50〜70℃の温度に乾燥することがよい。また、この
グリス1−パライト化はこのようにして得た乾燥ゲルを
i、000〜1,600℃に119階的に昇温しで行え
ばよいが、この昇温速度は10〜b/時とすることがよ
い。
させたのち、乾燥し、加熱してクリストバライ1へ化す
るのであるが、このゲル化はゾル液を30〜60℃に加
温すればよく、この乾燥は急激乾燥するとクラックが生
しるので湿性ゲルに含有されている水分と残存アルコー
ルの揮発速度を抑えて徐々に行なオ〕せることかよく、
シたがってこれは開口率が0.1〜5%である容器中で
50〜70℃の温度に乾燥することがよい。また、この
グリス1−パライト化はこのようにして得た乾燥ゲルを
i、000〜1,600℃に119階的に昇温しで行え
ばよいが、この昇温速度は10〜b/時とすることがよ
い。
このようにして得られたクリストバライト化されたガラ
スはOH基含有量がLOOppm以下とされ、C1基量
は始発材がアルコキシシランでC1基を含まないものと
されているので10ppn+以下のものとされる。
スはOH基含有量がLOOppm以下とされ、C1基量
は始発材がアルコキシシランでC1基を含まないものと
されているので10ppn+以下のものとされる。
つぎに上記で得たクリストバライト化されたガラスはそ
のガラス化温度以上に加熱し溶融させる。
のガラス化温度以上に加熱し溶融させる。
この温度はガラス化温度か1,740℃とされるのでこ
の温度以上とすればよいが、好ましくは】。
の温度以上とすればよいが、好ましくは】。
900℃以上とすることがよく、これによればO11基
含有量、C1基含有量が少なく、シかも例えば1,20
0℃における粘度特性が5×1012ボイズ以上である
合成石英ガラス基板を得ることができる。
含有量、C1基含有量が少なく、シかも例えば1,20
0℃における粘度特性が5×1012ボイズ以上である
合成石英ガラス基板を得ることができる。
このようにして得られた合成石英ガラス基板はついで必
要に応じスライスし、研磨して各種目的に使用されるが
、このものは脈理がないのでコーニングクラス社などで
実施されているフュージョン法、日本板ガラス社のりド
ロー法でシート状で加工しても品質は変らない。なお、
このものはOH基含有量、(l基含有が少なく、高温に
おける粘特性が高く、高温での伸びや反りも少ないので
液晶デイスプレィ、エレクトロルミネッセンス用のガラ
ス基板として特に有用とされる。
要に応じスライスし、研磨して各種目的に使用されるが
、このものは脈理がないのでコーニングクラス社などで
実施されているフュージョン法、日本板ガラス社のりド
ロー法でシート状で加工しても品質は変らない。なお、
このものはOH基含有量、(l基含有が少なく、高温に
おける粘特性が高く、高温での伸びや反りも少ないので
液晶デイスプレィ、エレクトロルミネッセンス用のガラ
ス基板として特に有用とされる。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例、比較例1〜4
テトラエトキシシラン 1モルに対し4倍モルの2Nの
ト■C1水溶液と同モルのエタノールを加え加水分解し
てゾル液を作り、減圧下に40〜50℃に加熱してゲル
化し乾燥して乾燥ゲルとし、これを空気中に1,300
℃に13時間加熱してクリストバライ!〜を83重量%
含有する120+nmψX5IIII11厚さの板を作
った。
ト■C1水溶液と同モルのエタノールを加え加水分解し
てゾル液を作り、減圧下に40〜50℃に加熱してゲル
化し乾燥して乾燥ゲルとし、これを空気中に1,300
℃に13時間加熱してクリストバライ!〜を83重量%
含有する120+nmψX5IIII11厚さの板を作
った。
ついでこの板を1,800℃に加熱し溶融して119+
nmφ×厚さ4.8ml11の透明合成石英ガラス基板
を作り、これを100mmφの大きさに切断し、研磨し
て100mmφ×厚さ1n++uの石英ガラスウェーハ
を製作すると共に、この切断しるについては4.5X4
5n+II+としてOH基含有量および01基含有1:
lll定用のものとした。
nmφ×厚さ4.8ml11の透明合成石英ガラス基板
を作り、これを100mmφの大きさに切断し、研磨し
て100mmφ×厚さ1n++uの石英ガラスウェーハ
を製作すると共に、この切断しるについては4.5X4
5n+II+としてOH基含有量および01基含有1:
lll定用のものとした。
つぎにこのウェーハを内径98mmφの炭化けい素製円
筒内に設置し、1,200℃で1時間加熱処理し、処理
後のフラットネスをフラットネステスターで測定したと
ころ、第1表に示したとおりの結果が得られ、このもの
を1,100〜1,400℃に加熱したときの粘度特性
をファイバー・エロンゲーション法で測定したところ、
第1表に併記したとおりの結果が得られ、これは第1図
A線のような図形を示した。
筒内に設置し、1,200℃で1時間加熱処理し、処理
後のフラットネスをフラットネステスターで測定したと
ころ、第1表に示したとおりの結果が得られ、このもの
を1,100〜1,400℃に加熱したときの粘度特性
をファイバー・エロンゲーション法で測定したところ、
第1表に併記したとおりの結果が得られ、これは第1図
A線のような図形を示した。
しかし、比較のために四塩化けい素を酸水素火炎中で加
水分解し得られたスートを堆積したスート体をガラス化
して得た150n+nφ×長さ300Iのインゴットに
ついてのOHi含有量およびC1基含有量を測定すると
共に、これをスライスし研磨して得た100mmφX厚
さllll11のウェーハを実施例と同様に処理したも
ののフラットネスおよび粘度特性は第1表に併記したと
おりであり、このものの粘度特定グラフは第1図のB線
のとおりであった(比較例1)。
水分解し得られたスートを堆積したスート体をガラス化
して得た150n+nφ×長さ300Iのインゴットに
ついてのOHi含有量およびC1基含有量を測定すると
共に、これをスライスし研磨して得た100mmφX厚
さllll11のウェーハを実施例と同様に処理したも
ののフラットネスおよび粘度特性は第1表に併記したと
おりであり、このものの粘度特定グラフは第1図のB線
のとおりであった(比較例1)。
また、上記で得た四塩化けい素から作ったスート体をハ
ロゲンガスの存在下で脱水処理し、高周波炉で溶融した
70m+φX長さ150mmのインゴットについての○
■4基含有量、C1基含有量をa+++定すると具に、
これを1,700℃で100mnφに成形し、スライス
後研磨して得た100mmφ×厚さ1m+oのウェーハ
についてのフラットネスおよび粘度特性をしらべたとこ
ろ、第1表に併記したとおりの結果が得られ、この粘度
特性は第1図C線のとおりであった(比較例2)。
ロゲンガスの存在下で脱水処理し、高周波炉で溶融した
70m+φX長さ150mmのインゴットについての○
■4基含有量、C1基含有量をa+++定すると具に、
これを1,700℃で100mnφに成形し、スライス
後研磨して得た100mmφ×厚さ1m+oのウェーハ
についてのフラットネスおよび粘度特性をしらべたとこ
ろ、第1表に併記したとおりの結果が得られ、この粘度
特性は第1図C線のとおりであった(比較例2)。
さらにメチルトリメトキシシランを酸水素火炎中で加水
分解して得たスートを堆積したスート体をハロゲンガス
の存在下で脱水処理し、高周波炉で溶融して得た65m
mφ×長さ500mmのインゴットについての01r基
含有量、01基含有量を測定すると共に、このインゴッ
トを1,700℃でLoomsφに成形し、スライス後
研磨して得た100m■φ×厚さ1■悶のウェーハにつ
いてのフラットネスおよび粘度特性をしらべたところ、
第1表に併記したとおりの結果が得られ、この粘度特性
は第1図り線のとおりとなった(比較例3)。
分解して得たスートを堆積したスート体をハロゲンガス
の存在下で脱水処理し、高周波炉で溶融して得た65m
mφ×長さ500mmのインゴットについての01r基
含有量、01基含有量を測定すると共に、このインゴッ
トを1,700℃でLoomsφに成形し、スライス後
研磨して得た100m■φ×厚さ1■悶のウェーハにつ
いてのフラットネスおよび粘度特性をしらべたところ、
第1表に併記したとおりの結果が得られ、この粘度特性
は第1図り線のとおりとなった(比較例3)。
なお、この石英ガラス基板については100mmφ×厚
さ1mmの天然石英ガラス基板・I−I E RA S
IL[信越石英開展商品名]を準備し、このものの01
4基含有量、C1基含有量、フラットネスおよび粘度特
性をしらべたところ、第1表に示したとおりの結果が得
られ、このものの粘度特性については第1図のE線に示
したとおりの結果が得られた(比較例4)。
さ1mmの天然石英ガラス基板・I−I E RA S
IL[信越石英開展商品名]を準備し、このものの01
4基含有量、C1基含有量、フラットネスおよび粘度特
性をしらべたところ、第1表に示したとおりの結果が得
られ、このものの粘度特性については第1図のE線に示
したとおりの結果が得られた(比較例4)。
第 1 表
第1図は実施例および比較例1〜4で得られた石英ガラ
スの1,100〜1,400℃における粘度特性のグラ
フを示したものである。
スの1,100〜1,400℃における粘度特性のグラ
フを示したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、アルコキシシラン溶液を加水分解して得たゾル液を
ゲル化し、乾燥したのち、1,000〜1,600℃で
クリストバライト化し、脱水させ、ついでガラス化温度
以上の温度で溶融してなることを特徴とする合成石英ガ
ラス基板。 2、合成石英ガラスがOH基含有量が100ppm以下
、C2基含有量が10ppm以下で、かつ1,200℃
での粘特性が5×10^1^2ポイズ以上のものである
請求項1に記載の合成石英ガラス基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63164377A JPH0776094B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 合成石英ガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63164377A JPH0776094B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 合成石英ガラス基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0214840A true JPH0214840A (ja) | 1990-01-18 |
JPH0776094B2 JPH0776094B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=15791974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63164377A Expired - Lifetime JPH0776094B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 合成石英ガラス基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0776094B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995034091A1 (de) * | 1994-06-09 | 1995-12-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Halbzeug für ein elektronisches oder opto-elektronisches halbleiterbauelement |
KR100430407B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2004-05-04 | 주식회사 새빛 | 고내열성 석영유리의 제조 방법 |
DE102018200412B4 (de) | 2017-03-02 | 2023-02-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Energieaufnahmesystem für ein Fahrzeug |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6158824A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-26 | Nippon Sanso Kk | 透明石英ガラスの製造法 |
JPS62100426A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | Seiko Epson Corp | ガラスの製造方法 |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63164377A patent/JPH0776094B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6158824A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-26 | Nippon Sanso Kk | 透明石英ガラスの製造法 |
JPS62100426A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | Seiko Epson Corp | ガラスの製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1995034091A1 (de) * | 1994-06-09 | 1995-12-14 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Halbzeug für ein elektronisches oder opto-elektronisches halbleiterbauelement |
KR100430407B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2004-05-04 | 주식회사 새빛 | 고내열성 석영유리의 제조 방법 |
DE102018200412B4 (de) | 2017-03-02 | 2023-02-09 | Honda Motor Co., Ltd. | Energieaufnahmesystem für ein Fahrzeug |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0776094B2 (ja) | 1995-08-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070816 Year of fee payment: 12 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |