JPH0776094B2 - 合成石英ガラス基板 - Google Patents
合成石英ガラス基板Info
- Publication number
- JPH0776094B2 JPH0776094B2 JP63164377A JP16437788A JPH0776094B2 JP H0776094 B2 JPH0776094 B2 JP H0776094B2 JP 63164377 A JP63164377 A JP 63164377A JP 16437788 A JP16437788 A JP 16437788A JP H0776094 B2 JPH0776094 B2 JP H0776094B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz glass
- glass substrate
- synthetic quartz
- group content
- viscosity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B20/00—Processes specially adapted for the production of quartz or fused silica articles, not otherwise provided for
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/12—Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
- C03B2201/03—Impurity concentration specified
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/02—Pure silica glass, e.g. pure fused quartz
- C03B2201/03—Impurity concentration specified
- C03B2201/04—Hydroxyl ion (OH)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は合成石英ガラス基板、特にはOH基含有量および
Cl基含有量が少なく、かつは高温度における粘度特性が
高いので、液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセン
スなどに有用とされる高温でも平坦な耐熱性のすぐれた
合成石英ガラス基板に関するものである。
Cl基含有量が少なく、かつは高温度における粘度特性が
高いので、液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセン
スなどに有用とされる高温でも平坦な耐熱性のすぐれた
合成石英ガラス基板に関するものである。
（従来の技術） 液晶ディスプレイ（LCD）は近年、小形ポケットテレ
ビ、ラップトップパーソナルコンピュータなどの伸びに
伴って急速に市場が拡大されてきており、このものはガ
ラス基板上にソースドレインと導電チャンネルを多結晶
シリコン薄膜またはアモルファスシリコン薄膜で形成
し、これでTN液晶をサンドイッチする構造とされてい
る。しかして、この多結晶シリコン薄膜のガラス基板上
への析出は通常トリクロロシランと水素とを1,100〜1,2
00℃で反応させるという方法、あるいはアモルファスシ
リコンを400〜600℃で析出させ、1,100〜1,200℃で多結
晶化させる方法で行われているが、ガラス基板が約1mm
と薄いものであるためにこれには変形（伸び、反り）が
起り、平坦性や均一性が劣ることが問題となっており、
事実、温度的な制約からこのガラス基板を青板ガラスと
することはできないし、これを天然石英ガラスとすると
これは脈理があり、不純物含有量が多いということから
使用面に限界があり、合成石英ガラスには平坦度はすぐ
れているが高温における粘度が低いし、伸びや反りに問
題がある。
ビ、ラップトップパーソナルコンピュータなどの伸びに
伴って急速に市場が拡大されてきており、このものはガ
ラス基板上にソースドレインと導電チャンネルを多結晶
シリコン薄膜またはアモルファスシリコン薄膜で形成
し、これでTN液晶をサンドイッチする構造とされてい
る。しかして、この多結晶シリコン薄膜のガラス基板上
への析出は通常トリクロロシランと水素とを1,100〜1,2
00℃で反応させるという方法、あるいはアモルファスシ
リコンを400〜600℃で析出させ、1,100〜1,200℃で多結
晶化させる方法で行われているが、ガラス基板が約1mm
と薄いものであるためにこれには変形（伸び、反り）が
起り、平坦性や均一性が劣ることが問題となっており、
事実、温度的な制約からこのガラス基板を青板ガラスと
することはできないし、これを天然石英ガラスとすると
これは脈理があり、不純物含有量が多いということから
使用面に限界があり、合成石英ガラスには平坦度はすぐ
れているが高温における粘度が低いし、伸びや反りに問
題がある。
他方、各種のエレクトロルミネッセンス素子（EL素子）
はブラウン管に代る薄くて軽量な平面ディスプレイとし
て使用されており、このものはガラス基板上に透明電
極、下部絶縁層、発光層、上部絶縁層、上記電極を順次
積層した構造とされているが、このEL素子についてはこ
れに回路素子や駆動ICを搭載して一体構造としたECディ
スプレイも開発されつつあり、EC素子が高電圧をかける
方向になってきていることから、このガラス基板は高抵
抗性、高誘導率で耐熱性のすぐれたものとする必要があ
り、このような性質をもつ合成石英ガラス基板の提供が
求められている。
はブラウン管に代る薄くて軽量な平面ディスプレイとし
て使用されており、このものはガラス基板上に透明電
極、下部絶縁層、発光層、上部絶縁層、上記電極を順次
積層した構造とされているが、このEL素子についてはこ
れに回路素子や駆動ICを搭載して一体構造としたECディ
スプレイも開発されつつあり、EC素子が高電圧をかける
方向になってきていることから、このガラス基板は高抵
抗性、高誘導率で耐熱性のすぐれたものとする必要があ
り、このような性質をもつ合成石英ガラス基板の提供が
求められている。
（発明の構成） 本発明は上記したような不利を解決し、かつは上記した
ような要望に応え得る合成石英ガラス基板に関するもの
であり、これはアルコキシシラン溶液を加水分解して得
たゾル液をゲル化し、乾燥したのち、1,000〜1,600℃で
クリストバライト化し、脱水させ、ついでガラス化温度
以上の温度で溶融してなる、OH基含有量が100ppm以下、
C1基含有量が10ppm以下で、かつ1,200℃での粘度特性が
５×1012ポイズ以上のものであることを特徴とするもの
である。
ような要望に応え得る合成石英ガラス基板に関するもの
であり、これはアルコキシシラン溶液を加水分解して得
たゾル液をゲル化し、乾燥したのち、1,000〜1,600℃で
クリストバライト化し、脱水させ、ついでガラス化温度
以上の温度で溶融してなる、OH基含有量が100ppm以下、
C1基含有量が10ppm以下で、かつ1,200℃での粘度特性が
５×1012ポイズ以上のものであることを特徴とするもの
である。
すなわち、本発明者らは液晶ディスプレイやエレクトロ
ルミネッセンス用のガラス基板として有用とされる合成
石英ガラス基板の開発について種々検討した結果、ガラ
スの粘性と反りとの関係については厚さ1mm、径100mmの
各種粘性を有する合成石英ガラスウェーハを半導体拡散
治具に立て、実際の反り量を測定したところ、1,200℃
での粘性と反り速度との関係はη＝4.05×1013v〔こゝ
にηは1,200℃での粘性値、（単位はポイズ）、ｖは反
り速度（単位はμm/時）〕となったが、ウェーハの反り
は10μm/時が限界であり、それ以上反ったものは液晶デ
ィスプレイとした場合、ゆがみの発生が起って不良とな
るため、1,200℃での粘性値としては4.1×1012ポイズ以
上、規格的には５×1012ポイズ以上が必要であることが
判った。また、合成石英ガラスの粘度を上げるために合
成石英ガラス中のOH基含有量、Cl含有量を減らすことは
すでに公知であるが、本発明者らはOH基含有量およびCl
含有量を減少させるだけではこの粘性が天然ガラスのそ
れよりも低くなることを実験によって確認すると共に、
天然石英ガラスは水晶を溶融したものであるために結晶
に限りなく近いガラス構造をもつものであり、水晶結晶
は溶融点以上でガラスへの変態を起し、このものは粘性
が高いために完全に結晶が切れず結晶構造を残存したガ
ラス構造となるため、結合のフレキシビリティが小さ
く、粘性が高くなるのに対し、アモルファスからガラス
化した合成石英ガラスは非常に不規則な構造をもってい
るために結合のフレキシビリティが大きく粘性が低くな
ることを確認した。しかして、本発明者らはこのような
知見にもとづいてアルコキシシランの加水分解で得たゾ
ルをゲル化し、乾燥してから1,000〜1,600℃に加熱して
クリストバライト化し、それをそのガラス化温度以上で
溶融すると、この合成石英ガラスを結晶に近い構造をも
つものとすることができるので、このクリストバライト
化に伴うOH基、Clの含有量減少と共にこの粘度を天然石
英ガラスの粘度にまで上げることができることを見出
し、この各工程についての研究を進めて本発明を完成さ
せた。
ルミネッセンス用のガラス基板として有用とされる合成
石英ガラス基板の開発について種々検討した結果、ガラ
スの粘性と反りとの関係については厚さ1mm、径100mmの
各種粘性を有する合成石英ガラスウェーハを半導体拡散
治具に立て、実際の反り量を測定したところ、1,200℃
での粘性と反り速度との関係はη＝4.05×1013v〔こゝ
にηは1,200℃での粘性値、（単位はポイズ）、ｖは反
り速度（単位はμm/時）〕となったが、ウェーハの反り
は10μm/時が限界であり、それ以上反ったものは液晶デ
ィスプレイとした場合、ゆがみの発生が起って不良とな
るため、1,200℃での粘性値としては4.1×1012ポイズ以
上、規格的には５×1012ポイズ以上が必要であることが
判った。また、合成石英ガラスの粘度を上げるために合
成石英ガラス中のOH基含有量、Cl含有量を減らすことは
すでに公知であるが、本発明者らはOH基含有量およびCl
含有量を減少させるだけではこの粘性が天然ガラスのそ
れよりも低くなることを実験によって確認すると共に、
天然石英ガラスは水晶を溶融したものであるために結晶
に限りなく近いガラス構造をもつものであり、水晶結晶
は溶融点以上でガラスへの変態を起し、このものは粘性
が高いために完全に結晶が切れず結晶構造を残存したガ
ラス構造となるため、結合のフレキシビリティが小さ
く、粘性が高くなるのに対し、アモルファスからガラス
化した合成石英ガラスは非常に不規則な構造をもってい
るために結合のフレキシビリティが大きく粘性が低くな
ることを確認した。しかして、本発明者らはこのような
知見にもとづいてアルコキシシランの加水分解で得たゾ
ルをゲル化し、乾燥してから1,000〜1,600℃に加熱して
クリストバライト化し、それをそのガラス化温度以上で
溶融すると、この合成石英ガラスを結晶に近い構造をも
つものとすることができるので、このクリストバライト
化に伴うOH基、Clの含有量減少と共にこの粘度を天然石
英ガラスの粘度にまで上げることができることを見出
し、この各工程についての研究を進めて本発明を完成さ
せた。
以下に本発明の方法をさらに詳細に説明する。
本発明の方法はまず、アルコキシシランを始発材とし、
これを加水分解してゾル液を作り、このゾル液をゲル化
し、乾燥、加熱脱水するという公知のゾル−ゲル法で行
なわれる。
これを加水分解してゾル液を作り、このゾル液をゲル化
し、乾燥、加熱脱水するという公知のゾル−ゲル法で行
なわれる。
本発明の方法で使用されるアルコキシシランは式（RO）
4Siで示され、Ｒが１価炭化水素基であるテトラアルコ
キシシランとすることがよく、したがってこれにはテト
ラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロ
ポキシシラン、テトラブトキシシラン、メトキシトリエ
トキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、トリメト
キシエトキシシランなどが例示されるが、加水分解性、
入手のし易さ、価格の点からはテトラメトキシシラン、
テトラエトキシランとすることがよい。
4Siで示され、Ｒが１価炭化水素基であるテトラアルコ
キシシランとすることがよく、したがってこれにはテト
ラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロ
ポキシシラン、テトラブトキシシラン、メトキシトリエ
トキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、トリメト
キシエトキシシランなどが例示されるが、加水分解性、
入手のし易さ、価格の点からはテトラメトキシシラン、
テトラエトキシランとすることがよい。
このアルコキシシランはまず加水分解によってゾル液と
されるが、この加水分解は公知の方法にしたがって塩酸
などの酸性触媒溶液またはアンモニアなどの塩基性触媒
溶液の存在下で行えばよい。
されるが、この加水分解は公知の方法にしたがって塩酸
などの酸性触媒溶液またはアンモニアなどの塩基性触媒
溶液の存在下で行えばよい。
このようにして得られたゾル液はこれを加温してゲル化
させたのち、乾燥し、加熱してクリストバライト化する
のであるが、このゲル化はゾル液を30〜60℃に加温すれ
ばよく、この乾燥は急激乾燥するとクラックが生じるの
で湿性ゲルに含有されている水分と残存アルコールの揮
発速度を抑えて徐々に行なわせることがよく、したがっ
てこれは開口率が0.1〜５％である容器中で50〜70℃の
温度に乾燥することがよい。また、このクリストバライ
ト化はこのようにして得た乾燥ゲルを1,000〜1,600℃に
段階的に昇温して行えばよいが、この昇温速度は10〜10
0℃／時とすることがよい。
させたのち、乾燥し、加熱してクリストバライト化する
のであるが、このゲル化はゾル液を30〜60℃に加温すれ
ばよく、この乾燥は急激乾燥するとクラックが生じるの
で湿性ゲルに含有されている水分と残存アルコールの揮
発速度を抑えて徐々に行なわせることがよく、したがっ
てこれは開口率が0.1〜５％である容器中で50〜70℃の
温度に乾燥することがよい。また、このクリストバライ
ト化はこのようにして得た乾燥ゲルを1,000〜1,600℃に
段階的に昇温して行えばよいが、この昇温速度は10〜10
0℃／時とすることがよい。
このようにして得られたクリストバライト化されたガラ
スはOH基含有量が100ppm以下とされ、Cl基量は始発材が
アルコキシシランでCl基を含まないものとされているの
で10ppm以下のものとされる。
スはOH基含有量が100ppm以下とされ、Cl基量は始発材が
アルコキシシランでCl基を含まないものとされているの
で10ppm以下のものとされる。
つぎに上記で得たクリストバライト化されたガラスはそ
のガラス化温度以上に加熱し溶融させる。この温度はガ
ラス化温度か1,740℃とされるのでこの温度以上とすれ
ばよいが、好ましくは1,900℃以上とすることがよく、
これによればOH基含有量、Cl基含有量が少なく、しかも
例えば1,200℃における粘度特性が５×1012ポイズ以上
である合成石英ガラス基板を得ることができる。
のガラス化温度以上に加熱し溶融させる。この温度はガ
ラス化温度か1,740℃とされるのでこの温度以上とすれ
ばよいが、好ましくは1,900℃以上とすることがよく、
これによればOH基含有量、Cl基含有量が少なく、しかも
例えば1,200℃における粘度特性が５×1012ポイズ以上
である合成石英ガラス基板を得ることができる。
このようにして得られた合成石英ガラス基板はついで必
要に応じスライスし、研磨して各種目的に使用される
が、このものは脈理がないのでコーニングクラス社など
で実施されているフュージョン法、日本板ガラス社のリ
ドロー法でシート状で加工しても品質は変らない。な
お、このものはOH基含有量、Cl基含有が少なく、高温に
おける粘特性が高く、高温での伸びや反りも少ないので
液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンス用のガラ
ス基板として特に有用とされる。
要に応じスライスし、研磨して各種目的に使用される
が、このものは脈理がないのでコーニングクラス社など
で実施されているフュージョン法、日本板ガラス社のリ
ドロー法でシート状で加工しても品質は変らない。な
お、このものはOH基含有量、Cl基含有が少なく、高温に
おける粘特性が高く、高温での伸びや反りも少ないので
液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンス用のガラ
ス基板として特に有用とされる。
つぎに本発明の実施例をあげる。
実施例、比較例１〜４ テトラエトキシシラン１モルに対し４倍モルの2NのHCI
水溶液と同モルのエタノールを加え加水分解してゾル液
を作り、減圧下に40〜50℃に加熱してゲル化し乾燥して
乾燥ゲルとし、これを空気中に1,300℃に13時間加熱し
てクリストバライトを83重量％含有する120mmφ×5mm厚
さの板を作った。
水溶液と同モルのエタノールを加え加水分解してゾル液
を作り、減圧下に40〜50℃に加熱してゲル化し乾燥して
乾燥ゲルとし、これを空気中に1,300℃に13時間加熱し
てクリストバライトを83重量％含有する120mmφ×5mm厚
さの板を作った。
ついでこの板を1,800℃に加熱し溶融して119mmφ×厚さ
4.8mmの透明合成石英ガラス基板を作り、これを100mmφ
の大きさに切断し、研磨して100mmφ×厚さ1mmの石英ガ
ラスウェーハを製作すると共に、この切断しろについて
は4.5×45mmとしてOH基含有量およびCl基含有量測定用
のものとした。
4.8mmの透明合成石英ガラス基板を作り、これを100mmφ
の大きさに切断し、研磨して100mmφ×厚さ1mmの石英ガ
ラスウェーハを製作すると共に、この切断しろについて
は4.5×45mmとしてOH基含有量およびCl基含有量測定用
のものとした。
つぎにこのウェーハを内径98mmφの炭化けい素製円筒内
に設置し、1,200℃で１時間加熱処理し、処理後のフラ
ットネスをフラットネステスターで測定したところ、第
１表に示したとおりの結果が得られ、このものを1,100
〜1,400℃に加熱したときの粘度特性をファイバー・エ
ロンゲーション法で測定したところ、第１表に併記した
とおりの結果が得られ、これは第１図Ａ線のような図形
を示した。
に設置し、1,200℃で１時間加熱処理し、処理後のフラ
ットネスをフラットネステスターで測定したところ、第
１表に示したとおりの結果が得られ、このものを1,100
〜1,400℃に加熱したときの粘度特性をファイバー・エ
ロンゲーション法で測定したところ、第１表に併記した
とおりの結果が得られ、これは第１図Ａ線のような図形
を示した。
しかし、比較のために四塩化けい素を酸水素火炎中で加
水分解し得られたスートを堆積したスート体をガラス化
して得た150mmφ×長さ300mmのインゴットについてのOH
基含有量およびCl基含有量を測定すると共に、これをス
ライスし研磨して得た100mmφ×厚さ1mmのウェーハを実
施例と同様に処理したもののフラットネスおよび粘度特
性は第１表に併記したとおりであり、このものの粘度特
定グラフは第１図のＢ線のとおりであった（比較例
１）。
水分解し得られたスートを堆積したスート体をガラス化
して得た150mmφ×長さ300mmのインゴットについてのOH
基含有量およびCl基含有量を測定すると共に、これをス
ライスし研磨して得た100mmφ×厚さ1mmのウェーハを実
施例と同様に処理したもののフラットネスおよび粘度特
性は第１表に併記したとおりであり、このものの粘度特
定グラフは第１図のＢ線のとおりであった（比較例
１）。
また、上記で得た四塩化けい素から作ったスート体をハ
ロゲンガスの存在下で脱水処理し、高周波炉で溶融した
70mmφ×長さ150mmのインゴットについてのOH基含有
量、Cl基含有量を測定すると共に、これを1,700℃で100
mmφに成形し、スライス後研磨して得た100mmφ×厚さ1
mmのウェーハについてのフラットネスおよび粘度特性を
しらべたところ、第１表に併記したとおりの結果が得ら
れ、この粘度特性は第１図Ｃ線のとおりであった（比較
例２）。
ロゲンガスの存在下で脱水処理し、高周波炉で溶融した
70mmφ×長さ150mmのインゴットについてのOH基含有
量、Cl基含有量を測定すると共に、これを1,700℃で100
mmφに成形し、スライス後研磨して得た100mmφ×厚さ1
mmのウェーハについてのフラットネスおよび粘度特性を
しらべたところ、第１表に併記したとおりの結果が得ら
れ、この粘度特性は第１図Ｃ線のとおりであった（比較
例２）。
さらにメチルトリメトキシシランを酸水素火炎中で加水
分解して得たスートを堆積したスート体をハロゲンガス
の存在下で脱水処理し、高周波炉で溶融して得た65mmφ
×長さ500mmのインゴットについてのOH基含有量、Cl基
含有量を測定すると共に、このインゴットを1,700℃で1
00mmφに成形し、スライス後研磨して得た100mmφ×厚
さ1mmのウェーハについてのフラットネスおよび粘度特
性をしらべたところ、第１表に併記したとおりの結果が
得られ、この粘度特性は第１図Ｄ線のとおりとなった
（比較例３）。
分解して得たスートを堆積したスート体をハロゲンガス
の存在下で脱水処理し、高周波炉で溶融して得た65mmφ
×長さ500mmのインゴットについてのOH基含有量、Cl基
含有量を測定すると共に、このインゴットを1,700℃で1
00mmφに成形し、スライス後研磨して得た100mmφ×厚
さ1mmのウェーハについてのフラットネスおよび粘度特
性をしらべたところ、第１表に併記したとおりの結果が
得られ、この粘度特性は第１図Ｄ線のとおりとなった
（比較例３）。
なお、この石英ガラス基板については100mmφ×厚さ1mm
の天然石英ガラス基板・HERASIL〔信越石英（株）製商
品名〕を準備し、このもののOH基含有量、Cl基含有量、
フラットネスおよび粘度特性をしらべたところ、第１表
に示したとおりの結果が得られ、このものの粘度特性に
ついては第１図のＥ線に示したとおりの結果が得られた
（比較例４）。
の天然石英ガラス基板・HERASIL〔信越石英（株）製商
品名〕を準備し、このもののOH基含有量、Cl基含有量、
フラットネスおよび粘度特性をしらべたところ、第１表
に示したとおりの結果が得られ、このものの粘度特性に
ついては第１図のＥ線に示したとおりの結果が得られた
（比較例４）。
第１図は実施例および比較例１〜４で得られた石英ガラ
スの1,100〜1,400℃における粘度特性のグラフを示した
ものである。
スの1,100〜1,400℃における粘度特性のグラフを示した
ものである。
Claims (1)
- 【請求項１】アルコキシシラン溶液を加水分解して得た
ゾル液をゲル化し、乾燥したのち、1,000〜1,600℃でク
リストバライト化し、脱水させ、ついでガラス化温度以
上の温度で溶融してなる、OH基含有量が100ppm以下、Cl
基含有量が10ppm以下で、かつ1,200℃での粘度特性が５
×1012ポイズ以上のものであることを特徴とする合成石
英ガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164377A JPH0776094B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 合成石英ガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63164377A JPH0776094B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 合成石英ガラス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0214840A JPH0214840A (ja) | 1990-01-18 |
| JPH0776094B2 true JPH0776094B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=15791974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63164377A Expired - Lifetime JPH0776094B2 (ja) | 1988-07-01 | 1988-07-01 | 合成石英ガラス基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0776094B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4420024C2 (de) * | 1994-06-09 | 1996-05-30 | Heraeus Quarzglas | Halbzeug in Form eines Verbundkörpers für ein elektronisches oder opto-elektronisches Halbleiterbauelement |
| KR100430407B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2004-05-04 | 주식회사 새빛 | 고내열성 석영유리의 제조 방법 |
| US9932004B1 (en) | 2017-03-02 | 2018-04-03 | Honda Motor Co., Ltd. | Vehicle energy absorption system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6158824A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-26 | Nippon Sanso Kk | 透明石英ガラスの製造法 |
| JPS62100426A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | Seiko Epson Corp | ガラスの製造方法 |
-
1988
- 1988-07-01 JP JP63164377A patent/JPH0776094B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0214840A (ja) | 1990-01-18 |
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