JPH02140639A - 後方散乱光測定装置 - Google Patents
後方散乱光測定装置Info
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- JPH02140639A JPH02140639A JP29413588A JP29413588A JPH02140639A JP H02140639 A JPH02140639 A JP H02140639A JP 29413588 A JP29413588 A JP 29413588A JP 29413588 A JP29413588 A JP 29413588A JP H02140639 A JPH02140639 A JP H02140639A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/30—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides
- G01M11/31—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides with a light emitter and a light receiver being disposed at the same side of a fibre or waveguide end-face, e.g. reflectometers
- G01M11/3172—Reflectometers detecting the back-scattered light in the frequency-domain, e.g. OFDR, FMCW, heterodyne detection
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光導波路の不連続点の探索に利用する。
特に、光導波路内で生じる後方散乱光を測定する装置に
関する。
関する。
本発明は、被測定光導波路内で生じた後方散乱光を測定
する装置において、後方散乱光または参照光を周波数ｆ
で位相変調し、この後方散乱光と参照光を合波したのち
周波数ｆ成分およびその二次高調波２ｆ成分をそれぞれ
測定することにより、後方散乱光と参照光との位相差の
変動による影響を除去し、高い信号対雑音比で後方散乱
光を測定できるようにするものである。
する装置において、後方散乱光または参照光を周波数ｆ
で位相変調し、この後方散乱光と参照光を合波したのち
周波数ｆ成分およびその二次高調波２ｆ成分をそれぞれ
測定することにより、後方散乱光と参照光との位相差の
変動による影響を除去し、高い信号対雑音比で後方散乱
光を測定できるようにするものである。
第４図は従来例後方散乱光測定装置のブロック構成図で
ある。
ある。
光源１の出射光は、レンズ２を介してビームスプリッタ
３に入射する。ビームスプリッタ３は、この入射光を二
つに分割し、その一方をレンズ４を介して被測定光導波
路５に入射する。また、分割された他方の光は参照光と
して用いられ、全反射鏡６により反射され、再びビーム
スプリッタ３に入射する。被測定光導波路５内で発生し
た後方散乱光は、レンズ４を介してビームスプリッタ３
に入射し、ここで参照光に合波される。この合波光は光
検出器８に入射する。光検出器８の出力は、選択レベル
計９およびアナログ・ディジタル変換器１０を経由して
、信号処理部１１に供給される。
３に入射する。ビームスプリッタ３は、この入射光を二
つに分割し、その一方をレンズ４を介して被測定光導波
路５に入射する。また、分割された他方の光は参照光と
して用いられ、全反射鏡６により反射され、再びビーム
スプリッタ３に入射する。被測定光導波路５内で発生し
た後方散乱光は、レンズ４を介してビームスプリッタ３
に入射し、ここで参照光に合波される。この合波光は光
検出器８に入射する。光検出器８の出力は、選択レベル
計９およびアナログ・ディジタル変換器１０を経由して
、信号処理部１１に供給される。
この装置において、全反射鏡６を移動台７により移動さ
せると、後方散乱光に対する参照先の遅延時間が変化す
る。これを利用して、被測定光導波路５内の各点を全反
射鏡６の位置に対応させ、後方散乱光の強度分布を求め
ることができる。
せると、後方散乱光に対する参照先の遅延時間が変化す
る。これを利用して、被測定光導波路５内の各点を全反
射鏡６の位置に対応させ、後方散乱光の強度分布を求め
ることができる。
全反射鏡６の移動による遅延時間の変化量をτ、この変
化量τに対応する被測定光導波路５内の位置を２とする
と、光検出器８の出力は、１＝（（１＋Ｔ’（ｚ） ｃ
ｏｓ（２ｙｒνｔ） −−（１）となる。ここで、
Ｃは定数、ｒ’ （ｚ）は被測定光導波路５内の点２で
生じる後方散乱光の電場振幅に比例する無次元の値（ｒ
（Ｚ）２が相対光強度を表す）、νは全反射鏡６の移動
にともなって生じるビート周波数である。
化量τに対応する被測定光導波路５内の位置を２とする
と、光検出器８の出力は、１＝（（１＋Ｔ’（ｚ） ｃ
ｏｓ（２ｙｒνｔ） −−（１）となる。ここで、
Ｃは定数、ｒ’ （ｚ）は被測定光導波路５内の点２で
生じる後方散乱光の電場振幅に比例する無次元の値（ｒ
（Ｚ）２が相対光強度を表す）、νは全反射鏡６の移動
にともなって生じるビート周波数である。
そこで、選択レベル計９の中心周波数をνに設定するこ
とにより、交流成分Ｃｒ（ｚ） ｃｏｓ（２πνｔ）の
振幅Ｃｒ’（ｚ）が測定される。この測定をτを変化さ
せながら繰り返すことにより、被測定光導波路５の後方
散乱光の強度分布が得られる。
とにより、交流成分Ｃｒ（ｚ） ｃｏｓ（２πνｔ）の
振幅Ｃｒ’（ｚ）が測定される。この測定をτを変化さ
せながら繰り返すことにより、被測定光導波路５の後方
散乱光の強度分布が得られる。
第５図に従来例装置による測定結果の一例を示す。この
例は、選択レベル計の帯域幅を３０Ｈｚに設定したとき
の測定結果である。
例は、選択レベル計の帯域幅を３０Ｈｚに設定したとき
の測定結果である。
しかし、全反射鏡の移動速度を厳密に一定に保つことは
困難である。この移動速度に変動があると、それにとも
なってビート周波数νが変動する。
困難である。この移動速度に変動があると、それにとも
なってビート周波数νが変動する。
この変動は、従来装置では１０Ｈｚ程度となる。これに
対して、Ｉ’ （ｚ）は非常に微弱であるため、交流成
分ｃ ｒ’（ｚ）ｘ ｃｏｓ（２πνｔ）を高い信号対
雑音比で測定するためには、選択レベル計の帯域幅をで
きるだけ狭くする必要がある。しかし、前述した理由か
ら、帯域幅を１０Ｈｚ以下に設定することはできず、信
号対雑音比を改善することが困難である欠点があった。
対して、Ｉ’ （ｚ）は非常に微弱であるため、交流成
分ｃ ｒ’（ｚ）ｘ ｃｏｓ（２πνｔ）を高い信号対
雑音比で測定するためには、選択レベル計の帯域幅をで
きるだけ狭くする必要がある。しかし、前述した理由か
ら、帯域幅を１０Ｈｚ以下に設定することはできず、信
号対雑音比を改善することが困難である欠点があった。
本発明は、以上の問題点を解決し、測定帯域幅が狭く、
先導波路内で生じる後方散乱光を高い信号対雑音比で測
定することのできる後方散乱光測定装置を提供すること
を目的とする。
先導波路内で生じる後方散乱光を高い信号対雑音比で測
定することのできる後方散乱光測定装置を提供すること
を目的とする。
本発明の後方散乱光測定装置は、後方散乱光または参照
光を周波数ｆで位相変調する手段と、後方散乱光と参照
光との合波光に含まれる周波数ｆ成分およびその二次高
調波２ｆ成分をそれぞれ測定する手段と、この手段の出
力に一定の定数を乗算してその二乗和を求める演算手段
とを備えたことを特徴とする。
光を周波数ｆで位相変調する手段と、後方散乱光と参照
光との合波光に含まれる周波数ｆ成分およびその二次高
調波２ｆ成分をそれぞれ測定する手段と、この手段の出
力に一定の定数を乗算してその二乗和を求める演算手段
とを備えたことを特徴とする。
本発明の後方散乱光測定装置はさらに、後方散乱光と参
照光との光路長差の変動を測定する手段と、この光路長
差が一定となるように少なくともひとつの光路長を制御
する帰還手段とを含むことが望ましい。
照光との光路長差の変動を測定する手段と、この光路長
差が一定となるように少なくともひとつの光路長を制御
する帰還手段とを含むことが望ましい。
光路長差の変動を測定する手段は、測定用の光源からの
出射光の中心周波数と発光周波数の異なる参照光源と、
この参照光源の出射光を測定用の光源からの出射光に合
波する手段と、後方散乱光と参照光との合波光から参照
光源による成分を分離する手段と、分離された成分の強
度により光路長差を求める手段とを含むことができる。
出射光の中心周波数と発光周波数の異なる参照光源と、
この参照光源の出射光を測定用の光源からの出射光に合
波する手段と、後方散乱光と参照光との合波光から参照
光源による成分を分離する手段と、分離された成分の強
度により光路長差を求める手段とを含むことができる。
参照光または後方散乱光の一方に周波数ｆの位相変調を
加えて、参照光と後方散乱光との干渉強度を周波数ｆお
よびその高調波２ｆ、３ｆ・・・で変化する交流成分を
生じさせる。この成分中の変調周波数ｆ成分および二次
高調波２ｆ成分を狭帯域で検出すると、これらの検出信
号には、後方散乱光と参照光との位相差による変動が９
０°異なって現れる。そこで、これらの信号に一定の定
数を乗算して二乗和を求めることにより、ビート周波数
νの位相変動の項を除去できる。したがって、光路長の
変動に影響されることなく、高い信号対雑音比で後方散
乱光の強度を求めることができる。
加えて、参照光と後方散乱光との干渉強度を周波数ｆお
よびその高調波２ｆ、３ｆ・・・で変化する交流成分を
生じさせる。この成分中の変調周波数ｆ成分および二次
高調波２ｆ成分を狭帯域で検出すると、これらの検出信
号には、後方散乱光と参照光との位相差による変動が９
０°異なって現れる。そこで、これらの信号に一定の定
数を乗算して二乗和を求めることにより、ビート周波数
νの位相変動の項を除去できる。したがって、光路長の
変動に影響されることなく、高い信号対雑音比で後方散
乱光の強度を求めることができる。
第１図は本発明第一実施例後方散乱光測定装置のブロッ
ク構成図である。
ク構成図である。
この装置は、光源１を備え、この光Ｒ１の出射光を被測
定光導波路５に入射する入射手段としてレンズ２．４を
備え、出射光から参照光を分岐する光分岐手段およびこ
の参照光を被測定光導波路５の入射端に現れる後方散乱
光に合波する光合波手段としてビームスプリッタ３およ
び全反射鏡６を備え、この光合波手段の出力光を検出し
て被測定光導波路５からの後方散乱光強度を求める信号
処理手段として光検出器８、ロックインアンプ１４．１
５、アナログ・ディジタル変換器１６．１７および信号
処理部１１を備える。
定光導波路５に入射する入射手段としてレンズ２．４を
備え、出射光から参照光を分岐する光分岐手段およびこ
の参照光を被測定光導波路５の入射端に現れる後方散乱
光に合波する光合波手段としてビームスプリッタ３およ
び全反射鏡６を備え、この光合波手段の出力光を検出し
て被測定光導波路５からの後方散乱光強度を求める信号
処理手段として光検出器８、ロックインアンプ１４．１
５、アナログ・ディジタル変換器１６．１７および信号
処理部１１を備える。
ここで本実施例の特徴とするところは、参照光を周波数
ｆで位相変調する手段として電歪振動子１２および交流
発振器１３を備え、ビームスプリッタ３の出力光に含ま
れる周波数ｆ成分およびその二次高調波２ｆ成分をそれ
ぞれ測定する手段としてロックインアンプ１４．１５を
備え、信号処理部１１が、ロックインアンプ１４．１５
の出力に一定の定数を乗算してその二乗和を求める演算
手段を含むことにある。
ｆで位相変調する手段として電歪振動子１２および交流
発振器１３を備え、ビームスプリッタ３の出力光に含ま
れる周波数ｆ成分およびその二次高調波２ｆ成分をそれ
ぞれ測定する手段としてロックインアンプ１４．１５を
備え、信号処理部１１が、ロックインアンプ１４．１５
の出力に一定の定数を乗算してその二乗和を求める演算
手段を含むことにある。
光源１の出力光はレンズ２によりコリメートされて平行
ビームとなり、ビームスプリッタ３により二つに分割さ
れる。分割された光の一方は、レンズ４を介して被測定
光導波路５に入射する。分割された光の他方は、全反射
鏡６で全反射し、再びビームスプリッタ３に入射し、被
測定光導波路５で生じた後方散乱光と合波される。この
合波光は光検出器８に入射する。
ビームとなり、ビームスプリッタ３により二つに分割さ
れる。分割された光の一方は、レンズ４を介して被測定
光導波路５に入射する。分割された光の他方は、全反射
鏡６で全反射し、再びビームスプリッタ３に入射し、被
測定光導波路５で生じた後方散乱光と合波される。この
合波光は光検出器８に入射する。
全反射鏡６は電歪振動子１２に固定されている。
電歪振動子１２は、交流発振器１３からの正弦波により
駆動され、全反射鏡６を入射ビームの方向に微小振動さ
せる。これにより、全反射鏡６の反射光、すなわち参照
光が位相変調される。
駆動され、全反射鏡６を入射ビームの方向に微小振動さ
せる。これにより、全反射鏡６の反射光、すなわち参照
光が位相変調される。
このとき、後方散乱光と参照光との干渉強度、すなわち
光検出器８の出力は、 １＝ｃ （ｌ ＋ｒ”（ｚ） ｃｏｓ （φｃｏｓ２π
ｆｔ＋ψ（Ｚ）：］）となる。ここで、Ｃ１φは定数、
ｒ （ｚ）は被測定光導波路５内の点２で生じる後方散
乱光の電場振幅に比例する無次元の値である。また、ψ
（Ｚ）は、参照光と後方散乱光との位相差であり、被測
定光導波路５内の点Ｚと参照光との光路長差を１（ｚ）
とすると、 で与えられる。（２）式を展開すると、ｃｏｓ （φＣ
Ｏ５２πｆｔ＋ψ（Ｚ））＝ｃｏｓ（φｃｏｓ２ｙｒｆ
ｔ） ｃｏｓψ（Ｚ）ｓｉｎ（φｃｏｓ２πｆｔ） ｓ
ｉｎψ（Ｚ）となる。そこで、ロックインアンプ１４．
１５によりそれぞれ周波数ｆ成分と、周波数２ｆ成分と
を検出する。これにより、 ■ｒ （ｚ）＝−２ｒ（１＋（φ）ｓｉｎψ（２）Ｌｒ
（ｚ）＝ ２ Ｆ（２）Ｊ２（φ）ｃｏｓψ（２）が
得られる。これらの検出出力は、アナログ・ディジタル
変換器１６．１７を介して信号処理部１１に供給される
。信号処理部は、これらの値から、を演算により求める
。これにより４ｒ（Ｚ）’が得られ、位相差ψ（Ｚ）に
依存せずに後方散乱光の強度を求めることができる。
光検出器８の出力は、 １＝ｃ （ｌ ＋ｒ”（ｚ） ｃｏｓ （φｃｏｓ２π
ｆｔ＋ψ（Ｚ）：］）となる。ここで、Ｃ１φは定数、
ｒ （ｚ）は被測定光導波路５内の点２で生じる後方散
乱光の電場振幅に比例する無次元の値である。また、ψ
（Ｚ）は、参照光と後方散乱光との位相差であり、被測
定光導波路５内の点Ｚと参照光との光路長差を１（ｚ）
とすると、 で与えられる。（２）式を展開すると、ｃｏｓ （φＣ
Ｏ５２πｆｔ＋ψ（Ｚ））＝ｃｏｓ（φｃｏｓ２ｙｒｆ
ｔ） ｃｏｓψ（Ｚ）ｓｉｎ（φｃｏｓ２πｆｔ） ｓ
ｉｎψ（Ｚ）となる。そこで、ロックインアンプ１４．
１５によりそれぞれ周波数ｆ成分と、周波数２ｆ成分と
を検出する。これにより、 ■ｒ （ｚ）＝−２ｒ（１＋（φ）ｓｉｎψ（２）Ｌｒ
（ｚ）＝ ２ Ｆ（２）Ｊ２（φ）ｃｏｓψ（２）が
得られる。これらの検出出力は、アナログ・ディジタル
変換器１６．１７を介して信号処理部１１に供給される
。信号処理部は、これらの値から、を演算により求める
。これにより４ｒ（Ｚ）’が得られ、位相差ψ（Ｚ）に
依存せずに後方散乱光の強度を求めることができる。
この装置では、被測定光導波路５内の測定点２を変える
ために全反射鏡６を移動させる必要があるが、各点を測
定するときには全反射鏡６を停止させる。このため、変
調周波数ｆの安定度程度、すなわち高々ＩＨｚ程度にロ
ックインアンプ１４．１５の測定帯域幅を狭めることが
できる。
ために全反射鏡６を移動させる必要があるが、各点を測
定するときには全反射鏡６を停止させる。このため、変
調周波数ｆの安定度程度、すなわち高々ＩＨｚ程度にロ
ックインアンプ１４．１５の測定帯域幅を狭めることが
できる。
ここで、実際の測定時には、ビームスプリッタ３、レン
ズ４、被測定光導波路５および全反射鏡６により構成さ
れるマイケルソン干渉計の二つのアームの光路長差が、
温度変動や振動その他の外乱によりランダムに変動する
ことが問題となる。
ズ４、被測定光導波路５および全反射鏡６により構成さ
れるマイケルソン干渉計の二つのアームの光路長差が、
温度変動や振動その他の外乱によりランダムに変動する
ことが問題となる。
この変動の周期がＩＨｚ程度あるため、ロックインアン
プの帯域幅をＩＨｚ以下にすることは困難である。そこ
で本実施例では、光源１の出射光の中心周波数と発光周
波数の異なる参照光源としてＨｅ Ｎｅレーザ１８を用
い、このＨｅ−Ｎｅ レーザ１８からの干渉性の高い光
をダイクロイックミラー１９を介してマイケルソン干渉
計内に導入し、光源１の出射光と同一の経路を伝搬させ
る。そして、マイケルソン干渉計の出射光から、ダイク
ロイックミラー２０によりＨｅ−Ｎｅレーザ１８に起因
する光を分離抽出して光検出器２１に入射する。この光
検出器２１の出力について、ロックインアンプ２２によ
り干渉強度成分を検出する。このとき、ロックインアン
プ２２の出力はＪ、（φ）ｓｉｎψ（２）に比例する。
プの帯域幅をＩＨｚ以下にすることは困難である。そこ
で本実施例では、光源１の出射光の中心周波数と発光周
波数の異なる参照光源としてＨｅ Ｎｅレーザ１８を用
い、このＨｅ−Ｎｅ レーザ１８からの干渉性の高い光
をダイクロイックミラー１９を介してマイケルソン干渉
計内に導入し、光源１の出射光と同一の経路を伝搬させ
る。そして、マイケルソン干渉計の出射光から、ダイク
ロイックミラー２０によりＨｅ−Ｎｅレーザ１８に起因
する光を分離抽出して光検出器２１に入射する。この光
検出器２１の出力について、ロックインアンプ２２によ
り干渉強度成分を検出する。このとき、ロックインアン
プ２２の出力はＪ、（φ）ｓｉｎψ（２）に比例する。
ただし、ψ（２）はｔ（ｅ−Ｎｅレーザ１８の出射光の
位相差である。そこで、帰還回路２３により、ロックイ
ンアンプ２２の検出信号Ｊ、（φ）ｓｉｎψ（Ｚ）が常
に一定となるように全反射鏡６の位置を補正する。すな
わち、マイケルソン干渉計の光路長差を一定に保持する
。これにより、ロックインアンプ１４．１５の測定帯域
幅を０．１Ｈｚ以下に設定することができる。
位相差である。そこで、帰還回路２３により、ロックイ
ンアンプ２２の検出信号Ｊ、（φ）ｓｉｎψ（Ｚ）が常
に一定となるように全反射鏡６の位置を補正する。すな
わち、マイケルソン干渉計の光路長差を一定に保持する
。これにより、ロックインアンプ１４．１５の測定帯域
幅を０．１Ｈｚ以下に設定することができる。
第２図は前述の実施例装置による測定結果の一例を示す
。
。
この測定結果は、第５図に示した従来例による測定と同
じ被測定光導波路について得られたものである。被測定
光導波路の長さはｌＱｃｍ、 ｌ軸の零点は導波路入射
端を示し、ｌＱｃｍの点が被測定光導波路の出射端に相
当する。入射端と出射端との間の信号が被測定光導波路
内の各点で生じた後方散乱光の強度を示す。この測定で
は、ロックインアンプ１４．１５の帯域幅は０．１ｔ（
ｚに設定した。
じ被測定光導波路について得られたものである。被測定
光導波路の長さはｌＱｃｍ、 ｌ軸の零点は導波路入射
端を示し、ｌＱｃｍの点が被測定光導波路の出射端に相
当する。入射端と出射端との間の信号が被測定光導波路
内の各点で生じた後方散乱光の強度を示す。この測定で
は、ロックインアンプ１４．１５の帯域幅は０．１ｔ（
ｚに設定した。
このように、本実施例は、従来例に比較して信号対雑音
比を２桁以上向上させることができた。
比を２桁以上向上させることができた。
第３図は本発明第二実施例後方散乱光測定装置の構成を
示す。
示す。
この実施例は、第一実施例のバルク形マイケルソン干渉
計をファイバ形マイケルソン干渉計に置き換えたもので
ある。すなわち、ダイクロイックミラー１９およびビー
ムスプリッタ３が、それぞれファイバ形光結合器２４．
２５に置き換えられる。
計をファイバ形マイケルソン干渉計に置き換えたもので
ある。すなわち、ダイクロイックミラー１９およびビー
ムスプリッタ３が、それぞれファイバ形光結合器２４．
２５に置き換えられる。
また、参照先に位相変調を加えるため、ファイバ形光結
合器２５の一方の出射端にファイバ形位相変調器２６を
設け、交流発振器１３からの交流信号により、光路長を
正弦関数で変化させている。
合器２５の一方の出射端にファイバ形位相変調器２６を
設け、交流発振器１３からの交流信号により、光路長を
正弦関数で変化させている。
さらに、ファイバ形マイケルソン干渉計における外乱に
よる位相変化を抑えるため、ファイバ形光結合器２５の
他方の出射端にもファイバ形位相変調器２７が設けられ
ている。このファイバ形位相変調器は、帰還回路２３に
より制御される。すなわち、ファイバの伸縮によりその
光路長を安定化し、強度変化が少なく雑音の少ない干渉
計が得られる。
よる位相変化を抑えるため、ファイバ形光結合器２５の
他方の出射端にもファイバ形位相変調器２７が設けられ
ている。このファイバ形位相変調器は、帰還回路２３に
より制御される。すなわち、ファイバの伸縮によりその
光路長を安定化し、強度変化が少なく雑音の少ない干渉
計が得られる。
ファイバ形位相変調器２６．２７は光ファイバを円筒形
の電歪振動子に巻きつけた構造をもち、この電歪振動子
に印加する電圧を調整することにより光路長を変化させ
、内部を伝搬する光を位相変調することができる。
の電歪振動子に巻きつけた構造をもち、この電歪振動子
に印加する電圧を調整することにより光路長を変化させ
、内部を伝搬する光を位相変調することができる。
以上説明したように、本発明の後方散乱光測定装置は、
先導波路内で生じた後方散乱光を高い信号対雑音波で測
定できる。したがって、先導波路の損失や障害点を高精
度に測定できる効果がある。
先導波路内で生じた後方散乱光を高い信号対雑音波で測
定できる。したがって、先導波路の損失や障害点を高精
度に測定できる効果がある。
第１図は本発明第一実施例後方散乱光測定装置のブロッ
ク構成図。 第２図は測定結果の一例を示す図。 第３図は本発明第二実施例後方散乱光測定装置のブロッ
ク構成図。 第４図は従来例後方散乱光測定装置のブロック構成図。 第５図は従来例装置による測定結果の一例を示す図。 １・・・光源、２．４・・・レンズ、３・・・ビームス
プリフタ、５・・・被測定光導波路、６・・・全反射鏡
、７・・・移動台、８．２１・・・光検出器、９・・・
選択レベル計、１０、１６．１７・・・アナログ・ディ
ジタル変換器、１１・・・信号処理部、１２・・・電歪
振動子、１３・・・交流発振器、１４．１５．２２・・
・ロックインアンプ、１８・・・Ｈｅ−Ｎｅ レーザ、
１９．２０・・・グイクロイックミラー、２３・・・帰
還回路、２４．２５・・・ファイバ形光結合器、２６．
２７・・・ファイバ形位相変調器。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 井 出 直 孝 位渥（（ｍ） 測定例 菖 ２ 園 従、来例 昂 ４ ロ ｆ１ ｇ （ｃｍ） 潰１１ 定 ＋ｐり 菖 ５ ロ
ク構成図。 第２図は測定結果の一例を示す図。 第３図は本発明第二実施例後方散乱光測定装置のブロッ
ク構成図。 第４図は従来例後方散乱光測定装置のブロック構成図。 第５図は従来例装置による測定結果の一例を示す図。 １・・・光源、２．４・・・レンズ、３・・・ビームス
プリフタ、５・・・被測定光導波路、６・・・全反射鏡
、７・・・移動台、８．２１・・・光検出器、９・・・
選択レベル計、１０、１６．１７・・・アナログ・ディ
ジタル変換器、１１・・・信号処理部、１２・・・電歪
振動子、１３・・・交流発振器、１４．１５．２２・・
・ロックインアンプ、１８・・・Ｈｅ−Ｎｅ レーザ、
１９．２０・・・グイクロイックミラー、２３・・・帰
還回路、２４．２５・・・ファイバ形光結合器、２６．
２７・・・ファイバ形位相変調器。 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 井 出 直 孝 位渥（（ｍ） 測定例 菖 ２ 園 従、来例 昂 ４ ロ ｆ１ ｇ （ｃｍ） 潰１１ 定 ＋ｐり 菖 ５ ロ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光源と、 この光源の出射光を被測定光導波路に入射する入射手段
と、 前記出射光から参照光を分岐する光分岐手段と、この参
照光を前記被測定光導波路の入射端に現れる後方散乱光
に合波する光合波手段と、 この光合波手段の出力光を検出して前記被測定光導波路
からの後方散乱光強度を求める信号処理手段と を備えた後方散乱光測定装置において、 前記後方散乱光または前記参照光を周波数ｆで位相変調
する手段を備え、 前記信号処理手段は、前記合波手段の出力光に含まれる
周波数ｆ成分およびその二次高調波２ｆ成分をそれぞれ
測定する手段と、この手段の出力に一定の定数を乗算し
てその二乗和を求める演算手段とを含む ことを特徴とする後方散乱光測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29413588A JPH0690112B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 後方散乱光測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29413588A JPH0690112B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 後方散乱光測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140639A true JPH02140639A (ja) | 1990-05-30 |
| JPH0690112B2 JPH0690112B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17803758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29413588A Expired - Lifetime JPH0690112B2 (ja) | 1988-11-21 | 1988-11-21 | 後方散乱光測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690112B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009016887A1 (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Hamamatsu Photonics K. K. | 流路中を流れるサンプルの光学的特性計測装置 |
| JP2016109624A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 日本電信電話株式会社 | 光反射計測装置及び光反射計測方法 |
| US11197614B2 (en) | 2016-12-26 | 2021-12-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Biological material measuring apparatus and method of measuring biological material |
-
1988
- 1988-11-21 JP JP29413588A patent/JPH0690112B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009016887A1 (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Hamamatsu Photonics K. K. | 流路中を流れるサンプルの光学的特性計測装置 |
| JP2009036573A (ja) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Hamamatsu Photonics Kk | フローセル中を流れるサンプルの光学的特性計測装置 |
| US8305584B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-11-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Measurement instrument of optical characteristics for sample flowing in passage |
| EP3130913A1 (en) * | 2007-07-31 | 2017-02-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Measurement instrument of optical characteristics for sample flowing in passage |
| JP2016109624A (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-20 | 日本電信電話株式会社 | 光反射計測装置及び光反射計測方法 |
| US11197614B2 (en) | 2016-12-26 | 2021-12-14 | Mitsubishi Electric Corporation | Biological material measuring apparatus and method of measuring biological material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0690112B2 (ja) | 1994-11-14 |
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Legal Events
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