JPH02122614A - 電子ビーム露光装置の精度管理方法 - Google Patents
電子ビーム露光装置の精度管理方法Info
- Publication number
- JPH02122614A JPH02122614A JP63276643A JP27664388A JPH02122614A JP H02122614 A JPH02122614 A JP H02122614A JP 63276643 A JP63276643 A JP 63276643A JP 27664388 A JP27664388 A JP 27664388A JP H02122614 A JPH02122614 A JP H02122614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drawn
- substrate
- pattern
- measurement
- evenness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 abstract description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 2
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 2
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的：
（産業上の利用分野）
この発明は、基板に描画されたパターンの距離等を測定
することによって行なう電子ビーム露光装置の精度管理
方法に関するものである。
することによって行なう電子ビーム露光装置の精度管理
方法に関するものである。
（従来の技術）
従来の電子ビーム露光装置の粘度管理方法としては、位
置精度に関するストライプバウンダリーに股がるパター
ンの繋ぎ合わせ検査も行なわれているが、その方法は第
６図に示すようなノン板のマスク全面（同図中において
は２０筒所）に測定用パターン群を描画し、各箇所のパ
ターン間の距Ｎ１を測定していた。又、こうした２０箇
所の描画パターン群が得られた場合においても、通常は
第６図中の丸枠内に指定したような、例えば６箇所程度
の描画パターン群にて各パターン間の１ｕｌｌの測定結
果を合計した数値から、これを繋ぎ合わせ精度検査の結
果とみなしている。しかし、実際にはこのような方法に
依ると各箇所の測定数値間のばらつきが多く、例えば測
定する度の平均値を対象にした１最大値−最小値１の値
を検討した結果には０．０３５ μ■もの差が生じてお
り、電子ビーム露光装置の位置精度に対する管理方法へ
の信頼性が問題になっていた。
置精度に関するストライプバウンダリーに股がるパター
ンの繋ぎ合わせ検査も行なわれているが、その方法は第
６図に示すようなノン板のマスク全面（同図中において
は２０筒所）に測定用パターン群を描画し、各箇所のパ
ターン間の距Ｎ１を測定していた。又、こうした２０箇
所の描画パターン群が得られた場合においても、通常は
第６図中の丸枠内に指定したような、例えば６箇所程度
の描画パターン群にて各パターン間の１ｕｌｌの測定結
果を合計した数値から、これを繋ぎ合わせ精度検査の結
果とみなしている。しかし、実際にはこのような方法に
依ると各箇所の測定数値間のばらつきが多く、例えば測
定する度の平均値を対象にした１最大値−最小値１の値
を検討した結果には０．０３５ μ■もの差が生じてお
り、電子ビーム露光装置の位置精度に対する管理方法へ
の信頼性が問題になっていた。
（発明が解決しようとする課題）
上述のような問題は、基板のマスク面に関する平坦度が
何ら考慮されておらず、マスク面上の描画された各測定
用パターンに対して隣接した所定箇所を選定し°〔距離
測定していた為である。マスク面の平坦度を考慮しない
限り、個々の測定結果のばらつきは避けられず、安定し
た測定結果を得ることはできない。しかして、この発明
の目的は、測定箇所による測定結果のばらつきを回避し
、描画する基板上の平坦度が均一にして秀逸な箇所を選
定することにより、位置精度に対して安定した測定用パ
ターンを対象にしてストライプバウンダリーの繋ぎ合わ
せ検査を行なうような、信頼性の高い電子ビーム露光装
置の精度管理方法を提供することにある。
何ら考慮されておらず、マスク面上の描画された各測定
用パターンに対して隣接した所定箇所を選定し°〔距離
測定していた為である。マスク面の平坦度を考慮しない
限り、個々の測定結果のばらつきは避けられず、安定し
た測定結果を得ることはできない。しかして、この発明
の目的は、測定箇所による測定結果のばらつきを回避し
、描画する基板上の平坦度が均一にして秀逸な箇所を選
定することにより、位置精度に対して安定した測定用パ
ターンを対象にしてストライプバウンダリーの繋ぎ合わ
せ検査を行なうような、信頼性の高い電子ビーム露光装
置の精度管理方法を提供することにある。
発明の構成；
（課題を解決するための手段）
電子ビーム露光装置の精度管理方法において、この発明
の上記目的は、被描画基板の平坦度が所定範囲に収まる
と共に均一な部分を選定して前記電子ビーム露光装置に
よる測定用パターン群を前記選定部分に描画するように
した前記各測定用パターン群間の距１ｉ１１１測定に関
わるストライプバウンダリーの繋ぎ合わせ検査の改善か
ら、前記電子ビーム露光装置の位置精度が高められるよ
うに構成することによって達成される。
の上記目的は、被描画基板の平坦度が所定範囲に収まる
と共に均一な部分を選定して前記電子ビーム露光装置に
よる測定用パターン群を前記選定部分に描画するように
した前記各測定用パターン群間の距１ｉ１１１測定に関
わるストライプバウンダリーの繋ぎ合わせ検査の改善か
ら、前記電子ビーム露光装置の位置精度が高められるよ
うに構成することによって達成される。
（作用）
この発明は、被描画面なる基板のマスク面の平坦度に留
意することによって、これが優れると共に均一な部分を
選定して位置精度の管理に関する測定条件を改善してい
る。マスク面の平坦度に関与する最たる影響は、基板自
体の装填変形であり、実質上は基板が装填されるカセッ
ト側からの反作用抗力に依る変形に起因する。これは基
板がカセットに装填されると弓形に曲げられ、幾分の反
り変形を受けるものであり、周波数の高い測定用パター
ンで描画するような場合は、マスク面の平坦度に及んだ
この変形からの影響を受は易くなっている。しかし、カ
セットの基板を支える爪の部分に対しては、基板が安定
支持されるので、マスク面も同様にその真上の近傍に関
する測定用パターンの描画が安定して優れた平坦度を得
ることができるのである。即ち、装填後の基板のマスク
面からこうした平坦度の優れた均一な部分を選定するわ
けである。
意することによって、これが優れると共に均一な部分を
選定して位置精度の管理に関する測定条件を改善してい
る。マスク面の平坦度に関与する最たる影響は、基板自
体の装填変形であり、実質上は基板が装填されるカセッ
ト側からの反作用抗力に依る変形に起因する。これは基
板がカセットに装填されると弓形に曲げられ、幾分の反
り変形を受けるものであり、周波数の高い測定用パター
ンで描画するような場合は、マスク面の平坦度に及んだ
この変形からの影響を受は易くなっている。しかし、カ
セットの基板を支える爪の部分に対しては、基板が安定
支持されるので、マスク面も同様にその真上の近傍に関
する測定用パターンの描画が安定して優れた平坦度を得
ることができるのである。即ち、装填後の基板のマスク
面からこうした平坦度の優れた均一な部分を選定するわ
けである。
（実施例）
以下に、この発明について実施例を挙げて詳細に説明す
る。
る。
第２図はこの発明に関する基板のマスク面の描画位置に
よる測定用パターンの等平坦度結線を示している。一般
にテスト用に惧１１定用パターンを描画するには、ラス
タースキャンにより例えば４０Ｍ）１２８０Ｍ）ＩＺの
高周波数を設定して出力する必要かある。こうして、２
種の高周波数でマスク面に描画された測定用パターンの
平坦度に関する解析結果から、その等平坦度点を結線す
ることによって第２図のような縞模様を呈したマスク面
における基板の平坦度分布が得られる。同図中のＬｌ−
Ｌ４は各丸枠部の測定用パターンを描画するに際して設
定した周波数毎の、例えば４０ＭＩＩＺによる測定用パ
ターン描画部Ｌ２や８０ＭＨ２によるｆｌｌｌｌ定用パ
ターン描画部Ｌ３、或いはその両方による測定用パター
ン描画部Ｌ１又はＬ４の例を示している。しかし、実際
こうした縞模様の等平坦度結線を得るには、通常とは異
なった中心部から外部へ向けたこれらの測定用パターン
の緻密な描画によって解析されなければならない。即ち
、第２図は基板のカセットによる装填変形をその等平坦
度の分布から徹底解析したものと考えれば良い。
よる測定用パターンの等平坦度結線を示している。一般
にテスト用に惧１１定用パターンを描画するには、ラス
タースキャンにより例えば４０Ｍ）１２８０Ｍ）ＩＺの
高周波数を設定して出力する必要かある。こうして、２
種の高周波数でマスク面に描画された測定用パターンの
平坦度に関する解析結果から、その等平坦度点を結線す
ることによって第２図のような縞模様を呈したマスク面
における基板の平坦度分布が得られる。同図中のＬｌ−
Ｌ４は各丸枠部の測定用パターンを描画するに際して設
定した周波数毎の、例えば４０ＭＩＩＺによる測定用パ
ターン描画部Ｌ２や８０ＭＨ２によるｆｌｌｌｌ定用パ
ターン描画部Ｌ３、或いはその両方による測定用パター
ン描画部Ｌ１又はＬ４の例を示している。しかし、実際
こうした縞模様の等平坦度結線を得るには、通常とは異
なった中心部から外部へ向けたこれらの測定用パターン
の緻密な描画によって解析されなければならない。即ち
、第２図は基板のカセットによる装填変形をその等平坦
度の分布から徹底解析したものと考えれば良い。
更に、同図中の斜縁が引かれた九枠部Ｃに関しては、第
６図で示したような各測定パターン部から特に平坦度が
優れると共に均一な部分を選定したものである。又、第
３図は基板がカセットに装填された状態に関する基板の
マスク面に関する平面断面図であり、第２図中の斜線九
枠部Ｃが測定用パターン描画位置として優れて安定した
平坦度を持つことの理由を説明するものである。つまり
、それは斜線九枠部Ｃの各部の真下近傍にカセットの爪
Ｆや特にＤ部とした箇所にも支点があるからであり、そ
れぞれの支えによって基板が安定支持される局部を有し
ているからに他ならない。即ち、第２図の斜線九枠部Ｃ
１或いはこれに同一な第３図においては測定用パターン
エリアＥが設定された同図中の６箇所の九枠部中の３筒
所に相当する部分を測定するようにすれば良い。
６図で示したような各測定パターン部から特に平坦度が
優れると共に均一な部分を選定したものである。又、第
３図は基板がカセットに装填された状態に関する基板の
マスク面に関する平面断面図であり、第２図中の斜線九
枠部Ｃが測定用パターン描画位置として優れて安定した
平坦度を持つことの理由を説明するものである。つまり
、それは斜線九枠部Ｃの各部の真下近傍にカセットの爪
Ｆや特にＤ部とした箇所にも支点があるからであり、そ
れぞれの支えによって基板が安定支持される局部を有し
ているからに他ならない。即ち、第２図の斜線九枠部Ｃ
１或いはこれに同一な第３図においては測定用パターン
エリアＥが設定された同図中の６箇所の九枠部中の３筒
所に相当する部分を測定するようにすれば良い。
更に、第１図はカセットに装填された後の基板の平坦度
変化に関して詳細に解析した図である。
変化に関して詳細に解析した図である。
やはり第２図に使用したような、ラスタースキャンの周
波数を４０ＭＩＩＺと８０ＭＨ７に設定して描画した場
合に関し、それぞれ第１図（Ａ）及び（Ｂ）として各測
定用パターンの描画位置における同図中のＺ方向の変動
量を０．５μｍモードによって測定した結果を示してい
る。これは基板がカセットに装填されて弓形に変形した
とぎの基準水平面に対する高さの変動量の測定値であり
、第１図（＾）及び（ロ）中においては支点上を含めた
９箇所の選定部分のデータを得ている。ここで、各測定
値の内、重下線が引かれた箇所はカセットの支点上に相
当しており、これを留意した条件下を新方法、全体現し
たものを旧友法と称することにする。即ち、新方法とは
重下線の引かれた測定値分だけとみなして良い。こうし
て、基板上における平坦度の１叫定を行なうと、従来の
旧友法によれば基板の装填変形からの測定値のばらっと
か第１図（八）の場合は、平均値の差で最大０．０３４
５μｍｎ程に及んで生じているのに対し、新方法を採用
すれば、第１図（八）及び （Ｂ）の何れの場合にｂ平
均値の差がｏ、ｏｏｔｉ μｍ１１以下と非常に安定し
でいることが判明する。即ち、新旧の基板上におけるマ
スク面の平坦度の測定平均値の差は歴然としており、被
描画面なる基板のマスク面の平坦度を留意することが如
何に測定精度の管理に重要であるか、換言すれば測定初
期条件の改善が目的達成に及ぼす効力が如何程であるか
を意味するものであるが、これについては以下に記述す
る。しかしながら、この発明の主旨は既に達成されてい
るのである。
波数を４０ＭＩＩＺと８０ＭＨ７に設定して描画した場
合に関し、それぞれ第１図（Ａ）及び（Ｂ）として各測
定用パターンの描画位置における同図中のＺ方向の変動
量を０．５μｍモードによって測定した結果を示してい
る。これは基板がカセットに装填されて弓形に変形した
とぎの基準水平面に対する高さの変動量の測定値であり
、第１図（＾）及び（ロ）中においては支点上を含めた
９箇所の選定部分のデータを得ている。ここで、各測定
値の内、重下線が引かれた箇所はカセットの支点上に相
当しており、これを留意した条件下を新方法、全体現し
たものを旧友法と称することにする。即ち、新方法とは
重下線の引かれた測定値分だけとみなして良い。こうし
て、基板上における平坦度の１叫定を行なうと、従来の
旧友法によれば基板の装填変形からの測定値のばらっと
か第１図（八）の場合は、平均値の差で最大０．０３４
５μｍｎ程に及んで生じているのに対し、新方法を採用
すれば、第１図（八）及び （Ｂ）の何れの場合にｂ平
均値の差がｏ、ｏｏｔｉ μｍ１１以下と非常に安定し
でいることが判明する。即ち、新旧の基板上におけるマ
スク面の平坦度の測定平均値の差は歴然としており、被
描画面なる基板のマスク面の平坦度を留意することが如
何に測定精度の管理に重要であるか、換言すれば測定初
期条件の改善が目的達成に及ぼす効力が如何程であるか
を意味するものであるが、これについては以下に記述す
る。しかしながら、この発明の主旨は既に達成されてい
るのである。
次に、この発明が影響する電子ビーム露光装置の精度管
理の要素として、位置精度に関する検査であるストライ
ブバウダリーに股がるパターンの繋ぎ合わせ精度の測定
検査の模様を第４図によって説明する。同図中の測定用
パターンはこの発明で新方法として選定した箇所に描画
されたものであり、隣接した十文字型の２つの測定用パ
ターンかストライプバウンダリーＳに股がって同図中の
Ｙ方向に繋ぎ合わさった状態に造形されている。
理の要素として、位置精度に関する検査であるストライ
ブバウダリーに股がるパターンの繋ぎ合わせ精度の測定
検査の模様を第４図によって説明する。同図中の測定用
パターンはこの発明で新方法として選定した箇所に描画
されたものであり、隣接した十文字型の２つの測定用パ
ターンかストライプバウンダリーＳに股がって同図中の
Ｙ方向に繋ぎ合わさった状態に造形されている。
位置精度を検査するにはこうした測定用パターンの造形
を基板のマスク面に描画しておくことにより、経時的若
しくは相対的な各測定用パターンの距慈間隔に関するバ
ッティングエラーのデータを得るようにする。尚、第４
図の形状はその寸法に関するＧ部をＧ・４．８部を１１
〜８０なる数値を持ったこの測定用パターンを具体的に
示した例であり、単位を特徴とする特に限定するもので
はない。更に、こうした位置精度に関する０、５ μｍ
モードによるＹ方向のパッチイングエラー測定結果のデ
ータ例を第５図に示すか、これは３週間に及び無調整で
測定した結果を示すものである。明らかに新方法は旧友
法に比較して各周波数設定下に対応する測定結果のばら
つきが抑えられており、その差に至っては実に対比で１
７２〜１７３程度と、著しく改汲されている。
を基板のマスク面に描画しておくことにより、経時的若
しくは相対的な各測定用パターンの距慈間隔に関するバ
ッティングエラーのデータを得るようにする。尚、第４
図の形状はその寸法に関するＧ部をＧ・４．８部を１１
〜８０なる数値を持ったこの測定用パターンを具体的に
示した例であり、単位を特徴とする特に限定するもので
はない。更に、こうした位置精度に関する０、５ μｍ
モードによるＹ方向のパッチイングエラー測定結果のデ
ータ例を第５図に示すか、これは３週間に及び無調整で
測定した結果を示すものである。明らかに新方法は旧友
法に比較して各周波数設定下に対応する測定結果のばら
つきが抑えられており、その差に至っては実に対比で１
７２〜１７３程度と、著しく改汲されている。
発明の効果
以上のように、この発明によれば電子ビーム露光装置の
精度管理方法に重要な位置精度に関するストライプバウ
ンダリーの繋キ合わせ検査に対して、被描画面なる基板
の平坦度に留意し、この描画への初期条件の設定を改善
することによって極めて安定した精度管理検査を行い得
る方法を実現している。又、この方法に依れば、従来よ
りも描画部分か削減されるので、検査工程全体が時間短
縮されると共に信頼性も保証され、必要最小限の実施回
数で済ませられるような合理化された精度Ｖ：埋方法を
提供している。更に、その他の関連−ｒる全ての精度検
査項目への適用も可能にしている。
精度管理方法に重要な位置精度に関するストライプバウ
ンダリーの繋キ合わせ検査に対して、被描画面なる基板
の平坦度に留意し、この描画への初期条件の設定を改善
することによって極めて安定した精度管理検査を行い得
る方法を実現している。又、この方法に依れば、従来よ
りも描画部分か削減されるので、検査工程全体が時間短
縮されると共に信頼性も保証され、必要最小限の実施回
数で済ませられるような合理化された精度Ｖ：埋方法を
提供している。更に、その他の関連−ｒる全ての精度検
査項目への適用も可能にしている。
第１図はこの発明の被描画基板に対する平坦度解析から
測定部分の選定を説明するための図、第２図はこの発明
に関わる測定パターンの描画位置による被描画基板上の
等平坦度結線を示す図、第３図はこの発明の測定用に選
定された基板部分の特色を説明するための平面断面図、
第４図はこの発明に関わる精度管理の測定検査の一例を
示した図、第５図は第４図の検査におけるこの発明の方
法による測定結果と従来の方法に依る測定結果との比較
例を示した図、第６図は従来の測定方法を説明するため
の図である。 Ｃ・・・選定部分、Ｄ・・・支点存在箇所、Ｅ・・・パ
ターンエリア、Ｆ・・・カセットの爪、Ｇ、Ｈ・・・測
定用パターンの寸法、Ｓ・・・ストライプバウンダリー
謝 図 遇 図
測定部分の選定を説明するための図、第２図はこの発明
に関わる測定パターンの描画位置による被描画基板上の
等平坦度結線を示す図、第３図はこの発明の測定用に選
定された基板部分の特色を説明するための平面断面図、
第４図はこの発明に関わる精度管理の測定検査の一例を
示した図、第５図は第４図の検査におけるこの発明の方
法による測定結果と従来の方法に依る測定結果との比較
例を示した図、第６図は従来の測定方法を説明するため
の図である。 Ｃ・・・選定部分、Ｄ・・・支点存在箇所、Ｅ・・・パ
ターンエリア、Ｆ・・・カセットの爪、Ｇ、Ｈ・・・測
定用パターンの寸法、Ｓ・・・ストライプバウンダリー
謝 図 遇 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電子ビーム露光装置の精度管理方法において、被描
画基板の平坦度が所定範囲に収まると共に均一な部分を
選定して前記電子ビーム露光装置による測定用パターン
群を前記選定部分に描画するようにした前記各測定用パ
ターン群間の距離測定に関わるストライプバウンダリー
の繋ぎ合わせ検査の改善から、前記電子ビーム露光装置
の位置精度が高められるように構成したことを特徴とす
る電子ビーム露光装置の精度管理方法。 ２、前記被描画基板の選定部分を前記被描画基板の装填
先となるカセットの支点部に対する真上近傍とし、前記
被描画基板の選定部分の平坦度を０．５μｍ以内にした
請求項１に記載の電子ビーム露光装置の精度管理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276643A JP2662266B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 電子ビーム露光装置の精度管理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63276643A JP2662266B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 電子ビーム露光装置の精度管理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02122614A true JPH02122614A (ja) | 1990-05-10 |
| JP2662266B2 JP2662266B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=17572306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63276643A Expired - Lifetime JP2662266B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | 電子ビーム露光装置の精度管理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2662266B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009137649A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Taesung Industrial Co Ltd | クラムシェル型容器 |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP63276643A patent/JP2662266B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009137649A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Taesung Industrial Co Ltd | クラムシェル型容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2662266B2 (ja) | 1997-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20110133066A1 (en) | Pattern inspection device and method | |
| JP4839127B2 (ja) | 校正用標準部材及びこれを用いた校正方法および電子ビーム装置 | |
| JP2007218711A (ja) | 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法 | |
| US5296917A (en) | Method of monitoring accuracy with which patterns are written | |
| US6841890B2 (en) | Wafer alignment mark for image processing including rectangular patterns, image processing alignment method and method of manufacturing semiconductor device | |
| US7307254B2 (en) | Scanning electron microscope | |
| IE57375B1 (en) | Photomask pattern inspection | |
| KR101104665B1 (ko) | 기판 검사 시스템, 기판 검사 방법 및 기판 검사 장치 | |
| KR100379285B1 (ko) | 전자 빔 리소그라피 방법 및 그 제조장치 | |
| JPH02122614A (ja) | 電子ビーム露光装置の精度管理方法 | |
| US8121390B2 (en) | Pattern inspection method, pattern inspection apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
| JP4902806B2 (ja) | 校正用標準部材 | |
| US6541770B1 (en) | Charged particle system error diagnosis | |
| US20130264479A1 (en) | Method and apparatus for measuring displacement between patterns and scanning electron microscope installing unit for measuring displacement between patterns | |
| TWI814006B (zh) | 無遮罩之第二層對準方法及設備 | |
| JPS6321844A (ja) | コンタクトホ−ルの測定方法 | |
| US9965851B2 (en) | Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same | |
| JPH0922859A (ja) | 電子線露光工程における試料面高さの補正方法 | |
| US8009299B2 (en) | Method for beam calibration and usage of a calibration body | |
| KR100506818B1 (ko) | 반도체 기판의 이동위치 설정방법 및 반도체 기판의검사방법 | |
| JPH04237115A (ja) | 描画パターンの精度モニタ方法 | |
| JPH06120312A (ja) | アライメント方法 | |
| JP2004140019A (ja) | 電子線投影マスクの検査方法、電子線投影マスクの位置検出方法及び電子線投影マスクの検査装置 | |
| JP5142092B2 (ja) | Ｔｆｔアレイ検査装置 | |
| JPH10223144A (ja) | カラーブラウン管用偏向ヨークの調整方法、カラーブラウン管用偏向ヨークの管理方法および偏向ヨーク・カラーブラウン管組合せ方法、並びに試験用カラーブラウン管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080613 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 12 |