JPH02115364A - Tellurium target and production thereof - Google Patents

Tellurium target and production thereof

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JPH02115364A
JPH02115364A JP26699088A JP26699088A JPH02115364A JP H02115364 A JPH02115364 A JP H02115364A JP 26699088 A JP26699088 A JP 26699088A JP 26699088 A JP26699088 A JP 26699088A JP H02115364 A JPH02115364 A JP H02115364A
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JP
Japan
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target
density
hardness
tellurium
target material
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Application number
JP26699088A
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Japanese (ja)
Inventor
Shun Okada
駿 岡田
Mitsuteru Toishi
光輝 戸石
Hiroaki Urano
浦野 広明
Mitsuhiro Kojima
小島 光宏
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Dowa Holdings Co Ltd
Original Assignee
Dowa Mining Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To obtain a Te target for sputtering having improved cracking resistance by forming a target with Te having a specified purity or above and a specified relative density or above and making the density of the Te target as uniform as possible over the entire surface. CONSTITUTION:A target is formed with Te having >=99.99% purity and >=95% relative density and the density of the Te target is made as uniform as possible over he entire surface so that the occurrence of stress due to the target material itself can be prevented. In order to evaluate the uniformity of the density of the target material, measured values of hardness are used as substitutive characteristics of density from the correlation between hardness and density. The Vickers hardness Hv of the Te target material is measured at many points over the entire surface and the standard deviation sigma of the measured values is regulated to <=10% of the mean value. A Te target having improved cracking resistance is obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はスパッタリング用ターゲット材に関し、特に基
体表面に金属テルル薄膜を蒸着させるための蒸着源とし
て用いるのに適した金属テルル製焼結ターゲット材及び
その製法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a target material for sputtering, and in particular, a sintered target material made of metallic tellurium suitable for use as a vapor deposition source for depositing a metallic tellurium thin film on the surface of a substrate. and its manufacturing method.

[従来の技術] 従来、スパッタリング用ターゲット材としては種々の金
属あるいは合金がその目的によって選ばれ使用されてい
る。金属テルル及びテルル合金をスパッタリング用ター
ゲット材として使用することは、たとえば特開昭82−
13589号rTeまたはTe合金製スパッタリング用
焼結ターゲット」に開示されているように公知である。
[Prior Art] Conventionally, various metals or alloys have been selected and used as sputtering target materials depending on the purpose. The use of metallic tellurium and tellurium alloys as target materials for sputtering is disclosed, for example, in Japanese Patent Application Laid-open No. 1982-
No. 13589 "Sintered target for sputtering made of rTe or Te alloy".

Te及びTe合金ターゲットは非常にもろいため鋳造法
で成形することは非常に困難であり、通常、粉末冶金的
手法で製造されている。このようにしてつくられたター
ゲットはスパッタリング装置に組込まれ実用に供される
が、スパッタリング時、電力投入によりターゲットは発
熱し、その表面は常にアルゴンプラズマにさらされてお
り高エネルギー雰囲気中にある。このような過酷な使用
条件の下で、ターゲット材はクラック、異常放電等を防
止しながら使用されなければならない。
Te and Te alloy targets are very brittle and therefore very difficult to form by casting methods, and are usually produced by powder metallurgy. The target thus produced is incorporated into a sputtering device and put into practical use; however, during sputtering, the target generates heat when power is applied, and its surface is constantly exposed to argon plasma and in a high-energy atmosphere. Under such severe usage conditions, the target material must be used while preventing cracks, abnormal discharge, etc.

[発明が解決しようとする課題] しかるに現存のターゲットはまだ、上記の使用条件に十
分耐え得る満足すべきものであるとはいえず、特に投入
電力を増加するとクラック発生、溶融をおこす。
[Problems to be Solved by the Invention] However, existing targets are not yet satisfactory enough to withstand the above-mentioned usage conditions, and cracks and melts occur particularly when the input power is increased.

従来、上記の如き欠点を克服するための研究が種々なさ
れてきており、前記特開昭には、ターゲット材に含まれ
る酸素濃度を1100pp以下とすることにより、ター
ゲット材の熱伝導性と強度を改善することができ、その
問題をある程度解決できたことが記載されている。
In the past, various studies have been carried out to overcome the above-mentioned drawbacks, and in the aforementioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-120003, the thermal conductivity and strength of the target material can be improved by reducing the oxygen concentration contained in the target material to 1100 pp or less. It is stated that the problem could be improved and the problem could be solved to some extent.

しかしながら、前記特開昭に開示されているターゲット
もスパッタ時の最大出力は純Tcで3.5 W/cdS
Tc −50%sbでも4.4W/cdに過ぎず、決し
て満足すべきものであるとはいえない。
However, the maximum output during sputtering of the target disclosed in JP-A-Sho is 3.5 W/cdS in pure Tc.
Even at Tc -50%sb, it is only 4.4 W/cd, which is by no means satisfactory.

そこで、それよりももっと改善された性能のよいテルル
ターゲットを開発することが本発明の解決すべき課題で
ある。
Therefore, it is an object of the present invention to develop a tellurium target with improved performance.

[課題を解決するための手段] 本発明者等の研究は、すべて、純度99.99%以上の
金属テルルの焼結体について行なわれた。したがって、
酸素濃度がlooppm以下であるという条件は自動的
に満たされている。それにもかかわらず、あるTe金属
焼結製品は、スパッタ時の最大出力が3.2W/c−程
度に過ぎず、それ以上の電力をかけると破壊されてしま
うのに、またあるTe金属焼結製品はスパッタ時の出力
を5 、0 W / cjとしても全く破壊されないと
いうように、個々のターゲット材 かった。このことは、酸素濃度以外にもターゲット材の
強度や安定性を左右する大きな因子があることを示唆し
ている。それらの因子が何であるかを突きとめるべく、
我々の研究は進められた。
[Means for Solving the Problems] All research by the present inventors was conducted on a sintered body of metallic tellurium with a purity of 99.99% or more. therefore,
The condition that the oxygen concentration is below looppm is automatically met. Nevertheless, some Te metal sintered products have a maximum output of only about 3.2 W/c- during sputtering, and will be destroyed if more power is applied. The product had individual target materials that were not destroyed at all even when the sputtering output was 5.0 W/cj. This suggests that there are other important factors besides oxygen concentration that affect the strength and stability of the target material. In order to find out what those factors are,
Our research progressed.

研究を進めるにあたり、まず、次のようなことが考えら
れた。すなわち、ターゲット材は通常加圧成形−焼結後
、表面研削され、成形及び焼結の治具により汚染された
表面部が除去されて最終的にバッキングプレートに接合
される。これらの工程ではたえず、研削酸、接着剤、加
熱ろう材、フラックス等の影響を受け、成形体に気孔が
あればその部分に含浸が行なわれる。また、酸化も受け
やすく、酸化されると電気抵抗が増加したりして好まし
くない。
In proceeding with the research, the following considerations were first considered. That is, the target material is usually subjected to surface grinding after pressure forming and sintering, and the surface portion contaminated by the forming and sintering jig is removed, and finally it is joined to the backing plate. In these steps, the molded product is constantly affected by grinding acid, adhesive, heated brazing material, flux, etc., and if there are pores in the molded product, those portions are impregnated. It is also susceptible to oxidation, and oxidation causes an increase in electrical resistance, which is undesirable.

そこで、これらの含浸や酸化を受けることの少ない製品
をつくることによって、ターゲット材の性能を改善する
ことができると考えられる。そのためには、焼結体の密
度を大きくして、できるだけ金属テルルの真の密度(6
、24)に近づける必要があると考えられる。何故なら
、焼結Teの真の密度に対する相対密度(真の密度に対
する%で表わすものとする)が小さいということは、そ
れだけ焼結体内部に空隙があることを意味するものと考
えられるからである。
Therefore, it is thought that the performance of target materials can be improved by creating products that are less susceptible to these impregnations and oxidations. To achieve this, it is necessary to increase the density of the sintered body to achieve the true density of metallic tellurium (6
, 24). This is because the fact that the relative density to the true density of sintered Te (expressed as a percentage of the true density) is small is considered to mean that there are voids inside the sintered body. be.

次に発明者等は、ターゲット材の密度むらが、ターゲッ
ト材の破壊に大きな影響力を持つものと予測し、ターゲ
ット材の密度を平板状のターゲット材の全体にわたり、
できるだけ均一にすれば、ターゲット材自身に起因する
応力の発生がなくなり、ターゲット材が破壊されにくく
なるに違いないという発想を得、これに基づいて密度の
均一化をはかるための方策を講じることとした。
Next, the inventors predicted that the density unevenness of the target material would have a large influence on the destruction of the target material, and so the density of the target material was adjusted over the entire flat target material.
We came up with the idea that if we make the density as uniform as possible, the stress caused by the target material itself will be eliminated and the target material will be less likely to be destroyed.Based on this idea, we took measures to make the density uniform. did.

ところで、ターゲット材の広い面積の全体にわたり、密
度が均一化されているかどうかを知るためには、各局部
における密度を簡単に測定する方法を知らなければなら
ない。しかし、局部的な密度を簡単に測定できる適切な
方法はないため、密度の代理特性として表面硬度の測定
値を用いることを考えた。そしてそのi’iJ否を検討
するため、様々な密度のTc成形体を作成しその各々に
ついて硬度の測定を行ない、密度と硬度との関係を調べ
たところ、第2図に示すような結果が得られた。
By the way, in order to know whether the density is uniform over a wide area of the target material, it is necessary to know a method of easily measuring the density in each local area. However, since there is no suitable method for easily measuring local density, we considered using surface hardness measurements as a proxy for density. In order to examine the i'iJ or not, we created Tc molded bodies with various densities, measured the hardness of each, and investigated the relationship between density and hardness, and found the results shown in Figure 2. Obtained.

すなわち、ターゲット材の相対密度とビッカース硬度と
の間には強い正の相関関係のあることが確認され、密度
の均一化の手段として密度の代理特性として硬度の測定
値を用い得ることがわかった。
In other words, it was confirmed that there is a strong positive correlation between the relative density of the target material and Vickers hardness, and it was found that the measured value of hardness can be used as a proxy characteristic for density as a means of uniformizing the density. .

本発明者等は硬度としてビッカース硬度Hを用■ いたが、他の方法で測定した硬度でもよいことは原理上
明らかである。
Although the present inventors used Vickers hardness H as the hardness, it is clear in principle that hardness measured by other methods may be used.

そこでまず、密度の代理特性としての硬度(H)を用い
て、硬度と含浸、酸化との関係を■ 検討するため、各テストピースにワックスを含浸させる
ことを試み、表面研削後真空中でテストピースを加熱し
てTeを蒸発させ、ワックス含浸の有無を調べた。結果
として硬度H= 32kg/ mJ以上のテストピース
には全く含浸が認められず、H−29kg/−以下のテ
ストピースには多くの含浸が認められまた、酸化物が認
められた。酸化物が認められたのはワックス含浸を15
0”〜20G℃で空気中で行なったため酸化が進んだも
のと思われる。H−30kg/−以上のものは同様の処
理にもかかわらず内部酸化は進んでおらず、非常に安定
な成形体であることがわかった。
First, in order to investigate the relationship between hardness, impregnation, and oxidation using hardness (H) as a proxy property for density, we attempted to impregnate each test piece with wax, and after surface grinding, we tested it in vacuum. The pieces were heated to evaporate the Te and examined for wax impregnation. As a result, no impregnation was observed in the test pieces with hardness H=32 kg/mJ or more, and a lot of impregnation and oxides were observed in the test pieces with hardness H-29 kg/- or less. Oxide was observed in wax impregnation in 15
Oxidation seems to have progressed because it was carried out in air at temperatures between 0'' and 20G°C.For H-30kg/- and above, internal oxidation did not progress despite similar treatment, making the molded products extremely stable. It turned out to be.

上記の実験結果は、H−30kg/−以上のTeターゲ
ット、さらにはH−32kg/−以上のTeターゲット
が、含浸や酸化に対して十分な耐性を持つ緻密な構造を
有していることを示している。
The above experimental results demonstrate that Te targets of H-30 kg/- or more, and even H-32 kg/- or more, have a dense structure with sufficient resistance to impregnation and oxidation. It shows.

それぞれの硬度に対応する相対密度は、第2図から94
,7%及び9B、8%であることがわかる。だが、後に
説明するように密度95%以上、あるいは密度97%以
上のターゲットであれば常に最も破壊されにくいとは限
らず、また、密度95%以上の範囲に限定して調べてみ
ても、密度の大小が破壊され難さの大小に一致するわけ
でもないことがわかった。
The relative density corresponding to each hardness is 94 from Figure 2.
, 7% and 9B, 8%. However, as will be explained later, targets with a density of 95% or more or 97% or more are not always the most difficult to destroy, and even if you limit your investigation to the range with a density of 95% or more, It was found that the magnitude of the damage does not necessarily correspond to the difficulty of destruction.

とはいえ、95%以上あるいはさらに、97%以上とい
う密度(またはH−30kg/−あるいはH−v   
                    v32kg
/−という硬度)が、TQツタ−ットが破壊応力に対し
て安定であるための、一つの大きな前提条件となるとい
うことは、前記の含浸及び酸化に対する耐性の実験結果
から結論できるといえよう。
However, if the density is 95% or more or even 97% or more (or H-30kg/- or H-v
v32kg
It can be concluded from the experimental results of impregnation and oxidation resistance that a hardness of /- is one of the major prerequisites for TQ Tutat to be stable against fracture stress. Good morning.

そのような条件を満たした上で、さらにどのような条f
牛力(満たされな1すればならないかについて、発明者
等はさらに研究し、次のことを見出した。
Once such conditions are met, what further provisions should be made?
The inventors further researched the question of whether or not one should be satisfied and discovered the following.

すなわち、95.0%より大きい密度範囲で詳しく研究
した結果、スパッタリング時のターゲットの耐破壊性は
、ターゲット面全体にわたってターゲットの密度が均一
であるか否によって最も人きな影響を受け、密度の代理
特性として発明者等が採用したビッカース硬度Hの測定
値のバラツキの大きさを表わすσの値の大小と強い相関
関係を持つものであることがわかった。すなわち、この
σの値がある一定の値以下となるように制御することに
よって、耐破壊性の極めて優れたTc金属ターゲットを
製造できることがわかった。さらに、このびの値を左右
する大きな因子の一つは、粉末を成形するときの充填の
仕方であり、たとえば、金型に山盛りに充填した後、摺
切りによって平坦化するといった従来の安易な充填法で
は十分な密度の均一性が得られないことがわかった。
That is, as a result of detailed research in a density range greater than 95.0%, it was found that the fracture resistance of a target during sputtering is most influenced by whether or not the target density is uniform over the entire target surface; It was found that there is a strong correlation with the value of σ, which represents the magnitude of variation in the measured values of Vickers hardness H, which the inventors adopted as a proxy characteristic. That is, it has been found that by controlling the value of σ to be below a certain value, it is possible to manufacture a Tc metal target with extremely excellent fracture resistance. Furthermore, one of the major factors that influences the value of flatness is the filling method when molding the powder. It was found that the filling method did not provide sufficient density uniformity.

すなわち、一般に粉末3をダイス1と下バンチ2及び上
バンチ(図示せず)からなる加圧成形用の型に充填する
際(第3a図)、特に注意せずに充填すると例えば第3
b図に示すように型内の粉体を最初に投入した部分Aと
型内に投入した後すり切り等の操作により充填された部
分Bとては目視上は均一に見えるが実質的には充填密度
が異なり、これを−軸ないし二輪プレスで圧縮すると充
填方法に起因した密度むらを生じる。
That is, in general, when filling the powder 3 into a pressure molding mold consisting of the die 1, the lower bunch 2, and the upper bunch (not shown) (Fig. 3a), if the powder 3 is filled without particular care, for example, the third
As shown in figure b, the part A in the mold where the powder was initially introduced and the part B filled by operations such as scraping after being put into the mold appear uniform visually, but in reality the filling is They have different densities, and if they are compressed using a spindle or two-wheel press, density unevenness will occur due to the filling method.

この状態で焼結すれば変形、クラック、密度むら等の欠
陥を持つ焼結体となる。ホットプレスを用いた場合でも
同様な欠陥を持つ焼結体が得られる。変形やクラックを
生じた製品については製造工程で簡単に除去できるが、
密度むらについては非破壊検査が難しいため、特別の対
策はとられておらず、外観上問題がない場合は特に注目
されなかった。また、密度むらについては例えば焼結温
度むら等その他の要因によっても同様な欠陥が発生する
。このような欠陥を持つターゲット材は苛酷な使用条件
で使われた場合、発熱し密度の異なる部分では発熱むら
等を引きおこし、それに起因した様々な応力が発生する
。元来機械的強度が低く融点の低いTeターゲットはこ
のような応力や発熱むらにより破壊されたり部分溶融を
引きおこす。したがって、上記の諸点に注意して工程に
工夫と改善をこらし、特に、金属粉末を加圧成形用の型
に充填する操作を極めて高度な均質充填が確保される方
式で行なうようにすれば、密度のバラツキを極めて小さ
くすることができ、その結果非常に大きな出力でスパッ
タリングしても容品にクラックを生じないTeターゲッ
トを製造できることが確認された。
Sintering in this state results in a sintered body with defects such as deformation, cracks, and uneven density. Even when hot pressing is used, a sintered body with similar defects can be obtained. Products that are deformed or cracked can be easily removed during the manufacturing process, but
Because non-destructive testing is difficult for density unevenness, no special measures were taken, and if there were no problems with the appearance, no particular attention was paid. Furthermore, similar defects may occur due to other factors such as unevenness in sintering temperature with respect to density unevenness. When a target material with such defects is used under severe usage conditions, it generates heat, causing uneven heat generation in areas with different densities, and various stresses resulting from this. The Te target, which originally has low mechanical strength and a low melting point, is destroyed or partially melted due to such stress and uneven heat generation. Therefore, if we pay attention to the above points and devise and improve the process, and in particular, fill the metal powder into the pressure molding mold in a manner that ensures extremely high homogeneous filling, It was confirmed that the variation in density could be made extremely small, and as a result, it was possible to manufacture a Te target that would not cause cracks even when sputtered at a very high output.

以下実施例により、さらに詳しく説明する。The present invention will be explained in more detail with reference to Examples below.

実施例 1 5′φのTeターゲットを作成し、Rrマグネトロンス
パッタ装置を用いてスパッタリングを行ない、投入電力
量を変化させてターゲットの破壊電力を調査し、下記第
1表の結果を得た。
Example 1 A Te target of 5'φ was prepared, sputtering was performed using an Rr magnetron sputtering device, and the breakdown power of the target was investigated by varying the amount of input power, and the results shown in Table 1 below were obtained.

硬度の測定は、ターゲットの各サンプルにつき、ダイヤ
モンド圧子を一定荷重で押しつけて、できた圧痕の大き
さを測定し、換算表でビッカース硬度(H)を求めた。
The hardness was measured by pressing a diamond indenter against each sample of the target with a constant load, measuring the size of the indentation, and determining the Vickers hardness (H) using a conversion table.

H測定値の平均値又は直V             
    V径127mm(5インチ)のターゲット1枚
にっき1cd当り1ケ所H測定し、その測定数をnとし
て計算した。
Average value of H measurement value or direct V
H was measured at one location per cd per target with a V diameter of 127 mm (5 inches), and the number of measurements was calculated as n.

次に、第1表の結果から、まず、密度と破壊電力との相
関性を検定するため、密度の大きいものから順にデータ
を並べ直してみた。結果は第2表の通りである。
Next, based on the results in Table 1, in order to test the correlation between density and breakdown power, we rearranged the data in descending order of density. The results are shown in Table 2.

第2表の結果は、試験した密度範囲で密度と破壊電力と
の間に特別の相関性がないことを示している。
The results in Table 2 show that there is no particular correlation between density and breakdown power over the density range tested.

そこで次に、第1表の結果から、Hの測定値のバラツキ
(σ)と破壊電力(Wb)との相関性を検討するため、
バラツキ(σ)の大きい順にデータを並べ直してみると
第3表のようになった。
Next, based on the results in Table 1, in order to examine the correlation between the variation in the measured values of H (σ) and the breakdown power (Wb),
When we rearranged the data in descending order of variation (σ), we obtained Table 3.

第3表の結果は、H測定値のバラツキ(標準V 偏差)σと破壊電力(W、)との間に、明確ではないが
何らかの相関性があることを感じさせる。
The results in Table 3 give the impression that there is some kind of correlation, although not clear, between the variation in H measurement values (standard V deviation) σ and the breakdown power (W).

そこで、さらに各サンプルについて、バラツキσがHの
平均値又の何%に当るかを表わす数値、すなわちσ/ヌ
X100を考え、これと破壊電力との相関性を検定する
ためσ/ x X 100の値の大きいものから順にデ
ータを並べ直してみると、第4表のようになった。
Therefore, for each sample, consider a value representing the percentage of the average value of H that the variation σ corresponds to, that is, σ/nuX100, and in order to test the correlation between this and the breakdown power, σ/ When I rearranged the data in descending order of the value of , it became as shown in Table 4.

第4表の結果は、σ/又の値が小さくなるに従って、破
壊電力の値が大きくなる傾向をはっきりと示している。
The results in Table 4 clearly show a tendency for the value of breakdown power to increase as the value of σ/or decreases.

この結果を直交座標にプロットすると第1図のようにな
る。
If this result is plotted on orthogonal coordinates, it will look like Figure 1.

第1図から、σ/又X 100−10.0のとき破壊電
力は3.7W/c−であり、a / RX 100< 
10.0とすれば、破壊電力は確実に3 、7 W /
 c−より大きくできることがわかる。試みに、σ/又
X 100−84のとき破壊電力W、は4.OW/c−
となり、σ/又×100−7.6のときWb−4,5W
/c−となり、σ/RX100−6.4のときW、−5
,QW/c−以上となることかはゾ確信をもって予測で
きる。よって、使用目的によってσ/又x iooの値
が10.0以下の適当な値以下となるように、製造工程
を管理して、製品ターゲット板面の密度の平均化をはか
れば、極めて高い出力で使用できるTeターゲットを製
造することができると確信される。
From Fig. 1, when σ/X is 100-10.0, the breakdown power is 3.7 W/c-, and a/RX 100<
10.0, the breakdown power is definitely 3.7 W/
It can be seen that it can be made larger than c-. As a trial, when σ/X is 100-84, the breakdown power W is 4. OW/c-
So, when σ/also×100-7.6, Wb-4.5W
/c-, and when σ/RX100-6.4, W, -5
, QW/c- or more can be predicted with great certainty. Therefore, if the manufacturing process is controlled and the density of the product target plate surface is averaged so that the value of σ/or It is believed that it is possible to produce a Te target that can be used in output.

尚、上記は金属テルルターゲットについて説明したが、
テルル合金ターゲットの場合も、Hの■ 具体的な数値が違うだけで、本質的に同じ発明の原理が
適用できることは明らかである。
In addition, although the above explained the metallic tellurium target,
It is clear that essentially the same principle of the invention can be applied to the tellurium alloy target as well, with the only difference being the specific value of H.

[発明の効果] ターゲット材の密度を少なくとも95%とし、さらにタ
ーゲットの板面全体にわたり密度をできる限り均一にす
れば、ターゲット材自身に起因する応力の発生はなくな
るという発想にもとずいて、ターゲット材の密度の均一
化をはかり、その評価方法として、硬度と密度との強い
相関性に着目し、硬度DI定値を密度の代用特性として
用いることにより、改善された耐クラツク性を持つTe
ターゲットをつくることに成功した。このようにして得
られたターゲット材は、例えば硬度分布が、H−33,
[i±3.7(kg/mj)のターゲット材が3.5W
/cdでクラックが発生したのに対しH−32,6±2
.1(kg/a+J)のものは前者に比しターゲット材
の密度がかなり小さいにもかかわらず5W/cdの出力
でもクラックが発生しない。
[Effects of the Invention] Based on the idea that if the density of the target material is at least 95% and the density is made as uniform as possible over the entire plate surface of the target, stress caused by the target material itself will be eliminated. By aiming to equalize the density of the target material and focusing on the strong correlation between hardness and density as an evaluation method, we developed Te with improved crack resistance by using the hardness DI fixed value as a substitute characteristic for density.
I succeeded in creating a target. The target material obtained in this way has a hardness distribution of, for example, H-33,
[i±3.7 (kg/mj) target material is 3.5W
/cd cracks occurred, whereas H-32,6±2
.. 1 (kg/a+J), no cracks occur even at an output of 5 W/cd, even though the density of the target material is much lower than that of the former.

すなわち、Tcターゲットの製造に際し、製品板面全体
にわたる密度の均一化の重要性を認識し、その実現に密
度の代理特性として硬度を利用できることを確認し、耐
クラツク性の改善されたTeターゲットの製造目的に大
きな貢献をすることができた。
In other words, we recognized the importance of uniform density over the entire surface of the product plate when manufacturing Tc targets, confirmed that hardness can be used as a surrogate property for density to achieve this, and developed Te targets with improved crack resistance. We were able to make a significant contribution to manufacturing purposes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、Hの測定値の平均値又に対する測■ 定値の標準偏差σの百分率(σ/又X 100%)と焼
結Tcターゲットの破壊電力(W/cd)との関係を示
すグラフである。 第2図は焼結Teターゲットの相対密度(%)とビッカ
ース硬度(H)との関係を示すグラフ■ である。 第3a図は従来の方法により圧粉成形の目的で金型に金
属粉末を投入した直後の状態を表わす概略断面図である
。 第3b図は、第3a図に示した状態から摺切りにより粉
末を上面が水平となるようにならした状態における粉末
の充填密度の全型内位置による相違を説明するための概
略断面図である。 図中の符号は、次のものをそれぞれ表わす。 1・・・ダイス      2・・・下パンチ3・・・
金属粉末
Figure 1 is a graph showing the relationship between the percentage of the standard deviation σ of the measured values (σ/or It is. FIG. 2 is a graph (1) showing the relationship between relative density (%) and Vickers hardness (H) of a sintered Te target. FIG. 3a is a schematic cross-sectional view showing the state immediately after metal powder is charged into a mold for the purpose of powder compaction by a conventional method. Fig. 3b is a schematic cross-sectional view for explaining the difference in the packing density of the powder depending on the position in the mold in the state shown in Fig. 3a in which the powder is smoothed so that the top surface is horizontal by cutting. . The symbols in the figure represent the following, respectively. 1... Dice 2... Lower punch 3...
metal powder

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)金属テルルの純度が99.99%以上であり、相
対密度が95%以上であって、相対密度の代理特性とし
て、ターゲット材表面の全体にわたり偏りなく測定した
多数のビッカース硬度H_vの測定値の標準偏差σが、
H_vの測定値の平均値@x@の10.0%以下のある
選ばれた値以下であることを特徴とする金属テルルから
なるスパッタリング用焼結金属ターゲット。
(1) The purity of the metallic tellurium is 99.99% or more, the relative density is 95% or more, and as a proxy characteristic of the relative density, a large number of measurements of Vickers hardness H_v are measured uniformly over the entire surface of the target material. The standard deviation σ of the values is
A sintered metal target for sputtering made of tellurium metal, characterized in that H_v is less than a selected value of 10.0% or less of the average measured value @x@.
(2)ターゲット材表面の全体にわたり、偏りなく測定
した多数のビッカース硬度H_vの測定値の平均値が、
@x@=30.0(kg/mm^2)以上であり、その
標準偏差が、σ=2.5(kg/mm^2)以下である
ことを特徴とする、金属分99.99%以上の金属テル
ルからなるスパッタリング用焼結金属ターゲット。
(2) The average value of a large number of measured values of Vickers hardness H_v uniformly measured over the entire surface of the target material is
99.99% metal content, characterized in that @x@ = 30.0 (kg/mm^2) or more, and the standard deviation thereof is σ = 2.5 (kg/mm^2) or less A sintered metal target for sputtering made of the metal tellurium mentioned above.
(3)金属テルル粉末を圧粉成形した後焼結して焼結金
属ターゲットを製造する方法の製造工程において、金属
粉末を加圧成形用の金型に充填する操作を極めて高度な
均質充填が確保される方式で行ない、これを圧粉成形し
て得られた圧粉成形体を焼結して得られる焼結金属のサ
ンプルを採取して、その少なくとも一つの表面の全体に
わたり、偏りなくビッカース硬度H_vを測定し、H_
vの測定値の平均値が@x@=30.0(kg/mm^
2)以上であり、かつその標準偏差がσ=2.5(kg
/mm^2)以下となる条件が満足されるように製造工
程を管理することを特徴とする金属テルルからなるスパ
ッタリング用焼結金属ターゲットの製法。
(3) In the manufacturing process of the method of manufacturing a sintered metal target by compacting and sintering metallic tellurium powder, the operation of filling the metal powder into a pressure molding mold is performed with extremely high level homogeneous filling. A sample of the sintered metal obtained by sintering the powder compact obtained by powder compacting is taken, and the Vickers is uniformly distributed over at least one surface of the sample. Measure hardness H_v, H_
The average value of the measured values of v is @x@=30.0 (kg/mm^
2) or more, and its standard deviation is σ = 2.5 (kg
/mm^2) A method for manufacturing a sintered metal target for sputtering made of tellurium metal, characterized in that the manufacturing process is controlled so that the following conditions are satisfied:
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