JPH02141263A - サーマルヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は感熱記録を行なうサーマルヘッドの製造方法
に関する。

［発明の技術的背景］ 従来、発熱素子の選択的発熱により感熱記録を行なうサ
ーマルへラドは、基板上に発熱素子だけを有し、駆動回
路部とは別体になっている。そのため、印字ドツトがフ
ァインピッチになると発熱素子と駆動回路部との接続は
ワイヤーポンディングによらなければならなかった。し
かし、ワイヤーボンディングは接続の信頼性および量産
性に劣るものである。

そこで、薄膜トランジスタ（Ｔ　Ｐ　Ｔ）技術を用いて
発熱素子と駆動回路部とを１枚の基板に設けることが検
討されている。この場合、基板材料としてウェハを用い
れば製造工程を簡略化することができるが、印字幅の大
きいサーマルへラドを製造する際には、無駄となる面積
比率が増大する。

例えば、４０Ｗ　Ｘ　ＯＨ■朧のサーマルヘッドを６イ
ンチのウェハから得る場合には、全品が良品としても５
０個程度しか得屯ことができない、しかし、ＢＷＸ８Ｈ
ｍ鵬のサーマルヘッドチップを製造し、これらを５個結
合して４０Ｗ　Ｘ　８＋１層層のサーマルヘッドとすれ
ば、６インチのウェハから６５個程度サーマルヘッドを
得ることができる。

また、ＴＰＴ技術でサーマルヘッドを製造すれば、当然
、不良品が混在し、その不良率は面積に比例する。すな
わち、４０１１Ｘ　８８■層のサーマルヘッドは８’ｌ
Ｘ［ｔＨｍｍのサーマルヘッドチップに対して不良発生
率が５倍となる。これは、８’ｌ　Ｘ　８’ｍｍのサー
マルヘッドチップを５個結合する場合には欠陥チップの
みを取り除くことができるが、４０’　Ｘ　６８　ｔａ
ｎのサーマルヘッドを一度に製造する場合には全体が不
良品となるからである。

それ故、最近では、素子数の少ない小さなサーマルヘッ
ドチップを多数形成し、この小さなサーマルヘッドチッ
プを複数個結合してサーマルヘッドを得ることが検討さ
れているが、このような方法では、隣接する各サーマル
ヘッドチップの端部同士が互いに邪魔となるため、単純
に複数個のサーマルヘッドチップを１列に配列すること
ができない、そのため、各サーマルヘッドチップの発熱
素子のピッチを合わせて結合することは極めて難しく、
いまだ、その技術は確立されていない。

［発明が解決しようとする課題］ この発明の目的は、素子数の少ない小さなサーマルヘッ
ドチップを複数個精度良く位置合わせして結合させるこ
とができ、歩留りが良く、生産性の高いサーマルヘッド
の製造方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ この発明に係るサーマルヘッドの製造方法は、少なくと
も複数の発熱素子を有するサーマルヘッドチップを複数
個用意するとともに、この複数のサーマルヘッドチップ
の各発熱素子と等しいピッチのフィンガ部および各フィ
ンガ部を一体に連結する連結部を有する金属箔を準備し
、この後、前記金属箔の表裏面に前記サーマルヘッドチ
ップを互い違いに配置し、かつこのサーマルヘッドチッ
プの各発熱素子を前記各フィンガ部に位置合わせして接
合し、しかる後、前記各フィンガ部に接合された表裏の
各サーマルヘッドチップを固定部材により固定し、前記
金属箔の連結部を切断して前記各フィンガ部を個々に切
り離すことにより、サーマルヘッドを得る方法である。

［作用］ この発明によれば、少なくとも複数の発熱素子を有する
複数のサーマルヘッドチップを結合してサーマルヘッド
を形成するようにしたので、１枚の基板からより多くの
サーマルヘッドを得ることができる。特に、サーマルヘ
ッドチップは１枚の基板から一度に多数形成することが
でき、しかも欠陥チップのみを取り除くことができるの
で、歩留りおよび生産性が極めて良い。また、金属箔は
サーマルヘッドチップの各発熱素子と等しいピッチのフ
ィンガ部を連結部で一体に連結した構成であるから、フ
ィンガ部が１つ１つバラバラにならないため、製造時に
おける取り扱いが容易であり、しかも各フィンガ部を各
発熱素子と等しいピッチ間隔に確保することができる。

このような金属箔を用いてサーマルヘッドチップを複数
個結合する場合には、金属箔の表裏に前記サーマルヘッ
ドチップを互い違いに配置し、かつ各サーマルヘッドチ
ップの各発熱素子をそれぞれフィンガ部に位置合わせし
て接合するので、隣接するサーマルヘッドチップの各端
部が相互に邪魔にならず、サーマルヘッドチップの各発
熱素子を金属箔の各フィンガ部に簡単に精度良く位置合
わせすることができる。このように接合された複数のサ
ーマルヘアトチツブな封止樹脂等の固定部材で固定し、
金属箔の連結部を切断してフィンガ部を個々に切り離せ
ば、複数のサーマルヘッドチップが各発熱素子のピッチ
で精度良く結合されたサーマルヘッドを容易に得ること
ができる。

［実施例］ 以下、第１図〜第３図を参照して、この発明の一実施例
を説明する。

第１図はこの発明の方法により製造されたサーマルヘッ
ドの構成を示す、このサーマルヘッド１は複数のサーマ
ルヘッドチップ２・・・を金属箔３の各フィンガ部４・
・・および配線板５の各配線リード６・・・を挟んで上
下に互い違いに配夕噌し、これらを固定部材である樹脂
７で対土した構成となっている。この場合、各サーマル
ヘッドチップ２・・・は、１枚のシリコン基板（ウェハ
）８を多数のブロックに区分し、各ブロックごとに所要
の素子を同時に形成したうえ、最後に各ブロックごとに
切断して得られるものであり、それぞれ単結晶のｎ型シ
リコン基板８に多数のｊ膜発熱素子９．ダイオード１０
、トランジスタ素子１１．Ｃ−ＭＯＳｉ２、および複数
のバンプ電極１３が一括して形成されている。以下、サ
ーマルヘッドチップ２の各素子について説明する。

薄膜発熱素子９は発熱する部分であり、シリコン基板８
の左端近傍に形成されている。すなわち、シリコン基板
８の上面には発熱形成部１４がシリコン基板８の幅方向
（第１図では紙面に表裏方向）に亘って断面凸形状に隆
起して形成されている。この隆起した発熱形成部１４の
上面には５１０２の絶縁［１５で菫われている。この絶
縁膜１５はシリコン基板８を１０００℃程度に加熱して
酪化処理（８酸化処理）により形成される。この絶縁膜
１５の表面には多結晶シリコンに不純物をドープしてな
る発熱抵抗層１６が上述した発熱形成部１４の長手方向
に沿って、所定のピッチで等間隔に多数配列形成されて
いる。この場合、各発熱抵抗層１６は断面凸形状に隆起
された発熱形成部１４の一方の低い面から高い上面を乗
り越えて他方の低い面に連続して形成されている。この
ような発熱抵抗層１６はモノシラン（Ｓｉ）ｌａ）ガス
を用いテＣＶ　Ｄ　（Ｉｌｌ：ｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐ
ｏｒ　ＤｅｐｏＳｉｔｉｏｎ）法により多結晶シリコン
層を生成し、この多結晶シリコン層に不純物として所定
量のリン（Ｐ）イオンを打ち込んでドープさせた後、エ
ツチングして上述した所定の形状に形成され、かつ所定
のシート抵抗（数十Ω／口）を有する。すなわち、この
発熱抵抗層１６の全抵抗値はＰイオンの打ち込み濃度お
よびその面積によって決定されるため、Ｐイオンの打ち
込み量および非エツチングの量によって調節され、最終
的には数十〜数百Ω程度に調整されている。この場合、
各発熱抵抗層１６は発熱形成部１４の上面と対応する部
分のみが上述した所定のシート抵抗（数十Ω／口）とさ
れ、それ以外の部分はこれよりも小さい抵抗とされる。

そして、この発熱抵抗層１６の表面には保３ｆｌＪ１Ｂ
が形成されている。この保、Ｊ［１８は耐酸化性および
耐摩耗性を有するもので、Ｓ　ｉ０２とＳｉＮの２層構
造のものであっても、５ｉＯＮの単一層のものであって
もよい、なお、発熱抵抗層１６と、これに対応する保護
膜１Ｂとによって発熱素子を構成し、発熱抵抗層１６と
対応する保護＠ｉａの上面に金属箔３のフィンガ部４が
後述するように接合される。

ダイオード１０は薄膜発熱素子９の発熱時に他の薄膜発
熱素子９への逆境を防止するものであり、シリコン基板
８の左端に形成されている。すなわち、シリコン基板８
の上面側内部にはポロン（Ｂ）イオンの打ち込みにより
Ｐ型領域１９が形成され、このｐｌＪ領域１９の領域内
にはＰイオンがドープされたｎ型領域２０が形成されて
いる。

このｎ型領域２０が形成されたシリコン基板８の上面に
は、ｎ型領域２０の中央部分を除いて、薄膜発熱素子９
と同じＳｉＯ２の絶縁膜１５が熱酸化処理により形成さ
れるとともに、ｎ型領域２０の中央部分に薄膜発熱素子
９の発熱抵抗層１６の一端１７が接続されている。この
一端１７は薄膜発熱素子９とダイオード１０との導通を
図るものである。そして、この発熱抵抗層１６の一端１
７の上面にはりンケードガラス等よりなる絶縁保護膜（
図示せず）を介して薄膜発熱素子９と同じ保護膜１８が
形成されている。なお、シリコン基板８はそれ自体がア
ースラインとなるものである。

トランジスタ素子１１は電界効果（ＦＥＴ）型のｎ−Ｍ
ＯＳよりなり、シリコン基板８における薄膜発熱素子９
から右側へ大きく離れた部分に形成されている。すなわ
ち、その部分のシリコン基板８の上面側内部にはＢイオ
ンがドープされたｐ型領域２１が形成されており、この
ｐ型領域２１の領域内にはＰイオンがドープされた２つ
のｎ型領域２２．２２が形成されている。この２つのｎ
型領域２２．２２はそれぞれソース、ドレインの電極を
なすものである。このようにｐ層領域２１内にｎ型領域
２２．２２が形成されたシリコン基板８の上面には、２
つのｎ型領域２２．２２を含む中央部分を除いて、薄膜
発熱素子９と同じ絶縁膜１５が形成されている。また、
２つのｎ型領域２２．２２の間に位置する箇所には、Ｓ
　ｉ０２よりなるゲート絶縁膜（図示せず）を介して薄
膜発熱素子９の発熱抵抗層１６と同じ多結晶シリコンよ
りなるゲート電極２３が形成されている。さらに、２つ
のｎ型領域２２．２２と対応する箇所には、ソース、ド
レインの配線パターン２４．２４が形成されている。こ
の場合、中間のゲート電極２３は薄膜発熱素子９と同様
Ｐイオンをドープすることにより低抵抗に形成されてお
り、その全表面は配線パターン２４．２４と短絡しない
ように、ダイオード１０と同じ絶縁保護膜（図示せず）
で覆われている。また、ソース、ドレインの各配線パタ
ーン２４．２４はＡ１．Ａｌ−３ｉ、Ｎｏ、Ｗ等の低抵
抗金属等からなり、それぞれ２つのｎ型領域２２．２２
に接続され、一方の配線パターン２４は薄膜発熱素子９
の隆起した発熱抵抗層１６の側端部に導通して接続され
ている。そして、この配線パターン２４．２４およびゲ
ート電極２３を覆って薄膜発熱素子９と同じ保護膜１８
が形成されている。

Ｃ−ＭＯＳ１２はシフトレジスタ回路、ラッチ回路、お
よびゲート回路を構成するＦＥＴ型のものであり、ｎ−
ＭＯＳ２５とｐ−ＭＯＳ２６とからなり、上述したトラ
ンジスタ素子１１の右側に接近してｎ−ＭＯＳ　２５．
　　ｐ−ＭＯＳ　２８（７）順に形成されている。この
場合、ｎ−ＭＯＳ２５は上述したトランジスタ素子１１
と全く同じ構成となっており、またｐ−ＭＯＳ２６はシ
リコン基板８の上面側内部に２つのｐ型頭域２８．２８
を形成した以外は上述したトランジスタ素子１１と全く
同じ構成となっている。

バンプ電極１３はＣ−ＭＯＳ１２に各種の信号を取り入
れる電極部分であり、シリコン基板８の右端に複数設け
られている。すなわち、シリコン基板８上にはＳ　ｉ０
２の絶縁膜１５を介して配線パターン２９が形成され、
この配線パターン２９の上面には所定箇所がエツチング
された保護膜１８が形成されており、このエツチングさ
れた部分に＾Ｕメツキよりなるバンプ電極１３が形成さ
れている。

このように構成されたサーマルヘッドチップ２は、第２
図（Ａ）に示すように、例えば、幅が８ｉ程度の四角形
の平板状をなし、その上辺側（第１図では左端側）に薄
膜発熱素子９・・・が配列形成され、中央には薄膜発熱
素子９・・・と対応してトランジスタ素子１１・・・お
よびＣ−ＭＯＳ１２・・・が配列形成され、下辺側（第
１図では右端側）には複数のバンプ電極１３・・・が形
成されている。なお、第２図（Ａ）〜（Ｄ）では、理解
を容易にするために薄膜発熱素子９およびバンプ電極１
３は、それぞれ６個および３個の場合で説明する。

しかしながら、特に、薄膜発熱素子９は実際には極めて
数の多いもので、例えば１８〜３２ドツ）／＋ｓｍＸ８
ｍｍの数を有する。そして、サーマルヘッドチップ２の
薄膜発熱素子９・・・には第２図（Ｂ）に示６すように
、金属箔３の各フィンガ部４・・・が対応して接合され
、バンプ電極１３・・・には配線板５の配線リード６・
・・が対応して接合される。金属箔３は銅等の熱伝導性
の高い材料よりなり、サーマルヘッドチップ２の薄膜発
熱素子９と等しいピッチのフィンガ部４・・・を連結部
３０で櫛歯状に一体に連結形成した構成となっており、
後述するように複数のサーマルヘッドチップ２・・・が
接合された後に連結部３０が切断されてフィンガ部４・
・・が個々に切り離される。また、配線板５はフィルム
等のベース基板３１の表面にラミネートされた銅箔をエ
ツチングして配線パターンを形成し、この配線パターン
の形成時に配線リード６・・・をベース基板３１の端部
から突山させた構成となっており、各配線リード６・・
・のベース基板３１からの突出部に半田メツキが施され
ている。

次に、第２図および第３図を参照して、上述したような
８１園幅のサーマルヘッドチップ２を５個接合して４０
ｓ＋ｍ幅のトサーマルへラド１を製造する場合について
説明する。

まず、第２図（Ａ）に示すように、複数のサーマルヘッ
ドチップ２・・・を用意する。すなわち、サーマルヘッ
ドチップ２・・・は前述したように、１枚のシリコン基
板８を多数のブロックに区分し、各ブロックごとに６個
の薄膜発熱素子９、ダイオード１０、トランジスタ素子
１１、Ｃ−ＭＯＳｉ２、および３つのバンプ部１３を一
括して形成した後、最後に各ブロックごとに切断して得
られる。このようにして得られたサーマルヘッドチップ
２・・・を５個用意し、そのうちの３個を同図に示すよ
うな１つおきの状態、つまりＳ　＝Ｗ＋　２　Ｃの関係
となるように配列する。この場合、Ｓは同一平面上にお
いて隣接する各サーマルヘッドチップ２．２の互いに対
向する端部に設けられたＦ！ｉＭ発熱素子９．９間の距
離であり、Ｗは１つのサーマルヘッドチップ２に配列形
成された薄膜発熱素子９・・・の長さであり、Ｃは隣接
する薄膜発８素子９．９の間隔である。

次に、第２図（Ｂ）に示すように、金属箔３および配線
板５を準備する。この金属箔３は上述したようにサーマ
ルヘッドチップ２の薄膜発熱素子９・・・と同じピッチ
で多数のフィンガ部４・・・を連結部３０で一体に連結
してなり、その全長が５つのサーマルヘッドチップ２・
・・を配列し得る長さ（２Ｓ＋３Ｗ）に形成されている
。また、配線板５は上述したようにベース基板３１の表
面に配線パターンを形成し、この配線パターンの一部を
ベース基板３１の端部から延設して配線リード６・・・
を形成してなり、配線リード６の配列方向における全長
は金属箔３とほぼ同じ長さに形成されている。この場合
、下側のサーマルヘッドチップ２と上側のサーマルヘッ
ド２とではバンプ電極１３の位置が異なるため、上下の
サーマルヘッドチップ２と対応する各配線リード６・・
・はその形成位置が異なっている。

そして、このように構成された金属箔３および配線板５
を用いて、各サーマルヘッドチップ２・・・を接合する
場合には、まず、第２図（Ａ）に示すように配列された
３つのサーマルヘッドチップ２・・・上に、これら総て
に亘って金属箔３および配線板５を第２図（Ｂ）に示す
ように配置する。すなわち、金属箔３を配置する場合に
は、各フィンガ部４・・・の先端側をサーマルヘッドチ
ップ２・・・の各薄膜発熱素子９・・・に対応させ、連
結部３０を各サーマルヘッドチップ２・・・の上辺から
外側に配置する。この状態で、各フィンガ部４・・・を
導電性の良い接着剤で３つのサーマルヘッドチップ２・
・・の各薄膜発熱素子９・・・に接合する。これにより
、３つのサーマルヘアトチツブ２・・・は１つおきの状
態で金属箔３の下面に接合される。また、配線板５を配
置する場合には、各配線リード６・・・を各サーマルヘ
ッドチップ２・・・の各バンプ電［１３・・・に対応さ
せ、ベース基板３１を各サーマルヘアトチツブ２・・・
から下辺の外側に配置する。この状態で金属箔３と同様
に、配線リード６・・・を各バンプ電極１３・・・に半
田付けにより接合する。

この後、第２図（Ｃ）に示すように、残りの２つのサー
マルヘッドチップ２．２の上下面を反転させ（薄膜発熱
素子９およびバンプ電極１３を下面に向け）て先に接合
されたサーマルヘッドチップ２・・・と互い違いとなる
ように金属箔３および配線板５の上に配置する。すなわ
ち、残りの２つのサーマルヘッドチップ２．２を配こし
て接合する場合には、先に接合されていない金属箔３の
フィンガ部４・・・に残りのサーマルヘッドチップ２．
２の各薄膜発熱素子９・・・を対応させ、この状態で一
ヒ述と同様に導電性の良い接着剤で接合するとともに、
先に接合されていない配線板５の配線リード６・・・に
残りのサーマルヘッドチップ２，２の各バンプ電極１３
・・・に対応させ、この状態で上述と同様に半田付けに
より接合する。

次に、このように金属箔３および配線板５に接合された
５つのサーマルヘッドチップ２・・・を第３図に示すよ
うな金型３２内に配置して樹脂７で封止して固定する。

すなわち、上金型３３と下金型３４とからなる金型３２
のキャビテ３５内に、接合されたサーマルヘッドチップ
２・・・を配置して上下の各金型３３．３４を型締めし
、この状態で下金型３４に形成されたゲート３６から樹
脂７を注入する。この注入された樹脂７は金属箔３の各
フィンガ部４・・・の問および配線板５の各配線り−ド
６・・・の間を通して、その下側のキャビテ３５内から
上側のキャビテ３５内に流れ込み、サーマルヘッドチッ
プ２・・・を封止する。この場合、樹脂７はサーマルヘ
ッドチップ２・・・およびこれと対応する金属箔３の各
フィンガ部４・・・、配線板５の配線リード６・・・の
みを覆い、サーマルヘッドチップ２・・・から外側の金
属箔３の連結部３０および配線板５のベース基板３１等
を覆わない、このようにサーマルヘッドチップ２・・・
を覆った樹脂７が固化した後は上下の金型３３．３４を
離型して金型３２内から取り出す。

しかる後、第２図（Ｄ）に示すように、金属箔３および
配線板５の不要な部分を切断すると、第１Ａに示すよう
なサーマルヘッド１が得られる。

すなわち、金属箔３の連結部３０を切断して各フィンガ
部４・・・を個々に切り離す、また、配線板５を同図に
２点鎖線で示す箇所で切断することにより、ベース基板
３１を少し残して配線リード６・・・を樹脂７の外側へ
突出させ、配線リード６・・・に接続できるようにする
。

したが−って、上述したようなサーマルへラド１の製造
方法によれば、１枚のシリコン基板８を多数のブロック
に区画し、各ブロックごとに所要の素子を形成したうえ
、各ブロックごとに切断することにより、薄膜発熱素子
９、ダイオード１０、トランジスタ素子１１、およびＣ
−ＭＯＳｉ２等の素子数が６個ずつ程度とドツト数の少
ないサーマルヘッドチップ２・・・を−度に多数形成し
て、所定個数のサーマルヘッドチップ２・・・を用意す
るようにしたので、ドツト数が非常に多いサーマルへラ
ドをそのまま一度に製作する場合に比へて歩留りが極め
て良い。また、各サーマルヘッドチップ２・・・に接合
される金属箔３のフィンガ部４・・・は、連結部３０に
より一体に連結されているので、バラバラにならず、サ
ーマルヘッドチップ２の薄膜発熱素子９・・・のピッチ
と等しい間隔を容易に確保することができる。しかも、
このような金属箔３を用いてサーマルヘッドチップ２・
・・を結合させる場合には、金属箔３の表裏に各サーマ
ルヘッドチップ２・・・を互い違いに配置し、各サーマ
ルヘッドチップ２・・・の各薄膜発熱素子９・・・を金
属箔３の各フィンガ部４・・・に対応させて接合するの
で、精度良くサーマルヘッドチップ２・・・を結合する
ことができる。しかる後、サーマルヘッドチップ２・・
・を樹脂７により封止して固定し、この状態で金属箔３
の不要な連結部３０を切断して各フィンガ部４・・・を
個々に切り離すことにより、複数のサーマルヘッドチッ
プ２・・・を結合してなるサーマルヘッド１を得ること
ができる。そのため、生産性が良く、しかも歩留りの非
常に良いサーマルヘッドｌを製作することができる。

このようにして得られたサーマルヘッドｌは。

配線板５の配線リード６・・・から各サーマルへ一２ト
チツブ２・・・の各バンプ電極５・・・に所定の信号（
両信号、クロック信号、ストローブ信号、イネーブル信
号）が与えられると、各サーマルヘッドチップ２・・・
の各駆動回路部が駆動されて、その各トランジスタ素子
１１・・・が薄膜発熱素子９・・・に選択的に電流を流
して発熱させ、この熱により感熱インクシートを介して
被記録紙、あるいは直接感熱紙に感熱記録を行なうこと
ができる。この場合、薄膜発熱素子９はダイオード１０
に接続されているので、このダイオード１０で？Ｉ！流
の逆流が確実に防止されるため、解像度の高い鮮明な感
熱記録を行なうことができる。

なお、この発明は上述した実施例に限定されることなく
、種々変形応用が可能である０例えば、金属箔３の表裏
側ではドツト数（チップの幅）の異なるサーマルヘッド
チップ２・・・を用意して、これらを結合することも可
能である。この場合にも、サーマルヘッドチップ２の各
薄膜発熱素子９・・・のピッチは同じであることは言う
までもない。

また１発熱素子は発熱抵抗層１６およびこれと対応する
保護膜１８とからなり、発熱抵抗層１６と対応する保護
膜１８の上面に金属箔３のフィンガ部４が接合されてい
るが、これに限らず、発熱抵抗層１６と対応する保護膜
１８にエツチングによりスルーホールを形成し、このス
ルーホール内に上述したバンブ電極１３と同様にメツキ
層を形成し、このメツキ層にフィンガ部４を接合するこ
とにより、このフィンガ部４を発熱抵抗層１６にメツキ
層を介して導通させてもよい、また、サーマルヘッドチ
ップ２は必ずしも薄膜発熱素子９およびバンプ電極１３
以外に、ダイオード１０、トランジスタ素子１１．　Ｃ
−ＭＯＳ　１２等を設ける必要はなく、これらの素子は
外部回路に設けてもよい、このような場合には、各薄膜
発熱素子９・・・に対応してバンブ電極１３・・・が形
成されるため、配線板５の配線リード６・・・も金属箔
３のフィンガ部４・・・と同様に等しい間隔の櫛歯状に
形成するとよい、さらに、バンブ電極１３は配線リード
６の接合後に樹脂７で封止されるが、樹脂７の外部に露
出させ、樹脂封止後に配線リード６を接合するようにし
てもよい、なおまた、複数のサーマルヘッドチップ２・
・・を結合した後の固定は、樹脂７により封正に限らず
、例えば取付部を有するフレーム部材等により機械的に
行なってもよい、この場合、複数のサーマルヘッドチッ
プ２・・・を結合した後、金属箔３の連結部３０を切断
してからこれらを固定するようにしてもよい、また、サ
ーマルヘッドチップ２の基板は単結晶のシリコン基板８
に限らず１石英、ガラス等の絶縁基板であってもよい、
この場合には、絶縁基板の表面に多結晶シリコン層を形
成し、この多結晶シリコン層に所定の不純物をドープし
て薄膜発熱素子および薄１模トランジスタ等の各素子を
形成すればよい。

［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、この発明に係るサーマルヘ
ッドの製造方法によれば、少なくとも複数の発熱素子を
有する複数のサーマルヘッドチップを結合してサーマル
ヘッドを得るようにしたので、多数のサーマルヘッドチ
ップを１枚の基板から一度に形成することができ、しか
も欠陥チップのみを取り除くことができるので１歩留り
および生産性が良い、また、金属箔はサーマルヘッドチ
ップの各発熱素子と等しいピッチのフィンガ部を連結部
で一体に連結した構成であるから、フィンガ部が１つ１
つバラバラにならないため、その取り扱いが容易であり
、しかも各フィンガ部を各発熱素子と等しいピッチ間隔
に確保することができる。このような金属箔を用いてサ
ーマルヘッドチップを複数個結合する場合には、金属箔
の表裏に前記サーマルヘッドチップを互い違いに配置し
、かつ各サーマルヘッドチップの各発熱素子をそれぞれ
フィンガ部に位置合わせして接合するので、隣接するサ
ーマルヘッドチップの各端部が相互に邪魔にならず、サ
ーマルヘッドチップの各発熱素子を金属箔の各フィンガ
部に簡単に精度良く位置合わせるすることができる。こ
のように接合された複数のサーマルヘッドチップを封Ｉ
Ｆ樹脂等の固定部材で固定し、金属箔の連結部を切断し
てフィンガ部を個々に９Ｊり離せば、複数のサーマルヘ
ッドチップが各発熱素子のピッチで精度良く結合された
サーマルヘッドを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図はこの発明の一実施例を示し、第１図は
この発明の方法により製造されたサーマルヘッドの要部
拡大断面図、ｔ５２図（Ａ）は下側のサーマルヘッドチ
ップの配列状態を示す拡大平面図、第２図（Ｂ）は配列
されたサーマルヘッドチップ上に金属箔および配線板を
配置して接合する状態を示す拡大平面図、第２図（Ｃ）
は接合された金属箔および配線板上に残りのサーマルヘ
ッドチップを互い違いに配こして接合した状態の拡大平
面図、第２図（Ｄ）は結合されたサーマルヘッドチップ
の樹脂封止後に金属箔および配線板の不要な部分を切断
する状態を示す拡大モ面図、第３図は結合されたサーマ
ルヘッドチップを樹脂で封止する状態を示す拡大断面図
である。 ｌ・・・・・・サ−マルヘツＦ、　　２・・・・・・サ
ーマルヘッドチップ、３・・・・・・金属箔、４・・・
・・・フィンガ部、７・・・・・・樹脂、９・・・・・
・薄膜発熱素子、３０・・・・・・連結部。 特 許 出 願 人 カシオ計算機株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 少なくとも複数の発熱素子を有するサーマルヘッドチッ
   プを複数個用意する工程と、 前記複数のサーマルヘッドチップの各発熱素子と等しい
   ピッチのフィンガ部および各フィンガ部を一体に連結す
   る連結部を有する金属箔を準備する工程と、 前記金属箔の表裏面に前記サーマルヘッドチップを互い
   違いに配置し、かつこのサーマルヘッドチップの各発熱
   素子を前記各フィンガ部に位置合わせして接合する工程
   と、 前記各フィンガ部に接合された表裏の各サーマルヘッド
   チップを固定部材により固定するとともに、前記金属箔
   の連結部を切断して前記各フィンガ部を個々に切り離す
   工程と、 を有するサーマルヘッドの製造方法。