JPH021311A - 薄膜抵抗装置の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗装置の製造方法Info
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- JPH021311A JPH021311A JP63310991A JP31099188A JPH021311A JP H021311 A JPH021311 A JP H021311A JP 63310991 A JP63310991 A JP 63310991A JP 31099188 A JP31099188 A JP 31099188A JP H021311 A JPH021311 A JP H021311A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N chembl1095986 Chemical compound C1[C@@H](N)[C@@H](O)[C@H](C)O[C@H]1O[C@@H]([C@H]1C(N[C@H](C2=CC(O)=CC(O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)=C2C=2C(O)=CC=C(C=2)[C@@H](NC(=O)[C@@H]2NC(=O)[C@@H]3C=4C=C(C(=C(O)C=4)C)OC=4C(O)=CC=C(C=4)[C@@H](N)C(=O)N[C@@H](C(=O)N3)[C@H](O)C=3C=CC(O4)=CC=3)C(=O)N1)C(O)=O)=O)C(C=C1)=CC=C1OC1=C(O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](CO[C@@H]5[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](C)O5)O)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)C4=CC2=C1 BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
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- H—ELECTRICITY
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- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/148—Silicon, e.g. silicon carbide, magnesium silicide, heating transistors or diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
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- Y10T29/49082—Resistor making
- Y10T29/49099—Coating resistive material on a base
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
この発明は一般的にはインクジェットプリンタ用プリン
トヘッドの製造に関し、特に、新しく改良された薄膜タ
イプのプリントヘッド、および熱インクジェット（ＴＩ
Ｊ）プリンタ用の関連製造プロセスに関する。
トヘッドの製造に関し、特に、新しく改良された薄膜タ
イプのプリントヘッド、および熱インクジェット（ＴＩ
Ｊ）プリンタ用の関連製造プロセスに関する。
（従来技術とその問題点）
熱インクジェットプリンタ用の薄膜抵抗器（ＴＦＲ）タ
イプのプリントヘッドの製造および使用において、イン
クジェット印字動作中には抵抗加熱素子を用いてインク
を加熱、沸騰させ、インクをオリフィス板に進ませるこ
とがよく知られている。抵抗加熱物質は典型的には絶縁
基板上に配置され、個々の加熱素子は導電性のトレース
パターンによって寸法が定義される。該導電性トレース
パターンは従来の写真製版マスキング、紫外線露光、お
よび既知のエツチング技術を用いて写真製版方式で形成
される。この薄膜プリントヘッドの部分構造は中間バリ
ア層および外側のオリフィス板に取りつけられ、典型的
にはバリア層の内側形状が多数のインクだめを形成し、
対応する多数の加熱抵抗の上にそれに位置決めして該イ
ンクだめを重ねる。これらのタイプの薄膜プリントヘッ
ド構造についてさらに議論するため、１９８５年５月に
発行されたｆｌｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ Ｊｏｕ
ｒｎａｌ第３８巻、第５号が参照される。
イプのプリントヘッドの製造および使用において、イン
クジェット印字動作中には抵抗加熱素子を用いてインク
を加熱、沸騰させ、インクをオリフィス板に進ませるこ
とがよく知られている。抵抗加熱物質は典型的には絶縁
基板上に配置され、個々の加熱素子は導電性のトレース
パターンによって寸法が定義される。該導電性トレース
パターンは従来の写真製版マスキング、紫外線露光、お
よび既知のエツチング技術を用いて写真製版方式で形成
される。この薄膜プリントヘッドの部分構造は中間バリ
ア層および外側のオリフィス板に取りつけられ、典型的
にはバリア層の内側形状が多数のインクだめを形成し、
対応する多数の加熱抵抗の上にそれに位置決めして該イ
ンクだめを重ねる。これらのタイプの薄膜プリントヘッ
ド構造についてさらに議論するため、１９８５年５月に
発行されたｆｌｅｗｌｅｔｔ−Ｐａｃｋａｒｄ Ｊｏｕ
ｒｎａｌ第３８巻、第５号が参照される。
これらの加熱抵抗器のＸ−Ｙ方向の寸法を定義するため
の従来からの伝統的なプロセスの一つは、まず絶縁基板
上に抵抗および導電物質の層を連続して沈積し、次に単
一のフォトレジストマスクを用いて、まず外側の導電パ
ターンの導電ストリップの幅だけを定義するというもの
である。このフォトレジストマスクはまた下の抵抗層用
のエッチマスクとして働き、抵抗加熱素子の最初の寸法
を定義する。抵抗領域の露出した領域をエツチングし、
導電物質の外側のス） ＩＪツブの下に抵抗物質のス）
ＩＪツブをそのまま残しておき、その徒刑の熱素子の
第２の寸法を確定する。
の従来からの伝統的なプロセスの一つは、まず絶縁基板
上に抵抗および導電物質の層を連続して沈積し、次に単
一のフォトレジストマスクを用いて、まず外側の導電パ
ターンの導電ストリップの幅だけを定義するというもの
である。このフォトレジストマスクはまた下の抵抗層用
のエッチマスクとして働き、抵抗加熱素子の最初の寸法
を定義する。抵抗領域の露出した領域をエツチングし、
導電物質の外側のス） ＩＪツブの下に抵抗物質のス）
ＩＪツブをそのまま残しておき、その徒刑の熱素子の
第２の寸法を確定する。
前述のプロセスにおいて最初の２つのエツチングは同じ
フォトレジストマスクを用いるので、最初のエツチング
中にパターン劣化が起こり、２番目のエツチングの質に
望ましくない影響が出てくる。さらに底の層（抵抗層）
に用いるエツチング液は一番上の層（導電体層）の新し
く露出したエツジに作用して、様々な欠陥を起こす原因
となる。
フォトレジストマスクを用いるので、最初のエツチング
中にパターン劣化が起こり、２番目のエツチングの質に
望ましくない影響が出てくる。さらに底の層（抵抗層）
に用いるエツチング液は一番上の層（導電体層）の新し
く露出したエツジに作用して、様々な欠陥を起こす原因
となる。
２番目のマスキング段階およびエツチング段階で前述の
ような抵抗加熱素子の第２の寸法が定義されるが、また
表面が変質した導電体層をエツチングすることになるの
で、それに起因した条件に悩まされる。これは最初のマ
スキング段階およびエツチング段階においてフォトレジ
スト物質からの微量の有機残留物を含んだ化学薬品に晒
されるために、これらの変質が起こる。後者の事実によ
り抵抗器／導電体界面での斜角の品質が不規則になる。
ような抵抗加熱素子の第２の寸法が定義されるが、また
表面が変質した導電体層をエツチングすることになるの
で、それに起因した条件に悩まされる。これは最初のマ
スキング段階およびエツチング段階においてフォトレジ
スト物質からの微量の有機残留物を含んだ化学薬品に晒
されるために、これらの変質が起こる。後者の事実によ
り抵抗器／導電体界面での斜角の品質が不規則になる。
（発明の目的）
本発明の一般的な目的は薄膜インクジェットプリントヘ
ッドの製造に新しく改良された製造プロセスを提供する
ことであり、伝統的な従来のプロセス技術の前述の欠点
を除去すると同時にプロセスの歩留まりを増加し、プロ
セスコストを下げ、特性および性能のプリントヘッド毎
のばらつきを改良し、プリントヘッドの寿命を延ばすこ
とである。
ッドの製造に新しく改良された製造プロセスを提供する
ことであり、伝統的な従来のプロセス技術の前述の欠点
を除去すると同時にプロセスの歩留まりを増加し、プロ
セスコストを下げ、特性および性能のプリントヘッド毎
のばらつきを改良し、プリントヘッドの寿命を延ばすこ
とである。
（発明の概要）
この目的を達成するために新しく改良したインクジェッ
トプリントヘッドおよび製造プロセスをチ；見し、開発
した。それは選択された基板の一番上に抵抗物質層を形
成し、次に抵抗層の一番上に導電物質層を形成すること
を含む。次に導電層に導電トレースパターンを完全に形
成し、導電トレースパターンは不連続な導電物質ストリ
ップを含み、導電物質ストリップは抵抗加熱素子の両側
に張り出し、抵抗加熱素子の最初の寸法を定義する。
トプリントヘッドおよび製造プロセスをチ；見し、開発
した。それは選択された基板の一番上に抵抗物質層を形
成し、次に抵抗層の一番上に導電物質層を形成すること
を含む。次に導電層に導電トレースパターンを完全に形
成し、導電トレースパターンは不連続な導電物質ストリ
ップを含み、導電物質ストリップは抵抗加熱素子の両側
に張り出し、抵抗加熱素子の最初の寸法を定義する。
次にこれらの導電トレースパターンの導電ストリップを
マスクで完全に被い、それによって今までまだ定捜され
ていない抵抗物質の予め決められた領域を露出したまま
にする。次に抵抗層の露出領域をエツチングなどによっ
て除去し、こうして抵抗加熱素子の２番目の寸法を定義
し、それによって非常にはっきりと定義された、なめら
かな輪郭の側壁と抵抗物質および導電物質の両方のエツ
ジを残す。
マスクで完全に被い、それによって今までまだ定捜され
ていない抵抗物質の予め決められた領域を露出したまま
にする。次に抵抗層の露出領域をエツチングなどによっ
て除去し、こうして抵抗加熱素子の２番目の寸法を定義
し、それによって非常にはっきりと定義された、なめら
かな輪郭の側壁と抵抗物質および導電物質の両方のエツ
ジを残す。
したがって本発明の多くの長所の中には斜角の品質が良
好で、なめらかなうまく制御された導体エツジ輪郭の提
供が含まれる。熱インクジェット過程には良好な斜角の
品質が重要である。これらのエツジ輪郭はパシベーショ
ン段階で覆われる導体エツジ上の範囲を増強する。これ
らの装置は印字動作中に本質的に熱的で機械的、かつ化
学的な応力を受けるために、熱インクジェットの信頼性
には該パシベーション段階で覆われる範囲が重要である
。導体物質と抵抗器物質の間がなめらかに遷移する事が
長いペン寿命には欠かせない。
好で、なめらかなうまく制御された導体エツジ輪郭の提
供が含まれる。熱インクジェット過程には良好な斜角の
品質が重要である。これらのエツジ輪郭はパシベーショ
ン段階で覆われる導体エツジ上の範囲を増強する。これ
らの装置は印字動作中に本質的に熱的で機械的、かつ化
学的な応力を受けるために、熱インクジェットの信頼性
には該パシベーション段階で覆われる範囲が重要である
。導体物質と抵抗器物質の間がなめらかに遷移する事が
長いペン寿命には欠かせない。
本発明の二段階プロセスではトレース導体が定義され、
斜角は第１マスクレベルで単一のエッチ段階で生成され
る。この段階では金属層のみが影響を受ける。導体が新
たに形成されるのでそれをエツチングすることにより、
後に十分説明するが、斜角が均一で滑らかになり、この
特徴によりエツジの局部的腐食、側面のエツジのうねり
、エッチ損傷フォトレジスト残留物がなくなる。
斜角は第１マスクレベルで単一のエッチ段階で生成され
る。この段階では金属層のみが影響を受ける。導体が新
たに形成されるのでそれをエツチングすることにより、
後に十分説明するが、斜角が均一で滑らかになり、この
特徴によりエツジの局部的腐食、側面のエツジのうねり
、エッチ損傷フォトレジスト残留物がなくなる。
本プロセスを用いると、あるエツチング液だけが導体寸
法に影響を与えるという事実のために、きわどい導体寸
法をよりたやすく制御できる。第２のマスクおよびエッ
チ段階だけが抵抗層をエッチし、伝統的な従来技術プロ
セスと対比する抵抗層は金属ス） ＩＪツブの真下にエ
ツジを持たない。
法に影響を与えるという事実のために、きわどい導体寸
法をよりたやすく制御できる。第２のマスクおよびエッ
チ段階だけが抵抗層をエッチし、伝統的な従来技術プロ
セスと対比する抵抗層は金属ス） ＩＪツブの真下にエ
ツジを持たない。
この特徴により前述の共通エツジ問題がなくなる。
ここで述べる強化されたプロセスではエツジ段階を２個
の別個のものにでき、それによって抵抗層のエツジに導
体エツジが覆い被さる可能性がなくなる。さらに、本プ
ロセスでは導体層物質に対する選択性とは無関係に抵抗
層のエツチング液を独立して修正、最適化することがで
きるので抵抗層のエツチング液を選択する上での制約が
なくなる。
の別個のものにでき、それによって抵抗層のエツジに導
体エツジが覆い被さる可能性がなくなる。さらに、本プ
ロセスでは導体層物質に対する選択性とは無関係に抵抗
層のエツチング液を独立して修正、最適化することがで
きるので抵抗層のエツチング液を選択する上での制約が
なくなる。
本プロセスを用いると、あるエツチング液だけが抵抗器
の幅に影響を与えるという事実のために、よりたやすく
きわどい抵抗器の寸法を制御できる。
の幅に影響を与えるという事実のために、よりたやすく
きわどい抵抗器の寸法を制御できる。
本プロセスではひとつのエッチ段階、およびそれに関連
した焼入れ、すすぎ、乾燥およびそれに係わる検査段階
が削減できる。さらに本プロセスでは、抵抗層エツチン
グ液が導体表面に酸の残留物を残さないようになってい
るので、プロセスによる腐食の公算が減少する。後者の
作用は伝統的な従来技術のプロセスで起こる。なぜなら
ば、先行段階で導体層をエツチングしている間にフォト
レジストマスクに形成された亀裂を通して、抵抗層エツ
チング液が浸透するからである。ゆえに、薄膜抵抗器／
導体の配列をパターン化する時の全体の品質と均質性は
本発明のプロセスを用いることで非常に強化される。
した焼入れ、すすぎ、乾燥およびそれに係わる検査段階
が削減できる。さらに本プロセスでは、抵抗層エツチン
グ液が導体表面に酸の残留物を残さないようになってい
るので、プロセスによる腐食の公算が減少する。後者の
作用は伝統的な従来技術のプロセスで起こる。なぜなら
ば、先行段階で導体層をエツチングしている間にフォト
レジストマスクに形成された亀裂を通して、抵抗層エツ
チング液が浸透するからである。ゆえに、薄膜抵抗器／
導体の配列をパターン化する時の全体の品質と均質性は
本発明のプロセスを用いることで非常に強化される。
（発明の実施例）
第１図に示した薄膜抵抗構造１０は、下に基板１２を含
み、基板は典型的にはガラスあるいはシリコンでできて
いる。基板１２の上には二酸化ケイ素ＳｉＯ□などでで
きた層１４があり、この表面絶縁層１４を用いて、基板
１２とその上のたとえばタンタルフルミニラム合金Ｔａ
Ａｌなどでできた抵抗層１６との間に誘導障壁およびヒ
ートシンクを提供する。抵抗層１６はたとえばアルミニ
ウムＡＩかラテきた一番上の導電層１８で順番に覆われ
る。しかしながら導電層１８および抵抗層１６は両方と
も前述の例に挙げた物質以外の様々な物質からできてい
ても良い。同様に表面絶縁層１４を全てに用いる必要は
なく、その代わり、所望の抵抗物質を直接受けるのに適
した誘電および熱伝達特性を持ったタイプの基板物質に
抵抗層を直接堆積しても良い。そのような適切な基板物
質の一つはバリア（ｂａｒｉａ）ガラスである。
み、基板は典型的にはガラスあるいはシリコンでできて
いる。基板１２の上には二酸化ケイ素ＳｉＯ□などでで
きた層１４があり、この表面絶縁層１４を用いて、基板
１２とその上のたとえばタンタルフルミニラム合金Ｔａ
Ａｌなどでできた抵抗層１６との間に誘導障壁およびヒ
ートシンクを提供する。抵抗層１６はたとえばアルミニ
ウムＡＩかラテきた一番上の導電層１８で順番に覆われ
る。しかしながら導電層１８および抵抗層１６は両方と
も前述の例に挙げた物質以外の様々な物質からできてい
ても良い。同様に表面絶縁層１４を全てに用いる必要は
なく、その代わり、所望の抵抗物質を直接受けるのに適
した誘電および熱伝達特性を持ったタイプの基板物質に
抵抗層を直接堆積しても良い。そのような適切な基板物
質の一つはバリア（ｂａｒｉａ）ガラスである。
第２Ａ図に示したようにフォトレジスト （図示せず）
のストリップで伝統的な写真製版処理技術を用いて一番
上の導電表面層１８を適切にマスクし、次に（例えばＨ
３Ｐ０．：ＨＮＯ，：ＣＨ３ＣＯ０Ｈ：Ｈ２Ｏの割合が
それぞれ１６： １４： １ ： ２の）金属エツチン
グ液にさらし、アルミニウム導電層１８の全ての保護さ
れていない部分を除去する。本段階では複数の導電トレ
ース２０および２２がそのまま残り、第２Ｂ図に示した
ように抵抗器長寸法「ｘ」を定義する。この図では導電
トレース２０および２２の２個だけを示しであるが、Ｔ
ＩＪプリンタに用いる様なプリントヘッド構造の薄膜抵
抗器はこれらのトレースを多数含むということを当業者
は理解し、正しく評価するであろう。これらのトレース
は結局第２Ｂ図に示した中心領域にある対応する多数の
加熱抵抗器２４に電流を限定し、供給するのに役に立つ
。
のストリップで伝統的な写真製版処理技術を用いて一番
上の導電表面層１８を適切にマスクし、次に（例えばＨ
３Ｐ０．：ＨＮＯ，：ＣＨ３ＣＯ０Ｈ：Ｈ２Ｏの割合が
それぞれ１６： １４： １ ： ２の）金属エツチン
グ液にさらし、アルミニウム導電層１８の全ての保護さ
れていない部分を除去する。本段階では複数の導電トレ
ース２０および２２がそのまま残り、第２Ｂ図に示した
ように抵抗器長寸法「ｘ」を定義する。この図では導電
トレース２０および２２の２個だけを示しであるが、Ｔ
ＩＪプリンタに用いる様なプリントヘッド構造の薄膜抵
抗器はこれらのトレースを多数含むということを当業者
は理解し、正しく評価するであろう。これらのトレース
は結局第２Ｂ図に示した中心領域にある対応する多数の
加熱抵抗器２４に電流を限定し、供給するのに役に立つ
。
第２Ｂ図の構造はフォトレジストマスキングステーショ
ンに移動され、そこで第２Ｃ図に示したように第２のフ
ォトレジストマスク２６が形成され、導電トレース２０
および２２の上部面に完全に覆う。
ンに移動され、そこで第２Ｃ図に示したように第２のフ
ォトレジストマスク２６が形成され、導電トレース２０
および２２の上部面に完全に覆う。
このマスキング段階が完了すると次に別に選択したエツ
チング溶液に第２Ｃ図の構造を浸し、第２Ｃ図に示した
ように上部の領域２８上下邪の領域３０の間に露出され
て保護されていない抵抗層を取り除く。次に適当なレジ
スト除去溶剤を用いて第２Ｃ図のフォトレジストマスク
２６を取り除き、それによって第２Ｄ図の輪郭の境界３
６および３８を真ん中に持った抵抗物質３４をそのまま
残し、加熱抵抗器２４の第２の寸法、すなわち幅「Ｙ」
を定める。
チング溶液に第２Ｃ図の構造を浸し、第２Ｃ図に示した
ように上部の領域２８上下邪の領域３０の間に露出され
て保護されていない抵抗層を取り除く。次に適当なレジ
スト除去溶剤を用いて第２Ｃ図のフォトレジストマスク
２６を取り除き、それによって第２Ｄ図の輪郭の境界３
６および３８を真ん中に持った抵抗物質３４をそのまま
残し、加熱抵抗器２４の第２の寸法、すなわち幅「Ｙ」
を定める。
この様に、抵抗物質３４の連続ストリップは導電トレー
ス２０および２２の下にあり、これらのトレースよりも
幅の寸法が大きい。
ス２０および２２の下にあり、これらのトレースよりも
幅の寸法が大きい。
ここで第３図を参照す、ると、輪郭がなめらかで斜角３
９および４０をつけて改良した二段階の抵抗器／コンダ
クタ構造の平面図を示す。斜角を付けたエツジ３９およ
び４０は水平に対して約２０度の傾きを持ち、前述のプ
ロセスでの単一のエッチ段階だけを受けた結果として表
面は非常に滑らかである。
９および４０をつけて改良した二段階の抵抗器／コンダ
クタ構造の平面図を示す。斜角を付けたエツジ３９およ
び４０は水平に対して約２０度の傾きを持ち、前述のプ
ロセスでの単一のエッチ段階だけを受けた結果として表
面は非常に滑らかである。
ここで第４Ａ図を参照すると、この図゛は第２Ｄ図の４
Ａ−４Ａに沿って切り取った断面図であり、先に述べた
滑らかで低い角度のエツジ３９および４０のアルミニウ
ムトレースパターンを示し、抵抗加熱素子４１を定義し
ている。第４Ａ図の構造は通常不活性パシベーション堆
積ステーションに移され、そこでは初めにアルミニウム
トレース物質および露出した加熱抵抗器の表面に典型的
にはシリコン窒化物５ｉ３Ｎ４の薄膜層が堆積される。
Ａ−４Ａに沿って切り取った断面図であり、先に述べた
滑らかで低い角度のエツジ３９および４０のアルミニウ
ムトレースパターンを示し、抵抗加熱素子４１を定義し
ている。第４Ａ図の構造は通常不活性パシベーション堆
積ステーションに移され、そこでは初めにアルミニウム
トレース物質および露出した加熱抵抗器の表面に典型的
にはシリコン窒化物５ｉ３Ｎ４の薄膜層が堆積される。
その後５ｉ＝Ｎ、の表面に非常に不活性な炭化ケイ素Ｓ
ｉＣの保護層が外側に堆積され、第４Ｂ図に示すような
複合内部表面パシベーション層４２が完成する。次には
るかに厚い外側のバリア層４４が表面パシベーション層
４２の表面に形成される。外側のバリア層４４はよく知
られたポリマであるＲＩＳＴＯＮあるいはＶＡＣＲＢＬ
などのポリマ物質でできており米国υｅｌａｗａｒｅ州
のＷｉ ＩｍｉｎｇｔｏｎにあるＤｕＰｏｎｔ社から入
手できる。代わりの方法として前記Ｈｅｗｌｅｔｔ−Ｐ
ａｃｋａ−ｒｄ−Ｊｏｕｒｎａ ｌに述べられた方法で
バリア層４４をニッケル電鋳してもよい。
ｉＣの保護層が外側に堆積され、第４Ｂ図に示すような
複合内部表面パシベーション層４２が完成する。次には
るかに厚い外側のバリア層４４が表面パシベーション層
４２の表面に形成される。外側のバリア層４４はよく知
られたポリマであるＲＩＳＴＯＮあるいはＶＡＣＲＢＬ
などのポリマ物質でできており米国υｅｌａｗａｒｅ州
のＷｉ ＩｍｉｎｇｔｏｎにあるＤｕＰｏｎｔ社から入
手できる。代わりの方法として前記Ｈｅｗｌｅｔｔ−Ｐ
ａｃｋａ−ｒｄ−Ｊｏｕｒｎａ ｌに述べられた方法で
バリア層４４をニッケル電鋳してもよい。
厚い、すなわち外側のバリア層４４は前述のような既知
のポリマ物質を用いて写真製版的に定めでもよいし、あ
るいはニッケルのような金属を用いて、既知の電鋳とフ
ォトレジストおよびマスキング技術で形成して、第４Ｂ
図の４６に示したようなインクだめ部を含むようにして
も良い。そのような電鋳技術はたとえばＣ，Ｓ、 Ｃｈ
ａｎらの発明に対する合衆国特許４，６９４．３０８に
発表されている１゜インクだめ４６は通常光に形成され
た抵抗加熱素子４１に重なっている。外側のバリア層４
４は外側のオリフィス板、すなわちノズル板に適当な接
着剤を（あるいは外側のバリア層４４自身を接着剤とし
て）用いて順番に固められる。これらのオリフィスは合
衆国特許４，６９４．３０８に述べてあ七：ような既知
のオリフィス形成技術を用いて定められる。オリフィス
は典型的には複数の先すぼみの外表面５０によって定義
され、対応する複数の出力インク噴射用開口部５２で終
結する。オリフィス板４８はニッケル電鋳でも良く、あ
るいは他の物質、例えばプラスティックや他の写真限定
できるポリマで形成しても良い。したがって、本発明は
特別な物質、および外側のバリア層４４の形状、および
前述のプリントヘッドの部品４４および４８用のオリフ
ィス板４８の物質には制限されない。
のポリマ物質を用いて写真製版的に定めでもよいし、あ
るいはニッケルのような金属を用いて、既知の電鋳とフ
ォトレジストおよびマスキング技術で形成して、第４Ｂ
図の４６に示したようなインクだめ部を含むようにして
も良い。そのような電鋳技術はたとえばＣ，Ｓ、 Ｃｈ
ａｎらの発明に対する合衆国特許４，６９４．３０８に
発表されている１゜インクだめ４６は通常光に形成され
た抵抗加熱素子４１に重なっている。外側のバリア層４
４は外側のオリフィス板、すなわちノズル板に適当な接
着剤を（あるいは外側のバリア層４４自身を接着剤とし
て）用いて順番に固められる。これらのオリフィスは合
衆国特許４，６９４．３０８に述べてあ七：ような既知
のオリフィス形成技術を用いて定められる。オリフィス
は典型的には複数の先すぼみの外表面５０によって定義
され、対応する複数の出力インク噴射用開口部５２で終
結する。オリフィス板４８はニッケル電鋳でも良く、あ
るいは他の物質、例えばプラスティックや他の写真限定
できるポリマで形成しても良い。したがって、本発明は
特別な物質、および外側のバリア層４４の形状、および
前述のプリントヘッドの部品４４および４８用のオリフ
ィス板４８の物質には制限されない。
次の表の値は例として与えたもので、ここで述べたタイ
プの一つのプリントヘッドに対してだけのものであるが
、実際に作られテストに合格して層 ＳｌＯ□ 厚さ 固有抵抗 堆積 （ミクロン） 概略値 プロセス １．７ 熱酸化 本プラズマエンハレストＣＶＤ 木本ＤｕＰｏｎｔ社製ポリマバリア材の商品名（発明の
効果） 以上詳述したように、本発明の実施により、簡素化され
たプロセスで高精度高信頼エツチングがおこなわれ、プ
ロセスの歩留まり向上、コスト低下、性能のばらつき低
減がなされる。さらに、高精度幾何構造のためもあり、
長寿命が達成されるので、実用に供して有益である。
プの一つのプリントヘッドに対してだけのものであるが
、実際に作られテストに合格して層 ＳｌＯ□ 厚さ 固有抵抗 堆積 （ミクロン） 概略値 プロセス １．７ 熱酸化 本プラズマエンハレストＣＶＤ 木本ＤｕＰｏｎｔ社製ポリマバリア材の商品名（発明の
効果） 以上詳述したように、本発明の実施により、簡素化され
たプロセスで高精度高信頼エツチングがおこなわれ、プ
ロセスの歩留まり向上、コスト低下、性能のばらつき低
減がなされる。さらに、高精度幾何構造のためもあり、
長寿命が達成されるので、実用に供して有益である。
第１図は本発明のでプロセス施す１つの薄膜部分構造の
等色画、第２Ａ図〜第２Ｄ図は導電トレース材と抵抗材
のそれぞれのパターン幾何の形成を示す平面図、第３図
は第２Ｄ図の中央部分の抵抗ス） ＩＪツブ決定後にお
ける抵抗及び導電体の関係を示す図、第４Ａ図は第２Ｄ
図の４Ａ−４Ａ線に沿った断面図、第４Ｂ図は第４Ａ図
の部分構造にバリア層物質と外側のオリフィス板を付加
した様子を示す断面図である。 １０：薄膜抵抗構造 １２：基板 １４：表面絶縁層 １６： １８： ２０゜ ２４＝ ２６＝ ３４＝ ３６゜ 抵抗層 導電層 ２２：導電トレース（スト （加熱）抵抗器 フォトレジストマスク 抵抗物質 ３８：輪郭の境界 抵抗加熱素子 パシベーション層 バリア層 インクだめ 外側のオリフィス板 ツブ）
等色画、第２Ａ図〜第２Ｄ図は導電トレース材と抵抗材
のそれぞれのパターン幾何の形成を示す平面図、第３図
は第２Ｄ図の中央部分の抵抗ス） ＩＪツブ決定後にお
ける抵抗及び導電体の関係を示す図、第４Ａ図は第２Ｄ
図の４Ａ−４Ａ線に沿った断面図、第４Ｂ図は第４Ａ図
の部分構造にバリア層物質と外側のオリフィス板を付加
した様子を示す断面図である。 １０：薄膜抵抗構造 １２：基板 １４：表面絶縁層 １６： １８： ２０゜ ２４＝ ２６＝ ３４＝ ３６゜ 抵抗層 導電層 ２２：導電トレース（スト （加熱）抵抗器 フォトレジストマスク 抵抗物質 ３８：輪郭の境界 抵抗加熱素子 パシベーション層 バリア層 インクだめ 外側のオリフィス板 ツブ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、次の（イ）〜（ホ）より成る薄膜抵抗装置の製造方
法。 （イ）所定の基板（１２、１４）上に抵抗層（１６）を
形成する過程。 （ロ）前記抵抗層（１６）上に導電層（１８）を形成す
る過程。 （ハ）前記導電層（１８）内に、抵抗加熱器（２４）の
両側に延在して、該抵抗加熱器（２４）の第１の寸法“
Ｘ”を決定する不連続な導電 ストリップ（２０、２２）を含むパターンを形成する過
程。 （ニ）前記導電ストリップ（２０、２２）から離れた前
記抵抗層（１６）の所定部分（２８、３０）のみを露出
させてマスク（２６）により前記導電ストリップを完全
に被覆する過程。 （ホ）前記抵抗加熱器（２４）の第２の寸法“Ｙ”を決
定するために前記抵抗層（１６）から前記所定部分（２
８、３０）を除去する過程。 前記第２の寸法“Ｙ”を決定するのに用 いるエッチング過程において、抵抗加熱器 （２４）は保護されている。 ２、バリア層（４４）と印刷媒体にインクを射出するた
めのオリフィス板（４８）とを順次受けるための薄膜抵
抗部分構造を有するインクジェットプリンタ用のインク
ジェットプリントヘッド。 前記薄膜抵抗部分構造は、つぎの（イ）〜（ホ）の過程
により製造される。 （イ）所定の基板（１２、１４）上に抵抗層（１６）を
形成する過程。 （ロ）前記抵抗層（１６）上に導電層（１８）を形成す
る過程。 （ハ）前記導電層（１８）内に、抵抗加熱器（２４）の
両側延在して、該抵抗加熱器（２４）の第１の寸法“Ｘ
”を決定する不連続な導電ス トリップ（２０、２２）を含むパターンを形成する過程
。 （ニ）前記導電ストリップ（２０、２２）から離れた前
記抵抗層（１６）の所定部分（２８、３０）のみを露出
させてマスク（２６）により前記導電ストリップを完全
に被覆する過程。 （ホ）前記抵抗加熱器（２４）の第２の寸法“Ｙ”を決
定するために前記抵抗層（１６）から前記所定部分（２
８、３０）を除去する過程。前記第２の寸法“Ｙ”を決
定するのに用いる エッチング過程において、抵抗加熱器（２４）は保護さ
れている。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US131,620 | 1987-12-10 | ||
| US07/131,620 US4809428A (en) | 1987-12-10 | 1987-12-10 | Thin film device for an ink jet printhead and process for the manufacturing same |
| SG141194A SG141194G (en) | 1987-12-10 | 1994-09-30 | Thin film device for an ink jet printhead and process for manufacturing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021311A true JPH021311A (ja) | 1990-01-05 |
| JP2783566B2 JP2783566B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=26664394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63310991A Expired - Fee Related JP2783566B2 (ja) | 1987-12-10 | 1988-12-08 | 薄膜抵抗装置の製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4809428A (ja) |
| EP (1) | EP0320192B1 (ja) |
| JP (1) | JP2783566B2 (ja) |
| CA (1) | CA1302158C (ja) |
| DE (1) | DE3885420T2 (ja) |
| HK (1) | HK136694A (ja) |
| SG (1) | SG141194G (ja) |
Cited By (3)
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| US5757452A (en) * | 1994-12-27 | 1998-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Color liquid crystal panel with light shielding layer sections formed between color filter films without contacting said color filter films |
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| EP0320192A2 (en) | 1989-06-14 |
| JP2783566B2 (ja) | 1998-08-06 |
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