JPH04329870A - 電子線蒸着装置 - Google Patents
電子線蒸着装置Info
- Publication number
- JPH04329870A JPH04329870A JP10107791A JP10107791A JPH04329870A JP H04329870 A JPH04329870 A JP H04329870A JP 10107791 A JP10107791 A JP 10107791A JP 10107791 A JP10107791 A JP 10107791A JP H04329870 A JPH04329870 A JP H04329870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electron beam
- insulating film
- beam evaporation
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title abstract description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 alkaline earth metal sulfides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 235000015067 sauces Nutrition 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子線蒸着装置、特に
画像表示に使用される薄膜白色ＥＬパネルの発光膜の形
成に好適な電子線蒸着装置に関するものである。
画像表示に使用される薄膜白色ＥＬパネルの発光膜の形
成に好適な電子線蒸着装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬディスプレイは、超薄型、完全固体
、自発光、高視認性、高信頼性などのメリットを有する
フラットディスプレイである。そして、白色ＥＬ、カラ
ーＥＬのために発光膜の母体材料として、例えば、Ｃａ
Ｓ，ＳｒＳ，ＢａＳ等のアルカリ土類金属硫化物を用い
たＥＬの研究が盛んになりつつある。
、自発光、高視認性、高信頼性などのメリットを有する
フラットディスプレイである。そして、白色ＥＬ、カラ
ーＥＬのために発光膜の母体材料として、例えば、Ｃａ
Ｓ，ＳｒＳ，ＢａＳ等のアルカリ土類金属硫化物を用い
たＥＬの研究が盛んになりつつある。
【０００３】図３は、このようなアルカリ土類金属硫化
物を発光母体材料として用いたＥＬの一般的な構造を示
す一部断面図である。このＥＬは、発光膜の両側を絶縁
膜で挟んだ構造を有しており、一般に二重絶縁構造と呼
ばれる。ＥＬ薄膜は、ガラス基板３１上に透明電極３２
、第一層絶縁膜３３、発光膜３４、第二層絶縁膜３５、
背面電極３６の順に構成される。
物を発光母体材料として用いたＥＬの一般的な構造を示
す一部断面図である。このＥＬは、発光膜の両側を絶縁
膜で挟んだ構造を有しており、一般に二重絶縁構造と呼
ばれる。ＥＬ薄膜は、ガラス基板３１上に透明電極３２
、第一層絶縁膜３３、発光膜３４、第二層絶縁膜３５、
背面電極３６の順に構成される。
【０００４】ガラス基板３１上の透明電極３２は、スト
ライプ状に形成され、材料としてはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などが用いられる。第一
層絶縁膜３３及び第二層絶縁膜３５はそれぞれＳｉＯ２
／Ｓｉ３ Ｎ４ の複合絶縁膜からなる。発光膜３４
はＣａＳ，ＳｒＳ，ＢａＳなどの母体材料に、０．０１
〜数ｍｏｌ％程度の希土類を発光中心材料として混合し
たものである。白色発光のＥＬパネルの場合には、母体
材料ＳｒＳにＣｅ，Ｅｕの発光中心と、電価補償材料と
してＫを添加したＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ，Ｋが用いられる
。発光膜３４はスパッタ法や、電子線蒸着法などの真空
成膜法により、絶縁膜１３上に形成される。背面電極３
６は、アルミニウムにより透明電極３２と直交する方向
にストライプ状に形成される。
ライプ状に形成され、材料としてはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などが用いられる。第一
層絶縁膜３３及び第二層絶縁膜３５はそれぞれＳｉＯ２
／Ｓｉ３ Ｎ４ の複合絶縁膜からなる。発光膜３４
はＣａＳ，ＳｒＳ，ＢａＳなどの母体材料に、０．０１
〜数ｍｏｌ％程度の希土類を発光中心材料として混合し
たものである。白色発光のＥＬパネルの場合には、母体
材料ＳｒＳにＣｅ，Ｅｕの発光中心と、電価補償材料と
してＫを添加したＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ，Ｋが用いられる
。発光膜３４はスパッタ法や、電子線蒸着法などの真空
成膜法により、絶縁膜１３上に形成される。背面電極３
６は、アルミニウムにより透明電極３２と直交する方向
にストライプ状に形成される。
【０００５】このように構成されたＥＬパネルにおいて
、ＥＬ発光は透明電極３２と背面電極３６に２００Ｖ程
度の交流電圧を印加することにより、これらの電極が交
差した部分から生じ、ガラス基板３１を通して観測され
る。このようなＥＬ素子、特に図３に示した複合絶縁膜
を用いた素子により、現在５００ｃｄ／ｍ２ （１ＫＨ
ｚ駆動時）程度の輝度が得られている。
、ＥＬ発光は透明電極３２と背面電極３６に２００Ｖ程
度の交流電圧を印加することにより、これらの電極が交
差した部分から生じ、ガラス基板３１を通して観測され
る。このようなＥＬ素子、特に図３に示した複合絶縁膜
を用いた素子により、現在５００ｃｄ／ｍ２ （１ＫＨ
ｚ駆動時）程度の輝度が得られている。
【０００６】図４は従来の発光膜を形成する電子線蒸着
装置を示す模式図である。図において、排気系２１は通
常の真空蒸着装置に備えられているものと同じで、拡散
ポンプと油回転ポンプからなる。また、基板ホルダ２２
の上面に基板加熱ヒータ２３を設け、抵抗加熱によって
基板を加熱する。そして、電子線蒸着機構２４の上に、
ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ，Ｋからなる発光膜の原料ソースを
収容した原料ソース台２５を載置し、原料ソースを蒸発
させ、基板ホルダ２２にセットした基板に電子線蒸着法
により発光膜３４を形成する。発光膜３４は次に述べる
ように、第一層絶縁膜３３を形成したＥＬ素子の基板を
電子線蒸着装置の筐体２６内へ導入した後、筐体２６内
の到達真空度１×１０−６Ｔｏｒｒ、発光膜を形成する
基板温度が約３００°Ｃ〜５００°Ｃに達した後、電子
線蒸着により第一層絶縁膜３３上に形成する。
装置を示す模式図である。図において、排気系２１は通
常の真空蒸着装置に備えられているものと同じで、拡散
ポンプと油回転ポンプからなる。また、基板ホルダ２２
の上面に基板加熱ヒータ２３を設け、抵抗加熱によって
基板を加熱する。そして、電子線蒸着機構２４の上に、
ＳｒＳ：Ｃｅ，Ｅｕ，Ｋからなる発光膜の原料ソースを
収容した原料ソース台２５を載置し、原料ソースを蒸発
させ、基板ホルダ２２にセットした基板に電子線蒸着法
により発光膜３４を形成する。発光膜３４は次に述べる
ように、第一層絶縁膜３３を形成したＥＬ素子の基板を
電子線蒸着装置の筐体２６内へ導入した後、筐体２６内
の到達真空度１×１０−６Ｔｏｒｒ、発光膜を形成する
基板温度が約３００°Ｃ〜５００°Ｃに達した後、電子
線蒸着により第一層絶縁膜３３上に形成する。
【０００７】従来のＥＬ素子の薄膜形成方法は、ガラス
基板３１の上にＩＴＯ透明電極３２を形成したのち、第
一層絶縁膜３３を形成する。ここまでは、スパッタ法又
は各種蒸着法が用いられる。その後、上記電子線蒸着装
置で発光膜３４を形成する。さらに、別の装置でスパッ
タ法又は各種蒸着法により発光膜３４の上に第二層絶縁
膜３５、背面電極３６を形成する。
基板３１の上にＩＴＯ透明電極３２を形成したのち、第
一層絶縁膜３３を形成する。ここまでは、スパッタ法又
は各種蒸着法が用いられる。その後、上記電子線蒸着装
置で発光膜３４を形成する。さらに、別の装置でスパッ
タ法又は各種蒸着法により発光膜３４の上に第二層絶縁
膜３５、背面電極３６を形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＥＬ素子の薄膜形成方法では、透明電極、絶縁膜、発光
膜等の多層膜を形成する際、多層膜の原料を取り替えた
り、絶縁膜と発光膜とを違う成膜法により異なる装置で
成膜する場合、やむを得ず装置を開け、真空を破ること
になる。その結果、大気中の不純物、例えば、酸素、炭
素、水などが装置筐体の内壁や、すでに形成されている
第一層絶縁膜表面に付着する。したがって、上記従来の
電子線蒸着装置では、装置筐体の内壁や第一層絶縁膜表
面に付着した不純物は、次の発光膜を形成する時発光膜
中に取り込まれるため、作製したＥＬ素子の絶縁膜と発
光膜の剥離や絶縁耐圧、輝度の低下などの原因になると
いう問題点があった。
ＥＬ素子の薄膜形成方法では、透明電極、絶縁膜、発光
膜等の多層膜を形成する際、多層膜の原料を取り替えた
り、絶縁膜と発光膜とを違う成膜法により異なる装置で
成膜する場合、やむを得ず装置を開け、真空を破ること
になる。その結果、大気中の不純物、例えば、酸素、炭
素、水などが装置筐体の内壁や、すでに形成されている
第一層絶縁膜表面に付着する。したがって、上記従来の
電子線蒸着装置では、装置筐体の内壁や第一層絶縁膜表
面に付着した不純物は、次の発光膜を形成する時発光膜
中に取り込まれるため、作製したＥＬ素子の絶縁膜と発
光膜の剥離や絶縁耐圧、輝度の低下などの原因になると
いう問題点があった。
【０００９】本発明は、前記従来の問題点を解決し、絶
縁膜と発光膜の剥離、絶縁耐圧の低下、輝度の低下のな
いＥＬ素子の製造が可能な電子線蒸着装置を提供するこ
とを目的とする。
縁膜と発光膜の剥離、絶縁耐圧の低下、輝度の低下のな
いＥＬ素子の製造が可能な電子線蒸着装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明は、基板ホルダと、蒸着原料を加熱して蒸
発させる電子線蒸着機構と、水素プラズマを発生する機
構とを備える電子線蒸着装置を構成した。
めに、本発明は、基板ホルダと、蒸着原料を加熱して蒸
発させる電子線蒸着機構と、水素プラズマを発生する機
構とを備える電子線蒸着装置を構成した。
【００１１】
【作用】本発明は、上記のように電子線蒸着装置を構成
したので、水素ガスはプラズマで励起されたり、イオン
化されたりすることにより、基板表面に化学的、物理的
なエッチング効果を与える。すなわち、水素プラズマ中
の内部エネルギーの高い水素原子、分子の還元性により
、絶縁膜表面に付着した不純物との化学反応によるエッ
チング効果、及びイオン化された水素原子、分子の運動
エネルギーにより、膜表面との物理衝突のエッチング効
果である。そして、水素原子の質量が小さいため、下の
膜が強くスパッタリングされたり、削られたりするよう
な、物理的なダメージを与える問題はない。このエッチ
ング効果によって、真空にした装置筐体内や、絶縁膜表
面の残留不純物、特に酸素、水などを取り除くことが可
能になった。
したので、水素ガスはプラズマで励起されたり、イオン
化されたりすることにより、基板表面に化学的、物理的
なエッチング効果を与える。すなわち、水素プラズマ中
の内部エネルギーの高い水素原子、分子の還元性により
、絶縁膜表面に付着した不純物との化学反応によるエッ
チング効果、及びイオン化された水素原子、分子の運動
エネルギーにより、膜表面との物理衝突のエッチング効
果である。そして、水素原子の質量が小さいため、下の
膜が強くスパッタリングされたり、削られたりするよう
な、物理的なダメージを与える問題はない。このエッチ
ング効果によって、真空にした装置筐体内や、絶縁膜表
面の残留不純物、特に酸素、水などを取り除くことが可
能になった。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例による電
子線蒸着装置の構成を示す模式図である。本実施例にお
いては、排気系１は拡散ポンプと油回転ポンプからなり
、従来例と同じである。また、基板ホルダ２の上面に設
置された基板加熱ヒータ３で抵抗加熱により基板を加熱
すること及び電子線蒸着機構４の上に原料ソース台５が
あることも従来と同じである。なお、基板加熱ヒータ３
は良質な発光膜を形成するためのもので、本発明に必須
の構成要件ではない。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例による電
子線蒸着装置の構成を示す模式図である。本実施例にお
いては、排気系１は拡散ポンプと油回転ポンプからなり
、従来例と同じである。また、基板ホルダ２の上面に設
置された基板加熱ヒータ３で抵抗加熱により基板を加熱
すること及び電子線蒸着機構４の上に原料ソース台５が
あることも従来と同じである。なお、基板加熱ヒータ３
は良質な発光膜を形成するためのもので、本発明に必須
の構成要件ではない。
【００１３】本実施例においては、さらに、コイル状電
極６、直流磁界発生装置７、高周波電源８及びマッチン
グ回路９からなるプラズマ発生機構を設ける。コイル状
電極６は電子線蒸着装置の筐体１１内にプラズマを発生
する。直流磁界発生器７はコイル状電極６によるプラズ
マを安定化し、かつ集束するために約１００ガウスの直
流磁界を発生する。高周波電源８からコイル状電極６に
印加した高周波の反射波をできるだけ小さくするため、
高周波電源８とコイル状電極６は、マッチング回路９を
介して接続する。さらに、水素導入系１０を設ける。ま
た、ＥＬ素子基板は、装置筐体１１と一緒にアースと同
電位とする。このように構成したプラズマ発生機構にお
いて、コイル状電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電力１
００Ｗ〜２００Ｗを印加することによって発生する。ま
た、放電空間の水素ガスの圧力は０．０５Ｔｏｒｒ程度
である。
極６、直流磁界発生装置７、高周波電源８及びマッチン
グ回路９からなるプラズマ発生機構を設ける。コイル状
電極６は電子線蒸着装置の筐体１１内にプラズマを発生
する。直流磁界発生器７はコイル状電極６によるプラズ
マを安定化し、かつ集束するために約１００ガウスの直
流磁界を発生する。高周波電源８からコイル状電極６に
印加した高周波の反射波をできるだけ小さくするため、
高周波電源８とコイル状電極６は、マッチング回路９を
介して接続する。さらに、水素導入系１０を設ける。ま
た、ＥＬ素子基板は、装置筐体１１と一緒にアースと同
電位とする。このように構成したプラズマ発生機構にお
いて、コイル状電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電力１
００Ｗ〜２００Ｗを印加することによって発生する。ま
た、放電空間の水素ガスの圧力は０．０５Ｔｏｒｒ程度
である。
【００１４】図２は本発明の実施例による電子線蒸着装
置を用いて作製した白色ＥＬ素子の輝度−電圧特性図で
ある。特性図を説明する前に、図３を参照しながらこの
白色ＥＬ素子の作製方法を説明する。まず、例えば、ガ
ラス基板３１の上にＩＴＯ透明電極３２を形成したのち
、第一層絶縁膜３３を形成した。ここまでは別装置でス
パッタ法により形成した。その後、本実施例の電子線蒸
着装置で発光膜３４を形成した。ここでは、発光膜３４
を形成する前に、水素プラズマで第一層絶縁膜３３表面
の残留不純物を２０〜３０分間程度エッチングを行い、
それから発光膜３４を形成した。そして、次に再びスパ
ッタ法によって、発光膜３４の上に第二層絶縁膜３５と
背面電極３６を形成した。
置を用いて作製した白色ＥＬ素子の輝度−電圧特性図で
ある。特性図を説明する前に、図３を参照しながらこの
白色ＥＬ素子の作製方法を説明する。まず、例えば、ガ
ラス基板３１の上にＩＴＯ透明電極３２を形成したのち
、第一層絶縁膜３３を形成した。ここまでは別装置でス
パッタ法により形成した。その後、本実施例の電子線蒸
着装置で発光膜３４を形成した。ここでは、発光膜３４
を形成する前に、水素プラズマで第一層絶縁膜３３表面
の残留不純物を２０〜３０分間程度エッチングを行い、
それから発光膜３４を形成した。そして、次に再びスパ
ッタ法によって、発光膜３４の上に第二層絶縁膜３５と
背面電極３６を形成した。
【００１５】図２に示すように、１ＫＨｚ正弦波で駆動
した時に、本実施例を用いて作製したＥＬ素子の絶縁耐
圧性が高く、更に、最高輝度は従来の技術で作製した素
子の最高輝度６００ｃｄ／ｍ２ に対して、本実施例を
用いて作製したＥＬ素子の輝度は高く、約２倍であった
。 なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それら
を本発明の範囲から排除するものではない。
した時に、本実施例を用いて作製したＥＬ素子の絶縁耐
圧性が高く、更に、最高輝度は従来の技術で作製した素
子の最高輝度６００ｃｄ／ｍ２ に対して、本実施例を
用いて作製したＥＬ素子の輝度は高く、約２倍であった
。 なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づき種々の変形が可能であり、それら
を本発明の範囲から排除するものではない。
【００１６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、白色ＥＬ素子において、絶縁膜上に発光膜を形成
する前に、絶縁膜表面の水素プラズマのエッチングプロ
セスを用いることによって、白色ＥＬ素子の絶縁耐圧性
が向上し、さらに、輝度の向上も達成できる。
れば、白色ＥＬ素子において、絶縁膜上に発光膜を形成
する前に、絶縁膜表面の水素プラズマのエッチングプロ
セスを用いることによって、白色ＥＬ素子の絶縁耐圧性
が向上し、さらに、輝度の向上も達成できる。
【図１】本発明の実施例による電子線蒸着装置の構成を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】本発明の実施例による電子線蒸着装置を用いて
作製した白色ＥＬ素子の輝度−電圧特性図である。
作製した白色ＥＬ素子の輝度−電圧特性図である。
【図３】従来のＥＬの構造を示す一部断面図である。
【図４】従来の電子線蒸着装置を示す模式図である。
１ 排気系
２ 基板ホルダ
３ 基板加熱ヒータ
４ 電子線蒸着機構
５ 原料ソース台
６ コイル状電極
７ 直流磁界発生器
８ 高周波電源
９ マッチング回路
１０ 水素導入系
１１ 電子線蒸着装置筐体
Claims (2)
- 【請求項１】 （ａ）基板ホルダと、（ｂ）蒸着原料
を加熱して蒸発させる電子線蒸着機構と、（ｃ）水素プ
ラズマを発生する機構とを備えること特徴とする電子線
蒸着装置。 - 【請求項２】 水素プラズマを発生する機構が、高周
波電源と、該高周波電源に接続されたマッチング回路と
、該マッチング回路に接続されたコイル状電極と、該コ
イル状電極の発生するプラズマを安定化し、かつ集束す
る直流磁界発生装置と、水素を導入する機構とからなる
ことを特徴とする請求項１記載の電子線蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10107791A JPH04329870A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 電子線蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10107791A JPH04329870A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 電子線蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04329870A true JPH04329870A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=14291040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10107791A Withdrawn JPH04329870A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 電子線蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04329870A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007526395A (ja) * | 2003-06-26 | 2007-09-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 誘導性結合プラズマの均一性を改善する側壁磁石及びそれと共に使用するシールド |
-
1991
- 1991-05-07 JP JP10107791A patent/JPH04329870A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007526395A (ja) * | 2003-06-26 | 2007-09-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 誘導性結合プラズマの均一性を改善する側壁磁石及びそれと共に使用するシールド |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5903101A (en) | Optical element and method of manufacturing the same | |
| US6312837B1 (en) | Optical element and method of manufacturing the same | |
| US4389295A (en) | Thin film phosphor sputtering process | |
| JPH0935670A (ja) | フィールド・エミッション・ディスプレイ素子及びその製造方法 | |
| JP2001332175A (ja) | 交流型プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| JPH04329870A (ja) | 電子線蒸着装置 | |
| JPH1174084A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP2003086025A (ja) | 透明導電膜成膜基板及びその製造方法 | |
| JPH1186738A (ja) | フラットディスプレイパネル | |
| JP2902745B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2002117771A (ja) | 放電灯及びプラズマディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| JP2001284059A (ja) | 透明電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、透明電極処理装置および透明電極の処理方法 | |
| US4879139A (en) | Method of making a thin film electroluminescence element | |
| JP2000340367A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| JP2005082707A (ja) | 薄膜蛍光体基板及びその作製法 | |
| JPH0834126B2 (ja) | 蛍光体薄膜の製造方法および薄膜ｅｌ素子 | |
| TW569353B (en) | Method to reduce the rough tip on the surface of conductive film | |
| JP3750199B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JP3511719B2 (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
| JP2620550B2 (ja) | Ｅｌ薄膜の形成方法 | |
| JPH02306590A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造法 | |
| JPS6329396B2 (ja) | ||
| JP2002212715A (ja) | 薄膜形成方法およびプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
| KR100333718B1 (ko) | 캐소드루미네슨스형광체를갖는플라즈마디스플레이패널 | |
| JP2006092788A (ja) | 二次元アレー型誘電体バリア放電装置およびそのランプ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |