JPH02137382A - 磁気抵抗素子の製造法 - Google Patents
磁気抵抗素子の製造法Info
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- JPH02137382A JPH02137382A JP63290028A JP29002888A JPH02137382A JP H02137382 A JPH02137382 A JP H02137382A JP 63290028 A JP63290028 A JP 63290028A JP 29002888 A JP29002888 A JP 29002888A JP H02137382 A JPH02137382 A JP H02137382A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高移動度化合物半導体の磁気抵抗効果を利用し
た磁気抵抗素子の製造法に関する。
た磁気抵抗素子の製造法に関する。
これまでＩ ｎＳｂのような高移動度化合物半導体の薄
膜を絶縁基板上に形成し、さらに短絡電極、リード電極
としての導体層を上記半導体の薄膜上にパターン形成し
て磁気抵抗素子が製造されてきた。
膜を絶縁基板上に形成し、さらに短絡電極、リード電極
としての導体層を上記半導体の薄膜上にパターン形成し
て磁気抵抗素子が製造されてきた。
電極としての導体層をパターン形成する方法としては、
主として、半導体の薄膜にフォトレジスト処理により所
望のパターンの感光性樹脂層を形成後、無電解メッキお
よび電解メッキでＣｕ、 Ａｕなとの導体層を形成する
（特開昭５５−１１３４１号、同６０−５７９８５号、
同６０−２０８８８２号）方法が採用されている。その
他、半導体の薄膜にフォトレジスト処理により所望のパ
ターンの感光性樹脂層を形成後、導体層を気相法で形成
する方法（特公昭５２−１８１１５号）、半導体の薄膜
に導体層を気相法で形成した後、フォトレジスト処理に
より所望のパターンの感光性樹脂層を形成し、導体をエ
ツチングする方法（特開昭６０−３７１８３号）などが
挙げられる。
主として、半導体の薄膜にフォトレジスト処理により所
望のパターンの感光性樹脂層を形成後、無電解メッキお
よび電解メッキでＣｕ、 Ａｕなとの導体層を形成する
（特開昭５５−１１３４１号、同６０−５７９８５号、
同６０−２０８８８２号）方法が採用されている。その
他、半導体の薄膜にフォトレジスト処理により所望のパ
ターンの感光性樹脂層を形成後、導体層を気相法で形成
する方法（特公昭５２−１８１１５号）、半導体の薄膜
に導体層を気相法で形成した後、フォトレジスト処理に
より所望のパターンの感光性樹脂層を形成し、導体をエ
ツチングする方法（特開昭６０−３７１８３号）などが
挙げられる。
しかしながら、高感度の磁気抵抗素子を製造するために
、電極としての導体層が微細にパターン形成される必要
があり、上記の各種方法は以下に示すような問題点があ
る。
、電極としての導体層が微細にパターン形成される必要
があり、上記の各種方法は以下に示すような問題点があ
る。
電解メッキで導体層を形成する方法では、メッキ液が一
般に強アルカリあるいは強酸を含んでおり、半導体の薄
膜に直接接触することによって薄膜表面が劣化し、特に
、無電解メッキのようにメッキに長時間を要する場合、
メッキ液が感光性樹脂層と半導体の薄膜の間にしみこみ
、微細なパターン形成が困難になる。また、半導体の薄
膜の表面では、無電解メッキ初期の核形成が起こりにく
く、従ってメッキされない部分が残るなどという問題点
があった。
般に強アルカリあるいは強酸を含んでおり、半導体の薄
膜に直接接触することによって薄膜表面が劣化し、特に
、無電解メッキのようにメッキに長時間を要する場合、
メッキ液が感光性樹脂層と半導体の薄膜の間にしみこみ
、微細なパターン形成が困難になる。また、半導体の薄
膜の表面では、無電解メッキ初期の核形成が起こりにく
く、従ってメッキされない部分が残るなどという問題点
があった。
気相法によって導体層を形成する方法では、電極として
の導体層が機械的に充分な強度を有する厚さまで成膜を
行うためには相当長い時間を要することが指摘されてい
る。
の導体層が機械的に充分な強度を有する厚さまで成膜を
行うためには相当長い時間を要することが指摘されてい
る。
本発明者等は、上記の問題が解決された、高移動度化合
物半導体を利用した磁気抵抗素子の製造法について鋭意
研究した結果、本発明に至った。
物半導体を利用した磁気抵抗素子の製造法について鋭意
研究した結果、本発明に至った。
本発明は、
（１）絶縁基板上の高移動変化合物半導体薄膜上にフォ
トレジスト処理により所望のパターンの感光性樹脂層を
形成する工程と、 （２）気相法により０．０５〜１μｍの導体層を形成す
る工程と、 （３）上記（１）の工程で形成した感光性樹脂層を除去
する工程と、 （４）フォトレジスト処理により、上記（１）と同一の
パターンの感光性樹脂層を形成する工程と、（５）上記
（２）の導体層上に電解メッキ法で０．５〜１０μｍの
メッキの導体層を形成する工程と、を有することを特徴
とする磁気抵抗素子の製造法に関する。
トレジスト処理により所望のパターンの感光性樹脂層を
形成する工程と、 （２）気相法により０．０５〜１μｍの導体層を形成す
る工程と、 （３）上記（１）の工程で形成した感光性樹脂層を除去
する工程と、 （４）フォトレジスト処理により、上記（１）と同一の
パターンの感光性樹脂層を形成する工程と、（５）上記
（２）の導体層上に電解メッキ法で０．５〜１０μｍの
メッキの導体層を形成する工程と、を有することを特徴
とする磁気抵抗素子の製造法に関する。
本発明の磁気抵抗素子の製造法においては、絶縁基板上
の半導体薄膜上にフォトレジスト処理により感光性樹脂
層を形成した後、気相法によって短時間で薄く電極用導
体を成膜し、次に有機溶剤で感光性樹脂層を除き、再度
、始めと同一パターンで感光性樹脂層を形成し、さらに
気相法で形成された導体層上に、短時間の電解メッキで
導体を充分付着させて厚い電極用導体層を形成する。
の半導体薄膜上にフォトレジスト処理により感光性樹脂
層を形成した後、気相法によって短時間で薄く電極用導
体を成膜し、次に有機溶剤で感光性樹脂層を除き、再度
、始めと同一パターンで感光性樹脂層を形成し、さらに
気相法で形成された導体層上に、短時間の電解メッキで
導体を充分付着させて厚い電極用導体層を形成する。
本発明では、合成樹脂、ガラス、セラミックスなどが絶
縁基板として使用され、絶縁基板上の高移動度化合物半
導体として、１ｎＳｂおよびＩｎＡｓなどが挙げられる
。
縁基板として使用され、絶縁基板上の高移動度化合物半
導体として、１ｎＳｂおよびＩｎＡｓなどが挙げられる
。
フォトレジストを塗布し、所望のパターンを焼きつけ、
感光性樹脂層を形成するフォトレジスト処理、およびこ
の樹脂層を除去する方法としては特に限定されず、通常
良く知られた方法が採用できる。
感光性樹脂層を形成するフォトレジスト処理、およびこ
の樹脂層を除去する方法としては特に限定されず、通常
良く知られた方法が採用できる。
電極用導体としては、Ｃｕ−、Ａ１１％ Ａｇｚ Ａ１
％ Ｎｉｓ Ｉｎなどが挙げられ、導体の形成に利用で
きる気相法の例としては、真空蒸着、スパッタリング、
ＣＶＤ法などが挙げられる。
％ Ｎｉｓ Ｉｎなどが挙げられ、導体の形成に利用で
きる気相法の例としては、真空蒸着、スパッタリング、
ＣＶＤ法などが挙げられる。
上記の気相法で形成された導体上には、通常良く知られ
た電解メッキ法で厚い電極用導体層を形成することがで
きる。
た電解メッキ法で厚い電極用導体層を形成することがで
きる。
本発明においては、短時間の蒸着によって形成された０
、０５〜１μｍの導体が半導体薄膜とメッキ液との接触
を防ぎ、且つ、導体が後の電解メッキ電極としての役割
を果たし、電解メッキされる場所がより選択的になり、
微細パターンの精度が高くなる。さらに、０．５〜１０
μｍの導体層を形成する電解メッキの時間は短いので、
メッキ液が感光性樹脂層と半導体薄膜の間にしみこむの
を避けることができる。
、０５〜１μｍの導体が半導体薄膜とメッキ液との接触
を防ぎ、且つ、導体が後の電解メッキ電極としての役割
を果たし、電解メッキされる場所がより選択的になり、
微細パターンの精度が高くなる。さらに、０．５〜１０
μｍの導体層を形成する電解メッキの時間は短いので、
メッキ液が感光性樹脂層と半導体薄膜の間にしみこむの
を避けることができる。
〔実施例〕
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図は、本発明の磁気抵抗素子の製造法の各工程の流
れを製造途中の素子の要部断面図で示している。
れを製造途中の素子の要部断面図で示している。
ガラス基板１上の膜厚約１μｍ、室温での移動度２７０
００ｃｌ（／Ｖｓ、のＩｎ５ｂｌＪＩＪ２にフォトレジ
スト処理で電極パターンを形成するための感光性樹脂層
３を形成した。続いて抵抗加熱真空蒸着法により、３分
間で厚さ約２０００人のＣｕ４を蒸着した。感光性樹脂
層３を有機溶剤で除去後、Ｃｕ４が覆われていないＩｎ
Ｓｂ薄膜５上に再度フォトレジスト処理で惑光性樹脂層
６を形成した。次に７Ａ／ｃｎｉの電流密度で６分間Ｃ
ｕの電解メッキを行い、感光性樹脂層６を有機溶−剤で
除去後、厚さ約２μｍの電解メッキＣｕ膜からなるリー
ド電極部７及び短絡電極部８を形成した。リード電極部
７にはさらにＣｕ、 Ａｕ等を電解メッキで付着し、最
後に短絡電極部８をふくめた素子表面全体を保護するた
めに、ポリイミド９で被覆した。
００ｃｌ（／Ｖｓ、のＩｎ５ｂｌＪＩＪ２にフォトレジ
スト処理で電極パターンを形成するための感光性樹脂層
３を形成した。続いて抵抗加熱真空蒸着法により、３分
間で厚さ約２０００人のＣｕ４を蒸着した。感光性樹脂
層３を有機溶剤で除去後、Ｃｕ４が覆われていないＩｎ
Ｓｂ薄膜５上に再度フォトレジスト処理で惑光性樹脂層
６を形成した。次に７Ａ／ｃｎｉの電流密度で６分間Ｃ
ｕの電解メッキを行い、感光性樹脂層６を有機溶−剤で
除去後、厚さ約２μｍの電解メッキＣｕ膜からなるリー
ド電極部７及び短絡電極部８を形成した。リード電極部
７にはさらにＣｕ、 Ａｕ等を電解メッキで付着し、最
後に短絡電極部８をふくめた素子表面全体を保護するた
めに、ポリイミド９で被覆した。
本実施例において、電解メッキ時のＣｕのしみこみ、お
よびＣｕの欠落部分がほとんどなく、短絡電極８の幅は
１５〜１６μｍの範囲で一定であった。また、製造され
た磁気抵抗素子の電気特性を調べた結果、抵抗値の差異
が１．０％の素子は製造された素子全体の７８％で、高
い歩留まりが達成できた。
よびＣｕの欠落部分がほとんどなく、短絡電極８の幅は
１５〜１６μｍの範囲で一定であった。また、製造され
た磁気抵抗素子の電気特性を調べた結果、抵抗値の差異
が１．０％の素子は製造された素子全体の７８％で、高
い歩留まりが達成できた。
本実施例と同様にフォトレジスト処理で電極パターンを
形成する感光性樹脂層を形成した後、蒸着法によるＣｕ
の成膜の代わりに、３０分間、Ｃｕの無電解メッキ、引
き続いてＣｕの電解メッキを行って磁気抵抗素子を製造
した。
形成する感光性樹脂層を形成した後、蒸着法によるＣｕ
の成膜の代わりに、３０分間、Ｃｕの無電解メッキ、引
き続いてＣｕの電解メッキを行って磁気抵抗素子を製造
した。
無電解メッキによるＣｕの欠落部分が短絡電極において
多く認められ、また、Ｃｕのしみこみにより短絡電極幅
はパターン幅１５μｍに対して２〜５μｍ増加していた
。
多く認められ、また、Ｃｕのしみこみにより短絡電極幅
はパターン幅１５μｍに対して２〜５μｍ増加していた
。
磁気抵抗素子の電気特性を調べた結果、抵抗値の差異が
１．０％の素子は製造された素子全体の３６％で、低い
歩留まりであった。
１．０％の素子は製造された素子全体の３６％で、低い
歩留まりであった。
第１図は、本発明の磁気抵抗素子の製造法の各工程の流
れを製造途中の素子の要部断面図で示している。 １・・・絶縁基板、２・・・ＩｎＳｂ膜、３・感光性樹
脂層、４・・・Ｃｕ蒸着膜、６・・・感光性樹脂層、７
・・・リード電極部、８・・・短絡電極部、９・・・ポ
リイミド保護膜。 特許出願人 宇部興産株式会社 第１図 □−ｍ □ヨエエ、つ門ル澤北蒜１ ニニー □□□□□□ヨヨＬ−↓ 除去 「−ｍ＝ ９−枦Ｅミぞ謳
れを製造途中の素子の要部断面図で示している。 １・・・絶縁基板、２・・・ＩｎＳｂ膜、３・感光性樹
脂層、４・・・Ｃｕ蒸着膜、６・・・感光性樹脂層、７
・・・リード電極部、８・・・短絡電極部、９・・・ポ
リイミド保護膜。 特許出願人 宇部興産株式会社 第１図 □−ｍ □ヨエエ、つ門ル澤北蒜１ ニニー □□□□□□ヨヨＬ−↓ 除去 「−ｍ＝ ９−枦Ｅミぞ謳
Claims (4)
- （１）絶縁基板上の高移動変化合物半導体薄膜上にフォ
トレジスト処理により所望のパターンの感光性樹脂層を
形成する工程と、 - （２）気相法により０．０５〜１μｍの導体層を形成す
る工程と、 - （３）上記（１）の工程で形成した感光性樹脂層を除去
する工程と、 - （４）フォトレジスト処理により、上記（１）と同一の
パターンの感光性樹脂層を形成する工程、および（５）
上記（２）の導体層上に電解メッキ法で０．５〜１０μ
ｍのメッキの導体層を形成する工程と、 を有することを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290028A JPH02137382A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 磁気抵抗素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290028A JPH02137382A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 磁気抵抗素子の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137382A true JPH02137382A (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17750851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63290028A Pending JPH02137382A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 磁気抵抗素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137382A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237086A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| JPH06104615A (ja) * | 1992-05-07 | 1994-04-15 | Hughes Aircraft Co | モールドされた導波管部品 |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP63290028A patent/JPH02137382A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02237086A (ja) * | 1989-03-09 | 1990-09-19 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| JPH06104615A (ja) * | 1992-05-07 | 1994-04-15 | Hughes Aircraft Co | モールドされた導波管部品 |
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