JPH01258961A - 集積回路装置の製造方法及び集積回路装置用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は集積回路装置の製造方法及び集積回路装置用基
板に関する。

口、従来技術 感熱記録ヘッド（以下、単にヘッドと称す。）は感熱紙
又は被記録紙等の被記録体に対して直接又はインクリボ
ンを介して当接した状態で記録用の電気信号によって発
熱部がドツト状に選択加熱され、これによって被記録体
に画像等を記録できるよう構成されている。

これらのヘッドでは、一般に、絶縁基板上に発熱体層を
設け、この上に多数の対向電極を形成させて発熱部を構
成し、その上を絶縁被膜で覆って対向電極や発熱体層を
保護するようにし、その対向電極を構成する信号電極に
対して目的とする画像パターンに対応する信号を与える
ようにしてぃる。

例えば後述するシリアル方式のヘッドでは、第６図に示
すように、アルミナ（純度９７％以上）等の絶縁基板１
上に設けられたシリカからなる直線状の部分グレーズ２
には窒化タンタルの抵抗体層３が被着され、抵抗体層３
の上には間隙を以て相対向するアルミニウムの共通電極
５と個別電極４とからなる対向電極とが被着され、発熱
部７が形成される。発熱部７と電極４．５は図示しない
保護層によって被覆、保護されている。

このようなヘッドにあっては、図示しない被記録紙又は
感熱紙等の被記録体に対して直接又はインクリボンを介
して当接された状態で、記録用の電気信号によって発熱
部７がドツト状に選択加熱され、これによって図示しな
い被記録体に画像等を記録できるように構成されている
。

部分グレーズ２は、スクリーン印刷してこれを１０００
〜１１００℃で焼成することによって形成される。

発熱体層３はスパッタにより、個別電極４及び共通電極
５はスパッタ又は蒸着により、保護層はスパッタ又は化
学的気相成長法により基板１上に順次被着され、いずれ
もフォトエツチングによって夫々の所定のパターンにパ
ターニングされる。上記各層の形成は次の手順によって
遂行される。

「抵抗体層全面被着−電極の膜全面被着−フオドレジス
ト塗布及び露光−エツチングで電極をパターニング−フ
ォトレジスト塗布及び露光−エツチングで抵抗体層をパ
ターニング−保護層全面被着−・フォトレジスト塗布及
び露光−エツチングで保護層をパターニング」 基板１は、前述したように部分グレーズの焼成時に１０
００〜１１００℃に加熱され、更に、スパッタ時には２
００℃〜３００℃に、蒸着時には２００℃〜３００℃に
加熱される。保護膜を形成する時には、３００〜４００
℃に加熱される。

ところで、生産性の観点から、第２２図（Ａ）、（日）
に示すように、大きな基板１上に多数個のヘノトチ・ノ
ブを連続的に並べて一挙に製造し、これを切断して個々
のヘッドチップとすることが行われている。ところが、
製造中に前述したような加熱を繰り返すうちに基板１は
次第に反るようになり、この反りが成る値以上になると
、フォトエツチングの工程で、第２３図に示すように、
形成されるべき素子のパターニング前の層（例えば電極
４．５となるべき層）４Ａ上に塗布されたフォトレジス
ト１１が、高くなっている部分グレーズ２の位置で露光
マスク１２に接触するようになる。

同図中、３Ａは、抵抗体層３となるべきパターニング前
の層であって、次のフォトエツチングの工程で抵抗体層
３にパターニングされる。露光マスク１２は、例えばガ
ラス板にクロムの薄層を所定パターンに蒸着させてなる
ものであって、上記のような接触によってダメージを受
け、パターンが破壊されて正確なパターニングがなされ
なくなってしまう、フォトレジストの接着力を強くする
ことによって上記のダメージを軽減することができるが
、それでは後工程でフォトレジストを剥すのが容易でな
い。図中、１３は定板、１４は排気孔１４ａから排気し
て定板１３を固定させるための作業台である。

上記のような問題は、ヘッド以外の集積回路装置の製造
にあっても同様に存する。

ハ１発明の目的 本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、
大きな基板を使用しても、露光マスク等のマスクに不所
望なダメージを与えることがなく、正確なパターニング
が期待できる、集積回路装置の製造方法及び集積回路装
置用基板を提供することを目的としている。

二６発明の構成 本発明の第一の発明は、基板上の素子部が所定の素子に
加工された集積回路装置を製造するに際し、 （ａ）、前記基板にダミーの突部を形成する工程と、（
ｂ）、前記基板に素子部を形成する工程と、（ｃ）、マ
スクを使用する素子部パターニング工程と を有する、集積回路装置の製造方法に係る。

本発明の第二の発明は、基板上の素子部が所定の素子に
加工された集積回路装置を製造するに際し、 （ａ）、前記基板に素子部を形成する工程と、（ｂ）、
前記素子部に設ける素子に接続される外部接続用共通配
線を、前記基板上に前記素子部よりも大きな高さに形成
する工程と、 （ｃ）、マスクを使用する素子部パターニング工程と を有する、集積回路装置の製造方法に係る。

本発明の第三の発明は、基板上に、形成されるべき素子
部と共にダミーの突部が設けられている、前記第一の発
明に係る集積回路装置の製造方法に使用する集積回路装
置用基板に係る。

上記「素子部」とは、例えば後述の部分グレーズ上に所
定の層を形成した状態の素子となるべき部分を意味し、
後工程でマスクを用いた処理を施す状態にあるパターニ
ング以前のものを指す。

また、上記「ダミーの突部」とは、例えば、後述のフォ
トエツチング時に、変形した基板上にて露光マスクに優
先的に接触して素子部のマスクパターンを保護し、かつ
それ自体は素子機能のない若しくは後工程で切除される
突部を指す。

ホ、実施例 以下、本発明の詳細な説明する。

ヘッドは、ヘッドを記録紙の送り方向に直角の方向に移
動させながら記録するシリアル方式と、ヘッドを固定し
た状態で記録するライン方式との２方式に大別される。

先ず、シリアル方式について説明する。

シリアル方式にはヘッドが一列に配置される縦一列印字
方式と、ヘッドがマトリックス状に配置される桁逐次印
字方式の２方式があるが、発熱部の構造は両者に共通し
ているので、ここでは縦−列印字方式について説明する
。

ヘッドの構造は、先に第６図によって説明した通りであ
り、第７図に示すように個別電極の端子部４ａ及び共通
電極の端子部５ａが形成された領域を残して窒化珪素の
保護層６で覆われている。

発熱部７の周辺の断面構造は、第７図のＩＸ−ＩＸ線矢
視拡大断面図である第９図に示す通りである。

部分グレーズ２によって抵抗体層３が盛上った位置に発
熱部７が形成され、この位置に仮想線で示すプラテン６
７が圧接し、プラテン６７と発熱部７上の保護層６との
間に記録紙６８とインクリボン６９とが挾まれ、前述し
たように発熱部７がドツト状に選択的に加熱され、記録
（印字）が遂行される。

なお、アルミナ製の基板１は表面が平滑ではなく、若干
の凹凸があり、抵抗体層３が−様な厚さで被着され難い
場合がある。このような場合には、第１０図に示すよう
に、基板１上の全面に、部分グレーズと同様の組成の薄
いグレーズ層８を設けて表面を平滑にする。

第１図は大きな基板ｉ上に部分グレーズ２が整然と形成
された状態を示す平面図で、先に説明した手順に従って
各素子が形成され、図中−点鎖線で示す位置で切断され
、第６図、第７図及び第９図に示した個々のへラドチッ
プとなる。上記切断には、グイシングツ−又はスライサ
のブレード（樹脂又は金属中にダイアモンド粒子を分散
させてなるもの。）が使用され、その幅は０．０８〜０
．３０鶴である。

基板１の後に切除される周縁部には、シリカからなるダ
ミーの突部１０が所定間隔で設けられている。これらダ
ミーの突部は、部分グレーズ２の形成時にスクリーン印
刷及びその後の焼成によっレーダ２の高さよりも５〜３
０μｍ（図中、ｄで示す。）高（しである。第３図に示
すように、部分グレーズ２の形成と同時に形成されるダ
ミーの突部１０ａの高さが充分には高くない場合は、そ
の上に更に表面層１０ｂを厚膜印刷して所定高さダミー
の突部１０とすれば良い。表面層１０ｂの材料は、シリ
カのほか、銀、アルミニウム、銅等いずれでも良い。な
お、部分グレーズ２の高さは、印字条件等によって形成
されるが、通常は６０μｍ程度である。

第４図は、基板１上に形成された層（この例では電極４
．５となるべきＪｉ）４Ａを露光マスク１２を使用して
光して露光している状態を示す断面図（第１図のＩＶ−
ＩＶ線の位置）である。同図中、３Ａは、抵抗体層３と
なるべきパターニング前の層であって、次のフォトエツ
チングの工程で抵抗体層３にパターニングされる。層４
Ａ上にはフォトレジスト１１が被着し、その上方に露光
マスク１２が位置している。基板１は、排気孔１４ａか
らの排気によって作業台１４に固定された定板１３上に
載置される。同図から解るように、基板１が反って変形
していても、高いダミーの突部１０の位置で露光マスク
１２に接触することにより、他の部分は露光マスク１２
に接触することがない。ダミーの突部１０の位置が接触
する露光マスク１２の部分は、ダミーの突部１０は後に
切除されるダミーであるので、露光マスク１２のこの接
触部分がダメージを受けても、何等差支えはない。

従って、露光マスク１２が前述したような不所望なダメ
ージを受けてパターニングが正確になされなかったり、
或いは露光マスクの寿命が短くなったりすることがなく
、露光マスク１２は長期間の繰り返し使用に供されかつ
パターニングが正確になされ、大形の基板を使用して生
産性を向上するメリットが充分に発揮される。

フォトエツチングによる素子のパターニングの手順を、
個別電極４及び共通電極５のパターニングを例に挙げて
、第１図のＶ−Ｖ線矢視拡大部分断面図である第５図に
よって説明する。

第５図（Ａ）は、基板ｌ、部分グレーズ２及びダミーの
突部１０上に抵抗体層３Ａ並びに個別電極及び共通電極
となるアルミニウムのＪＷ４Ａ　（いずれも素子部）が
順次全面に被着している状態を示す。

次に、第５図（日）に示すように、アルミニラに蒸着し
てなる露光マスク１２を位置せしめ、光して露光する。

このとき、基板１が反っていても、ダミーの突部１０の
位置でフォトレジスト１１が露光マスク１２に接触し、
その他の位置では接触は起らない。この例では、フォト
レジスト１１には、シブレー社のポジ型フォトレジスト
ＭＰＳ−１４００、２７を用いている。

次に、フォトレジスト１１を現像して第５図（ｃ）に示
すように、フォトレジスト１１を露光マスクのパターン
に対応するパターンにパターニングする。

次に、第５図ＣＤ）に示すように、パターニングされた
フォトレジスト１１をマスクにしてアルミニウムの層を
エツチングして所定パターンの個別電極４及び共通電極
５（いずれも素子）とし、次いでフォトレジスト１１を
剥して同図（Ｅ）に示すように、個別電極４及び共通電
極５の素子部がパターニングされる。

抵抗体層３及び保護層６（いずれも素子）のパターニン
グも、パターニングすべき層（素子部）の材料に適応し
たエツチング液を使用するほかは、上記と同様の手順で
遂行される。

保護層６は、第７図で説明したように電極の端子部４ａ
、５ａが露呈するように端縁部の領域がエツチング除去
される。第８図に一部破砕平面図（記録装置内ではヘッ
ドは略垂直にセントされる。）で示すように、基板１は
アルミニウムからなる放熱板２１上に固定され、ニッケ
ルめっき（図示せず）を施した電極端子部４ａ、５ａに
はフレキシブルプリント　サーキット（ＦＰＣ）１９の
り一ド２４．２５が接続する。ＦＰＣ１９は、厚さ２０
μｍのポリイミド樹脂フィルム１６が厚さ４０μｍのｗ
４箔のり−ド２４．２５を担持してなっていて、リード
２４．２５の末端縁部には厚さ１０μｍの半田（図示せ
ず）がめっきされている。

ＦＰＣ１９は、半田めっき層が電極端子部４ａ、５ａ上
のニッケルめっき層上に載置され、熱圧着によってリー
ド２４．２５がニッケルめっき層に固着し、電極４．５
とリード２４．２５とは電気的に接続する。電極端子部
４ａ、５ａとリード２４．２５との固着部上は、エポキ
シ樹脂又はシリコン樹脂２０で被覆、保護する。電極４
．５はＦＰＣ１９を介して他の回路装置に接続し、個別
電極４は他の回路装置のトランジスタやＩＣ部から送ら
れる信号を発熱部に送るようにしである。共通電極５は
接地回路に接続する。

第２図又は第３図に示したダミーの突部１０は、部分グ
レーズ２と同時に形成するほか、第１１図（第１図のＸ
Ｉ−ＸＩ線の位置）に示すように、基板の製造時に基板
１に突部１ａを一体に設け、この基板上に部分グレーズ
２を形成するようにしても良い。

また、ダミーの突部を基板の側縁部に設けるほか、第１
２図に示すように、基板１の略中央位置にダミーの突部
１０日を設け、基板１が反っているとき、ダミーの突部
１０Ｂの位置でフォトレジスト１１が露光マスク１２に
接触するようにし、ダミーの突部１０日の領域を後に切
除するようにしても良い。この場合は、ダミーの突部１
０Ｂは部分グレーズ２よりも高くする必要は必ずしもな
い。

次に、ライン方式のヘッドの製造について説明する。

ヘッドの構造は、第１６図及び第１６図のＸ■−Ｘ■線
矢視断面図である第１７図に示すように、アルミナ製基
板３１上には全面グレーズ層３８が被着し、その上に部
分グレーズ３２が形成され、更に部分グレーズ３２及び
全面グレーズ層３８上には抵抗体層３３が被着し、その
上に部分グレーズ３２上に発熱部３７が形成されるよう
に個別電極３４及び共通電極３５が形成され、最表層と
しての保護層３６が設けられている。抵抗体Ｎ３３及び
個別電極３４を除去した領域があって、この右側では、
個別電極３４と同時にパターニングされた信号電極４２
が形成されている。保護層３６は個別電極３４の後端部
上の１００μｍ×３０μｍの領域及び信号電極４２上の
帯状領域で除去されてと信号電極４２との間はワイヤ４
４で夫々ワイヤボンディングされて接続する。信号電極
４２の端子部４２ａにはニッケルめっき（図示せず）が
施熱溶着されて接続する。また、共通電極３５の端子部
３５ａとこれに接続するＦＰＣ３９のリード（図示省略
す。）も同様にして接続される。図中、３６ＡはＦＰＣ
３９のベースフィルム、３６日は同じくカバーフィルム
である。ＦＰＣ３９はスペーサとしてのガラスエポキシ
板５０上に貼付けられ、基板３１とガラスエポキシ板５
０とはアルミ４５で封止され、保護されている。

このヘッドを構成する各層（素子）の材料及びパターニ
ングの方法は、前述したシリアル方式のヘッドに於ける
と同様である。

第１３図は、基板３１が４枚採れるようにした大きな基
板を示す平面図で、４個の部分グレーズ３２と周縁部に
シリカからなるダミーの突部４０とを設けた状態を示す
、各素子の形成後は、図中−点鎖線で示す位置で切断さ
れ、４個のヘッドが製造される。

ダミーの突部４０は両側縁部３１ａ上に位置し、両側縁
部３１ａは後の工程で切除される。基板３１の使用に供
される部分の幅Ｌ１は６．Ｏｃｍ、長さＬ２は２３．０
印である。

前述したような素子部各層の製膜時の加熱を繰り返すこ
とにより、基板３１は反ってくるのであるが、その模様
を第１３図のＸｒＶＡ−ＸＩＶＡ線矢視側面図である第
１４（Ａ）図及び第１３図のＸＩＶＢ−ＸＩｔ／日線矢
視線矢視側面図第１４（Ｂ）図に示す。

この例では、基板３１の幅方向での反りｘｌは数十〜数
百μｍ、長さ方向での反りＸ２は数十〜数百μｍである
。

第１４図（Ａ）、（Ｅ３）共に、部分グレーズ３２はそ
の近くのダミーの突部４０よりも低くしてあり、フォト
エツチング時に露光マスクに接触するのはダミーの突部
４０の位置だけであって、前述のライン方式のヘッド製
造に於けると同様に、露光マスクが不所望なダメージを
受けることがない。

第１５図は一点鎖線の位置で切断して２個のヘッドとす
る基板４１を示す第１３図と同様の平面図である。基板
４１には切断位置を挾むようにして部分グレーズ３２が
形成されている。ダミーの突部は第１３図に示したよう
な点状に設けたダミーの突部４０に替えて、周縁部に帯
状にシリカからなるダミーの突部５０を設けている。帯
状のダミーの突部５０を部分グレーズ３２よりも充分に
高くしてお（ことにより、フォトエツチング時に露光マ
スクに接触するのはダミーの突部５０の位置だけであり
、露光マスクに不所望なダメージを与えることはない。

第１５図に於いて、幅方向側縁部では帯状のダミーの突
部５０ｂに替えて切断線上の位置に仮想線で示す部分的
なダミーの突部６０を設け、長さ方向側縁部の帯状のダ
ミーの突部５０ａと上記部分的なダミーの突部６０との
２種類のダミーの突部を設けるようにしても良い。なお
、幅方向側縁部のダミーの突部５０ｂ又は６０が設けら
れた領域は、記録紙が当接する領域を外れて外側にある
ので、この領域は切除せずに残しておいてもダミーの突
部５０ｂ又は６０が記録の障害となることはない。

以上の実施例では、基板のヘッドから切除される領域又
は基板の側縁部の狭い領域にダミーの突部を設けている
が、基板上で素子が形成されない領域（記録に影響がな
い領域）の任意の位置にダミーの突部を設けるようにし
ても良い、また、部分グレーズのスクリーン印刷時にダ
ミーの突部を設けるほか、部分グレーズのスクリーン印
刷とは別の工程でダミーの突部を設けても良く、その材
料にはシリカのほか適宜の材料を使用して良い。

以上の実施例は、いずれもダミーの突部を設けた例であ
るが、突部は必ずしもダミーでなくても良い。第１８図
〜第２１図は、突部を共通電極の一部として使用する例
を示すものである。なお、第１３図〜第１７図と共通す
る部分には同じ符号を付して表わしである。

完成したヘッドは、第２１図に拡大部分断面図で示すよ
うに、基板４１上に全面グレーズ３日が被着し、その上
に部分グレーズに替えて銀ペーストで形成した高さ約６
０μｍの導電性厚膜６０ａが直線状に形成され、導電性
厚膜は基板４１の輻方向側縁部上で折曲して延在してい
る（第１６図に於ける共通電極３１の側縁部上で端子部
３５ａに至る部分に相当する。）。導電性厚膜６０ａの
上記折曲延在部６０（詳細は第１８図、第１９図によっ
て後に詳述する。）以外の部分及び全面グレーズ層３８
上には、先に本出願人が特願昭６２−１８５１９５号で
提示したように、モリブデン、タンタル、タングステン
のような高融点金属の層６１が２μｍの厚さで被着し、
その上に導電性厚膜６０ａの一方の端部を残して厚さ２
〜３μｍのシリカ又は窒化珪素からなる層間絶縁Ｊｉ６
２が被着し、高融点金属層６１及び層間絶縁層６２上に
は厚さ７００人の窒化タンタルの抵抗体層３３が被着し
、その上に個別電極３４と共通電極３５とが対向して発
熱部３７が形成され、全面が保護層３６で覆われている
。抵抗体層３３、個別電極３４及び共通電極３５のパタ
ーンは、第１６図のそれらと同様である。但し、共通電
極３５は発熱部３７と平行な領域だけに設けである。

ヘッドを第２１図の構造とすることにより、共通電極３
５は抵抗体層３３及び高融点金属１ｉ６１を介して導電
性厚膜６０ａに電気的に接続し、導電性厚膜６０ａは共
通電極の一部になり、Ｓ電性厚膜６０ａが厚いことによ
って断面積を大きくでき、大電流が供給されてもエレク
トロマイグレーションを起す虞がな（、例えば、記録を
高速化することが可能となり、或いは印字ドツト密度を
上げて解像度の高い記録結果が得られるという利点をも
たらす。

高融点金属層、６１は、発熱部３７の昇温（印字時には
６００℃迄昇温する。）によって導電性厚膜がダメージ
を受けるのを防止する役割を果す。なお、全面グレーズ
層３日を設けない場合は、高融点金属Ｊｌｉ６１は導電
性厚膜６０ａ上にのみ形成するのが良い。その理由は、
アルミナ等のセラミックスの基板４１は表面が平滑では
ないので、その上に高融点金属ＩＪ６１を直接被着させ
るとその厚さが均一にはならず、その上の眉間絶縁層６
２も、その影響を受けて厚さが不均一になり、ピンホー
ルが生じ易（、高融点金属層６１と抵抗体層３３との間
で絶縁破壊を起し、短絡の原因となるからである。

第１８図は、−点鎖線の位置で切断して２個のヘッドを
製造する基板の平面図で、導電性厚膜６０ａ及び６０を
形成する手順を示す。

先ず、第１８図（Ａ）に示すように、第１５図で部分グ
レーズを形成する位置と幅方向側縁部とに導電性厚膜６
０ａを連続して設ける。導電性厚膜６０ａは、銀ペース
トをスクリーン印刷し、５００〜８００℃で焼成して設
ける。次に、第１８図（Ｂ）及び同図のＸＩＸ−ＸＩＸ
線矢視拡大断面図である第１９図に示すように、幅方向
側縁部の導電性厚膜６０ａ上に重ねて同じ材料からなる
導電性厚膜６０ｂをスクリーン印刷と焼成とによって設
け、６０ａ、６０ｂの２層からなる導電性厚膜６０とす
る。導電性厚膜６０と６０ａとの高さの差は、前述した
実施例に於けると同様、５〜３０μｍとする。なお、第
２１図は第１８図（Ｂ）に示すＸＸＩ−ＸＸＩ線の位置
での完成したヘッドの拡大断面図である。

第２０図は基板４１上の素子部の層（この例では電極３
４．３５となるべき層）３４Ａを光しての露光によって
パターニングする状態を示す断面図である。同図中、３
３Ａは、抵抗体層３３となるべきパターニング前の暦で
あって、次のフォトエツチングの工程で抵抗体層３３に
パターニングされる。

素子部３４Ａ上には導電性厚膜６０上をも含めて全面に
フォトレジスト１１が塗布されていて、その上方に露光
マスク１２が位１する。両側縁部の導電性厚膜６０は導
電性厚膜よりも充分高くしであるので、基板４１が反っ
ていたとしても露光マスク１２に接触するのは導電性厚
膜６０の位置だけである。導電性厚膜６０上にはフォト
エツチングでパターニングされる素子部は形成されない
ので、この位置で上記接触によって露光マスク１２がダ
メージを受けても、−向に差支えはない。

導電性厚膜６０．６０ａ、６０ｂは、恨ペーストのほか
、銀−白金、銀−パラジウム等の合金ペーストを材料と
することができる。また、基板４１を切断して２分割す
るほか、第１３図の例のように４分割又はそれ以上の複
数個に分割するようにしても良い。また、共通電極又は
信号電極と抵抗体層との接続部或いは抵抗体層又は共通
電極と導電性厚膜との接続部での抵抗を小さくするよう
、両者の間に両者に馴染み易い又は合金し易い材料から
なる中間層を介在させてオーミックコンタクトとするこ
ともできる。この場合、上記中間層は上記電極及び抵抗
体層とは異なる材料からなっている。

そのほか、例えば、直線的に微小間隙を以て並んだ多数
のアモルファスシリコン層に対して共通電極と個別電極
とが接続するラインセンサ（像を光学的に読み取って電
気信号に変える装置）の製造にも本発明が適用可能であ
る。ラインセンサは前記実施例のライン方式のヘッドと
類似の構造を有しており、発熱部に対応する位置に光照
射によって比抵抗が下がる性質を有するアモルファスシ
リコンの層を設けたものである。更に、それ以外にも、
多数の回路素子に共通電極と多数の信号電極とが対向し
て配置されるＳ積回路装置、例えば発光ダイオード・ア
レイ、レーザ・ダイオード・アレイの入力回路等の製造
に本発明を適用することができる。

へ０発明の詳細 な説明したように、本発明は、ダミーの突部を基板に形
成する、或いは素子部よりも大きな高さの外部接続用共
通配線を基板に形成するようにしているので、素子部の
素子へのパターニングに際して基板が素子部形成時の加
熱等によって変形していても、パターニング用マスクに
接触するのは上記パターニングを必要としないダミーの
突部又は外部接続用共通配線の位置だけである。従って
、上記接触によってマスクがダメージを受けて正確なパ
ターニングがなされないようになることがない、その結
果、大形の基板上に素子を各素子毎に一挙に形成してこ
れを個々の集積回路装置に分割し、生産性を向上するこ
とができ、而も歩留が高く、マスクの寿命も長くなる。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第１２図は本発明のシリアル方式の感熱記録ヘ
ッドについての実施例を示すものであって、 第１図は部分グレーズ及びダミーの突部を形成した大形
基板の平面図、 第２図は第１図のｎ−ｎ線矢視拡大部分断面図、第３図
は他の例による第２図と同様の拡大部分断面図、 第４図は大形基板上の素子部パターニングのための露光
時の状態を示す断面図、 第５図（Ａ）、（日）、（ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）は個
別電極及び共通電極のパターニングの手順を示す拡大部
分断面図、 第６図は感熱記録ヘッドの保護層形成前の平面図、 第７図は感熱記録ヘッドの平面図、 第８図はフレキシブル　プリント　サーキットを接続し
たヘッドの一部破砕平面図、 面図）、 第１０図は他の例による悠然記録へンどの発熱部周辺の
拡大断面図、 第１１図は更に他の例による大形基板の拡大部分断面図
（第１図のＸＩ　−ＸＩ線の位置での拡大部分断面図）
、 第１２図は更に他の例による大形基板上の素子部パター
ニングのための露光時の状態を示す断面図 である。 第１３図〜第２１図は本発明のライン方式の感熱記録ヘ
ッドについての実施例を示すものであって、 第１３図は部分グレーズ及びダミーの突部を形成した大
形基板の平面図、 第１４図（Ａ）は第１３図ノＸＩＶ　Ａ　−ＸＩＶ　Ａ
線矢視側面図、第１４図ＣＥ３）は第１３図（７）ＸＩ
Ｖ　Ｂ−ＸＩＶ９線矢視側面図、 第１５図は他の例による部分グレーズ及びダミーの突部
を形成した大形基板の平面図、第１６図はフレキシブル
　プリント　サーキットを接続した感熱記録ヘッドの平
面図、第１７図は第１６図のＸ■−ＸＶＩ線矢視断面図
、第１８図は更に他の例による大形基板を示し、同図（
Ａ）は基板上に第−層の導電性厚膜を形成した状態を示
す平面図、同図（Ｅｌ）は第−層の導電性厚膜上に第二
層の導電性厚膜を形成した状態を示す平面図、 第１９図は第１８図（日）のＸＩＸ−ＸＩＸ線矢視拡大
断面図、 第２０図は第１８図（日）の大形基板上の素子部パター
ニングのための露光時の状態を示す断面図、 第２１図は第１８図（日）の基板を使用した感熱記録ヘ
ッドの発熱部周辺の拡大断面図（第１８図（日）のＸＸ
Ｉ−ＸＸＩ線の位置での拡大断面図）である。 第２２図及び第２３図は従来例を示すものであって、 第２２図（Ａ）及び（日）は夫々シリアル方式の感熱記
録ヘッド用大形基板に部分グレーズを形成した状態の平
面図、 第２３図は大形基板上の素子部パターニングのための露
光時の状態を示す断面図 である。 なお、図面に示された符号に於いて、 １．３１．４１−−−−−・−・−一一一一基板１ａ、
１０，１０８，４０．５０．６０−・−・・−・−・・
−ダミーの突部 ２．３２−−−−・・−・部分グレーズ３．３３〜−−
−一−−−−−抵抗体層３Ａ、３３　Ａ−−−−−一抵
抗体層形成用の素子部４．３４−・−・−・−個別電極 ４Ａ、３４Ａ−・−・・−個別電極及び共通電極形成用
の素子部 ４ａ、５ａ、３５ａ、４２ａ −−−−−・−・−電極端子部 ５．３５−・・・・−一一一一共通電極６．３６−・・
・−・−・−保護層 ７．３７−−−−−・−−一一−−−一発熱部８．３８
−−−−・−全面グレーズ層 １１・−−−−一−−−・−フォトレジスト１２−・−
−−−−−−−−−一露光マスク１３−・−−一−・一
定板 １４・・・−・・・−・・・作業台 １４ａ−・−・−・−・排気孔 １３．３９−−−−−−−−−フレキシブル　プリント
サーキット ４２−・−−−−−−−−一信号電極 ６０ａ・−・−一−−−−−−−導電性厚膜６０−−−
−−−−−一　導電性厚膜からなる共通電極の烏。 折曲延γ部／／２？追突Ｗｚ である。 代理人　　弁理士　　逢　坂　　　末 弟１図 第２図 第３図 第４図 第６図　　　　第７図 フ 第５ （Ａ） 旧） （ｃ） と夏 第１１図 第１２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上の素子部が所定の素子に加工された集積回路
   装置を製造するに際し、 （ａ）、前記基板にダミーの突部を形成する工程と、 （ｂ）、前記基板に素子部を形成する工程と、 （ｃ）、マスクを使用する素子部パターニング工程と を有する、集積回路装置の製造方法。 ２、基板上の素子部が所定の素子に加工された集積回路
   装置を製造するに際し、 （ａ）、前記基板に素子部を形成する工程と、 （ｂ）、前記素子部に設ける素子に接続される外部接続
   用共通配線を、前記基板上に前記素子部よりも大きな高
   さに形成する工程と、 （ｃ）、マスクを使用する素子部パターニング工程を有
   する、集積回路装置の製造方法。３、基板上に、形成さ
   れるべき素子部と共にダミーの突部が設けられている集
   積回路装置用基板。