JPH02144535A - マスクパターンの作製方法 - Google Patents
マスクパターンの作製方法Info
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- JPH02144535A JPH02144535A JP63297186A JP29718688A JPH02144535A JP H02144535 A JPH02144535 A JP H02144535A JP 63297186 A JP63297186 A JP 63297186A JP 29718688 A JP29718688 A JP 29718688A JP H02144535 A JPH02144535 A JP H02144535A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、大面積のフォトマスク、とりわけ画像情報入
出力デバイス及びその部品形成用フォトマスクの作製方
法に関する。
出力デバイス及びその部品形成用フォトマスクの作製方
法に関する。
大面積のマスクパターンを作製する方法としてはフォト
プロッタ、レーザープロッタ等を用いて直接大面積の基
板に描画する方法がある。しかし、大面積用の描画装置
は一般に精度上、解像力上の性能に問題があり、精度、
解像力を要求される目的には供しがたい。また、大面積
用の高精度描画装置も開発されつつあるが、大型かつ高
精度、高解像力を満足させるには技術的障壁力（高く、
装置開発コストも巨額となり、ひいては装置価格も巨額
となるといった問題がある。
プロッタ、レーザープロッタ等を用いて直接大面積の基
板に描画する方法がある。しかし、大面積用の描画装置
は一般に精度上、解像力上の性能に問題があり、精度、
解像力を要求される目的には供しがたい。また、大面積
用の高精度描画装置も開発されつつあるが、大型かつ高
精度、高解像力を満足させるには技術的障壁力（高く、
装置開発コストも巨額となり、ひいては装置価格も巨額
となるといった問題がある。
一方、近年ウェーハプロセス用フォトマスクはそのサイ
ズは小さいながら極めて高精度かつ高精細に作製する技
術が確立されてきた。また、ウェーハプロセス用フォト
マスク技術により大面積マスクパターンの一部をウェー
ハプロセス用フォトマスクサイズに高精度に形成し、こ
れら小サイズのマスクパターンに分割１１．たパターン
を用いて一枚の大面積基板上に合成して焼き付ける技術
が開発されていた。この技術は近年開発された大型ステ
ッパを用いた技術であり、高精度、かつ高精細な小サイ
ズフォトマスク上のパターンを高精度に大面積基板上で
合成することができる。
ズは小さいながら極めて高精度かつ高精細に作製する技
術が確立されてきた。また、ウェーハプロセス用フォト
マスク技術により大面積マスクパターンの一部をウェー
ハプロセス用フォトマスクサイズに高精度に形成し、こ
れら小サイズのマスクパターンに分割１１．たパターン
を用いて一枚の大面積基板上に合成して焼き付ける技術
が開発されていた。この技術は近年開発された大型ステ
ッパを用いた技術であり、高精度、かつ高精細な小サイ
ズフォトマスク上のパターンを高精度に大面積基板上で
合成することができる。
し、かしながら、このステッパを用いる技術にも欠点が
見出されている。それは特に、液晶デイスプレー等の画
像情報入出力デバイス及びカラ・−フィルタ等の同分野
の部材に於いて重要な項目であるムラに関する。即ち、
分割焼付けした境界線部分にムラを生じやすいのである
。このムラは主として分割した各区画間の微少な位置の
ズレに起因し、ついで各区間のパターン寸法の微少な差
に起因する。いずれにしても１ミクロン程度以下の極め
て微少な差に起因するものであるが、液晶デイスプレー
等の画素電極上、カラーフィルタパターン上にこのよう
なムラが現れるのは極めて問題である。このことは画像
情報を入出力するデバイス及びその部材に共通ずる問題
である。
見出されている。それは特に、液晶デイスプレー等の画
像情報入出力デバイス及びカラ・−フィルタ等の同分野
の部材に於いて重要な項目であるムラに関する。即ち、
分割焼付けした境界線部分にムラを生じやすいのである
。このムラは主として分割した各区画間の微少な位置の
ズレに起因し、ついで各区間のパターン寸法の微少な差
に起因する。いずれにしても１ミクロン程度以下の極め
て微少な差に起因するものであるが、液晶デイスプレー
等の画素電極上、カラーフィルタパターン上にこのよう
なムラが現れるのは極めて問題である。このことは画像
情報を入出力するデバイス及びその部材に共通ずる問題
である。
例えば、第１図に示すように液晶用表示電極パターンで
ある１枚の大面積マスクパターンを上下に２分割し、小
区画Ａ、Ｂに対応する小マスクａ、ｂを作製し合成する
場合、そのパターンの拡大図は、第２図−１の様に示さ
れ１．これが小区画Ａ、Ｂにより第２図−２の様に上下
２分割される。この小区画Ａ、、Ｂに対応するマスクパ
ターンａ、 ｂの２枚を１枚の大面積基板」−に大型ス
テッパーを用いて合成すると、小区画Ａ、Ｂの境界線Ｃ
上に於いて、Ａ、Ｂの接合部に生じた誤差により第３図
−１，２，３，４に示すようなパターンのズレを生じる
。このズレ量は僅か１ミクロン程度以下である。第３図
−１に示すようなズレは上下の小区画パターンＡ、Ｂが
相対的に左右方向に位置ズレを４Ｆした場合である。第
３図−２に示すようなズレは上下の小区画パターンＡ、
Ｂの相対的位置ズレはないが、各々のパターン寸法（線
幅）にズレを生じた場合である。第３図−３，４に示す
ようなズレは上下の小区画パターンＡ、Ｂが相対的に上
下方向に位置ズレを生じた場合である。第３図−１，２
，３，４いずれの場合に於いても、僅か１ミクロン以下
の誤差により、−直線状のムラを生ずる。この例の様に
、電極パターン用マスクパターンにこのようなムラを生
ずると、転写した電極パターンにも同様のムラを生じ、
このムラは電気的特性上は大きな問題は無いものの、液
晶パネルとしたのちにムラとして人の目に認められる為
、画像情報入出力デバイスとしては、極めて大きな品質
」二の問題となる。
ある１枚の大面積マスクパターンを上下に２分割し、小
区画Ａ、Ｂに対応する小マスクａ、ｂを作製し合成する
場合、そのパターンの拡大図は、第２図−１の様に示さ
れ１．これが小区画Ａ、Ｂにより第２図−２の様に上下
２分割される。この小区画Ａ、、Ｂに対応するマスクパ
ターンａ、 ｂの２枚を１枚の大面積基板」−に大型ス
テッパーを用いて合成すると、小区画Ａ、Ｂの境界線Ｃ
上に於いて、Ａ、Ｂの接合部に生じた誤差により第３図
−１，２，３，４に示すようなパターンのズレを生じる
。このズレ量は僅か１ミクロン程度以下である。第３図
−１に示すようなズレは上下の小区画パターンＡ、Ｂが
相対的に左右方向に位置ズレを４Ｆした場合である。第
３図−２に示すようなズレは上下の小区画パターンＡ、
Ｂの相対的位置ズレはないが、各々のパターン寸法（線
幅）にズレを生じた場合である。第３図−３，４に示す
ようなズレは上下の小区画パターンＡ、Ｂが相対的に上
下方向に位置ズレを生じた場合である。第３図−１，２
，３，４いずれの場合に於いても、僅か１ミクロン以下
の誤差により、−直線状のムラを生ずる。この例の様に
、電極パターン用マスクパターンにこのようなムラを生
ずると、転写した電極パターンにも同様のムラを生じ、
このムラは電気的特性上は大きな問題は無いものの、液
晶パネルとしたのちにムラとして人の目に認められる為
、画像情報入出力デバイスとしては、極めて大きな品質
」二の問題となる。
本発明者等は鋭意検討の結果、このムラが僅か１ミクロ
ン以下程度の誤差によるものでありながら人の目に認め
られるのは、ズレ等が境界線に沿って規則的かつ連続的
に配列されるからに他ならないことを究明し、従ってこ
のムラの問題は、この誤差によるズレ等の配列の規則性
、連続性を無くす、あるいは小さくすることによって解
決できることを見出し本発明に至った。
ン以下程度の誤差によるものでありながら人の目に認め
られるのは、ズレ等が境界線に沿って規則的かつ連続的
に配列されるからに他ならないことを究明し、従ってこ
のムラの問題は、この誤差によるズレ等の配列の規則性
、連続性を無くす、あるいは小さくすることによって解
決できることを見出し本発明に至った。
本発明は上記検討によりなされたものであり、分割パタ
ーンの合成により大面積マスクパターンを作製するにあ
たり、分割境界線上のムラをなくす方法を提供するもの
である。
ーンの合成により大面積マスクパターンを作製するにあ
たり、分割境界線上のムラをなくす方法を提供するもの
である。
すなわち、本発明は微細パターンが大面積にわたって連
続的に配置されて成るマスクパターンを形成するにあた
り、この大面積を複数の小区画に分割し、この分割した
各々の小区画に対応する小面積マスクパターンを作製し
、これをステッパー方式により大面積基板上で合成し、
大面積マスクパターンを作製する方法に於いて、大面積
の複数の小区画分割するに際し、隣接する小区画が、合
成して得られる大面積マスクパターンの幅の３〜３０％
の幅の境界共有領域を有し、この共有領域内の個々の微
細パターンが隣接する小区画のいずれかの一つに乱数配
列的に属することを特徴とするマスクパターンの作製方
法である。
続的に配置されて成るマスクパターンを形成するにあた
り、この大面積を複数の小区画に分割し、この分割した
各々の小区画に対応する小面積マスクパターンを作製し
、これをステッパー方式により大面積基板上で合成し、
大面積マスクパターンを作製する方法に於いて、大面積
の複数の小区画分割するに際し、隣接する小区画が、合
成して得られる大面積マスクパターンの幅の３〜３０％
の幅の境界共有領域を有し、この共有領域内の個々の微
細パターンが隣接する小区画のいずれかの一つに乱数配
列的に属することを特徴とするマスクパターンの作製方
法である。
更に、本発明は微細パターンが大面積にわたって連続的
に配置されて成るマスクパターンを形成するにあたり、
この大面積を複数の小区画に分割し、この分割した各々
の小区画に対応する小面積マスクパターンを作製し、こ
れをステッパー方式により大面積基板上で合成し、大面
積マス・クパターンを作製する方法に於いて、大面積を
複数の小区画に分割するに際し、隣接する小区画が合成
して得られる大面積マスクパターンの幅の３〜３０％の
幅の境界共有領域を有し、この共有領域内の個々の微細
パターンがより近い方の小区画に、より大きい確率によ
り属し、かつ乱数配列的に配置されることを特徴とする
マスクパターンの作製方法である。
に配置されて成るマスクパターンを形成するにあたり、
この大面積を複数の小区画に分割し、この分割した各々
の小区画に対応する小面積マスクパターンを作製し、こ
れをステッパー方式により大面積基板上で合成し、大面
積マス・クパターンを作製する方法に於いて、大面積を
複数の小区画に分割するに際し、隣接する小区画が合成
して得られる大面積マスクパターンの幅の３〜３０％の
幅の境界共有領域を有し、この共有領域内の個々の微細
パターンがより近い方の小区画に、より大きい確率によ
り属し、かつ乱数配列的に配置されることを特徴とする
マスクパターンの作製方法である。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明のマスクパターンの作製方法においては、所望の
大面積マスクパタ・−ンを分割した各々の小区画に対応
する小面積マスクパターンをウェーハプロセス用フォト
マスク技術により、電子線描画等を用い、５〜フインチ
角のフォトマスク基板上に描画、現像、エツチングして
、高精度に作製し、次いで、上記の小面積マスクパター
ンを大型ステッパーを用いて、大面積基板上の所定の位
置に、フォトレジスト焼き付け、現像、エツチングして
、−枚の大面積基板上に合成することにより大面積マス
クパターンを作製する。
大面積マスクパタ・−ンを分割した各々の小区画に対応
する小面積マスクパターンをウェーハプロセス用フォト
マスク技術により、電子線描画等を用い、５〜フインチ
角のフォトマスク基板上に描画、現像、エツチングして
、高精度に作製し、次いで、上記の小面積マスクパター
ンを大型ステッパーを用いて、大面積基板上の所定の位
置に、フォトレジスト焼き付け、現像、エツチングして
、−枚の大面積基板上に合成することにより大面積マス
クパターンを作製する。
本発明のマスクパターンの作製方法においては、所望の
大面積マスクパターン、を複数の小区画に分割するに際
し、隣接する小区画を境界線で分割する替わりに、第４
図−１に模式的に示すように、隣接小区画Ｐ、Ｑのいず
れかの−一つに乱数配列的に配属し、第４図−２に模式
的に示されるような分割された小区画に対応する小面積
マスクパターンＰ、ｑを作製する。このような小面積マ
スクパターンｐ、ｑが大面積基板上で合成されるとき、
境界線がなく、小面積マスクパターンｐ、ｑいずれかに
属する個々の微細パターンｍは境界共有領域ｅ内でラン
ダムに配置されるので、従来の方法におけるような境界
線に沿った規則的、連続的なズレを生じず、人の目にム
ラとしてＬ？２識されることがない、ムラを生じさせな
いために境界共有領域の幅を隣接する小区画が合成して
得られる大面積マスクパターンの幅の３〜３０％とする
ことがより効果がある。
大面積マスクパターン、を複数の小区画に分割するに際
し、隣接する小区画を境界線で分割する替わりに、第４
図−１に模式的に示すように、隣接小区画Ｐ、Ｑのいず
れかの−一つに乱数配列的に配属し、第４図−２に模式
的に示されるような分割された小区画に対応する小面積
マスクパターンＰ、ｑを作製する。このような小面積マ
スクパターンｐ、ｑが大面積基板上で合成されるとき、
境界線がなく、小面積マスクパターンｐ、ｑいずれかに
属する個々の微細パターンｍは境界共有領域ｅ内でラン
ダムに配置されるので、従来の方法におけるような境界
線に沿った規則的、連続的なズレを生じず、人の目にム
ラとしてＬ？２識されることがない、ムラを生じさせな
いために境界共有領域の幅を隣接する小区画が合成して
得られる大面積マスクパターンの幅の３〜３０％とする
ことがより効果がある。
また、本発明のマスクパターンの作製方法においては、
所望の大面積マスクパターンを複数の小区画に分割する
に際し、隣接する小区画を境界線で分割する替わりに、
第５図−１に模式的に示すように、隣接小区画Ｔ、Ｕの
いずれかの一つに乱数配列的に配属し、第５図−２に模
式的に示されるような分割された小区画に対応する小面
積マスクパターンＬ、ｕを作製する。このような小面積
マスクパターンｔ、ｕが大面積基板上で合成されるとき
、境界線がなく、小面積マスクパターンｔ、Ｕいずれか
に属する個々の微細パターンｍは境界共有領域ｅ内でよ
り近い方の小区画に、より大きい確率で属し、かつ乱数
配列的にランダムに配置されるので、従来の方法におけ
るような境界線に沿った規則的、連続的なズレを生じず
、人の目にムラとして認識されることがない、ムラを生
じさせないために境界共有領域の幅を隣接する小区画が
合成して得られる大面積マスクパターンの幅の３〜３０
％とすることがより効果がある。
所望の大面積マスクパターンを複数の小区画に分割する
に際し、隣接する小区画を境界線で分割する替わりに、
第５図−１に模式的に示すように、隣接小区画Ｔ、Ｕの
いずれかの一つに乱数配列的に配属し、第５図−２に模
式的に示されるような分割された小区画に対応する小面
積マスクパターンＬ、ｕを作製する。このような小面積
マスクパターンｔ、ｕが大面積基板上で合成されるとき
、境界線がなく、小面積マスクパターンｔ、Ｕいずれか
に属する個々の微細パターンｍは境界共有領域ｅ内でよ
り近い方の小区画に、より大きい確率で属し、かつ乱数
配列的にランダムに配置されるので、従来の方法におけ
るような境界線に沿った規則的、連続的なズレを生じず
、人の目にムラとして認識されることがない、ムラを生
じさせないために境界共有領域の幅を隣接する小区画が
合成して得られる大面積マスクパターンの幅の３〜３０
％とすることがより効果がある。
以下、実施例により更に具体的に説明する。
実施例−１
第６図に示すような、画面サイズ２４０Ｘ１８０ｓｍ。
画素を掻ピッチ２４０ Ｘ ２９０μｍ、微細パターン
ｍの画素電極サイズ２００ Ｘ ２５０μｍのＴＰＴ画
素ｉｉｔ橿用マスクパターンを作製するにあたり、上下
左右Ｐ１Ｑ、Ｒ，Ｓに４分割して、対応する４枚の分割
マスフパターンを外形寸法ツイフチによりウェーハプロ
セス用フォトマスク技術により作製した。Ｊ−下左右の
境界部は第５図に示すように、個々の微細パターンｍを
乱数配列により不規則に配属した。
ｍの画素電極サイズ２００ Ｘ ２５０μｍのＴＰＴ画
素ｉｉｔ橿用マスクパターンを作製するにあたり、上下
左右Ｐ１Ｑ、Ｒ，Ｓに４分割して、対応する４枚の分割
マスフパターンを外形寸法ツイフチによりウェーハプロ
セス用フォトマスク技術により作製した。Ｊ−下左右の
境界部は第５図に示すように、個々の微細パターンｍを
乱数配列により不規則に配属した。
このとき分割境界共有領域の幅ｅは２０ｍｍとし境界部
共有領域の中央部Ｅの電極パターンも４枚の分割マスク
パターンに不規則に分割した。この４枚の分割マスクパ
ターンを大型ステッパーにより３００Ｍｍ角の大型基板
上に合成した。このとき上下のパターンの相対的位置精
度は１μｍであり、また、−上下のパターンの線幅精度
は０．５μｍであったが、境界部近傍のムラは認めなか
った。同様にして、境界線を一直線とした分割方法では
境界部にムラを生じた。
共有領域の中央部Ｅの電極パターンも４枚の分割マスク
パターンに不規則に分割した。この４枚の分割マスクパ
ターンを大型ステッパーにより３００Ｍｍ角の大型基板
上に合成した。このとき上下のパターンの相対的位置精
度は１μｍであり、また、−上下のパターンの線幅精度
は０．５μｍであったが、境界部近傍のムラは認めなか
った。同様にして、境界線を一直線とした分割方法では
境界部にムラを生じた。
実施例−２
第７図に示すような、画面サイズ２４０ Ｘ １５０ａ
ｎ、画素電極ピッチ１２０ Ｘ ３６０μｍ、微細パタ
ーンｍの画素電極サイズ１００ Ｘ ３００μｍのＴＰ
Ｔ画素電極用マスクパターンを作製するにあたり、上下
２分割して、２枚の分割マスクパターンを外形寸法ツイ
フチによりウェーハプロセス用フォトマスク技術により
作製した。上下の境界部は第５図−２に示すように個々
の微細パターンｍを乱数配列により不規則に配属した。
ｎ、画素電極ピッチ１２０ Ｘ ３６０μｍ、微細パタ
ーンｍの画素電極サイズ１００ Ｘ ３００μｍのＴＰ
Ｔ画素電極用マスクパターンを作製するにあたり、上下
２分割して、２枚の分割マスクパターンを外形寸法ツイ
フチによりウェーハプロセス用フォトマスク技術により
作製した。上下の境界部は第５図−２に示すように個々
の微細パターンｍを乱数配列により不規則に配属した。
このとき分割境界共有領域の幅ｅは２０胴とした。この
２枚の分割マスクパターンを大型ステッパーにより３０
００１１１１角の大型基板上に合成した。このとき−Ｌ
下パターンの相対的位置精度は１μｍであり、また、上
下のパターンの線幅精度は０．５μｍであったが、境界
部近傍のムラは認めなかった。同様にして、境界線を一
直線とした第６図に示す方法では境界部にムラを生じた
。
２枚の分割マスクパターンを大型ステッパーにより３０
００１１１１角の大型基板上に合成した。このとき−Ｌ
下パターンの相対的位置精度は１μｍであり、また、上
下のパターンの線幅精度は０．５μｍであったが、境界
部近傍のムラは認めなかった。同様にして、境界線を一
直線とした第６図に示す方法では境界部にムラを生じた
。
実施例−３
第８図に示すような、画面サイズ２４０ Ｘ １５０Ｍ
、画素布種ピッチ１２０ Ｘ ３６０μｍ、微細パター
ンｍの画素電極サイズ１００ Ｘ ３５０ ｕ ｍの液
晶用カラーフィルタ用マスクパターンを作製するのに、
上下２分割して、２枚の分割マスクパターンを外形寸法
ツイフチによりウェーハプロセス用フォトマスク技術に
より作製した。上下の境界部は第４図−２に示すように
個々の微細パターンｍを乱数配列により不規則に配属し
た。このとき分割境界共有領域の幅ｅは２０ｍとした。
、画素布種ピッチ１２０ Ｘ ３６０μｍ、微細パター
ンｍの画素電極サイズ１００ Ｘ ３５０ ｕ ｍの液
晶用カラーフィルタ用マスクパターンを作製するのに、
上下２分割して、２枚の分割マスクパターンを外形寸法
ツイフチによりウェーハプロセス用フォトマスク技術に
より作製した。上下の境界部は第４図−２に示すように
個々の微細パターンｍを乱数配列により不規則に配属し
た。このとき分割境界共有領域の幅ｅは２０ｍとした。
この２枚の分割マスクパターンを大型ステッパーにより
３００闘角の大型基板上に合成した。このとき上下のパ
ターンの相対的位置精度は１μｍであり、また、上下の
パターンの線幅精度は０．５μｍであったが、境界部近
傍のムラは認めなかった。同様にして、境界線を一直線
とした分割方法では境界部にムラを生じた。
３００闘角の大型基板上に合成した。このとき上下のパ
ターンの相対的位置精度は１μｍであり、また、上下の
パターンの線幅精度は０．５μｍであったが、境界部近
傍のムラは認めなかった。同様にして、境界線を一直線
とした分割方法では境界部にムラを生じた。
実施例−４
第９図に示すような、画面サイズ２４０ Ｘ １８０Ｍ
、画素電極ピッチ２４０Ｘ ２９０μｍ、微細パターン
ｍの画素電極サイズ２００Ｘ ２５０μｍのＴＰＴ画素
電極用マスクパターンを作製するにあたり、上下左右Ｔ
、Ｕ、■、Ｗに４分割して、対応する４枚の分割マスク
パターンを外形寸法ツイフチによりウェーハプロセス用
フォトマスク技術により作製した。上下左右の境界部は
第１０図に示すように、個々の微細パターンｍを各分割
マスクパターンに配属した。このとき分割境界共有領域
の幅ｅは２５閤とし、例えばＴＵの境界近傍においては
個々の微細パターンが、Ｔに近い側５ミリ幅の領域では
Ｔに９０％、（Ｊに１０％属し、次の５ミリ幅ではＴに
７５％、１Ｊに２５％属するとし、次の５ミリ幅ではＴ
Ｕに等しく５０％づつ属するとし、次の５ミリ幅ではＴ
に２５％、Ｕに７５％属するとし、最もｔＪに近い側５
ミリ幅ではＴに１０％、ｔＪに９０％属するとし、かつ
各５ミリ幅の領域内では乱数配列により不規則に配置し
た。境界部共有領域の中央部Ｅの電極パターンも４枚の
分割マスクパターンに不規則に分割した。この４枚の分
割マスクパターンを大型ステッパーにより３００ ｖｎ
角の大型基板上に合成した。このとき上下のパターンの
相対的位置精度は１μｍであり、また、上下のパターン
の線幅精度は０．５μｍであったが、境界部近傍のムラ
は認めなかった。同様にして、境界線を一直線とした分
割方法では境界部にムラを生じた。
、画素電極ピッチ２４０Ｘ ２９０μｍ、微細パターン
ｍの画素電極サイズ２００Ｘ ２５０μｍのＴＰＴ画素
電極用マスクパターンを作製するにあたり、上下左右Ｔ
、Ｕ、■、Ｗに４分割して、対応する４枚の分割マスク
パターンを外形寸法ツイフチによりウェーハプロセス用
フォトマスク技術により作製した。上下左右の境界部は
第１０図に示すように、個々の微細パターンｍを各分割
マスクパターンに配属した。このとき分割境界共有領域
の幅ｅは２５閤とし、例えばＴＵの境界近傍においては
個々の微細パターンが、Ｔに近い側５ミリ幅の領域では
Ｔに９０％、（Ｊに１０％属し、次の５ミリ幅ではＴに
７５％、１Ｊに２５％属するとし、次の５ミリ幅ではＴ
Ｕに等しく５０％づつ属するとし、次の５ミリ幅ではＴ
に２５％、Ｕに７５％属するとし、最もｔＪに近い側５
ミリ幅ではＴに１０％、ｔＪに９０％属するとし、かつ
各５ミリ幅の領域内では乱数配列により不規則に配置し
た。境界部共有領域の中央部Ｅの電極パターンも４枚の
分割マスクパターンに不規則に分割した。この４枚の分
割マスクパターンを大型ステッパーにより３００ ｖｎ
角の大型基板上に合成した。このとき上下のパターンの
相対的位置精度は１μｍであり、また、上下のパターン
の線幅精度は０．５μｍであったが、境界部近傍のムラ
は認めなかった。同様にして、境界線を一直線とした分
割方法では境界部にムラを生じた。
実施例−５
第７図に示すような、画面サイズ２４０ Ｘ １５０ｍ
ｍ 。
ｍ 。
画素布種ピッチ１２０ Ｘ ３６０μｍ、微細パターン
ｍの画素布種サイズ１００ Ｘ３００μｍのＴＰＴ画素
電極用マスクバター〉′を作製するにあたり、上下２分
割して、２枚の分割マスクパターンを外形寸法フインチ
によりウェーハプロセス用フォトマスク技術により作製
した。上下の境界部は第１０図に準じて個々の微細パタ
ーンｍを各分割マスクパターンに配属した。このとき分
割境界共有領域の幅Ｃは２５ａｉｍとし、例えばＴＵの
境界近傍においては個々の微細パターンが、Ｔに近い側
５ミリ幅の領域では］゛に９θ％、ｔＪに１０％属し、
次の５ミリ幅ではＴに７５％、Ｕに２５％属するとし、
次の５ミリ幅ではＴＩＪに等り、 ＜ ５０％づつ属す
るとし、次の５ミリ幅ではＴに２５％、Ｕに７５％属す
るとし、最もＵに近い側５ミリ幅ではＴに１０％、（１
に９０％属するとし、かつ各５ミリ幅の領域内では乱数
配列により不規則に配置した。この２枚の分割マスクパ
ターンを大型ステッパーにより３００Ｗ角の大型基板上
に合成した。このとき上下パターンの相対的位置精度は
ｌＩ！ｍであり、また、上下のパターンの線幅精度は０
．５μｍであったが、境界部近傍のムラは認めなかった
。同様にして、境界線を一直線とじた分割方法では境界
部にムラを生じた。
ｍの画素布種サイズ１００ Ｘ３００μｍのＴＰＴ画素
電極用マスクバター〉′を作製するにあたり、上下２分
割して、２枚の分割マスクパターンを外形寸法フインチ
によりウェーハプロセス用フォトマスク技術により作製
した。上下の境界部は第１０図に準じて個々の微細パタ
ーンｍを各分割マスクパターンに配属した。このとき分
割境界共有領域の幅Ｃは２５ａｉｍとし、例えばＴＵの
境界近傍においては個々の微細パターンが、Ｔに近い側
５ミリ幅の領域では］゛に９θ％、ｔＪに１０％属し、
次の５ミリ幅ではＴに７５％、Ｕに２５％属するとし、
次の５ミリ幅ではＴＩＪに等り、 ＜ ５０％づつ属す
るとし、次の５ミリ幅ではＴに２５％、Ｕに７５％属す
るとし、最もＵに近い側５ミリ幅ではＴに１０％、（１
に９０％属するとし、かつ各５ミリ幅の領域内では乱数
配列により不規則に配置した。この２枚の分割マスクパ
ターンを大型ステッパーにより３００Ｗ角の大型基板上
に合成した。このとき上下パターンの相対的位置精度は
ｌＩ！ｍであり、また、上下のパターンの線幅精度は０
．５μｍであったが、境界部近傍のムラは認めなかった
。同様にして、境界線を一直線とじた分割方法では境界
部にムラを生じた。
実施例−６
第８図に示すような、画面サイズ２４０ Ｘ １５０ｍ
、画素電極ピンチＩ２０ Ｘ ３６０μｍ、＠細パター
ンｍの画素電極サイズ１００ Ｘ ３５０μｍの液晶用
カラーフィルタ用マスクパターンを作製するにあたり、
−に下２分割して、２枚の分割マスクパターンを外形寸
法フインチによりウェーハプロセス用フォトマスク技術
により作製した。上下の境界部は第１０図に準じて個々
の微細パターンｍを各分割マスクパターンに配属した。
、画素電極ピンチＩ２０ Ｘ ３６０μｍ、＠細パター
ンｍの画素電極サイズ１００ Ｘ ３５０μｍの液晶用
カラーフィルタ用マスクパターンを作製するにあたり、
−に下２分割して、２枚の分割マスクパターンを外形寸
法フインチによりウェーハプロセス用フォトマスク技術
により作製した。上下の境界部は第１０図に準じて個々
の微細パターンｍを各分割マスクパターンに配属した。
このとき分割境界共有領域の幅ｅは２０Ｍとし、この領
域内で個々の微細パターンがいずれの分割マスクパター
ンに属するかの確率を、個々の微細パターンと両区側ま
での距離の比により決定したうえ、乱数配列的に配置し
た。
域内で個々の微細パターンがいずれの分割マスクパター
ンに属するかの確率を、個々の微細パターンと両区側ま
での距離の比により決定したうえ、乱数配列的に配置し
た。
この２枚の分割マスクパターンを大型ステッパーにより
３００Ｍ角の大型基板上に合成した。このとき上下のパ
ターンの相対的位置精度はＬ）ｔｍであり、また、上下
のパターンの線幅精度は０．５μｍであったが、境界部
近傍のムラは認めなかった。
３００Ｍ角の大型基板上に合成した。このとき上下のパ
ターンの相対的位置精度はＬ）ｔｍであり、また、上下
のパターンの線幅精度は０．５μｍであったが、境界部
近傍のムラは認めなかった。
同様にして、境界線を一直線とした分割方法では境界部
にムラを生じた。
にムラを生じた。
以上から明らかなごとく、本発明によれば隣接する小区
画パターンの境界に於いて境界共有領域を設け、共有領
域内の個々の微細パターンを乱数配列的いずれかの区画
に属させた小区画パターンを用いることによりムラの無
い大面積マスクパターンを作製することができる。
画パターンの境界に於いて境界共有領域を設け、共有領
域内の個々の微細パターンを乱数配列的いずれかの区画
に属させた小区画パターンを用いることによりムラの無
い大面積マスクパターンを作製することができる。
また、本発明によれば隣接する小区画パター・ンの境界
に於いて境界共有領域を設け、共有領域内の個々の微細
パターンを隣接小区画のいずれかの一つのより近い方の
小区画に、より大きい確率で配属し、かつ乱数配列的に
配置させた小区画パターンを用いることによりムラの無
い大面積マスクパターンを作製することができる。
に於いて境界共有領域を設け、共有領域内の個々の微細
パターンを隣接小区画のいずれかの一つのより近い方の
小区画に、より大きい確率で配属し、かつ乱数配列的に
配置させた小区画パターンを用いることによりムラの無
い大面積マスクパターンを作製することができる。
また、本発明によれば大面積基板上に高精度かつ高精細
にパターン形成が可能となる。
にパターン形成が可能となる。
第１図、第２図−１及び第２図−２は従来のマスクパタ
ーンの作製方法を示す模式図であり、第３図−１，第３
図−２，第３回−３及び第３図−４はパターンの接合部
におけるズレを示す模式図であり、第４図−１及び第４
図−２、第５図−１及び第５図−２、第６図、第７図、
第８図、第９図、第１０図は本発明のマスクパターンの
作製方法を示す模式図である。
ーンの作製方法を示す模式図であり、第３図−１，第３
図−２，第３回−３及び第３図−４はパターンの接合部
におけるズレを示す模式図であり、第４図−１及び第４
図−２、第５図−１及び第５図−２、第６図、第７図、
第８図、第９図、第１０図は本発明のマスクパターンの
作製方法を示す模式図である。
Claims (2)
- （１）微細パターンが大面積にわたって連続的に配置さ
れて成るマスクパターンを形成するにあたり、この大面
積を複数の小区画に分割し、この分割した各々の小区画
に対応する小面積マスクパターンを作製し、これをステ
ッパー方式により大面積基板上で合成し、大面積マスク
パターンを作製する方法に於いて、大面積を複数の小区
画に分割するに際し、隣接する小区画が合成して得られ
る大面積マスクパターンの幅の３〜３０％の幅の境界共
有領域を有し、この共有領域内の個々の微細パターンが
隣接する小区画のいずれかの一つに乱数配列的に属する
ことを特徴とするマスクパターンの作製方法。 - （２）微細パターンが大面積にわたって連続的に配置さ
れて成るマスクパターンを形成するにあたり、この大面
積を複数の小区画に分割し、この分割した各々の小区画
に対応する小面積マスクパターンを作製し、これをステ
ッパー方式により大面積基板上で合成し、大面積マスク
パターンを制作する方法に於いて、大面積を複数の小区
画に分割するに際し、隣接する小区画が、合成して得ら
れる大面積マスクパターンの幅の３〜３０％の幅の境界
共有領域を有し、この共有領域内の個々の微細パターン
がより近い方の小区画に、より大きい確率により属し、
かつ乱数配列的に配置されることを特徴とするマスクパ
ターンの作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297186A JPH02144535A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | マスクパターンの作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63297186A JPH02144535A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | マスクパターンの作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02144535A true JPH02144535A (ja) | 1990-06-04 |
Family
ID=17843289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63297186A Pending JPH02144535A (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | マスクパターンの作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02144535A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034255A1 (fr) * | 1997-12-25 | 1999-07-08 | Nikon Corporation | Procede et appareil de fabrication de photomasque et procede de fabrication de l'appareil |
| WO2007073072A1 (en) * | 2005-12-19 | 2007-06-28 | Doosan Mecatec Co., Ltd. | Mask apparatus for divided deposition of substrate and patterning method using the same |
| KR100784665B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2007-12-12 | 두산메카텍 주식회사 | 기판의 분할증착용 마스크 장치 및 이를 이용한패턴형성방법 |
| EP1391920A3 (fr) * | 2002-08-06 | 2008-07-16 | Thales | Procédé de fabrication d'une matrice active, dispositifs de visualisation électro-optiques et masque correspondants |
-
1988
- 1988-11-26 JP JP63297186A patent/JPH02144535A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999034255A1 (fr) * | 1997-12-25 | 1999-07-08 | Nikon Corporation | Procede et appareil de fabrication de photomasque et procede de fabrication de l'appareil |
| US6677088B2 (en) | 1997-12-25 | 2004-01-13 | Nikon Corporation | Photomask producing method and apparatus and device manufacturing method |
| EP1391920A3 (fr) * | 2002-08-06 | 2008-07-16 | Thales | Procédé de fabrication d'une matrice active, dispositifs de visualisation électro-optiques et masque correspondants |
| WO2007073072A1 (en) * | 2005-12-19 | 2007-06-28 | Doosan Mecatec Co., Ltd. | Mask apparatus for divided deposition of substrate and patterning method using the same |
| KR100784665B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2007-12-12 | 두산메카텍 주식회사 | 기판의 분할증착용 마스크 장치 및 이를 이용한패턴형성방법 |
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