JPH02135697A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
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- JPH02135697A JPH02135697A JP63290934A JP29093488A JPH02135697A JP H02135697 A JPH02135697 A JP H02135697A JP 63290934 A JP63290934 A JP 63290934A JP 29093488 A JP29093488 A JP 29093488A JP H02135697 A JPH02135697 A JP H02135697A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、透明基板上の電極間に挾まれた発光層に電圧
を印加して発光し、電子機器の表示装置等に用いられる
薄膜ＥＬ＄子の製造方法に関する。
を印加して発光し、電子機器の表示装置等に用いられる
薄膜ＥＬ＄子の製造方法に関する。
〈従来の技術〉
従来、この種の薄膜ＥＬ素子として、例えば第４図に示
すような３Ｎ！構造のものが知られている。
すような３Ｎ！構造のものが知られている。
この薄膜ＥＬ素子は、ガラス等の透明基板２１上にＩ
Ｔ Ｏ（Ｉ ｎｄｉｕ＋ｓ −Ｔ ｉｎ −Ｏｘｉｄｅ
）からなる帯状の透明電極２２を間隔をおいて平行にパ
ターン形成し、この上に酸化物（ＡＩ２＊ＯＳ、 Ｓ
ｉｏ ｌ Ｔ ｉＯｔ）あるいは窒化物（ＳＬＮ４）か
らなる第１誘電膜２４を形成した後、この上にＺｎＳ、
Ｚｎ５ｅなどの母材にＭｎなどの添加材を微量添加した
発光層２５を形成している。さらに、この発光層２５の
上に上記酸化物あるいは窒化物からなる第２誘電膜２６
を形成し、この上に上記透明電極２２と直交する方向に
ＡＱなどからなる帯状の背面電極２８を間隔をおいて平
行にパターン形成している。こうして製造された薄膜Ｅ
Ｌ素子は、透明電極２２および背面電極２８に選択的に
電圧を印加することにより、画電極の交点部分の発光層
２５をドツト状に任意の組み合せで発光させて、所望の
ドツトマトリックス表示ができるようになっている。
Ｔ Ｏ（Ｉ ｎｄｉｕ＋ｓ −Ｔ ｉｎ −Ｏｘｉｄｅ
）からなる帯状の透明電極２２を間隔をおいて平行にパ
ターン形成し、この上に酸化物（ＡＩ２＊ＯＳ、 Ｓ
ｉｏ ｌ Ｔ ｉＯｔ）あるいは窒化物（ＳＬＮ４）か
らなる第１誘電膜２４を形成した後、この上にＺｎＳ、
Ｚｎ５ｅなどの母材にＭｎなどの添加材を微量添加した
発光層２５を形成している。さらに、この発光層２５の
上に上記酸化物あるいは窒化物からなる第２誘電膜２６
を形成し、この上に上記透明電極２２と直交する方向に
ＡＱなどからなる帯状の背面電極２８を間隔をおいて平
行にパターン形成している。こうして製造された薄膜Ｅ
Ｌ素子は、透明電極２２および背面電極２８に選択的に
電圧を印加することにより、画電極の交点部分の発光層
２５をドツト状に任意の組み合せで発光させて、所望の
ドツトマトリックス表示ができるようになっている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、上記薄膜ＥＬ素子の発光層２５は、Ｍｎなど
の活性化物質をドープしたＺｎＳなどの母材を成形、焼
結して原料ペレットとし、この原料ペレットを電ぞビー
ム加熱で蒸発させ、透明基板２１表面の第１誘電膜２４
上に蒸着して形成される。
の活性化物質をドープしたＺｎＳなどの母材を成形、焼
結して原料ペレットとし、この原料ペレットを電ぞビー
ム加熱で蒸発させ、透明基板２１表面の第１誘電膜２４
上に蒸着して形成される。
しかし、上記ＺｎＳなどの母材とＭｎなどの活性化物質
の沸点あるいは昇華点は、互いに相当異なることが多く
、そのため原料ベレット表面に蒸発しにくい活性化物質
やその化合物が残ることになる。そして、この活性化物
質やその化合物は、ある程度の厚さ、大きさになると突
沸し、巨大粒子となってベレット表面から飛び出す。飛
び出した巨大粒子の−・部は、透明基板２１の第１誘電
膜２４に付着して発光層２５となるが、後の洗浄工程で
剥れ落ちる場合がある。この場合、発光層がその分だけ
他の部分より薄くなるため、製造された薄膜ＥＬ素子を
発光させたとき、絶縁破壊が生じたり、低電圧領域で輝
点を生じる。一方、付着した巨大粒子が剥れ落ちず製品
中に残った場合は、発光層がその分だけ厚くなるため、
薄膜ＥＬ素子を発光させたとき、高電圧領域で暗点を生
じる。
の沸点あるいは昇華点は、互いに相当異なることが多く
、そのため原料ベレット表面に蒸発しにくい活性化物質
やその化合物が残ることになる。そして、この活性化物
質やその化合物は、ある程度の厚さ、大きさになると突
沸し、巨大粒子となってベレット表面から飛び出す。飛
び出した巨大粒子の−・部は、透明基板２１の第１誘電
膜２４に付着して発光層２５となるが、後の洗浄工程で
剥れ落ちる場合がある。この場合、発光層がその分だけ
他の部分より薄くなるため、製造された薄膜ＥＬ素子を
発光させたとき、絶縁破壊が生じたり、低電圧領域で輝
点を生じる。一方、付着した巨大粒子が剥れ落ちず製品
中に残った場合は、発光層がその分だけ厚くなるため、
薄膜ＥＬ素子を発光させたとき、高電圧領域で暗点を生
じる。
上記絶縁破壊は勿論、上記輝点や暗点も、その大きさが
１０μ麿を超えると表示品位の低下や素子不良を惹起し
、薄膜ＥＬ素子製造上の大きな問題となっている。
１０μ麿を超えると表示品位の低下や素子不良を惹起し
、薄膜ＥＬ素子製造上の大きな問題となっている。
この問題は、大型の電子ビーム蒸着装置を用いて薄膜Ｅ
Ｌ素子を大量生産する現況下では、次の理由から一層深
刻となる。即ち、大型の原料ベレットを大出力の電子ビ
ームでくまなくスキャンして、大量の透明基板上に一度
に発光層を蒸着させるため、原料ペレットのある一点に
電子ビームが照射される時間は非常に短かく、しかも照
射か急激となり、巨大粒子突沸の頻度が増す。また、ビ
ーム・の照射面積が広くなるため小型の原料ペレットと
同等のパワー密度を得るには、ビーム電流を上げる必要
があり、これによってベレット上の照射点のエネルギ分
布は、第５図（ａ）に示す小型ベレットの場合に比較し
て、第５図（ｂ）に示すように非常に時間幅が狭くレベ
ルが高いものとなる。そして、このことが巨大粒子の突
沸を一層促進する。
Ｌ素子を大量生産する現況下では、次の理由から一層深
刻となる。即ち、大型の原料ベレットを大出力の電子ビ
ームでくまなくスキャンして、大量の透明基板上に一度
に発光層を蒸着させるため、原料ペレットのある一点に
電子ビームが照射される時間は非常に短かく、しかも照
射か急激となり、巨大粒子突沸の頻度が増す。また、ビ
ーム・の照射面積が広くなるため小型の原料ペレットと
同等のパワー密度を得るには、ビーム電流を上げる必要
があり、これによってベレット上の照射点のエネルギ分
布は、第５図（ａ）に示す小型ベレットの場合に比較し
て、第５図（ｂ）に示すように非常に時間幅が狭くレベ
ルが高いものとなる。そして、このことが巨大粒子の突
沸を一層促進する。
このように、従来の薄膜ＥＬ素子の製造方法では、発光
層を蒸着する場合、原料ベレット表面からの巨大粒子の
突沸を十分に抑えることができず、これが製品に絶縁破
壊、輝点、暗点などの欠陥をもたらし、表示品位の低下
や素子不良を招いていたのである。
層を蒸着する場合、原料ベレット表面からの巨大粒子の
突沸を十分に抑えることができず、これが製品に絶縁破
壊、輝点、暗点などの欠陥をもたらし、表示品位の低下
や素子不良を招いていたのである。
そこで、本発明の目的は、透明基板に発光層を電子ビー
ム蒸着する際、原料ペレット表面からの巨大粒子の突沸
を抑制して、輝点等の製品欠陥を解消し、高表示品位か
つ長寿命な薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供することであ
る。
ム蒸着する際、原料ペレット表面からの巨大粒子の突沸
を抑制して、輝点等の製品欠陥を解消し、高表示品位か
つ長寿命な薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供することであ
る。
く課題を解決するための手段〉
上記目的を達成するため、本発明の薄膜ＥＬ素子の製造
方法は、母材に添加材を添加してなる原料ペレットの前
面に、電子ビーム加熱では蒸発しない金属網を配置し、
この金属網の面方に発光層を形成すべき透明基板を配置
して、電子ビーム加熱により上記原料ペレットを上記透
明基板上に蒸着して、発光層を形成する。
方法は、母材に添加材を添加してなる原料ペレットの前
面に、電子ビーム加熱では蒸発しない金属網を配置し、
この金属網の面方に発光層を形成すべき透明基板を配置
して、電子ビーム加熱により上記原料ペレットを上記透
明基板上に蒸着して、発光層を形成する。
く作用〉
原料ペレットの前面に配置された金属網は、原料ペレッ
トに比べて熱伝導率が十分に高い。そのため、電子ビー
ムを照射した場合、高エネルギ密度による微少時間の点
照射でも、金属網は、原料ペレットと異なり略均−に加
熱され、しかも蒸発しないから蒸発熱による温度低下が
ない。従って、高温かつ均一に加熱された金属網が、原
料ペレットを均一に加熱し、これによって原料ベレット
表面の照射点の急激な温度上昇が抑えられ、巨大粒子の
突沸が防止される。
トに比べて熱伝導率が十分に高い。そのため、電子ビー
ムを照射した場合、高エネルギ密度による微少時間の点
照射でも、金属網は、原料ペレットと異なり略均−に加
熱され、しかも蒸発しないから蒸発熱による温度低下が
ない。従って、高温かつ均一に加熱された金属網が、原
料ペレットを均一に加熱し、これによって原料ベレット
表面の照射点の急激な温度上昇が抑えられ、巨大粒子の
突沸が防止される。
〈実施例〉
以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第１図は本発明の製造方法によって製造された薄膜ＥＬ
素子の一例を示す断面図であり、ｌは厚さ１〜３ＩＩ１
ｍのガラス基板、２はこのガラス基板ｌ上にスパッタリ
ング法で厚さ１０００〜１８００人のＩＴＯ膜を形成し
、これをエツチングで多数本の平行帯状にパターン形成
してなる透明電極、３はこの透明電極２上にスパッタリ
ング法で厚さ２００〜８００人に堆積した５ｉｄｅ膜、
４はこのＳｉｎｇ膜３上にスパッタリング法で厚さ１０
００〜３０００人に積層した５ｔ−Ｎ膜であり、上記Ｓ
ｉＯ＊膜３と５ｉ−Ｎ膜４で第１誘電体層Ａを構成して
いる。
素子の一例を示す断面図であり、ｌは厚さ１〜３ＩＩ１
ｍのガラス基板、２はこのガラス基板ｌ上にスパッタリ
ング法で厚さ１０００〜１８００人のＩＴＯ膜を形成し
、これをエツチングで多数本の平行帯状にパターン形成
してなる透明電極、３はこの透明電極２上にスパッタリ
ング法で厚さ２００〜８００人に堆積した５ｉｄｅ膜、
４はこのＳｉｎｇ膜３上にスパッタリング法で厚さ１０
００〜３０００人に積層した５ｔ−Ｎ膜であり、上記Ｓ
ｉＯ＊膜３と５ｉ−Ｎ膜４で第１誘電体層Ａを構成して
いる。
また、５は上記５ｉ−Ｎ膜種上に後述する電子ビーム蒸
着法で厚さ６０００〜８０００人に形成したＺｎＳ：Ｍ
ｎからなる発光層、６はこの発光層５上にスパッタリン
グ法で厚さ１０００〜３０００人に積層した５ｉ−Ｎ膜
、７はこの５ｉ−Ｎ膜６上にスパッタリング法で厚さ２
００〜６００人に堆積したＡＱ＊ｏｓ膜、８はこのＡ（
ｈｏｓ膜７上に電子ビーム蒸着法で厚さ２０００〜６０
００人のＡ＆膜を形成し、これをエツチングで上記透明
電極２と直交する方向に多数本の平行帯状にパターン形
成してなる背面電極であり、上記５ｉ−Ｎ膜６とＡム０
３膜７で第２誘電体層Ｂを構成し、上記透明電極２と背
面電極８間に交流駆動電圧９が印加されて、ドツトマト
リックス表示が行われる。なお、こうして形成された薄
膜ＥＬ素子の表面は、防湿のためシールガラス等により
シールされる。
着法で厚さ６０００〜８０００人に形成したＺｎＳ：Ｍ
ｎからなる発光層、６はこの発光層５上にスパッタリン
グ法で厚さ１０００〜３０００人に積層した５ｉ−Ｎ膜
、７はこの５ｉ−Ｎ膜６上にスパッタリング法で厚さ２
００〜６００人に堆積したＡＱ＊ｏｓ膜、８はこのＡ（
ｈｏｓ膜７上に電子ビーム蒸着法で厚さ２０００〜６０
００人のＡ＆膜を形成し、これをエツチングで上記透明
電極２と直交する方向に多数本の平行帯状にパターン形
成してなる背面電極であり、上記５ｉ−Ｎ膜６とＡム０
３膜７で第２誘電体層Ｂを構成し、上記透明電極２と背
面電極８間に交流駆動電圧９が印加されて、ドツトマト
リックス表示が行われる。なお、こうして形成された薄
膜ＥＬ素子の表面は、防湿のためシールガラス等により
シールされる。
上記発光層５は、第２図に示す真空蒸着装置を用いて次
のように形成される。
のように形成される。
排気孔１０ａから真空に排気されるチャンバー１０内に
は、母材たるＺｎＳに活性化物質たるＭｎを０．４０〜
０．５０ｗｔ％ドープした原料ペレット１１が蒸発皿１
２に収容されて下部に配置され、第３図に示すように、
原料ペレット１１の前面には蒸発皿１２を覆うようにタ
ングステン製の網１３を配置し、これらに電子銃１４か
らの電子ビームをスキャン照射して加熱する。一方、蒸
発皿１２の上方には、原料ペレット１１の蒸気を閉成し
て遮断するシャッタ１５を設け、上部のヒータ１６の前
面には、発光層を蒸着ずべきガラス基板ｌをセットして
いる。そして、ヒータ１６でガラス基板１を２００〜２
８０℃に加熱するとともに、電子銃１４から出力５００
〜８００Ｗの電子ビームを蒸発皿１２に照射し、原料ペ
レッ）１１を加熱、蒸発させ、ガラス基板Ｉの表面の第
１誘電体層Ａ（第１図参照）に蒸着させる。
は、母材たるＺｎＳに活性化物質たるＭｎを０．４０〜
０．５０ｗｔ％ドープした原料ペレット１１が蒸発皿１
２に収容されて下部に配置され、第３図に示すように、
原料ペレット１１の前面には蒸発皿１２を覆うようにタ
ングステン製の網１３を配置し、これらに電子銃１４か
らの電子ビームをスキャン照射して加熱する。一方、蒸
発皿１２の上方には、原料ペレット１１の蒸気を閉成し
て遮断するシャッタ１５を設け、上部のヒータ１６の前
面には、発光層を蒸着ずべきガラス基板ｌをセットして
いる。そして、ヒータ１６でガラス基板１を２００〜２
８０℃に加熱するとともに、電子銃１４から出力５００
〜８００Ｗの電子ビームを蒸発皿１２に照射し、原料ペ
レッ）１１を加熱、蒸発させ、ガラス基板Ｉの表面の第
１誘電体層Ａ（第１図参照）に蒸着させる。
このとき、原料ペレット１１の前面にあるタングステン
製の網１３は、原料ペレット１１に比して熱伝導率が十
分に高いので、高エネルギ密度のスキャン電子ビームを
微少時間点照射されても、全体が略均−に加熱され、し
かも溶融、蒸発することがないから蒸発熱による温度低
下がない。従って、高温かつ均一に加熱されたタングス
テン製の網１３によって、原料ペレット１１が均一に加
熱され、従来のように電子ビーム照射点の急激な温度上
昇が抑制され、原料ペレット表面からのＭｎやＭｎ化合
物の巨大粒子の突沸が防止される。そのため、蒸着され
た発光層５は、突沸粒子の付着やその剥離によるピンホ
ールが非常に少なく、単位面積当りの突沸数が従来例の
１／ＩＯ以下に低減され、絶縁破壊、輝点、暗点などの
欠陥のない良好な膜質を有するのである。そして、蒸着
後の発光層５は、結晶性の向上とＭｎの拡散のため真空
アニーリングを施される。
製の網１３は、原料ペレット１１に比して熱伝導率が十
分に高いので、高エネルギ密度のスキャン電子ビームを
微少時間点照射されても、全体が略均−に加熱され、し
かも溶融、蒸発することがないから蒸発熱による温度低
下がない。従って、高温かつ均一に加熱されたタングス
テン製の網１３によって、原料ペレット１１が均一に加
熱され、従来のように電子ビーム照射点の急激な温度上
昇が抑制され、原料ペレット表面からのＭｎやＭｎ化合
物の巨大粒子の突沸が防止される。そのため、蒸着され
た発光層５は、突沸粒子の付着やその剥離によるピンホ
ールが非常に少なく、単位面積当りの突沸数が従来例の
１／ＩＯ以下に低減され、絶縁破壊、輝点、暗点などの
欠陥のない良好な膜質を有するのである。そして、蒸着
後の発光層５は、結晶性の向上とＭｎの拡散のため真空
アニーリングを施される。
上記実施例では、発光層をＺｎＳ：Ｍｎとした場合につ
いて説明したが、母材をＺｎ５ｅ、ＣａＳ、ＳｒＳ、Ｃ
ａＳｅ、５ｒＳｅ等のｕｂ−■ｂ化合物やｌ１ａ−ＩＶ
ｂ化合物およびこれらの混晶物とし、この母材にＣｏ。
いて説明したが、母材をＺｎ５ｅ、ＣａＳ、ＳｒＳ、Ｃ
ａＳｅ、５ｒＳｅ等のｕｂ−■ｂ化合物やｌ１ａ−ＩＶ
ｂ化合物およびこれらの混晶物とし、この母材にＣｏ。
Ｅｕ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｅｒなどの希土類やＣｕ、Ｏｒなど
の金属またはその化合物からなる活性化物質を添加して
発光層とし、同様の効果を得ることができる。
の金属またはその化合物からなる活性化物質を添加して
発光層とし、同様の効果を得ることができる。
なお、本発明が図示の実施例に限られないのはいうまで
もない。
もない。
〈発明の効果〉
以上の説明で明らかなように、本発明の薄膜ＥＬ素子の
製造方法は、母材に添加材を添加してなる原料ペレット
の前面に、電子ビーム加熱では蒸発しない金属網を配置
し、この金属網の前方に発光層を形成すべき透明基板を
配置して、電子ビーム加熱により上記原料ペレットを上
記透明基板上に蒸着して、発光層を形成しているので、
電子ビームによって高温かつ均一に加熱された金属網が
、原料ペレットを均一に加熱し、照射点の急激な温度上
昇を抑制してペレット表面からの巨大粒子の突沸を防止
するから、突沸粒子に起因する発光層の絶縁破壊、輝点
、暗点などの欠陥がなくなり、高表示品位かつ長寿命な
薄膜ＥＬ素子を製造することができる。
製造方法は、母材に添加材を添加してなる原料ペレット
の前面に、電子ビーム加熱では蒸発しない金属網を配置
し、この金属網の前方に発光層を形成すべき透明基板を
配置して、電子ビーム加熱により上記原料ペレットを上
記透明基板上に蒸着して、発光層を形成しているので、
電子ビームによって高温かつ均一に加熱された金属網が
、原料ペレットを均一に加熱し、照射点の急激な温度上
昇を抑制してペレット表面からの巨大粒子の突沸を防止
するから、突沸粒子に起因する発光層の絶縁破壊、輝点
、暗点などの欠陥がなくなり、高表示品位かつ長寿命な
薄膜ＥＬ素子を製造することができる。
第１図は本発明の製造方法によって製造された薄膜ＥＬ
素子の一例を示す断面図、第２図は上記薄膜ＥＬ素子の
発光層を蒸着する真空蒸着装置の概略図、第３図は第２
図の蒸着源周辺の拡大図、第４図は従来の製法による薄
膜ＥＬ素子の断面図、第５図は原料ペレットの一点に照
射されるエネルギの時間変化を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・Ｓ
ｉ Ｏを膜、４・・・５ｉ−Ｎ膜、５・・・発光層、６
・・・５ｉ−Ｎ膜、７・・・ＡＱ＊Ｏａ膜、８・・・背
面電極、１１・・・原料ペレット、 １３・・・タングステン製の網、１４・・・電子銃。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 前出 葆 ほか１名第２図 第３ Ｅ３ （−一一一−１４ 第１ ロ 第４図 第５図
素子の一例を示す断面図、第２図は上記薄膜ＥＬ素子の
発光層を蒸着する真空蒸着装置の概略図、第３図は第２
図の蒸着源周辺の拡大図、第４図は従来の製法による薄
膜ＥＬ素子の断面図、第５図は原料ペレットの一点に照
射されるエネルギの時間変化を示す図である。 １・・・ガラス基板、２・・・透明電極、３・・・Ｓ
ｉ Ｏを膜、４・・・５ｉ−Ｎ膜、５・・・発光層、６
・・・５ｉ−Ｎ膜、７・・・ＡＱ＊Ｏａ膜、８・・・背
面電極、１１・・・原料ペレット、 １３・・・タングステン製の網、１４・・・電子銃。 特 許 出 願 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 前出 葆 ほか１名第２図 第３ Ｅ３ （−一一一−１４ 第１ ロ 第４図 第５図
Claims (1)
- （１）母材に添加材を添加してなる原料ペレットの前
面に、電子ビーム加熱では蒸発しない金属網を配置し、
この金属網の前方に発光層を形成すべき透明基板を配置
して、電子ビーム加熱により上記原料ペレットを上記透
明基板上に蒸着して、発光層を形成する薄膜ＥＬ素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290934A JPH02135697A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290934A JPH02135697A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02135697A true JPH02135697A (ja) | 1990-05-24 |
Family
ID=17762395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63290934A Pending JPH02135697A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02135697A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100394820B1 (ko) * | 2001-05-22 | 2003-08-19 | 주식회사 엘리아테크 | Ｏｅｌｄ패널 제작용 유기막 증착장치 |
| KR100647579B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2006-11-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자빔 증착 장치와, 이를 이용한 증착 방법 |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP63290934A patent/JPH02135697A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100394820B1 (ko) * | 2001-05-22 | 2003-08-19 | 주식회사 엘리아테크 | Ｏｅｌｄ패널 제작용 유기막 증착장치 |
| KR100647579B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2006-11-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자빔 증착 장치와, 이를 이용한 증착 방법 |
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