JPH0214162Y2 - - Google Patents

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JPH0214162Y2
JPH0214162Y2 JP1982112048U JP11204882U JPH0214162Y2 JP H0214162 Y2 JPH0214162 Y2 JP H0214162Y2 JP 1982112048 U JP1982112048 U JP 1982112048U JP 11204882 U JP11204882 U JP 11204882U JP H0214162 Y2 JPH0214162 Y2 JP H0214162Y2
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varistor
electrode
electrodes
glass layer
gap
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Description

【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は、音響機器に関連する小型直流モータ
のノイズ防止、リレー接点の保護、半導体素子の
静電気に対する保護等に使用されるバリスタに関
する。
[Detailed Description of the Invention] Industrial Application Field The present invention relates to a varistor used for noise prevention of small DC motors related to audio equipment, protection of relay contacts, protection of semiconductor elements against static electricity, and the like.

従来技術 従来のこの種のバリスタは、一般に、円環状等
の適当な形状に形成されたバリスタ素体の表面も
しくは裏面または両面に、一個またはそれ以上の
個数の電極を被着形成した構造となつている。第
1図及び第2図は従来のバリスタの一例を示し、
円環状に形成されたバリスタ素体1の表面に、ギ
ヤツプGによつて分割された複数の電極2,3及
び4を設け、裏面に前記電極2〜4に共通に対向
する共通電極5を設けた構造となつている。前記
バリスタ素体1としては、シリコンカーバイト
(SiC)系、酸化錫(SnO2)系、酸化鉄(Fe2O3)
系または酸化チタン(TiO2)系等の焼結体が使
用される。
Conventional varistors of this type generally have a structure in which one or more electrodes are adhered to the front or back surface or both surfaces of a varistor element body formed in an appropriate shape such as an annular shape. ing. 1 and 2 show an example of a conventional varistor,
A plurality of electrodes 2, 3, and 4 divided by a gap G are provided on the front surface of a varistor body 1 formed in an annular shape, and a common electrode 5 is provided on the back surface of the varistor body 1, which commonly faces the electrodes 2 to 4. It has a unique structure. The varistor element 1 is made of silicon carbide (SiC), tin oxide (SnO2), or iron oxide (Fe2O3).
A sintered body of titanium oxide (TiO2) or titanium oxide (TiO2) is used.

第3図は第1図及び第2図に示した従来のバリ
スタの電気的等価回路図であり、電極2,3及び
4の各々と共通電極5との間に、バリスタ特性
Vz2,Vz3,Vz4と並列に、静電容量C25,C35,
C45を接続した回路構成となる。
FIG. 3 is an electrical equivalent circuit diagram of the conventional varistor shown in FIGS. 1 and 2, in which the varistor characteristics are
In parallel with Vz2, Vz3, Vz4, capacitance C25, C35,
The circuit configuration is that C45 is connected.

従来技術の欠点 バリスタは、スパイク状の火花雑音やリード伝
播ノイズ等がバリスタ電圧を越えた場合、そのバ
リスタ特性により電圧をカツトするものである
が、印加電圧がバリスタ電圧より低い電圧範囲で
は一種のコンデンサとして動作するものであるた
め、例えばモータ回路の発振条件等の関連によ
り、電極間に発生する静電容量C25,C35,C45
の調整を行なうことが必要になる場合がある。こ
の静電容量値の調整方法としては、バリスタ素体
1の組成の選択、製造方法の選択等の方法もある
が、電極2〜3の電極面積を小さくする等、電極
面積の調整による方法が最も容易でかつ確実であ
る。ところが電極面積の調整に当つて、その面積
を小さくすると、バリスタ素体1に対する電極2
〜4の接着面積も同時に小さくなつてしまうた
め、電極接着強度が低下し、電極剥離等の問題を
生じる。また、電極面積が小さくなると、電極2
〜4にリード線等を半田付けするための半田付け
面積が充分に確保できなくなり、半田付けが困難
になる。
Disadvantages of conventional technology Varistors cut off the voltage due to their varistor characteristics when spike-like spark noise, lead propagation noise, etc. exceed the varistor voltage, but in the voltage range where the applied voltage is lower than the varistor voltage, a type of Since it operates as a capacitor, the capacitance C25, C35, C45 that occurs between the electrodes due to the oscillation conditions of the motor circuit, etc.
It may be necessary to make adjustments. There are methods to adjust this capacitance value, such as selecting the composition of the varistor body 1 and selecting the manufacturing method. Easiest and surest. However, when adjusting the electrode area, if the area is made smaller, the electrode 2 with respect to the varistor body 1 becomes smaller.
Since the adhesion area of 4 to 4 also becomes smaller at the same time, the electrode adhesion strength decreases, causing problems such as electrode peeling. Also, when the electrode area becomes smaller, the electrode 2
It becomes impossible to secure a sufficient soldering area for soldering lead wires, etc. to 4, making it difficult to solder.

本考案の目的 そこで本考案は、上述する従来からの問題点を
解決し、電極の有効表面積を縮小させることな
く、静電容量を小さくできるようにし、静電容量
の調整が容易で、電極接着強度が大きく、電極に
対するリード線等の半田付けの容易なバリスタを
提供することを目的とする。
Purpose of the present invention Therefore, the present invention solves the conventional problems mentioned above, makes it possible to reduce the capacitance without reducing the effective surface area of the electrode, makes it easy to adjust the capacitance, and makes it possible to bond the electrode. It is an object of the present invention to provide a varistor that has high strength and that allows easy soldering of lead wires and the like to electrodes.

本考案の構成 上記目的を達成するため、本考案に係るバリス
タは、電極の下の一部にガラス層を有するバリス
タであつて、 前記電極は、ギヤツプによつて分割された複数
の電極で構成され、 前記ガラス層は、前記ギヤツプと該ギヤツプに
隣接する前記電極の端縁の下に設けたこと を特徴とする。
Structure of the present invention In order to achieve the above object, a varistor according to the present invention is a varistor having a glass layer in a part under the electrode, and the electrode is composed of a plurality of electrodes divided by a gap. The glass layer is provided under the gap and the edge of the electrode adjacent to the gap.

実施例 第4図は本考案に係るバリスタの正面部分断面
図、第5図は同じくその側面図である。図におい
て、第1図及び第2図と同一の参照符号は同一性
ある構成部分を示している。6は電極2〜4の下
の一部に被着形成されたガラス層である。この実
施例では、該ガラス層6は、円環状に形成された
バリスタ素体1の一面上にギヤツプGのある部分
に、端縁が電極2〜4の形成領域に入り込むよう
にして、被着形成してある。該ガラス層6は、バ
リスタ素体1のギヤツプGを形成すべき位置に、
ギヤツプGの幅W1よりは大きい幅W2で予めガ
ラスペースト等の塗布しかつ焼付ける等の手段に
よつて簡単に形成できる。
Embodiment FIG. 4 is a partial front sectional view of a varistor according to the present invention, and FIG. 5 is a side view thereof. In the figures, the same reference numerals as in FIGS. 1 and 2 indicate the same components. Reference numeral 6 denotes a glass layer formed under a portion of the electrodes 2 to 4. In this embodiment, the glass layer 6 is adhered to a portion of the gap G on one surface of the varistor body 1 formed in an annular shape, with its edge entering the area where the electrodes 2 to 4 are formed. It has been formed. The glass layer 6 is placed at the position where the gap G of the varistor body 1 is to be formed.
It can be easily formed with a width W2 larger than the width W1 of the gap G by applying glass paste or the like in advance and baking it.

上述のように、電極2〜4の下の一部にガラス
層6を形成すると、静電容量の取得に寄与する電
極2〜4の電極面積が、電極2〜4下において重
なるガラス層6の面積の分だけ縮小される。従つ
てその分だけ静電容量が小さくなる。即ち、電極
2〜4の下で重なるガラス層6の面積を調整する
ことにより、電極2〜4で取得される静電容量を
簡単に調整し得る。因に従来の静電容量を100%
とした場合、本考案によればその約30%程度まで
低下させることができた。
As described above, when the glass layer 6 is formed under a portion of the electrodes 2 to 4, the electrode area of the electrodes 2 to 4, which contributes to acquiring capacitance, is reduced by the area of the glass layer 6 that overlaps below the electrodes 2 to 4. It is reduced by the area. Therefore, the capacitance is reduced accordingly. That is, by adjusting the area of the glass layer 6 that overlaps under the electrodes 2 to 4, the capacitance obtained by the electrodes 2 to 4 can be easily adjusted. In fact, the conventional capacitance is 100%
According to the present invention, this can be reduced to approximately 30%.

一方、電極2〜4は前記ガラス層6の上にも形
成されているから、ガラス層6の存在にも抱わら
ず、電極2〜4の表面積は従来と同程度の面積に
保つことができる。
On the other hand, since the electrodes 2 to 4 are also formed on the glass layer 6, the surface area of the electrodes 2 to 4 can be kept at the same level as the conventional one, regardless of the presence of the glass layer 6. .

このため、電極2〜4の表面積を縮小させるこ
となく、静電容量の取得に寄与する電極面積だけ
をガラス層6によつて縮小し、電極接着強度が大
きく、電極に対するリード線等の半田付けが容易
で、しかも静電容量の調整の容易なバリスタを得
ることが可能になる。しかも、ガラス層6はバリ
スタ素体1及び電極2〜4の線膨張係数に近似し
た線膨張係数を有し、焼付け処理等の手段によつ
て両者に対して強固に接着させることができるか
ら、剥離等を生じることのない強固な接着構造と
なる。
Therefore, without reducing the surface area of the electrodes 2 to 4, only the electrode area that contributes to acquiring capacitance is reduced by the glass layer 6, and the electrode adhesion strength is high, making it easy to solder lead wires, etc. to the electrodes. It becomes possible to obtain a varistor whose capacitance can be easily adjusted. Moreover, the glass layer 6 has a coefficient of linear expansion that is close to that of the varistor body 1 and the electrodes 2 to 4, and can be firmly bonded to both by means such as baking. This creates a strong adhesive structure that does not cause peeling.

更に、ガラス層6は、ギヤツプGと該ギヤツプ
Gに隣接する電極2〜4の端縁の下に設けたか
ら、ガラス接着面積を大きくとり、接着強度を増
大させることができる。
Furthermore, since the glass layer 6 is provided under the gap G and the edges of the electrodes 2 to 4 adjacent to the gap G, the glass bonding area can be increased and the bonding strength can be increased.

なお、バリスタ素体1の種類もしくは形状また
は電極2〜4の個数、形状もしくは構造等は任意
でよく実施例に限定されない。
Note that the type or shape of the varistor body 1 or the number, shape, or structure of the electrodes 2 to 4 may be arbitrary and not limited to the examples.

本考案の効果 以上述べたように、本考案に係るバリスタは、
電極の下の一部にガラス層を有するバリスタであ
つて、電極は、ギヤツプによつて分割された複数
の電極で構成され、ガラス層は、ギヤツプと該ギ
ヤツプに隣接する電極の端縁の下に設けたことを
特徴とするから、電極の有効表面積を縮小させる
ことなく、静電容量の取得に寄与する電極面積だ
けをガラス層によつて縮小し、電極接着強度が大
きく、電極に対するリード線等の半田付けが容易
で、しかも静電容量の調整の容易なバリスタを提
供することができる。
Effects of the present invention As stated above, the barista according to the present invention has
A varistor having a glass layer under a part of the electrode, the electrode being composed of a plurality of electrodes divided by a gap, the glass layer being under the gap and the edge of the electrode adjacent to the gap. Because the glass layer reduces only the electrode area that contributes to acquiring capacitance without reducing the effective surface area of the electrode, the electrode bonding strength is high and the lead wire to the electrode can be reduced. It is possible to provide a varistor that is easy to solder and whose capacitance can be easily adjusted.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のバリスタの正面図、第2図は同
じくその側面図、第3図は同じくその電気的等価
回路図、第4図は本考案に係るバリスタの正面部
分断面図、第5図は同じくその側面図である。 1……バリスタ素体、2〜4……電極、6……
ガラス層、G……ギヤツプ。
FIG. 1 is a front view of a conventional varistor, FIG. 2 is a side view thereof, FIG. 3 is an electrical equivalent circuit diagram thereof, FIG. 4 is a front partial sectional view of the varistor according to the present invention, and FIG. 5 is also a side view thereof. 1... Varistor element body, 2-4... Electrode, 6...
Glass layer, G...gap.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 電極の下の一部にガラス層を有するバリスタで
あつて、 前記電極は、ギヤツプによつて分割された複数
の電極で構成され、 前記ガラス層は、前記ギヤツプと該ギヤツプに
隣接する前記電極の端縁の下に設けたこと を特徴とするバリスタ。
[Claims for Utility Model Registration] A varistor having a glass layer in a part under the electrode, the electrode being composed of a plurality of electrodes divided by a gap, and the glass layer being connected to the gap. A varistor characterized in that the varistor is provided under an edge of the electrode adjacent to the gap.
JP11204882U 1982-07-22 1982-07-22 barista Granted JPS5916105U (en)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5799708A (en) * 1980-12-12 1982-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of forming electrode of zinc oxide series voltage non-linear resistor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5799708A (en) * 1980-12-12 1982-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of forming electrode of zinc oxide series voltage non-linear resistor

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JPS5916105U (en) 1984-01-31

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